JPH0710934U - グロー放電分解装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 筒状基体上の周方向および軸方向の膜厚およ
び膜質の均一化を図り、しかも作業性のよいａ−Ｓｉ感
光体用のグロー放電分解装置を提供する。 【構成】 真空容器２中に保持される筒状基体４の周面
にａ−Ｓｉ系膜を成膜するグロ−放電分解装置におい
て、高周波電源１０の接地端子と導通した回転軸１６ｂ
を介して真空容器２の底体２ｂより基体４の回転を導入
すると共に、蓋体２ｃの下側に高周波電源１０の接地端
子と導通した位置決め部材１８および棒状体１７を設
け、その棒状体１７と摺擦する接触子を有する筒状体１
９を基体４の上方端に設けることにより、成膜に際して
基体上下の位置決めと導通とを同時に行なうことを特徴
とするグロー放電分解装置。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、アモルファスシリコン系光導電層を有する電子写真感光体をグロー 放電プラズマＣＶＤ法を用いて製作するための、グロー放電分解装置の改良に関 するものである。

【０００２】

【従来の技術】

近年、アモルファスシリコン系光導電層を有する電子写真感光体が、その優れ た光感度特性や高い耐久性により、複写機や電子写真方式プリンタにおける市場 を拡大しつつある。

【０００３】 このアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）感光体の製作には、真空 容器中でグロー放電プラズマにより原料ガスを分解して基体上にａ−Ｓｉ系光導 電層を成膜する、グロー放電分解装置が使用される。このような従来のグロー放 電分解装置１の構成例を、図７に縦断面図で示す。図７において、金属製の真空 容器２は筒状体２ａと底体２ｂと蓋体２ｃとからなり、底体２ｂと蓋体２ｃは接 地されている。容器２の中央部には、感光体ドラムとなる筒状基体４が基体支持 体３ａと３ｂに保持されてほぼ垂直に配置される。これら支持体３ａと３ｂは、 基体４の延長部としてのダミーリングも兼ねている。基体４の内部には基体４を 所定の温度に加熱するためのヒーター５が設置されていて、図示しない外部の温 度制御手段と接続されている。また支持体３ｂには、容器２内の真空を保持しつ つ外部からの回転を導入するためにメカニカル真空シールとベアリングを内蔵し た回転導入端子６を介して、モーター等の回転駆動手段７が接続され、それによ り基体４を回転できるようになっている。容器２の内側には、基体４を取り囲む ように金属製の中空筒状電極８が設けられ、接地された底体２ｂおよび蓋体２ｃ とは、セラミックやテフロン等の絶縁リング９、９’により絶縁されている。電 極８は容器２の筒状体２ａと電気的に接続されており、高周波電源１０からの高 周波電力がマッチングボックス１１を介して印加される。また、電極８の内周面 には多数のガス噴出口１２が設けられており、ガス供給口１３から供給される原 料ガスが、電極８−基体４間のグロー放電空間に送り出される。成膜反応後の残 余ガスは、排気口１４を通して、図示しない外部の真空ポンプにより排気される 。なお、図中の矢印は、これらのガスの流れを表わしている。

【０００４】 この装置１によりａ−Ｓｉ感光体を製作するには、まず、容器２内に基体４を セットし、排気口１４を通して真空ポンプにより容器２内を真空排気する。次い でヒーター５により基体４を所定の温度に加熱し、所定の流量に調整されたＳｉ Ｈ₄ 等の成膜用ガスや、Ｈ₂ あるいはＨｅ等の希釈ガス、およびその他所望の特 性を得るための種々の不純物ガスからなる原料ガスを、ガス供給口１３からガス 噴出口１２を介して、所定のガス圧で電極８−基体４間に送り出す。それと共に 、高周波電源１０からの高周波電力をマッチングボックス１１を介して電極８に 印加すると、電極８−基体４間にグロー放電プラズマが発生し、原料ガスが分解 されて基体４上に光導電層や表面層などのａ−Ｓｉ系膜が成膜される。この成膜 中には、基体４は回転駆動手段７により自転し、ａ−Ｓｉ系膜の膜厚および膜質 の均一化を図っている。そして、成膜終了後に基体４を取り出し、ａ−Ｓｉ感光 体として使用する。

【０００５】

【考案が解決しようとする問題点】

上記のような従来の装置１では、成膜されるａ−Ｓｉ系膜の膜厚および膜質を 均一化するための基体の支持および回転を、基体下側の片方からのみ行なってい る。そのため、回転時に基体上端部の振れが発生して、電極と基体との放電間隔 が周方向で一定に保たれず、周方向に均一な膜が得られないという問題点があっ た。また、基体の電気的な接地状態が上下で異なるため、軸方向でもグロー放電 が一様とならず、均一な膜が得られないという問題点があった。

【０００６】 このような問題点に対して、ａ−Ｓｉ層の膜厚分布と電子写真特性の均一化を 目的として、特開昭６０−１７６０４７号には、円筒状電極の長手方向の長さを 円筒状基体の長さより長くし、円筒状基体の両端を円筒状ダミー部で保持するこ とが開示されている。しかし、これは装置の大型化を招く上に、回転時の基体の 振れにより基体の周方向で均一な膜が得られないという問題点は、改善されてい なかった。

【０００７】 上記のような基体の回転時の振れ対策としては、基体の支持および回転を基体 の上下でそれぞれ行なって基体の振れを抑制し、基体上下で接地状態が一様にな るようにする方法があり、次のような組合せがある。 イ）底体を介して回転を下から行ない、蓋体を介して上から回転を支持する。 ロ）蓋体を介して回転を上から行ない、底体を介して下から回転を支持する。 上記イ）の組合せでは、蓋体にも回転導入端子を設ける必要があるため、蓋体 の構造が複雑になり、蓋体の重量が増して作業性が悪化するという問題点がある 。また、基体を真空容器内にセットしたり成膜後に基体を取り出したりする際に 、基体上端と蓋体からの支持部材との嵌め合わせを調整せねばならず、これによ っても作業性が悪化するという問題点がある。さらに、回転導入端子には真空を 保持するためのシール部材が用いられているので、このシール部材と回転軸の接 触部からのこすれにより発生するゴミが基体へ落下して成膜不良を発生させたり 、シール部材からの真空漏れの要因が増えることにより、その点検や補修のため に装置の稼働率が低下するという問題点もある。

【０００８】 一方、ロ）の組合せでは、蓋体に対して上記イ）に加えてさらに回転駆動手段 まで設けることになる。そのため、回転駆動手段を蓋体と一体に設けると蓋体の 重量がさらに増し、また蓋体に脱着可能に設けると煩雑な脱着作業が必要になる ので、いずれもイ）の問題点に加えてさらに作業性が悪化するという問題点があ る。

【０００９】 本考案は、上記の問題点に対して、筒状基体上の周方向および軸方向の膜厚お よび膜質の均一化を図り、しかも作業性のよい、ａ−Ｓｉ感光体用のグロー放電 分解装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【問題点を解決するための手段】

本考案のグロー放電分解装置は、外側にグロー放電生成用電源を設け且つ内部 に被成膜用筒状基体と電極手段とを配設した筒状真空容器が、接地された蓋体と 底体を有し、上記基体と蓋体及び底体を電気的に導通させると共に、上記電源の 出力端子と接地端子とをそれぞれ電極手段と基体とに電気的に導通させて、基体 と電極手段との間にプラズマを発生せしめるグロー放電分解装置であって、前記 蓋体の下側に設けた導電性棒状体と摺擦する導電性接触子を備えた筒状体を上記 基体の上方端に配設し、前記棒状体と接触子と筒状体とを介して基体と前記電源 の接地端子とを電気的に導通させると共に、前記底体を貫通する回転軸を介して 基体と前記電源の接地端子とを電気的に導通させつつ底体下部に設けられた回転 駆動手段により基体を回転させることを特徴とするものである。

【００１１】

【実施例】

以下、本考案のグロー放電分解装置を実施例に基づいて詳細に説明する。 〔例１〕 図１に、本考案のグロー放電分解装置１５の実施例の概略構成を縦断面図で示 す。なお図１において、図７と同一箇所には同一符号を付す。筒状の金属製の真 空容器２は筒状体２ａと底体２ｂと蓋体２ｃとからなり、底体２ｂと蓋体２ｃは 接地されている。容器２の中央部には、感光体ドラムとなる筒状基体４が、基体 支持体１６により、下側から保持されてほぼ垂直に配置される。この支持体１６ は、基体４の延長部としてのダミーリングも兼ねた筒状部１６ａと、底体２ｂを 介して高周波電源１０の接地端子と導通した回転軸１６ｂとからなっている。基 体４の内部には基体４を所定の温度に加熱するためのヒーター５が設置されてい て、図示しない外部の温度制御手段と接続されている。また支持体１６の回転軸 １６ｂには、回転導入端子６を介してモーター等の回転駆動手段７が底体２ｂを 貫通して接続され、それにより基体４が自転できるようになっている。容器２の 筒状体２ａの内側には、基体４を取り囲むように金属製の中空筒状電極８が設け られ、接地された底体２ｂおよび蓋体２ｃとは、セラミックやテフロン等の絶縁 リング９、９’により絶縁されている。電極８は容器２の筒状体２ａと電気的に 接続されており、高周波電源１０の出力端子からの高周波電力がマッチングボッ クス１１を介して印加される。また、電極８の内周面には多数のガス噴出口１２ が設けられており、ガス供給口１３から供給される原料ガスが、所定のガス圧で 電極８−基体４間のグロー放電空間に送り出される。成膜反応後の残余ガスは、 排気口１４を通して図示しない外部の真空ポンプにより排気される。なお、図中 の矢印は、ガスの流れを表わしている。

【００１２】 蓋体２ｃの下側には、本考案の特徴部分である導電性棒状体１７と円板状の棒 状体位置決め部材１８とが、蓋体２ｃを介して高周波電源１０の接地端子と電気 的に導通して設置されている。一方、基体４の上方端には、内部に羽根状の導電 性接触子を有する筒状体１９が設置されて、棒状体１７と摺擦しつつ導通し、且 つ基体４と一体に回転するようになっている。また、この筒状体１９は、支持体 １６の筒状部１６ａと同じく、基体４の延長部としてのダミーリングも兼ねてい る。

【００１３】 図２に、これら棒状体１７と位置決め部材１８および筒状体１９の構造例を分 解斜視図で示す。筒状体１９は、部分断面図でその内部の構造も一部示した。導 電性棒状体１７は、つば状の頭部１７ａと棒状部１７ｂと、棒状部１７ｂの側面 に設けられた突起部１７ｃとからなる。突起部１７ｃは、この構造例では棒状部 １７ｂの側面から棒状に突起するように設けられている。この棒状体１７が嵌め 合わされる位置決め部材１８のほぼ中央には、棒状体１７の突起部１７ｃと嵌合 する切欠き部１８ｂを有する位置決め穴１８ａが設けられていて、棒状部１７ｂ を位置決め穴１８ａに挿入し、つば状頭部１７ａと位置決め部材１８を密着させ たときに突起部１７ｃと切欠き部１８ｂとが嵌合して、棒状体１７が固定される ようになっている。一方、筒状体１９の内部には、棒状部１７ｂと摺擦しつつ導 通をとるための複数の羽根状の導電性接触子１９ａが、棒状体１７が挿入された ときに棒状部１７ｂにバネ性を有して接触するように設けられている。棒状部１ ７ｂと羽根状の導電性接触子１９ａとは、基体４の自転に伴って筒状体１９が回 転する間も、両者の摺擦によって導通が保たれる。従って、棒状体１７が位置決 め部材１８および蓋体２ｃを介して接地と、また棒状体１７が筒状体１９と、さ らに筒状体１９が基体４の上方端とそれぞれ接触しているので、これらの組合せ により、基体４上部と接地との導通が確保される。筒状体１９の内部に設けられ る接触子１９ａには、上記の目的に適合するものであれば、例示した複数の羽根 状の他に、複数のブラシ状やワイヤ状、渦巻きバネ状などの種々の形状が採用で きる。

【００１４】 図３（ａ）〜（ｃ）には、棒状体１７と蓋体２ｃとの導通をより確実に取るた めの構成例の要部概略図を示した。同図（ａ）は、棒状体１７を蓋体２ｃに密着 させて導通を取るように、バネ性を有する導電性部材２０を用いて、棒状体１７ を位置決め部材１８ごと蓋体２ｃに押し付けるようにする例である。その際、位 置決め部材１８や導電性部材２０の位置決めおよび真空の保持を兼ねた、導電性 の枠体２１を設けるとよい。一方、同図（ｂ）は、バネ性を有する導電性部材２ ０を用いて、棒状体１７および位置決め部材１８と蓋体２ｃとの導通を取るよう にする例である。この際も、導電性の枠体２１を設けるとよい。また、同図（ｃ ）は、棒状体１７と蓋体２ｃとが直接に接触せず、枠体２１と導電性部材２０に より位置決め部材１８の固定と導通を行ない、棒状体１７の保持を行なうように する例である。この場合、棒状体１７と位置決め部材１８とは、両者の嵌合によ り固定される構造としてもよいし、棒状体１７を位置決め部材１８に固定する部 材を追加して設けてもよい。なお、これら導電性部材２０や枠体２１は必ずしも 必要なものではなく、また、この他にも導通を確保する目的で種々の構成を採る ことは、何ら差し支えない。

【００１５】 このグロー放電分解装置１５に基体４をセットする時には、容器２の蓋体２ｃ を開けて基体支持体１６に基体４を装着し、次いで基体４の上部に筒状体１９を 取り付ける。そして位置決め部材１８の位置を、筒状体１９に棒状体１７の棒状 部１７ｂが挿入され且つ基体４の回転の中心が振れないように調整し、その上部 より棒状体１７を、筒状体１９に棒状体１７の棒状部１７ｂが挿入されるように 取り付けて、蓋体２ｃを閉じる。

【００１６】 基体４をセットした後の成膜工程は、前記した従来の工程と同様に行なわれる 。すなわち、排気口１４を通して真空ポンプにより容器２内を真空排気し、次い でヒーター５により基体４を所定の温度に加熱し、所定の流量に調整されたＳｉ Ｈ₄ 等の成膜用ガスや、Ｈ₂ あるいはＨｅ等の希釈ガス、およびその他所望の特 性を得るためのIIIa族元素やＶa 族元素あるいは炭素（Ｃ）や窒素（Ｎ）や酸素 （Ｏ）等を含有する種々の不純物ガスからなる原料ガスを、ガス供給口１３から ガス噴出口１２を介して、所定のガス圧で電極８−基体４間に送り出す。それと 共に、高周波電源１０からの高周波電力をマッチングボックス１１を介して電極 ８に印加すると、電極８−基体４間にグロー放電プラズマが発生し、原料ガスが 分解されて基体４上に光導電層や表面層などのａ−Ｓｉ系膜が成膜される。この 成膜中に基体４は回転駆動手段７により自転するが、棒状体１７と筒状体１９に より、基体４上部の回転中心の位置決めが行なわれると共に接地との導通が確保 されるので、基体４の周方向および軸方向でのグロ−放電が安定し、ａ−Ｓｉ系 膜の膜厚および膜質の均一化が行なえる。

【００１７】 上述のように、本考案のグロ−放電分解装置によれば、真空容器の蓋体には回 転導入端子などの複雑な機構の部品が付加されず、棒状体と筒状体の取付けも大 気中で容易に行なえることから、作業性のよいグロ−放電分解装置となる。また 、基体上方に設けた棒状体と筒状体により、基体上部の回転中心の位置決めが行 なわれると共に接地との導通が確保されるため、基体の周方向および軸方向での グロ−放電が安定し、基体上に成膜されるａ−Ｓｉ系膜の膜厚および膜質の均一 化が行なえるので、均一な電子写真特性を持つａ−Ｓｉ感光体を作製できるグロ −放電分解装置となる。

【００１８】 以下、具体的な実験例を述べる。 本考案のグロ−放電分解装置１５に、表面を鏡面仕上げした直径３０ｍｍ、長 さ３００ｍｍの筒状アルミ基体をセットし、表１の成膜条件で、注入阻止層、光 導電層、表面層を積層してａ−Ｓｉ感光体Ａを作製した。

【００１９】

【表１】

【００２０】 このａ−Ｓｉ感光体Ａの膜厚分布を光学式膜厚計を用いて測定したところ、膜 厚ムラが周方向で１％以下、軸方向で３％以下、全体でも５％以下と、良好な結 果であった。

【００２１】 次に、電子写真特性として、以下の条件で帯電および光感度を測定した。帯電 は、表面電荷量０．２μＣ／ｃｍ² の帯電条件での暗部表面電位を測定した。光 感度としては、暗部表面電位４２０Ｖに設定後、波長６８５ｎｍ、露光量０．４ ５μＪ／ｃｍ² で露光を行なった後の明部表面電位を測定した。

【００２２】 上記測定によるａ−Ｓｉ感光体Ａの帯電は４２０Ｖ、光感度は２０Ｖであり、 周方向および軸方向のムラは、それぞれ５％以下と良好な結果であった。

【００２３】 〔例２〕 本考案のグロ−放電分解装置を、多数の基体に同時に成膜できる量産型成膜装 置に適用した例を、図４および図５に示す。図４は量産型グロ−放電分解装置２ ２の概略構成を示す縦断面図であり、図５はその横断面図である。なお、図４お よび図５の装置２２において、装置１５と同一機能を有する箇所には同一符号を 付す。筒状の金属製の真空容器２３は筒状の本体２３ａと蓋体２３ｂとからなり 、それぞれ接地されている。この装置２２においては、装置１５における底体２ ｂに相当する部分が、真空容器２３の底部として筒状の本体２３ａと一体に形成 されているが、本考案のグロ−放電分解装置における筒状真空容器の底体は、こ のような構成も含むものである。この容器２３の内部には、感光体ドラムとなる 複数本の筒状基体４が、複数の基体支持体１６により下側から保持されて、ほぼ 垂直に円状の配列で配置される。この支持体１６は、各基体４の延長部としての ダミーリングも兼ねた筒状部１６ａと、筒状の本体２３ａの底部を介して高周波 電源１０の接地端子と導通した回転軸１６ｂとからなっている。各基体４の内部 には基体４を所定の温度に加熱するためのヒーター５が設置されていて、図示し ない外部の温度制御手段と接続されている。また各支持体１６には、それぞれ回 転導入端子６を介して回転駆動手段７が筒状の本体２３ａの底部を貫通して接続 され、それにより各基体４が自転できるようになっている。この回転駆動手段７ は、各支持体１６毎に独立に設けてもよいし、ギヤやベルトやチェーンなどを用 いて共通化してもよい。容器２３の中央には、基体４の円状の配列の中心になる ように、金属製の中空筒状電極２４が設けられ、接地された蓋体２３ｂとは、セ ラミックやテフロン等の絶縁リング２５により絶縁されている。電極２４には、 高周波電源１０の出力端子からの高周波電力がマッチングボックス１１を介して 印加される。また、電極２４の外周面には多数のガス噴出口２６が設けられてお り、ガス供給口２７から供給される原料ガスが、所定のガス圧で電極２４−基体 ４間のグロー放電空間に送り出される。成膜反応後の残余ガスは、排気口２８を 通して図示しない真空ポンプにより排気される。なお、図中の矢印は、ガスの流 れを表わしている。蓋体２３ｂの下側には、各基体４に対応して位置決め穴が設 けられたドーナツ板状の位置決め部材２９が設けられ、棒状体１７が、接地され た蓋体２３ｂまたは筒状の本体２３ａと電気的に導通して各基体４の回転中心に 対応するように、各位置決め穴に設置されている。一方、各基体４の上方端には 、棒状体１７と摺擦しつつ基体４と一体に回転する筒状体１９が設置されていて 、筒状体１９に棒状体１７が挿入されることにより、各基体４の上部の位置決め および接地との導通を行なう。この筒状体１９は、支持体１６の筒状部１６ａと 同じく各基体４の延長部としてのダミーリングも兼ねている。

【００２４】 この装置２２に基体４をセットする時には、容器２３の蓋体２３ｂを開けて各 基体支持体１６にそれぞれ基体４を装着し、次いで各基体４の上端にそれぞれ筒 状体１９を取り付ける。そしてドーナツ板状の位置決め部材２９を、各位置決め 穴が各基体４の回転中心に対応するようにセットして、棒状体１７を各筒状体１ ９に接触するように挿入した後、蓋体２３ｂを閉じる。この装置２２においても 、蓋体２３ｂには回転導入端子などの複雑な機構の部品が付加されず、位置決め 部材２９と棒状体１７の取り付けも大気中で容易に行なえるので、作業性のよい 量産型グロ−放電分解装置となる。

【００２５】 基体４をセットした後の成膜工程は、前記した従来の工程と同様に行なわれる 。すなわち、排気口２８を通して真空ポンプにより容器２３内を真空排気し、次 いでヒーター５により各基体４を所定の温度に加熱し、所定の流量に調整された ＳｉＨ₄ 等の成膜用ガスや、Ｈ₂ あるいはＨｅ等の希釈ガス、およびその他所望 の特性を得るためのIIIa族元素やＶa 族元素あるいはＣやＮやＯ等を含有する種 々の不純物ガスからなる原料ガスを、ガス供給口２７からガス噴出口２６を介し て、所定のガス圧で電極２４−各基体４間に送り出す。それと共に、高周波電源 １０の出力端子からの高周波電力をマッチングボックス１１を介して電極２４に 印加すると、電極２４−各基体４間にグロー放電プラズマが発生し、原料ガスが 分解されて各基体４上に光導電層や表面層などのａ−Ｓｉ系膜が成膜される。こ の成膜中には、各基体４は回転駆動手段７により自転するが、棒状体１７と筒状 体１９により、各基体４上部の回転中心の位置決めが行なわれると共に接地との 導通が確保されるため、各基体４の周方向および軸方向でのグロ−放電が安定し 、ａ−Ｓｉ系膜の膜厚および膜質の均一化が行なえる。

【００２６】 また、このような量産型グロ−放電分解装置における位置決め部材２９の取付 けについては、位置決め部材２９を蓋体２３ｂと直接には接触させず、筒状の本 体２３ａに固定するようにしてもよい。そのような量産型グロ−放電分解装置３ ０の例を、図６に縦断面図で示す。図６において図４と同一箇所には、同一符号 を付している。この装置３０においては、位置決め部材２９は、筒状の真空容器 本体２３ａの上方内側に形成された顎部２３ｃに載置されて固定され、この顎部 ２３ｃと筒状の本体２３ａを介して接地と導通している。また、棒状体１７と接 地との導通をより確実にするために、バネ性を有する導電性部材３１を用いて、 蓋体２３ｂと棒状体１７あるいは位置決め部材２９とを導通させてもよい。

【００２７】 以下、具体的な実験例を述べる。 本考案のグロ−放電分解装置２２に、表面を鏡面仕上げした直径３０ｍｍ、長 さ３００ｍｍの筒状アルミ基体計１６本をセットし、表２の成膜条件で、注入阻 止層、光導電層、表面層を積層したａ−Ｓｉ感光体Ｂ１〜Ｂ１６を作製した。

【００２８】

【表２】

【００２９】 これらのａ−Ｓｉ感光体Ｂ１〜Ｂ１６の膜厚分布を光学式膜厚計を用いて測定 したところ、各感光体Ｂ１〜Ｂ１６での膜厚ムラがそれぞれ周方向で１％以下、 軸方向で３％以下、全体でも５％以下と、良好な結果であった。

【００３０】 次に、電子写真特性として、〔例１〕と同じ条件で帯電および光感度を測定し た。その結果、ａ−Ｓｉ感光体Ｂ１〜Ｂ１６の帯電は全て４２０±１０Ｖ、光感 度は全て２０±０．５Ｖであり、各感光体での周方向および軸方向のムラは、そ れぞれ５％以下と良好な結果であった。

【００３１】 〔例３〕 図７に示した従来のグロー放電分解装置１に、表面を鏡面仕上げした直径３０ ｍｍ、長さ３００ｍｍの筒状アルミ基体をセットし、表１と同じ成膜条件で、注 入阻止層、光導電層、表面層を積層したａ−Ｓｉ感光体Ｃを作製した。

【００３２】 このａ−Ｓｉ感光体Ｃの膜厚分布を光学式膜厚計を用いて測定したところ、膜 厚ムラが周方向で５％、軸方向で１５％、全体でも２０％と、〔例１〕に比べて 劣る結果であった。

【００３３】 また、電子写真特性として、〔例１〕と同じ条件で帯電および光感度を測定し たところ、帯電および光感度の中心値は〔例１〕とほぼ同様であったが、周方向 のムラが帯電、光感度共に５％、軸方向のムラが帯電で１０％、光感度で２０％ と、いずれも〔例１〕に比べて劣る結果であった。

【００３４】 〔例４〕 図８のように、本考案のグロ−放電分解装置２２から棒状体１７と位置決め部 材２９を取り除き、各筒状体１９を図７に示した基体支持体３ａに替えた、量産 型グロ−放電分解装置３２を用いて、〔例２〕と同様にしてａ−Ｓｉ感光体Ｄ１ 〜Ｄ１６を作製した。

【００３５】 これらのａ−Ｓｉ感光体Ｄ１〜Ｄ１６の膜厚分布を光学式膜厚計を用いて測定 したところ、各感光体Ｄ１〜Ｄ１６での膜厚ムラがそれぞれ周方向で５％、軸方 向で２０％、全体では３０％と、いずれも〔例２〕に比べて劣る結果であった。 次に、電子写真特性として、〔例１〕と同じ条件で帯電および光感度を測定し たところ、ａ−Ｓｉ感光体Ｄ１〜Ｄ１６の帯電および光感度の中心値は〔例２〕 とほぼ同様であった。しかし、各感光体でのムラは、帯電が周方向で５％、軸方 向で１２％、全体で２０％であり、光感度が周方向で５％、軸方向で３０％、全 体で５０％であって、いずれも〔例２〕に比べて劣る結果であった。

【００３６】

【考案の効果】

以上詳述したように、本考案により筒状基体上の周方向および軸方向の膜厚お よび膜質の均一化が図れ、しかも作業性のよいａ−Ｓｉ感光体用のグロー放電分 解装置を提供することができた。

【００３７】 本考案の装置によれば、真空容器上部や蓋体に複雑な機構の回転導入端子を設 ける必要がないので、基体のセットや取り出しの作業性がよく、しかも装置の製 作コストも削減される。

【００３８】 また本考案の装置によれば、真空容器上部や蓋体に複雑な機構の回転導入端子 を設ける必要がないので、装置稼働時に真空漏れの原因となる真空シール部が増 えず、信頼性の高い成膜装置となる。

【００３９】 さらに本考案により、成膜時の回転による基体の振れが抑制されて基体周方向 の膜厚および膜質の均一化が行なえると共に、基体上下での接地との導通状態が 一様になることから基体軸方向の膜厚および膜質の均一化も行なえるので、均一 な電子写真特性を有するａ−Ｓｉ感光体が作製できるグロ−放電分解装置を提供 することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案のグロー放電分解装置の概略構成を示す
縦断面図である。

【図２】本考案の棒状体と筒状体の分解斜視図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は本考案の棒状体と筒状体の構
成例を示す要部断面概略図である。

【図４】本考案のグロー放電分解装置の他の実施例の概
略構成を示す縦断面図である。

【図５】本考案のグロー放電分解装置の他の実施例の横
断面図である。

【図６】本考案のグロー放電分解装置の他の実施例の概
略構成を示す縦断面図である。

【図７】従来のグロー放電分解装置の概略構成を示す縦
断面図である。

【図８】従来のグロー放電分解装置の他の実施例の概略
構成を示す縦断面図である。

【符号の説明】

２、２３・・・真空容器 ２ｂ・・・・・底体 ２ｃ、２３ｂ・蓋体 ４・・・・・・基体 ８、２４・・・電極 １６・・・・・基体支持体 １６ｂ・・・・回転軸 １７・・・・・導電性棒状体 １８、２９・・位置決め部材 １９・・・・・筒状体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/0248 Ｈ０５Ｈ 1/46 9014−2Ｇ

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 外側にグロー放電生成用電源を設け且つ
   内部に被成膜用筒状基体と電極手段とを配設した筒状真
   空容器が、接地された蓋体と底体を有し、上記基体と蓋
   体及び底体を電気的に導通させると共に、上記電源の出
   力端子と接地端子とをそれぞれ電極手段と基体とに電気
   的に導通させて、基体と電極手段との間にプラズマを発
   生せしめるグロー放電分解装置であって、前記蓋体の下
   側に設けた導電性棒状体と摺擦する導電性接触子を備え
   た筒状体を上記基体の上方端に配設し、前記棒状体と接
   触子と筒状体とを介して基体と前記電源の接地端子とを
   電気的に導通させると共に、前記底体を貫通する回転軸
   を介して基体と前記電源の接地端子とを電気的に導通さ
   せつつ底体下部に設けられた回転駆動手段により基体を
   回転させることを特徴とするグロ−放電分解装置。