JPH07109170A - Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法及びその形成材料 - Google Patents
Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法及びその形成材料Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超電導特性、就中、臨界電流密度がより一層
向上したＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体を安定し
て得ること。 【構成】 Ｂi２２１２相とＢi２２０１相を前者／後者
のＸ線強度比に基づいて１／０．３〜２の割合で含有す
るＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末又は層を
焼結処理又は加熱処理するＢi系酸化物超電導体の製造
方法。 【効果】 高性能の超電導線材やマグネット等を容易に
形成できる。
向上したＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体を安定し
て得ること。 【構成】 Ｂi２２１２相とＢi２２０１相を前者／後者
のＸ線強度比に基づいて１／０．３〜２の割合で含有す
るＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末又は層を
焼結処理又は加熱処理するＢi系酸化物超電導体の製造
方法。 【効果】 高性能の超電導線材やマグネット等を容易に
形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導特性、就中、臨
界電流密度に優れるＢi２２１２系の酸化物超電導体の
製造方法及びその形成材料に関する。
界電流密度に優れるＢi２２１２系の酸化物超電導体の
製造方法及びその形成材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電
導体の粉末を用いて金属シース法、あるいはドクターブ
レード法やディップコート法等の展開法などの種々の方
法で線材等の任意な形態からなるＢi２２１２系の酸化
物超電導体の製造方法としては、仮焼処理で実質的にＢ
i２２１２（Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy）相の単独相を形成さ
せたものを粉砕して粉末とし、その粉末を用いて金属シ
ース法などにより目的とする形態としたのち当該粉末を
焼結させてＢi系酸化物超電導体とする方法が知られて
いた。
導体の粉末を用いて金属シース法、あるいはドクターブ
レード法やディップコート法等の展開法などの種々の方
法で線材等の任意な形態からなるＢi２２１２系の酸化
物超電導体の製造方法としては、仮焼処理で実質的にＢ
i２２１２（Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy）相の単独相を形成さ
せたものを粉砕して粉末とし、その粉末を用いて金属シ
ース法などにより目的とする形態としたのち当該粉末を
焼結させてＢi系酸化物超電導体とする方法が知られて
いた。
【０００３】前記の粉末材料を用いて得られるＢi系酸
化物超電導体の超電導特性、就中、臨界電流密度は、通
例５万Ａ／cm2(４．２Ｋ、０Ｔ)程度であり、臨界電流
密度のより一層の向上が望まれていた。
化物超電導体の超電導特性、就中、臨界電流密度は、通
例５万Ａ／cm2(４．２Ｋ、０Ｔ)程度であり、臨界電流
密度のより一層の向上が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、超電導特
性、就中、臨界電流密度がより一層向上したＢi2Ｓr2Ｃ
aＣu2Ｏy系酸化物超電導体を得ることを課題とする。
性、就中、臨界電流密度がより一層向上したＢi2Ｓr2Ｃ
aＣu2Ｏy系酸化物超電導体を得ることを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｂi２２１２
相とＢi２２０１相を前者／後者のＸ線強度比に基づい
て１／０．３〜２の割合で含有するＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy
系酸化物超電導体の粉末又は層を焼結処理又は加熱処理
することを特徴とするＢi系酸化物超電導体の製造方法
を提供するものである。なお本発明において前記のＸ線
強度比は、粉末Ｘ線回折法により測定したＢi２２１２
相とＢi２２０１相との（１１５）ピーク強度の高さの
比を意味する。
相とＢi２２０１相を前者／後者のＸ線強度比に基づい
て１／０．３〜２の割合で含有するＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy
系酸化物超電導体の粉末又は層を焼結処理又は加熱処理
することを特徴とするＢi系酸化物超電導体の製造方法
を提供するものである。なお本発明において前記のＸ線
強度比は、粉末Ｘ線回折法により測定したＢi２２１２
相とＢi２２０１相との（１１５）ピーク強度の高さの
比を意味する。
【０００６】
【作用】超電導相であるＢi２２１２（Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2
Ｏx）相と半導体相であるＢi２２０１（Ｂi2Ｓr2Ｃu1Ｏ
z）相を前者／後者のＸ線強度比に基づいて１／０．３
〜２の割合で含有するＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電
導体の粉末又は層を焼結処理又は加熱処理する前記の方
法により、Ｂi２２０１相を実質的に含有しないＢi２２
１２相の単独相からなるＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超
電導体のバルクを形成でき、これは優れた超電導特性、
就中、臨界電流密度を示す。通例、その臨界電流密度は
１０万Ａ／cm2以上、就中２０万Ａ／cm2程度(４．２
Ｋ、０Ｔ)である。
Ｏx）相と半導体相であるＢi２２０１（Ｂi2Ｓr2Ｃu1Ｏ
z）相を前者／後者のＸ線強度比に基づいて１／０．３
〜２の割合で含有するＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電
導体の粉末又は層を焼結処理又は加熱処理する前記の方
法により、Ｂi２２０１相を実質的に含有しないＢi２２
１２相の単独相からなるＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超
電導体のバルクを形成でき、これは優れた超電導特性、
就中、臨界電流密度を示す。通例、その臨界電流密度は
１０万Ａ／cm2以上、就中２０万Ａ／cm2程度(４．２
Ｋ、０Ｔ)である。
【０００７】
【実施例】本発明の製造方法は、Ｂi２２１２相とＢi２
２０１相を前者／後者のＸ線強度比に基づいて１／０．
３〜２の割合で含有するＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超
電導体の粉末又は層を焼結処理又は加熱処理してＢi系
酸化物超電導体を得るものである。Ｂi２２１２相とＢi
２２０１相の含有割合が前記範囲外のものを用いたので
は、その焼結処理でＢi２２１２相の単独相からなるＢi
系酸化物超電導体が形成されにくく、臨界電流密度の向
上効果に乏しくなる。
２０１相を前者／後者のＸ線強度比に基づいて１／０．
３〜２の割合で含有するＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超
電導体の粉末又は層を焼結処理又は加熱処理してＢi系
酸化物超電導体を得るものである。Ｂi２２１２相とＢi
２２０１相の含有割合が前記範囲外のものを用いたので
は、その焼結処理でＢi２２１２相の単独相からなるＢi
系酸化物超電導体が形成されにくく、臨界電流密度の向
上効果に乏しくなる。
【０００８】前記含有割合のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化
物超電導体の粉末の形成は、例えば原料化合物をＢi：
Ｓr：Ｃa：Ｃuが２：２：１：２のモル比等となる割合
で混合し、それを１回又は２回以上仮焼処理する方式、
あるいは既存の粉末状等のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物
超電導体を再度、１回又は２回以上仮焼処理する方式な
どにより行うことができる。
物超電導体の粉末の形成は、例えば原料化合物をＢi：
Ｓr：Ｃa：Ｃuが２：２：１：２のモル比等となる割合
で混合し、それを１回又は２回以上仮焼処理する方式、
あるいは既存の粉末状等のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物
超電導体を再度、１回又は２回以上仮焼処理する方式な
どにより行うことができる。
【０００９】ちなみに原料化合物をＢi：Ｓr：Ｃa：Ｃu
が２：２：０．６４：１．６４のモル比となる割合で混
合した場合には、仮焼条件を例えば、大気中、８００
℃、２０時間の加熱保持とすることで目的のＢi２２１
２相／Ｂi２２０１相のＸ線強度比が１／０．３〜２の
ものを効率よく得ることができる。
が２：２：０．６４：１．６４のモル比となる割合で混
合した場合には、仮焼条件を例えば、大気中、８００
℃、２０時間の加熱保持とすることで目的のＢi２２１
２相／Ｂi２２０１相のＸ線強度比が１／０．３〜２の
ものを効率よく得ることができる。
【００１０】なお前記のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超
電導体の粉末を形成するための原料化合物については特
に限定はなく、公知物のいずれも用いうる。ちなみにそ
の例としては、酢酸塩の如き有機酸塩、硝酸塩の如き無
機酸塩、塩化物、フッ化物、アルコキシド、水酸化物、
水溶性等のキレート化合物などの化合物形態などがあげ
られ、酸化物超電導体を形成する元素以外の構成元素が
酸化物等としてガス化し、揮散しやすい化合物形態のも
のが好ましく用いうる。なお用いる原料化合物は、焼結
工程等で酸素成分を補給できることより酸素を含有する
化合物形態である必要はない。
電導体の粉末を形成するための原料化合物については特
に限定はなく、公知物のいずれも用いうる。ちなみにそ
の例としては、酢酸塩の如き有機酸塩、硝酸塩の如き無
機酸塩、塩化物、フッ化物、アルコキシド、水酸化物、
水溶性等のキレート化合物などの化合物形態などがあげ
られ、酸化物超電導体を形成する元素以外の構成元素が
酸化物等としてガス化し、揮散しやすい化合物形態のも
のが好ましく用いうる。なお用いる原料化合物は、焼結
工程等で酸素成分を補給できることより酸素を含有する
化合物形態である必要はない。
【００１１】Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉
末は、得られた仮焼体を適宜に粉砕することにより得る
ことができる。粉末の粒径は任意であるが、通例１００
μm以下、就中０．１〜１０μmである。
末は、得られた仮焼体を適宜に粉砕することにより得る
ことができる。粉末の粒径は任意であるが、通例１００
μm以下、就中０．１〜１０μmである。
【００１２】本発明によるＢi系酸化物超電導体は、Ｂi
２２１２相とＢi２２０１相を所定の割合で含有するＢi
2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末を焼結処理す
ることにより得られるが、その焼結処理は例えば金属シ
ース法や展開法、成形法、電気泳動電着法などの種々の
方式で任意な形態としたものに対して行うことができ
る。従って、焼結処理する際の当該粉末の成形状態等に
ついて特に限定はなく、コイル等の二次形態に成形され
ていてもよい。
２２１２相とＢi２２０１相を所定の割合で含有するＢi
2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末を焼結処理す
ることにより得られるが、その焼結処理は例えば金属シ
ース法や展開法、成形法、電気泳動電着法などの種々の
方式で任意な形態としたものに対して行うことができ
る。従って、焼結処理する際の当該粉末の成形状態等に
ついて特に限定はなく、コイル等の二次形態に成形され
ていてもよい。
【００１３】ちなみに前記した金属シース法は、例えば
銀、金、白金、銀・白金合金、銀・パラジウム合金等の
適宜な金属からなる管にＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超
電導体の粉末を充填し、それを必要に応じてダイスや圧
延ロール、スウェージング装置等の適宜な伸線処理手段
を介しテープ状や細体等の所定の形態に加工して焼結処
理に供するものである。その際、品質の向上や安定化等
を目的に焼結処理に先立って１回又は２回以上のプレス
処理を施す場合もある。また２回以上のプレス処理を施
す場合、プレス処理間に加熱工程が設けられることもあ
る。
銀、金、白金、銀・白金合金、銀・パラジウム合金等の
適宜な金属からなる管にＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超
電導体の粉末を充填し、それを必要に応じてダイスや圧
延ロール、スウェージング装置等の適宜な伸線処理手段
を介しテープ状や細体等の所定の形態に加工して焼結処
理に供するものである。その際、品質の向上や安定化等
を目的に焼結処理に先立って１回又は２回以上のプレス
処理を施す場合もある。また２回以上のプレス処理を施
す場合、プレス処理間に加熱工程が設けられることもあ
る。
【００１４】また展開法は、Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化
物超電導体の粉末を必要に応じワックスやポリマー等か
らなるバインダと共に分散媒に添加し、それを例えばド
クターブレード法やディップコート法、スピンコート
法、スプレー法等の適宜な方式で前記の金属や各種のセ
ラミック等からなる適宜な形態の耐熱性等の支持体上に
展開し、その展開層を焼結処理に供するものである。前
記の展開層は、展開乾燥膜を２層以上重畳させた積層体
とされる場合もある。
物超電導体の粉末を必要に応じワックスやポリマー等か
らなるバインダと共に分散媒に添加し、それを例えばド
クターブレード法やディップコート法、スピンコート
法、スプレー法等の適宜な方式で前記の金属や各種のセ
ラミック等からなる適宜な形態の耐熱性等の支持体上に
展開し、その展開層を焼結処理に供するものである。前
記の展開層は、展開乾燥膜を２層以上重畳させた積層体
とされる場合もある。
【００１５】成形法は、Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超
電導体の粉末とワックスやポリマー等のバインダなどか
らなる成形用混合物を押出成形等の適宜な成形機を用い
て線材や板等の適宜な形態に成形し、その成形品を焼結
処理に供するものである。電気泳動電着法は、Ｂi2Ｓr2
ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末の分散液に前記金属
からなる導体を浸漬し、電位差の付与下に当該粉末を導
体に電着させてそれを焼結処理に供するものである。
電導体の粉末とワックスやポリマー等のバインダなどか
らなる成形用混合物を押出成形等の適宜な成形機を用い
て線材や板等の適宜な形態に成形し、その成形品を焼結
処理に供するものである。電気泳動電着法は、Ｂi2Ｓr2
ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末の分散液に前記金属
からなる導体を浸漬し、電位差の付与下に当該粉末を導
体に電着させてそれを焼結処理に供するものである。
【００１６】一方、Ｂi２２１２相とＢi２２０１相を所
定の割合で含有するＢi2Ｓr2ＣaＣu 2Ｏy系酸化物超電導
体層の形成は、例えば上記した原料化合物の溶液や分散
液等を耐熱性支持体上に展開してその原料化合物を加熱
分解させる、ゾル・ゲル法や有機酸塩塗布・熱分解法な
どにより行うことができる。その場合に原料化合物の加
熱分解を上記した粉末を得る場合の仮焼条件に準じるこ
とにより目的のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体層
を効率よく得ることができる。
定の割合で含有するＢi2Ｓr2ＣaＣu 2Ｏy系酸化物超電導
体層の形成は、例えば上記した原料化合物の溶液や分散
液等を耐熱性支持体上に展開してその原料化合物を加熱
分解させる、ゾル・ゲル法や有機酸塩塗布・熱分解法な
どにより行うことができる。その場合に原料化合物の加
熱分解を上記した粉末を得る場合の仮焼条件に準じるこ
とにより目的のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体層
を効率よく得ることができる。
【００１７】なお前記のゾル・ゲル法や有機酸塩塗布・
熱分解法の例としては、原料化合物の濃度が０.１mmol
／ｌ〜２mol／ｌ程度のカルボン酸系溶液や有機溶媒溶
液をスピンコート方式等で耐熱性支持体上に展開し、厚
さが２０μm以下の展開層を形成してそれを必要に応じ
真空方式等を併用しつつ１５０℃程度の高温で乾燥させ
たのち大気や不活性ガス雰囲気下、２００〜１５００℃
で１０分間〜２時間加熱処理して原料化合物を熱分解す
る方式などがあげられる。かかる熱分解層は、展開・熱
分解操作を複数回繰り返して原料化合物の熱分解層を重
畳させて必要な厚さとされる場合もある。
熱分解法の例としては、原料化合物の濃度が０.１mmol
／ｌ〜２mol／ｌ程度のカルボン酸系溶液や有機溶媒溶
液をスピンコート方式等で耐熱性支持体上に展開し、厚
さが２０μm以下の展開層を形成してそれを必要に応じ
真空方式等を併用しつつ１５０℃程度の高温で乾燥させ
たのち大気や不活性ガス雰囲気下、２００〜１５００℃
で１０分間〜２時間加熱処理して原料化合物を熱分解す
る方式などがあげられる。かかる熱分解層は、展開・熱
分解操作を複数回繰り返して原料化合物の熱分解層を重
畳させて必要な厚さとされる場合もある。
【００１８】本発明において、Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸
化物超電導体の粉末又は層の焼結処理又は加熱処理は、
当該酸化物超電導体の粉末又は層をバルク化して一体化
させ、Ｂi２２０１相を実質的に含有しないＢi２２１２
相の単独相からなるＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導
体を形成するためのものである。本発明では上記したと
おり、コイル等の二次形態としたものに対して焼結処理
等を施してもよい。
化物超電導体の粉末又は層の焼結処理又は加熱処理は、
当該酸化物超電導体の粉末又は層をバルク化して一体化
させ、Ｂi２２０１相を実質的に含有しないＢi２２１２
相の単独相からなるＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導
体を形成するためのものである。本発明では上記したと
おり、コイル等の二次形態としたものに対して焼結処理
等を施してもよい。
【００１９】前記の焼結処理又は加熱処理に際しては、
部分熔融法ないし熔融法を適用することもできる。これ
は通例の処理温度である８５０〜８７０℃よりも高温の
８９０℃〜９５０℃に加熱してＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸
化物超電導体の粉末又は層を部分熔融又は全体を熔融さ
せたのち冷却する方式である。なお焼結処理又は加熱処
理の雰囲気は、大気中等の従来方式に準じることができ
る。
部分熔融法ないし熔融法を適用することもできる。これ
は通例の処理温度である８５０〜８７０℃よりも高温の
８９０℃〜９５０℃に加熱してＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸
化物超電導体の粉末又は層を部分熔融又は全体を熔融さ
せたのち冷却する方式である。なお焼結処理又は加熱処
理の雰囲気は、大気中等の従来方式に準じることができ
る。
【００２０】実施例１ 硝酸ビスマス２モル、硝酸ストロンチウム２モル、硝酸
カルシウム１モル、硝酸銅２モルの割合でそれらを８０
℃の水に溶解させて混合し、それを１５０℃で乾燥させ
たのち酸素雰囲気下、８４０℃で２０時間仮焼処理し
て、Ｂi２２１２相／Ｂi２２０１相の含有Ｘ線強度比が
１／０．３のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体を得
た。
カルシウム１モル、硝酸銅２モルの割合でそれらを８０
℃の水に溶解させて混合し、それを１５０℃で乾燥させ
たのち酸素雰囲気下、８４０℃で２０時間仮焼処理し
て、Ｂi２２１２相／Ｂi２２０１相の含有Ｘ線強度比が
１／０．３のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体を得
た。
【００２１】次に前記のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超
電導体をボールミルで粉砕して得た粒径０.１〜１０μm
の粉末を、肉厚１.０mm、直径７.０mmの銀チューブに充
填し、それをダイスと圧延ロールで伸線処理して幅３m
m、厚さ０.２mm（超電導部の厚さ１００μm）のテープ
に加工したのち、それを８９０℃で１０分間加熱保持後
毎時２．５℃の降温速度で８４０℃まで徐冷し、その温
度で４０時間保持したのち室温まで炉中で放熱させる部
分熔融焼結方式で処理して、Ｂi２２１２相の単独相を
有するＢi系酸化物超電導体を得た。
電導体をボールミルで粉砕して得た粒径０.１〜１０μm
の粉末を、肉厚１.０mm、直径７.０mmの銀チューブに充
填し、それをダイスと圧延ロールで伸線処理して幅３m
m、厚さ０.２mm（超電導部の厚さ１００μm）のテープ
に加工したのち、それを８９０℃で１０分間加熱保持後
毎時２．５℃の降温速度で８４０℃まで徐冷し、その温
度で４０時間保持したのち室温まで炉中で放熱させる部
分熔融焼結方式で処理して、Ｂi２２１２相の単独相を
有するＢi系酸化物超電導体を得た。
【００２２】実施例２ ８２０℃で２０時間仮焼処理することにより得た、Ｂi
２２１２相／Ｂi２２０１相の含有Ｘ線強度比が１／
１．３のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末を
用いたほかは実施例１に準じて、Ｂi２２１２相の単独
相を有するＢi系酸化物超電導体を得た。
２２１２相／Ｂi２２０１相の含有Ｘ線強度比が１／
１．３のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末を
用いたほかは実施例１に準じて、Ｂi２２１２相の単独
相を有するＢi系酸化物超電導体を得た。
【００２３】実施例３ ８００℃で２０時間仮焼処理することにより得た、Ｂi
２２１２相／Ｂi２２０１相の含有Ｘ線強度比が１／
２．０のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末を
用いたほかは実施例１に準じて、Ｂi２２１２相の単独
相を有するＢi系酸化物超電導体を得た。
２２１２相／Ｂi２２０１相の含有Ｘ線強度比が１／
２．０のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末を
用いたほかは実施例１に準じて、Ｂi２２１２相の単独
相を有するＢi系酸化物超電導体を得た。
【００２４】実施例４ 実施例２で得たＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の
粉末を含有するスラリー状のメタノール分散液をドクタ
ーブレード法で厚さ５０μmの銀箔上に展開し、それを
８９０℃で１０分間加熱保持後毎時２．５℃の降温速度
で８４０℃まで徐冷し、その温度で４０時間保持したの
ち室温まで炉中で放熱させる部分熔融焼結方式で処理し
て、Ｂi２２１２相の単独相を有する厚さ約４０μmのＢ
i系酸化物超電導体層を密着性よく有する銀箔を得た。
粉末を含有するスラリー状のメタノール分散液をドクタ
ーブレード法で厚さ５０μmの銀箔上に展開し、それを
８９０℃で１０分間加熱保持後毎時２．５℃の降温速度
で８４０℃まで徐冷し、その温度で４０時間保持したの
ち室温まで炉中で放熱させる部分熔融焼結方式で処理し
て、Ｂi２２１２相の単独相を有する厚さ約４０μmのＢ
i系酸化物超電導体層を密着性よく有する銀箔を得た。
【００２５】実施例５ ８０℃に加温したプロピオン酸１０００mlに、酢酸ビス
マス０.１４モル、酢酸ストロンチウム０.１４モル、酢
酸カルシウム０.０７モル、酢酸銅０.１４モルを溶解冷
却させて得た溶液を、スピンコート方式により厚さ５０
μmの銀箔上に展開して厚さ約０．５μmの展開層を形成
し、その展開層を自然乾燥１時間後、０．１Ｔｏｒｒ、
１５０℃で１時間乾燥させたのち４００℃で１時間、熱
分解処理した（大気中）。
マス０.１４モル、酢酸ストロンチウム０.１４モル、酢
酸カルシウム０.０７モル、酢酸銅０.１４モルを溶解冷
却させて得た溶液を、スピンコート方式により厚さ５０
μmの銀箔上に展開して厚さ約０．５μmの展開層を形成
し、その展開層を自然乾燥１時間後、０．１Ｔｏｒｒ、
１５０℃で１時間乾燥させたのち４００℃で１時間、熱
分解処理した（大気中）。
【００２６】次に前記に準じ、先の熱分解層の上に新た
な展開層を形成して熱分解する操作を９回繰り返して合
計１０層の熱分解層からなる重畳層を形成したのち、そ
れを酸素雰囲気下、８２０℃で１０時間仮焼処理してＢ
i２２１２相／Ｂi２２０１相の含有Ｘ線強度比が１／１
の酸化物超電導体層としたのち、８４５℃で２時間焼結
処理してＢi２２１２相の単独相を有する厚さ約４μmの
Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体層を密着性よく有
する銀箔を得た。
な展開層を形成して熱分解する操作を９回繰り返して合
計１０層の熱分解層からなる重畳層を形成したのち、そ
れを酸素雰囲気下、８２０℃で１０時間仮焼処理してＢ
i２２１２相／Ｂi２２０１相の含有Ｘ線強度比が１／１
の酸化物超電導体層としたのち、８４５℃で２時間焼結
処理してＢi２２１２相の単独相を有する厚さ約４μmの
Ｂi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体層を密着性よく有
する銀箔を得た。
【００２７】比較例 ８５０℃で２０時間仮焼処理することにより得た、Ｂi
２２１２相／Ｂi２２０１相の含有Ｘ線強度比が１／
０．０５のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末
を用いたほかは実施例１に準じてＢi系酸化物超電導体
を得た。これは若干量のＢi２２０１相が混在するＢi２
２１２相が優勢な相状態を示した。
２２１２相／Ｂi２２０１相の含有Ｘ線強度比が１／
０．０５のＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末
を用いたほかは実施例１に準じてＢi系酸化物超電導体
を得た。これは若干量のＢi２２０１相が混在するＢi２
２１２相が優勢な相状態を示した。
【００２８】評価試験 実施例、比較例で得たＢi系酸化物超電導体についてそ
の臨界温度、臨界電流密度を調べた。その結果を表１に
示した。なお前記において、臨界温度は０.１Ａ／cm2の
電流密度下、液体窒素で冷却しながら４端子法で電気抵
抗の温度変化を測定し、電圧端子間の発生電圧が０とな
ったときの温度である。また臨界電流密度は、パワーリ
ードと共に液体ヘリウムで冷却しながら徐々に電流値を
上げて、４端子法により電圧端子間の電圧の印加電流に
よる変化を測定し、Ｘ−Ｙレコーダにおいて１μv／cm
の電圧が出現したときの電流値を超電導体の断面積で除
した値である。
の臨界温度、臨界電流密度を調べた。その結果を表１に
示した。なお前記において、臨界温度は０.１Ａ／cm2の
電流密度下、液体窒素で冷却しながら４端子法で電気抵
抗の温度変化を測定し、電圧端子間の発生電圧が０とな
ったときの温度である。また臨界電流密度は、パワーリ
ードと共に液体ヘリウムで冷却しながら徐々に電流値を
上げて、４端子法により電圧端子間の電圧の印加電流に
よる変化を測定し、Ｘ−Ｙレコーダにおいて１μv／cm
の電圧が出現したときの電流値を超電導体の断面積で除
した値である。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、超電導特性、就中、臨
界電流密度に優れるＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系の酸化物超電
導体を安定して得ることができ、高性能の超電導線材や
マグネット等を容易に形成することができる。
界電流密度に優れるＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系の酸化物超電
導体を安定して得ることができ、高性能の超電導線材や
マグネット等を容易に形成することができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｂ 12/00 ＺＡＡ 7244−5Ｇ
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｂi２２１２相とＢi２２０１相を前者／
後者のＸ線強度比に基づいて１／０．３〜２の割合で含
有するＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末を焼
結処理することを特徴とするＢi系酸化物超電導体の製
造方法。 - 【請求項２】 Ｂi２２１２相とＢi２２０１相を前者／
後者のＸ線強度比に基づいて１／０．３〜２の割合で含
有するＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体層を加熱処
理することを特徴とするＢi系酸化物超電導体の製造方
法。 - 【請求項３】 Ｂi２２１２相とＢi２２０１相を前者／
後者のＸ線強度比に基づいて１／０．３〜２の割合で含
有するＢi2Ｓr2ＣaＣu2Ｏy系酸化物超電導体の粉末から
なることを特徴とするＢi系酸化物超電導体の形成材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5281668A JPH07109170A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法及びその形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5281668A JPH07109170A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法及びその形成材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07109170A true JPH07109170A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17642316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5281668A Pending JPH07109170A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法及びその形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109170A (ja) |
-
1993
- 1993-10-14 JP JP5281668A patent/JPH07109170A/ja active Pending
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