JPH07107946B2 - 光半導体素子 - Google Patents
光半導体素子Info
- Publication number
- JPH07107946B2 JPH07107946B2 JP61025857A JP2585786A JPH07107946B2 JP H07107946 B2 JPH07107946 B2 JP H07107946B2 JP 61025857 A JP61025857 A JP 61025857A JP 2585786 A JP2585786 A JP 2585786A JP H07107946 B2 JPH07107946 B2 JP H07107946B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- semiconductor device
- inp
- light emitting
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Die Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、精密な位置精度でマウントが可能な光半導体
素子に関する。
素子に関する。
従来の半導体レーザやホトダイオードなどの光半導体素
子は、例えば光通信光素子工学（米津宏雄著，工学図
書）のp.240やp.416に記載のような構造となつており、
素子の側面はスクライブして作られるための素子の外形
寸法には大きなばらつきがある。したがつて、素子の発
光部または受光部の位置をマウントに対して精度良く位
置決めすることが不可能であつた。
子は、例えば光通信光素子工学（米津宏雄著，工学図
書）のp.240やp.416に記載のような構造となつており、
素子の側面はスクライブして作られるための素子の外形
寸法には大きなばらつきがある。したがつて、素子の発
光部または受光部の位置をマウントに対して精度良く位
置決めすることが不可能であつた。
本発明の目的は、位置精度良くマウントに固着可能な発
光部を有する光半導体素子を提供することにある。
光部を有する光半導体素子を提供することにある。
光通信に用いる半導体レーザは光フアイバと効率良く結
合させるために、発光部を精度良く位置決めする必要が
ある。この際、チツプの外壁を利用して機械精度でチツ
プをマウントすることが望ましい。このため、発光部か
らの外壁の位置を精度良く決定できるホトリソグラフイ
ー技術などを利用することに着目した。
合させるために、発光部を精度良く位置決めする必要が
ある。この際、チツプの外壁を利用して機械精度でチツ
プをマウントすることが望ましい。このため、発光部か
らの外壁の位置を精度良く決定できるホトリソグラフイ
ー技術などを利用することに着目した。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
この図は従来の埋め込みヘテロ形半導体レーザの上部の
活性層の両側にＶ溝を形成したものである。図におい
て、１はｐ側電極、２はp+一拡散領域、３はInGaAsPキ
ヤツプ層、４はｐ−InPクラツド層、５はInGaAsP活性
層、６はｎ−InPクラツド層、７はｎ−InP基板、８はｎ
側電極、９はｎ−InPブロツク層、10はｐ−InPブロツク
層である。本実施例ではＶ溝を利用して位置決めをす
る。すなわち、２本の逆Ｖ型のストライブ状突起を有し
たマウントに第１図の素子をはめ込む形となる。このた
め、活性層５近傍の台形リツジ形状部にかかる外力が低
減されるばかりでなく、Ｖ溝で位置決めするため、極め
て精密な位置精度が実現できる。
活性層の両側にＶ溝を形成したものである。図におい
て、１はｐ側電極、２はp+一拡散領域、３はInGaAsPキ
ヤツプ層、４はｐ−InPクラツド層、５はInGaAsP活性
層、６はｎ−InPクラツド層、７はｎ−InP基板、８はｎ
側電極、９はｎ−InPブロツク層、10はｐ−InPブロツク
層である。本実施例ではＶ溝を利用して位置決めをす
る。すなわち、２本の逆Ｖ型のストライブ状突起を有し
たマウントに第１図の素子をはめ込む形となる。このた
め、活性層５近傍の台形リツジ形状部にかかる外力が低
減されるばかりでなく、Ｖ溝で位置決めするため、極め
て精密な位置精度が実現できる。
本発明によれば、発光部を有する光半導体素子を位置精
度良くマウントに固着することができる効果がある。
度良くマウントに固着することができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す図である。 １……ｐ側電極、２……p+−拡散領域、３……InGaAsP
キヤツプ層、４……ｐ−InPクラツド層、５……InGaAsP
活性層、６……ｎ−InPクラツド層、７……ｎ−InP基
板、８……ｎ側電極、９……ｎ−InPブロツク層、10…
…ｐ−InPブロツク層。
キヤツプ層、４……ｐ−InPクラツド層、５……InGaAsP
活性層、６……ｎ−InPクラツド層、７……ｎ−InP基
板、８……ｎ側電極、９……ｎ−InPブロツク層、10…
…ｐ−InPブロツク層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井本 克之 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 前田 稔 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭54−14181（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−79286（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】発光部を有する光半導体素子において、上
記光半導体素子の発光部の両側に、それぞれ位置決めの
ためのＶ溝を形成したことを特徴とする光半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025857A JPH07107946B2 (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 光半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025857A JPH07107946B2 (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 光半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62185387A JPS62185387A (ja) | 1987-08-13 |
| JPH07107946B2 true JPH07107946B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=12177489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61025857A Expired - Lifetime JPH07107946B2 (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 光半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107946B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5303793B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2013-10-02 | Ｎｔｔエレクトロニクス株式会社 | フォトダイオード |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414181A (en) * | 1977-07-04 | 1979-02-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser unit |
-
1986
- 1986-02-10 JP JP61025857A patent/JPH07107946B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62185387A (ja) | 1987-08-13 |
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