JPH0711253A

JPH0711253A - 反強誘電性液晶組成物あるいはフェリ誘電性液晶組成物及びそれからなる液晶素子

Info

Publication number: JPH0711253A
Application number: JP5159090A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Namekawa; 正明滑川; Shinichi Nayuki; 新一名雪; Keizo Ito; 恵造伊藤; Mitsunori Takeda; 充範竹田; Yoshinobu Murayama; 義信村山
Original assignee: Kashima Oil Co Ltd
Current assignee: Kashima Oil Co Ltd
Priority date: 1993-06-29
Filing date: 1993-06-29
Publication date: 1995-01-13

Abstract

(57)【要約】【目的】新たなタイプの液晶としてＳｍＣ_A ^*相ある
いはＳｍＣγ^*相を有する液晶化合物の開発。【構成】（ａ）一般式（Ｉ）または（Ｉ’）【化１】〔式中の記号は、明細書に記載の通りである。〕で表さ
れる光学活性テトラヒドロピラン誘導体５０〜９５重量
％，（ｂ）前記（ａ）以外のカイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＣ^*）を有する化合物あるいは混合物，および／
または（ｃ）前記（ａ）以外のスメクチックＣ相（Ｓｍ
Ｃ）を有する化合物あるいは混合物からなり、（ｂ）と
（ｃ）の合計量が５０〜５重量％であることを特徴とす
る反強誘電性液晶組成物あるいはフェリ誘電性液晶組成
物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は反強誘電性液晶組成物あ
るいはフェリ誘電性液晶組成物及びそれからなる液晶素
子に関し、詳しくは、光学活性テトラヒドロピラン誘導
体を一定割合で含有する反強誘電性液晶組成物あるいは
フェリ誘電性液晶組成物及びそれからなる液晶素子に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種の表示素子，電子光学デバイ
ス，液晶センサなど、液晶の利用分野が著しく拡大しつ
つあり、それに伴って様々な構造の液晶化合物が提案さ
れてきた。特に、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^*
相) を有する強誘電性液晶は、１９８０年にN. A. Clar
k とLagerwall によりμｓｅｃオーダーの高速応答性と
メモリー性が報告（Appl. Phys. Lett., 36, 899(198
0)）されて以来、ネマチック液晶を用いた液晶表示素子
に代わる新たな表示素子の材料として注目を集め、これ
まで多くの液晶化合物が合成されてきた。

【０００３】強誘電性液晶の応答速度はτ＝η／（Ｐｓ
・Ｅ）で知られている。ここでηは回転粘性を示し、Ｐ
ｓは自発分極を示し、Ｅは電界強度を示す。これから、
高速応答性を得るため、粘性が小さく、自発分極の大き
な液晶材料が開発目標とされてきた。また、液晶材料と
しては、化学的安定性，広動作温度範囲などの特性が要
求されるが、単一の化合物でこれらの諸特性を満たすこ
とは困難であった。したがって、従来、複数のカイラル
スメクチックＣ相（ＳｍＣ^*相) を有する化合物どうし
を混合したり、粘性の低いスメクチックＣ相（ＳｍＣ
相）を有する母体液晶に光学活性な化合物を添加して所
望の性能を有するＳｍＣ^*相を示す強誘電性液晶組成物
を得る方法が用いられてきた。後者の場合には、添加す
るカイラルドーパントは、それ自体ＳｍＣ^*相を有して
いても、有していなくてもよく、母体液晶との相溶性が
良好で、大きな自発分極を誘起し、粘性を増大させない
ことが要求される。

【０００４】さらに近年、新たなスメクチック相として
見出された反強誘電性カイラルスメクチックＣ相（Ｓｍ
Ｃ_A ^*相) を利用する液晶表示素子が注目を集めている
（ Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 27, p
p. L 729, 1988）。このような反強誘電性液晶は、三
安定状態のスイッチイングが起こること、明確なしき
い値特性を有すること、ダブルヒステリシスが存在す
ること、良好なメモリー性を有すること、層構造が
電界によりスイッチングすることなどの特徴を有するこ
とから、新しい液晶表示素子への応用が試みられている
（Japanese Journal of Applied Physics, 29 巻，pp.
L 107 (1990) および Japanese Journal of Applied
Physics, 30 巻，pp. L 735 (1991)参照）。このような
ＳｍＣ_A ^*相を有する液晶化合物としては、ＭＨＰＯＢ
Ｃ

【０００５】

【化２】

【０００６】（式中、＊は前記と同じである。（特開平
１−２１３３９０号公報等参照）），

【０００７】

【化３】

【０００８】（式中、＊は前記と同じである。（特開平
１−３１６３６７号公報等参照）），または、

【０００９】

【化４】

【００１０】（式中、＊は前記と同じである。（Japane
se Journal of Applied Physics, 28巻，pp. L 2248(19
89)参照）などが開示されているが、その光学活性部位
に注目すると、少数の限られた構造を有する光学活性体
のみでしかＳｍＣ_A ^*相を示す化合物は報告されていな
かった。上記ＭＨＰＯＢＣは、次のような相系列を有す
ることが知られている。Ｉｓｏ（１５６℃）ＳｍＡ（１２２℃）ＳｍＣα^*（１
２0.７℃）ＳｍＣ^*（１１９℃）ＳｍＣγ^*（１１8.３
℃）ＳｍＣ_A ^*（６６℃）→ＳｍＩ_A ^*（３０℃）→Ｃ
ｒｙＩｓｏ：等方性液体状態ＳｍＡ：スメクチックＡ相ＳｍＣ^*：強誘電性カイラルスメクチックＣ相ＳｍＣ：スメクチックＣ相ＳｍＣγ^*：フェリ誘電性カイラルスメクチックＣ相ＳｍＣ_A ^*：反強誘電性カイラルスメクチックＣ相ＳｍＩ_A ^*：反強誘電性カイラルスメクチックＩ相Ｃｒｙ：結晶体ここで、ＳｍＣ^*相は２つの安定状態を有する強誘電性
カイラルスメクチックＣ相であり、ＳｍＣγ^*は４つの
安定状態を有するフェリ誘電性カイラルスメクチックＣ
相であり、ＳｍＣ_A ^*相は３つの安定状態を有する反強
誘電性カイラルスメクチックＣ相である。従って、Ｓｍ
Ｃ_A ^*相あるいはＳｍＣγ^*相を利用した液晶表示素子
は、ＳｍＣ^*相を用いた通常のＳＳＦＬＣＤ（表面安定
化型強誘電性液晶表示素子）とは異なったスイッチング
挙動を示すことが知られている（Japanese Journal of
Applied Physics, 29 巻，No 6, pp. 1122-1127(1990)
参照）。すなわち、ＳｍＣ^*相を有する液晶素子に三角
波電圧を印加し、偏光顕微鏡下で透過光強度と印加電圧
の関係を観察すると、図２に示したシングルヒステリシ
スが現れるのに対して、ＳｍＣ_A ^*相を有する液晶表示
素子を用いた場合は図１に示したダブルヒステリシスが
現れ、ＳｍＣγ^*相を有する液晶表示素子を用いた場合
は図３に示したトリプルヒステリシスが現れる。このよ
うな状況下で本発明者らは、さらに新たなタイプの液晶
としてＳｍＣ_A ^*相あるいはＳｍＣγ^*相を有する液晶
化合物を開発すべく鋭意研究を重ねた。

【００１１】

【課題を解決するための手段】その結果、本発明者ら
は、テトラヒドロピラン環上の不斉炭素原子に、それ自
体大きな電子吸引性を有するフルオロアルキル基を有す
る化合物が、それ自体ＳｍＣ_A ^*相を示すか示さないか
にかかわらず、（ａ）光学活性テトラヒドロピラン誘導
体５０〜９５重量％，（ｂ）前記（ａ）以外のカイラル
スメクチックＣ相（ＳｍＣ^*）を有する化合物あるいは
混合物および／または（ｃ）前記（ａ）以外のスメクチ
ックＣ相（ＳｍＣ）を有する化合物あるいは混合物から
なり、（ｂ）と（ｃ）の合計量が５０〜５重量％とする
ことによりＳｍＣ_A ^*相あるいはＳｍＣγ^*相を示すこ
とを見出した。本発明はかかる知見に基づいて完成した
ものである。すなわち、本発明は、（ａ）一般式（Ｉ）
または（Ｉ’）

【００１２】

【化５】

【００１３】〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロ
アルキル基を示し、Ｒ¹は炭素数３〜２０の直鎖又は分
岐鎖アルキル基を示し、Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴はそれぞれ
独立に水素又は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキ
ル基，炭素数２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜１
０のアラルキル基を示し、Ｘ¹は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ
−，−Ｏ−又は単結合を示し、Ｘ²は−ＣＯＯ−，−Ｏ
ＣＯ−，−ＣＨ₂Ｏ−，−ＯＣＨ₂−，−Ｃ≡Ｃ−又は
単結合を示し、Ｘ³は−ＣＯＯ−，−ＣＨ₂Ｏ−又は−
Ｏ−を示し、Ｘ⁴は−Ｏ−又は−ＯＣＯ−又は単結合を
示し、＊は不斉炭素を示し、Ａ及びＢはそれぞれ独立に
ハロゲン，シアノ基，含フッ素アルキル基で置換されて
いてもよい含六員環基を示し、ｎは０または１を示
す。〕で表される光学活性テトラヒドロピラン誘導体５
０〜９５重量％，（ｂ）前記（ａ）以外のカイラルスメ
クチックＣ相（ＳｍＣ^*）を有する化合物あるいは混合
物，および／または（ｃ）前記（ａ）以外のスメクチッ
クＣ相（ＳｍＣ）を有する化合物あるいは混合物からな
り、（ｂ）と（ｃ）の合計量が５０〜５重量％であるこ
とを特徴とする反強誘電性液晶組成物あるいはフェリ誘
電性液晶組成物を提供するものである。また、本発明
は、上記反強誘電性液晶組成物あるいはフェリ誘電性液
晶組成物を、一対の電極基板間に配設してなることを特
徴とする液晶素子をも提供するものである。

【００１４】一般式（Ｉ）において、上記のようなＲｆ
は炭素数１又は２のフルオロアルキル基を示し、具体的
にはトリフルオロメチル基，ジフルオロメチル基，クロ
ロジフルオロメチル基，ペンタフルオロエチル基などで
あり、好ましくはトリフルオロメチル基である。また、
Ｒ¹は炭素数３〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキル基、例
えばｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，
イソブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル
基，ｎ−ペンチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプチル
基，ｎ−オクチル基，ｎ−ノニル基，ｎ−デシル基，ｎ
−ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−トリデシル基，
ｎ−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基，ｎ−ヘキサ
デシル基，ｎ−ヘプタデシル基，ｎ−オクタデシル基，
ｎ−ノナデシル基，ｎ−エイコシル基などである。これ
らのうち、分岐鎖アルキル基であって、不斉炭素を有す
る基は、光学活性基である。

【００１５】さらに、Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴はそれぞれ独
立に水素又は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル
基、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソ
プロピル基，ｎ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒ
ｔ−ブチル基，ｎ−ペンチル基，イソペンチル基，１−
メチルブチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプチル基，１
−メチルヘプチル基，ｎ−オクチル基，１−エチルヘプ
チル基，１−メチルオクチル基，ｎ−ノニル基，１−エ
チルオクチル基，１−メチルノニル基，ｎ−デシル基，
ｎ−ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−トリデシル
基，ｎ−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基などであ
る。また、炭素数２〜１５のアルケニル基としては、ビ
ニル基，アリル基，１−プロペニル基，イソプロペニル
基，１−ブテニル基，２−ブテニル基，２−メチルアリ
ル基，１−ペンテニル基，１−ヘキセニル基，１−ヘプ
テニル基，１−オクテニル基，２−オクテニル基，１−
ノネニル基，２−ノネニル基，１−デセニル基，２−デ
セニル基，１−ウンデセニル基，２−ウンデセニル基，
１−ドデセニル基，２−ドデセニル基，１−トリデセニ
ル基，２−トリデセニル基，１−テトラデセニル基，２
−テトラデセニル基，１−ペンタデセニル基，２−ペン
タデセニル基などが挙げられる。炭素数７〜１０のアラ
ルキル基としては、ベンジル基，フェネチル基，フェニ
ルプロピル基，フェニルブチル基などが挙げられる。

【００１６】また、Ａ及びＢの含六員環基としては、例
えば、

【００１７】

【化６】

【００１８】

【化７】

【００１９】などが挙げられる。

【００２０】本発明による一般式（Ｉ）の化合物は、様
々な方法で製造することができるが、例えば以下の工程
により製造することができる。（１）Ｘ²＝単結合及びＸ³＝−ＣＯＯ− の場
合：下記一般式（II）Ｒ¹−Ｘ¹−Ａ−Ｂ−ＣＯHal ・・・（II）〔式中、Ｒ¹，Ｘ¹，ＡおよびＢは前記と同じである。
Hal は塩素，臭素，沃素等のハロゲンを示す。〕で表さ
れる化合物および下記一般式（III)

【００２１】

【化８】

【００２２】〔式中、Ｒｆ，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｘ⁴及
び＊は前記と同じである。〕で表される化合物と反応さ
せることにより上記一般式（Ｉ）の化合物を得ることが
できる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，トリ
エチルアミン等の存在下に、トルエン，ベンゼン，塩化
メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うこ
とができる。

【００２３】（２）Ｘ²＝単結合，Ｘ³＝−ＣＨ₂Ｏ
− の場合：下記一般式（IV) Ｒ¹−Ｘ¹−Ａ−Ｂ−ＣＨ₂Ｚ・・・（IV) 〔式中、Ｒ¹，Ｘ¹，ＡおよびＢは前記と同じであり、
Ｚは塩素，臭素，ヨウ素又はトシル基を示す。〕で表さ
れる化合物を、上記の一般式（III)で表される化合物と
反応させることにより上記一般式（Ｉ）の化合物を得る
ことができる。この反応は一般式（III)の化合物にアル
カリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは水酸化カ
リウムで代表される塩基を作用させた後、一般式（IV）
の化合物を加えることにより行うことができる。

【００２４】（３）Ｘ²＝−ＣＯＯ−，Ｘ³＝−ＣＯ
Ｏ− の場合：下記一般式（Ｖ）ＢｚＯ−Ｂ−ＣＯHal ・・・（Ｖ) 〔式中、ＢおよびHal は前記と同じであり、Ｂｚはベン
ジル基を示す。〕で表される化合物を、上記一般式（II
I)で表される化合物と反応させて、下記一般式（VI)

【００２５】

【化９】

【００２６】〔式中、Ｒｆ，Ｂｚ，Ｂ，Ｘ⁴，Ｒ²，Ｒ
³，Ｒ⁴及び＊は前記と同じである。〕で表される化合
物を得る。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，ト
リエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩化
メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うこ
とができる。次に、得られた一般式（VI）の化合物中の
ベンジル基を常法で脱離させれば、下記一般式（VII)

【００２７】

【化１０】

【００２８】〔式中、Ｒｆ，Ｂ，Ｘ⁴，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ
⁴及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物が生
成する。この脱ベンジル化反応は、例えばＰｄ／Ｃ触媒
の存在下でメタノール，エタノール，プロパノール等の
アルコール性溶媒または酢酸を用いて常圧で水素化分解
することにより行うことができる。さらに、得られた一
般式（VII)の化合物を下記一般式（VIII) Ｒ¹−Ｘ¹−Ａ−ＣＯHal ・・・（VIII) 〔式中、Ｒ¹，Ｘ¹，Ａ及びHal は前記と同じであ
る。〕で表される化合物と反応させることにより上記一
般式（Ｉ）の化合物を得ることができる。この反応は、
有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミン等の存在
下にトルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−
２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。

【００２９】（４）Ｘ²＝−ＣＯＯ−，Ｘ³＝−ＣＨ
₂Ｏ− の場合：上記一般式（IX）ＴｈｐＯ−Ｂ−ＣＨ₂Ｚ・・・（IX）〔式中、Ｔｈｐ（テトラヒドロピラニル基）を示し、Ｂ
及びＺは前記と同じである。〕で表される化合物を上記
一般式（III)で表される化合物と反応させて下記一般式
（Ｘ）

【００３０】

【化１１】

【００３１】〔式中、Ｒｆ，Ｔｈｐ，Ｂ，Ｘ⁴，Ｒ²，
Ｒ³，Ｒ⁴及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得る。この反応は、一般式（III)で表される化合
物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは
水酸化カリウムで代表される塩基を作用させた後、一般
式（IX）の化合物を加えることにより行うことができ
る。次に得られた一般式（Ｘ) の化合物中のＴｈｐを常
法で脱離させれば、下記一般式（XI）

【００３２】

【化１２】

【００３３】〔式中、Ｒｆ，Ｂ，Ｘ⁴，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ
⁴及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。このテトラヒドロピラニル基の脱離は、塩酸，硫酸
およびパラトルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エ
ーテル，テトラヒドロフラン，クロロホルム等の溶媒を
用いて行うことができる。次に、得られた一般式（XI）
の化合物を上記一般式（VIII) で表される化合物と反応
させることにより上記一般式（Ｉ）の化合物を得ること
ができる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，ト
リエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩化
メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うこ
とができる。

【００３４】（５）Ｘ²＝−ＣＯＯ−，Ｘ³＝−Ｏ−
の場合：下記一般式（XII) ＴｈｐＯ−Ｂ−Hal ・・・（XII) 〔式中、Ｔｈｐ，Ｂ及びHal は前記と同じである。〕で
表される化合物を、上記一般式（III)で表される化合物
と反応させて、下記一般式（XIII)

【００３５】

【化１３】

【００３６】〔式中、Ｒｆ，Ｔｈｐ，Ｂ，Ｘ⁴，Ｒ²，
Ｒ³，Ｒ⁴及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得る。この反応は、一般式（III)の化合物にアル
カリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるいは水酸化カ
リウムで代表される塩基を作用させた後、ジメチルホル
ムアミド，ジメチルスルホキシド等の還流条件下、触媒
としてヨウ化第一銅を用い、一般式（XII)で表される化
合物を反応させることにより行うことができる。次に得
られた一般式（XIII) で表される化合物中のテトラヒド
ロピラニル基を常法で脱離させれば、下記一般式（XIV)

【００３７】

【化１４】

【００３８】〔式中、Ｒｆ，Ｂ，Ｘ⁴，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ
⁴及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。このテトラヒドロピラニル基の脱離は、塩酸，硫酸
およびパラトルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エ
ーテル，テトラヒドロフラン，クロロホルム等の溶媒を
用いて行うことができる。ここで得られた一般式（XIV)
の化合物を上記一般式（VIII) で表される化合物と反応
させることにより、上記一般式（Ｉ）の化合物を得るこ
とができる。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，
トリエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩
化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行う
ことができる。

【００３９】（６）Ｘ²＝−ＣＨ₂Ｏ−，Ｘ³＝−Ｃ
ＯＯ− の場合：上記一般式（VII)で表される化合物および下記一般式
（XV）Ｒ¹−Ｘ¹−Ａ−ＣＨ₂Ｚ・・・（XV）〔式中、Ｒ¹，Ｘ¹，Ａ及びＺは前記と同じである。〕
で表される化合物を反応させることにより上記一般式
（Ｉ）の化合物を得ることができる。この反応は、一般
式（VII)の化合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナト
リウムあるいは水酸化カリウムで代表される塩基を作用
させた後、一般式（XV) で表される化合物を反応させる
ことにより行うことができる。

【００４０】（７）Ｘ²＝−ＯＣＨ₂−，Ｘ³＝−Ｃ
ＯＯ− の場合：下記一般式（XVI) ＺＣＨ₂−Ｂ−ＣＯHal ・・・（XVI) 〔式中、Ｚ，Ｂ及びHal は前記と同じである。〕で表さ
れる化合物を、上記一般式（III)で表される化合物と反
応させて下記一般式（XVII)

【００４１】

【化１５】

【００４２】〔式中、Ｒｆ，Ｚ，Ｂ，Ｘ⁴，Ｒ²，
Ｒ³，Ｒ⁴及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得る。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，
トリエチルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩
化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行う
ことができる。次いで、下記一般式（XVIII) Ｒ¹−Ｘ¹−Ａ−ＯＨ・・・（XVIII) 〔式中、Ｒ¹，Ｘ¹及びＡは前記と同じである。〕で表
される化合物に、上記化合物（XVII) を反応させること
により上記一般式（Ｉ）の化合物を得ることができる。
この反応は、一般式（VIII) の化合物にアルカリ金属ヒ
ドリド，水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウムで代
表される塩基を作用させた後、一般式（XVII) で表され
る化合物を加えることにより行うことができる。また、
本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物を製造するた
め、原料物質として用いた一般式（III)で表される化合
物は、様々な方法で製造することができる。この一般式
（III)で表される化合物の代表的なものとしては、例え
ば、

【００４３】

【化１６】

【００４４】

【化１７】

【００４５】

【化１８】

【００４６】

【化１９】

【００４７】

【化２０】

【００４８】

【化２１】

【００４９】等が挙げられる。本発明の一般式（Ｉ）の
化合物としては、例えば

【００５０】

【化２２】

【００５１】

【化２３】

【００５２】

【化２４】

【００５３】

【化２５】

【００５４】

【化２６】

【００５５】

【化２７】

【００５６】

【化２８】

【００５７】

【化２９】

【００５８】

【化３０】

【００５９】

【化３１】

【００６０】

【化３２】

【００６１】〔式中、Ｒ¹，Ｘ¹，Ｘ⁴，Ｒ²，Ｒ³，
Ｒ⁴及び＊は前記と同じである。〕等が挙げられる。

【００６２】本発明の液晶組成物は、（ａ）一般式
（Ｉ）または（Ｉ’）で表される化合物５０〜９５重量
％，（ｂ）（ａ）以外のカイラルスメクチックＣ相（Ｓ
ｍＣ^*）を有する化合物あるいは混合物，および／また
は（ｃ）（ａ）以外のスメクチックＣ相（ＳｍＣ）を有
する化合物あるいは混合物からなり、（ｂ）と（ｃ）の
合計量が５０〜５重量％からなるものである。この場
合、一般式（Ｉ）または（Ｉ’）で表される化合物の好
ましい配合量は液晶組成物の６０〜９０重量％、特に好
ましくは６５〜８５重量％である。即ち、好ましい配合
量からなる組成物は、（ａ）が６０〜９０重量％，
（ｂ）と（ｃ）の合計量が４０〜１０重量％の組成物、
特に好ましい配合量からなる組成物は、（ａ）が６５〜
８５重量％，（ｂ）と（ｃ）の合計量が３５〜１５重量
％の組成物である。

【００６３】上記（ｂ）及び（ｃ）の化合物あるいは混
合物としては従来知られている様々な物質を用いること
ができる。上記（ｂ）の化合物としては具体的には例え
ば、福田，竹添「強誘電性液晶の構造と物性」コロナ社
（１９９０），ｐ２２９，表7.１に記載した化合物が挙
げられる。上記（ｃ）の化合物としては好ましくは一般
式（Ａ）

【００６４】

【化３３】

【００６５】〔式中、Ｒ⁶は置換基を有していてもよい
炭素数１〜１５のアルキル基又はアルコキシ基，Ｒ⁷は
置換基を有していてもよい炭素数１〜１５のアルキル
基、Ｑは−Ｏ−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，ＯＣＯＯ−
又は単結合、Ｅは

【００６６】

【化３４】

【００６７】を示す。また、Ｘ¹及びｎは前記と同じで
ある。〕で表される化合物を挙げることができる。具体
的には下記の化合物を挙げることができる。

【００６８】

【化３５】

【００６９】また、本発明の液晶素子は、上述の一般式
（Ｉ）または（Ｉ’）の化合物を含有する上記液晶組成
物を一対の電極基板間に配設してなるものである。この
液晶素子は、例えばＩｎＯ₃，ＳｎＯ₂，ＩＴＯ（酸化
インジウムと酸化スズとの混合酸化物）などからなる透
明電極を有する透明基板上に、さらにポリビニルアルコ
ール，ポリイミドなどからなる配向制御膜を設けた２対
の基板を張り合わせてセルを作製し、その上下に偏光板
を配設することにより得られる。この素子は複屈折モー
ドを利用して、表示素子あるいは電気光学素子として使
用することができる。

【００７０】

【実施例】次に、参考例および実施例に基づいて本発明
をさらに具体的に説明するが、本発明はこれに限定され
るものではない。また、以下の各例において、本発明の
一般式（Ｉ）または（Ｉ’）で表される光学活性化合物
のＲ，Ｓ表示は、下記の式

【００７１】

【化３６】

【００７２】〔式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｘ¹，
Ｘ²，Ｘ³，Ｘ⁴，Ａ，Ｂ，ｎ及び＊は前記と同じであ
る。〕の位置番号に基づいて行った。実施例において、
反強誘電性液晶相（ＳｍＣ_A ^*）およびフェリ誘電相
（ＳｍＣγ^*）の確認は、液晶化合物または液晶組成物
をポイリイミド配向膜を有するＩＴＯ電極付きのセルに
注入して配向させ、このセルに三角波電圧を印加した際
のテクスチャー変化および透過光強度変化を偏光顕微鏡
下で観察することにより行った。ＳｍＣ_A ^*は、図１に
示すダブルヒステリシスが観察され、相に３状態が存在
するのが確認できる。また、ＳｍＣγ^*では図３に示す
トリプルヒステリシスが観察され、４つの状態が存在す
ることが確認できる。一方、ＳｍＣ^*は図２に示すシン
グルヒステリシスが観測される。

【００７３】参考例１（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロキシピラン
および（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリ
フルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロキシ
ピランの合成

【００７４】

【化３７】

【００７５】〔式中、＊は前記と同じである。〕（ａ）窒素雰囲気下、フラン１3.６ｇ（２００ミリモ
ル）をテトラヒドロフラン１５０ミリリットルに加え、
1.５モル／リットルのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液
１３３ミリリットル（２００ミリモル）を−２０℃で滴
下し、１時間反応させた。次に、トリメチルシリルクロ
リド２1.７ｇ（２００ミリモル）を滴下し、−２０℃で
１時間攪拌した。1.５モル／リットルのｎ−ブチルリチ
ウムヘキサン溶液１３３ミリリットル（２００ミリモ
ル）を加え、−２０℃で１時間反応させた後、−７８℃
でトリフルオロ酢酸エチル２8.４ｇ（２００ミリモル）
を滴下し、−７８℃で１時間、室温でさらに１時間反応
させた。この反応溶液に３規定の塩酸を加えて反応を停
止させ、酢酸エチルで抽出した。次いで、飽和炭酸水素
ナトリウム溶液，飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去し、フラ
ン誘導体の粗生成物を得た。

【００７６】（ｂ）乾燥エタノール１００ミリリットル
に水素化ホウ素ナトリウム2.３ｇ（６０ミリモル）を加
え、上記反応で得たフラン誘導体の粗生成物を０℃で３
０分かけて滴下した。室温で２時間反応させた後、エタ
ノールを減圧留去し、３規定の塩酸を加えて反応を停止
させ、酢酸エチルにより抽出した。次いで、飽和炭酸水
素ナトリウム，飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去した後、減
圧蒸留を行い、アルコール化合物４0.５ｇ（１７０ミリ
モル）を得た。

【００７７】（ｃ）塩化メチレン２００ミリリットルに
上記（ｂ）の反応で得たアルコール化合物２3.８ｇ（１
００ミリモル）とピリジン8.９ミリリットル（１１０ミ
リモル）を加え、０℃で塩化アセチル8.６ｇ（１１０ミ
リモル）を滴下し、室温で１２時間反応させた。次い
で、３規定の塩酸を加えて反応を停止させ、塩化メチレ
ンで抽出した。その後、飽和炭酸水素ナトリウム溶液，
蒸留水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。塩化メチレンを減圧留去した後、減圧蒸留を行い、
エステル化合物２7.５ｇ（９８ミリモル）を得た。

【００７８】（ｄ）蒸留水１０００ミリリットルに上記
反応により得られたエステル化合物２8.０ｇ（１００ミ
リモル）を加えて、ミニジャーファーメンター中で４０
℃で攪拌した。リパーゼＰＳを２０ｇ加え、２０時間反
応させた。３規定の塩酸を加え、０℃に冷却して反応を
停止し、セライトによりろ過した。ろ液を酢酸エチルに
より抽出し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、酢酸エチルを減圧留去した。次いで、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより分離精製して光
学活性アルコール化合物１1.７ｇ（４９ミリモル）と光
学活性エステル化合物１3.２ｇ（４７ミリモル）を得
た。なお、得られたアルコール化合物の光学純度は９7.
５％e.e.であった。

【００７９】（ｅ）上記反応で得られた光学活性アルコ
ール化合物１1.７ｇ（４９ミリモル）を塩化メチレン１
００ミリリットルに溶かし、イミダゾール4.０ｇ（５９
ミリモル）とｔ−ブチルジメチルシリルクロリド8.９ｇ
（５９ミリモル）を０℃で加えて１５分攪拌し、室温で
１６時間反応させた。蒸留水を加えて反応を停止させ、
塩化メチレンにより抽出した。次いで、蒸留水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。塩化メチレンを
減圧留去した後、カラムクロマトグラフィーにより分離
精製してシリルエーテル化合物１6.６ｇ（４７ミリモ
ル）を得た。

【００８０】（ｆ）窒素雰囲気下、酢酸１２０ミリリッ
トルに上記反応で得られたシリルエーテル化合物１4.１
ｇ（４０ミリモル）及びモノパーオキシフタル酸マグネ
シウム２3.２ｇ（６０ミリモル）を加え、８０℃で１２
時間反応させた。酢酸を減圧留去した後、飽和炭酸水素
ナトリウム溶液を加え、酢酸エチルにより抽出した。次
いで、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。酢酸エチルを減圧留去した後、カラムクロマト
グラフィーにより分離精製し、（４Ｓ，１’Ｓ）ブテノ
リド化合物 4.7ｇ（１６ミリモル）及び（４Ｒ，１’
Ｓ）ブテノリド化合物 3.0ｇ（１０ミリモル）を得た。
なお、4.２ｇ（１２ミリモル）の原料も回収された。

【００８１】（ｇ）上記反応で得られた（４Ｓ，１’
Ｓ）及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブテノリド化合物１3.７ｇ
（４６ミリモル）を分離せずにエタノール４０ミリリッ
トルに溶かし、１０％Ｐｄ／Ｃ（Ｐｄ１０重量％含
有）を1.４ｇ加え、水素雰囲気下、室温で１５時間反応
した。反応溶液を濾過し、溶媒を減圧留去した後、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、（４
Ｓ，１’Ｓ）ブタノリド化合物8.２ｇ（２９ミリモル）
及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブタノリド化合物3.６ｇ（１２ミ
リモル）を得た。

【００８２】（ｈ）窒素雰囲気下、ジエチルエーテル４
０ミリリットルに上記反応により得られた（４Ｓ，１’
Ｓ）ブタノリド化合物7.５ｇ（２５ミリモル）を加え、
−７８℃で水素化ジイソブチルアルミニウムの0.９３モ
ル／リットルのｎ−ヘキサン溶液３２ミリリットル（３
０ミリモル）を滴下し、３時間反応した。蒸留水を加え
て反応を停止し、１規定の塩酸を加え中和した後、ジエ
チルエーテルで抽出した。飽和食塩水で洗浄後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、ジエチルエーテルを減圧留去
した。次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製して、ラクトール化合物7.３ｇ（２４ミリモル）を得
た。

【００８３】（ｉ）窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン
５０ミリリットルに上記反応により得られたラクトール
化合物7.３ｇ（２４ミリモル）を加え、−７８℃でカリ
ウム−ｔ−ブトキシド3.０ｇ（２７ミリモル）のテトラ
ヒドロフラン１０ミリリットル溶液を滴下し、３時間反
応した。蒸留水を加えて反応を停止し、１規定の塩酸を
加え中和した後、ジエチルエーテルで抽出した。飽和食
塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ジエチ
ルエーテルを減圧留去した。次いでシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製して、ピラノース化合物6.４ｇ
（２１ミリモル）を得た。

【００８４】（ｊ）上記反応により得られたピラノース
化合物6.４ｇ（２１ミリモル）をヘキサノール４０ミリ
リットルに溶かし、パラトルエンスルホン酸0.１ｇを加
え、室温で１８時間反応した。この反応溶液をそのま
ま、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、
アセタール化合物8.０ｇ（２１ミリモル）を得た。ま
た、得られた化合物はジアステレオマー混合物である
が、分離せずに次の反応に用いた。

【００８５】（ｋ）上記反応により得られたアセタール
化合物8.０ｇ（２１ミリモル）をテトラヒドロフラン２
０ミリリットルに溶かし、テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムフルオライドの1.０モル／リットルのテトラヒドロ
フラン溶液１０ミリリットルを加えて、０℃で１時間，
室温で４０時間反応した。蒸留水を加えて反応を停止
し、ジエチルエーテルで抽出した。次に、飽和食塩水で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジエチルエ
ーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで分離精製して目的とする（２Ｒ，５Ｓ，６
Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−ヘ
キシルオキシ−５−ヒドロキシピラン3.０ｇ（１１ミリ
モル）及び（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−
トリフルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−ヒドロ
キシピラン2.３ｇ（８ミリモル）を得た。

【００８６】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。（１）（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）体分子式：Ｃ₁₂Ｈ₂₁Ｆ₃Ｏ₃ ¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.８８（ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，３Ｈ） 1.２０〜1.３９（ｍ，６Ｈ） 1.５０〜1.７１（ｍ，４Ｈ） 1.８３〜2.０４（ｍ，２Ｈ） 2.１３〜2.２２（ｍ，１Ｈ） 3.４６（ｄｔ，Ｊ＝9.４，6.９Ｈｚ，１Ｈ） 3.６６（ｄｑ，Ｊ＝8.９，6.３Ｈｚ，１Ｈ） 3.８１〜3.９３（ｍ，２Ｈ） 4.５２（ｄｄ，Ｊ＝2.０，8.７Ｈｚ，１Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（同位体フッ素による核磁気共鳴法，基
準：ＣＦＣｌ₃) ； δ（ｐｐｍ） −７5.１３（ｄ，Ｊ＝6.３Ｈｚ）ＩＲ（赤外線吸収：ｃｍ^-1）３４５０，１２７５，１１７０，１１３０，１１４５，
１０９０，９４０質量分析ｍ／ｅ（Ｍ⁺＋Ｈ）計算値２７1.１５２１実測値２７1.１５１２［α］_D ²⁵＝−３6.０°（Ｃ（濃度）＝1.０５，溶媒：
メタノール）

【００８７】（２）（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）体分子式：Ｃ₁₂Ｈ₂₁Ｆ₃Ｏ₃ ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.９０（ｔ，Ｊ＝7.３Ｈｚ，３Ｈ） 1.２３〜1.４５（ｍ，６Ｈ） 1.５２〜1.６７（ｍ，２Ｈ） 1.７６〜2.００（ｍ，５Ｈ） 3.４２（ｄｔ，Ｊ＝9.７，6.４Ｈｚ，１Ｈ） 3.６８（ｄｔ，Ｊ＝9.７，6.８Ｈｚ，１Ｈ） 3.７９〜3.９８（ｍ，２Ｈ） 4.８６（ｍ，１Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃) ；δ（ｐｐｍ） −７5.１７（ｄ，Ｊ＝6.２Ｈｚ）ＩＲ（ｃｍ^-1）３４００，１２７０，１１７５，１１３０，１０４５，
９４５質量分析ｍ／ｅ（Ｍ⁺＋Ｈ）計算値２７1.１５２１実測値２７1.１４９３［α］_D ²⁵＝＋８6.５°（Ｃ（濃度）＝1.０８，溶媒：
メタノール）

【００８８】参考例２（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−
６−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシピラン及び
（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−
６−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシピランの合成

【００８９】

【化３８】

【００９０】〔式中、＊は前記と同じである。〕（ａ）参考例１（ｉ）で得られたピラノース化合物1.７
( 5.７ミリモル）をブタノール１５ミリリットルに溶か
し、参考例１（ｊ）と同様の操作を行い、アセタール化
合物1.９ｇ( 5.３ミリモル）を得た。得られた化合物は
ジアステレオマー混合物であるが、分離せずに次の反応
に用いた。

【００９１】（ｂ）上記反応で得られたアセタール化合
物1.９ｇ( 5.３ミリモル）を用い、参考例１（ｋ）と同
様の操作を行い、目的とする（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テ
トラヒドロ−２−ブトキシ−６−トリフルオロメチル−
５−ヒドロキシピラン0.６４ｇ( 2.６ミリモル）及び
（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−
６−トリフルオロメチル−５−ヒドロキシピラン0.５９
ｇ( 2.４ミリモル）を得た。

【００９２】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。（１）（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）体分子式：Ｃ₁₀Ｈ₁₇Ｆ₃Ｏ₃ ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.９２（ｔ，Ｊ＝7.３Ｈｚ，３Ｈ） 1.３０〜1.４５（ｍ，２Ｈ） 1.５２〜1.６５（ｍ，４Ｈ） 1.８８〜2.２２（ｍ，３Ｈ） 3.４７（ｄｔ，Ｊ＝9.５，6.８Ｈｚ，１Ｈ） 3.６７（ｄｑ，Ｊ＝9.０，6.２Ｈｚ，１Ｈ） 3.７９〜3.９６（ｍ，２Ｈ） 4.５２（ｄｄ，Ｊ＝2.０，8.６Ｈｚ，１Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃) ；δ（ｐｐｍ） −７5.１７（ｄ，Ｊ＝6.３Ｈｚ）ＩＲ（ｃｍ^-1）３４５０，１２７０，１１７０，１１４５，１０９０，
９４０質量分析ｍ／ｅ（Ｍ⁺＋Ｈ）計算値２４3.１２０８実測値２４3.１２０４［α］_D ²⁶＝−４0.８°（Ｃ（濃度）＝1.０７，溶媒：
メタノール）

【００９３】（２）（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）体分子式：Ｃ₁₀Ｈ₁₇Ｆ₃Ｏ₃ ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.９４（ｔ，Ｊ＝7.３Ｈｚ，３Ｈ） 1.３２〜1.４７（ｍ，２Ｈ） 1.５３〜1.６６（ｍ，２Ｈ） 1.７７〜2.０３（ｍ，５Ｈ） 3.４３（ｄｔ，Ｊ＝9.７，6.３Ｈｚ，１Ｈ） 3.６９（ｄｔ，Ｊ＝9.７，6.７Ｈｚ，１Ｈ） 3.８２〜3.９３（ｍ，２Ｈ） 4.８６（ｍ，１Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃) ；δ（ｐｐｍ） −７5.２０（ｄ，Ｊ＝6.２Ｈｚ）ＩＲ（ｃｍ^-1）３４００，１２７０，１１７５，１１３５，１０５０，
９４５質量分析ｍ／ｅ（Ｍ⁺＋Ｈ）計算値２４3.１２０８実測値２４3.１２３７［α］²⁵ _D＝＋ 1０1.８°（Ｃ（濃度）＝1.０６，溶
媒：メタノール）

【００９４】参考例３（５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチ
ルシロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ
ピランの合成

【００９５】

【化３９】

【００９６】（式中、ＴＢＳはターシャリブチルジメチ
ルシリル基を示す。＊は前記と同じである。）（ａ）窒素雰囲気下、フラン１3.６ｇ（２００ミリモ
ル）をテトラヒドロフラン１５０ミリリットルに加え、
1.５モル／リットルのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液
１３３ミリリットル（２００ミリモル）を−２０℃で滴
下し、１時間反応させた。次に、トリメチルシリルクロ
リド２1.７ｇ（２００ミリモル）を滴下し、−２０℃で
１時間攪拌した。1.５モル／リットルのｎ−ブチルリチ
ウムヘキサン溶液１３３ミリリットル（２００ミリモ
ル）を加え、−２０℃で１時間反応させた後、−７８℃
でトリフルオロ酢酸エチル２8.４ｇ（２００ミリモル）
を滴下し、−７８℃で１時間、室温でさらに１時間反応
させた。この反応溶液に３規定の塩酸を加えて反応を停
止させ、酢酸エチルで抽出した。次いで、飽和炭酸水素
ナトリウム溶液，飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去し、フラ
ン誘導体の粗生成物を得た。

【００９７】（ｂ）乾燥エタノール１００ミリリットル
に水素化ホウ素ナトリウム2.３ｇ（６０ミリモル）を加
え、上記反応で得たフラン誘導体の粗生成物を０℃で３
０分かけて滴下した。室温で２時間反応させた後、エタ
ノールを減圧留去し、３規定の塩酸を加えて反応を停止
させ、酢酸エチルにより抽出した。次いで、飽和炭酸水
素ナトリウム，飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去した後、減
圧蒸留を行い、アルコール化合物４0.５ｇ（１７０ミリ
モル）を得た。

【００９８】（ｃ）塩化メチレン２００ミリリットルに
上記（ｂ）の反応で得たアルコール化合物６4.１ｇ（２
６９ミリモル）とピリジン２7.７ミリリットル（３５０
ミリモル）を加え、０℃で塩化アセチル２7.５ｇ（３５
０ミリモル）を滴下し、室温で２時間反応させた。次い
で、３規定の塩酸を加えて反応を停止させ、塩化メチレ
ンで抽出した。その後、飽和炭酸水素ナトリウム溶液，
蒸留水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。塩化メチレンを減圧留去した後、減圧蒸留を行い、
エステル化合物７5.１ｇ（２６８ミリモル）を得た。

【００９９】（ｄ）蒸留水１８００ミリリットルに上記
反応により得られたエステル化合物５8.５ｇ（２０９ミ
リモル）を加えて、ミニジャーファーメンター中で４０
℃で攪拌した。リパーゼＰＳを３０ｇ加え、１０時間反
応させた。３規定の塩酸を加え、０℃に冷却して反応を
停止し、セライトによりろ過した。ろ液を酢酸エチルに
より抽出し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、酢酸エチルを減圧留去した。次いで、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより分離精製して光
学活性アルコール化合物２3.２ｇ（９7.４ミリモル）と
光学活性エステル化合物２5.６ｇ（９1.４ミリモル）を
得た。なお、得られたアルコール化合物の光学純度は９
8.０％e.e.であった。

【０１００】（ｅ）上記反応で得られた光学活性アルコ
ール化合物２5.８ｇ（１０８ミリモル）を塩化メチレン
２００ミリリットルに溶かし、イミダゾール１0.５ｇ
（１５１ミリモル）とｔ−ブチルジメチルシリルクロリ
ド２3.０ｇ（１５１ミリモル）を０℃で加えて１５分攪
拌し、室温で１６時間反応させた。蒸留水を加えて反応
を停止させ、塩化メチレンにより抽出した。次いで、蒸
留水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。塩化
メチレンを減圧留去した後、カラムクロマトグラフィー
により分離精製してシリルエーテル化合物３7.２ｇ（１
０６ミリモル）を得た。

【０１０１】（ｆ）窒素雰囲気下、酢酸１２０ミリリッ
トルに上記反応で得られたシリルエーテル化合物１4.１
ｇ（４０ミリモル）及びモノパーオキシフタル酸マグネ
シウム２3.２ｇ（６０ミリモル）を加え、８０℃で１２
時間反応させた。酢酸を減圧留去した後、飽和炭酸水素
ナトリウム溶液を加え、酢酸エチルにより抽出した。次
いで、得られた抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去した
後、カラムクロマトグラフィーにより分離精製し、（４
Ｓ，１’Ｓ）ブテノリド化合物 4.7ｇ（１６ミリモル）
及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブテノリド化合物 3.0ｇ（１０ミ
リモル）を得た。なお、4.２ｇ（１２ミリモル）の原料
も回収された。

【０１０２】（ｇ）上記反応で得られた（４Ｓ，１’
Ｓ）及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブテノリド化合物１3.７ｇ
（４６ミリモル）を分離せずにエタノール４０ミリリッ
トルに溶かし、１０％Ｐｄ／Ｃ（Ｐｄ１０重量％含
有）を1.４ｇ加え、水素雰囲気下、室温で１５時間反応
した。反応溶液を濾過し、溶媒を減圧留去した後、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、（４
Ｓ，１’Ｓ）ブタノリド化合物8.２ｇ（２９ミリモル）
及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブタノリド化合物3.６ｇ（１２ミ
リモル）を得た。

【０１０３】（ｈ）窒素雰囲気下、ジエチルエーテル４
０ミリリットルに上記反応により得られた（４Ｓ，１’
Ｓ）ブタノリド化合物7.５ｇ（２５ミリモル）を加え、
−７８℃で水素化ジイソブチルアルミニウムの0.９３モ
ル／リットルのｎ−ヘキサン溶液３２ミリリットル（３
０ミリモル）を滴下し、３時間反応した。蒸留水を加え
て反応を停止し、１規定の塩酸を加え中和した後、ジエ
チルエーテルで抽出した。飽和食塩水で洗浄後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、ジエチルエーテルを減圧留去
した。次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製して、ラクトール化合物7.３ｇ（２４ミリモル）を得
た。

【０１０４】（ｉ）窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン
５０ミリリットルに上記反応により得られたラクトール
化合物7.３ｇ（２４ミリモル）を加え、−７８℃でカリ
ウム−ｔ−ブトキシド3.０ｇ（２７ミリモル）のテトラ
ヒドロフラン１０ミリリットル溶液を滴下し、３時間反
応した。蒸留水を加えて反応を停止し、１規定の塩酸を
加え中和した後、ジエチルエーテルで抽出した。飽和食
塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ジエチ
ルエーテルを減圧留去した。次いでシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製して、目的とする（５Ｓ，６
Ｓ）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチルシロキシ
−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシピラン6.４
ｇ（２１ミリモル）を得た。得られた化合物は、同位体
フッ素による核磁気共鳴法から、モル比が８２：１８の
ジアステレオマーの混合物であった。

【０１０５】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。（１）（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）体分子式：Ｃ₁₂Ｈ₂₃Ｆ₃Ｏ₃Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.０３（ｓ，６Ｈ） 0.８５（ｓ，９Ｈ） 1.４０〜2.１０（ｍ，４Ｈ） 2.９０〜3.１０（ｍ，１Ｈ） 3.７８（ｄｔ，Ｊ＝5.６，8.９Ｈｚ，１Ｈ） 4.１１（ｄｑ，Ｊ＝9.２，6.９Ｈｚ，１Ｈ） 5.２０〜5.４０（ｍ，１Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（同位体フッ素による核磁気共鳴法，基
準：ＣＦ₃ＣＯＯＨ) ；δ（ｐｐｍ） 4.９０（ｄ，Ｊ＝6.１Ｈｚ）

【０１０６】（２）（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）体分子式：Ｃ₁₂Ｈ₂₃Ｆ₃Ｏ₃Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.０５（ｓ，６Ｈ） 0.８５（ｓ，９Ｈ） 1.４０〜2.１０（ｍ，４Ｈ） 3.２０〜3.４０（ｍ，１Ｈ） 3.６７（ｄｔ，Ｊ＝8.８，6.２Ｈｚ，１Ｈ） 3.７０〜3.９０（ｍ，１Ｈ） 4.８０〜5.００（ｍ，１Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦ₃ＣＯＯＨ) ；δ（ｐｐｍ） 4.８０（ｄ，Ｊ＝7.６Ｈｚ）

【０１０７】参考例４（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−
６−トリフルオロメチル−５−〔４−（４’−デシルオ
キシビフェニル−４−カルボニルオキシ）フェニル−１
−カルボニルオキシ〕ピランの合成

【０１０８】

【化４０】

【０１０９】（式中、＊は前記と同じである。）ａ）４−ベンジルオキシ安息香酸クロリド0.５９ｇ( 2.
４ミリモル）と参考例２と同様の操作で得られた（２
Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−６−
トリフルオロメチル−５−ヒドロキシピラン0.４８ｇ(
2.０ミリモル）のトルエン溶液１０ミリリットル中に無
水ピリジン１ミリリットルを加え、室温で２４時間反応
した。この反応溶液に蒸留水を加えて反応を停止し、エ
ーテルにより反応物を抽出した。次いで、飽和食塩水で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。含有するエ
ーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製し、エステル化合物0.４１ｇ( 0.９ミリ
モル）を得た。ｂ）上記ａ）で得られた化合物のトルエン（５ミリリッ
トル）酢酸（１ミリリットル）混合溶液に１０％Ｐｄ／
Ｃを0.１ｇ加え、水素雰囲気下、室温で水素化分解反応
を１１５時間行った。その後、反応溶液を濾過し、溶媒
を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにより精製しアルコール化合物0.３０ｇ( 0.８ミリモ
ル）を得た。ｃ）上記ｂ）で得られた化合物0.３０ｇ( 0.８ミリモ
ル）と４’−デシルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸
クロリド0.３７ｇ( 1.０ミリモル）を用い、上記ａ）と
同様の操作を行い、目的化合物である（２Ｓ，５Ｒ，６
Ｒ）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−６−トリフルオロ
メチル−５−〔４−（４’−デシルオキシビフェニル−
４−カルボニルオキシ）フェニル−１−カルボニルオキ
シ〕ピラン0.５０ｇ( 0.７２ミリモル）を得た。

【０１１０】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。分子式：Ｃ₄₀Ｈ₄₉Ｆ₃Ｏ₇ ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.８５〜1.０２（ｍ，６Ｈ） 1.２２〜2.０９（ｍ，２３Ｈ） 2.４０〜2.５２（ｍ，１Ｈ） 3.５１（ｄｔ，Ｊ＝9.４，6.８Ｈｚ，１Ｈ） 3.９３（ｄｔ，Ｊ＝9.４，6.７Ｈｚ，１Ｈ） 4.０２（ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，２Ｈ） 4.００〜4.１２（ｍ，１Ｈ） 4.６５（ｄｄ，Ｊ＝2.０，8.５Ｈｚ，１Ｈ） 5.１８〜5.３０（ｍ，１Ｈ） 7.０１（ｄ，Ｊ＝8.６Ｈｚ，２Ｈ） 7.３３（ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６０（ｄ，Ｊ＝8.６Ｈｚ，２Ｈ） 7.７０（ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０（ｄ，Ｊ＝8.６Ｈｚ，２Ｈ） 8.２３（ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃）；δ（ｐｐｍ） −７5.７９（ｄ，Ｊ＝6.２Ｈｚ）ＩＲ（ｃｍ^-1) １７３５，１７２０，１６０５，１５０５，１２６０，
１１６５，１０７５質量分析ｍ／ｅ（Ｍ⁺) 計算値６９8.３４３１実測値６９8.３４４２［α］²⁶ _D＝＋6.８°（Ｃ（濃度）＝0.９０，溶媒：ク
ロロホルム）得られた化合物の相転移温度は、以下の通りであった。

【０１１１】

【化４１】

【０１１２】Ｃｒｙ：結晶相ＳｍＣ_A ^*：反強誘電性カイラルスメクチックＣ相ＳｍＡ：スメクチックＡ相Ｉｓｏ：等方性液体相参考例５（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−
６−トリフルオロメチル−５−〔４−（４’−デシルオ
キシビフェニル−４−カルボニルオキシ）フェニル−１
−カルボニルオキシ〕ピランの合成

【０１１３】

【化４２】

【０１１４】（式中、＊は前記と同じである。）ａ）４−ベンジルオキシ安息香酸クロリド0.５９ｇ( 2.
４ミリモル）と参考例２と同様の操作で得られた（２
Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−６−
トリフルオロメチル−５−ヒドロキシピラン0.４８ｇ(
2.０ミリモル）のトルエン溶液１０ミリリットル中に無
水ピリジン１ミリリットルを加え、室温で２４時間反応
した。この反応溶液に蒸留水を加えて反応を停止し、エ
ーテルにより反応物を抽出した。次いで、飽和食塩水で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。含有するエ
ーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製し、エステル化合物0.３４ｇ( 0.７ミリ
モル）を得た。ｂ）上記ａ）で得られた化合物のトルエン（５ミリリッ
トル）酢酸（１ミリリットル）混合溶液に１０％Ｐｄ／
Ｃを0.１ｇ加え、水素雰囲気下、室温で水素化分解反応
を１２０時間行った。その後、反応溶液を濾過し、溶媒
を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにより精製しアルコール化合物0.２６ｇ( 0.７ミリモ
ル）を得た。ｃ）上記ｂ）で得られた化合物0.２６ｇ( 0.７ミリモ
ル）と４’−デシルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸
クロリド0.３３ｇ( 0.９ミリモル）を用い、上記ａ）と
同様の操作を行い、目的化合物である（２Ｒ，５Ｒ，６
Ｒ）−テトラヒドロ−２−ブトキシ−６−トリフルオロ
メチル−５−〔４−（４’−デシルオキシビフェニル−
４−カルボニルオキシ）フェニル−１−カルボニルオキ
シ〕ピラン0.３４ｇ( 0.４８ミリモル）を得た。

【０１１５】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。分子式：Ｃ₄₀Ｈ₄₉Ｆ₃Ｏ₇ ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.８９（ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，３Ｈ） 0.９７（ｔ，Ｊ＝7.３Ｈｚ，３Ｈ） 1.１９〜2.２６（ｍ，２４Ｈ） 3.４９（ｄｔ，Ｊ＝9.７，6.４Ｈｚ，１Ｈ） 3.７６（ｄｔ，Ｊ＝9.７，6.７Ｈｚ，１Ｈ） 4.０２（ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，２Ｈ） 4.２９（ｄｑ，Ｊ＝9.７，6.３Ｈｚ，１Ｈ） 4.９５（ｍ，１Ｈ） 5.２６（ｄｄｄ，Ｊ＝5.４，9.７，9.８Ｈｚ，
１Ｈ） 7.０１（ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.３３（ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６０（ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.７０（ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１２（ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 8.２３（ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃）；δ（ｐｐｍ） −７6.０１（ｄ，Ｊ＝6.３Ｈｚ）ＩＲ（ｃｍ^-1) １７３０，１７２０，１６０５，１５００，１２７０，
１１８０［α］²⁶ _D＝−５2.５°（Ｃ（濃度）＝1.０９，溶媒：
クロロホルム）得られた化合物の相転移温度は、以下の通りであった。

【０１１６】

【化４３】

【０１１７】参考例６（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−（４″−ヘキシル
オキシビフェニル−４’−カルボニルオキシ）ピランの
合成

【０１１８】

【化４４】

【０１１９】（式中、＊は前記と同じである。）ａ）（５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチル
ジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒド
ロキシピラン6.４ｇ（２１ミリモル）をヘキサノール４
０ミリリットルに溶かし、パラトルエンスルホン酸0.１
ｇを加え、室温で１８時間反応した。この反応溶液をそ
のままシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、
アセタール化合物8.０ｇ（２１ミリモル）を得た。ｂ）上記ａ）で得られたアセタール化合物8.０ｇをテ
トラヒドロフラン２０ミリリットルに溶かし、テトラ−
ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドの1.０モル／リッ
トルのテトラヒドロフラン溶液１０ミリリットルを加
え、０℃で１時間、室温で４０時間反応させた。この反
応液に蒸留水を加えて反応を停止し、反応物をエーテル
で抽出した。次いで得られた抽出物を飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。含有エーテルを
減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
で分離精製して、（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）の不斉炭素を有
するアルコール化合物3.０ｇ（１１ミリモル）および
（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化
合物2.３ｇ（8.０ミリモル）を得た。ｃ）上記ｂ）で得られた（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）の不斉
炭素を有するアルコール化合物0.５６ｇ（2.１ミリモ
ル）のテトラヒドロフラン（５ミリリットル）溶液を、
６０％水素化ナトリウム0.１０ｇ（2.５ミリモル）のテ
トラヒドロフラン（３ミリリットル）溶液に窒素雰囲気
下０℃で滴下し３０分間攪拌した。次いで、１−ブロモ
ヘキサン0.３５ミリリットル（2.５ミリモル）およびジ
メチルスルホキシド２ミリットルを加え室温で１８時間
反応させた。この反応液に蒸留水を加えて反応を停止
し、反応物をエーテルで抽出した。次いで得られた抽出
物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。エーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで分離精製して、エーテル化合物0.７
２ｇ（2.０ミリモル）を得た。ｄ）上記ｃ）で得られたエーテル化合物0.５２ｇ（1.
５ミリモル）をテトラヒドロフラン１０ミリリトルに溶
かし、蒸留水１０ミリリットルおよび濃硫酸２ミリリッ
トルを加え、５０時間還流した。１規定水酸化カリウム
水容液を加え、反応を停止し、反応物をエーテルで抽出
した。次いで、抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。エーテルを減圧留去した後、
シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、
ヘミアセタール化合物0.３７ｇ（1.４ミリモル）を得
た。ｅ）上記ｄ）で得られたヘミアセタール化合物0.２９
ｇ（1.１ミリモル）および４’−ヘキシルオキシ−４−
ビフェニルカルボン酸クロリド0.４９ｇ（1.６ミリモ
ル）を用い、実施例１ａ）と同様の反応を行い、目的物
である（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリ
フルオロメチル−２−ヘキシルオキシ−５−（４″−ヘ
キシルオキシビフェニル−４’−カルボニルオキシ）ピ
ラン0.３４ｇ（0.６ミリモル）を得た。

【０１２０】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。分子式：Ｃ₃₁Ｈ₄₁Ｆ₃Ｏ₅ ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.８１〜0.９９（ｍ，６Ｈ） 1.１９〜1.６８（ｍ，１５Ｈ） 1.７０〜1.９３（ｍ，４Ｈ） 2.１２〜2.２５（ｍ，１Ｈ） 2.２９〜2.４２（ｍ，１Ｈ） 3.４０〜3.６５（ｍ，３Ｈ） 4.０１（ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 6.１４（ｄｄ，Ｊ＝2.７，6.６Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８（ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６（ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２（ｄ，Ｊ＝8.５Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０（ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣｌ₃）；δ（ｐｐｍ） −７4.９８（ｄ，Ｊ＝7.４Ｈｚ）ＩＲ（ｃｍ^-1) １７３０，１６０５，１４９５，１２６５，１１８０，
１０８０質量分析ｍ／ｅ（Ｍ⁺) 計算値５５0.２９０６実測値５５0.２９１４［α］²⁶ _D＝＋１0.７°（Ｃ（濃度）＝1.０３，溶媒：
クロロホルム）得られた化合物の相転移温度は、以下の通りであった。

【０１２１】

【化４５】

【０１２２】実施例１下記の化合物

【０１２３】

【化４６】

【０１２４】をそれぞれ２５重量％からなる母体液晶Ａ
を作製した。この液晶Ａに参考例６で得られた光学活性
テトラヒドロピラン誘導体が１０〜４０重量％となるよ
うに混合し、液晶組成物Ａ〜Ｄを作製した。得られた母
体液晶Ａの相転移温度は、以下の通りである。

【０１２５】

【化４７】

【０１２６】ＳｍＣ：スメクチックＣ相ＳｍＡ：スメクチックＡ相Ｎ：ネマチック相Ｉｓｏ：等方性液体状態Ｃｒｙ：結晶体

【０１２７】また、母体液晶Ａ７０重量％および下記化
合物３０重量％

【０１２８】

【化４８】

【０１２９】からなる母体液晶Ｂを作製した。得られた
母体液晶Ｂの相転移温度は、以下の通りである。

【０１３０】

【化４９】

【０１３１】この母体液晶Ｂに、参考例６で得られた化
合物を５０〜６０重量％添加して液晶組成物Ｅ，Ｆを作
製した。さらに、下記

【０１３２】

【化５０】

【０１３３】の組成からなる母体液晶Ｃを作製した。得
られた母体液晶Ｃの相転移温度は、以下の通りである。

【０１３４】

【化５１】

【０１３５】この母体液晶Ｃに、参考例６で得られた化
合物を７０〜９０重量％添加して液晶組成物Ｇ，Ｈ，Ｉ
を作製した。得られた液晶組成物Ａ〜Ｉの相転移温度を
第１表に示す。

【０１３６】

【表１】

【０１３７】この液晶組成物を等方相でパラレルラビン
グ処理を施したポリイミド配向膜を有するセル間隔2.０
μｍの液晶素子に注入した。徐冷して配向させ、３０℃
でＶ _PP＝２０Ｖの三角波電圧を印加したときの透過光強
度変化を偏光顕微鏡下で観察した。その結果、液晶組成
物Ａ〜Ｄでは、シングルヒステリシス（図２参照）が観
察されたのに対し、液晶組成物Ｅ〜Ｈではトリプルヒス
テリシス（図３参照）が観察された。

【０１３８】実施例２実施例１で作製した母体液晶Ｂに参考例５で得られた化
合物を４０〜９０重量％添加して液晶組成物Ｊ〜Ｎを作
製した。得られた液晶組成物Ｊ〜Ｎの相転移温度を第２
表に示す。得られた液晶組成物Ｊ〜Ｌは液晶相を示さ
ず、液晶組成物Ｍは８５〜５２℃でＳｍＣγ^*相を示
し、５２〜−１０℃でＳｍＣ_A ^*相を示し、液晶組成物
Ｎは１０８〜３４℃でＳｍＣ_A ^*相を示した。

【０１３９】

【表２】

【０１４０】

【発明の効果】本発明の反強誘電性液晶組成物あるいは
フェリ誘電性液晶組成物は、光安定性にも優れた高速応
答性を有するものである。したがって、本発明の反強誘
電性液晶組成物あるいはフェリ誘電性液晶組成物及びそ
れからなる液晶素子は、表示素子あるいは電気光学素子
に有効に用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】反強誘電性を示すダブルヒステリシスを示
す。

【図２】強誘電性を示すシングルヒステリシスを示
す。

【図３】フェリ誘電性を示すトリプルヒステリシスを
示す。

フロントページの続き (72)発明者竹田充範茨城県鹿島郡神栖町東和田４番地鹿島石油株式会社鹿島製油所内 (72)発明者村山義信茨城県鹿島郡神栖町東和田４番地鹿島石油株式会社鹿島製油所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）一般式（Ｉ）または（Ｉ’）【化１】〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロアルキル基を
示し、Ｒ¹は炭素数３〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキル
基を示し、Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴はそれぞれ独立に水素又
は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル基，炭素数
２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜１０のアラルキ
ル基を示し、Ｘ¹は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−Ｏ−又
は単結合を示し、Ｘ²は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−Ｃ
Ｈ₂Ｏ−，−ＯＣＨ₂−，−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を示
し、Ｘ³は−ＣＯＯ−，−ＣＨ₂Ｏ−又は−Ｏ−を示
し、Ｘ⁴は−Ｏ−又は−ＯＣＯ−又は単結合を示し、＊
は不斉炭素を示し、Ａ及びＢはそれぞれ独立にハロゲ
ン，シアノ基，含フッ素アルキル基で置換されていても
よい含六員環基を示し、ｎは０または１を示す。〕で表
される光学活性テトラヒドロピラン誘導体５０〜９５重
量％，（ｂ）前記（ａ）以外のカイラルスメクチックＣ
相（ＳｍＣ^*）を有する化合物あるいは混合物，および
／または（ｃ）前記（ａ）以外のスメクチックＣ相（Ｓ
ｍＣ）を有する化合物あるいは混合物からなり、（ｂ）
と（ｃ）の合計量が５０〜５重量％であることを特徴と
する反強誘電性液晶組成物あるいはフェリ誘電性液晶組
成物。
【請求項２】請求項１記載の反強誘電性液晶組成物あ
るいはフェリ誘電性液晶組成物を、一対の電極基板間に
配設してなることを特徴とする液晶素子。