JPH07106925A - Latch circuit - Google Patents
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- JPH07106925A JPH07106925A JP5249059A JP24905993A JPH07106925A JP H07106925 A JPH07106925 A JP H07106925A JP 5249059 A JP5249059 A JP 5249059A JP 24905993 A JP24905993 A JP 24905993A JP H07106925 A JPH07106925 A JP H07106925A
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- 230000001934 delay Effects 0.000 claims description 2
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 abstract description 9
- 101150110971 CIN7 gene Proteins 0.000 abstract 2
- 101150110298 INV1 gene Proteins 0.000 abstract 2
- 101100397044 Xenopus laevis invs-a gene Proteins 0.000 abstract 2
- 101100286980 Daucus carota INV2 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 101100397045 Xenopus laevis invs-b gene Proteins 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ラッチ回路に関し、特
に、エミッタフォロア回路を介してデータを帰還するラ
ッチ回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a latch circuit, and more particularly to a latch circuit that feeds back data via an emitter follower circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のこの種のラッチ回路100 は、図4
に示すように、第1乃至第3の電源ラインL101〜L103
と、第1乃至第6トランジスタQ101〜Q106と、第1お
よび第2のエミッタフォロアトランジスタQ111,Q112
と、第1および第2のエミッタフォロア電流制御用トラ
ンジスタQ121,Q122と、第1および第2の出力振幅用
抵抗R111,R112と、第1および第2のエミッタフォロ
ア抵抗R121,R122と、α線対策用コンデンサCと、電
流源110 と、クロックドライバDとを含む。2. Description of the Related Art A conventional latch circuit 100 of this type is shown in FIG.
As shown in, the first to third power supply lines L 101 to L 103
, First to sixth transistors Q 101 to Q 106, and first and second emitter follower transistors Q 111 and Q 112.
, First and second emitter follower current control transistors Q 121 and Q 122 , first and second output amplitude resistors R 111 and R 112, and first and second emitter follower resistors R 121 and It includes an R 122 , an α-ray countermeasure capacitor C, a current source 110, and a clock driver D.
【0003】ここで、クロックドライバDは、第1の出
力端子と第2の出力端子とを有し、クロックCLが外部
から入力されると、クロックCLと同相の正相クロック
CL 1 (エミッタフォロア制御信号)を第1の出力端子
から出力するとともに、クロックCLと逆相の逆相クロ
ックCL2 を第2の出力端子から出力する。Here, the clock driver D has a first output.
Has a power terminal and a second output terminal, and the clock CL is external
When input from, a positive-phase clock in phase with the clock CL
CL 1 (Emitter follower control signal) to the first output terminal
It is output from the
Click CL2 Is output from the second output terminal.
【0004】第1のトランジスタQ101 は、データ書込
み用のトランジスタであり、コレクタが第1の出力振幅
用抵抗R111 を介して第1の電源ラインL101 に接続さ
れている。また、第1のトランジスタQ101 のベースに
は、入力データAが外部から入力される。第2のトラン
ジスタQ102 は、データ書込み用のトランジスタであ
り、コレクタが第2の出力振幅用抵抗R112 を介して第
1の電源ラインL101 に接続されている。また、第2の
トランジスタQ102 のベースには、入力データAの反転
データ(逆位相のデータ)である反転入力データBAが
外部から入力される。The first transistor Q 101 is a transistor for writing data, and its collector is connected to the first power supply line L 101 via the first output amplitude resistor R 111 . The input data A is externally input to the base of the first transistor Q 101 . The second transistor Q 102 is a data writing transistor, and its collector is connected to the first power supply line L 101 via the second output amplitude resistor R 112 . Further, the inverted input data BA, which is the inverted data (data of the opposite phase) of the input data A, is externally input to the base of the second transistor Q 102 .
【0005】第3のトランジスタQ103 は、データ保持
用のトランジスタであり、コレクタが第1のトランジス
タQ101 のコレクタと接続されている。第4のトランジ
スタQ104 は、データ保持用のトランジスタであり、コ
レクタが第2のトランジスタQ102 のコレクタと接続さ
れている。The third transistor Q 103 is a data holding transistor, and its collector is connected to the collector of the first transistor Q 101 . The fourth transistor Q 104 is a data holding transistor, and its collector is connected to the collector of the second transistor Q 102 .
【0006】第5のトランジスタQ105 は、データ書込
み用のトランジスタであり、コレクタが第1のトランジ
スタQ101 のエミッタおよび第2のトランジスタQ102
のエミッタと接続されているとともに、ベースがクロッ
クドライバDの第1の出力端子と接続されている。第6
のトランジスタQ106 は、データ保持用のトランジスタ
であり、コレクタが第3のトランジスタQ103 のエミッ
タおよび第4のトランジスタQ104 のエミッタと接続さ
れ、ベースがクロックドライバDの第2の出力端子と接
続されているとともに、エミッタが第5のトランジスタ
Q105 のエミッタと接続されている。第5のトランジス
タQ105 のエミッタおよび第6のトランジスタQ106 の
エミッタはそれぞれ、電流源110 を介して第3の電源ラ
インL10 3 と接続されている。The fifth transistor Q 105 is a transistor for writing data, and has a collector having an emitter of the first transistor Q 101 and a second transistor Q 102.
Of the clock driver D, and the base thereof is connected to the first output terminal of the clock driver D. Sixth
Of the transistor Q 106 is a transistor for storing data, a collector connected to the emitter of the emitter and the fourth transistor Q 104 of the third transistor Q 103, base connected to the second output terminal of the clock driver D And the emitter is connected to the emitter of the fifth transistor Q 105 . The emitter of the fifth transistor Q 105 and the emitter of the sixth transistor Q 106 are connected to the third power supply line L 10 3 via the current source 110, respectively.
【0007】なお、第5のトランジスタ105 のベースに
クロックドライバDの第1の出力端子から正相クロック
CL1 が入力されると、ラッチ回路100 はデータ書き込
み状態とされる。また、第6のトランジスタQ106 のベ
ースにクロックドライバDの第2の出力端子から逆相ク
ロックCL2 が入力されると、ラッチ回路100 はデータ
保持状態とされる。When the positive-phase clock CL 1 is input to the base of the fifth transistor 105 from the first output terminal of the clock driver D, the latch circuit 100 is put in the data write state. Further, when the negative phase clock CL 2 is input to the base of the sixth transistor Q 106 from the second output terminal of the clock driver D, the latch circuit 100 is brought into the data holding state.
【0008】第1のエミッタフォロアトランジスタQ
111 は、コレクタが第1の電源ラインL101 に接続さ
れ、ベ−スが第3のトランジスタQ103 のコレクタと接
続されているとともに、エミッタが第4のトランジスタ
Q104 のベースと接続されている。第2のエミッタフォ
ロアトランジスタQ112 は、コレクタが第1の電源ライ
ンL101 に接続され、ベ−スが第4のトランジスタQ
104 のコレクタと接続されているとともに、エミッタが
第3のトランジスタQ103 のベースと接続されている。
α線対策用コンデンサCは、第1のエミッタフォロアト
ランジスタQ111 のエミッタと第2のエミッタフォロア
トランジスタQ112 のエミッタとの間に接続されてい
る。First emitter follower transistor Q
111 has a collector connected to the first power supply line L 101 , a base connected to the collector of the third transistor Q 103 , and an emitter connected to the base of the fourth transistor Q 104 . . The collector of the second emitter follower transistor Q 112 is connected to the first power supply line L 101 , and the base of the second emitter follower transistor Q 112 is the fourth transistor Q.
The emitter is connected to the base of the third transistor Q 103 while being connected to the collector of 104 .
The α-ray countermeasure capacitor C is connected between the emitter of the first emitter follower transistor Q 111 and the emitter of the second emitter follower transistor Q 112 .
【0009】第1のエミッタフォロア電流制御用トラン
ジスタQ121 は、コレクタが第1のエミッタフォロアト
ランジスタQ111 のエミッタと接続され、ベースがクロ
ックドライバDの第1の出力端子と接続されているとと
もに、エミッタが第1のエミッタフォロア抵抗R121 を
介して第2の電源ラインL102 に接続されている。第2
のエミッタフォロア電流制御用トランジスタQ122 は、
コレクタが第2のエミッタフォロアトランジスタQ112
のエミッタと接続され、ベースがクロックドライバD
101 の第1の出力端子と接続されているとともに、エミ
ッタが第2のエミッタフォロア抵抗R122 を介して第2
の電源ラインL102 に接続されている。The first emitter follower current controlling transistor Q 121 has a collector connected to the emitter of the first emitter follower transistor Q 111 and a base connected to the first output terminal of the clock driver D. The emitter is connected to the second power supply line L 102 via the first emitter follower resistor R 121 . Second
The emitter follower current control transistor Q 122 of
The collector is the second emitter follower transistor Q 112.
Of the clock driver D
It is connected to the first output terminal of 101 and its emitter is connected to a second emitter follower resistor R 122 .
Is connected to the power supply line L 102 .
【0010】以上のように構成されたラッチ回路100 で
は、第1の出力振幅用抵抗R111と第1のトランジスタ
Q101 と第5のトランジスタQ105 と電流源110 と第2
の出力振幅用抵抗R112 と第2のトランジスタQ102 と
が、クロックCLの一方のレベルにより選択的に動作状
態(データ書込み状態)とされる第1の差動トランジス
タ対として機能する。また、第1の出力振幅用抵抗R
111 と第3のトランジスタQ103 と第6のトランジスタ
Q106 と電流源110 と第2の出力振幅用抵抗R 112 と第
4のトランジスタQ104 とが、クロックCLの他方のレ
ベルにより選択的に動作状態(データ保持状態)とされ
る第2の差動トランジスタ対として機能する。With the latch circuit 100 configured as described above,
Is the first output amplitude resistor R111And the first transistor
Q101 And the fifth transistor Q105 And current source 110 and second
Output resistance R112 And the second transistor Q102 When
However, depending on one level of the clock CL,
First differential transistor which is in a state (data write state)
Function as a pair. In addition, the first output amplitude resistor R
111 And the third transistor Q103 And the sixth transistor
Q106 And current source 110 and second output amplitude resistor R 112 And the
4 transistor Q104 Is the other level of the clock CL.
Selective operation (data retention status) by bell
Function as a second differential transistor pair.
【0011】ラッチ回路100 では、図5(C)に示すよ
うに、データ書込み状態の期間(同図(B)に示す正相
クロックCL1 がハイレベルの期間)において第1およ
び第2のエミッタフォロアトランジスタQ111,Q112を
流れるエミッタフォロア電流を増やすことにより第1の
エミッタフォロアトランジスタQ111 の応答速度を速く
するとともに、データ保持状態の期間(同図(B)に示
す正相クロックCL1がロウレベルの期間)において第
1および第2のエミッタフォロアトランジスタQ111,
Q112を流れるエミッタフォロア電流を減らすことによ
り第2のエミッタフォロアトランジスタQ112 の応答速
度を遅くして、第3のトランジスタQ103のコレクタお
よび第4のトランジスタQ104 のコレクタに入射するα
線によるデータの変化が伝わらないようにしている。In the latch circuit 100, as shown in FIG. 5C, the first and second emitters are in the data write state (the positive phase clock CL 1 shown in FIG. 5B is at a high level). The response speed of the first emitter follower transistor Q 111 is increased by increasing the emitter follower current flowing through the follower transistors Q 111 and Q 112, and at the same time as the data holding state (the positive phase clock CL 1 shown in FIG. Is a low level), the first and second emitter follower transistors Q 111 ,
By reducing the emitter follower current through Q 112 to slow the response speed of the second emitter follower transistor Q 112, is incident on the collector of the collector and the fourth transistor Q 104 of the third transistor Q 103 alpha
The change in data due to the line is not transmitted.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のラッチ回路100 では、データ書込み状態のとき
にデータ書込み用のトランジスタ(第1および第2のト
ランジスタQ101,Q102)のコレクタにα線が入射した
場合、第1および第2のエミッタフォロアトランジスタ
Q111,Q112を流れるエミッタフォロア電流が増えてい
る状態であるため、容易にデータが反転してしまう。こ
のとき、通常は、データ書込み用のトランジスタ(第1
および第2のトランジスタQ101,Q102)のベースは前
段の出力レベルに固定されているため、データを元の状
態に戻すことができる。しかし、クロックCLの切換え
タイミングに近いタイミングでは、α線入射によるデー
タの反転がそのまま保持されてデータ保持状態になり、
反転データを保持してしまうため、耐α線性が悪いとい
う問題がある。However, in the above-described conventional latch circuit 100, in the data write state, the collector of the data write transistors (the first and second transistors Q 101 and Q 102 ) receives α-rays. Is incident, the data is easily inverted because the emitter follower current flowing through the first and second emitter follower transistors Q 111 and Q 112 is increasing. At this time, normally, a transistor for writing data (first
Since the bases of the second transistors Q 101 and Q 102 ) are fixed to the output level of the preceding stage, the data can be returned to the original state. However, at the timing close to the switching timing of the clock CL, the inversion of the data due to the α-ray incidence is held as it is and the data holding state is obtained
Since the inverted data is retained, there is a problem that the α-ray resistance is poor.
【0013】本発明の目的は、耐α線性を向上すること
ができるラッチ回路を提供することにある。An object of the present invention is to provide a latch circuit which can improve the α ray resistance.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明のラッチ回路は、
第1の電源ラインと、第2の電源ラインと、ベースに入
力データが入力される第1のトランジスタ、および、ベ
ースに前記入力データの反転データまたは所定の参照電
圧が入力される第2のトランジスタを有するとともに、
クロックの一方のレベルにより選択的に動作状態とされ
る第1の差動トランジスタ対と、コレクタが前記第1の
トランジスタのコレクタと接続された第3のトランジス
タ、および、コレクトが前記第2のトランジスタのコレ
クタと接続された第4のトランジスタを有するととも
に、前記クロックの他方のレベルによって選択的に動作
状態とされる第2の差動トランジスタ対と、コレクタが
前記第1の電源ラインと接続され、ベースが前記第3の
トランジスタのコレクタと接続されるとともに、エミッ
タが前記第4のトランジスタのベースと接続された第1
のエミッタフォロアトランジスタと、コレクタが前記第
1のエミッタフォロアトランジスタのエミッタと接続さ
れた第1のエミッタフォロア電流制御トランジスタと、
一端が前記第1のエミッタフォロア電流制御トランジス
タのエミッタに接続されるとともに、他端が前記第2の
電源ラインに接続された第1のエミッタフォロア抵抗
と、コレクタが前記第1の電源ラインと接続され、ベー
スが前記第4のトランジスタのコレクタと接続されると
ともに、エミッタが前記第3のトランジスタのベースと
接続された第2のエミッタフォロアトランジスタと、コ
レクタが前記第2のエミッタフォロアトランジスタのエ
ミッタと接続された第2のエミッタフォロア電流制御ト
ランジスタと、一端が前記第2のエミッタフォロア電流
制御トランジスタのエミッタに接続されるとともに、他
端が前記第2の電源ラインに接続された第2のエミッタ
フォロア抵抗とを含むラッチ回路において、前記クロッ
クの反転信号を遅延させる遅延回路と、該遅延回路の出
力信号と前記クロックとの論理積をとるアンド回路とを
含み、該アンド回路の出力信号が、前記第1のエミッタ
フォロア電流制御トランジスタのベースおよび前記第2
のエミッタフォロア電流制御トランジスタのベースに入
力されることを特徴とする。The latch circuit of the present invention comprises:
A first power supply line, a second power supply line, a first transistor whose base receives input data, and a second transistor whose base receives inverted data of the input data or a predetermined reference voltage. With
A first differential transistor pair that is selectively activated by one level of a clock; a third transistor whose collector is connected to the collector of the first transistor; and a second transistor whose collect is the second transistor. A second differential transistor pair having a fourth transistor connected to the collector of the second differential transistor and selectively activated by the other level of the clock; and a collector connected to the first power supply line; A first base whose base is connected to the collector of the third transistor and whose emitter is connected to the base of the fourth transistor;
An emitter follower transistor, and a first emitter follower current control transistor whose collector is connected to the emitter of the first emitter follower transistor,
A first emitter follower resistor having one end connected to the emitter of the first emitter follower current control transistor and the other end connected to the second power supply line, and a collector connected to the first power supply line. A second emitter follower transistor having a base connected to the collector of the fourth transistor and an emitter connected to the base of the third transistor; and a collector connected to the emitter of the second emitter follower transistor. A second emitter follower current control transistor connected to the second emitter follower, one end of which is connected to the emitter of the second emitter follower current control transistor and the other end of which is connected to the second power supply line. In a latch circuit including a resistor, delay the inverted signal of the clock A delay circuit which includes an AND circuit for taking a logical product of the output signal of the delay circuit clock, the output signal of the AND circuit, the base of said first emitter follower current control transistor and the second
Is input to the base of the emitter follower current control transistor of.
【0015】[0015]
【作用】本発明のラッチ回路は、エミッタフォロア回路
を介してデータを帰還するラッチ回路において、クロッ
クの反転信号を遅延させる遅延回路および遅延回路の出
力信号とクロックとの論理積をとるアンド回路により、
クロックサイクルのデータ書込み期間より幅の狭い信号
(エミッタフォロア制御信号)を作成し、作成した信号
を第1のエミッタフォロア電流制御トランジスタのベー
スおよび第2のエミッタフォロア電流制御トランジスタ
のベースに入力する。これにより、この信号が入力され
た期間のみ、第1および第2のエミッタフォロア電流制
御トランジスタを流れるエミッタフォロア電流を増やし
て、その応答速度を速くすることにより、書き込まれた
データによるエミッタフォロア回路の出力レベルを確定
するとともに、クロックサイクルのそれ以外の期間で
は、エミッタフォロア電流を小さくして、その応答速度
を遅くすることにより、エミッタフォロア回路の出力レ
ベルを変化しにくくさせることができる。According to the latch circuit of the present invention, in a latch circuit for feeding back data via an emitter follower circuit, a delay circuit for delaying an inverted signal of a clock and an AND circuit for ANDing an output signal of the delay circuit and the clock are used. ,
A signal (emitter follower control signal) having a width narrower than the data writing period of the clock cycle is created, and the created signal is input to the base of the first emitter follower current control transistor and the base of the second emitter follower current control transistor. As a result, the emitter follower currents flowing through the first and second emitter follower current control transistors are increased and the response speed is increased only during the period when this signal is input, whereby the emitter follower circuit based on the written data The output level of the emitter follower circuit can be made difficult to change by fixing the output level and decreasing the response speed of the emitter follower current in the other period of the clock cycle to reduce the response speed.
【0016】[0016]
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0017】図1は、本発明のラッチ回路の第1の実施
例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of a latch circuit of the present invention.
【0018】本実施例のラッチ回路10は、クロックド
ライバDの第2の出力端子から出力される逆相クロック
CL2 のレベルを反転させる第1のインバータINV1
および第1のインバータINV1 の出力信号のレベルを
反転させる第2のインバータINV2 からなる遅延回路
DLと、遅延回路DLの出力信号とクロックドライバD
の第1の出力端子から出力される正相クロックCL1 と
の論理積をとるアンド回路ANDとを有するとともに、
アンド回路ANDの出力信号(以下、「エミッタフォロ
ア電流制御信号S」と称する。)が第1のエミッタフォ
ロア電流制御用トランジスタQ21のベースおよび第2の
エミッタフォロア電流制御用トランジスタQ22のベース
に供給されている点で、図4に示した従来のラッチ回路
100 と異なる。The latch circuit 10 of this embodiment has a first inverter INV 1 which inverts the level of the anti-phase clock CL 2 output from the second output terminal of the clock driver D.
And a delay circuit DL including a second inverter INV 2 that inverts the level of the output signal of the first inverter INV 1, an output signal of the delay circuit DL, and a clock driver D.
AND circuit AND which ANDs with the positive phase clock CL 1 output from the first output terminal of
An output signal of the AND circuit AND (hereinafter referred to as “emitter follower current control signal S”) is applied to the base of the first emitter follower current control transistor Q 21 and the base of the second emitter follower current control transistor Q 22 . In the point of being supplied, the conventional latch circuit shown in FIG.
Different from 100.
【0019】ラッチ回路10では、図2(A)に示すク
ロックCLの位相が反転されたクロックドライバDの第
2の出力端子から出力される逆相クロックCL2 は、第
1のインバータINV1 および第2のインバータINV
2 からなる遅延回路DLを通過することにより、同図
(D)に示すように、クロックCLのクロックサイクル
Tの半分よりも小さい時間だけ遅延される。遅延回路D
Lの出力信号とクロックドライバDの第1の出力端子か
ら出力される同図(C)に示す正相クロックCL 1 との
論理積がアンド回路ANDでとられることにより、同図
(E)に示すように、正相クロックCL1 のハイレベル
の期間(データ書込み期間)よりも狭いパルス幅を有す
るエミッタフォロア電流制御信号Sが作成される。作成
されたエミッタフォロア電流制御信号Sが第1のエミッ
タフォロア電流制御用トランジスタQ21のベースおよび
第2のエミッタフォロア電流制御用トランジスタQ22の
ベースに供給される。その結果、同図(F)に示すよう
に、データ書込み状態(すなわち、正相クロックCL1
のハイレベル)のときに第1および第2のエミッタフォ
ロアトランジスタQ11,Q12を流れるエミッタフォロア
電流が増加する期間を短くすることができるため、デー
タ書込み期間での第1および第2のエミッタフォロアト
ランジスタQ11,Q12の応答速度が速い期間を短くする
とともに、第1および第2のエミッタフォロアトランジ
スタQ11,Q12の応答速度が遅くなる期間をクロックサ
イクルT内で長くすることができる。In the latch circuit 10, the clock shown in FIG.
The clock driver D with the phase of the lock CL inverted
Opposite-phase clock CL output from the second output terminal2 Is the
1 inverter INV1 And the second inverter INV
2 By passing through a delay circuit DL consisting of
As shown in (D), the clock cycle of the clock CL
It is delayed by less than half of T. Delay circuit D
L output signal and the first output terminal of the clock driver D
Output from the positive phase clock CL shown in FIG. 1 With
As the logical product is taken by AND circuit AND,
As shown in (E), the positive phase clock CL1 High level of
The pulse width is narrower than the period (data writing period)
The emitter follower current control signal S is generated. Create
The generated emitter follower current control signal S is
Tafoler current control transistor Qtwenty oneThe base of and
Second emitter follower current control transistor Qtwenty twoof
Supplied to the base. As a result, as shown in FIG.
The data write state (that is, the positive phase clock CL1
The high level) of the first and second emitter
Lower transistor Q11, Q12Flowing emitter follower
Since the period during which the current increases can be shortened, the data
First and second emitter followers during write
Langista Q11, Q12Short response time
With the first and second emitter follower transitions
Star Q11, Q12Clock response during periods when the response speed of the
It can be lengthened in the icicle T.
【0020】図3は、本発明のラッチ回路の第2の実施
例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the latch circuit of the present invention.
【0021】本実施例のラッチ回路50は、遅延回路D
L’が遅延用抵抗R51および遅延用コンデンサC51から
なる低域通過フィルタで構成されている点で、図1に示
した第1の実施例のラッチ回路10と異なる。The latch circuit 50 of this embodiment comprises a delay circuit D
L'is different from the latch circuit 10 of the first embodiment shown in FIG. 1 in that L'is composed of a low pass filter including a delay resistor R 51 and a delay capacitor C 51 .
【0022】本実施例のラッチ回路50においても、遅
延回路DL’を構成する前記低域通過フィルタの時定数
が、正相クロックCL1 のハイレベルの期間よりも狭い
パルス幅を有するエミッタフォロア電流制御信号Sが作
成されるように設定されることにより、同様の効果を得
ることができる。[0022] In the latch circuit 50 of the present embodiment, the time constant of the low-pass filter, an emitter follower current having a pulse width narrower than the positive-phase period of the clock CL 1 at high level constituting the delay circuit DL ' By setting the control signal S so as to be generated, the same effect can be obtained.
【0023】以上説明した実施例においては、第2のト
ランジスタQ2 のベースには、入力データAの反転デー
タである反転入力データBAが外部から入力されたが、
所定の参照電圧が入力されても、同様の効果を得ること
ができる。In the embodiment described above, the inverted input data BA, which is the inverted data of the input data A, is externally input to the base of the second transistor Q 2 .
Even when a predetermined reference voltage is input, the same effect can be obtained.
【0024】なお、耐α線性を向上させたラッチ回路と
しては、以下に示すものが提案されているが、いずれ
も、エミッタフォロア電流制御信号のパルス幅を狭める
構成を有する本発明のラッチ回路と異なる。 (1)一対のフィードバックループと第2の論理ゲート
との間に、非反転論理出力および反転論理の2つのレベ
ル関係のみを受けて動作する差動部を介在させることに
より、クロック信号のレベルに正確さを要求せずに、安
定したラッチ動作を得るラッチ回路(特開平2−332
15号公報)。 (2)ラッチ回路でデータを保持しているノードを、α
線雑音電流の発生源であるp基板から分離することによ
り、ラッチ回路を構成するトランジスタにα線が入射し
ても、データの破壊が起こらず、半導体メモリのソフト
エラーを低減するラッチ回路(特開平2−78269号
公報)。 (3)出力信号を帰還するエミッタフォロアのエミッタ
電位がHighレベルの場合に、エミッタフォロア電流をほ
ぼカットオフすることにより、データ保持ノードにα線
によるスパイクノイズが発生しても、入力側フリップフ
ロップゲートへのスパイクノイズの伝達を阻止するラッ
チ回路(特開昭63−36609号公報)。 (4)データ保持用の差動トランジスタ対のコレクタと
ベースとの間に、この差動トランジスタ対のベース間に
設けられる抵抗とこの抵抗の一方又は他方を選択的に終
端する一対のスイッチ手段と、そのベースに差動トラン
ジスタ対の一方又は他方のコレクタ電位をそれぞれ受け
前記抵抗を選択的に含んでエミッタフォロア回路を構成
する一対の帰還トランジスタとを含む帰還回路を設ける
ことにより、アルファ線によってデータ保持用の差動ト
ランジスタ対のコレクタに発生するパルス性のノイズ
を、各帰還トランジスタのベースに結合される寄生容量
と相対する差動トランジスタのベースに結合される寄生
容量との比に従って分圧し、前記ノイズによる差動トラ
ンジスタのベース電位の低下を抑制するとともに、エミ
ッタフォロア回路の抵抗を共有化しその一方又は他方を
選択的に終端することで、差動トランジスタ対のベース
間の電位差を確保するラッチ回路(特開平1−1066
19号公報)。The following latch circuits have been proposed as having improved α-ray resistance, but each of them is the latch circuit of the present invention having a structure for narrowing the pulse width of the emitter follower current control signal. different. (1) By interposing between the pair of feedback loops and the second logic gate a differential section that operates by receiving only two level relationships of non-inverted logic output and inverted logic, the level of the clock signal is increased. A latch circuit for obtaining a stable latch operation without requiring accuracy (Japanese Patent Laid-Open No. 2-332)
No. 15). (2) Set the node holding the data in the latch circuit to α
By separating from the p substrate which is the source of the line noise current, even if α-ray is incident on the transistor that constitutes the latch circuit, the data is not destroyed and the latch circuit that reduces the soft error of the semiconductor memory (special feature (Kaihei 2-78269). (3) When the emitter potential of the emitter follower that feeds back the output signal is at the high level, the emitter follower current is almost cut off, so that even if spike noise occurs at the data holding node due to the α line, the input side flip-flop A latch circuit that prevents transmission of spike noise to the gate (Japanese Patent Laid-Open No. 63-36609). (4) Between the collector and the base of the data holding differential transistor pair, a resistor provided between the bases of the differential transistor pair and a pair of switch means for selectively terminating one or the other of the resistors. , By providing a feedback circuit including a pair of feedback transistors that form the emitter follower circuit by selectively receiving the collector potential of one or the other of the differential transistor pairs in its base, and forming a emitter follower circuit. The pulsed noise generated in the collector of the holding differential transistor pair is divided according to the ratio of the parasitic capacitance coupled to the base of each feedback transistor to the opposing parasitic capacitance coupled to the base of the differential transistor, In addition to suppressing the decrease in the base potential of the differential transistor due to the noise, the emitter follower circuit By selectively terminating the one or other sharing anti a latch circuit (JP-A to secure a potential difference between the base of the differential transistor pair 1-1066
19 publication).
【0025】[0025]
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次の効果を奏する。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects.
【0026】本発明のラッチ回路は、クロックの反転信
号を遅延させる遅延回路および遅延回路の出力信号とク
ロックとの論理積をとるアンド回路により作成された、
クロックサイクルのデータ書込み期間より幅の狭い信号
(エミッタフォロア制御信号)が入力された期間のみ、
第1および第2のエミッタフォロア電流制御トランジス
タを流れるエミッタフォロア電流を増やして、その応答
速度を速くすることにより、書き込まれたデータによる
エミッタフォロア回路の出力レベルを確定するととも
に、クロックサイクルのそれ以外の期間では、エミッタ
フォロア電流を小さくして、その応答速度を遅くするこ
とにより、エミッタフォロア回路の出力レベルを変化し
にくくさせることができるため、差動トランジスタ対の
コレクタにα線が入射してエミッタフォロア電流が増え
ても、その期間を短くすることができるので、α線の入
射がエミッタフォロア回路の出力レベルに影響する確率
を低くすることができ、耐α線性が向上する。The latch circuit of the present invention is formed by a delay circuit that delays an inverted signal of a clock and an AND circuit that performs a logical product of the output signal of the delay circuit and the clock.
Only during the period when a signal (emitter follower control signal) narrower than the data write period of the clock cycle is input,
By increasing the emitter follower current flowing through the first and second emitter follower current control transistors and increasing the response speed thereof, the output level of the emitter follower circuit according to the written data is determined, and at the other time of the clock cycle. During the period, the output level of the emitter follower circuit can be made difficult to change by reducing the emitter follower current and slowing its response speed, so that α rays are incident on the collectors of the differential transistor pair. Since the period can be shortened even if the emitter follower current increases, the probability that the incidence of α rays will affect the output level of the emitter follower circuit can be reduced, and the α ray resistance is improved.
【図1】本発明のラッチ回路の第1の実施例を示す回路
図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of a latch circuit of the present invention.
【図2】図1に示したラッチ回路におけるエミッタフォ
ロア制御信号の生成方法を示すタイミングチャートであ
る。2 is a timing chart showing a method of generating an emitter follower control signal in the latch circuit shown in FIG.
【図3】本発明のラッチ回路の第2の実施例を示す回路
図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of a latch circuit of the present invention.
【図4】ラッチ回路の一従来例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional example of a latch circuit.
【図5】図4に示したラッチ回路におけるクロック,正
相クロック(エミッタフォロア制御信号)およびエミッ
タフォロア電流のタイミングを示すタイミングチャート
である。5 is a timing chart showing timings of a clock, a positive phase clock (emitter follower control signal) and an emitter follower current in the latch circuit shown in FIG.
10,50 ラッチ回路 11 電流源 Q1〜Q6 トランジスタ Q11,Q12 エミッタフォロアトランジスタ Q21,Q22 エミッタフォロア電流制御用トランジス
タ R11,R12 出力振幅用抵抗 R21,R22 エミッタフォロア抵抗 R51 遅延用抵抗 C51 遅延用コンデンサ C α線対策コンデンサ D クロックドライバ L1〜L3 電源ライン INV1,INV2 インバータ DL 遅延回路 AND アンド回路 CL クロック CL1 正相クロック CL2 逆相クロック S エミッタフォロア電流制御信号 T クロックサイクル10, 50 Latch circuit 11 Current source Q 1 to Q 6 transistor Q 11 , Q 12 Emitter follower transistor Q 21 , Q 22 Emitter follower current control transistor R 11 , R 12 Output amplitude resistor R 21 , R 22 Emitter follower resistor R 51 Delay resistor C 51 Delay capacitor C α line countermeasure capacitor D Clock driver L 1 to L 3 Power supply line INV 1 , INV 2 Inverter DL Delay circuit AND AND circuit CL clock CL 1 Positive phase clock CL 2 Reverse phase clock S Emitter-follower current control signal T clock cycle
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成6年1月21日[Submission date] January 21, 1994
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Name of item to be amended] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【特許請求の範囲】[Claims]
Claims (1)
および、ベースに前記入力データの反転データまたは所
定の参照電圧が入力される第2のトランジスタを有する
とともに、クロックの一方のレベルにより選択的に動作
状態とされる第1の差動トランジスタ対と、 コレクタが前記第1のトランジスタのコレクタと接続さ
れた第3のトランジスタ、および、コレクトが前記第2
のトランジスタのコレクタと接続された第4のトランジ
スタを有するとともに、前記クロックの他方のレベルに
よって選択的に動作状態とされる第2の差動トランジス
タ対と、 コレクタが前記第1の電源ラインと接続され、ベースが
前記第3のトランジスタのコレクタと接続されるととも
に、エミッタが前記第4のトランジスタのベースと接続
された第1のエミッタフォロアトランジスタと、 コレクタが前記第1のエミッタフォロアトランジスタの
エミッタと接続された第1のエミッタフォロア電流制御
トランジスタと、 一端が前記第1のエミッタフォロア電流制御トランジス
タのエミッタに接続されるとともに、他端が前記第2の
電源ラインに接続された第1のエミッタフォロア抵抗
と、 コレクタが前記第1の電源ラインと接続され、ベースが
前記第4のトランジスタのコレクタと接続されるととも
に、エミッタが前記第3のトランジスタのベースと接続
された第2のエミッタフォロアトランジスタと、 コレクタが前記第2のエミッタフォロアトランジスタの
エミッタと接続された第2のエミッタフォロア電流制御
トランジスタと、 一端が前記第2のエミッタフォロア電流制御トランジス
タのエミッタに接続されるとともに、他端が前記第2の
電源ラインに接続された第2のエミッタフォロア抵抗と
を含むラッチ回路において、 前記クロックの反転信号を遅延させる遅延回路と、 該遅延回路の出力信号と前記クロックとの論理積をとる
アンド回路とを含み、 該アンド回路の出力信号が、前記第1のエミッタフォロ
ア電流制御トランジスタのベースおよび前記第2のエミ
ッタフォロア電流制御トランジスタのベースに入力され
ることを特徴とするラッチ回路。1. A first power supply line, a second power supply line, and a first transistor to which input data is input to a base,
And a first differential transistor pair that has a second transistor to which inverted data of the input data or a predetermined reference voltage is input, and that is selectively activated by one level of a clock, A third transistor having a collector connected to the collector of the first transistor, and a collector having the second transistor;
A second differential transistor pair having a fourth transistor connected to the collector of the transistor and selectively activated by the other level of the clock; and a collector connected to the first power supply line. A first emitter follower transistor having a base connected to the collector of the third transistor and an emitter connected to the base of the fourth transistor; and a collector connected to the emitter of the first emitter follower transistor. A first emitter follower current control transistor connected to the first emitter follower, one end of which is connected to the emitter of the first emitter follower current control transistor and the other end of which is connected to the second power supply line. A resistor and a collector connected to the first power line, A second emitter follower transistor having an emitter connected to the collector of the fourth transistor and an emitter connected to the base of the third transistor; and a collector connected to the emitter of the second emitter follower transistor. A second emitter follower current control transistor, and a second emitter follower resistor having one end connected to the emitter of the second emitter follower current control transistor and the other end connected to the second power supply line. A latch circuit that delays the inverted signal of the clock, and an AND circuit that ANDs the output signal of the delay circuit and the clock, wherein the output signal of the AND circuit is 1. Emitter-follower current control transistor base and said second emitter Latch circuit, characterized in that input to the base of Oroa current control transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5249059A JP2674480B2 (en) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | Latch circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5249059A JP2674480B2 (en) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | Latch circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106925A true JPH07106925A (en) | 1995-04-21 |
| JP2674480B2 JP2674480B2 (en) | 1997-11-12 |
Family
ID=17187400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5249059A Expired - Lifetime JP2674480B2 (en) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | Latch circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674480B2 (en) |
-
1993
- 1993-10-05 JP JP5249059A patent/JP2674480B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2674480B2 (en) | 1997-11-12 |
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