JPH07107024B2 - 液晶性化合物 - Google Patents
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、高速な電気光学効果を示す液晶性化合物に関
し、詳しくは電気光学効果を利用した高速光シャッター
アレイとして、光プリンターヘッドあるいは液晶ディス
プレイ,液晶テレビジョン等に利用することのできる強
誘電性液晶化合物に関する。
し、詳しくは電気光学効果を利用した高速光シャッター
アレイとして、光プリンターヘッドあるいは液晶ディス
プレイ,液晶テレビジョン等に利用することのできる強
誘電性液晶化合物に関する。
[従来の技術] 近年、液晶ディスプレイは、薄型軽量,低駆動電圧,低
消費電力の特徴を生かしラップトップパーソナルコンピ
ューターやワードプロセッサー等の表示装置として広く
採用されてきている。
消費電力の特徴を生かしラップトップパーソナルコンピ
ューターやワードプロセッサー等の表示装置として広く
採用されてきている。
従来、液晶を用いた電気光学素子としては、ツイステッ
ドネマチック型(TN)が中心であったが、表示面積の拡
大,表示画素の細密化に伴いコントラストの低下を起こ
し、大画面,大容量の表示素子としては不適当であっ
た。この点を改良すべく、単鈍マトリックスで駆動して
いたTN型素子に、TFT(薄膜トランジスター),MIM(MET
AL−INSULATOR METAL)の様な能動素子をつけ、アクテ
ィブマトリックス駆動に変えて高密度、大画面の表示装
置を可能にしつつある。一方、TN型で上下基板間で90゜
捻っていた液晶を更に180〜270゜ねじったSTN(スーパ
ーツイステッドネマチック)と呼ばれる方式で、高コン
トラスト化を達成し、高密度表示を可能にしている。し
かし、各画素に能動素子をつけるアクティブマトリック
スはその複雑な構造故に製造コストが高く、また、パネ
ル自体の製造の歩留りをあげるのが難しいという欠点を
もつ。また、STN液晶表示装置はその構造上さけがたい
下地の着色という問題点があるため白黒表示が難しく、
かつ応答速度が遅いという欠点をもつ。
ドネマチック型(TN)が中心であったが、表示面積の拡
大,表示画素の細密化に伴いコントラストの低下を起こ
し、大画面,大容量の表示素子としては不適当であっ
た。この点を改良すべく、単鈍マトリックスで駆動して
いたTN型素子に、TFT(薄膜トランジスター),MIM(MET
AL−INSULATOR METAL)の様な能動素子をつけ、アクテ
ィブマトリックス駆動に変えて高密度、大画面の表示装
置を可能にしつつある。一方、TN型で上下基板間で90゜
捻っていた液晶を更に180〜270゜ねじったSTN(スーパ
ーツイステッドネマチック)と呼ばれる方式で、高コン
トラスト化を達成し、高密度表示を可能にしている。し
かし、各画素に能動素子をつけるアクティブマトリック
スはその複雑な構造故に製造コストが高く、また、パネ
ル自体の製造の歩留りをあげるのが難しいという欠点を
もつ。また、STN液晶表示装置はその構造上さけがたい
下地の着色という問題点があるため白黒表示が難しく、
かつ応答速度が遅いという欠点をもつ。
1980年に、クラークらによって開発された強誘電性液晶
素子は交番電場に応じた自発分極の反転によりスイッチ
ングするため、誘電異方性によりスイッチングするネマ
チック液晶と比べ、高速に応答することが知られてい
る。この強誘電性液晶素子は、強誘電体を用いるが故に
電場を切っても自発分極が保持され、メモリー状態を得
ることができる。この強誘電性液晶の性質を利用して、
TFT等の複雑な素子を使用せずに、単純マトリックスで
駆動することが可能であり、かつ高速にスイッチングが
可能なため、高密度な大画面を低コストで製造し得る。
素子は交番電場に応じた自発分極の反転によりスイッチ
ングするため、誘電異方性によりスイッチングするネマ
チック液晶と比べ、高速に応答することが知られてい
る。この強誘電性液晶素子は、強誘電体を用いるが故に
電場を切っても自発分極が保持され、メモリー状態を得
ることができる。この強誘電性液晶の性質を利用して、
TFT等の複雑な素子を使用せずに、単純マトリックスで
駆動することが可能であり、かつ高速にスイッチングが
可能なため、高密度な大画面を低コストで製造し得る。
強誘電性液晶となるためには、スメクチック相の中で層
法線方向に対し分子長軸がチルトした相を示し、かつ光
学活性基をもつことが必要である。カイラルスメクチッ
クC相(SC *),カイラルスメクチックI相(SI *),
カイラルスメクチックF相(SF *)等が強誘電性を示
す。これらの強誘電性液晶相の中で、最も実用性が高い
液晶相は、その相構造に起因する粘度の点からSC *相と
考えられており、事実最も高速に応答する。そこで、SC
*相を示す液晶性化合物の開発が活発に行われている。
メヤーらが最初に発見した強誘電性液晶化合物であるp
−デシルオキシベンジリデン−p′−アミノ−2−メチ
ルブチルシンナメート(DOBAMBC)は、電気光学特性は
良いものの、水,光などに対する化学的安定性に問題が
あり、実用的ではなかった。その後、化学的に安定な化
合物を中心に強誘電性液晶の検討がなされ、種々の液晶
性化合物が報告されている。例えば、1982年のアメリカ
化学会のシンポジウム(ラスベカス、1982年3月29日〜
4月1日)で下記の様な化合物(II)(式中、R3は炭素
数5〜16の直鎖アルキル基である。)がSC *相を示すこ
とが報告されている(“Liquid Crystals and Ordered
Fluids"vol.4 edited by J.W.Goodby and T.M.Lesli
e)。
法線方向に対し分子長軸がチルトした相を示し、かつ光
学活性基をもつことが必要である。カイラルスメクチッ
クC相(SC *),カイラルスメクチックI相(SI *),
カイラルスメクチックF相(SF *)等が強誘電性を示
す。これらの強誘電性液晶相の中で、最も実用性が高い
液晶相は、その相構造に起因する粘度の点からSC *相と
考えられており、事実最も高速に応答する。そこで、SC
*相を示す液晶性化合物の開発が活発に行われている。
メヤーらが最初に発見した強誘電性液晶化合物であるp
−デシルオキシベンジリデン−p′−アミノ−2−メチ
ルブチルシンナメート(DOBAMBC)は、電気光学特性は
良いものの、水,光などに対する化学的安定性に問題が
あり、実用的ではなかった。その後、化学的に安定な化
合物を中心に強誘電性液晶の検討がなされ、種々の液晶
性化合物が報告されている。例えば、1982年のアメリカ
化学会のシンポジウム(ラスベカス、1982年3月29日〜
4月1日)で下記の様な化合物(II)(式中、R3は炭素
数5〜16の直鎖アルキル基である。)がSC *相を示すこ
とが報告されている(“Liquid Crystals and Ordered
Fluids"vol.4 edited by J.W.Goodby and T.M.Lesli
e)。
その後、比較的安定な種々の強誘電性液晶化合物が報告
されている。
されている。
一方、強誘電性液晶の応答速度(τ)は自発分極(PS)
およびスイッチングに係る粘度(η)と密接な関係を持
つことが知られている。
およびスイッチングに係る粘度(η)と密接な関係を持
つことが知られている。
そこで、高速応答性を求めるため、PSの大きな液晶性化
合物の検討が進められた。例えば特開昭60−218358号公
報,同63−159351号公報に下記の様な化合物(III),
(IV)が報告されており、いずれも200nC/cm2以上のPS
を持っている。
合物の検討が進められた。例えば特開昭60−218358号公
報,同63−159351号公報に下記の様な化合物(III),
(IV)が報告されており、いずれも200nC/cm2以上のPS
を持っている。
(式中、R4は炭素数1〜18のアルキル基;R5は光学活性
アルキル基,光学活性アラルキル基またはハロゲン化ア
ルキル基;Xはフッ素,塩素,臭素またはトリフルオロメ
チル基を示す。) (式中、R6は炭素数4〜18の直鎖アルキル基;R7は炭素
数2〜6の直鎖アルキル基;m,nは1または2を示す。) しかし、応答速度(τ)には粘度(η)の与える影響も
大きく、単にPSを大きくしただけでは高速応答性は得ら
れていない。
アルキル基,光学活性アラルキル基またはハロゲン化ア
ルキル基;Xはフッ素,塩素,臭素またはトリフルオロメ
チル基を示す。) (式中、R6は炭素数4〜18の直鎖アルキル基;R7は炭素
数2〜6の直鎖アルキル基;m,nは1または2を示す。) しかし、応答速度(τ)には粘度(η)の与える影響も
大きく、単にPSを大きくしただけでは高速応答性は得ら
れていない。
[発明が解決しようとする課題] かかる現状に鑑み、化学的安定性に優れ、粘度が低く高
速応答性に優れた液晶化合物の出現が待望されている。
速応答性に優れた液晶化合物の出現が待望されている。
[課題を解決するための手段] 高速応答性に優れた強誘電性液晶を得るためには、自発
分極が大きく、かつスイッチングに係る粘度が低いこと
が必要である。ところで、粘度の測定法については、前
述の応答速度の式から逆算する方法[スカープら、Mol.
Cryst.Liq.Cryst.,114,283(1984)];三角波印加時の
分極反転ピークから算出する方法(木村ら、Jpn.J.App
l.Phys.,26(1987)L255)等が提案されているが、未だ
汎用性に乏しい。さらに、測定セルと液晶との界面の影
響も無視できないため、粘度を正確に測定しているとは
云い難い。
分極が大きく、かつスイッチングに係る粘度が低いこと
が必要である。ところで、粘度の測定法については、前
述の応答速度の式から逆算する方法[スカープら、Mol.
Cryst.Liq.Cryst.,114,283(1984)];三角波印加時の
分極反転ピークから算出する方法(木村ら、Jpn.J.App
l.Phys.,26(1987)L255)等が提案されているが、未だ
汎用性に乏しい。さらに、測定セルと液晶との界面の影
響も無視できないため、粘度を正確に測定しているとは
云い難い。
PSと応答速度の関係からピリミジン系液晶がその添加に
よって粘度を低下させることができることが報告されて
いる[村山ら、第13回液晶討論会予稿集,1z03,46(198
7)]。一方、強誘電性液晶においては誘電異方性は応
答のトルクとはなっていないが、電界強度が高い場合、
応答速度に影響を与え、例えば負の誘電異方性を持つ液
晶に高電界を印加すると、逆に応答が遅くなるという現
象が見出されている[折原ら、第12回液晶討論会予稿
集、2連F03,84(1986)]。さらに、正の誘電異方性を
持つ液晶が負の誘電異方性を持つものに比べ高速に応答
することが報告され、理論計算からも支持されている
[加藤ら、第48回秋期応物予稿集,19p−ZB−1(198
7)]。
よって粘度を低下させることができることが報告されて
いる[村山ら、第13回液晶討論会予稿集,1z03,46(198
7)]。一方、強誘電性液晶においては誘電異方性は応
答のトルクとはなっていないが、電界強度が高い場合、
応答速度に影響を与え、例えば負の誘電異方性を持つ液
晶に高電界を印加すると、逆に応答が遅くなるという現
象が見出されている[折原ら、第12回液晶討論会予稿
集、2連F03,84(1986)]。さらに、正の誘電異方性を
持つ液晶が負の誘電異方性を持つものに比べ高速に応答
することが報告され、理論計算からも支持されている
[加藤ら、第48回秋期応物予稿集,19p−ZB−1(198
7)]。
そこで本発明者らは、強誘電性液晶化合物の分子構造に
ついて詳細に検討し、前記一般式(I)で表わされる液
晶化合物が交番電場に対して高速にスイッチングするこ
とを見出し、かかる知見に基いて本発明を完成するに至
ったのである。
ついて詳細に検討し、前記一般式(I)で表わされる液
晶化合物が交番電場に対して高速にスイッチングするこ
とを見出し、かかる知見に基いて本発明を完成するに至
ったのである。
すなわち、本発明は高速応答性を示す一般式(I) (式中、R1は炭素数4〜16の直鎖アルキル基を示し、R2
*は炭素数4〜16の光学活性なアルキル基で不斉炭素原
子を含むものを示す。X,Yはいずれか一方がフッ素原子
で他方が水素原子であり、l,m,nは0または1であり、
ただし、lとmのいずれか一方が1であるならば他方は
0である。)で表わされる液晶性化合物を提供するもの
である。
*は炭素数4〜16の光学活性なアルキル基で不斉炭素原
子を含むものを示す。X,Yはいずれか一方がフッ素原子
で他方が水素原子であり、l,m,nは0または1であり、
ただし、lとmのいずれか一方が1であるならば他方は
0である。)で表わされる液晶性化合物を提供するもの
である。
上記一般式(I)において、特に安定なSC *相を呈する
ためにはR1は炭素数6〜12の直鎖アルキルであることが
好ましく、R2 *は2個以内の分岐を持つが、良好なメモ
リー性を得るためには炭素数8〜12の光学活性なアルキ
ル基であることが好ましい。
ためにはR1は炭素数6〜12の直鎖アルキルであることが
好ましく、R2 *は2個以内の分岐を持つが、良好なメモ
リー性を得るためには炭素数8〜12の光学活性なアルキ
ル基であることが好ましい。
上記一般式(I)で表わされる本発明の液晶性化合物が
交番電場に対し高速にスイッチングする理由は未だ明ら
かではないが、上記一般式(I)で示される本発明の液
晶性化合物においては、分子長軸に対し対称的な位置で
フッ素置換されているので、分子短軸方向の分極は相互
に打ち消し合い、分子長軸方向の分極のみが効果が高
く、前記式(IV)で表わされるフッ素置換されていない
化合物,前記式(III)で表わされるモノフルオロ置換
体あるいは下記の式(V)で表わされる化合物と比較
し、誘電異方性が正に近づいているためと考えられる。
交番電場に対し高速にスイッチングする理由は未だ明ら
かではないが、上記一般式(I)で示される本発明の液
晶性化合物においては、分子長軸に対し対称的な位置で
フッ素置換されているので、分子短軸方向の分極は相互
に打ち消し合い、分子長軸方向の分極のみが効果が高
く、前記式(IV)で表わされるフッ素置換されていない
化合物,前記式(III)で表わされるモノフルオロ置換
体あるいは下記の式(V)で表わされる化合物と比較
し、誘電異方性が正に近づいているためと考えられる。
また、他の理由としては排除体積効果が考えられる。分
子短軸方向への拡がりがあり、そのうえ分子間相互作用
の低下による粘度低下あるいは液晶相の熱安定性の適度
な低下があるため、SC *相がより低温側に現われ、さら
に高次のスメクチツク相も出現しないなど、実用的には
極めて良い結果となっている。
子短軸方向への拡がりがあり、そのうえ分子間相互作用
の低下による粘度低下あるいは液晶相の熱安定性の適度
な低下があるため、SC *相がより低温側に現われ、さら
に高次のスメクチツク相も出現しないなど、実用的には
極めて良い結果となっている。
一方、交番電場に対し高速にスイッチングする化合物と
して下記に示す分子中心部にフッ素置換した誘導体(V
I)も考えられる。
して下記に示す分子中心部にフッ素置換した誘導体(V
I)も考えられる。
しかしながら、上記式(IV)で表わされる誘導体は誘電
異方性に関しては効果は類似していると考えられるが、
液晶相の熱安定性で極端に低下し、実用的な材料を提供
するものではない。これは、分子短軸方向への拡がりが
フッ素原子の置換位置が中心部にあって大きく作用して
いる結果と考えられる。
異方性に関しては効果は類似していると考えられるが、
液晶相の熱安定性で極端に低下し、実用的な材料を提供
するものではない。これは、分子短軸方向への拡がりが
フッ素原子の置換位置が中心部にあって大きく作用して
いる結果と考えられる。
上記一般式(I)で表わされる液晶性化合物のうち、特
にSC *相を示す化合物が好ましいが、SC *相を示さない
ものでも他のカイラルスメクチツク相あるいはスメクチ
ツクC相を呈する化合物と混合使用することにより、容
易に室温を含む広い温度範囲にSC *相を持つ液晶組成物
を得ることが可能であり、この液晶組成物も高速応答性
にすぐれている。
にSC *相を示す化合物が好ましいが、SC *相を示さない
ものでも他のカイラルスメクチツク相あるいはスメクチ
ツクC相を呈する化合物と混合使用することにより、容
易に室温を含む広い温度範囲にSC *相を持つ液晶組成物
を得ることが可能であり、この液晶組成物も高速応答性
にすぐれている。
本発明の液晶性化合物(I)は、次の合成方法により得
ることができる。すなわち、安息香酸誘導体(VII)の
酸クロライド(VII′)とフェノール誘導体(VIII)と
をピリジンのごとき塩基性化合物を用いて反応せしめる
ことにより合成する。以下にその工程を記す(式中、
R1,R2 *,X,Y,l,m,nは前記のとおりである)。
ることができる。すなわち、安息香酸誘導体(VII)の
酸クロライド(VII′)とフェノール誘導体(VIII)と
をピリジンのごとき塩基性化合物を用いて反応せしめる
ことにより合成する。以下にその工程を記す(式中、
R1,R2 *,X,Y,l,m,nは前記のとおりである)。
安息香酸誘導体(VII)の中で、l=1である置換ビフ
ェニルカルボン酸は2,6−ジフルオロフェノールを出発
物質としてこれを臭素化し、次いでアルキルハライドで
アルキルエーテル化し、マグネシウムとの反応によるグ
リニヤ試薬の調製、ヨウ化ベンゼンとのカップリング反
応により置換ビフェニルとし、塩化アルミニウム,塩化
アセチルによりアセチル化、次亜臭素酸ソーダによるカ
ルボキシル化を行って合成することが出来る。また、安
息香酸誘導体(VII)の中でl=0である置換安息香酸
は前述したグリニヤ試薬に炭酸ガスを反応させて合成す
ることが出来る。
ェニルカルボン酸は2,6−ジフルオロフェノールを出発
物質としてこれを臭素化し、次いでアルキルハライドで
アルキルエーテル化し、マグネシウムとの反応によるグ
リニヤ試薬の調製、ヨウ化ベンゼンとのカップリング反
応により置換ビフェニルとし、塩化アルミニウム,塩化
アセチルによりアセチル化、次亜臭素酸ソーダによるカ
ルボキシル化を行って合成することが出来る。また、安
息香酸誘導体(VII)の中でl=0である置換安息香酸
は前述したグリニヤ試薬に炭酸ガスを反応させて合成す
ることが出来る。
フェノール誘導体(VII)の中で、m=1,n=0の置換ビ
フェノール誘導体は、前記で得られたグリニヤ試薬をp
−ベンジルオキシブロムベンゼンとカップリング反応さ
せ、還元することにより得ることが出来る。m=0,n=
0の置換ハイドロキノン誘導体は、前記で得られたグリ
ニヤ試薬をt−ブチルエーテルとし、これを熱分解して
得ることができる。m=1,n=1の置換ビフェニルカル
ボン酸誘導体は、2,6−ジフルオロ安息香酸エステルを
臭素化し、p−ベンジルオキシブロムベンゼンとカップ
リング反応させ、脱ベンジル化反応して得ることができ
る。m=0,n=1の置換安息香酸誘導体は、3,5−ジフル
オロフェノールを出発原料としてこれを臭素化し、ベン
ジルエーテル化し、マグネシウムとの反応によるグリニ
ヤ試薬の調製、炭酸ガスと反応させてカルボン酸とし、
エステル化して得ることができる。
フェノール誘導体は、前記で得られたグリニヤ試薬をp
−ベンジルオキシブロムベンゼンとカップリング反応さ
せ、還元することにより得ることが出来る。m=0,n=
0の置換ハイドロキノン誘導体は、前記で得られたグリ
ニヤ試薬をt−ブチルエーテルとし、これを熱分解して
得ることができる。m=1,n=1の置換ビフェニルカル
ボン酸誘導体は、2,6−ジフルオロ安息香酸エステルを
臭素化し、p−ベンジルオキシブロムベンゼンとカップ
リング反応させ、脱ベンジル化反応して得ることができ
る。m=0,n=1の置換安息香酸誘導体は、3,5−ジフル
オロフェノールを出発原料としてこれを臭素化し、ベン
ジルエーテル化し、マグネシウムとの反応によるグリニ
ヤ試薬の調製、炭酸ガスと反応させてカルボン酸とし、
エステル化して得ることができる。
上記一般式(I)で示される液晶性化合物の代表例を次
に例示する。(*は不斉炭素原子であることを表わ
す。) 例示化合物 [実施例] 次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
に例示する。(*は不斉炭素原子であることを表わ
す。) 例示化合物 [実施例] 次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
合成例1 3′,5′−ジフルオロ−4′−オクチルオキ
シビフェニル−4−カルボン酸の合成 2,6−ジフルオロフェノール11.7gの塩化メチレン100ml
の溶液に10〜15℃で臭素16gを滴下した。反応後、内容
物を水に加えて分液し、有機層を水洗し、硫酸マグネシ
ウムで脱水後、濃縮し3,5−ジフルオロ−4−ヒドロキ
シ−1−ブロモベンゼン18.2gを得た。
シビフェニル−4−カルボン酸の合成 2,6−ジフルオロフェノール11.7gの塩化メチレン100ml
の溶液に10〜15℃で臭素16gを滴下した。反応後、内容
物を水に加えて分液し、有機層を水洗し、硫酸マグネシ
ウムで脱水後、濃縮し3,5−ジフルオロ−4−ヒドロキ
シ−1−ブロモベンゼン18.2gを得た。
エタノール100mlおよびナトリウムエチラート7.0gの混
合液に3,5−ジフルオロ−4−ヒドロキシ−1−ブロモ
ベンゼン18.2gを滴下し、室温で1時間撹拌した。次
に、オクチルブロマイド18.0gを加えて加熱し、3時間
煮沸した。その後、反応液を水に加えてトルエンで抽出
し、有機層を水洗、硫酸マグネシウムで脱水、濃縮しメ
タノールで再結晶して3,5−ジフルオロ−4−オクチル
オキシ−1−ブロモベンゼン21.5gを得た。
合液に3,5−ジフルオロ−4−ヒドロキシ−1−ブロモ
ベンゼン18.2gを滴下し、室温で1時間撹拌した。次
に、オクチルブロマイド18.0gを加えて加熱し、3時間
煮沸した。その後、反応液を水に加えてトルエンで抽出
し、有機層を水洗、硫酸マグネシウムで脱水、濃縮しメ
タノールで再結晶して3,5−ジフルオロ−4−オクチル
オキシ−1−ブロモベンゼン21.5gを得た。
3,5−ジフルオロ−4−オクチルオキシ−1−ブロモベ
ンゼン9.64g,マグネシウム2.4g,テトラヒドロフラン
(以下、THFと略する)100mlより常法によりグリニヤ試
薬を調製した。ヨードベンゼン6.2g,THF20ml,塩化パラ
ジウム0.5gの混合液中に先のグリニヤ試薬を滴下し、後
50〜60℃で3時間反応した。内容物を水に入れ、トルエ
ン抽出し、水洗、硫酸マグネシウムで脱水後、濃縮し
た。得られた粗生成物をシリカゲルにてカラムクロマト
精製し3′,5′−ジフルオロ−4′−オクチルオキシビ
フェニル6.2gを得た。
ンゼン9.64g,マグネシウム2.4g,テトラヒドロフラン
(以下、THFと略する)100mlより常法によりグリニヤ試
薬を調製した。ヨードベンゼン6.2g,THF20ml,塩化パラ
ジウム0.5gの混合液中に先のグリニヤ試薬を滴下し、後
50〜60℃で3時間反応した。内容物を水に入れ、トルエ
ン抽出し、水洗、硫酸マグネシウムで脱水後、濃縮し
た。得られた粗生成物をシリカゲルにてカラムクロマト
精製し3′,5′−ジフルオロ−4′−オクチルオキシビ
フェニル6.2gを得た。
3′,5′−ジフルオロ−4′−オクチルオキシビフェニ
ル6.2g,塩化アルミニウム2.8gおよびジクロロメタン50m
lの混合液中に室温下塩化アセチル1.6gのジクロロメタ
ン20mlの溶液を滴下し、室温下で3時間反応させた。内
容物を水に入れ有機層を分液後、水洗、硫酸マグネシウ
ムで脱水し濃縮し、エタノールで再結晶して3′,5′−
ジフルオロ−4′−オクチルオキシ−4−アセチルビフ
ェニル4.7gを得た。
ル6.2g,塩化アルミニウム2.8gおよびジクロロメタン50m
lの混合液中に室温下塩化アセチル1.6gのジクロロメタ
ン20mlの溶液を滴下し、室温下で3時間反応させた。内
容物を水に入れ有機層を分液後、水洗、硫酸マグネシウ
ムで脱水し濃縮し、エタノールで再結晶して3′,5′−
ジフルオロ−4′−オクチルオキシ−4−アセチルビフ
ェニル4.7gを得た。
3′,5′−ジフルオロ−4′−オクチルオキシ−4−ア
セチルビフェニル4.7gのジオキサン47mlの溶液を苛性ソ
ーダ3.3g,水25ml,臭素8.8gで調製した次亜臭素酸ソーダ
溶液に室温で滴下し、2時間室温で反応した。その後、
酸性亜硫酸ソーダ3.0gの水100mlの溶液を加え10分間撹
拌後、6NHClで反応液を酸性とし結晶を過した。エタ
ノールで再結晶し3′,5′−ジフルオロ−4′−オクチ
ルオキシビフェニル−4−カルボン酸3.4gを得た。
セチルビフェニル4.7gのジオキサン47mlの溶液を苛性ソ
ーダ3.3g,水25ml,臭素8.8gで調製した次亜臭素酸ソーダ
溶液に室温で滴下し、2時間室温で反応した。その後、
酸性亜硫酸ソーダ3.0gの水100mlの溶液を加え10分間撹
拌後、6NHClで反応液を酸性とし結晶を過した。エタ
ノールで再結晶し3′,5′−ジフルオロ−4′−オクチ
ルオキシビフェニル−4−カルボン酸3.4gを得た。
合成例2 4−(3″,5″−ジフルオロ−4″−オクチ
ルオキシビフェニル−4′−カルボニルオキシ)安息香
酸2,6−ジメチルヘプチルエステルの合成(例示化合物
3) 3′,5′−ジフルオロ−4′−オクチルオキシビフェニ
ル−4−カルボン酸7.24gに塩化チオニル15mlを加えて
2時間還流した後、濃縮して70mlのトルエンに溶解して
酸クロライド−トルエン溶液を調製した。次いで、特開
昭63−33351号公報に記載の方法で合成した4−ヒドロ
キシ安息香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル5.28g,
ピリジン3.5gおよびトルエン60mlの混合液に先の酸クロ
ライド−トルエン溶液を滴下し室温にて15時間撹拌し
た。反応終了後、水洗、硫酸マグネシウムで脱水し濃縮
した。得られた粗生成物をクロロホルムを抽出剤として
シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって分離し、
エタノールより再結晶して4−(3″,5″−ジフルオロ
−4″−オクチルオキシビフェニル−4′−カルボニル
オキシ)安息香酸2,6−ジメチルヘプチルエステル5.1g
を得た。このものの機器分析値は次の通りである。
ルオキシビフェニル−4′−カルボニルオキシ)安息香
酸2,6−ジメチルヘプチルエステルの合成(例示化合物
3) 3′,5′−ジフルオロ−4′−オクチルオキシビフェニ
ル−4−カルボン酸7.24gに塩化チオニル15mlを加えて
2時間還流した後、濃縮して70mlのトルエンに溶解して
酸クロライド−トルエン溶液を調製した。次いで、特開
昭63−33351号公報に記載の方法で合成した4−ヒドロ
キシ安息香酸−2,6−ジメチルヘプチルエステル5.28g,
ピリジン3.5gおよびトルエン60mlの混合液に先の酸クロ
ライド−トルエン溶液を滴下し室温にて15時間撹拌し
た。反応終了後、水洗、硫酸マグネシウムで脱水し濃縮
した。得られた粗生成物をクロロホルムを抽出剤として
シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって分離し、
エタノールより再結晶して4−(3″,5″−ジフルオロ
−4″−オクチルオキシビフェニル−4′−カルボニル
オキシ)安息香酸2,6−ジメチルヘプチルエステル5.1g
を得た。このものの機器分析値は次の通りである。
MS:608(M+) NMR:0.88(9H,m),1.05(3H,d,J=6.5Hz),1.13〜1.57
(17H,m),1.79(2H,m),1.95(1H,m),4.13(1H,m),
4.25(3H,m),7.18(2H,m),7.35(2H,d,J=8.0Hz),7.
66(2H,d,J=7.9Hz),8.15(2H,d,J=7.9Hz),8.23(2
H,d,J=7.7Hz) 合成例3 4′−(3″,5″−ジフルオロ−4″−ドデ
シルオキシフェニルカルボニルオキシ)−4−(2,6−
ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニルの合成(例示化合
物16) 合成例1のオクチルブロマイドに代えてドデシルブロマ
イド23.2gを用いたほかは、同様の操作により3,5−ジフ
ルオロ−4−ドデシルオキシブロムベンゼン23.4gを得
た。3,5−ジフルオロ−4−ドデシルオキシブロムベン
ゼン11.3g,マグネシウム2.4g,THF 100mlより常法により
グリニヤ試薬を生成し、この反応液を15〜20℃に保ちな
がら炭酸ガスを吹き込み3,5−ジフルオロ−4−ドデシ
ルオキシ安息香酸6.9gを得た。このうち3.42gを用いて
合成例2の方法に従って酸クロライド調製液を得た。
(17H,m),1.79(2H,m),1.95(1H,m),4.13(1H,m),
4.25(3H,m),7.18(2H,m),7.35(2H,d,J=8.0Hz),7.
66(2H,d,J=7.9Hz),8.15(2H,d,J=7.9Hz),8.23(2
H,d,J=7.7Hz) 合成例3 4′−(3″,5″−ジフルオロ−4″−ドデ
シルオキシフェニルカルボニルオキシ)−4−(2,6−
ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニルの合成(例示化合
物16) 合成例1のオクチルブロマイドに代えてドデシルブロマ
イド23.2gを用いたほかは、同様の操作により3,5−ジフ
ルオロ−4−ドデシルオキシブロムベンゼン23.4gを得
た。3,5−ジフルオロ−4−ドデシルオキシブロムベン
ゼン11.3g,マグネシウム2.4g,THF 100mlより常法により
グリニヤ試薬を生成し、この反応液を15〜20℃に保ちな
がら炭酸ガスを吹き込み3,5−ジフルオロ−4−ドデシ
ルオキシ安息香酸6.9gを得た。このうち3.42gを用いて
合成例2の方法に従って酸クロライド調製液を得た。
ビフェノール18.6g,2,6−ジメチルヘプタノールのトシ
レート29.8g,苛性カリ6.8g,水10ml,エタノール100mlの
混合物を加熱煮沸し、3時間反応させた。その後、反応
液を水に注ぎトルエン抽出し、有機層を水洗、硫酸マグ
ネシウムで脱水し濃縮した。粗生成物をシリカゲルにて
カラムクロマトグラフィーにかけ、4′−ヒドロキシ−
4−(2,6−ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニル11.2g
を得た。
レート29.8g,苛性カリ6.8g,水10ml,エタノール100mlの
混合物を加熱煮沸し、3時間反応させた。その後、反応
液を水に注ぎトルエン抽出し、有機層を水洗、硫酸マグ
ネシウムで脱水し濃縮した。粗生成物をシリカゲルにて
カラムクロマトグラフィーにかけ、4′−ヒドロキシ−
4−(2,6−ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニル11.2g
を得た。
4′−ヒドロキシ−4−(2,6−ジメチルヘプチルオキ
シ)ビフェニル3.12g,ピリジン2gおよびトルエン30mlの
溶液に先の酸クロライド調製液を室温下滴下し、50〜60
℃で3時間反応させた。その後、内容物を水に入れ、有
機層を水洗、硫酸マグネシウムで脱水し濃縮した。粗生
成物をシリカゲルにてカラムクロマトグラフィーにか
け、エタノールで再結晶して4′−(3″,5″−ジフル
オロ−4″−ドデシルオキシフェニルカルボニルオキ
シ)−4−(2,6−ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニ
ル5.5gを得た。このものの機器分析値は次の通りであ
る。
シ)ビフェニル3.12g,ピリジン2gおよびトルエン30mlの
溶液に先の酸クロライド調製液を室温下滴下し、50〜60
℃で3時間反応させた。その後、内容物を水に入れ、有
機層を水洗、硫酸マグネシウムで脱水し濃縮した。粗生
成物をシリカゲルにてカラムクロマトグラフィーにか
け、エタノールで再結晶して4′−(3″,5″−ジフル
オロ−4″−ドデシルオキシフェニルカルボニルオキ
シ)−4−(2,6−ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニ
ル5.5gを得た。このものの機器分析値は次の通りであ
る。
MS:636(M+) NMR:0.88(9H,m),1.04(3H,d,J=6.7Hz),1.13〜1.58
(25H,m),1.77(2H,m),1.96(1H,m),4.12(1H,m),
4.22(1H,m),4.35(2H,m),7.27(2H,m),7.72(2H,
m),8.12(2H,m) 合成例4 4−(3″,5″−ジフルオロ−4″−ヘキシ
ルオキシフェニル−4′−カルボニルオキシ)フェニル
3,7−ジメチルオクチルエーテルの合成(例示化合物
7) 合成例1のオクチルブロマイドに代えてヘキシルブロマ
イド15.3gを用いたほかは、同様の操作により3,5−ジフ
ルオロ−4−ヘキシルオキシブロムベンゼン20.4gを得
た。3,5−ジフルオロ−4−ヘキシルオキシブロムベン
ゼン8.8g,マグネシウム2.4g,THF 100mlより常法により
グリニヤ試薬を生成し、この反応液を15〜20℃に保ちな
がら炭酸ガスを吹き込み3,5−ジフルオロ−4−ヘキシ
ルオキシ安息香酸5.16gを得た。このうち2.58gを用いて
合成例2の方法に従って酸クロライド調製液を得た。
(25H,m),1.77(2H,m),1.96(1H,m),4.12(1H,m),
4.22(1H,m),4.35(2H,m),7.27(2H,m),7.72(2H,
m),8.12(2H,m) 合成例4 4−(3″,5″−ジフルオロ−4″−ヘキシ
ルオキシフェニル−4′−カルボニルオキシ)フェニル
3,7−ジメチルオクチルエーテルの合成(例示化合物
7) 合成例1のオクチルブロマイドに代えてヘキシルブロマ
イド15.3gを用いたほかは、同様の操作により3,5−ジフ
ルオロ−4−ヘキシルオキシブロムベンゼン20.4gを得
た。3,5−ジフルオロ−4−ヘキシルオキシブロムベン
ゼン8.8g,マグネシウム2.4g,THF 100mlより常法により
グリニヤ試薬を生成し、この反応液を15〜20℃に保ちな
がら炭酸ガスを吹き込み3,5−ジフルオロ−4−ヘキシ
ルオキシ安息香酸5.16gを得た。このうち2.58gを用いて
合成例2の方法に従って酸クロライド調製液を得た。
特開昭63−33351号公報に記載の方法で合成したヒドロ
キノンモノ−3,7−ジメチルオクチルエーテル2.66gを用
い、先の酸クロライド調製液を使い、合成例3と同様の
操作により4−(3″,5″−ジフルオロ−4″−ヘキシ
ルオキシフェニル−4′−カルボニルオキシ)フェニル
3,7−ジメチルオクチルエーテル2.9gを得た。このもの
の機器分析値は次の通りである。
キノンモノ−3,7−ジメチルオクチルエーテル2.66gを用
い、先の酸クロライド調製液を使い、合成例3と同様の
操作により4−(3″,5″−ジフルオロ−4″−ヘキシ
ルオキシフェニル−4′−カルボニルオキシ)フェニル
3,7−ジメチルオクチルエーテル2.9gを得た。このもの
の機器分析値は次の通りである。
MS:506(M+) NMR:0.85(6H,d,J=6.8Hz),0.95(6H,d,J=7.0Hz),1.
7〜1.9(18H,m),4.01(2H,m),6.93(2H,d,J=6.8H
z),7.10(2H,d,J=6.8Hz),7.73(2H,d,J=7.6Hz) 合成例5 4′−(4″−オクチルオキシフェニルカル
ボニルオキシ)−3,5−ジフルオロ−4−(2,6−ジメチ
ルヘプチルオキシ)ビフェニルの合成(例示化合物28) 4−オクチル安息香酸2.38gを合成例2の方法に従って
酸クロライド調製液とした。
7〜1.9(18H,m),4.01(2H,m),6.93(2H,d,J=6.8H
z),7.10(2H,d,J=6.8Hz),7.73(2H,d,J=7.6Hz) 合成例5 4′−(4″−オクチルオキシフェニルカル
ボニルオキシ)−3,5−ジフルオロ−4−(2,6−ジメチ
ルヘプチルオキシ)ビフェニルの合成(例示化合物28) 4−オクチル安息香酸2.38gを合成例2の方法に従って
酸クロライド調製液とした。
合成例1のオクチルブロマイドに代えて2,6−ジメチル
ヘプチルブロマイド19.3gを用いたほかは、同様の操作
によって3,5−ジフルオロ−4−(2,6−ジメチルヘプチ
ルオキシ)−1−ブロムベンゼン20.9gを得た。
ヘプチルブロマイド19.3gを用いたほかは、同様の操作
によって3,5−ジフルオロ−4−(2,6−ジメチルヘプチ
ルオキシ)−1−ブロムベンゼン20.9gを得た。
3,5−ジフルオロ−4−(2,6−ジメチルヘプチルオキ
シ)−1−ブロムベンゼン10.05g,マグネシウム2.4g,TH
F 100mlより常法によりグリニヤ試薬を調製した。4−
ベンジルオキシブロムベンゼン7.89g,THF 20ml,塩化パ
ラジウム0.5gの混合液中に先のグリニヤ試薬を滴下し、
後50〜60℃で5時間反応した。内容物を水に入れ、トル
エン抽出し、水洗、硫酸マグネシウムで脱水後、濃縮し
た。得られた粗生成物をシリカゲルにてカラムクロマト
精製し4−ベンジルオキシ−3′,5′−ジフルオロ−
4′−(2,6−ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニル6.8
gを得た。
シ)−1−ブロムベンゼン10.05g,マグネシウム2.4g,TH
F 100mlより常法によりグリニヤ試薬を調製した。4−
ベンジルオキシブロムベンゼン7.89g,THF 20ml,塩化パ
ラジウム0.5gの混合液中に先のグリニヤ試薬を滴下し、
後50〜60℃で5時間反応した。内容物を水に入れ、トル
エン抽出し、水洗、硫酸マグネシウムで脱水後、濃縮し
た。得られた粗生成物をシリカゲルにてカラムクロマト
精製し4−ベンジルオキシ−3′,5′−ジフルオロ−
4′−(2,6−ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニル6.8
gを得た。
4−ベンジルオキシ−3′,5′−ジフルオロ−4′−
(2,6−ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニル6.8g,10%
パラジウム−炭素0.7g,メタノール100mlの混合液を撹拌
下、常圧にて水添した。反応後、過し、濃縮して4−
ヒドロキシ−3′,5′−ジフルオロ−4′−(2,6−ジ
メチルヘプチルオキシ)ビフェニル4.9gを得た。
(2,6−ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニル6.8g,10%
パラジウム−炭素0.7g,メタノール100mlの混合液を撹拌
下、常圧にて水添した。反応後、過し、濃縮して4−
ヒドロキシ−3′,5′−ジフルオロ−4′−(2,6−ジ
メチルヘプチルオキシ)ビフェニル4.9gを得た。
4−ヒドロキシ−3′,5′−ジフルオロ−4′−(2,6
−ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニル3.48g,ピリジン
2gおよびトルエン30mlの溶液に先の酸クロライド調製液
を室温下滴下し、50〜60℃で3時間反応させた。その
後、内容物を水に入れ、有機層を水洗、硫酸マグネシウ
ムで脱水後、濃縮した。粗生成物をシリカゲルにてカラ
ムクロマトグラフィーにかけ、エタノールで再結晶して
4′−(4″−オクチルオキシフェニルカルボニルオキ
シ)−3,5−ジフルオロ−4−(2,6−ジメチルヘプチル
オキシ)ビフェニル5.2gを得た。このものの機器分析値
は次の通りである。
−ジメチルヘプチルオキシ)ビフェニル3.48g,ピリジン
2gおよびトルエン30mlの溶液に先の酸クロライド調製液
を室温下滴下し、50〜60℃で3時間反応させた。その
後、内容物を水に入れ、有機層を水洗、硫酸マグネシウ
ムで脱水後、濃縮した。粗生成物をシリカゲルにてカラ
ムクロマトグラフィーにかけ、エタノールで再結晶して
4′−(4″−オクチルオキシフェニルカルボニルオキ
シ)−3,5−ジフルオロ−4−(2,6−ジメチルヘプチル
オキシ)ビフェニル5.2gを得た。このものの機器分析値
は次の通りである。
MS:568(M+) NMR:0.88(9H,m),1.0〜1.58(17H,m),1.81(2H,m),
1.96(1H,m),3.94(1H,m),4.04(3H,m),6.93(2H,
m),7.12(2H,m),7.27(2H,m),7.55(2H,d,J=6.6H
z),8.15(2H,d,J=7.0Hz) 合成例6 4−(4″−デシルオキシビフェニル−4′
−カルボニルオキシ)−2,6−ジフルオロ安息香酸2,6−
ジメチルヘプチルエステルの合成(例示化合物20) 3,5−ジフルオロフェノール11.7gの塩化メチレン100ml
の溶液に10〜15℃で臭素16gを滴下した。反応後、内容
物を水に加えて分液し、有機層を水洗し、硫酸マグネシ
ウムで脱水後、濃縮して2,6−ジフルオロ−4−ヒドロ
キシブロモベンゼン18.2gを得た。
1.96(1H,m),3.94(1H,m),4.04(3H,m),6.93(2H,
m),7.12(2H,m),7.27(2H,m),7.55(2H,d,J=6.6H
z),8.15(2H,d,J=7.0Hz) 合成例6 4−(4″−デシルオキシビフェニル−4′
−カルボニルオキシ)−2,6−ジフルオロ安息香酸2,6−
ジメチルヘプチルエステルの合成(例示化合物20) 3,5−ジフルオロフェノール11.7gの塩化メチレン100ml
の溶液に10〜15℃で臭素16gを滴下した。反応後、内容
物を水に加えて分液し、有機層を水洗し、硫酸マグネシ
ウムで脱水後、濃縮して2,6−ジフルオロ−4−ヒドロ
キシブロモベンゼン18.2gを得た。
2.6−ジフルオロ−4−ヒドロキシブロモベンゼン18.2g
をエタノール100mlおよびナトリウムエチラート7.0gの
混合液に滴下し、室温で1時間撹拌した。次に、ベンジ
ルオキシブロマイド14.9gを加えて加熱し3時間煮沸し
た。その後、反応液を水に加えてトルエンで抽出し、有
機層を水洗、硫酸マグネシウムで脱水、濃縮しメタノー
ルで再結晶して2,6−ジフルオロ−4−ベンジルオキシ
−1−ブロモベンゼン20.9gを得た。
をエタノール100mlおよびナトリウムエチラート7.0gの
混合液に滴下し、室温で1時間撹拌した。次に、ベンジ
ルオキシブロマイド14.9gを加えて加熱し3時間煮沸し
た。その後、反応液を水に加えてトルエンで抽出し、有
機層を水洗、硫酸マグネシウムで脱水、濃縮しメタノー
ルで再結晶して2,6−ジフルオロ−4−ベンジルオキシ
−1−ブロモベンゼン20.9gを得た。
2,6−ジフルオロ−4−ベンジルオキシ−1−ブロモベ
ンゼン9.0g,マグネシウム2.4g,THF 100mlより常法によ
りグリニヤ試薬を調製した。
ンゼン9.0g,マグネシウム2.4g,THF 100mlより常法によ
りグリニヤ試薬を調製した。
この試薬を20〜30℃に保ちながら炭酸ガスを吹き込んだ
後、内容物を塩化アンモニウム飽和水溶液30ml中に加え
てトルエンで抽出し、有機層を水洗、硫酸マグネシウム
で脱水後、濃縮した。n−ヘキサンで再結晶し2,6−ジ
フルオロ−4−ベンジルオキシ安息香酸6.5gを得た。
後、内容物を塩化アンモニウム飽和水溶液30ml中に加え
てトルエンで抽出し、有機層を水洗、硫酸マグネシウム
で脱水後、濃縮した。n−ヘキサンで再結晶し2,6−ジ
フルオロ−4−ベンジルオキシ安息香酸6.5gを得た。
2,6−ジフルオロ−4−ベンジルオキシ安息香酸6.5gを
合成例2の方法に従って酸クロライド調製液とした。2,
6−ジメチルヘプタノール3.54g,ピリジン4g,トルエン40
mlの溶液に室温下に先の酸クロライド調製液を滴下し、
50〜60℃で3時間反応させた。その後、内容物を水に入
れ分液し、有機層を水洗、硫酸マグネシウムで脱水後、
濃縮した。粗生成物をシリカゲルにてカラムクロマトグ
ラフィーにかけ、2,6−ジフルオロ−4−ベンジルオキ
シ安息香酸2,6−ジメチルヘプチルエステル6.7gを得
た。次いで、2,6−ジフルオロ−4−ベンジルオキシ安
息香酸2,6−ジメチルヘプチルエステル6.7g,メタノール
50ml,10%パラジウム−炭素0.6gの混合物を常圧水添
し、その後、過し濃縮し、ヘキサンで再結晶して2,6
−ジフルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸2,6−ジメチル
ヘプチルエステル5.1gを得た。
合成例2の方法に従って酸クロライド調製液とした。2,
6−ジメチルヘプタノール3.54g,ピリジン4g,トルエン40
mlの溶液に室温下に先の酸クロライド調製液を滴下し、
50〜60℃で3時間反応させた。その後、内容物を水に入
れ分液し、有機層を水洗、硫酸マグネシウムで脱水後、
濃縮した。粗生成物をシリカゲルにてカラムクロマトグ
ラフィーにかけ、2,6−ジフルオロ−4−ベンジルオキ
シ安息香酸2,6−ジメチルヘプチルエステル6.7gを得
た。次いで、2,6−ジフルオロ−4−ベンジルオキシ安
息香酸2,6−ジメチルヘプチルエステル6.7g,メタノール
50ml,10%パラジウム−炭素0.6gの混合物を常圧水添
し、その後、過し濃縮し、ヘキサンで再結晶して2,6
−ジフルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸2,6−ジメチル
ヘプチルエステル5.1gを得た。
2,6−ジフルオロ−4−ヒドロキシ安息香酸2,6−ジメチ
ルヘプチルエステル3.0g,ピリジン2g,トルエン40mlの混
合液に4′−デシルオキシビフェニル−4−カルボン酸
3.54gの酸クロライド調製液を室温下滴下し、50〜60℃
で3時間反応させた。その後、内容物を水に入れ、トル
エン抽出し、有機層を水洗、硫酸マグネシウムで脱水
後、濃縮した。粗生成物をクロロホルムを溶出剤として
シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって分離し、
エタノールで再結晶して4−(4″−デシルオキシビフ
ェニル−4′−カルボニルオキシ)−2,6−ジフルオロ
安息香酸2,6−ジメチルヘプチルエステル5.2gを得た。
このものの機器分析値は次の通りである。
ルヘプチルエステル3.0g,ピリジン2g,トルエン40mlの混
合液に4′−デシルオキシビフェニル−4−カルボン酸
3.54gの酸クロライド調製液を室温下滴下し、50〜60℃
で3時間反応させた。その後、内容物を水に入れ、トル
エン抽出し、有機層を水洗、硫酸マグネシウムで脱水
後、濃縮した。粗生成物をクロロホルムを溶出剤として
シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって分離し、
エタノールで再結晶して4−(4″−デシルオキシビフ
ェニル−4′−カルボニルオキシ)−2,6−ジフルオロ
安息香酸2,6−ジメチルヘプチルエステル5.2gを得た。
このものの機器分析値は次の通りである。
MS:636(M+) NMR:0.88(9H,m),1.05(3H,d,J=6.7Hz),1.18〜1.49
(21H,m),1.85(2H,m),1.94(1H,m),4.16(4H,m),
6.95(2H,m),7.09(2H,m),7.14(2H,m),7.47(2H,d,
J=6.7Hz),8.09(2H,d,J=7.1Hz) 実施例1 合成例2で得られた4−(3″,5″−ジフルオロ−4″
−オクチルオキシビフェニル−4′−カルボニルオキ
シ)安息香酸2,6−ジメチルヘプチルエステル(例示化
合物3)について液晶特性を測定した。ガラス板上に透
明電極を設け、さらにその上にポリイミド樹脂をコーテ
ィングし、それを一定方向にラビングした後、2枚の基
板のラビング方向が平行になるようにして、スペーサー
を用いて3μmの厚さに組み立てたものを液晶セルとし
た。
(21H,m),1.85(2H,m),1.94(1H,m),4.16(4H,m),
6.95(2H,m),7.09(2H,m),7.14(2H,m),7.47(2H,d,
J=6.7Hz),8.09(2H,d,J=7.1Hz) 実施例1 合成例2で得られた4−(3″,5″−ジフルオロ−4″
−オクチルオキシビフェニル−4′−カルボニルオキ
シ)安息香酸2,6−ジメチルヘプチルエステル(例示化
合物3)について液晶特性を測定した。ガラス板上に透
明電極を設け、さらにその上にポリイミド樹脂をコーテ
ィングし、それを一定方向にラビングした後、2枚の基
板のラビング方向が平行になるようにして、スペーサー
を用いて3μmの厚さに組み立てたものを液晶セルとし
た。
このセルに本化合物を注入して、ヘリウム−ネオンレー
ザーおよび光電子増倍管を用い、±20Vの方形波の交流
を印加し、クロスニコル下液晶の電気光学効果を観察し
たところ、明確なコントラストがあり、かつ高速応答が
確認され、液晶表示素子として使用可能の材料であるこ
とが認められた。
ザーおよび光電子増倍管を用い、±20Vの方形波の交流
を印加し、クロスニコル下液晶の電気光学効果を観察し
たところ、明確なコントラストがあり、かつ高速応答が
確認され、液晶表示素子として使用可能の材料であるこ
とが認められた。
一方、相転移温度は示差走査熱量計と偏光顕微鏡とによ
る観察で求めた。なお、S1は未判定の液晶相である。こ
れらの相転移温度および各種の特性値の測定結果を第1
表および第2表に示した。
る観察で求めた。なお、S1は未判定の液晶相である。こ
れらの相転移温度および各種の特性値の測定結果を第1
表および第2表に示した。
比較例1〜3 下記に示した比較化合物1〜3について、実施例1と同
様にして液晶特性を測定した。この結果を第1表および
第2表に示す。その結果、弗素原子で置換されていない
比較化合物1や、1つの弗素原子で置換された比較化合
物2に比較して、本発明の例示化合物3はより低く、よ
り広い温度範囲でSC *相を示しているうえ、高次のスメ
クチック相(SI相)が現われず、かつ高速応答を示すな
どの優れた性質を示している。また、弗素原子が分子中
央部に置換した例示化合物3はSC *相の熱安定性が非常
に低くなっており、さらに配向性が悪く電気光学的特性
を測定することができなかった。
様にして液晶特性を測定した。この結果を第1表および
第2表に示す。その結果、弗素原子で置換されていない
比較化合物1や、1つの弗素原子で置換された比較化合
物2に比較して、本発明の例示化合物3はより低く、よ
り広い温度範囲でSC *相を示しているうえ、高次のスメ
クチック相(SI相)が現われず、かつ高速応答を示すな
どの優れた性質を示している。また、弗素原子が分子中
央部に置換した例示化合物3はSC *相の熱安定性が非常
に低くなっており、さらに配向性が悪く電気光学的特性
を測定することができなかった。
比較化合物1 4,4′−ビフェノールにジメチルヘプチルアルコールの
トシレートを反応させて4,4′−ビフェノールモノジメ
チルヘプチルエーテルとし、これをオクチルオキシ安息
香酸とのエステル化により得た。
トシレートを反応させて4,4′−ビフェノールモノジメ
チルヘプチルエーテルとし、これをオクチルオキシ安息
香酸とのエステル化により得た。
比較化合物2 3−フルオロ−4−ヒドロキシ−1−ブロモベンゼンを
エタノール中でナトリウムエチラートとデシルブロマイ
ドを反応させて3−フルオロ−4−デシルオキシ−1−
ブロモベンゼンとし、これをテトラヒドロフラン中でマ
グネシウムと反応させてグリニヤ試薬を調製し、これに
炭酸ガスを吹き込み3−フルオロ−4−デシルオキシ安
息香酸を得た。一方、4,4′−ビフェノールにジメチル
ヘプチルアルコールのトシラートを反応させ、4,4′−
ビフェノールモノジメチルヘプチルエーテルとして、こ
れに3−フルオロ−4−デシルオキシ安息香酸を反応さ
せてエステルを作って合成した。
エタノール中でナトリウムエチラートとデシルブロマイ
ドを反応させて3−フルオロ−4−デシルオキシ−1−
ブロモベンゼンとし、これをテトラヒドロフラン中でマ
グネシウムと反応させてグリニヤ試薬を調製し、これに
炭酸ガスを吹き込み3−フルオロ−4−デシルオキシ安
息香酸を得た。一方、4,4′−ビフェノールにジメチル
ヘプチルアルコールのトシラートを反応させ、4,4′−
ビフェノールモノジメチルヘプチルエーテルとして、こ
れに3−フルオロ−4−デシルオキシ安息香酸を反応さ
せてエステルを作って合成した。
比較化合物3 3,5−ジフルオロフェノールを臭素化し、次にオクチル
ブロマイドとエーテル化を行いマグネシウムと反応させ
てグリニヤ試薬を生成させた後、炭酸ガスを吹き込んで
2,6−ジフルオロ−4−オクチルオキシ安息香酸とし
た。これとビフェノールモノジメチルヘプチルエーテル
とのエステル化反応により得た。
ブロマイドとエーテル化を行いマグネシウムと反応させ
てグリニヤ試薬を生成させた後、炭酸ガスを吹き込んで
2,6−ジフルオロ−4−オクチルオキシ安息香酸とし
た。これとビフェノールモノジメチルヘプチルエーテル
とのエステル化反応により得た。
実施例2〜10 合成例3,4,5,6で得られた化合物および例示化合物13,2
1,30,35,36で示した化合物につき、相転移温度および電
気光学特性を実施例1と同様にして測定した。この結果
を第3表および第4表に示す。
1,30,35,36で示した化合物につき、相転移温度および電
気光学特性を実施例1と同様にして測定した。この結果
を第3表および第4表に示す。
実施例11および12 表示装置において、実際の使用温度より広い範囲にわた
って高速応答性を示す液晶組成物を得るため、本発明の
液晶性化合物と他の各種の液晶性化合物を混合し、これ
を用いて液晶表示素子としての応答特性を評価した。測
定方法は実施例1と同様にして行った。この結果を第3
表および第4表に示す。
って高速応答性を示す液晶組成物を得るため、本発明の
液晶性化合物と他の各種の液晶性化合物を混合し、これ
を用いて液晶表示素子としての応答特性を評価した。測
定方法は実施例1と同様にして行った。この結果を第3
表および第4表に示す。
実施例11において、液晶組成物は以下の配合組成のもの
を用いた。すなわち、合成例2および5の化合物といず
れも特開昭63−33351号に記載の下記化合物との混合物
(以下、混合物1と記す。)を用いた。
を用いた。すなわち、合成例2および5の化合物といず
れも特開昭63−33351号に記載の下記化合物との混合物
(以下、混合物1と記す。)を用いた。
実施例12においては、以下の液晶組成物(以下、混合物
2と記す。)を用いた。
2と記す。)を用いた。
第3表および第4表より明らかなように、実施例2〜10
の化合物は、比較化合物1および2に比較してより低
く、より広い温度範囲でSC *相を示しているうえ、高次
のスメクチック相(SI相)が現われず、高速応答を示す
等の優れた性質を示していることが判る。また、実施例
11および12の液晶組成物は、室温20℃の実用温度におい
て100μsec前後の高速応答を示していることが判る。
の化合物は、比較化合物1および2に比較してより低
く、より広い温度範囲でSC *相を示しているうえ、高次
のスメクチック相(SI相)が現われず、高速応答を示す
等の優れた性質を示していることが判る。また、実施例
11および12の液晶組成物は、室温20℃の実用温度におい
て100μsec前後の高速応答を示していることが判る。
[発明の効果] 本発明の液晶性化合物は、無置換あるいはモノフロロ置
換体に比較してより室温に近い温度域でSC *相を示すこ
と、SC *相より低温側に高次のスメクチック相を示さな
いこと、応答が高速であることなど強誘電性液晶として
優れた性能を示す。従って、本発明の液晶性化合物は電
気光学効果を利用した高速光シャッターアレイとして、
光プリンターヘッドあるいは液晶ディスプレイ,液晶テ
レビジョンなどに有効に利用することができる。
換体に比較してより室温に近い温度域でSC *相を示すこ
と、SC *相より低温側に高次のスメクチック相を示さな
いこと、応答が高速であることなど強誘電性液晶として
優れた性能を示す。従って、本発明の液晶性化合物は電
気光学効果を利用した高速光シャッターアレイとして、
光プリンターヘッドあるいは液晶ディスプレイ,液晶テ
レビジョンなどに有効に利用することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 明夫 神奈川県横浜市瀬谷区阿久和町3613 (72)発明者 萩原 利光 神奈川県横浜市保土ケ谷区今井町207―16
Claims (1)
- 【請求項1】一般式(I) (式中、R1は炭素数4〜16の直鎖アルキル基を示し、R2
*は炭素数4〜16の光学活性なアルキル基で不斉炭素原
子を含むものを示す。X,Yはいずれか一方がフッ素原子
で他方が水素原子であり、l,m,nは0または1であり、
ただし、lとmのいずれか一方が1であるならば他方は
0である。) で表わされる液晶性化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63308795A JPH07107024B2 (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 液晶性化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63308795A JPH07107024B2 (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 液晶性化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02157248A JPH02157248A (ja) | 1990-06-18 |
| JPH07107024B2 true JPH07107024B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=17985401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63308795A Expired - Fee Related JPH07107024B2 (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 液晶性化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107024B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4322905B4 (de) * | 1992-07-24 | 2012-08-09 | Merck Patent Gmbh | Chirale 2,6-Difluorbenzol-Derivate |
| JP3487613B2 (ja) * | 1992-07-24 | 2004-01-19 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | キラル2,6−ジフルオロベンゼン誘導体 |
-
1988
- 1988-12-08 JP JP63308795A patent/JPH07107024B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02157248A (ja) | 1990-06-18 |
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Legal Events
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