JPH07110912A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH07110912A JPH07110912A JP25678493A JP25678493A JPH07110912A JP H07110912 A JPH07110912 A JP H07110912A JP 25678493 A JP25678493 A JP 25678493A JP 25678493 A JP25678493 A JP 25678493A JP H07110912 A JPH07110912 A JP H07110912A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １或いは複数の非磁性絶縁層が介在した積層
構造の磁気ヘッドにおいて、非磁性絶縁層が剥離するこ
とを防止し、然も基板ウエハのソリを抑制する。 【構成】 磁気ヘッドを構成する非磁性絶縁層の内、少
なくとも１層は、Ｋｒを含有する二酸化シリコン膜から
形成されている。該二酸化シリコン膜の製造工程にはＲ
Ｆスパッタ装置を採用し、真空槽１内にＫｒを含むスパ
ッタガスＧを導入して、二酸化シリコンのターゲット13
からスパッタリングを行なう。
構造の磁気ヘッドにおいて、非磁性絶縁層が剥離するこ
とを防止し、然も基板ウエハのソリを抑制する。 【構成】 磁気ヘッドを構成する非磁性絶縁層の内、少
なくとも１層は、Ｋｒを含有する二酸化シリコン膜から
形成されている。該二酸化シリコン膜の製造工程にはＲ
Ｆスパッタ装置を採用し、真空槽１内にＫｒを含むスパ
ッタガスＧを導入して、二酸化シリコンのターゲット13
からスパッタリングを行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気誘導型のヘッドチ
ップ及び／又は磁気抵抗効果型のヘッドチップを具えた
積層構造の磁気ヘッドに関し、特に非磁性絶縁層として
二酸化シリコン膜を用いた磁気ヘッド及びその製造方法
に関するものである。
ップ及び／又は磁気抵抗効果型のヘッドチップを具えた
積層構造の磁気ヘッドに関し、特に非磁性絶縁層として
二酸化シリコン膜を用いた磁気ヘッド及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスクドライブ装置等の
磁気記録再生装置においては、記録信号の高周波化、高
密度記録化が進められており、これに対応して、磁気誘
導型の薄膜磁気ヘッド(以下、誘導型ヘッドという)や、
磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型ヘッド(以下、
ＭＲヘッドという)が使用されている。
磁気記録再生装置においては、記録信号の高周波化、高
密度記録化が進められており、これに対応して、磁気誘
導型の薄膜磁気ヘッド(以下、誘導型ヘッドという)や、
磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型ヘッド(以下、
ＭＲヘッドという)が使用されている。
【０００３】又、誘導型ヘッドとＭＲヘッドを一体に組
み込んだ複合型磁気ヘッドが提案されている。該ヘッド
は、図５に示す如くＡlＯ2Ｏ3−ＴiＣ基板(17)上に、Ａ
lＯ2Ｏ3層(18)、下部シールド層(19)、下部絶縁層(2
0)、ＭＲ素子層(21)、電極層(22)、上部シールド絶縁層
(23)、及び上部シールド層(24)を積層して、ＭＲヘッド
部を構成すると共に、該ＭＲヘッド部上に、分離層(25)
を介して、Ｃo−アモルファス層(26)、第１及び第２絶
縁層(27)(28)、ギャップスペーサ(29)、導体コイル層(3
0)、コイル絶縁層(31)、Ｃo−アモルファス層(32)、及
びＡlＯ2Ｏ3層(33)を積層して、誘導型ヘッド部を構成
している。ここで、上部シールド絶縁層(23)、分離層(2
5)、絶縁層(27)(28)(31)、及びギャップスペーサ(29)
は、ＳiＯ2(二酸化シリコン)膜から形成されている。
み込んだ複合型磁気ヘッドが提案されている。該ヘッド
は、図５に示す如くＡlＯ2Ｏ3−ＴiＣ基板(17)上に、Ａ
lＯ2Ｏ3層(18)、下部シールド層(19)、下部絶縁層(2
0)、ＭＲ素子層(21)、電極層(22)、上部シールド絶縁層
(23)、及び上部シールド層(24)を積層して、ＭＲヘッド
部を構成すると共に、該ＭＲヘッド部上に、分離層(25)
を介して、Ｃo−アモルファス層(26)、第１及び第２絶
縁層(27)(28)、ギャップスペーサ(29)、導体コイル層(3
0)、コイル絶縁層(31)、Ｃo−アモルファス層(32)、及
びＡlＯ2Ｏ3層(33)を積層して、誘導型ヘッド部を構成
している。ここで、上部シールド絶縁層(23)、分離層(2
5)、絶縁層(27)(28)(31)、及びギャップスペーサ(29)
は、ＳiＯ2(二酸化シリコン)膜から形成されている。
【０００４】ＳiＯ2膜の成膜工程には、公知のＲＦスパ
ッタ装置が用いられ、該装置において、Ａｒスパッタガ
スを用いて、ＳiＯ2のターゲットからスパッタリングを
行い、所定厚さのＳiＯ2膜を得る。ここでＡｒガスを用
いるのは、Ａｒ原子が実効的なスパッタ現象を起こすの
に充分な原子質量を有し、且つ安価に入手出来るからで
ある。
ッタ装置が用いられ、該装置において、Ａｒスパッタガ
スを用いて、ＳiＯ2のターゲットからスパッタリングを
行い、所定厚さのＳiＯ2膜を得る。ここでＡｒガスを用
いるのは、Ａｒ原子が実効的なスパッタ現象を起こすの
に充分な原子質量を有し、且つ安価に入手出来るからで
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
如くＳiＯ2からなる非磁性絶縁層が介在した積層構造の
磁気ヘッドにおいては、ＳiＯ2の成膜条件を工夫したと
しても、成膜時に大きな圧縮応力が生じ、これが原因で
ＳiＯ2膜が剥離する問題があった。
如くＳiＯ2からなる非磁性絶縁層が介在した積層構造の
磁気ヘッドにおいては、ＳiＯ2の成膜条件を工夫したと
しても、成膜時に大きな圧縮応力が生じ、これが原因で
ＳiＯ2膜が剥離する問題があった。
【０００６】特にハードディスクドライブ装置用の薄膜
ヘッドにおいては、高密度記録化に伴ってスライダーの
サイズが小さくなっており、例えば従来より標準サイズ
とされているスライダーの５０％のサイズでは、２.０m
m×１.６mm×０.４３mmと非常に小さなものとなる。こ
のとき、基板となるウエハの厚さは２.０mmである。
又、生産量を増大するためにウエハサイズが４〜５イン
チと大型化しており、この場合、基板上に成膜されたＳ
iＯ2膜の内部応力が原因で、基板ウエハが大きく反り、
このソリがフォトリソグラフィー工程で大きな問題とな
る。この様な基板ウエハのソリはスライダーサイズの小
型化に伴って、更には基板ウエハの大型化に伴って、よ
り顕著となる。
ヘッドにおいては、高密度記録化に伴ってスライダーの
サイズが小さくなっており、例えば従来より標準サイズ
とされているスライダーの５０％のサイズでは、２.０m
m×１.６mm×０.４３mmと非常に小さなものとなる。こ
のとき、基板となるウエハの厚さは２.０mmである。
又、生産量を増大するためにウエハサイズが４〜５イン
チと大型化しており、この場合、基板上に成膜されたＳ
iＯ2膜の内部応力が原因で、基板ウエハが大きく反り、
このソリがフォトリソグラフィー工程で大きな問題とな
る。この様な基板ウエハのソリはスライダーサイズの小
型化に伴って、更には基板ウエハの大型化に伴って、よ
り顕著となる。
【０００７】本発明の目的は、１或いは複数の非磁性絶
縁層が介在した積層構造の磁気ヘッドにおいて、非磁性
絶縁層が剥離することを防止し、然も基板ウエハのソリ
を抑制することである。
縁層が介在した積層構造の磁気ヘッドにおいて、非磁性
絶縁層が剥離することを防止し、然も基板ウエハのソリ
を抑制することである。
【０００８】
【課題を解決する為の手段】本発明に係る磁気ヘッド
は、１或いは複数の非磁性絶縁層が介在した積層構造を
有し、該非磁性絶縁層の内、少なくとも１層は、Ｋｒを
含有する二酸化シリコン膜から形成されていることを特
徴とする。
は、１或いは複数の非磁性絶縁層が介在した積層構造を
有し、該非磁性絶縁層の内、少なくとも１層は、Ｋｒを
含有する二酸化シリコン膜から形成されていることを特
徴とする。
【０００９】又、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
は、前記非磁性絶縁層の内、少なくとも１層を形成する
工程がＲＦスパッタ装置によって実行され、該装置にお
いては、Ｋｒ(クリプトン)を含むスパッタガスを用い、
ＳiＯ2のターゲットからスパッタリングを行なうことを
特徴とする。
は、前記非磁性絶縁層の内、少なくとも１層を形成する
工程がＲＦスパッタ装置によって実行され、該装置にお
いては、Ｋｒ(クリプトン)を含むスパッタガスを用い、
ＳiＯ2のターゲットからスパッタリングを行なうことを
特徴とする。
【００１０】
【作用及び効果】本発明者らは、Ｋｒを含有するＳiＯ2
の絶縁膜が従来のＡｒを含有するＳiＯ2の絶縁膜に比べ
て内部応力(圧縮応力)の小さいことを実験的に見出し、
本発明の完成に至った。又、Ｋｒを含有するＳiＯ2の絶
縁膜が従来以上の緻密な膜質を有し、ＩＢＥによるエッ
チングレートが低減されることも確認した。従って、Ｋ
ｒを含有するＳiＯ2の絶縁膜は、極小の膜厚を有する場
合においても絶縁膜として充分な機能を果し、然も内部
応力による膜の剥離を防止することが出来る。
の絶縁膜が従来のＡｒを含有するＳiＯ2の絶縁膜に比べ
て内部応力(圧縮応力)の小さいことを実験的に見出し、
本発明の完成に至った。又、Ｋｒを含有するＳiＯ2の絶
縁膜が従来以上の緻密な膜質を有し、ＩＢＥによるエッ
チングレートが低減されることも確認した。従って、Ｋ
ｒを含有するＳiＯ2の絶縁膜は、極小の膜厚を有する場
合においても絶縁膜として充分な機能を果し、然も内部
応力による膜の剥離を防止することが出来る。
【００１１】更に、基板上に順次薄膜を積層する工程に
おいては、内部応力の小さい上記絶縁膜を使用すること
により、基板ウエハのソリが抑制され、フォトリソグラ
フィ工程の精度を高く維持することが出来る。又、同一
のスパッタリング条件において、スパッタリングレート
がＡｒガスの場合と比べて高いため、特に厚膜において
成膜時間を短縮することが出来、製造工程のスループッ
トを向上させることが出来る。
おいては、内部応力の小さい上記絶縁膜を使用すること
により、基板ウエハのソリが抑制され、フォトリソグラ
フィ工程の精度を高く維持することが出来る。又、同一
のスパッタリング条件において、スパッタリングレート
がＡｒガスの場合と比べて高いため、特に厚膜において
成膜時間を短縮することが出来、製造工程のスループッ
トを向上させることが出来る。
【００１２】
【実施例】本実施例では、図４に示す如きＲＦマグネト
ロンスパッタ装置を用いて、本発明に係るＫｒを含有す
るＳiＯ2の絶縁膜を製造して、その性能を評価した。該
スパッタ装置は、スパッタガスＧを封入した真空槽(１)
内に陽極(10)を配置すると共に、該陽極(10)に対向して
複数の磁石(14)を配置し、これらの磁石には高周波電源
(11)を接続し、陽極(10)に取り付けた基板(12)と磁石(1
4)上に取り付けたターゲット(13)の間で放電を行なっ
て、プラズマＰに対して電解Ｅと磁界Ｂを印加するもの
である。
ロンスパッタ装置を用いて、本発明に係るＫｒを含有す
るＳiＯ2の絶縁膜を製造して、その性能を評価した。該
スパッタ装置は、スパッタガスＧを封入した真空槽(１)
内に陽極(10)を配置すると共に、該陽極(10)に対向して
複数の磁石(14)を配置し、これらの磁石には高周波電源
(11)を接続し、陽極(10)に取り付けた基板(12)と磁石(1
4)上に取り付けたターゲット(13)の間で放電を行なっ
て、プラズマＰに対して電解Ｅと磁界Ｂを印加するもの
である。
【００１３】ターゲット(13)としては純度９９.９９％
のＳiＯ2を用い、結晶化ガラスよりなる基板(12)上に膜
厚１μmのＳiＯ2膜を形成した。このときのスパッタリ
ング条件は、投入電力が５００〜１５００ｗ、基板とタ
ーゲットの間隔が９５mm、スパッタガスＧとしてのＫｒ
ガスの圧力が５〜９mTorr、基板温度が２００℃であ
る。
のＳiＯ2を用い、結晶化ガラスよりなる基板(12)上に膜
厚１μmのＳiＯ2膜を形成した。このときのスパッタリ
ング条件は、投入電力が５００〜１５００ｗ、基板とタ
ーゲットの間隔が９５mm、スパッタガスＧとしてのＫｒ
ガスの圧力が５〜９mTorr、基板温度が２００℃であ
る。
【００１４】上記スパッタ装置において、ターゲットに
高周波電圧を印加すると、プラズマが発生し、該プラズ
マ中のＫｒイオンがターゲットに衝突する。この結果、
ターゲット表面の原子が蒸発し、これが基板上に堆積し
て、ＳiＯ2膜が形成されるのである。又、プラズマ中の
Ｋｒイオンは、基板(12)側にも衝突するので、ＳiＯ2膜
中にＫｒが混入する。この結果、基板(12)上には、Ｋｒ
を含有したＳiＯ2膜が形成されることになる。
高周波電圧を印加すると、プラズマが発生し、該プラズ
マ中のＫｒイオンがターゲットに衝突する。この結果、
ターゲット表面の原子が蒸発し、これが基板上に堆積し
て、ＳiＯ2膜が形成されるのである。又、プラズマ中の
Ｋｒイオンは、基板(12)側にも衝突するので、ＳiＯ2膜
中にＫｒが混入する。この結果、基板(12)上には、Ｋｒ
を含有したＳiＯ2膜が形成されることになる。
【００１５】以下、この様にして製造された本発明のＳ
iＯ2膜と従来のＡｒを含有したＳiＯ2膜に対する性能評
価の結果について説明する。図１は、投入電力が７００
ｗの場合のスパッタガス圧とＳiＯ2膜の内部応力及び成
膜レートとの関係を示している。尚、内部応力は、円板
状基板の撓み量をニュートリング法により求め、該撓み
量に基づいて算出した。図示の如く、成膜レートは、ガ
ス圧の全範囲に亘ってＫｒを含有したＳiＯ2膜の方がＡ
ｒを含有したＳiＯ2膜よりも大きくなっている。一方、
内部応力は、ガス圧の全範囲に亘ってＫｒを含有したＳ
iＯ2膜の方がＡｒを含有したＳiＯ2膜よりも小さく、何
れの場合もガス圧が約７mTorrにて応力が最小となって
いる。
iＯ2膜と従来のＡｒを含有したＳiＯ2膜に対する性能評
価の結果について説明する。図１は、投入電力が７００
ｗの場合のスパッタガス圧とＳiＯ2膜の内部応力及び成
膜レートとの関係を示している。尚、内部応力は、円板
状基板の撓み量をニュートリング法により求め、該撓み
量に基づいて算出した。図示の如く、成膜レートは、ガ
ス圧の全範囲に亘ってＫｒを含有したＳiＯ2膜の方がＡ
ｒを含有したＳiＯ2膜よりも大きくなっている。一方、
内部応力は、ガス圧の全範囲に亘ってＫｒを含有したＳ
iＯ2膜の方がＡｒを含有したＳiＯ2膜よりも小さく、何
れの場合もガス圧が約７mTorrにて応力が最小となって
いる。
【００１６】図２は、ガス圧が７mTorrの場合の投入電
力と内部応力及び成膜レートとの関係を示している。図
示の如く、成膜レートは、Ｋｒを含有したＳiＯ2膜の方
がＡｒを含有したＳiＯ2膜よりも大きくなっている。一
方、内部応力は、Ｋｒを含有したＳiＯ2膜の方がＡｒを
含有したＳiＯ2膜よりも小さく、然も投入電力に対する
依存性もＫｒを含有したＳiＯ2膜の方が小さくなってい
る。
力と内部応力及び成膜レートとの関係を示している。図
示の如く、成膜レートは、Ｋｒを含有したＳiＯ2膜の方
がＡｒを含有したＳiＯ2膜よりも大きくなっている。一
方、内部応力は、Ｋｒを含有したＳiＯ2膜の方がＡｒを
含有したＳiＯ2膜よりも小さく、然も投入電力に対する
依存性もＫｒを含有したＳiＯ2膜の方が小さくなってい
る。
【００１７】上記の図１及び図２から明かな様に、Ｋｒ
ガスによるスパッタリングの採用によって、内部応力が
最小となる最適のスパッタ条件(７mmTorr、１２００ｗ)
の下では、内部応力が約２０×１０8dyn/cm2、成膜レー
トが約５００オングストローム/minとなって、Ａｒガス
スパッタリングの場合(７mmTorr、７００ｗにて、内部
応力が約３０×１０8dyn/cm2、成膜レートが約２５０オ
ングストローム/min)と比べて、内部応力は３分の２に
低減し、成膜レートは２倍の大きさに増大している。
ガスによるスパッタリングの採用によって、内部応力が
最小となる最適のスパッタ条件(７mmTorr、１２００ｗ)
の下では、内部応力が約２０×１０8dyn/cm2、成膜レー
トが約５００オングストローム/minとなって、Ａｒガス
スパッタリングの場合(７mmTorr、７００ｗにて、内部
応力が約３０×１０8dyn/cm2、成膜レートが約２５０オ
ングストローム/min)と比べて、内部応力は３分の２に
低減し、成膜レートは２倍の大きさに増大している。
【００１８】図３は、成膜されたＳiＯ2膜に対するＩＢ
Ｅにおけるイオンビーム入射角とエッチングレートの関
係を示している。尚、ここではＡｒイオンビームを用
い、加速電圧は５００Ｖ、イオン電流は１４０ｍＡに設
定した。図示の如く、ＫｒガススパッタによるＳiＯ2膜
は、ＡｒガススパッタによるＳiＯ2膜と比べて、３分の
２以下のエッチングレートとなっており、このことから
ＫｒガススパッタによるＳiＯ2膜はＡｒガススパッタに
よるＳiＯ2膜よりも緻密な膜質を有していることが明か
である。
Ｅにおけるイオンビーム入射角とエッチングレートの関
係を示している。尚、ここではＡｒイオンビームを用
い、加速電圧は５００Ｖ、イオン電流は１４０ｍＡに設
定した。図示の如く、ＫｒガススパッタによるＳiＯ2膜
は、ＡｒガススパッタによるＳiＯ2膜と比べて、３分の
２以下のエッチングレートとなっており、このことから
ＫｒガススパッタによるＳiＯ2膜はＡｒガススパッタに
よるＳiＯ2膜よりも緻密な膜質を有していることが明か
である。
【００１９】下記表１は、金属膜に対するＳiＯ2膜の付
着強度の測定結果を表わしている。ここで、膜厚は何れ
も１μmであって、付着強度は、所謂引き倒し法によっ
て測定した。即ち、ＳＵＳ３０４製の剛体棒を接着剤に
よってＳiＯ2膜上に立設固定し、この状態から剛体棒を
引き倒す。そして、ロードセルによって膜が剥離したと
きの力を測定し、付着強度を求めた。表１から明かな様
に、ＫｒガススパッタによるＳiＯ2膜の付着強度は、Ａ
ｒガススパッタによるＳiＯ2膜の付着強度よりも約２０
％増大している。これは内部応力の低減によるものと考
えられ、このことから、本発明のＫｒを含有したＳiＯ2
膜は、Ａｒを含有したＳiＯ2膜に比べて、薄膜ヘッドの
製造により有利であると言える。
着強度の測定結果を表わしている。ここで、膜厚は何れ
も１μmであって、付着強度は、所謂引き倒し法によっ
て測定した。即ち、ＳＵＳ３０４製の剛体棒を接着剤に
よってＳiＯ2膜上に立設固定し、この状態から剛体棒を
引き倒す。そして、ロードセルによって膜が剥離したと
きの力を測定し、付着強度を求めた。表１から明かな様
に、ＫｒガススパッタによるＳiＯ2膜の付着強度は、Ａ
ｒガススパッタによるＳiＯ2膜の付着強度よりも約２０
％増大している。これは内部応力の低減によるものと考
えられ、このことから、本発明のＫｒを含有したＳiＯ2
膜は、Ａｒを含有したＳiＯ2膜に比べて、薄膜ヘッドの
製造により有利であると言える。
【００２０】
【表１】
【００２１】又、本発明のＳiＯ2膜中のＫｒ含有量をＸ
線光電子分光法によって測定したところ、０.７atm％の
Ｋｒ原子がＳiＯ2膜中に混入していることが判明した。
更に又、本発明のＫｒを含有するＳiＯ2膜を用いた薄膜
磁気ヘッドの製造工程において、基板ウエハのソリを測
定したところ、従来のＡｒを含有するＳiＯ2膜を用いた
薄膜磁気ヘッドの場合に比べて、ソリ量が約３０％低減
することが確認された。従って、本発明の磁気ヘッドの
製造方法によれば、従来よりもウエハプロセスの歩留り
を大幅に向上させることが出来る。
線光電子分光法によって測定したところ、０.７atm％の
Ｋｒ原子がＳiＯ2膜中に混入していることが判明した。
更に又、本発明のＫｒを含有するＳiＯ2膜を用いた薄膜
磁気ヘッドの製造工程において、基板ウエハのソリを測
定したところ、従来のＡｒを含有するＳiＯ2膜を用いた
薄膜磁気ヘッドの場合に比べて、ソリ量が約３０％低減
することが確認された。従って、本発明の磁気ヘッドの
製造方法によれば、従来よりもウエハプロセスの歩留り
を大幅に向上させることが出来る。
【００２２】上述の如く、本発明によれば、従来よりも
緻密で絶縁性が高く、然も内部応力の小さいＳiＯ2絶縁
膜を得ることが出来、これによって絶縁膜の剥離が防止
される。又、本発明によれば、基板上に成膜されるＳi
Ｏ2膜の内部応力に起因する基板ウエハのソリを抑制す
ることが出来、これによってフォトリソグラフィ工程の
精度を高め、磁気ヘッドの製造歩留りを向上させること
が出来る。更に、本発明のＫｒを含有するＳiＯ2膜のス
パッタリングレートが従来の約２倍と高いため、特に厚
膜において成膜時間の短縮を図ることが出来、これによ
って磁気ヘッドの製造工程におけるスループットを高め
ることが可能である。
緻密で絶縁性が高く、然も内部応力の小さいＳiＯ2絶縁
膜を得ることが出来、これによって絶縁膜の剥離が防止
される。又、本発明によれば、基板上に成膜されるＳi
Ｏ2膜の内部応力に起因する基板ウエハのソリを抑制す
ることが出来、これによってフォトリソグラフィ工程の
精度を高め、磁気ヘッドの製造歩留りを向上させること
が出来る。更に、本発明のＫｒを含有するＳiＯ2膜のス
パッタリングレートが従来の約２倍と高いため、特に厚
膜において成膜時間の短縮を図ることが出来、これによ
って磁気ヘッドの製造工程におけるスループットを高め
ることが可能である。
【００２３】尚、本発明では、Ｋｒを含むＳiＯ2絶縁膜
の優れた特性を明らかにしたが、Ｋｒを含むＡｌ2Ｏ3絶
縁膜についても同様の効果が得られるものと推測され
る。
の優れた特性を明らかにしたが、Ｋｒを含むＡｌ2Ｏ3絶
縁膜についても同様の効果が得られるものと推測され
る。
【００２４】上記実施例の説明は、本発明を説明するた
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。例えば本発明は、磁気誘導型の磁気ヘッ
ド、磁気抵抗効果型の磁気ヘッド、或いはこれらを複合
した複合型磁気ヘッドの何れに対しても有効である。
又、本実施例では、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用
いたが、その他の周知のＲＦスパッタ装置を用いること
も可能である。
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。例えば本発明は、磁気誘導型の磁気ヘッ
ド、磁気抵抗効果型の磁気ヘッド、或いはこれらを複合
した複合型磁気ヘッドの何れに対しても有効である。
又、本実施例では、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用
いたが、その他の周知のＲＦスパッタ装置を用いること
も可能である。
【図１】スパッタリングにおけるガス圧とＳiＯ2膜の内
部応力及び成膜レートとの関係を示すグラフである。
部応力及び成膜レートとの関係を示すグラフである。
【図２】スパッタリングにおける投入電力と内部応力及
び成膜レートとの関係を示すグラフである。
び成膜レートとの関係を示すグラフである。
【図３】ＩＢＥにおけるＳiＯ2膜に対するイオンビーム
入射角とエッチングレートの関係を示すグラフである。
入射角とエッチングレートの関係を示すグラフである。
【図４】本発明に係る磁気ヘッドの製造に用いるＲＦマ
グネトロンスパッタ装置の概略構成図である。
グネトロンスパッタ装置の概略構成図である。
【図５】複合型磁気ヘッドの要部を示す縦断面図であ
る。
る。
(１) 真空槽 (10) 陽極 (11) 高周波電源 (12) 基板 (13) ターゲット (14) 磁石 Ｇ Ｋｒスパッタガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 伸二 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 柳井 孝 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 清水 良昭 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 １或いは複数の非磁性絶縁層が介在した
積層構造の磁気ヘッドにおいて、前記非磁性絶縁層の
内、少なくとも１層は、Ｋｒを含有する二酸化シリコン
膜から形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 １或いは複数の非磁性絶縁層が介在した
積層構造の磁気ヘッドの製造方法において、前記非磁性
絶縁層の内、少なくとも１層を形成する工程はＲＦスパ
ッタ装置によって実行され、該装置において、Ｋｒを含
むスパッタガスを用い、二酸化シリコンのターゲットか
らスパッタリングを行なうことを特徴とする磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25678493A JPH07110912A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25678493A JPH07110912A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07110912A true JPH07110912A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17297404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25678493A Withdrawn JPH07110912A (ja) | 1993-10-14 | 1993-10-14 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07110912A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980015470A (ko) * | 1996-08-21 | 1998-05-25 | 김광호 | 하드디스크 드라이버에 사용되는 자기헤드의 제조공정 |
| US6190772B1 (en) | 1998-07-14 | 2001-02-20 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Flame-retardant, wear-resistant resin composition, useful for electrical insulation |
| US6646205B2 (en) | 2000-12-12 | 2003-11-11 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Electrical wire having a resin composition covering |
| JP2015108190A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-06-11 | エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド | 二酸化ケイ素の堆積 |
| CN108728809A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | Spts科技有限公司 | 控制脉冲直流pvd形成的材料层中应力变化的方法及设备 |
| JPWO2022202170A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 |
-
1993
- 1993-10-14 JP JP25678493A patent/JPH07110912A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6756440B2 (en) | 2000-12-12 | 2004-06-29 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Fire resistant resin composition and electrical wire having fire resistant covering |
| US6809140B2 (en) | 2000-12-12 | 2004-10-26 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Fire resistant resin composition and electrical wire having fire resistant covering |
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| CN108728809A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | Spts科技有限公司 | 控制脉冲直流pvd形成的材料层中应力变化的方法及设备 |
| US11521840B2 (en) | 2017-04-20 | 2022-12-06 | Spts Technologies Limited | Method and apparatus for controlling stress variation in a material layer formed via pulsed DC physical vapor deposition |
| JPWO2022202170A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | ||
| WO2022202170A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | 日東電工株式会社 | ガスバリアフィルム及びガスバリアフィルムの製造方法 |
| CN117098655A (zh) * | 2021-03-25 | 2023-11-21 | 日东电工株式会社 | 阻气膜和阻气膜的制造方法 |
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