JPH07106545A - 固体撮像素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ２つ以上の水平転送レジスタを備えたＣＣＤ
固体撮像素子において、各水平転送レジスタの転送電極
へのクロックパルスΦＨ₁ 及びΦＨ₂ の伝播遅延を無く
す。 【構成】 夫々隣り合う２つの電極部３１及び３２を同
電位とする転送電極３３〔３３Ａ，３３Ｂ〕が配列され
てなる２つの水平転送レジスタ２７〔２７Ａ，２７Ｂ〕
と、両水平転送レジスタ間に設けされた電荷振り分け用
の転送ゲート部２８を備え、転送ゲート部２８を挟んで
一方の側で転送電極３３Ａ，３３Ｂに周辺配線層３５，
３６を接続し、他方の側（垂直転送レジスタに近い側）
の水平転送レジスタ２７Ａ上で２つの電極部３１及び３
２を互に接続して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、２つ以上の水平転送レ
ジスタを有した固体撮像素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＣＤ固体撮像素子においては、ＩＴ
（インターライントランスファ）型、ＦＩＴ（フレーム
インターライントランスファ）型のＣＣＤ固体撮像素子
が知られている。ＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子は、マトリ
ックス状に配列された複数の受光部と、各受光部列の一
例に設けられたＣＣＤ構造の垂直転送レジスタと、垂直
転送レジスタの一端に接続されたＣＣＤ構造の水平転送
レジスタとを備えて成る。ＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子
は、複数の受光部がマトリックス状に配列され、各受光
部列の一側にＣＣＤ構造の垂直転送レジスタが設けられ
た撮像部と、撮像部の垂直転送レジスタに対応するよう
に複数の垂直転送レジスタを有して撮像部の信号電荷を
一旦蓄積する蓄積部と、ＣＣＤ構造の水平転送レジスタ
を備えて成る。

【０００３】このようなＣＣＤ固体撮像素子において、
その水平転送レジスタは、通常、２相駆動方法がとられ
ており、例えば第１層目多結晶シリコンからなる電極部
と第２層目多結晶シリコンからなる電極部が順次交互に
配列され、夫々隣り合う、２層の電極部を同電位に接続
して１つの転送電極を形成し、これらの転送電極に２相
の駆動クロックパルスを印加するようになされる。２層
の電極部間の電気的な接続は、水平転送レジスタの外側
に形成された周辺配線層を介してなされている。

【０００４】一方、画素数の多い高品位ＣＣＤ固体撮像
素子では、２つの水平転送レジスタを備えたＣＣＤ固体
撮像素子が提案されている。

【０００５】図６は、かかる２つの水平転送レジスタを
備えたＣＣＤ固体撮像素子の水平転送レジスタ部分の要
部を示す。同図において、１は垂直転送レジスタの終段
に設けられた転送ゲート部、２及び３は夫々第１及び第
２の水平転送レジスタ、４は２つの水平転送レジスタ２
及び３間に設けられた電荷を振り分けるための転送ゲー
ト部である。転送ゲート部５を構成するゲート電極５は
例えば第１層目多結晶シリコンにて形成される。

【０００６】第１及び第２の水平転送レジスタ２及び３
の各転送電極７〔７Ａ，７Ｂ〕は、例えば第２層目多結
晶シリコンからなる電極部８及び第３層目多結晶シリコ
ンからなる電極部９で形成される。即ち、電極部８及び
９が電荷転送方向に沿って交互に形成され、その隣り合
う２層の電極部８及び９で夫々１つの転送電極７〔７
Ａ，７Ｂ〕が構成される。

【０００７】各転送電極７〔７Ａ，７Ｂ〕の電極部８及
び９は水平転送レジスタ３の外側に延長され、その１つ
置きの転送電極７Ａの電極部８及び９が第１の周辺配線
層１１に接続され、他の１つ置きの転送電極７Ｂの電極
部８及び９が第２の周辺配線層１２に接続される。この
周辺配線層１１及び１２を通じて夫々の転送電極７Ａ及
び７Ｂに２相のクロックパルスΦＨ₁ 及びΦＨ₂ が印加
される。１３は多結晶シリコンによる電極部８及び９と
周辺配線層１１，１２とを接続するコンタクト部であ
る。

【０００８】水平転送レジスタ２及び３間に設けられた
電荷振り分け用の転送ゲート部４では、高速転送を必要
とするために、ゲート電極５上に更に低抵抗の導電材か
らなるシャント用配線層１４が接続される。この場合、
シャント用配線層１４は転送電極７を構成する２層の電
極部８及び９の上層に絶縁膜を介して形成されるため、
適当箇所（例えば転送電極の１ビット毎）において両電
極８，９に跨がるようなコンタクトホール１５を形成
し、このコンタクトホールを通してシャント用配線層１
４とゲート電極５が接続される。１６はシャント用配線
層１４とゲート電極５とのコンタクト部である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した２
つの水平転送レジスタ２及び３を備えたＣＣＤ固体撮像
素子においては、図６に示す様に、両水平転送レジスタ
２及び３間の転送ゲート部４上に対応する部分の電極部
８及び９に、コンタクトホール１５によって線幅の細い
部分１７が存在することになる。この場合、コンタクト
ホール１５は、隣り合う２つの転送電極７Ａ及び７Ｂに
跨がって形成されるため、各転送電極の二層の電極部
８，９のいずれか一方で線幅の細い部分１７が形成され
る。

【００１０】転送ゲート部４でのコンタクト部１６は高
速転送を必要とする大型の高品位ＣＣＤ固体撮像素子な
どでは不可欠の部分である。

【００１１】コンタクト部１６によって転送電極７〔７
Ａ，７Ｂ〕に線幅の細い部分１７があると、水平転送レ
ジスタ２及び３を構成する転送電極、即ち、２層の電極
部８及び９の接続を周辺配線層１１，１２でとり、また
電極部８，９の膜厚を薄くした場合、細い部分１７での
抵抗が増加する。この抵抗増加で周辺配線層１１，１２
を通じて第１の水平転送レジスタに与えられるクロック
パルスΦＨ₁ ，ΦＨ₂に伝播遅延が生じ、高速転送を必
要とするＣＣＤ固体撮像素子において転送効率が悪くな
る等の不都合が生ずる。

【００１２】また、電極部８，９を薄くした場合、細い
部分１７があると、加工時にその部分１７で断線が起こ
りやすい。一例として、通常、電極材料となる多結晶シ
リコンでは、酸化による断線があげられる。

【００１３】このように、水平転送レジスタの各転送電
極７〔７Ａ，７Ｂ〕を構成する２層の電極部８，９のう
ち、一方の層で断線が生じたときには、周辺配線層１
１，１２で接続をとる従来構造では、断線部より先の部
分で転送電極を構成する２層の電極部８，９に同じ電圧
を与えることができなくなり、ＣＣＤ固体撮像素子が動
作しなくなる。

【００１４】この理由から、電極部８，９を薄くするこ
とができず、ＣＣＤ固体撮像素子の上部構造の段差、即
ち受光部と転送レジスタ間の段差が大きくなっていた。

【００１５】本発明は、上述の点に鑑み、水平転送レジ
スタにおける高速転送に支障がなく、且つ転送電極の薄
膜化を可能にした固体撮像素子を提供するものである

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る固体撮像素
子は、夫々隣り合う２つの電極部３１及び３２を同電位
とする転送電極３３が複数配列されてなる２つ以上の複
数の水平転送レジスタ２７Ａ及び２７Ｂと、水平転送レ
ジスタ２７Ａ及び２７Ｂ間に設けられた電荷振り分け用
の転送ゲート部２８を備え、転送ゲート部２８を挟んで
一方の側において転送電極３３に駆動電圧を印加するた
めの配線層３５，３６を接続し、他方の側において２つ
の電極部３１及び３２を互に接続して構成する。

【００１７】

【作用】本発明においては、複数の水平転送レジスタ２
７Ａ及び２７Ｂを有する固体撮像素子において、その水
平転送レジスタ２７Ａ及び２７Ｂ間の転送ゲート部２８
を挟んで一方の側において転送電極３３に配線層３５，
３６を接続し、他方の側において２つの電極部３１及び
３２を互に接続することにより、各水平転送レジスタ２
７Ａ及び２７Ｂの転送電極３３に伝播遅延なく駆動電圧
を印加することができる。

【００１８】また、電極部３１及び３２の薄膜化が可能
となり、固体撮像素子の上部構造の段差を低くすること
が可能となる。

【００１９】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の固体撮像素子
の実施例を説明する。

【００２０】図１及び図２は、本発明を画素数の多いＦ
ＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合である。本例
に係るＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子２１は、図１に示す
様に、画素となる複数の受光部２２がマトリックス状に
配列され、各受光部列の一側にＣＣＤ構造の垂直転送レ
ジスタ２３が設けられた撮像部２４と、撮像部２４の垂
直転送レジスタ２３に対応するように複数のＣＣＤ構造
の垂直転送レジスタ２５を有してなる蓄積部２６と、Ｃ
ＣＤ構造の２つの水平転送レジスタ２７〔２７Ａ，２７
Ｂ〕とを備えて成る。撮像部２４は４相のクロックパル
スΦＩＭ₁ 〜ΦＩＭ₄ で駆動され、蓄積部２６は４相の
クロックパルスΦＳＴ₁ 〜ΦＳＴ₄ で駆動され、水平駆
動レジスタ２７〔２７Ａ，２７Ｂ〕は２相のクロックパ
ルスΦＨ₁ ，ΦＨ₂ で駆動される。２８は第１及び第２
の水平転送レジスタ２７Ａ及び２７Ｂ間に設けられた電
荷振り分け用の転送ゲート部である。

【００２１】このＣＣＤ固体撮像素子２１では、各受光
部２２で光電変換された信号電荷が垂直転送レジスタ２
３に読み出された後、一旦、蓄積部２６の垂直転送レジ
スタ２５に高速転送されて蓄積される。次いで例えば奇
数列の垂直転送レジスタ２５の信号電荷ｅ₁ が第１の水
平転送レジスタ２７Ａに転送され、偶数列の垂直転送レ
ジスタ２５の信号電荷ｅ₂ が転送ゲート部２８を通して
第２の水平転送レジスタ１３に転送される。以後、信号
電荷ｅ₁ ，ｅ₂ が両水平転送レジスタ２７Ａ及び２７Ｂ
内を転送し、出力側で図示せざるも撮像部２４の画素の
配列順序にして出力される。

【００２２】しかして、本例では、図２の拡大図で示す
様に、第１及び第２の水平転送レジスタ２７Ａ及び２７
Ｂの転送電極３３〔３３Ａ，３３Ｂ〕が例えば第２層目
多結晶シリコンからなる第１電極部３１と第３層目多結
晶シリコンからなる第２電極部３２で形成される。即
ち、第１電極部３１及び第２電極部３２が電荷転送方向
に沿って交互に形成され、その隣り合う２層の電極部３
１及び３２で１つの転送電極３３〔３３Ａ，３３Ｂ〕が
構成される。

【００２３】２層の電極部３１及び３２は、第１及び第
２の水平転送レジスタ２７Ａ及び２７Ｂに共通して形成
される。各転送電極３３〔３３Ａ，３２Ｂ〕の電極部３
１及び３２は、第２の水平転送レジスタ２７Ｂの外側に
まで延長され、その延長端において、１つ置きの転送電
極３３Ａの電極部３１及び３２が第１の周辺配線層３５
に接続され、他の１置きの転送電極３３Ｂの電極部３１
及び３２が第２の周辺配線層３６に接続される。周辺配
線層３５，３６は例えばＡｌ等の金属配線層で形成され
る。

【００２４】この周辺配線層３５及び３６を通じて夫々
の転送電極３３Ａ及び３３Ｂに２相のクロックパルスΦ
Ｈ₁ 及びΦＨ₂ が印加される。３７は、電極部３１，３
２と周辺配線層３５，３６とを電気的に接続するコンタ
クト部である。

【００２５】第１及び第２の水平転送レジスタ２７Ａ及
び２７Ｂ間に設けられた電荷振り分け用の転送ゲート部
２８では、そのゲート電極３９が例えば第１層目多結晶
シリコンで形成され、更に、高速転送を必要とするた
め、ゲート電極３９上に低抵抗導電材（例えばＡｌ等の
金属）からなるシャント用配線層４０が接続される。シ
ャント用配線層４０は、転送電極３３を構成する２層の
電極部３１及び３２の上層に之等を横切るように絶縁膜
を介して形成され、適当箇所（例えは転送電極の１ビッ
ト毎）において両電極部３１及び３２に跨がるようなコ
ンタクトホール４１が形成され、このコンタクトホール
４１を通してシャント用配線層４０がゲート電極３９に
接続される。４２はシャント用配線層４０とゲート電極
３９とのコンタクト部である。

【００２６】そして、本例では、特に振り分け用の転送
ゲート部２８を境に周辺配線層３５，３６とは反対側、
従って垂直転送レジスタ２５に近い側の第１の水平転送
レジスタ２７Ａ上において、各転送電極３３を構成する
互に隣り合う２層の電極部３１及び３２を電気的に接続
する。

【００２７】即ち、各転送電極３３では、コンタクトホ
ール４１によって２層の電極部３１及び３２のうちのい
ずれか一方が線幅の細い部分４４を有しているため、線
幅の細い部分４４を有する電極部３１又は３２と、線幅
の細い部分がない電極部３２又は３１との間で接続され
る。４５は、２層の電極部３１及び３２間を接続するコ
ンタクト部ある。なお、図２において、４６は垂直転送
レジスタ２５の最終段に設けられた転送ゲート部であ
る。

【００２８】水平転送レジスタの転送電極３３〔３３
Ａ，３３Ｂ〕を構成する２層の電極部３１及び３２の接
続方法の具体例を図３及び図４に示す。図３Ａ及びＢの
方法は、半導体基板５１の主面にゲート絶縁膜５２を介
して第２層目多結晶シリコンからなる第１電極部３１を
形成し、絶縁膜５３を形成した後、第１電極部３１上の
絶縁膜５３にコンタクトホール５４を形成し、このコン
タクトホール５４を通じて第１電極部３１と接続するよ
うに、第３層目多結晶シリコンからなる第２電極部３２
を形成する。

【００２９】図４Ａ及びＢの方法は、半導体基板５１の
主面にゲート絶縁膜５２を介して第２層目多結晶シリコ
ンからなる第１電極部３１及び第３層目多結晶シリコン
からなる第２電極部３２を形成して後、絶縁膜５３にコ
ンタクトホール５４を形成し、コンタクトホール５４を
通じて第１電極部３１及び第２電極部３２に接続するよ
うに多結晶シリコン又は金属層等による導電層５６を形
成する。

【００３０】次に、本実施例を実現するための上部構造
の製法の一例を示す。ここでは、図３の接続方法を用い
た場合である。第１層目多結晶シリコンにより垂直転送
レジスタ２３，２５の１の転送電極、及び水平転送レジ
スタにおける振り分け用の転送ゲート部のゲート電極３
９を形成する。

【００３１】次に、第２層目多結晶シリコンで垂直転送
レジスタ２３，２５の他の転送電極、及び水平転送レジ
スタ２７〔２７Ａ，２７Ｂ〕の第１電極部３１を形成す
る。

【００３２】次に水平転送レジスタ２７〔２７Ａ，２７
Ｂ〕において、その第１電極部３１をマスクにセルファ
ラインで半導体基体５１にイオン注入を行う。これは水
平転送レジスタ２７〔２７Ａ，２７Ｂ〕の１つの転送電
極３３下でポテンシャル段差を形成するためである。

【００３３】次に、水平転送レジスタ２７〔２７Ａ，２
７Ｂ〕における第１電極部３１上の絶縁膜５３にコンタ
クトホール５４を形成し、同時に垂直転送レジスタ２
３，２５における第１層目の転送電極及び第２層目の転
送電極上の絶縁膜にシャント配線用のコンタクトホール
を形成する。

【００３４】次に、第３層目多結晶シリコンにより、水
平転送レジスタ２７〔２７Ａ，２７Ｂ〕における第２電
極部３２を形成すると共に、垂直転送レジスタ２３，２
５上にバッファ層を形成する。この第３層目多結晶シリ
コンは膜厚が薄く形成される。この工程で水平転送レジ
スタ２７〔２７Ａ，２７Ｂ〕側では、第１電極部３１と
第２電極部３２が図３のように接続され、垂直転送レジ
スタ２３，２５側ではバッファ層と各対応する転送電極
とが接続される。

【００３５】しかる後、垂直転送レジスタ２３，２５上
のシャント用金属配線、水平転送レジスタ２７〔２７
Ａ，２７Ｂ〕の外側の周辺配線層３５，３６、さらに保
護膜等を形成する。

【００３６】上述の実施例によれば、２つの水平転送レ
ジスタ２７Ａ及び２７Ｂにおいて、その各転送電極３３
を形成する２層の電極３１及び３２が、外側の周辺配線
層３５，３６に接続されると共に、第１の水平転送レジ
スタ２７Ａ上でもコンタクト部４５を介して互に電気的
に接続されることにより、周辺配線層３５，３６を通じ
て与えられる２相クロックパルスΦＨ₁ ，ΦＨ₂ を伝播
遅延なく第１、第２の水平転送レジスタ２７Ａ，２７Ｂ
の転送電極３３Ａ，３３Ｂに印加することができる。

【００３７】即ち、振り分け用転送ゲート部２８のゲー
ト電極３９とシャント用配線層４０とを接続するために
電極部３１，３２にコンタクトホール４１を形成するこ
とによって、転送電極３３を構成する２層の電極部３１
及び３２の内の一方の電極部３１又は３２の線幅の細い
部分４４が生じ、その付近の抵抗が高くなっている場合
でも、他方の電極部３２又は３１が一種のシャント配線
となり、第１の水平転送レジスタ２７Ａの例えば転送電
極３３Ａでは第１電極部３１及びコンタクト部４５を通
じて第２電極部３２にクロックパルスΦＨ₁ が印加され
るようになる。従って、第１、第２の水平転送レジスタ
２７Ａ，２７ＢへのクロックパルスΦＨ ₁ ，ΦＨ₂ の伝
播遅延はなくなり、第１及び第２の水平転送レジスタ２
７Ａ及び２７Ｂ間の高速転送に支障を来さない。

【００３８】最悪の場合に線幅の細い部分４４が断線さ
れても、第１の水平転送レジスタ２７Ａでの２層の電極
３１及び３２はコンタクト部４５を介して電気的に接続
されているので問題ない。

【００３９】したがって、水平転送レジスタ２７〔２７
Ａ，２７Ｂ〕の転送電極３３〔３３Ａ，３３Ｂ〕を構成
する２層の電極部３１及び３２のうち、一方の電極部、
例えば上層の電極部３２（即ち第３層目多結晶シリコ
ン）の膜厚を薄くすることができる。

【００４０】そして、この第３層目多結晶シリコンを用
いて、垂直転送レジスタ２３，２５の転送電極とシャン
ト用金属配線間のバッファ層を形成すれば、受光部２２
と垂直転送レジスタ２３と段差を低くすることができ
る。これは、受光部２２に入射する光のけられを少なく
し、オンチップマイクレンズによる受光部２２への集光
を良くする等、センサ特性を良好にすると共に、製造時
の加工精度の向上を図ることができる。

【００４１】図５は、３つの水平転送レジスタ２７〔２
７Ａ，２７Ｂ〕を備えたＣＣＤ固体撮像素子に適用した
他の実施例である。なお、図２と対応する部分には同一
符号を付して重複説明を省略する。

【００４２】本例においては、平行する第１、第２及び
第２の水平転送レジスタ２７〔２７Ａ，２７Ｂ及び２７
Ｃ〕が配列されると共に、各水平転送レジスタ間に電荷
振り分け用の転送ゲート部２８〔２８Ａ，２８Ｂ〕が設
けられる。転送電極３３〔３３Ａ，３３Ｂ〕を構成する
２層の電極部３１及び３２は第１、第２及び第２の水平
転送レジスタ２７Ａ，２７Ｂ及び２７Ｃに共通に形成さ
れ、その第３の水平転送レジスタ２７Ｃの外側において
周辺配線層３５，３６に接続される。また、転送ゲート
部２８Ａ，２８Ｂのゲート電極３９とシャント配線層４
０とがコンタクトホール４１を通じて電気的に接続され
る。そして、第１及び第２の水平転送レジスタ２７Ａ及
び２７Ｂ上で各転送電極３３〔３３Ａ，３３Ｂ〕を構成
する２層の電極部３１及び３２がコンタクト部４５を介
して電気的に接続される。

【００４３】かかる実施例においても、周辺配線層３
５，３６からのクロックパルスΦＨ₁，ΦＨ₂ が、伝播
遅延することなく各第１、第２及び第３の水平転送レジ
スタ２７Ａ，２７Ｂ及び２７Ｃに印加され、高速転送を
可能とし、また電極部３１，３２の薄膜化が可能となる
等、図２の例と同様な効果を奏する。

【００４４】尚、上例では転送ゲート部２８におけるゲ
ート電極３９とシャント配線層４０とのコンタクト部４
２を１ビットの転送電極毎に設けたが、その他、適当な
複数箇所でコンタクトすることもできる。その場合、２
層の電極部３１及び３２間のコンタクト部４５は全ての
転送電極３３に対して行ってもよく、或はコンタクトホ
ール４５によって線幅が細い部分を有する電極部間での
み行うようにしてもよい。

【００４５】更に、本発明は、電極部３１又は３２に線
幅の細い部分がなく、水平転送レジスタ２７が周辺配線
層３５，３６からの距離が大きく離れている場合におい
ても、転送ゲート部２８を境に垂直転送レジスタに近い
側の水平転送レジスタ上で電極部３１及び３２間のコン
タクトをとることによって、伝播遅延を防止することが
できる。

【００４６】上例ではＦＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子に適
用したが、その他、ＩＴ型ＣＣＤ固体撮像素子等、複数
の水平転送レジスタを備えたＣＣＤ固体撮像素子にも適
用できる。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、複数の水平転送レジス
タを備えた固体撮像素子において、周辺配線層からの駆
動電圧（クロックパルス）を各水平転送レジスタの転送
電極に伝播遅延なく印加することができ、高速転送に支
障を来すことがない。

【００４８】また、転送電極を構成する電極部を薄く形
成することができるので、固体撮像素子の上部構造の高
さを低くすることができ、受光部への集光を良好にし、
且つ製造時の加工精度を上げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の一例を示す
全体図である。

【図２】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の水平転送レ
ジスタ部分を示す拡大図である。

【図３】Ａ 本発明に係る２層の電極部の接続方法の一
例を示す平面図である。Ｂ 図３ＡのＡ−Ａ線上の断面
図である。

【図４】Ａ 本発明に係る２層の電極部の接続方法の他
の例を示す平面図である。Ｂ 図４のＢ−Ｂ線上の断面
図である。

【図５】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子の他の例を示
す水平転送レジスタ部分の拡大図である。

【図６】従来のＣＣＤ固体撮像素子の水平転送レジスタ
部分の拡大図である。

【符号の説明】

２１ ＣＣＤ固体撮像素子 ２２ 受光部 ２３，２５ 垂直転送レジスタ ２４ 撮像部 ２６ 蓄積部 ２，３，２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ 水平転送レジスタ ４，２８，２８Ａ，２８Ｂ 振り分け用の転送ゲート部 ８，９，３１，３２ 多結晶シリコンによる電極部 ７Ａ，７Ｂ，３３Ａ，３３Ｂ 転送電極 １１，１２，３５，３６ 周辺配線層 １３，３７ コンタクト部 ５，３９ ゲート電極 １４，４０ シャント配線層 １５、４１ コンタクトホール １６，４２ コンタクト部 ４４ 線幅の細い部分 ４５ コンタクト部 １，４６ 転送ゲート部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｆ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 夫々隣り合う２つの電極部を同電位とす
   る転送電極が配列されてなる複数の水平転送レジスタ
   と、 該水平転送レジスタ間に設けられた電荷振り分け用の転
   送ゲート部を備え、 前記転送ゲート部を挟んで一方の側において前記転送電
   極に駆動電圧を印加するための配線層が接続され、 他方の側において前記２つの電極部が互に接続されて成
   ることを特徴とする固体撮像素子。