JPH07109663B2 - 光学情報記録再生消去部材とその製造方法 - Google Patents
光学情報記録再生消去部材とその製造方法Info
- Publication number
- JPH07109663B2 JPH07109663B2 JP63153929A JP15392988A JPH07109663B2 JP H07109663 B2 JPH07109663 B2 JP H07109663B2 JP 63153929 A JP63153929 A JP 63153929A JP 15392988 A JP15392988 A JP 15392988A JP H07109663 B2 JPH07109663 B2 JP H07109663B2
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- reproducing
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザービーム等により、情報を高密度、大容
量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去部
材とその製造方法に関するものである。
量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去部
材とその製造方法に関するものである。
従来の技術 光ディスクメモリに関しては、TeとTeO2を主成分とする
TeOx（０＜ｘ＜2.0）薄膜を用いた追記型のディスクが
ある。さらに、レーザ光により薄膜を加熱し、溶融し、
急冷することにより、非晶質化し情報を記録しまたこれ
を加熱し、徐冷することにより結晶化し、消去すること
ができる材料としては、エス・アール・オブシンスキ
（S.R.Ovshinsky）氏等のカルコゲン材料Ge15Te81Sb2S2
等が知られている。また、As2S3やAs2Se3あるいはSb2Se
3等カルコゲン元素と周期律表第Ｖ族あるいはGe等の第I
V族元素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られてい
る。これらの薄膜にレーザ光で情報を記録し、その情報
を消去する方法としては、あらかじめ薄膜を結晶化させ
ておき、これにφ１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応
させて強度変調を施し、例えば、円盤状の記録ディスク
を回転せしめて照射し、このレーザ光照射部位は、薄膜
の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したマーク
として情報の記録がおこなえる。この情報を消去するに
際しては薄膜を加熱昇温させ、再び結晶化させる方法が
しられている。相変化を利用した光ディスクは、一般に
耐熱層を設けたディスク基板に記録薄膜を形成し、その
記録薄膜の上にさらに耐熱層を設け、熱変形等による劣
化を防止する構成を用いている。これらの層を形成した
のちに、記録薄膜層を初期化つまり結晶化させて光ディ
スクとして用いる方法が知られている。
TeOx（０＜ｘ＜2.0）薄膜を用いた追記型のディスクが
ある。さらに、レーザ光により薄膜を加熱し、溶融し、
急冷することにより、非晶質化し情報を記録しまたこれ
を加熱し、徐冷することにより結晶化し、消去すること
ができる材料としては、エス・アール・オブシンスキ
（S.R.Ovshinsky）氏等のカルコゲン材料Ge15Te81Sb2S2
等が知られている。また、As2S3やAs2Se3あるいはSb2Se
3等カルコゲン元素と周期律表第Ｖ族あるいはGe等の第I
V族元素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られてい
る。これらの薄膜にレーザ光で情報を記録し、その情報
を消去する方法としては、あらかじめ薄膜を結晶化させ
ておき、これにφ１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応
させて強度変調を施し、例えば、円盤状の記録ディスク
を回転せしめて照射し、このレーザ光照射部位は、薄膜
の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したマーク
として情報の記録がおこなえる。この情報を消去するに
際しては薄膜を加熱昇温させ、再び結晶化させる方法が
しられている。相変化を利用した光ディスクは、一般に
耐熱層を設けたディスク基板に記録薄膜を形成し、その
記録薄膜の上にさらに耐熱層を設け、熱変形等による劣
化を防止する構成を用いている。これらの層を形成した
のちに、記録薄膜層を初期化つまり結晶化させて光ディ
スクとして用いる方法が知られている。
発明が解決しようとする課題 薄膜を加熱昇温し、結晶状態Ａ、結晶状態Ｂを形成する
手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体あるい
は、溶融急冷非晶質化および加熱昇温結晶化の手段を用
いる情報記録および消去可能な記録媒体における課題は
加熱サイクルに対応して信号品質が変動することであ
る。この変動要因としては、記録スポット光および消去
スポット光による400℃以上の急速な加熱、冷却の多数
回のくりかえし刺激による基板材質の熱的、機械的な損
傷がある。さらに、記録薄膜の熱的、機械的な損傷があ
る。記録薄膜については、記録状態つまりアモルファス
状態と、消去状態つまり結晶状態の間で密度差が生じ
る。基板あるいは記録膜が以上のような変化を生じた場
合、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大
を生じ、サイクル特性の劣化が発生するという課題があ
った。
手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体あるい
は、溶融急冷非晶質化および加熱昇温結晶化の手段を用
いる情報記録および消去可能な記録媒体における課題は
加熱サイクルに対応して信号品質が変動することであ
る。この変動要因としては、記録スポット光および消去
スポット光による400℃以上の急速な加熱、冷却の多数
回のくりかえし刺激による基板材質の熱的、機械的な損
傷がある。さらに、記録薄膜の熱的、機械的な損傷があ
る。記録薄膜については、記録状態つまりアモルファス
状態と、消去状態つまり結晶状態の間で密度差が生じ
る。基板あるいは記録膜が以上のような変化を生じた場
合、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大
を生じ、サイクル特性の劣化が発生するという課題があ
った。
本発明の第一の目的はサイクル特性の安定な部材を提供
することである。第二の目的は記録部材の初期化感度を
向上させることである。
することである。第二の目的は記録部材の初期化感度を
向上させることである。
課題を解決するための手段 本発明は、レーザ光等の照射により熱的に薄膜の状態を
変化させて情報を記録および消去する部材において、薄
膜材料として、Ge、Te、Sbの混合体とし、これを耐熱層
を設けた基板の上に形成して、あらかじめこの記録薄膜
層を結晶化させておき、密度の高い状態にし、しかるの
ちにこの上に耐熱層を設けてなることを特徴とする光学
情報記録再生消去部材とその製造方法を提供するもので
ある。
変化させて情報を記録および消去する部材において、薄
膜材料として、Ge、Te、Sbの混合体とし、これを耐熱層
を設けた基板の上に形成して、あらかじめこの記録薄膜
層を結晶化させておき、密度の高い状態にし、しかるの
ちにこの上に耐熱層を設けてなることを特徴とする光学
情報記録再生消去部材とその製造方法を提供するもので
ある。
作用 以上の構成により、多サイクル記録および消去において
C/N、消去率特性がすぐれている。また、記録部材の初
期化感度が高いという特徴が得られる。
C/N、消去率特性がすぐれている。また、記録部材の初
期化感度が高いという特徴が得られる。
実施例１ 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
記録層である薄膜を形成する基板としては、あらかじ
め、レーザ光案内用の溝あるいは、ピット列を形成した
ポリカーボネイト等の樹脂基板あるいは、ガラス板を用
いる。この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたZnSある
いはSiO2等の第一の無機誘電体層を形成しておく。この
誘電体層としてはSiO2を15モル％以上含ませたZnS誘電
体層が好ましい。
め、レーザ光案内用の溝あるいは、ピット列を形成した
ポリカーボネイト等の樹脂基板あるいは、ガラス板を用
いる。この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたZnSある
いはSiO2等の第一の無機誘電体層を形成しておく。この
誘電体層としてはSiO2を15モル％以上含ませたZnS誘電
体層が好ましい。
この上に、Ge、Te、Sbからなる混合薄膜を形成する。薄
膜形成の方法としては、真空蒸着あるいは、スパッタ法
が使用できる。かかる状態においては、記録薄膜層はア
モルファス状態である。そこで記録薄膜層を加熱し結晶
化させることが本発明の特徴であり、加熱源としてはAr
レーザ、半導体レーザあるいはハロゲンランプ等が使用
できる。結晶化すなわち初期化することによりディスク
の反射率は増大する。しかるのちに、第二の無機誘電体
層を耐熱層として、この記録薄膜層の上に形成する。さ
らにこの無機誘電体層の上に反射層を設けることによ
り、ディスクの記録、消去感度の向上をはかることもで
きる。この薄膜の膜厚として80nmを選ぶ。さらに第二の
耐熱層の上に保護板としてポリカーボネイト板を接着剤
で密着する。
膜形成の方法としては、真空蒸着あるいは、スパッタ法
が使用できる。かかる状態においては、記録薄膜層はア
モルファス状態である。そこで記録薄膜層を加熱し結晶
化させることが本発明の特徴であり、加熱源としてはAr
レーザ、半導体レーザあるいはハロゲンランプ等が使用
できる。結晶化すなわち初期化することによりディスク
の反射率は増大する。しかるのちに、第二の無機誘電体
層を耐熱層として、この記録薄膜層の上に形成する。さ
らにこの無機誘電体層の上に反射層を設けることによ
り、ディスクの記録、消去感度の向上をはかることもで
きる。この薄膜の膜厚として80nmを選ぶ。さらに第二の
耐熱層の上に保護板としてポリカーボネイト板を接着剤
で密着する。
130mmのディスクとして、1800rpm回転でf1＝3.43MHzの
信号と、f2＝1.0MHzの信号のオーバーライト特性を測定
する。オーバーライトは、１ヶのサークルスポットφ１
μｍのレーザ光により、高いパワーレベル16mW、低いパ
ワーレベル8mWのパワーレベル間の変調で、高いパワー
レベルで非晶質化マークを形成し、低いパワーレベルで
非晶質化マークを結晶化して消去する同時消録の方法で
ある。
信号と、f2＝1.0MHzの信号のオーバーライト特性を測定
する。オーバーライトは、１ヶのサークルスポットφ１
μｍのレーザ光により、高いパワーレベル16mW、低いパ
ワーレベル8mWのパワーレベル間の変調で、高いパワー
レベルで非晶質化マークを形成し、低いパワーレベルで
非晶質化マークを結晶化して消去する同時消録の方法で
ある。
第１図に記録薄膜の加熱結晶化状態の模式図をしめす。
蒸着状態に比べ加熱結晶化した部分は密度が増大してい
る。加熱結晶化初期化するのに必要なパワーは第２の誘
電体を形成し、これに保護板を接着したものに比較して
約半分のパワーで可能であり、初期化感度が高い。サイ
クル特性については、ディスク構成後に結晶化初期化し
たものに比較して100万サイクル測定においてノイズレ
ベルの変動は3dB以内で安定している。
蒸着状態に比べ加熱結晶化した部分は密度が増大してい
る。加熱結晶化初期化するのに必要なパワーは第２の誘
電体を形成し、これに保護板を接着したものに比較して
約半分のパワーで可能であり、初期化感度が高い。サイ
クル特性については、ディスク構成後に結晶化初期化し
たものに比較して100万サイクル測定においてノイズレ
ベルの変動は3dB以内で安定している。
実施例２ 結晶化初期化は記録膜形成時におこなうことも可能であ
る。真空チャンバー内においてハロゲンランプを用いて
基板を加熱しながら記録膜を形成する。あらかじめ基板
の上に第一の誘電体層を設け、この上に記録薄膜層を加
熱しながら形成する。記録薄膜層は形成すると同時に結
晶化初期化がなされる。つぎにこの結晶化した記録薄膜
層の上に第２の耐熱層誘電体層を設ける。しかるのちに
接着剤により保護板をはり合わせる。記録薄膜の組成と
してGe,Te,Sbの混合体を用いることにより１つのビーム
でオーバライトできるディスクを得る。記録特性はC/N
比50dB以上、消去特性は消去率30dB以上を得る。
る。真空チャンバー内においてハロゲンランプを用いて
基板を加熱しながら記録膜を形成する。あらかじめ基板
の上に第一の誘電体層を設け、この上に記録薄膜層を加
熱しながら形成する。記録薄膜層は形成すると同時に結
晶化初期化がなされる。つぎにこの結晶化した記録薄膜
層の上に第２の耐熱層誘電体層を設ける。しかるのちに
接着剤により保護板をはり合わせる。記録薄膜の組成と
してGe,Te,Sbの混合体を用いることにより１つのビーム
でオーバライトできるディスクを得る。記録特性はC/N
比50dB以上、消去特性は消去率30dB以上を得る。
実施例３ 基板上に第一の耐熱層を設け、その上に記録薄膜層を形
成し、この記録薄膜層の結晶化において、加熱条件を結
晶化飽和パワーより低パワーに設定する。これにより、
この記録薄膜の結晶化収縮率は小さくなる。同様に記録
薄膜形成時における加熱条件を下げることにより収縮率
を小さくできる。この状態で第二の耐熱層を記録薄膜層
の上に形成し、保護板を設ける。かかるディスクに信号
記録をほどこすと、トラック上に非晶質マークと結晶部
分が交互に配列して信号記録がおこなえる。この場合
は、元の中間的な収縮状態と信号記録時の収縮状態の平
均的な密度が等価になり、体積差が減少し、サイクル特
性が安定になる。
成し、この記録薄膜層の結晶化において、加熱条件を結
晶化飽和パワーより低パワーに設定する。これにより、
この記録薄膜の結晶化収縮率は小さくなる。同様に記録
薄膜形成時における加熱条件を下げることにより収縮率
を小さくできる。この状態で第二の耐熱層を記録薄膜層
の上に形成し、保護板を設ける。かかるディスクに信号
記録をほどこすと、トラック上に非晶質マークと結晶部
分が交互に配列して信号記録がおこなえる。この場合
は、元の中間的な収縮状態と信号記録時の収縮状態の平
均的な密度が等価になり、体積差が減少し、サイクル特
性が安定になる。
発明の効果 レーザ光による記録再生消去をおこなう部材において、
記録薄膜層を耐熱層でサンドイッチする構成で、記録薄
膜を加熱結晶化した後に、この上に第２の耐熱層を形成
して構成する光学記録再生消去部材はつぎの効果を有す
る。
記録薄膜層を耐熱層でサンドイッチする構成で、記録薄
膜を加熱結晶化した後に、この上に第２の耐熱層を形成
して構成する光学記録再生消去部材はつぎの効果を有す
る。
（１）多サイクル記録および消去においてC/N,消去率特
性がすぐれる。
性がすぐれる。
（２）記録部材の初期化感度が高い。
第１図は本発明の一実施例における光学情報記録再生消
去部材の記録薄膜形成後一部結晶化した状態の略図と加
熱光ビームの模式図、第２図は記録薄膜形成時に加熱結
晶化する方法の説明図である。 １……基板、２……第一の耐熱層、３……記録薄膜層、
４……記録薄膜層結晶化部位、５……加熱光ビーム、６
……記録薄膜蒸着源、７……膜加熱ランプ、８……真空
チャンバー。
去部材の記録薄膜形成後一部結晶化した状態の略図と加
熱光ビームの模式図、第２図は記録薄膜形成時に加熱結
晶化する方法の説明図である。 １……基板、２……第一の耐熱層、３……記録薄膜層、
４……記録薄膜層結晶化部位、５……加熱光ビーム、６
……記録薄膜蒸着源、７……膜加熱ランプ、８……真空
チャンバー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河原 克巳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−103453（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】レーザー光の照射により、そのエネルギー
を吸収して昇温し、構造変化し、光学定数がかわる性質
を有する記録薄膜を用い、前記レーザー光の強度変調に
より情報を記録する部材において、前記記録薄膜層の上
面および下面に耐熱層を有する構成で、基盤上に第一の
耐熱層を設け次に前記記録薄膜層を設け前記記録薄膜層
の体積を収縮させた状態で第二の耐熱層を設けてなるこ
とを特徴とする光学情報記録再生消去部材。 - 【請求項２】第一の耐熱層の上に記録薄膜層を結晶状態
で形成し、次にその上に第二の耐熱層を形成してなるこ
とを特徴とする請求項（１）記載の光学情報記録再生消
去部材。 - 【請求項３】第一の耐熱層の上に記録薄膜層を設け、そ
の後に前記記録薄膜層を加熱し、結晶状態に変化せし
め、しかる後に第二の耐熱層を形成してなることを特徴
とする光学情報記録再生消去部材の製造方法。 - 【請求項４】第一の耐熱層の上に記録薄膜層を設け、該
記録薄膜層の体積をアモルファス状態と結晶状態のほぼ
平均の体積にせしめて、その上に第二の耐熱層を形成し
てなることを特徴とする請求項（１）記載の光学情報記
録再生消去部材。 - 【請求項５】耐熱層としてSiO2を含ませてなるZnSを用
いることを特徴とする請求項（１）記載の光学情報記録
再生消去部材。 - 【請求項６】記録薄膜層としてTe,Ge,Sbからなる材料を
用いることを特徴とする請求項（１）記載の光学情報記
録再生消去部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153929A JPH07109663B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153929A JPH07109663B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025246A JPH025246A (ja) | 1990-01-10 |
| JPH07109663B2 true JPH07109663B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=15573166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63153929A Expired - Fee Related JPH07109663B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光学情報記録再生消去部材とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109663B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2990036B2 (ja) * | 1995-02-13 | 1999-12-13 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| US6242157B1 (en) | 1996-08-09 | 2001-06-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
| JPH10241211A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Tdk Corp | 光記録媒体の製造方法 |
| US6537721B2 (en) | 1999-02-15 | 2003-03-25 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for its initialization |
| US6683275B2 (en) | 2000-06-23 | 2004-01-27 | Memex Optical Media Solutions Ag | Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium |
| JP2005108265A (ja) * | 2001-10-12 | 2005-04-21 | Tdk Corp | 光記録媒体の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63153929A patent/JPH07109663B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH025246A (ja) | 1990-01-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |