JPH07102732B2 - 微細レジストパターンの形成方法 - Google Patents
微細レジストパターンの形成方法Info
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- JPH07102732B2 JPH07102732B2 JP3245191A JP3245191A JPH07102732B2 JP H07102732 B2 JPH07102732 B2 JP H07102732B2 JP 3245191 A JP3245191 A JP 3245191A JP 3245191 A JP3245191 A JP 3245191A JP H07102732 B2 JPH07102732 B2 JP H07102732B2
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Description
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等を製造す
るためのフォトリングラフィー技術で用いるレジストパ
ターンを高精度にかつ量産的に形成できる方法に関す
る。
るためのフォトリングラフィー技術で用いるレジストパ
ターンを高精度にかつ量産的に形成できる方法に関す
る。
【従来の技術】薄膜トランジスター（ＴＦＴ）によって
各画素のスイッチングを行うアクティブマトリックス方
式の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、高画質を得ること
ができる利点を有している。このアクティブマトリック
ス方式のＬＣＤは、ポケットＴＶ、ポータブルＴＶ用と
して実用化の段階に入っており、近年は、この液晶ディ
スプレイを対角２０インチ、４０インチ、７０インチと
大型化するための研究が盛んに行なわれている。ところ
でこの液晶ディスプレイを大型化する場合、液晶ディス
プレイのＴＦＴの部分を製作する際に行なわれているフ
ォトリングラフィー工程、つまりレジストを塗布、露
光、現像してレジストパターンを形成した後エッチング
処理を行うフォトリソグラフィー工程で用いる製造装
置、特に大型露光装置を開発するために莫大な費用が必
要になる問題が生じている。このような問題に対処する
ために、従来より、金属板のエッチング用レジストパタ
ーンや回路パターンを形成する際に広く採られているス
クリーン印刷法やオフセット印刷法を利用することが提
案されている。
各画素のスイッチングを行うアクティブマトリックス方
式の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、高画質を得ること
ができる利点を有している。このアクティブマトリック
ス方式のＬＣＤは、ポケットＴＶ、ポータブルＴＶ用と
して実用化の段階に入っており、近年は、この液晶ディ
スプレイを対角２０インチ、４０インチ、７０インチと
大型化するための研究が盛んに行なわれている。ところ
でこの液晶ディスプレイを大型化する場合、液晶ディス
プレイのＴＦＴの部分を製作する際に行なわれているフ
ォトリングラフィー工程、つまりレジストを塗布、露
光、現像してレジストパターンを形成した後エッチング
処理を行うフォトリソグラフィー工程で用いる製造装
置、特に大型露光装置を開発するために莫大な費用が必
要になる問題が生じている。このような問題に対処する
ために、従来より、金属板のエッチング用レジストパタ
ーンや回路パターンを形成する際に広く採られているス
クリーン印刷法やオフセット印刷法を利用することが提
案されている。
【発明が解決しようとする課題】スクリーン印刷法はメ
ッシュ状スクリーンに所定のパターンのインキ遮蔽マス
クを形成し、貫通透過部からインキを通過させて被印刷
体に付着させることにより印刷を行う方法である。この
印刷法ではインキの厚刷り（数μｍ〜２０μｍ厚）が容
易なので、耐食性に優れたレジストパターンを印刷でき
る利点がある。しかしながらこのスクリーン印刷法で
は、２００μｍ以下の微細なパターンの印刷が困難であ
る。また、オフセット印刷法は、ＰＳ版に親油性部と親
水性部を形成し、親水性部に水分を保持させて油性イン
キを反発させ、親油性部のみに選択的にインキを付着さ
せ、かかるインキパターンを被印刷体に印刷する方法で
ある。このオフセット印刷法では、印刷適性をあげるた
めに、版上のインキパターンを一度ゴムブランケットに
転写し、この後に被印刷体に再転写している。このオフ
セット印刷法は、比較的微細な画線を得ることができる
利点がある。しかしながらこのオフセット印刷法では、
インキング方式や２回の転写操作等の関係により印刷さ
れる画線が１μｍ程度の薄いもとなり、印刷画線にピン
ホールや断線が発生し易い欠点がある。またこの問題に
対処するために版に付着させるインキの膜厚を増すと、
その影響で印刷画線が太くなり１００〜２００μｍ程度
の線幅が限界となってしまう。本発明は上記の問題点に
鑑みてなされたもので、微細で且つ適度な厚みを有する
レジストパターンを正確且つ鮮明に、また効率的且つ安
価に形成しできるレジストパターンの形成方法を提供す
ることを目的とする。
ッシュ状スクリーンに所定のパターンのインキ遮蔽マス
クを形成し、貫通透過部からインキを通過させて被印刷
体に付着させることにより印刷を行う方法である。この
印刷法ではインキの厚刷り（数μｍ〜２０μｍ厚）が容
易なので、耐食性に優れたレジストパターンを印刷でき
る利点がある。しかしながらこのスクリーン印刷法で
は、２００μｍ以下の微細なパターンの印刷が困難であ
る。また、オフセット印刷法は、ＰＳ版に親油性部と親
水性部を形成し、親水性部に水分を保持させて油性イン
キを反発させ、親油性部のみに選択的にインキを付着さ
せ、かかるインキパターンを被印刷体に印刷する方法で
ある。このオフセット印刷法では、印刷適性をあげるた
めに、版上のインキパターンを一度ゴムブランケットに
転写し、この後に被印刷体に再転写している。このオフ
セット印刷法は、比較的微細な画線を得ることができる
利点がある。しかしながらこのオフセット印刷法では、
インキング方式や２回の転写操作等の関係により印刷さ
れる画線が１μｍ程度の薄いもとなり、印刷画線にピン
ホールや断線が発生し易い欠点がある。またこの問題に
対処するために版に付着させるインキの膜厚を増すと、
その影響で印刷画線が太くなり１００〜２００μｍ程度
の線幅が限界となってしまう。本発明は上記の問題点に
鑑みてなされたもので、微細で且つ適度な厚みを有する
レジストパターンを正確且つ鮮明に、また効率的且つ安
価に形成しできるレジストパターンの形成方法を提供す
ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】本発明では、印刷用凹版
の画線凹部に粘性インキを充填した後、画線凹部以外の
インキをドクターで除去し、ついで画線凹部内のインキ
を硬化させ、次に再び粘性インキを前記インキを硬化さ
せた画線凹部に充填した後、画線凹部以外のインキをド
クターで除去し、この後インキを被印刷体に転写して、
レジストパターンを形成することにより前記課題の解決
を図った。この形成方法で用いる凹版の版材には、通
常、銅、銅合金、ステンレス等の金属板が利用される
が、その他にもガラス、セラミック等各種の版材を利用
することができる。また印刷用版は、通常ゴムローラに
巻き付けられた版銅ローラーの状態で用いられるが、平
板状の状態で利用することもできる。印刷用版に所定パ
ターンの画線凹部を形成する手段は特に限定されるもの
でなく、研磨された版材に微細切削法で画線凹部を形成
するような機械的な手段や、フォトファブリケーション
技術を利用してエッチングして画線凹部を形成するとい
った化学的な手段など各種の手段を採用できる。このよ
うにして形成される画線凹部の線幅は通常３〜７０μｍ
程度、深さ（版深）は１〜１０μｍ程度である。また印
刷用凹版の画線凹部内のインキの硬化は、熱を加えた
り、紫外線（ＵＶ）、赤外線（ＩＲ）や電子線（ＥＢ）
等の放射によって行うことができる。本発明の形成方法
には、アクリル−エポキシ系紫外線硬化性インキ等の紫
外線硬化型インキ、赤外線（熱）硬化型インキ、電子線
硬化型インキなど各種のインキを利用できる。それらの
中でも、空気によって硬化が阻害される嫌気性タイプの
インキ、例えばアクリル重合タイプであるニツセッＰＥ
−１１８（日本カーバイド工業（株）製）等が好適であ
る。この嫌気性タイプのインキを用いると凹版の画線凹
部に充填されたインキを硬化させたとき、空気に触れる
凹部開口側の部分は硬化し難く不完全硬化状態となり粘
着性が残存し、画線凹部内で硬化されたインキと後に再
び充填されるインキとが一体化し易い利点がある。しか
し本発明のレジストパターンの形成方法で利用できるイ
ンキは、このような嫌気性タイプのものに限定されるこ
とはない。以上のようにして画線凹部内のインキを硬化
させると、インキは体積収縮する。そして画線凹部の開
口側には凹みが生じる。そこでこの発明の形成方法で
は、この後再び画線凹部に粘性インキを充填し、その
後、画線凹部以外のインキをドクターで除去する。この
とき用いられるインキは、酸化重合タイプであるＮＳ−
５０（諸星インキ（株）製）等の粘着性を有するインキ
であっても良いが、一回目に用いたインキと同一のもの
であっても良い。なお、画線凹部内のインキの被印刷体
への転写が容易でない場合は、基板上に予め薄く粘着性
又は接着性の被膜を形成しておくと良い。このような被
膜を形成する材料としては、各種市販品があり、接着・
粘着過程が溶剤賦活型、熱賦活型、圧力賦活型、化学反
応型のもの等がある。この場合、塗布された粘着性又は
接着性の被膜の不要部分を除去する必要があるが、不要
部分の被膜の除去は、プラズマ等のドライエッチング、
エッチング液によるウエットエッチング等のエッチング
法によって行うことができる。また表面に凹凸のある薄
膜トランジスタ形成用基板、例えばプロセスを経た基板
に本発明の形成方法でレジストパターンを形成する場合
は、基板上に予めフォトレジストを塗布した後、インキ
の転写を行うと良い。基板に塗布されたフォトレジスト
は、転写されたインキをマスキングレジストとして紫外
線等で露光処理した後、エッチングすることにより不要
部分を除去される。この場合に用いるインキとしては、
フォトレジストが紫外線硬化型のものであれば、紫外線
を遮蔽できるカーボンブラック、紫外線吸収顔料等が混
合されたインキが好適である。
の画線凹部に粘性インキを充填した後、画線凹部以外の
インキをドクターで除去し、ついで画線凹部内のインキ
を硬化させ、次に再び粘性インキを前記インキを硬化さ
せた画線凹部に充填した後、画線凹部以外のインキをド
クターで除去し、この後インキを被印刷体に転写して、
レジストパターンを形成することにより前記課題の解決
を図った。この形成方法で用いる凹版の版材には、通
常、銅、銅合金、ステンレス等の金属板が利用される
が、その他にもガラス、セラミック等各種の版材を利用
することができる。また印刷用版は、通常ゴムローラに
巻き付けられた版銅ローラーの状態で用いられるが、平
板状の状態で利用することもできる。印刷用版に所定パ
ターンの画線凹部を形成する手段は特に限定されるもの
でなく、研磨された版材に微細切削法で画線凹部を形成
するような機械的な手段や、フォトファブリケーション
技術を利用してエッチングして画線凹部を形成するとい
った化学的な手段など各種の手段を採用できる。このよ
うにして形成される画線凹部の線幅は通常３〜７０μｍ
程度、深さ（版深）は１〜１０μｍ程度である。また印
刷用凹版の画線凹部内のインキの硬化は、熱を加えた
り、紫外線（ＵＶ）、赤外線（ＩＲ）や電子線（ＥＢ）
等の放射によって行うことができる。本発明の形成方法
には、アクリル−エポキシ系紫外線硬化性インキ等の紫
外線硬化型インキ、赤外線（熱）硬化型インキ、電子線
硬化型インキなど各種のインキを利用できる。それらの
中でも、空気によって硬化が阻害される嫌気性タイプの
インキ、例えばアクリル重合タイプであるニツセッＰＥ
−１１８（日本カーバイド工業（株）製）等が好適であ
る。この嫌気性タイプのインキを用いると凹版の画線凹
部に充填されたインキを硬化させたとき、空気に触れる
凹部開口側の部分は硬化し難く不完全硬化状態となり粘
着性が残存し、画線凹部内で硬化されたインキと後に再
び充填されるインキとが一体化し易い利点がある。しか
し本発明のレジストパターンの形成方法で利用できるイ
ンキは、このような嫌気性タイプのものに限定されるこ
とはない。以上のようにして画線凹部内のインキを硬化
させると、インキは体積収縮する。そして画線凹部の開
口側には凹みが生じる。そこでこの発明の形成方法で
は、この後再び画線凹部に粘性インキを充填し、その
後、画線凹部以外のインキをドクターで除去する。この
とき用いられるインキは、酸化重合タイプであるＮＳ−
５０（諸星インキ（株）製）等の粘着性を有するインキ
であっても良いが、一回目に用いたインキと同一のもの
であっても良い。なお、画線凹部内のインキの被印刷体
への転写が容易でない場合は、基板上に予め薄く粘着性
又は接着性の被膜を形成しておくと良い。このような被
膜を形成する材料としては、各種市販品があり、接着・
粘着過程が溶剤賦活型、熱賦活型、圧力賦活型、化学反
応型のもの等がある。この場合、塗布された粘着性又は
接着性の被膜の不要部分を除去する必要があるが、不要
部分の被膜の除去は、プラズマ等のドライエッチング、
エッチング液によるウエットエッチング等のエッチング
法によって行うことができる。また表面に凹凸のある薄
膜トランジスタ形成用基板、例えばプロセスを経た基板
に本発明の形成方法でレジストパターンを形成する場合
は、基板上に予めフォトレジストを塗布した後、インキ
の転写を行うと良い。基板に塗布されたフォトレジスト
は、転写されたインキをマスキングレジストとして紫外
線等で露光処理した後、エッチングすることにより不要
部分を除去される。この場合に用いるインキとしては、
フォトレジストが紫外線硬化型のものであれば、紫外線
を遮蔽できるカーボンブラック、紫外線吸収顔料等が混
合されたインキが好適である。
【作用】本発明のレジストパターン形成方法では、版と
して凹版を使用し、この凹版の画線凹部に充填したイン
キを硬化させた後、再び画線凹部内にインキ充填し、こ
の後インキを薄膜トランジスタ形成用基板等の被印刷体
に転写するので、硬化処理により画線凹部内において増
粘または硬化して流動性が消滅し非流動状態となった一
回目のインキは、版上でパターニングされた形状をその
ままに保持して二回目のインキの粘着力によって被印刷
体に転写される。従ってこの形成方法によれば、微細パ
ターンを有するインキ層（レジストパターン）を版通り
に形成することができる。また本発明の形成方法によれ
ば、被印刷体である薄膜トランジスタ形成用基板に転写
されるインキは凹版の画線凹部内に収容されているの
で、転写する際にインキが押し潰されることはない。従
って本発明の形成方法によれば、版の画線凹部の深さに
応じた適宜な厚みのレジストパターンを形成できる。
して凹版を使用し、この凹版の画線凹部に充填したイン
キを硬化させた後、再び画線凹部内にインキ充填し、こ
の後インキを薄膜トランジスタ形成用基板等の被印刷体
に転写するので、硬化処理により画線凹部内において増
粘または硬化して流動性が消滅し非流動状態となった一
回目のインキは、版上でパターニングされた形状をその
ままに保持して二回目のインキの粘着力によって被印刷
体に転写される。従ってこの形成方法によれば、微細パ
ターンを有するインキ層（レジストパターン）を版通り
に形成することができる。また本発明の形成方法によれ
ば、被印刷体である薄膜トランジスタ形成用基板に転写
されるインキは凹版の画線凹部内に収容されているの
で、転写する際にインキが押し潰されることはない。従
って本発明の形成方法によれば、版の画線凹部の深さに
応じた適宜な厚みのレジストパターンを形成できる。
【実施例】次に、図面を参照しつつ本発明のレジストパ
ターンの形成方法を説明する。 （実施例１）図１ないし図５は本発明のレジストパター
ンの形成方法の一実施例を工程順に示すもので、図中符
号１は印刷用版である。この印刷用版１は銅板製の凹版
で、ゴムローラ２０に巻き付けられている。この印刷用
版１にはＴＦＴの半導体膜を形成するためのレジストパ
ターンに対応した画線凹部２がパターン形成されてい
る。この画線凹部２はエッチング処理によって形成され
たものでその最小線幅は２０μｍ、深さ（版深）は３μ
ｍであった。この印刷用版１の表面に図２に示すよう
に、アクリル−エポキシ系紫外線硬化性インキ３を塗布
し、ついで不要なインキを薄い金属ブレード等からなる
ドクター４で掻き取って除去し、画線凹部２のみにイン
キ３を残留充填させた。この後、印刷用版１の表面に紫
外線を所定時間照射してインキ３を硬化せしめたとこ
ろ、図３に示すように、インキ３は硬化収縮し、画線凹
部２の開口部側に浅い凹み５が生じた。次に、図４に示
すように、印刷用版１の表面に再びインキ６を塗布しつ
いで不要なインキをドクター４で掻き取って、画線凹部
２のみにインキ６を残留充填させた。このとき用いたイ
ンキ６は１回目に用いたインキ３と同一のものを用い
た。次に図５に示すように、ｐ−Ｓｉ膜６が形成された
ＴＦＴ基板（被印刷体）７の上に印刷用版１を設置し正
確に位置を合わせた後両者を密着させゆっくりと転が
し、インキ６（未硬化）とインキ３（硬化）とを転移さ
せた。印刷用版１が基板７から離れると画線凹部２内で
（未硬化）インキ６と（硬化）インキ３がＴＦＴ基板７
に転写されて最小線幅２０μｍ、膜厚３μｍのレジスト
パターンが精度良く再現されていた。このレジストパタ
ーン形成方法では、版１として凹版を使用し、この凹版
１の画線凹部２に充填したインキ３を硬化させた後再び
画線凹部２にインキ６を充填し、ついでこれらをＴＦＴ
基板７に転写したので、インキ３は画線凹部２内におい
て増粘または硬化して画線凹部２の形状をそのままに保
持して（未硬化）インキ６の粘着力によりＴＦＴ基板７
に転写される。しかも、一回目のインキ３が硬化処理時
に体積収縮しても、その部分が二回目のインキ６によっ
て補われるので、インキ３，６が基板７にしっかりと密
着し、円滑に転写される。従ってこの形成方法によれ
ば、インキ３，６からなる微細なレジストパターンを版
通りに形成することができる。またこのレジストパター
ンの形成方法によれば、ＴＦＴ基板７に転写されるイン
キ３は凹版１の画線凹部２内に収容されているので、転
写する際にインキ３が押し潰されることはない。従って
この形成方法によれば、版１の画線凹部２の深さに応じ
た適宜な厚みのレジストパターンを形成できる。
ターンの形成方法を説明する。 （実施例１）図１ないし図５は本発明のレジストパター
ンの形成方法の一実施例を工程順に示すもので、図中符
号１は印刷用版である。この印刷用版１は銅板製の凹版
で、ゴムローラ２０に巻き付けられている。この印刷用
版１にはＴＦＴの半導体膜を形成するためのレジストパ
ターンに対応した画線凹部２がパターン形成されてい
る。この画線凹部２はエッチング処理によって形成され
たものでその最小線幅は２０μｍ、深さ（版深）は３μ
ｍであった。この印刷用版１の表面に図２に示すよう
に、アクリル−エポキシ系紫外線硬化性インキ３を塗布
し、ついで不要なインキを薄い金属ブレード等からなる
ドクター４で掻き取って除去し、画線凹部２のみにイン
キ３を残留充填させた。この後、印刷用版１の表面に紫
外線を所定時間照射してインキ３を硬化せしめたとこ
ろ、図３に示すように、インキ３は硬化収縮し、画線凹
部２の開口部側に浅い凹み５が生じた。次に、図４に示
すように、印刷用版１の表面に再びインキ６を塗布しつ
いで不要なインキをドクター４で掻き取って、画線凹部
２のみにインキ６を残留充填させた。このとき用いたイ
ンキ６は１回目に用いたインキ３と同一のものを用い
た。次に図５に示すように、ｐ−Ｓｉ膜６が形成された
ＴＦＴ基板（被印刷体）７の上に印刷用版１を設置し正
確に位置を合わせた後両者を密着させゆっくりと転が
し、インキ６（未硬化）とインキ３（硬化）とを転移さ
せた。印刷用版１が基板７から離れると画線凹部２内で
（未硬化）インキ６と（硬化）インキ３がＴＦＴ基板７
に転写されて最小線幅２０μｍ、膜厚３μｍのレジスト
パターンが精度良く再現されていた。このレジストパタ
ーン形成方法では、版１として凹版を使用し、この凹版
１の画線凹部２に充填したインキ３を硬化させた後再び
画線凹部２にインキ６を充填し、ついでこれらをＴＦＴ
基板７に転写したので、インキ３は画線凹部２内におい
て増粘または硬化して画線凹部２の形状をそのままに保
持して（未硬化）インキ６の粘着力によりＴＦＴ基板７
に転写される。しかも、一回目のインキ３が硬化処理時
に体積収縮しても、その部分が二回目のインキ６によっ
て補われるので、インキ３，６が基板７にしっかりと密
着し、円滑に転写される。従ってこの形成方法によれ
ば、インキ３，６からなる微細なレジストパターンを版
通りに形成することができる。またこのレジストパター
ンの形成方法によれば、ＴＦＴ基板７に転写されるイン
キ３は凹版１の画線凹部２内に収容されているので、転
写する際にインキ３が押し潰されることはない。従って
この形成方法によれば、版１の画線凹部２の深さに応じ
た適宜な厚みのレジストパターンを形成できる。
【発明の効果】以上説明したように、本発明の微細レジ
ストパターンの形成方法は、印刷用凹版の画線凹部に粘
性インキを充填した後、画線凹部以外の非画線部のイン
キをドクターで除去し、ついで画線凹部内のインキを硬
化させ、次に再び粘性インキを前記インキを硬化させた
画線凹部に充填した後、画線凹部以外のインキをドクタ
ーで除去し、この後インキを被印刷体に転写してレジス
トパターンとすることを特徴とする方法なので、一度目
のインキを硬化処理することによりインキは画線凹部内
において増粘または硬化し、インキの流動性は消滅す
る。そして、一回目のインキは非流動状態となって版上
でパターニングされた形状をそのままに保持して二回目
のインキの粘着力により被印刷体に転写される。この
際、一回目のインキが硬化処理時に体積収縮しても、そ
の部分が二回目のインキによって補われるので、インキ
が基板にしっかりと密着し、円滑に転写される。従って
本発明の形成方法によれば、インキからなる微細なレジ
ストパターンを版通りに形成することができる。また本
発明の形成方法によれば、ＴＦＴ基板に転写されるイン
キが凹板の画線凹部内に収容されているので、転写の際
にインキが押し潰されることはない。従って本発明の形
成方法によれば、版の画線凹部の深さに応じた厚みのレ
ジストパターンを形成できる。よって本発明のレジスト
パターンの形成方法によれば、微細で且つ適度な厚みを
有するレジストパターンを正確且つ鮮明に、また効率的
且つ安価に形成することができる。
ストパターンの形成方法は、印刷用凹版の画線凹部に粘
性インキを充填した後、画線凹部以外の非画線部のイン
キをドクターで除去し、ついで画線凹部内のインキを硬
化させ、次に再び粘性インキを前記インキを硬化させた
画線凹部に充填した後、画線凹部以外のインキをドクタ
ーで除去し、この後インキを被印刷体に転写してレジス
トパターンとすることを特徴とする方法なので、一度目
のインキを硬化処理することによりインキは画線凹部内
において増粘または硬化し、インキの流動性は消滅す
る。そして、一回目のインキは非流動状態となって版上
でパターニングされた形状をそのままに保持して二回目
のインキの粘着力により被印刷体に転写される。この
際、一回目のインキが硬化処理時に体積収縮しても、そ
の部分が二回目のインキによって補われるので、インキ
が基板にしっかりと密着し、円滑に転写される。従って
本発明の形成方法によれば、インキからなる微細なレジ
ストパターンを版通りに形成することができる。また本
発明の形成方法によれば、ＴＦＴ基板に転写されるイン
キが凹板の画線凹部内に収容されているので、転写の際
にインキが押し潰されることはない。従って本発明の形
成方法によれば、版の画線凹部の深さに応じた厚みのレ
ジストパターンを形成できる。よって本発明のレジスト
パターンの形成方法によれば、微細で且つ適度な厚みを
有するレジストパターンを正確且つ鮮明に、また効率的
且つ安価に形成することができる。
【図１】実施例のレジストパターンの形成方法に用いる
版を示す断面図。
版を示す断面図。
【図２】同実施例の形成方法で一回目のインキを充填す
る工程を示す断面図。
る工程を示す断面図。
【図３】同実施例の形成方法で一回目に充填されたイン
キを硬化させる工程を示す断面図。
キを硬化させる工程を示す断面図。
【図４】同実施例の形成方法で二回目のインキを充填す
る工程を示す断面図。
る工程を示す断面図。
【図５】同実施例の形成方法で被印刷体にインキを転写
する工程を示す断面図。
する工程を示す断面図。
１ 凹版 ２ 画線凹部 ３ インキ ４ ドクター ５ 凹み ６ インキ ７ ＴＦＴ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 一範 東京都中央区東日本橋１−６−５ 株式会 社ジーティシー内 (56)参考文献 特開 昭60−39888（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−19889（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 印刷用凹版の画線凹部に粘性インキを充
填した後、画線凹部以外のインキをドクターで除去し、
ついで画線凹部のインキを硬化させ、次に再び粘性イン
キを前記インキを硬化させた画線凹部に充填した後、画
線凹部以外のインキをドクターで除去し、この後インキ
を被印刷体に転写してレジストパターンとすることを特
徴とする微細レジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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