JPH07113904B2 - メモリ・アクセス装置 - Google Patents
メモリ・アクセス装置Info
- Publication number
- JPH07113904B2 JPH07113904B2 JP2095275A JP9527590A JPH07113904B2 JP H07113904 B2 JPH07113904 B2 JP H07113904B2 JP 2095275 A JP2095275 A JP 2095275A JP 9527590 A JP9527590 A JP 9527590A JP H07113904 B2 JPH07113904 B2 JP H07113904B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- counter
- memory array
- column
- row
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/88—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with partially good memories
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0207—Addressing or allocation; Relocation with multidimensional access, e.g. row/column, matrix
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/04—Arrangements for selecting an address in a digital store using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Memory System (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Dram (AREA)
Description
用されるメモリのアクセス装置に関する。
ップを示すものである。この種のメモリ51は、同図に示
すごとく、ローとカラムに分けられており、このメモリ
51をアクセスするには、例えばあるローアドレスを選択
して固定した状態で、カラムアドレスを順次変えたり、
あるカラムアドレスを固定した状態で、ローアドレスを
順次変えるようにしている。
で示すごとく、その不良に対応するローアドレスあるい
はカラムアドレスによって指定されるデータ全てが不良
となってしまう。
良が発生した部分のローアドレスあるいはカラムアドレ
スを指定すると、連続して多くの不良データが読出され
る。例えば1カラム1024ビットの場合、1024回連続して
誤りデータをアクセスすることとなる。したがって、こ
のデータが供給されるシステムも連続して不良データを
扱うこととなり、例えば誤ったデータに対して強い系と
言われるADM(Adaptive Delta Modulation)系音声録再
や画像処理系であっても、このメモリを使用することが
不可能となってしまうものであった。
ダンダンシー技術を使用して不良が発生したローあるい
はカラムをスペア・ローあるいはスペア・カラムによっ
て救済しているが、このリダンダンシー技術を使用した
場合、メモリ容量や回路素子が増加するため、メモリの
製造コストが増大するものであった。
課題を解決するものであり、その目的とするところは、
メモリに不良が生じている場合においても、そのメモリ
を誤りデータに強い系に使用することができ、しかも、
メモリの製造コストの増大を抑えることが可能なメモリ
・アクセス装置を提供しようとするものである。
カラムアドレスを指定することによってメモリアレイを
アクセスするメモリ・アクセス装置において、クロック
信号に応じて、メモリアレイの異なるビットを順次斜め
にアクセスするためのローアドレスとカラムアドレスを
それぞれ発生するアドレス生成手段を具備している。
ウントし、前記メモリアレイのローとカラムのビット配
分に応じてカウント値を分割して出力し、そのうちの一
方をカラムアドレスとして出力するカウンタと、このカ
ウンタから分割して出力されたカウント値を加算又は減
算し、ローアドレスを生成する加算回路又は減算回路に
よって構成されている。
方のビット数が奇数であり、前記アドレス生成手段は前
記クロック信号をカウントし、ローアドレスを生成する
第1のカウンタと、前記クロック信号をカウントし、カ
ラムアドレスを生成する第2のカウンタとによって構成
されている。
のビット数が奇数であり、前記アドレス生成手段は前記
クロック信号をシフトし、ローアドレスを生成する第1
のシフトレジスタと、前記クロック信号をシフトし、カ
ラムアドレスを生成する第2のシフトレジスタとによっ
て構成されている。
ス生成手段によって順次異なるローアドレスとカラムア
ドレスをそれぞれ発生することにより、メモリアレイを
順次斜めにアクセスすることができる。したがって、メ
モリアレイのローあるいはカラムに不良ビットが生じて
いる場合においても、連続して不良ビットをアクセスす
ることを防止できるため、リダンダンシー技術を使用す
ることなく、そのメモリを誤りデータに強い系に使用す
ることができる。
せ回路、カウンタと減算器の組合わせ回路によってカラ
ム方向、ロー方向のビット数に係わらずメモリアレイを
順次斜めにアクセスすることができる。
ビット数が奇数である場合は、加算器あるいは減算器を
必要とせず、カウンタあるいはシフトレジスタのみによ
って、メモリアレイを順次斜めにアクセスするためのロ
ーアドレスとカラムアドレスを生成することができる。
る。
図において、データを記憶するメモリアレイ11は例えば
ロー方向4ビット、カラム方向8ビットからなる32ビッ
トのメモリである。
ントするものであり、5ビットによって構成されてい
る。このアドレスカウンタ12の下位3ビットのカウント
結果は、メモリアレイ11のカラムアドレスとして使用さ
れ、上位2ビットおよび下位2ビットのカウント結果は
それぞれ加算器13に供給され、この加算器13において、
メモリアレイ11のローアドレスが生成される。すなわ
ち、加算器13には、アドレスカウンタ12の24と23、およ
び21と20のカウント結果が供給され、24と21が同一の重
みで加算され、23と20が同一のみ重みで加算される。こ
の加算結果のうち下位2ビットメモリアレイ11のローア
ドレスとして使用される。
ス、および加算器13から出力されるローアドレスはそれ
ぞれ図示せぬカラムデコーダおよびローデコーダを介し
てメモリアレイ11に供給されるようになっている。
ク信号φを順次カウントするとともに、加算器13によっ
てアドレスカウンタ12のカウント出力を加算すると、第
2図に示すごとく、カラムアドレス、ローアドレスを得
ることができる。このカラムアドレス、ローアドレスに
従って、メモリアレイ11をアクセスした場合、第1図に
示すメモリアレイ11中にに記載した数字の順に、ビット
が選択され、メモリアレイ11が順次斜めにアクセスされ
る(以下、斜めアクセスをヘリカル・アクセスと称
す)。
を示すものであり、、…はアクセスの順番を示して
いる。
データの書込み、この書込んだデータをヘリカル・アク
セスして読出した場合、第3図に示すごとく、メモリア
レイ11に斜線で示すようにロー方向とカラム方向に不良
ビットが存在する場合においても、ローの不良ビット、
カラムの不良ビットを連続してアクセスすることを防止
できる。したがって、ロー方向とカラム方向に不良ビッ
トが存在するメモリアレイであっても、誤りデータに対
して強いADM系等に使用することができるものである。
いること無く、不良ビットが存在するメモリアレイを使
用することができるため、メモリの製造コストを低減す
ることができるものである。
第1の実施例と同一部分には同一符号を付す。
では、加算器13によってローアドレスを演算したが、こ
の実施例は、減算器21によってローアドレスを演算して
いる。減算器21とアドレスカウンタ12の関係は第1の実
施例と同様である。
ク信号φを順次カウントするとともに、減算器21によっ
てアドレスカウンタ12のカウント出力を減算すると、第
5図に示すごとく、ローアドレス、カラムアドレスを得
ることができる。このローアドレス、カラムアドレスに
従って、メモリアレイ11をアクセスした場合、第4図に
示すメモリアレイ11中に記載した数字の順に、ビットが
選択され、メモリアレイ11がヘリカル・アクセスされ
る。
ことができる。
上記第1、第2の実施例において、メモリアレイ11はロ
ーおよびカラムのビット数がいずれも偶数の場合であっ
たが、ローあるいはカラムのいずれかのビット数が奇数
の場合は、回路構成を簡略化することができる。
数、例えば7ビット、ロー方向のビット数を偶数、例え
ば4ビットとした場合を示すものである。このメモリア
レイ31のローアドレス、カラムアドレスはクロック信号
φをカウントするアドレスカウンタ32、33によって生成
される。アドレスカウンタ32は例えば3ビットであり、
アドレスカウンタ33は例えば2ビットである。
ンカウンタを組合わせて構成することができ、その組合
わせ方法は、例えば次に(a)〜(d)で示すようであ
る。
ク信号φを順次カウントし、このカウント結果によって
メモリアレイ31のローアドレス、カラムアドレスを生成
すると、メモリアレイ31のビットを順次ヘリカル・アク
セスすることができる。
の組合わせに対応したメモリアレイ31のアクセス方向を
示すものであり、カウンタの組合わせに応じてアクセス
方向を種々設定することができる。同図において、
…はアクセスの順番を示している。
この実施例は第6図に示す第3の実施例におけるアドレ
スカウンタ32、33をシフトレジスタ41、42としたもので
ある。このうちカラムアドレスを生成するシフトレジス
タ41は7ビット構成であり、ローアドレスを生成するシ
フトレジスタ42は4ビット構成である。
に示す信号により、メモリアレイ31をローおよびカラム
をアクセスすることにより、上記実施例と同様にヘリカ
ル・アクセスを行うことができる。
値をセットすることが不可能な初期値セット不可形、あ
るいは初期値をセットすることが可能な初期値セット可
能形、例えばセット付、リセット付、セット・リセット
付、プリセット付のいずれでも使用可能であるが、一般
には、ヘリカル・アクセスの先頭アドレスを任意に設定
することが可能な全ビット・プリセット付カウンタを使
用するとよい。また、同カウンタはアップカウンタ、ダ
ウンカウンタ、アップ・ダウンカウンタのいずれでもよ
い。
変形実施可能なことは勿論である。
が生じている場合においても、そのメモリを誤りデータ
に強い系に使用することができ、しかも、メモリの製造
コストの増大を抑えることが可能なメモリ・アクセス装
置を提供できる。
図、第3図はそれぞれ第1図の動作を説明するために示
す図、第4図はこの発明の第2の実施例を示す構成図、
第5図は第4図の動作を説明するために示す図、第6図
はこの発明の第3の実施例を示す構成図、第7図はカウ
ンタの組合わせに応じたヘリカル・アクセス動作を示す
図、第8図はこの発明の第4の実施例を示す構成図、第
9図は第8図の動作を説明するために示す図、第10図は
従来のメモリアクセス方法を説明するために示す図であ
る。 11、31……メモリアレイ、12、32、33……アドレスカウ
ンタ、13……加算器、21……減算器、41、42……シフト
レジスタ。
Claims (5)
- 【請求項1】ローアドレスとカラムアドレスを指定する
ことによってメモリアレイをアクセスするメモリ・アク
セス装置において、 クロック信号に応じて、メモリアレイの異なるビットを
順次斜めにアクセスするためのローアドレスとカラムア
ドレスをそれぞれ発生するアドレス生成手段を具備した
ことを特徴とするメモリ・アクセス装置。 - 【請求項2】前記アドレス生成手段は、前記クロック信
号をカウントし、前記メモリアレイのローとカラムのビ
ット配分に応じてカウント値を分割して出力し、そのう
ちの一方をカラムアドレスとして出力するカウンタと、 このカウンタから分割して出力されたカウント値を加算
し、ローアドレスを生成する加算回路と、 を具備したことを特徴とする請求項1記載のメモリ・ア
クセス装置。 - 【請求項3】前記アドレス生成手段は、前記クロック信
号をカウントし、前記メモリアレイのローとカラムのビ
ット配分に応じてカウント値を分割して出力し、そのう
ちの一方をカラムアドレスとして出力するカウンタと、 このカウンタから分割して出力されたカウント値を減算
し、ローアドレスを生成する減算回路と、 を具備したことを特徴とする請求項1記載のメモリ・ア
クセス装置。 - 【請求項4】前記メモリアレイはローとカラムのいずれ
か一方のビット数が奇数であり、 前記アドレス生成手段は前記クロック信号をカウント
し、ローアドレスを生成する第1のカウンタと、 前記クロック信号をカウントし、カラムアドレスを生成
する第2のカウンタとを具備したことを特徴とする請求
項1記載のメモリ・アクセス装置。 - 【請求項5】前記メモリアレイはローとカラムのいずれ
か一方のビット数が奇数であり、 前記アドレス生成手段は前記クロック信号をシフトし、
ローアドレスを生成する第1のシフトレジスタと、 前記クロック信号をシフトし、カラムアドレスを生成す
る第2のシフトレジスタと、 を具備したことを特徴とする請求項1記載のメモリ・ア
クセス装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2095275A JPH07113904B2 (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | メモリ・アクセス装置 |
| US07/682,241 US5214611A (en) | 1990-04-11 | 1991-04-09 | Memory access device for accessing memory cell array diagonally |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2095275A JPH07113904B2 (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | メモリ・アクセス装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03292551A JPH03292551A (ja) | 1991-12-24 |
| JPH07113904B2 true JPH07113904B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=14133224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2095275A Expired - Lifetime JPH07113904B2 (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | メモリ・アクセス装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5214611A (ja) |
| JP (1) | JPH07113904B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2708115B1 (fr) * | 1993-07-19 | 1995-09-01 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif de stockage de données. |
| GB2298296B (en) * | 1995-02-23 | 1999-12-22 | Sony Uk Ltd | Data processing |
| US5765219A (en) * | 1995-02-23 | 1998-06-09 | Sony Corporation | Apparatus and method for incrementally accessing a system memory |
| US5892775A (en) * | 1995-12-27 | 1999-04-06 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for providing error-tolerant storage of information |
| JP2001006387A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | テスト回路を備える半導体装置および半導体装置の試験装置 |
| JP2004246979A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Fujitsu Ltd | 半導体試験回路、半導体記憶装置および半導体試験方法 |
| JP5126360B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-01-23 | 富士通セミコンダクター株式会社 | メモリ装置及びそれを制御するメモリコントローラ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747080A (en) * | 1985-11-12 | 1988-05-24 | Nippon Telegraph & Telephone Corporation | Semiconductor memory having self correction function |
| KR910009444B1 (ko) * | 1988-12-20 | 1991-11-16 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
| US5105425A (en) * | 1989-12-29 | 1992-04-14 | Westinghouse Electric Corp. | Adaptive or fault tolerant full wafer nonvolatile memory |
-
1990
- 1990-04-11 JP JP2095275A patent/JPH07113904B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-09 US US07/682,241 patent/US5214611A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03292551A (ja) | 1991-12-24 |
| US5214611A (en) | 1993-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6338154B2 (en) | Apparatus and method for generating addresses in a built-in self memory testing circuit | |
| JPS6037947B2 (ja) | アダマ−ル変換用プロセツサ | |
| US4016409A (en) | Longitudinal parity generator for use with a memory | |
| JP2522258B2 (ja) | 信号処理装置 | |
| JPH03292551A (ja) | メモリ・アクセス装置 | |
| JP2961792B2 (ja) | Ramアドレス生成回路 | |
| US5805604A (en) | Apparatus and method for reading and writing data | |
| JPH1155480A (ja) | 記憶装置およびアクセス方法 | |
| JP3206358B2 (ja) | データ一時記憶装置 | |
| US6486885B2 (en) | Memory device and method | |
| JPH0784870A (ja) | 記憶回路 | |
| JPS5862686A (ja) | 画像メモリ装置 | |
| JPH0421942B2 (ja) | ||
| JPS5862685A (ja) | 画像メモリ装置 | |
| CA1316269C (en) | Interleaving method and apparatus | |
| JPS615500A (ja) | メモリ集積回路 | |
| JPH0352694B2 (ja) | ||
| JP2589493B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3426271B2 (ja) | アドレス発生回路 | |
| KR0127212Y1 (ko) | 메모리 어드레스 디코딩회로 | |
| JPH0418389B2 (ja) | ||
| JPH0439149B2 (ja) | ||
| JPS63253729A (ja) | ビツトインタ−リ−ブメモリ制御回路 | |
| JPH01124163A (ja) | アドレスコントロール回路 | |
| JPS61110247A (ja) | 記憶装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071206 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081206 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091206 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091206 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101206 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101206 Year of fee payment: 15 |