JPH07330753A - 光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 表示素子あるいは電気光学素子に用いられる
液晶材料として有用な新規な光学活性テトラヒドロピラ
ン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子の開
発 【構成】 一般式（Ｉ）又は（Ｉ’） 【化１】 〔式中、記号は明細書に記載の通りである。〕で表され
る光学活性テトラヒドロピラン誘導体，それを含有する
液晶組成物及び液晶素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光学活性テトラヒドロピ
ラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素子に
関し、詳しくは、表示素子あるいは電気光学素子に用い
られる液晶材料として有用な新規な光学活性テトラヒド
ロピラン誘導体，それを含有する液晶組成物及び液晶素
子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種の表示素子，電子光学デバイ
ス，液晶センサなど、液晶の利用分野が著しく拡大しつ
つあり、それに伴って様々な構造の液晶化合物が提案さ
れてきた。特に、表示素子に用いられる液晶材料は、現
在のところネマティック液晶が主流であり、これを用い
たＴＮ型あるいはＳＴＮ型の単純マトリックス方式及び
個々の画素ごとに薄膜トランジスタを付与したＴＦＴ型
のアクティブマトリックス方式が用いられている。しか
し、ネマティック液晶は、その駆動力が液晶材料の誘電
率の異方性と電場との弱い相互作用に基づくため、本質
的に応答速度が遅い（ｍｓｅｃオーダー）という欠点を
有しており、高速応答を要求される大画面の表示素子の
材料としては不利であった。これに対して、１９７５年
マイヤー( R. B. Meyer ) らにより初めて合成された強
誘電性液晶は、自発分極を有し、これが直接電界と作用
するため、駆動力が大きく、１９８０年にクラーク( N.
A. Clark ）らが表面安定化型強誘電性液晶素子（ＳＳ
ＦＬＣＤ）において、そのμｓｅｃオーダーの高速応答
性とメモリー性を発表して以来、注目を集め、これまで
多くの強誘電性液晶化合物が合成されてきた。

【０００３】強誘電性液晶の応答速度はτ＝η／（Ｐｓ
・Ｅ）で知られている。ここでηは回転粘性を示し、Ｐ
ｓは自発分極を示し、Ｅは電界強度を示す。これから、
高速応答性を得るため、粘性が小さく、自発分極の大き
な液晶材料が開発目標とされてきた。また、液晶材料と
しては、化学的安定性，広動作温度範囲などの特性が要
求されるが、単一の化合物でこれらの諸特性を満たすこ
とは困難であった。したがって、従来、複数のカイラル
スメクチックＣ相（ＳｍＣ^* 相) を有する化合物どうし
を混合したり、粘性の低いスメクチックＣ相（ＳｍＣ
相）を有する母体液晶に光学活性な化合物を添加して所
望の性能を有するＳｍＣ^* 相を示す強誘電性液晶組成物
を得る方法が用いられてきた。後者の場合には、添加す
るカイラルドーパントは、それ自体ＳｍＣ^* 相を有して
いても、有していなくてもよく、母体液晶との相溶性が
良好で、大きな自発分極を誘起し、粘性を増大させない
ことが要求される。

【０００４】自発分極は、分子長軸に対して垂直な方向
の双極子モーメントが不斉炭素の影響により長軸回りの
自由回転が抑制された結果生じると考えられている。し
たがって、双極子部分をコアと呼ばれる骨格部に近づ
ける、双極子部分と不斉炭素原子を近づける、不斉
炭素に立体的に大きな置換基をつけ、長軸回りの自由回
転を抑制する等の方法で自発分極を増大させる試みがな
されてきた。さらに最近、双極子部分と不斉炭素を５員
環ラクトンに直結させた構造の化合物が効果的に自由回
転を束縛し、大きな自発分極を有することが報告された
（Japanese Journal of Applied Physics, 29 巻，No.
6、 ppL 981 〜L 983)。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような状況下で本
発明者らは、さらに新たなタイプの液晶として有望で、
自発分極が大きく、高速応答性に優れた、テトラヒドロ
ピラン環を有する新規な光学活性化合物を開発すること
を目的として鋭意研究を重ねた。

【０００６】

【課題を解決するための手段】その結果、本発明者ら
は、テトラヒドロピラン環上の一つの不斉炭素原子に、
それ自体大きな電子吸引性を有するフルオロアルキル基
を有し、別の不斉炭素原子にシロキシ基を有する新規化
合物が、単品で液晶性を示すか、あるいは単品では液晶
性を示さないが、組成物とした場合に高速応答が期待で
きる優れたカイラルドーパントとなりうることを見い出
した。本発明はかかる知見に基づいて完成したものであ
る。すなわち、本発明は一般式（Ｉ）又は（Ｉ’）

【０００７】

【化４】

【０００８】〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロ
アルキル基を示し、Ｒ¹ は炭素数３〜２０の直鎖又は分
岐鎖アルキル基を示し、Ｒ² 及びＲ³ はそれぞれ独立に
水素又は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル基，
炭素数２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜１０のア
ラルキル基を示し、Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ 及びＲ⁶ はそれぞれ独立
に水素又は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル
基，炭素数２〜１５のアルケニル基，炭素数６〜１０の
アリール基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を示し、
Ｘ¹ は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−Ｏ−又は単結合を示
し、Ｘ² は−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＨ₂ Ｏ−，−
ＯＣＨ₂ −，−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を示し、Ｘ³ は−Ｃ
ＯＯ−，−ＣＨ₂ Ｏ−又は−Ｏ−を示し、Ｓｉは珪素を
示し、＊は不斉炭素を示し、Ａ及びＢはそれぞれ独立に
置換又は無置換の含六員環基を示し、ｎは０又は１を示
す。〕で表される光学活性テトラヒドロピラン誘導体を
提供するものである。また、本発明は上記光学活性テト
ラヒドロピラン誘導体を含有する液晶組成物あるいはそ
の液晶組成物からなる液晶素子をも提供するものであ
る。

【０００９】一般式（Ｉ）又は（Ｉ’）において、上記
のようなＲｆは炭素数１又は２のフルオロアルキル基を
示し、具体的にはトリフルオロメチル基，ジフルオロメ
チル基，クロロジフルオロメチル基，ペンタフルオロエ
チル基などであり、好ましくはトリフルオロメチル基で
ある。また、Ｒ¹ は炭素数３〜２０の直鎖又は分岐鎖ア
ルキル基、例えばｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ
−ブチル基，イソブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒ
ｔ−ブチル基，ｎ−ペンチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−
ヘプチル基，ｎ−オクチル基，ｎ−ノニル基，ｎ−デシ
ル基，ｎ−ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−トリデ
シル基，ｎ−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基，ｎ
−ヘキサデシル基，ｎ−ヘプタデシル基，ｎ−オクタデ
シル基，ｎ−ノナデシル基，ｎ−エイコシル基などであ
る。これらのうち、炭素数３〜１５の直鎖又は分岐鎖ア
ルキル基が好ましく、炭素数３〜１０の直鎖又は分岐鎖
アルキルがより好ましい。これらのうち、分岐鎖アルキ
ル基であって、不斉炭素を有する基は、光学活性基であ
る。

【００１０】さらに、Ｒ² 及びＲ³ は、それぞれ独立に
水素又は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル基，
炭素数２〜１５のアルケニル基又は炭素数７〜１０のア
ラルキル基を示す。炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖ア
ルキル基としては、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プ
ロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，ｓｅｃ−ブ
チル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ｎ−ペンチル基，イソペ
ンチル基，１−メチルブチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−
ヘプチル基，１−メチルヘプチル基，ｎ−オクチル基，
１−エチルヘプチル基，１−メチルオクチル基，ｎ−ノ
ニル基，１−エチルオクチル基，１−メチルノニル基，
ｎ−デシル基，ｎ−ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ
−トリデシル基，ｎ−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシ
ル基などである。また、炭素数２〜１５のアルケニル基
としては、例えばビニル基，アリル基，１−プロペニル
基，イソプロペニル基，１−ブテニル基，２−ブテニル
基，２−メチルアリル基，１−ペンテニル基，１−ヘキ
セニル基，１−ヘプテニル基，１−オクテニル基，２−
オクテニル基，１−ノネニル基，２−ノネニル基，１−
デセニル基，２−デセニル基，１−ウンデセニル基，２
−ウンデセニル基，１−ドデセニル基，２−ドデセニル
基，１−トリデセニル基，２−トリデセニル基，１−テ
トラデセニル基，２−テトラデセニル基，１−ペンタデ
セニル基，２−ペンタデセニル基などが挙げられる。炭
素数７〜１０のアラルキル基としては、例えばベンジル
基，フェネチル基，フェニルプロピル基，フェニルブチ
ル基などが挙げられる。

【００１１】また、Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ 及びＲ⁶ は、それぞれ独
立に水素又は炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル
基，炭素数２〜１５のアルケニル基，炭素数６〜１０の
アリール基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を示す。
炭素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル基としては、
例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロ
ピル基，ｎ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−
ブチル基，ｎ−ペンチル基，イソペンチル基，１−メチ
ルブチル基，ｎ−ヘキシル基，ｎ−ヘプチル基，１−メ
チルヘプチル基，ｎ−オクチル基，１−エチルヘプチル
基，１−メチルオクチル基，ｎ−ノニル基，１−エチル
オクチル基，１−メチルノニル基，ｎ−デシル基，ｎ−
ウンデシル基，ｎ−ドデシル基，ｎ−トリデシル基，ｎ
−テトラデシル基，ｎ−ペンタデシル基などである。ま
た、炭素数２〜１５のアルケニル基としては、例えばビ
ニル基，アリル基，１−プロペニル基，イソプロペニル
基，１−ブテニル基，２−ブテニル基，２−メチルアリ
ル基，１−ペンテニル基，１−ヘキセニル基，１−ヘプ
テニル基，１−オクテニル基，２−オクテニル基，１−
ノネニル基，２−ノネニル基，１−デセニル基，２−デ
セニル基，１−ウンデセニル基，２−ウンデセニル基，
１−ドデセニル基，２−ドデセニル基，１−トリデセニ
ル基，２−トリデセニル基，１−テトラデセニル基，２
−テトラデセニル基，１−ペンタデセニル基，２−ペン
タデセニル基などが挙げられる。さらに、炭素数６〜１
０のアリール基としては、例えばフェニル基，トルイル
基、パラフルオロフェニル基，メタフルオロフェニル
基，オルトフルオロフェニル基，パラクロロフェニル
基，メタクロロフェニル基，オルトクロロフェニル基，
パラトリフルオロメチルフェニル基，パラ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル基などが挙げられ、炭素数７〜１０のア
ラルキル基としては、例えばベンジル基，フェネチル
基，フェニルプロピル基，フェニルブチル基などが挙げ
られる。Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ 及びＲ⁶ としては、上記のような様
々な基のうち、直鎖又は分岐鎖の低級アルキル基、例え
ば炭素数１〜１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基であるの
が好ましく、炭素数１〜６の直鎖又は分岐鎖アルキル基
であるのがよりいっそう好ましい。

【００１２】また、一般式（Ｉ）又は（Ｉ’）におい
て、Ａ及びＢとしては、それぞれ独立に置換又は無置換
の含六員環基、例えば、

【００１３】

【化５】

【００１４】

【化６】

【００１５】などを挙げることができる。

【００１６】本発明による一般式（Ｉ）の化合物は、様
々な方法で製造することができるが、例えば下記の工程
により製造することができる。 （１）Ｘ³ ＝−ＣＯＯ− 及び ｎ＝０ の場合： 下記一般式（II） Ｒ¹ −Ｘ¹ −Ｂ−ＣＯHal ・・・（II） 〔式中、Ｒ¹ ，Ｘ¹ ，Ｂは前記と同じである。Hal は塩
素，臭素，沃素等のハロゲンを示す。〕で表される化合
物及び下記一般式（III)

【００１７】

【化７】

【００１８】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ 及び＊は前記と
同じである。ＴＢＳはｔ−ブチルジメチルシリル基を示
す。〕で表される化合物と反応させることにより下記一
般式（IV）

【００１９】

【化８】

【００２０】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｂ，Ｘ
¹ ，ＴＢＳ及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得ることができる。この反応は、有機塩基、例え
ばピリジン，トリエチルアミン等の存在下に、トルエ
ン，ベンゼン，塩化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８
０℃の温度で行うことができる。次に、得られた一般式
（IV）で表される化合物の脱シリル化を行い、一般式
（Ｖ）

【００２１】

【化９】

【００２２】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｂ，Ｘ
¹ 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。この脱シリル化反応は、種々の方法で行うことがで
きるが、例えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒として
テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドを用い、
０〜５０℃で行うことができる。なお、上記一般式
（Ｖ）で表される化合物は、２種類のジアステレオマー
の混合物であるが、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにより容易に分離することができる。この一般式
（Ｖ）で表される化合物を下記一般式（VI）

【００２３】

【化１０】

【００２４】〔式中、Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｓｉ及びHal
は前記と同じである。〕で表される化合物と反応させる
ことにより目的とする前記一般式（Ｉ）で表される化合
物を得ることができる。この反応は、有機塩基、例えば
イミダゾール等の存在下に、塩化メチレン，ジエチルエ
ーテル，テトラヒドロフラン，トルエン等の溶媒中で−
２０℃〜１２０℃の温度で行うことができる。

【００２５】（２）Ｘ³ ＝−ＣＨ₂ Ｏ− 及び ｎ＝０
の場合： 下記一般式（ＶII） Ｒ¹ −Ｘ¹ −Ｂ−ＣＨ₂ Ｚ ・・・（ＶII) 〔式中、Ｒ¹ ，Ｘ¹ 及びＢは前記と同じであり、Ｚは塩
素，臭素，ヨウ素又はトシル基を示す。〕で表される化
合物を前記の一般式（III)で表される化合物と反応させ
ることにより下記一般式（VIII）

【００２６】

【化１１】

【００２７】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｘ¹ ，
Ｂ，ＴＢＳ及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得ることができる。この反応は、例えば酸触媒と
してパラトルエンスルホン酸，塩酸，硫酸等を用い、テ
トラヒドロフラン、ジエチルエーテル，塩化メチレン，
トルエン等の溶媒中、０〜１００℃で行うことができ
る。得られた一般式（VIII）で表される化合物の脱シリ
ル化を行い、下記一般式（IX）

【００２８】

【化１２】

【００２９】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｘ¹ ，
Ｂ及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
ることができる。この脱シリル化反応は、種々の方法で
行うことができるが、例えばテトラヒドロフラン溶媒
中、触媒としてテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオ
ライドを用い、０〜５０℃で行うことができる。なお、
上記一般式（IX）で表される化合物は、２種類のジアス
テレオマーの混合物であるが、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにより容易に分離することができる。この
一般式（IX）で表される化合物と前記一般式（VI）で表
される化合物を反応させることにより、目的とする前記
一般式（Ｉ）で表される化合物を得ることができる。こ
の反応は、有機塩基、例えばイミダゾール等の存在下
に、塩化メチレン，ジエチルエーテル，テトラヒドロフ
ラン，トルエン等の溶媒中で−２０℃〜１２０℃の温度
で行うことができる。

【００３０】（３）Ｘ² ＝−ＣＯＯ−，Ｘ³ ＝−ＣＯＯ
− 及び ｎ＝１の場合： 下記一般式（Ｘ） ＢｚＯ−Ｂ−ＣＯHal ・・・（Ｘ) 〔式中、Ｂ及びHal は前記と同じであり、Ｂｚはベンジ
ル基を示す。〕で表される化合物を、上記一般式（III)
で表される化合物と反応させて、下記一般式（XI)

【００３１】

【化１３】

【００３２】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｂｚ，Ｂ，Ｔ
ＢＳ及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を
得る。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，トリエ
チルアミン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩化メチ
レン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うことが
できる。次に、得られた一般式（XI）の化合物の脱シリ
ル化を行い、下記一般式（ＸII）

【００３３】

【化１４】

【００３４】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｂｚ，Ｂ及び
＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得る。こ
の脱シリル化反応は、種々の方法で行うことができる
が、例えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒としてテト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドを用い、０〜
５０℃で行うことができる。この一般式（ＸII）で表さ
れる化合物と前記一般式（VI）で表される化合物を反応
させることにより、下記一般式（ＸIII ）

【００３５】

【化１５】

【００３６】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ ，
Ｒ⁶ ，Ｂｚ，Ｂ，Ｓｉ及び＊は前記と同じである。〕で
表される化合物を得る。この反応は、有機塩基、例えば
イミダゾール等の存在下に、塩化メチレン，ジエチルエ
ーテル，テトラヒドロフラン，トルエン等の溶媒中で−
２０℃〜１２０℃の温度で行うことができる。次に、得
られた一般式（ＸIII ）で表される化合物の脱ベンジル
化反応を行い、下記一般式（ＸIV）

【００３７】

【化１６】

【００３８】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ ，
Ｒ⁶ ，Ｂ，Ｓｉ及び＊は前記と同じである。〕で表され
る化合物を得る。この脱ベンジル化反応は、種々の方法
で行うことができるが、例えばパラジウム・カーボン
（Ｐｄ／Ｃ）触媒の存在下メタノール，エタノール，プ
ロパノール等のアルコール性溶媒又は酢酸を用いて常圧
で水素化分解することにより行うことができる。さら
に、得られた一般式（ＸIV）で表される化合物を下記一
般式（ＸＶ） Ｒ¹ −Ｘ¹ −Ａ−ＣＯHal ・・・（ＸＶ) 〔式中、Ｒ¹ ，Ｘ¹ ，Ａ及びHal は前記と同じであ
る。〕で表される化合物と反応させることにより目的と
する上記一般式（Ｉ）の化合物を得ることができる。こ
の反応は、有機塩基、例えばピリジン，トリエチルアミ
ン等の存在下にトルエン，ベンゼン，塩化メチレン等の
溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行うことができる。

【００３９】また、本発明による一般式（Ｉ’）の化合
物は、様々な方法で製造することができるが、例えば以
下の工程により製造することができる。 Ｘ³ ＝−ＣＯＯ− 及び ｎ＝０の場合：上記一般
式（III ）で表される化合物をジヒドロピランと反応さ
せて、下記一般式（XVI)

【００４０】

【化１７】

【００４１】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，ＴＢＳ及び＊
は前記と同じであり、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基
を示す。〕で表される化合物を得る。この反応は、酸触
媒として塩酸，硫酸，パラトルエンスルホン酸等を用
い、ジエチルエーテル，テトラヒドロフラン，クロロホ
ルム等の溶媒中で行うことができる。次に、得られた上
記一般式（XVI ）で表される化合物の脱シリル化を行
い、下記一般式（XVII）

【００４２】

【化１８】

【００４３】〔式中、Ｒｆ，Ｒ² ，Ｒ³ ，ＴＨＰ及び＊
は前記と同じである。〕で表される化合物を得る。この
脱シリル化反応は、種々の方法で行うことができるが、
例えばテトラヒドロフラン溶媒中、触媒としてテトラ−
ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドを用い、０〜５０
℃で行うことができる。この一般式（XVII）で表される
化合物と前記一般式（II）で表される化合物を反応させ
ることにより、下記一般式（XVIII ）

【００４４】

【化１９】

【００４５】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｂ，Ｘ
¹ ，ＴＨＰ及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得る。この反応は、有機塩基、例えばピリジン，
トリエチルアミン等の存在下に、トルエン，ベンゼン，
塩化メチレン等の溶媒中で−２０℃〜８０℃の温度で行
うことができる。次に、得られた一般式（XVII）で表さ
れる化合物中のＴＨＰを常法で脱離させることにより、
下記一般式（XIX ）

【００４６】

【化２０】

【００４７】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｂ，Ｘ
¹ 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。このテトラヒドロピラニル基の脱離は、塩酸，硫
酸，パラトルエンスルホン酸等の酸触媒の存在下に、ジ
エチルエーテル，テトラヒドロフラン，クロロホルム等
の溶媒中で行うことができる。さらに、得られた上記一
般式（XIX ）で表される化合物を上記一般式（VI）で表
される化合物と反応させることにより、目的とする上記
一般式（Ｉ’）の化合物を得ることができる。この反応
は、有機塩基、例えばイミダゾール等の存在下に、塩化
メチレン，ジエチルエーテル，テトラヒドロフラン，ト
ルエン等の溶媒中で−２０℃〜１２０℃の温度で行うこ
とができる。

【００４８】 Ｘ³ ＝−ＣＨ₂ Ｏ− 及び ｎ＝０
の場合：上記一般式（XVII）で表される化合物と上記一
般式（ＶII）で表される化合物とを反応させることによ
り、下記一般式（ＸＸ）

【００４９】

【化２１】

【００５０】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｂ，Ｘ
¹ ，ＴＨＰ及び＊は前記と同じである。〕で表される化
合物を得る。この反応は、一般式（XVII）で表される化
合物にアルカリ金属ヒドリド，水酸化ナトリウムあるい
は水酸化カリウムで代表される塩基を作用させた後、一
般式（ＶII）の化合物を加えることにより行うことがで
きる。次に、得られた一般式（ＸＸ）の化合物のＴＨＰ
を常法で脱離させることにより、下記一般式（ＸＸＩ）

【００５１】

【化２２】

【００５２】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｂ，Ｘ
¹ 及び＊は前記と同じである。〕で表される化合物を得
る。このテトラヒドロピラニル基の脱離は、塩酸，硫
酸，パラトルエンスルホン酸等の酸触媒の存在下に、ジ
エチルエーテル，テトラヒドロフラン，クロロホルム等
の溶媒中で行うことができる。さらに、得られた上記一
般式（ＸＸＩ）で表される化合物を上記一般式（VI）で
表される化合物と反応させることにより、目的とする上
記一般式（Ｉ’）の化合物を得ることができる。この反
応は、有機塩基、例えばイミダゾール等の存在下に、塩
化メチレン，ジエチルエーテル，テトラヒドロフラン，
トルエン等の溶媒中で−２０℃〜１２０℃の温度で行う
ことができる。

【００５３】また、本発明の一般式（Ｉ）および
（Ｉ’）で表される化合物を製造するため、原料物質と
して用いる一般式（III)で表される化合物は、様々な方
法で製造することができる。この一般式（III)で表され
る化合物の代表的なものとしては、例えば、

【００５４】

【化２３】

【００５５】などが挙げられる。上記のようにして得ら
れる本発明の一般式（Ｉ）の化合物としては、例えば

【００５６】

【化２４】

【００５７】

【化２５】

【００５８】

【化２６】

【００５９】

【化２７】

【００６０】

【化２８】

【００６１】

【化２９】

【００６２】

【化３０】

【００６３】

【化３１】

【００６４】

【化３２】

【００６５】

【化３３】

【００６６】

【化３４】

【００６７】

【化３５】

【００６８】

【化３６】

【００６９】

【化３７】

【００７０】

【化３８】

【００７１】〔式中、Ｒ¹ ，Ｘ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，
Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｓｉ及び＊は前記と同じである。〕などを
挙げることができる。また、上記のようにして得られる
本発明の一般式（Ｉ’）の化合物としては、例えば

【００７２】

【化３９】

【００７３】

【化４０】

【００７４】

【化４１】

【００７５】

【化４２】

【００７６】

【化４３】

【００７７】

【化４４】

【００７８】

【化４５】

【００７９】

【化４６】

【００８０】

【化４７】

【００８１】

【化４８】

【００８２】

【化４９】

【００８３】

【化５０】

【００８４】

【化５１】

【００８５】

【化５２】

【００８６】

【化５３】

【００８７】〔式中、Ｒ¹ ，Ｘ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，
Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｓｉ及び＊は前記と同じである。〕などを
挙げることができる。

【００８８】本発明の液晶組成物は、（ａ）一般式
（Ｉ）又は（Ｉ’）で表される化合物の少なくとも１種
と（ｂ）（ａ）以外のカイラルスメクチックＣ相（Ｓｍ
Ｃ^* ）を有する化合物あるいは混合物及び／又は（ｃ）
（ａ）以外のスメクチックＣ相（ＳｍＣ）を有する化合
物あるいは混合物を配合することにより得ることができ
る。この場合、一般式（Ｉ）又は（Ｉ’）で表される化
合物の配合量は各種状況に応じて適宜選定すれば良い
が、好ましくは得られる液晶組成物の0.１〜９９重量
％、特に好ましくは１〜９０重量％である。また、本発
明の液晶組成物の別の態様として、一般式（Ｉ）又は
（Ｉ’）で表される化合物の少なくとも２種からなる液
晶組成物を挙げることができる。

【００８９】上記（ｂ）及び（ｃ）の化合物あるいは混
合物としては従来知られている様々な物質を用いること
ができる。上記（ｂ）の化合物としては具体的には例え
ば、福田，竹添「強誘電性液晶の構造と物性」コロナ社
（１９９０），ｐ２２９，表7.１に記載した化合物、さ
らに具体的には、例えば

【００９０】

【化５４】

【００９１】

【化５５】

【００９２】

【化５６】

【００９３】

【化５７】

【００９４】

【化５８】

【００９５】

【化５９】

【００９６】

【化６０】

【００９７】

【化６１】

【００９８】

【化６２】

【００９９】が挙げられる。上記（ｃ）の化合物として
は好ましくは下記一般式（Ａ）

【０１００】

【化６３】

【０１０１】〔式中、Ｒ⁷ は置換基を有していてもよい
炭素数１〜１５のアルキル基又はアルコキシ基，Ｒ⁸ は
置換基を有していてもよい炭素数１〜１５のアルキル
基、Ｑは−Ｏ−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＯＣＯＯ
−又は単結合、Ｅは

【０１０２】

【化６４】

【０１０３】を示す。ｎは０又は１である。また、Ｘ¹
は前記と同じである。〕で表される化合物を挙げること
ができる。具体的には下記の化合物を挙げることができ
る。

【０１０４】

【化６５】

【０１０５】本発明の液晶素子は、上述の一般式（Ｉ）
又は（Ｉ’）の化合物あるいは上記液晶組成物を一対の
電極基板間に配設してなるものである。この電極基板
は、透明基板上に、例えばＩｎＯ₃ ，ＳｎＯ₂ ，ＩＴＯ
（酸化インジウムと酸化スズとの混合酸化物）などから
なる透明電極を設け、さらにその上に、ポリビニルアル
コール，ポリイミドなどからなる配向制御膜を設けたも
のである。また、本発明の液晶素子は、上記液晶組成物
等を一対の電極基板間に配設し、さらにその上下に偏光
板を配設することによっても得られる。この液晶素子
は、複屈折モードを利用して、表示素子あるいは電気光
学素子として使用することができる。

【０１０６】

【実施例】次に、参考例及び実施例に基づいて本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明はこれに限定される
ものではない。また、以下の各例において、本発明の一
般式（Ｉ）及び（Ｉ’）で表される光学活性化合物の
Ｒ，Ｓ表示は、下記の式

【０１０７】

【化６６】

【０１０８】〔式中、Ｒｆ，Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，
Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｘ¹ ，Ｘ² ，Ｘ³ ，Ａ，Ｂ，Ｓｉ，ｎ及び
＊は前記と同じである。〕の位置番号に基づいて行っ
た。

【０１０９】参考例１ （５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチ
ルシロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ
ピランの合成

【０１１０】

【化６７】

【０１１１】〔式中、ＴＢＳ及び＊は前記と同じであ
る。〕 （ａ）窒素雰囲気下、フラン１3.６ｇ（２００ミリモ
ル）をテトラヒドロフラン１５０ミリリットルに加え、
1.５モル／リットルのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液
１３３ミリリットル（２００ミリモル）を−２０℃で滴
下し、１時間反応させた。次に、トリメチルシリルクロ
リド２1.７ｇ（２００ミリモル）を滴下し、−２０℃で
１時間攪拌した。1.５モル／リットルのｎ−ブチルリチ
ウムヘキサン溶液１３３ミリリットル（２００ミリモ
ル）を加え、−２０℃で１時間反応させた後、−７８℃
でトリフルオロ酢酸エチル２8.４ｇ（２００ミリモル）
を滴下し、−７８℃で１時間、室温でさらに１時間反応
させた。この反応溶液に３規定の塩酸を加えて反応を停
止させ、酢酸エチルで抽出した。次いで、飽和炭酸水素
ナトリウム溶液，飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去し、フラ
ン誘導体の未精製物を得た。

【０１１２】（ｂ）乾燥エタノール１００ミリリットル
に水素化ホウ素ナトリウム2.３ｇ（６０ミリモル）を加
え、上記反応で得たフラン誘導体の未精製物を０℃で３
０分かけて滴下した。室温で２時間反応させた後、エタ
ノールを減圧留去し、３規定の塩酸を加えて反応を停止
させ、酢酸エチルにより抽出した。次いで、飽和炭酸水
素ナトリウム，飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去した後、減
圧蒸留を行い、アルコール化合物４0.５ｇ（１７０ミリ
モル）を得た。

【０１１３】（ｃ）塩化メチレン３００ミリリットルに
上記（ｂ）の反応で得たアルコール化合物６4.１ｇ（２
６９ミリモル）とピリジン２7.７ミリリットル（３５０
ミリモル）を加え、０℃で塩化アセチル２7.５ｇ（３５
０ミリモル）を滴下し、室温で２時間反応させた。次い
で、３規定の塩酸を加えて反応を停止させ、塩化メチレ
ンで抽出した。その後、飽和炭酸水素ナトリウム溶液，
蒸留水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。塩化メチレンを減圧留去した後、減圧蒸留を行い、
エステル化合物７5.１ｇ（２６８ミリモル）を得た。

【０１１４】（ｄ）蒸留水１８００ミリリットルに上記
反応により得られたエステル化合物５8.５ｇ（２０９ミ
リモル）を加えて、ミニジャーファーメンター中で４０
℃で攪拌した。リパーゼＰＳを３０ｇ加え、１０時間反
応させた。３規定の塩酸を加え、０℃に冷却して反応を
停止し、セライトによりろ過した。ろ液を酢酸エチルに
より抽出し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、酢酸エチルを減圧留去した。次いで、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより分離精製して光
学活性アルコール化合物２3.２ｇ（９7.４ミリモル）と
光学活性エステル化合物２5.６ｇ（９1.４ミリモル）を
得た。なお、得られたアルコール化合物の光学純度は９
8.０％e.e.であった。

【０１１５】（ｅ）上記反応で得られた光学活性アルコ
ール化合物２5.８ｇ（１０８ミリモル）を塩化メチレン
２００ミリリットルに溶かし、イミダゾール１0.５ｇ
（１５１ミリモル）とｔ−ブチルジメチルシリルクロリ
ド２3.０ｇ（１５１ミリモル）を０℃で加えて１５分攪
拌し、室温で１６時間反応させた。蒸留水を加えて反応
を停止させ、塩化メチレンにより抽出した。次いで、蒸
留水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。塩化
メチレンを減圧留去した後、カラムクロマトグラフィー
により分離精製してシリルエーテル化合物３7.２ｇ（１
０６ミリモル）を得た。

【０１１６】（ｆ）窒素雰囲気下、酢酸１２０ミリリッ
トルに上記反応で得られたシリルエーテル化合物１4.１
ｇ（４０ミリモル）及びモノパーオキシフタル酸マグネ
シウム２3.２ｇ（６０ミリモル）を加え、８０℃で１２
時間反応させた。酢酸を減圧留去した後、飽和炭酸水素
ナトリウム溶液を加え、酢酸エチルにより抽出した。次
いで、得られた抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去した
後、カラムクロマトグラフィーにより分離精製し、（４
Ｓ，１’Ｓ）ブテノリド化合物 4.7ｇ（１６ミリモル）
及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブテノリド化合物 3.0ｇ（１０ミ
リモル）を得た。なお、4.２ｇ（１２ミリモル）の原料
も回収された。

【０１１７】（ｇ）上記反応で得られた（４Ｓ，１’
Ｓ）及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブテノリド化合物１3.７ｇ
（４６ミリモル）を分離せずにエタノール４０ミリリッ
トルに溶かし、１０％Ｐｄ／Ｃ（Ｐｄ １０重量％含
有）を1.４ｇ加え、水素雰囲気下、室温で１５時間反応
した。反応溶液を濾過し、溶媒を減圧留去した後、シリ
カゲルラカムクロマトグラフィーで分離精製して、（４
Ｓ，１’Ｓ）ブタノリド化合物8.２ｇ（２９ミリモル）
及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブタノリド化合物3.６ｇ（１２ミ
リモル）を得た。

【０１１８】（ｈ）窒素雰囲気下、ジエチルエーテル４
０ミリリットルに上記反応により得られた（４Ｓ，１’
Ｓ）ブタノリド化合物7.５ｇ（２５ミリモル）を加え、
−７８℃で水素化ジイソブチルアルミニウムの0.９３モ
ル／リットルのｎ−ヘキサン溶液３２ミリリットル（３
０ミリモル）を滴下し、３時間反応した。蒸留水を加え
て反応を停止し、１規定の塩酸を加え中和した後、ジエ
チルエーテルで抽出した。飽和食塩水で洗浄後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、ジエチルエーテルを減圧留去
した。次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製して、ラクトール化合物7.３ｇ（２４ミリモル）を得
た。

【０１１９】（ｉ）窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン
５０ミリリットルに上記反応により得られたラクトール
化合物7.３ｇ（２４ミリモル）を加え、−７８℃でカリ
ウム−ｔ−ブトキシド3.０ｇ（２７ミリモル）のテトラ
ヒドロフラン１０ミリリットル溶液を滴下し、３時間反
応した。蒸留水を加えて反応を停止し、１規定の塩酸を
加え中和した後、ジエチルエーテルで抽出した。飽和食
塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ジエチ
ルエーテルを減圧留去した。次いでシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製して、目的とする（５Ｓ，６
Ｓ）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチルシロキシ
−６−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシピラン6.４
ｇ（２１ミリモル）を得た。得られた化合物は、同位体
フッ素による核磁気共鳴法から、モル比が８２：１８の
ジアステレオマーの混合物であった。

【０１２０】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 （１） （２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）体 分子式：Ｃ₁₂Ｈ₂₃Ｆ₃ Ｏ₃ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.０３ （ｓ，６Ｈ） 0.８５ （ｓ，９Ｈ） 1.４０〜2.１０（ｍ，４Ｈ） 2.９０〜3.１０（ｍ，１Ｈ） 3.７８ （ｄｔ，Ｊ＝5.６，8.９Ｈｚ，１Ｈ） 4.１１ （ｄｑ，Ｊ＝9.２，6.９Ｈｚ，１Ｈ） 5.２０〜5.４０（ｍ，１Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（同位体フッ素による核磁気共鳴法，基
準：ＣＦ₃ ＣＯＯＨ) ； δ（ｐｐｍ） 4.９０ （ｄ，Ｊ＝6.１Ｈｚ）

【０１２１】（２） （２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）体 分子式：Ｃ₁₂Ｈ₂₃Ｆ₃ Ｏ₃ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.０５ （ｓ，６Ｈ） 0.８５ （ｓ，９Ｈ） 1.４０〜2.１０（ｍ，４Ｈ） 3.２０〜3.４０（ｍ，１Ｈ） 3.６７ （ｄｑ，Ｊ＝8.８，6.２Ｈｚ，１Ｈ） 3.７０〜3.９０（ｍ，１Ｈ） 4.８０〜5.００（ｍ，１Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦ₃ ＣＯＯＨ) ；δ（ｐｐｍ） 4.８０ （ｄ，Ｊ＝7.６Ｈｚ）

【０１２２】参考例２ （５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチ
ルシロキシ−６−ペンタフルオロエチル−２−ヒドロキ
シピランの合成

【０１２３】

【化６８】

【０１２４】〔式中、ＴＢＳ及び＊は前記と同じであ
る。〕 （ａ）窒素雰囲気下、フラン１9.１ｇ（２８１ミリモ
ル）をテトラヒドロフラン２００ミリリットルに加え、
1.５モル／リットルのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液
１８７ミリリットル（２８１ミリモル）を−２０℃で滴
下し、１時間反応させた。次に、トリメチルシリルクロ
リド３0.５ｇ（２８１ミリモル）を滴下し、−２０℃で
１時間攪拌した。1.５モル／リットルのｎ−ブチルリチ
ウムヘキサン溶液１８７ミリリットル（２８１ミリモ
ル）を加え、−２０℃で１時間反応させた後、−７８℃
でペンタフルオロプロピオン酸メチル５0.０ｇ（２８１
ミリモル）を滴下し、−７８℃で１時間、室温でさらに
１時間反応させた。この反応溶液に３規定の塩酸を加え
て反応を停止させ、酢酸エチルで抽出した。次いで、飽
和炭酸水素ナトリウム溶液，飽和食塩水で順次洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留
去し、フラン誘導体の未精製物を得た。

【０１２５】（ｂ）乾燥エタノール２００ミリリットル
に水素化ホウ素ナトリウム3.５ｇ（９１ミリモル）を加
え、上記反応で得たフラン誘導体の未精製物を０℃で３
０分かけて滴下した。室温で２時間反応させた後、エタ
ノールを減圧留去し、３規定の塩酸を加えて反応を停止
させ、酢酸エチルにより抽出した。次いで、飽和炭酸水
素ナトリウム，飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去した後、減
圧蒸留を行い、アルコール化合物４5.３ｇ（１５７ミリ
モル）を得た。

【０１２６】（ｃ）塩化メチレン３００ミリリットルに
上記（ｂ）の反応で得たアルコール化合物４1.３ｇ（１
４３ミリモル）とピリジン１4.７ミリリットル（１８６
ミリモル）を加え、０℃で塩化アセチル１4.５ｇ（１８
６ミリモル）を滴下し、室温で１２時間反応させた。次
いで、３規定の塩酸を加えて反応を停止させ、塩化メチ
レンで抽出した。その後、飽和炭酸水素ナトリウム溶
液，蒸留水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。塩化メチレンを減圧留去した後、減圧蒸留を行
い、エステル化合物４7.２ｇ（１４３ミリモル）を得
た。

【０１２７】（ｄ）蒸留水６０ミリリットルに上記反応
により得られたエステル化合物2.０ｇ（6.１ミリモル）
を加え、ミニジャーファーメンター中で４０℃で攪拌し
た。リパーゼＰＳを1.２ｇ加え、８日間反応させた。３
規定の塩酸を加え、０℃に冷却して反応を停止し、セラ
イトによりろ過した。ろ液を酢酸エチルにより抽出し、
飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
酢酸エチルを減圧留去した。次いで、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより分離精製して光学活性アルコ
ール化合物0.４７ｇ（1.６ミリモル）と光学活性エステ
ル化合物0.７３ｇ（2.２ミリモル）を得た。なお、得ら
れたアルコール化合物の光学純度は９8.６％e.e.であっ
た。

【０１２８】（ｅ）上記反応で得られた光学活性アルコ
ール化合物1.９ｇ（6.７ミリモル）を塩化メチレン１５
ミリリットルに溶かし、イミダゾール0.６ｇ（8.０ミリ
モル）とｔ−ブチルジメチルシリルクロリド1.２ｇ（8.
０ミリモル）を０℃で加えて１５分攪拌し、室温で４０
時間反応させた。蒸留水を加えて反応を停止させ、塩化
メチレンにより抽出した。次いで、蒸留水で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。塩化メチレンを減圧留
去した後、カラムクロマトグラフィーにより分離精製し
てシリルエーテル化合物2.６ｇ（6.５ミリモル）を得
た。

【０１２９】（ｆ）窒素雰囲気下、酢酸５０ミリリット
ルに上記反応で得られたシリルエーテル化合物7.３ｇ
（１８ミリモル）及びモノパーオキシフタル酸マグネシ
ウム２5.０ｇ（６５ミリモル）を加え、５０℃で２４時
間反応させた。酢酸を減圧留去した後、飽和炭酸水素ナ
トリウム溶液を加え、酢酸エチルにより抽出した。次い
で、得られた抽出物を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去した後、
カラムクロマトグラフィーにより精製し、（４Ｓ，１’
Ｓ）ブテノリド化合物及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブテノリド
化合物4.５ｇ（１３ミリモル）を得た。

【０１３０】（ｇ）上記反応で得られた（４Ｓ，１’
Ｓ）及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブテノリド化合物0.３２ｇ
（1.８ミリモル）を分離せずにエタノール５ミリリット
ルに溶かし、１０％Ｐｄ／Ｃ（Ｐｄ １０重量％含有）
を0.０４ｇ加え、水素雰囲気下、室温で２０時間反応し
た。反応溶液を濾過し、溶媒を減圧留去した後、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製して、（４
Ｓ，１’Ｓ）ブタノリド化合物0.１３ｇ（0.７ミリモ
ル）及び（４Ｒ，１’Ｓ）ブタノリド化合物0.１３ｇ
（0.７ミリモル）を得た。

【０１３１】（ｈ）窒素雰囲気下、ジエチルエーテル１
０ミリリットルに上記反応により得られた（４Ｓ，１’
Ｓ）ブタノリド化合物1.６ｇ（4.７ミリモル）を加え、
−７８℃で水素化ジイソブチルアルミニウムの0.９３モ
ル／リットルのｎ−ヘキサン溶液6.０ミリリットル（5.
６ミリモル）を滴下し、５時間反応した。蒸留水を加え
て反応を停止し、１規定の塩酸を加え中和した後、ジエ
チルエーテルで抽出した。飽和食塩水で洗浄後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、ジエチルエーテルを減圧留去
した。次いでシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製して、ラクトール化合物1.５ｇ（4.３ミリモル）を得
た。

【０１３２】（ｉ）窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン
１０ミリリットルに上記反応により得られたラクトール
化合物1.５ｇ（4.３ミリモル）を加え、−７８℃でカリ
ウム−ｔ−ブトキシド0.５ｇ（5.０ミリモル）のテトラ
ヒドロフラン５ミリリットル溶液を滴下し、６時間反応
した。蒸留水を加えて反応を停止し、１規定の塩酸を加
え中和した後、ジエチルエーテルで抽出した。飽和食塩
水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ジエチル
エーテルを減圧留去した。次いでシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製して、目的とする（５Ｓ，６Ｓ）
−テトラヒドロ−５−ｔ−ブチルジメチルシロキシ−６
−ペンタフルオロエチル−２−ヒドロキシピラン1.４ｇ
（4.０ミリモル）を得た。

【０１３３】実施例１ （２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−
４’−カルボニルオキシ）−５−トリメチルシロキシピ
ランの合成

【０１３４】

【化６９】

【０１３５】（ａ） ４’−ヘキシルオキシ−４−ビフ
ェニルカルボン酸クロリド1.４３ｇ（4.５ミリモル）と
参考例１で得られた（５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−５
−ｔ−ブチルジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチ
ル−２−ヒドロキシピラン0.９０ｇ（3.０ミリモル）の
トルエン溶液５ミリリットル中に無水ピリジン２ミリリ
ットルを加え、室温で２０時間反応させた。この反応溶
液に蒸留水を加えて反応を停止し、ジエチルエーテルに
より抽出した。次いで飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。ジエチルエーテルを減圧留去し
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、
エステル化合物1.２６ｇ（2.２ミリモル）を得た。

【０１３６】（ｂ） （ａ）で得られたエステル化合物
1.２６ｇをテトラヒドロフラン１０ミリリットルに溶か
し、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフルオライドの1.
０モル／リットルのテトラヒドロフラン溶液1.０ミリリ
ットルを加え、０℃で１時間、室温で６時間反応させ
た。この反応液に蒸留水を加えて反応を停止し、反応物
をジエチルエーテルで抽出した。次いで、抽出物を飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジ
エチルエーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで分離精製して（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）
の不斉炭素を有するアルコール化合物0.０９ｇ（0.２ミ
リモル）及び（２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）の不斉炭素を有する
アルコール化合物0.７３ｇ（1.６ミリモル）を得た。

【０１３７】（ｃ） （ｂ）で得られた（２Ｓ，５Ｓ，
６Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化合物0.７０ｇ
（1.５ミリモル）を塩化メチレン１０ミリリットルに溶
かし、クロロトリメチルシラン0.４ミリリットル（3.０
ミリモル），イミダゾール0.２０ｇ（3.０ミリモル）を
順次加え、０℃で１時間、さらに室温で１４時間反応さ
せた。この反応溶液に蒸留水を加え、反応を停止し、反
応物を塩化メチレンで抽出した。この抽出物を蒸留水で
洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。塩化メチレ
ンを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製して、目的化合物である（２Ｓ，５Ｓ，６
Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−
（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−カルボニル
オキシ）−５−トリメチルシロキシピラン0.４８ｇ（0.
９ミリモル）を得た。

【０１３８】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 分子式：Ｃ₂₈Ｈ₃₇Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴法）；δ（ｐｐｍ） 0.１５ （ｓ，９Ｈ） 0.９１ （ｔ，Ｊ＝6.９Ｈｚ，３Ｈ） 1.２７〜1.５８（ｍ，６Ｈ） 1.６７〜2.２８（ｍ，６Ｈ） 3.８２〜3.９７（ｍ，２Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 6.０６ （ｄｄ，Ｊ＝2.２，8.１Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（同位体フッ素による核磁気共鳴法，基
準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.７３ （ｄ，Ｊ＝6.３Ｈｚ） ＩＲ（ｃｍ^-1）１７４０，１６００，１４９５，１２６
０，１１８０，１０８５ ［α］_D ²⁶＝＋１3.０°（Ｃ（濃度）＝1.０１，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ５３8.２３６３ 実測値 ５３8.２３４９

【０１３９】実施例２ （２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−
４’−カルボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシロキシピランの合成

【０１４０】

【化７０】 上記式中、ｔ−Ｂｕは、ｔｅｒｔ−ブチル基を表す。以
下の式においても同様である。

【０１４１】実施例１（ｂ）で得られた（２Ｓ，５Ｓ，
６Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化合物0.４７ｇ
（1.０ミリモル）とクロロ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチル
シラン0.２３ｇ（1.５ミリモル）を用い、実施例１
（ｃ）と同様の操作を行い、目的化合物である（２Ｓ，
５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−カル
ボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキ
シピラン0.５１ｇ（0.９ミリモル）を得た。得られた化
合物の物理的性質を以下に示す。 分子式：Ｃ₃₁Ｈ₄₃Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.０９ （ｓ，３Ｈ） 0.１１ （ｓ，３Ｈ） 0.８２〜1.００（ｍ，１２Ｈ） 1.２６〜1.５５（ｍ，６Ｈ） 1.６３〜2.２９（ｍ，６Ｈ） 3.８５〜4.００（ｍ，２Ｈ） 4.０１ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 6.０８ （ｄｄ，Ｊ＝2.４，7.８Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.５７ （ｄ，Ｊ＝6.４Ｈｚ） ＩＲ（ｃｍ^-1） １７３５，１６００，１２５０，
１１７５，１０８０ ［α］_D ²⁶＝＋１8.２°（Ｃ（濃度）＝1.０２，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ５８0.２８３２ 実測値 ５８0.２８１４

【０１４２】実施例３ （２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−
４’−カルボニルオキシ）−５−トリエチルシロキシピ
ランの合成

【０１４３】

【化７１】

【０１４４】実施例１（ｂ）で得られた（２Ｓ，５Ｓ，
６Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化合物0.１８ｇ
（0.４ミリモル）とクロロトリエチルシラン0.１３ミリ
リットル（0.８ミリモル）を用いて、実施例１（ｃ）と
同様の操作を行い、目的化合物である（２Ｓ，５Ｓ，６
Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−
（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−カルボニル
オキシ）−５−トリエチルシロキシピラン0.２０ｇ（0.
３ミリモル）を得た。得られた化合物の物理的性質を以
下に示す。 分子式：Ｃ₃₁Ｈ₄₃Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.６２ （ｑ，Ｊ＝7.８Ｈｚ，６Ｈ） 0.８８〜0.９７（ｍ，３Ｈ） 0.９７ （ｔ，Ｊ＝7.８Ｈｚ，９Ｈ） 1.２７〜1.５８（ｍ，６Ｈ） 1.６７〜2.２９（ｍ，６Ｈ） 3.８７〜3.９９（ｍ，２Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，２Ｈ） 6.０９ （ｄｄ，Ｊ＝2.２，7.５Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.５５ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.６６ （ｄ，Ｊ＝6.７Ｈｚ） ＩＲ（ｃｍ^-1） １７３５，１６００，１４９０，１２６０，１１７５，
１０８０ ［α］_D ²⁴＝＋１4.９°（Ｃ（濃度）＝1.０８，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ５８0.２８３２ 実測値 ５８0.２８４１

【０１４５】実施例４ （２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−
４’−カルボニルオキシ）−５−トリプロピルシロキシ
ピランの合成

【０１４６】

【化７２】

【０１４７】実施例１（ｂ）で得られた（２Ｓ，５Ｓ，
６Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化合物0.９３ｇ
（2.０ミリモル）とクロロトリプロピルシラン0.８５ミ
リリットル（4.０ミリモル）を用い、実施例１（ｃ）と
同様の操作を行い、目的化合物である（２Ｓ，５Ｓ，６
Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−
（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−カルボニル
オキシ）−５−トリプロピルシロキシピラン0.９４ｇ
（1.５ミリモル）を得た。得られた化合物の物理的性質
を以下に示す。 分子式：Ｃ₃₄Ｈ₄₉Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.５４〜0.６９（ｍ，６Ｈ） 0.８５〜0.９４（ｍ，６Ｈ） 0.９８ （ｔ，Ｊ＝7.３Ｈｚ，９Ｈ） 1.２４〜1.５３（ｍ，１２Ｈ） 1.６７〜2.２８（ｍ，６Ｈ） 3.８３〜3.９７（ｍ，２Ｈ） 4.０１ （ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，２Ｈ） 6.１０ （ｄｄ，Ｊ＝2.１，7.６Ｈｚ，１Ｈ） 6.９９ （ｄ，Ｊ＝8.６Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.５Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.２Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.２Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.６４ （ｄ，Ｊ＝6.７Ｈｚ） ＩＲ（ｃｍ^-1） １７４０，１６０５，１５００，１２７０，１２００，
１１８５，１０８０ ［α］_D ²⁶＝＋１4.８°（Ｃ（濃度）＝1.０６，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ６２2.３３０２ 実測値 ６２2.３２８５

【０１４８】実施例５ （２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−
４’−カルボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシロキシピランの合成

【０１４９】

【化７３】

【０１５０】実施例１（ｂ）で得られた（２Ｒ，５Ｓ，
６Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化合物0.３３ｇ
（0.７ミリモル）とクロロ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチル
シラン0.１６ｇ（1.１ミリモル）を用い、実施例１
（ｃ）と同様の操作を行い、目的化合物である（２Ｒ，
５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル
−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−カル
ボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキ
シピラン0.３７ｇ（0.６ミリモル）を得た。得られた化
合物の物理的性質を以下に示す。 分子式：Ｃ₃₁Ｈ₄₃Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.１０ （ｓ，３Ｈ） 0.１２ （ｓ，３Ｈ） 0.８１〜1.０７（ｍ，１２Ｈ） 1.１８〜1.６１（ｍ，６Ｈ） 1.７４〜2.１８（ｍ，６Ｈ） 3.８８〜4.１７（ｍ，２Ｈ） 4.０１ （ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，２Ｈ） 6.４０〜6.４８（ｍ，１Ｈ） 7.００ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.５７ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６６ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ） 8.１１ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.５７ （ｄ，Ｊ＝6.２Ｈｚ） ［α］_D ²⁴＝＋４9.０°（Ｃ（濃度）＝1.０４，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ５８0.２８３２ 実測値 ５８0.２８６１

【０１５１】実施例６ （２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−
４’−カルボニルオキシ）−５−トリエチルシロキシピ
ランの合成

【０１５２】

【化７４】

【０１５３】実施例１（ｂ）で得られた（２Ｒ，５Ｓ，
６Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化合物0.１６ｇ
（0.３ミリモル）とクロロトリエチルシラン0.１ミリリ
ットル（0.７ミリモル）を用い、実施例１（ｃ）と同様
の操作を行い、目的化合物である（２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）
−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−（４”
−ヘキシルオキシビフェニル−４’−カルボニルオキ
シ）−５−トリエチルシロキシピラン0.１７ｇ（0.３ミ
リモル）を得た。得られた化合物の物理的性質を以下に
示す。 分子式：Ｃ₃₁Ｈ₄₃Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.６５ （ｑ，Ｊ＝7.９Ｈｚ，６Ｈ） 0.８３〜1.０７（ｍ，１２Ｈ） 1.２０〜1.５８（ｍ，６Ｈ） 1.７３〜2.１２（ｍ，６Ｈ） 3.８８〜4.１８（ｍ，２Ｈ） 4.０１ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 6.４１〜6.４８（ｍ，１Ｈ） 7.００ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.５７ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６５ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.７０ （ｄ，Ｊ＝6.２Ｈｚ） ［α］_D ²⁸＝＋４9.６°（Ｃ（濃度）＝0.８４，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ５８0.２８３２ 実測値 ５８0.２８３６

【０１５４】実施例７ （２Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−
４’−カルボニルオキシ）−５−トリプロピルシロキシ
ピランの合成

【０１５５】

【化７５】

【０１５６】実施例１（ｂ）で得られた（２Ｒ，５Ｓ，
６Ｓ）の不斉炭素を有するアルコール化合物0.１６ｇ
（0.３ミリモル）とクロロトリプロピルシラン0.２ミリ
リットル（0.７ミリモル）を用い、実施例１（ｃ）と同
様の操作を行い、目的化合物である（２Ｒ，５Ｓ，６
Ｓ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−２−
（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’−カルボニル
オキシ）−５−トリプロピルシロキシピラン0.１８ｇ
（0.３ミリモル）を得た。得られた化合物の物理的性質
を以下に示す。 分子式：Ｃ₃₄Ｈ₄₉Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.５７〜0.７２（ｍ，６Ｈ） 0.８５〜0.９９（ｍ，３Ｈ） 0.９８ （ｔ，Ｊ＝7.２Ｈｚ，９Ｈ） 1.２５〜1.５８（ｍ，１２Ｈ） 1.７５〜2.１２（ｍ，６Ｈ） 3.８９〜4.１７（ｍ，２Ｈ） 4.０１ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 6.４０〜6.４７（ｍ，１Ｈ） 7.００ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.５７ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.６５ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.６９ （ｄ，Ｊ＝6.２Ｈｚ） ［α］_D ²⁵＝＋４9.５°（Ｃ（濃度）＝1.０５，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ６２2.３３０２ 実測値 ６２2.３２８９

【０１５７】実施例８ （２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−５−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−
４’−カルボニルオキシ）−２−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシロキシピランの合成

【０１５８】

【化７６】

【０１５９】（ａ）参考例１と同様の操作で得られた
（５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒド
ロキシピラン1.００ｇ（3.３ミリモル）とジヒドロピラ
ン0.４５ミリリットル（5.０ミリモル）のジエチルエー
テル溶液１０ミリリットル中にパラトルエンスルホン酸
0.１ｇを加え、室温で２０時間反応させた。この反応溶
液に蒸留水を加えて反応を停止し、ジエチルエーテルに
より抽出した。次いで飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。ジエチルエーテルを減圧留去し
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、
アセタール化合物1.０４ｇ（2.７ミリモル）を得た。 （ｂ）（ａ）で得られたアセタール化合物1.０４ｇ（2.
７ミリモル）を用い、実施例１（ｂ）と同様の操作を行
い、アルコール化合物0.４９ｇ（1.８ミリモル）を得
た。 （ｃ）（ｂ）で得られたアルコール化合物0.４９ｇ（1.
８ミリモル）と４’−ヘキシルオキシ−４−ビフェニル
カルボン酸クロリド0.６２ｇ（2.０ミリモル）を用い、
実施例１（ａ）と同様の操作を行い、エステル化合物0.
７４ｇ（1.３ミリモル）を得た。 （ｄ）（ｃ）で得られたエステル化合物0.７４ｇ（1.３
ミリモル）をジエチルエーテル１０ミリリットルに溶か
し、パラトルエンスルホン酸0.１ｇを加え、室温で５日
間反応させた。この反応溶液に蒸留水を加えて反応を停
止し、ジエチルエーテルにより抽出した。次いで飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジエ
チルエーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで分離精製し、ヘミアセタール化合物0.
４０ｇ（0.９ミリモル）を得た。 （ｅ）（ｄ）で得られたヘミアセタール化合物0.４０ｇ
（0.９ミリモル）を塩化メチレン１０ミリリットルに溶
かし、クロロ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシラン0.１９
ｇ（1.３ミリモル）とイミダゾール0.０９ｇ（1.３ミリ
モル）を０℃で加えて１時間攪拌した後、室温で２０時
間反応させた。蒸留水を加えて反応を停止し、塩化メチ
レンにより抽出した。次いで蒸留水で洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。塩化メチレンを減圧留去した
後、カラムクロマトグラフィーにより分離精製を行い、
目的化合物である（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ
−６−トリフルオロメチル−５−（４”−ヘキシルオキ
シビフェニル−４’−カルボニルオキシ）−２−ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシロキシピラン0.３１ｇ（0.５ミリ
モル）を得た。

【０１６０】得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 分子式：Ｃ₃₁Ｈ₄₃Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.１４ （ｓ，３Ｈ） 0.１５ （ｓ，３Ｈ） 0.８２〜0.９９（ｍ，１２Ｈ） 1.２８〜1.５３（ｍ，６Ｈ） 1.６６〜2.０１（ｍ，５Ｈ） 2.３５〜2.４６（ｍ，１Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 4.０１〜4.１２（ｍ，１Ｈ） 4.９４ （ｄｄ，Ｊ＝2.１，8.２Ｈｚ，１Ｈ） 5.１７〜5.２５（ｍ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.５５ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.６１ （ｄ，Ｊ＝8.５Ｈｚ，２Ｈ） 8.０３ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７5.８４ （ｄ，Ｊ＝6.１Ｈｚ） ［α］_D ²³＝−5.８°（Ｃ（濃度）＝1.０６，溶媒：ク
ロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ５８0.２８３２ 実測値 ５８0.２８３０

【０１６１】実施例９ （２Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−ペンタフル
オロエチル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−
４’−カルボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシロキシピランの合成

【０１６２】

【化７７】

【０１６３】４’−ヘキシルオキシ−４−ビフェニルカ
ルボン酸クロリド0.７７ｇ（2.４ミリモル）と参考例２
で得られた（５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−５−ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシロキシ−６−ペンタフルオロエチ
ル−２−ヒドロキシピラン0.６６ｇ（1.９ミリモル）の
トルエン溶液１０ミリリットル中にトリエチルアミン0.
３ミリリットル（2.３ミリモル）を加え、室温で２０時
間反応させた。この反応溶液に蒸留水を加えて反応を停
止し、ジエチルエーテルにより抽出した。次いで飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ジエ
チルエーテルを減圧留去した後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで分離精製し、目的化合物である（２
Ｓ，５Ｓ，６Ｓ）−テトラヒドロ−６−ペンタフルオロ
エチル−２−（４”−ヘキシルオキシビフェニル−４’
−カルボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチル
シロキシピラン0.５２ｇ（0.８ミリモル）を得た。得ら
れた化合物の物理的性質を以下に示す。 分子式：Ｃ₃₂Ｈ₄₃Ｆ₅ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.１０ （ｓ，３Ｈ） 0.１２ （ｓ，３Ｈ） 0.８１〜1.０８（ｍ，１２Ｈ） 1.２３〜1.５８（ｍ，６Ｈ） 1.６９〜1.９９（ｍ，４Ｈ） 2.０８〜2.３１（ｍ，２Ｈ） 3.９８〜4.１７（ｍ，２Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，２Ｈ） 6.０６ （ｄｄ，Ｊ＝2.４，7.８Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ） 8.０９ （ｄ，Ｊ＝8.３Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −８2.３６ （ｓ，３Ｆ） −１１7.８５ （ｄｄ，Ｊ＝5.２，２７7.９Ｈｚ，
１Ｆ） −１２9.７４ （ｄｄ，Ｊ＝２0.１，２７8.０Ｈ
ｚ，１Ｆ） ［α］_D ²⁶＝＋２2.５°（Ｃ（濃度）＝0.９６，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ６３0.２８００ 実測値 ６３0.２７９２

【０１６４】実施例１０ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−ノニルオキシビフェニル−４’
−カルボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチル
シロキシピランの合成

【０１６５】

【化７８】

【０１６６】４’−ノニルオキシ−４−ビフェニルカル
ボン酸クロリド0.７９ｇ（2.２ミリモル）と参考例１と
同様の操作で得られた（５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−
５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシ−６−トリフル
オロメチル−２−ヒドロキシピラン0.５０ｇ（1.７ミリ
モル）を用い、実施例９と同様の操作を行い、目的化合
物である（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−ト
リフルオロメチル−２−（４”−ノニルオキシビフェニ
ル−４’−カルボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシロキシピラン0.５１ｇ（0.８ミリモル）を得
た。得られた化合物の物理的性質を以下に示す。 分子式：Ｃ₃₄Ｈ₄₉Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.０９ （ｓ，３Ｈ） 0.１１ （ｓ，３Ｈ） 0.８８〜0.９６（ｍ，１２Ｈ） 1.２３〜1.５６（ｍ，１２Ｈ） 1.７０〜2.２８（ｍ，６Ｈ） 3.８３〜3.９７（ｍ，２Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，２Ｈ） 6.０８ （ｄｄ，Ｊ＝2.４，7.８Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.５Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.５７ （ｄ，Ｊ＝6.４Ｈｚ） ［α］_D ²⁶＝−１6.７°（Ｃ（濃度）＝1.００，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ６２2.３３０２ 実測値 ６２2.３２９７

【０１６７】実施例１１ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−デシルオキシビフェニル−４’
−カルボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチル
シロキシピランの合成

【０１６８】

【化７９】

【０１６９】４’−デシルオキシ−４−ビフェニルカル
ボン酸クロリド1.５１ｇ（4.０ミリモル）と参考例１と
同様の操作で得られた（５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−
５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシ−６−トリフル
オロメチル−２−ヒドロキシピラン1.００ｇ（3.３ミリ
モル）を用い、実施例９と同様の操作を行い、目的化合
物である（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−ト
リフルオロメチル−２−（４”−デシルオキシビフェニ
ル−４’−カルボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシロキシピラン1.５５ｇ（2.４ミリモル）を得
た。得られた化合物の物理的性質を以下に示す。 分子式：Ｃ₃₅Ｈ₅₁Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.０９ （ｓ，３Ｈ） 0.１１ （ｓ，３Ｈ） 0.８３〜0.９２（ｍ，１２Ｈ） 1.２０〜1.５７（ｍ，１４Ｈ） 1.６５〜2.２８（ｍ，６Ｈ） 3.８８〜4.０２（ｍ，２Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，２Ｈ） 6.０８ （ｄｄ，Ｊ＝2.４，7.８Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.５Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.５７ （ｄ，Ｊ＝6.５Ｈｚ） ［α］_D ²⁴＝−１6.３°（Ｃ（濃度）＝1.０３，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ６３6.３４５８ 実測値 ６３6.３４４４

【０１７０】実施例１２ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−ウンデシルオキシビフェニル−
４’−カルボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシロキシピランの合成

【０１７１】

【化８０】

【０１７２】４’−ウンデシルオキシ−４−ビフェニル
カルボン酸クロリド0.８５ｇ（2.２ミリモル）と参考例
１と同様の操作で得られた（５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒド
ロ−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシ−６−トリ
フルオロメチル−２−ヒドロキシピラン0.５０ｇ（1.７
ミリモル）を用い、実施例９と同様の操作を行い、目的
化合物である（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６
−トリフルオロメチル−２−（４”−ウンデシルオキシ
ビフェニル−４’−カルボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ
−ブチルジメチルシロキシピラン0.６５ｇ（1.０ミリモ
ル）を得た。得られた化合物の物理的性質を以下に示
す。 分子式：Ｃ₃₆Ｈ₅₃Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.０９ （ｓ，３Ｈ） 0.１１ （ｓ，３Ｈ） 0.８２〜0.９６（ｍ，１２Ｈ） 1.２２〜1.５５（ｍ，１６Ｈ） 1.６８〜2.２７（ｍ，６Ｈ） 3.８３〜3.９９（ｍ，２Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 6.０８ （ｄｄ，Ｊ＝2.３，7.８Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.５７ （ｄ，Ｊ＝6.５Ｈｚ） ［α］_D ²⁵＝−１6.１°（Ｃ（濃度）＝1.０３，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ６５0.３６１５ 実測値 ６５0.３５９８

【０１７３】実施例１３ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４”−デシルオキシビフェニル−４’
−カルボニルオキシ）−５−トリプロピルシロキシピラ
ンの合成

【０１７４】

【化８１】

【０１７５】（ａ）実施例１１で得られたエステル化合
物1.２８ｇ（2.０ミリモル）を用い、実施例１（ｂ）と
同様の操作を行い、（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）の不斉炭素を
有するアルコール化合物0.５６ｇ（1.１ミリモル）及び
（２Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）の不斉炭素を有するアルコール化
合物0.３７ｇ（0.７ミリモル）を得た。 （ｂ）（ａ）で得られた（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）の不斉炭
素を有するアルコール化合物0.５６ｇ（1.１ミリモル）
とクロロトリプロピルシラン0.３１ｇ（1.６ミリモル）
を用い、実施例４と同様の操作を行い、目的化合物であ
る（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフル
オロメチル−２−（４”−デシルオキシビフェニル−
４’−カルボニルオキシ）−５−トリプロピルシロキシ
ピラン0.６５ｇ（1.０ミリモル）を得た。得られた化合
物の物理的性質を以下に示す。 分子式：Ｃ₃₈Ｈ₅₇Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.５９〜0.７０（ｍ，６Ｈ） 0.８８ （ｔ，Ｊ＝6.３Ｈｚ，３Ｈ） 0.９８ （ｔ，Ｊ＝7.２Ｈｚ，９Ｈ） 1.１９〜1.５５（ｍ，２０Ｈ） 1.６５〜2.２８（ｍ，６Ｈ） 3.８６〜4.０１（ｍ，２Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.５Ｈｚ，２Ｈ） 6.１０ （ｄｄ，Ｊ＝2.３，7.４Ｈｚ，１Ｈ） 6.９８ （ｄ，Ｊ＝8.８Ｈｚ，２Ｈ） 7.５６ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ） 7.６２ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ） 8.１０ （ｄ，Ｊ＝8.４Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.６１ （ｄ，Ｊ＝6.７Ｈｚ） ［α］_D ²⁵＝−１3.２°（Ｃ（濃度）＝1.０１，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ６７8.３９２８ 実測値 ６７8.３９０５

【０１７６】実施例１４ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−〔４−（５’−ヘプチル−２’−ピリミ
ジニル）フェニル−１−カルボニルオキシ〕−５−ｔｅ
ｒｔ−ブチルジメチルシロキシピランの合成

【０１７７】

【化８２】

【０１７８】４−（５’−ヘプチル−２’−ピリミジニ
ル）安息香酸クロリド0.７０ｇ（2.２ミリモル）と参考
例１と同様の操作で得られた（５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒ
ドロ−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシ−６−ト
リフルオロメチル−２−ヒドロキシピラン0.６０ｇ（2.
０ミリモル）を用い、実施例９と同様の操作を行い、目
的化合物である（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−
６−トリフルオロメチル−２−〔４−（５’−ヘプチル
−２’−ピリミジニル）フェニル−１−カルボニルオキ
シ〕−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシピラン1.
０ｇ（1.７ミリモル）を得た。得られた化合物の物理的
性質を以下に示す。 分子式：Ｃ₃₀Ｈ₄₃Ｆ₃ Ｏ₄ Ｎ₂ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.０９ （ｓ，３Ｈ） 0.１１ （ｓ，３Ｈ） 0.８２〜0.９７（ｍ，１２Ｈ） 1.１９〜1.４２（ｍ，８Ｈ） 1.６５〜2.２８（ｍ，６Ｈ） 2.６５ （ｔ，Ｊ＝7.６Ｈｚ，２Ｈ） 3.８４〜4.００（ｍ，２Ｈ） 6.０９ （ｄｄ，Ｊ＝2.３，7.９Ｈｚ，１Ｈ） 8.１７ （ｄ，Ｊ＝8.５Ｈｚ，２Ｈ） 8.５０ （ｄ，Ｊ＝8.５Ｈｚ，２Ｈ） 8.６６ （ｓ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.５７ （ｄ，Ｊ＝6.４Ｈｚ） ［α］_D ²⁵＝−１2.４°（Ｃ（濃度）＝1.０４，溶媒：
クロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ５８0.２９４４ 実測値 ５８0.２９９１

【０１７９】実施例１５ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−〔トランス−４−（４’−ヘキシルオキ
シ−１’−フェニル）シクロヘキサン−１−カルボニル
オキシ〕−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシピラ
ンの合成

【０１８０】

【化８３】

【０１８１】トランス−４−（４’−ヘキシルオキシ−
１’−フェニル）シクロヘキサン−１−カルボン酸クロ
リド0.６９ｇ（2.４ミリモル）と参考例１と同様の操作
で得られた（５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチル
−２−ヒドロキシピラン0.６０ｇ（2.０ミリモル）を用
い、実施例９と同様の操作を行い、目的化合物である
（２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−〔トランス−４−（４’−ヘキシルオキ
シ−１’−フェニル）シクロヘキサン−１−カルボニル
オキシ〕−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシピラ
ン0.５３ｇ（1.０ミリモル）を得た。得られた化合物の
物理的性質を以下に示す。 分子式：Ｃ₃₁Ｈ₄₉Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.０７ （ｓ，３Ｈ） 0.０８ （ｓ，３Ｈ） 0.８３〜1.０４（ｍ，１２Ｈ） 1.２７〜1.８３（ｍ，１６Ｈ） 1.８８〜2.４０（ｍ，６Ｈ） 3.７５〜3.８９（ｍ，２Ｈ） 3.９２ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 5.８２ （ｄｄ，Ｊ＝2.５，7.７Ｈｚ，１Ｈ） 6.８２ （ｄ，Ｊ＝8.６Ｈｚ，２Ｈ） 7.０９ （ｄ，Ｊ＝8.７Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.６０ （ｄ，Ｊ＝6.５Ｈｚ） ［α］_D ²⁷＝−8.０°（Ｃ（濃度）＝1.０１，溶媒：ク
ロロホルム） 質量分析 ｍ／ｅ（Ｍ⁺ ） 計算値 ５８6.３３０１ 実測値 ５８6.３３０４

【０１８２】実施例１６ （２Ｒ，５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオ
ロメチル−２−（４−デシルオキシフェニル−１−カル
ボニルオキシ）−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキ
シピランの合成

【０１８３】

【化８４】

【０１８４】４−デシルオキシ安息香酸クロリド0.７１
ｇ（2.４ミリモル）と参考例１と同様の操作で得られた
（５Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−５−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシロキシ−６−トリフルオロメチル−２−ヒド
ロキシピラン0.６０ｇ（2.０ミリモル）を用い、実施例
９と同様の操作を行い、目的化合物である（２Ｒ，５
Ｒ，６Ｒ）−テトラヒドロ−６−トリフルオロメチル−
２−（４−デシルオキシフェニル−１−カルボニルオキ
シ）−５−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシピラン0.
６６ｇ（1.２ミリモル）を得た。得られた化合物の物理
的性質を以下に示す。 分子式：Ｃ₂₉Ｈ₄₇Ｆ₃ Ｏ₅ Ｓｉ¹ Ｈ−ＮＭＲ；δ（ｐｐｍ） 0.１０ （ｓ，３Ｈ） 0.１１ （ｓ，３Ｈ） 0.８３〜0.９７（ｍ，１２Ｈ） 1.１６〜1.５２（ｍ，１４Ｈ） 1.６４〜2.２４（ｍ，６Ｈ） 3.８２〜3.９７（ｍ，２Ｈ） 4.００ （ｔ，Ｊ＝6.６Ｈｚ，２Ｈ） 6.０３ （ｄｄ，Ｊ＝2.４，7.９Ｈｚ，１Ｈ） 6.９０ （ｄ，Ｊ＝8.９Ｈｚ，２Ｈ） 8.００ （ｄ，Ｊ＝8.９Ｈｚ，２Ｈ）¹⁹ Ｆ−ＮＭＲ（基準：ＣＦＣl₃) ； δ（ｐｐｍ） −７4.５７ （ｄ，Ｊ＝6.４Ｈｚ） ［α］_D ²⁵＝−１6.６°（Ｃ（濃度）＝1.０２，溶媒：
クロロホルム）

【０１８５】実施例１７ 下記化合物

【０１８６】

【化８５】

【０１８７】の等量混合物（それぞれ２５重量％を含む
混合物）からなる母体液晶Ａを作製した。この液晶に実
施例１で得られた光学活性テトラヒドロピラン誘導体が
２重量％となるように混合し、液晶組成物を作製した。
得られた液晶組成物の相転移温度は、以下の通りであ
る。

【０１８８】

【化８６】

【０１８９】ＳｍＣ^* ：強誘電性カイラルスメクチック
Ｃ相 ＳｍＡ：スメクチックＡ相 Ｎ^* ：カイラルネマチック相 Ｉｓｏ：等方性液体状態 この液晶組成物を等方相でパラレルラビング処理を施し
たポリイミド配向膜を有するセル間隔２μｍの液晶素子
に注入した。徐冷して配向させ、３０℃でＶ_PP＝２０Ｖ
の矩形波電圧を印加したときの応答速度（τ_0-90）は９
２μ秒であった。なお、応答速度は直交ニコル下におけ
る透過光強度が０〜９０％まで変化する時間として求め
た。また、三角波法で測定した自発分極値は8.３ｎＣ／
ｃｍ² であった。

【０１９０】実施例１８ 実施例１７で得られた液晶Ａに実施例２で得られた光学
活性テトラヒドロピラン誘導体を２重量％となるように
混合し液晶組成物を作製した。得られた液晶組成物の相
転移温度は、以下の通りである。

【０１９１】

【化８７】

【０１９２】この液晶組成物を等方相でパラレルラビン
グ処理を施したポリイミド配向膜を有するセル間隔2.４
μｍの液晶素子に注入した。徐冷して配向させ、３０℃
でＶ _PP＝２４Ｖの矩形波電圧を印加したときの応答速度
（τ_0-90）は９４μ秒であった。なお、応答速度は直交
ニコル下における透過光強度が０〜９０％まで変化する
時間として求めた。また、三角波法で測定した自発分極
値は6.８ｎＣ／ｃｍ²であった。

【０１９３】実施例１９ 実施例１７で得られた液晶Ａに、実施例２で得られた光
学活性テトラヒドロピラン誘導体を５重量％となるよう
に混合し液晶組成物を作製した。得られた液晶組成物の
相転移温度は、以下の通りである。

【０１９４】

【化８８】

【０１９５】この液晶組成物を等方相でパラレルラビン
グ処理を施したポリイミド配向膜を有するセル間隔2.４
μｍの液晶素子に注入した。徐冷して配向させ、３０℃
でＶ _PP＝２４Ｖの矩形波電圧を印加したときの応答速度
（τ_0-90）は７４μ秒であった。なお、応答速度は直交
ニコル下における透過光強度が０〜９０％まで変化する
時間として求めた。また、三角波法で測定した自発分極
値は２0.８ｎＣ／ｃｍ ² であった。

【０１９６】実施例２０〜３３ 実施例１７で得られた液晶Ａに、実施例３〜１６で得ら
れた光学活性テトラヒドロピラン誘導体を２重量％とな
るように混合して液晶組成物を作製し、得られた液晶組
成物の相転移温度を測定し、結果を第１表に示す。この
液晶組成物を実施例１７に記載したのと同様の操作で液
晶素子を作製し、その応答速度及び自発分極を測定し、
結果を第１表に示す。

【０１９７】

【表１】

【０１９８】

【発明の効果】本発明の光学活性テトラヒドロピラン誘
導体は、化学的に安定で着色がなく、光安定性にも優れ
た新規化合物であり、自発分極が大きく、高速応答性を
有するものである。したがって、本発明の光学活性テト
ラヒドロピラン誘導体は、特に組成物とした場合に高速
応答性を向上させることができ、大きな自発分極を誘起
する強誘電性液晶の配合成分として有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０９Ｆ 9/35 0834−5Ｈ // Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 竹田 充範 茨城県鹿島郡神栖町東和田４番地 鹿島石 油株式会社鹿島製油所内 (72)発明者 村山 義信 茨城県鹿島郡神栖町東和田４番地 鹿島石 油株式会社鹿島製油所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ）又は（Ｉ’） 【化１】 〔式中、Ｒｆは炭素数１又は２のフルオロアルキル基を
   示し、Ｒ¹ は炭素数３〜２０の直鎖又は分岐鎖アルキル
   基を示し、Ｒ² 及びＲ³ はそれぞれ独立に水素又は炭素
   数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル基，炭素数２〜１
   ５のアルケニル基又は炭素数７〜１０のアラルキル基を
   示し、Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ 及びＲ⁶ はそれぞれ独立に水素又は炭
   素数１〜１５の直鎖又は分岐鎖アルキル基，炭素数２〜
   １５のアルケニル基，炭素数６〜１０のアリール基又は
   炭素数７〜１０のアラルキル基を示し、Ｘ¹ は−ＣＯＯ
   −，−ＯＣＯ−，−Ｏ−又は単結合を示し、Ｘ² は−Ｃ
   ＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＨ₂ Ｏ−，−ＯＣＨ₂ −，−
   Ｃ≡Ｃ−又は単結合を示し、Ｘ³ は−ＣＯＯ−，−ＣＨ
   ₂ Ｏ−又は−Ｏ−を示し、Ｓｉは珪素を示し、＊は不斉
   炭素を示し、Ａ及びＢはそれぞれ独立に置換又は無置換
   の含六員環基を示し、ｎは０又は１を示す。〕で表され
   る光学活性テトラヒドロピラン誘導体。
2. 【請求項２】 一般式（Ｉ）又は（Ｉ’）において、Ａ
   及びＢがそれぞれ独立に 【化２】 【化３】 のいずれかを示す請求項１記載の光学活性テトラヒトロ
   ピラン誘導体。
3. 【請求項３】 （ａ）請求項１又は２記載の光学活性テ
   トラヒドロピラン誘導体の少なくとも１種と（ｂ）前記
   （ａ）以外のカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ^* ）を
   有する化合物あるいは混合物及び／又は（ｃ）該（ａ）
   以外のスメクチックＣ相（ＳｍＣ）を有する化合物ある
   いは混合物からなる液晶組成物。
4. 【請求項４】 請求項１又は２記載の光学活性テトラヒ
   ドロピラン誘導体あるいは請求項３記載の液晶組成物
   を、一対の電極基板間に配設してなることを特徴とする
   液晶素子。