JPH07112085B2 - アレイ半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
アレイ半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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- JPH07112085B2 JPH07112085B2 JP2190500A JP19050090A JPH07112085B2 JP H07112085 B2 JPH07112085 B2 JP H07112085B2 JP 2190500 A JP2190500 A JP 2190500A JP 19050090 A JP19050090 A JP 19050090A JP H07112085 B2 JPH07112085 B2 JP H07112085B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、励起光源としてのアレイ半導体レーザ出力を
高効率で光結合し固体レーザ素子を光励起するアレイ半
導体レーザ励起固体レーザ装置に関するものである。
高効率で光結合し固体レーザ素子を光励起するアレイ半
導体レーザ励起固体レーザ装置に関するものである。
［従来の技術］ 半導体レーザを励起光源として用いる固体レーザが、高
効率、長寿命、小型化が図れることから注目を集めてい
る。とりわけ、固体レーザの光軸方向から光励起する端
面励起方法（例えば特開昭58−52889号参照）では、固
体レーザの発振モードに半導体レーザ出力光による励起
空間をうまくマッチングさせることにより、高効率で基
本横モード発振を実現できる。
効率、長寿命、小型化が図れることから注目を集めてい
る。とりわけ、固体レーザの光軸方向から光励起する端
面励起方法（例えば特開昭58−52889号参照）では、固
体レーザの発振モードに半導体レーザ出力光による励起
空間をうまくマッチングさせることにより、高効率で基
本横モード発振を実現できる。
半導体レーザは、ビーム発散角が大きいため、集光系を
半導体レーザに近接して配置して集光する必要があり、
発振光の集光は容易ではない。
半導体レーザに近接して配置して集光する必要があり、
発振光の集光は容易ではない。
半導体レーザ励起固体レーザの高出力化のためには、励
起用の半導体レーザを高出力化が必要である。半導体レ
ーザは、ストライプ状の活性層からレーザ光が取り出す
が、単一のストライプからの出力には限界があるので、
さらに高出力化を図るためには、複数のストライプを並
べたアレイ状にしなければならない。
起用の半導体レーザを高出力化が必要である。半導体レ
ーザは、ストライプ状の活性層からレーザ光が取り出す
が、単一のストライプからの出力には限界があるので、
さらに高出力化を図るためには、複数のストライプを並
べたアレイ状にしなければならない。
［発明が解決しようとする課題］ このようなアレイ半導体レーザを励起光源として用いよ
うとすると、アレイの長さ1cm程に渡るので、通常のレ
ンズ系を用いて複数のビームを一つのスポット状に絞り
込むことは到底できないため、励起効率のよい端面励起
方式は採用できず、側面励起方式にしか適用できなかっ
た（例えば、特開平１−107587号公報参照）。
うとすると、アレイの長さ1cm程に渡るので、通常のレ
ンズ系を用いて複数のビームを一つのスポット状に絞り
込むことは到底できないため、励起効率のよい端面励起
方式は採用できず、側面励起方式にしか適用できなかっ
た（例えば、特開平１−107587号公報参照）。
本発明は、かかる状況に鑑みてなされたもので、マルチ
ストライプのアレイ半導体レーザから出る発散角が大き
い複数のビームを固体レーザの発振の空間モードにマッ
チングするように集光し、効率よく固体レーザ出力光を
生起せしめる半導体レーザ励起固体レーザを提供するこ
とを目的とする。
ストライプのアレイ半導体レーザから出る発散角が大き
い複数のビームを固体レーザの発振の空間モードにマッ
チングするように集光し、効率よく固体レーザ出力光を
生起せしめる半導体レーザ励起固体レーザを提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、本発明のアレイ半導体レ
ーザ励起固体レーザにおいては、２個のアレイ半導体レ
ーザ出力を集光、合成し固体レーザ素子を光励起する光
結合器として、偏光ビームスプリッタを挟んで、分布屈
折率レンズを第１のアレイ半導体レーザの各ストライプ
に対応して並べて第１のアレイ半導体レーザ出力光を集
光し平行化するためのコリメーティングレンズとして用
いるアレイ分布屈折率レンズと、それにより平行化され
た各ストライプ光を一括して集光して一点に重ね合わせ
て固体レーザ素子を端面励起するためのフォーカシング
レンズとして用いる非球面レンズとを直列に配置し、上
記偏光ビームスプリッタへの第２の受光面に第２のアレ
イ半導体レーザを集光する第２のアレイ分布屈折率レン
ズを配置した。
ーザ励起固体レーザにおいては、２個のアレイ半導体レ
ーザ出力を集光、合成し固体レーザ素子を光励起する光
結合器として、偏光ビームスプリッタを挟んで、分布屈
折率レンズを第１のアレイ半導体レーザの各ストライプ
に対応して並べて第１のアレイ半導体レーザ出力光を集
光し平行化するためのコリメーティングレンズとして用
いるアレイ分布屈折率レンズと、それにより平行化され
た各ストライプ光を一括して集光して一点に重ね合わせ
て固体レーザ素子を端面励起するためのフォーカシング
レンズとして用いる非球面レンズとを直列に配置し、上
記偏光ビームスプリッタへの第２の受光面に第２のアレ
イ半導体レーザを集光する第２のアレイ分布屈折率レン
ズを配置した。
また、上記アレイ半導体レーザ励起固体レーザにおい
て、各々アレイ半導体レーザ部を厚さ方向に複数個重ね
たアレイ半導体レーザスタックとし、それら各アレイ半
導体レーザスタックに応じてアレイ分布屈折率レンズ部
を同じ数だけ重ねたアレイ分布屈折率レンズで置き換え
た。
て、各々アレイ半導体レーザ部を厚さ方向に複数個重ね
たアレイ半導体レーザスタックとし、それら各アレイ半
導体レーザスタックに応じてアレイ分布屈折率レンズ部
を同じ数だけ重ねたアレイ分布屈折率レンズで置き換え
た。
［作用］ 半導体レーザ励起固体レーザの横モードの特性は、端面
励起方式の場合、固体レーザ素子内の光励起空間の形状
で決まる。このため、基本横モードを得るためには、絞
った励起光の強度分布をなるべくガウス分布に近づけ、
固体レーザ素子内に一定の大きさのビームスポットを安
定的に作ることが望ましい。
励起方式の場合、固体レーザ素子内の光励起空間の形状
で決まる。このため、基本横モードを得るためには、絞
った励起光の強度分布をなるべくガウス分布に近づけ、
固体レーザ素子内に一定の大きさのビームスポットを安
定的に作ることが望ましい。
半導体レーザ励起固体レーザの光結合器として屈折率が
中心軸から外周面に向かって次第に減少して行く屈折率
分布を持つ光学ガラス体である分布屈折率レンズを用い
ると発散角の大きい半導体レーザ光を容易に集光するこ
とができる。この分布屈折率レンズを用いて各ストライ
プからのレーザ光を集光できることを利用し、アレイ半
導体レーザの各々のストライプからの出射光を、アレイ
分布屈折率レンズで集光し、球面収差を生じない非球面
レンズで全体光を一つのビームスポットに絞り込み、固
体レーザ素子を励起すれば、高品質の基本横モード光が
得られる。また、界面での光の斜め入射における反射お
よび透過能が偏光に依存することを利用すれば、互いに
直角に偏光した２個の半導体レーザ光を偏光ビームスプ
リッタを用いてビーム合成し、容易に励起光強度を倍増
せしめることができる。さらに、アレイ半導体レーザを
厚さ方向に複数個積み重ねたアレイ半導体レーザスタッ
クとそれに応じたアレイ分布率レンズを用いれば、益々
強い励起光強度が得られる。
中心軸から外周面に向かって次第に減少して行く屈折率
分布を持つ光学ガラス体である分布屈折率レンズを用い
ると発散角の大きい半導体レーザ光を容易に集光するこ
とができる。この分布屈折率レンズを用いて各ストライ
プからのレーザ光を集光できることを利用し、アレイ半
導体レーザの各々のストライプからの出射光を、アレイ
分布屈折率レンズで集光し、球面収差を生じない非球面
レンズで全体光を一つのビームスポットに絞り込み、固
体レーザ素子を励起すれば、高品質の基本横モード光が
得られる。また、界面での光の斜め入射における反射お
よび透過能が偏光に依存することを利用すれば、互いに
直角に偏光した２個の半導体レーザ光を偏光ビームスプ
リッタを用いてビーム合成し、容易に励起光強度を倍増
せしめることができる。さらに、アレイ半導体レーザを
厚さ方向に複数個積み重ねたアレイ半導体レーザスタッ
クとそれに応じたアレイ分布率レンズを用いれば、益々
強い励起光強度が得られる。
［実施例］ 本発明の特徴と利点をより一層明らかにするために、実
施例に基づいて詳細に説明する。
施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は、２個のアレイ半導体レーザ光を集光、合成
し、固体レーザ素子を端面励起するアレイ半導体レーザ
励起固体レーザの模式図である。第１図に示すごとく、
固体レーザ素子としてNd:YAGレーザ素子５を用い、一方
の端面をダイクロイックコーティング（Nd:YAGレーザ発
振波長1064nmで高反射（HR）、アレイ半導体レーザ光波
長808nmで高透過（AR））し、その面を励起面として、
アウトプットミラー６とで固体レーザ共振器を構成す
る。励起用のアレイ半導体レーザ２個1a,1bからの出射
光をビーム合成するために、アレイ半導体レーザ光が偏
光していることを利用して偏光ビームスプリッタ３をビ
ーム合成器として用い、矢印7a, で示すように、第１のアレイ半導体レーザ1aからの発振
光は紙面に平行に偏光させ、第２のアレイ半導体レーザ
1bからの発振光は紙面に垂直に偏光させて、各々第１お
よび第２のアレイ分布屈折率レンズ2a,2bにより集光し
てビーム合成し、非球面レンズ４によって絞られたビー
ムスポットを固体レーザ素子であるNd:YAGレーザ素子５
中に得る。なお、一方のアレイ半導体レーザ光の偏光を
そのアレイ半導体レーザと偏光ビームスプリッタ３との
間に２分の１波長板を挿入することによって、他方と一
致させることができるが、これは、装置製作上空間的干
渉を避けたい場合等に便利である。用いたアレイ半導体
レーザ1aおよび1bはそれぞれ幅が100μｍの活性層スト
ライプ9aおよび9bが20本500μｍ間隔で配列したアレイ
からなる。集光レンズアレイとしての分布屈折率レンズ
2aおよび2bは、それぞれ幅500μｍの分布屈折率レンズ2
0個からなり、各々20本のストライプ9aおよび9bからの
出射光の各々を集光し平行化する。このようにして端面
励起したアレイ半導体レーザ励起固体レーザにおいて、
アレイ半導体レーザ光（波長808nm）出力で10WでNd:YAG
レーザ（波長1064nm）の基本横モード発振光８がアウト
プットミラー６を通して3Wの高出力で得られる。
し、固体レーザ素子を端面励起するアレイ半導体レーザ
励起固体レーザの模式図である。第１図に示すごとく、
固体レーザ素子としてNd:YAGレーザ素子５を用い、一方
の端面をダイクロイックコーティング（Nd:YAGレーザ発
振波長1064nmで高反射（HR）、アレイ半導体レーザ光波
長808nmで高透過（AR））し、その面を励起面として、
アウトプットミラー６とで固体レーザ共振器を構成す
る。励起用のアレイ半導体レーザ２個1a,1bからの出射
光をビーム合成するために、アレイ半導体レーザ光が偏
光していることを利用して偏光ビームスプリッタ３をビ
ーム合成器として用い、矢印7a, で示すように、第１のアレイ半導体レーザ1aからの発振
光は紙面に平行に偏光させ、第２のアレイ半導体レーザ
1bからの発振光は紙面に垂直に偏光させて、各々第１お
よび第２のアレイ分布屈折率レンズ2a,2bにより集光し
てビーム合成し、非球面レンズ４によって絞られたビー
ムスポットを固体レーザ素子であるNd:YAGレーザ素子５
中に得る。なお、一方のアレイ半導体レーザ光の偏光を
そのアレイ半導体レーザと偏光ビームスプリッタ３との
間に２分の１波長板を挿入することによって、他方と一
致させることができるが、これは、装置製作上空間的干
渉を避けたい場合等に便利である。用いたアレイ半導体
レーザ1aおよび1bはそれぞれ幅が100μｍの活性層スト
ライプ9aおよび9bが20本500μｍ間隔で配列したアレイ
からなる。集光レンズアレイとしての分布屈折率レンズ
2aおよび2bは、それぞれ幅500μｍの分布屈折率レンズ2
0個からなり、各々20本のストライプ9aおよび9bからの
出射光の各々を集光し平行化する。このようにして端面
励起したアレイ半導体レーザ励起固体レーザにおいて、
アレイ半導体レーザ光（波長808nm）出力で10WでNd:YAG
レーザ（波長1064nm）の基本横モード発振光８がアウト
プットミラー６を通して3Wの高出力で得られる。
第２図は、２個のアレイ半導体レーザスタックの発振光
を集光し、合成し、固体レーザ素子を端面励起するアレ
イ半導体レーザ励起固体レーザの模式図である。用いた
アレイ半導体レーザスタック10aおよび10bは、それぞれ
第１図の実施例に記載のアレイ半導体レーザを厚さ方向
に２個300『ｍ間隔で重ねたものである。集光レンズア
レイとしてのアレイ分布屈折率レンズスタック11aおよ
び11bは、それぞれ上記アレイ分布屈折率レンズを上下
段のレンズ中心軸間隔がアレイ半導体レーザスタック10
a,10bの上下間隔300『ｍに一致するように２個重ねたも
ので、それぞれ40本の半導体レーザ活性層ストライプ13
aおよび13bからの出射光の各々を集光し平行化する。以
下、第１図と同様の方法で端面励起したアレイ半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置において、アレイ半導体レーザ
（波長808nm）出力20WでNd:YAGレーザ（波長1064nm）の
基本横モード発振光12が6Wの高出力で得られている。
を集光し、合成し、固体レーザ素子を端面励起するアレ
イ半導体レーザ励起固体レーザの模式図である。用いた
アレイ半導体レーザスタック10aおよび10bは、それぞれ
第１図の実施例に記載のアレイ半導体レーザを厚さ方向
に２個300『ｍ間隔で重ねたものである。集光レンズア
レイとしてのアレイ分布屈折率レンズスタック11aおよ
び11bは、それぞれ上記アレイ分布屈折率レンズを上下
段のレンズ中心軸間隔がアレイ半導体レーザスタック10
a,10bの上下間隔300『ｍに一致するように２個重ねたも
ので、それぞれ40本の半導体レーザ活性層ストライプ13
aおよび13bからの出射光の各々を集光し平行化する。以
下、第１図と同様の方法で端面励起したアレイ半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置において、アレイ半導体レーザ
（波長808nm）出力20WでNd:YAGレーザ（波長1064nm）の
基本横モード発振光12が6Wの高出力で得られている。
本発明の実施例においては、固体レーザ素子としてNd:Y
AGレーザを用いたが、もちろんこれに限るものではな
い。また、固体レーザ素子の変更に伴い、その最大吸収
波長に合わせた波長のアレイ半導体レーザを用いること
は言うまでもない。レンズおよび偏光ビームスプリッタ
の両面には、アレイ半導体レーザ波長での無反射コーテ
ィングがほどこされている。さらに、第２の実施例にお
けるアレイ半導体レーザスタック、およびアレイ分布屈
折率レンズスタックの段数は、２段に限るものではな
い。
AGレーザを用いたが、もちろんこれに限るものではな
い。また、固体レーザ素子の変更に伴い、その最大吸収
波長に合わせた波長のアレイ半導体レーザを用いること
は言うまでもない。レンズおよび偏光ビームスプリッタ
の両面には、アレイ半導体レーザ波長での無反射コーテ
ィングがほどこされている。さらに、第２の実施例にお
けるアレイ半導体レーザスタック、およびアレイ分布屈
折率レンズスタックの段数は、２段に限るものではな
い。
［発明の効果］ 以上説明したとおり、光結合器としてかかる構成をもつ
半導体レーザ励起固体レーザはアレイ半導体レーザでは
困難であった端面励起を可能にし、小型で効率が高くビ
ーム質の良い高出力の固体レーザを実現できる。
半導体レーザ励起固体レーザはアレイ半導体レーザでは
困難であった端面励起を可能にし、小型で効率が高くビ
ーム質の良い高出力の固体レーザを実現できる。
第１図は、２個のアレイ半導体レーザ光を集光、合成
し、固体レーザ素子を端面励起するアレイ半導体レーザ
励起固体レーザの模式図、第２図は、２個のアレイ半導
体レーザスタックの発振光を集光、合成し、固体レーザ
素子を端面励起するアレイ半導体レーザ励起固体レーザ
の模式図である。 図中． 1a:アレイ半導体レーザ（上面図） 1b:アレイ半導体レーザ（側面図） 2a,2b:アレイ分布屈折率レンズ 3:偏光ビームスプリッタ 4:非球面レンズ 5:ND:YAGレーザ素子 6:アウトプットミラー 7a,7b:偏光方向 8:固体レーザ出力光 9a,9b::半導体レーザ活性ストライプ 10a:アレイ半導体レーザスタック（上面図） 10b:アレイ半導体レーザスタック（側面図） 11a,11b:アレイ分布屈折率レンズスタック 12:固体レーザ出力光 13a,13b:半導体レーザ活性層ストライプ
し、固体レーザ素子を端面励起するアレイ半導体レーザ
励起固体レーザの模式図、第２図は、２個のアレイ半導
体レーザスタックの発振光を集光、合成し、固体レーザ
素子を端面励起するアレイ半導体レーザ励起固体レーザ
の模式図である。 図中． 1a:アレイ半導体レーザ（上面図） 1b:アレイ半導体レーザ（側面図） 2a,2b:アレイ分布屈折率レンズ 3:偏光ビームスプリッタ 4:非球面レンズ 5:ND:YAGレーザ素子 6:アウトプットミラー 7a,7b:偏光方向 8:固体レーザ出力光 9a,9b::半導体レーザ活性ストライプ 10a:アレイ半導体レーザスタック（上面図） 10b:アレイ半導体レーザスタック（側面図） 11a,11b:アレイ分布屈折率レンズスタック 12:固体レーザ出力光 13a,13b:半導体レーザ活性層ストライプ
Claims (2)
- 【請求項１】２個のアレイ半導体レーザ光を集光、合成
し、固体レーザ素子を光励起する光結合器として、偏光
ビームスプリッタを挟んで、分布屈折率レンズを第１の
アレイ半導体レーザの各ストライプに対応して並べて第
１のアレイ半導体レーザ出力光を集光し平行化するため
のコリメーティングレンズとして用いるアレイ分布屈折
率レンズと、それにより平行化された各ストライプ光を
一括して集光して一点に重ね合わせて固体レーザ素子を
端面励起するためのフォーカシングレンズとして用いる
非球面レンズとを直列に配置し、さらに、上記偏光ビー
ムスプリッタへの第２の受光面に第２のアレイ半導体レ
ーザ光を集光する第２のアレイ分布屈折率レンズを配置
したことを特徴とするアレイ半導体レーザ励起固体レー
ザ装置。 - 【請求項２】請求項（１）に記載のアレイ半導体レーザ
励起固体レーザ装置において、各々のアレイ半導体レー
ザ部をアレイ半導体レーザを厚さ方向に複数個重ねたア
レイ半導体レーザスタックとし、それら各アレイ半導体
レーザスタックに応じてアレイ分布屈折率レンズ部を同
じ数だけ同じ段間隔でアレイ分布屈折率レンズを重ねた
アレイ分布屈折率レンズスタックで置き換えたことを特
徴とするアレイ半導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2190500A JPH07112085B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | アレイ半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2190500A JPH07112085B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | アレイ半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0478180A JPH0478180A (ja) | 1992-03-12 |
| JPH07112085B2 true JPH07112085B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=16259127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2190500A Expired - Fee Related JPH07112085B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | アレイ半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07112085B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4295870B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2009-07-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ装置 |
| US7542208B2 (en) | 2004-04-13 | 2009-06-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light collecting device and light collecting mirror |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5621125A (en) * | 1979-07-30 | 1981-02-27 | Fujitsu Ltd | Photomask |
| JPH0747891Y2 (ja) * | 1987-06-04 | 1995-11-01 | ブラザー工業株式会社 | 固体レ−ザ装置 |
| US4901330A (en) * | 1988-07-20 | 1990-02-13 | Amoco Corporation | Optically pumped laser |
| JPH02185082A (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-19 | Asahi Glass Co Ltd | レーザダイオート励起固体レーザ |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP2190500A patent/JPH07112085B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0478180A (ja) | 1992-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071129 Year of fee payment: 12 |
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