JPH07115233A - 磁電変換素子の製造方法 - Google Patents
磁電変換素子の製造方法Info
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- JPH07115233A JPH07115233A JP5258391A JP25839193A JPH07115233A JP H07115233 A JPH07115233 A JP H07115233A JP 5258391 A JP5258391 A JP 5258391A JP 25839193 A JP25839193 A JP 25839193A JP H07115233 A JPH07115233 A JP H07115233A
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Abstract
所定範囲の電磁気特性を有する磁電変換素子の製造方法
を提供することを目的とする。 【構成】 リードフレーム上に予めダイボンドされたペ
レット４の電磁気特性を個別に測定する工程と、該特性
に相当した特性パターン検出マーク７をリードフレーム
の外縁部に設ける工程と、該検出マーク７を検出してそ
れに相当した磁気集束用磁性体３の大きさを選定し、前
記ペレット４上に該大きさの磁気集束用磁性体３を載せ
ていく工程を有する。
Description
変換素子の製造方法に関するものである。
は、電磁気特性、特に出力電圧を高くする目的で磁性
体、半導体および磁気集束用磁性体の積層構造（例えば
特公昭５１−４５２３４号公報）をとっている。一般
に、出力電圧は、半導体の電磁気特性が同じ素子であっ
ても磁気集束用磁性体の面積に反比例し、厚みにほぼ比
例する特性がある。
のウェハ単位で電磁気特性を数点測定し、その測定され
た電磁気特性により所定の出力電圧を得るために、ある
同じ形状の磁気集束用磁性体をウェハ単位で載せるよう
にしていた。
ェハ単位で分布があり、ばらつきがある。このばらつき
のある半導体上に同じ形状の磁気集束用磁性体を載せて
素子化した場合でも、その素子の出力電圧には当然のこ
とながら同じようにばらつきが発生する。そのために素
子化後の電磁気検査で所定範囲外の電磁気特性を示すも
のが発生してしまい、所定範囲内のものと外のものとで
区別処理する必要がある。
検討を重ねた結果、リードフレーム上にダイボンドされ
たペレットを個別に電磁気特性を測定し、該測定された
特性に相当する寸法の磁気集束用磁性体を上記測定対象
のペレット上に個別に載せることにより、素子化後の電
磁気特性において、ばらつきの小さい、所定の特性範囲
を有する磁電変換素子の製造方法を実現できることを見
いだし、本発明を完成させるに至った。
決するもので、素子化後に、電磁気特性のばらつきが小
さく、所定範囲の電磁気特性を有する磁電変換素子の製
造方法を提供することを目的とするものである。
に、請求項１記載の発明は磁気集束用磁性体の寸法によ
って変わる電磁気特性を有する磁電変換素子の製造方法
であって、リードフレーム上に予めダイボンドされた積
層構造のペレットの電磁気特性を個別に測定する工程
と、前記測定された電磁気特性に対応する寸法の磁気集
束用磁性体を選定し、前記ペレット上に前記選定された
磁気集束用磁性体を載置する工程を含むことを特徴とす
る。
定工程により測定された電磁気特性に対応する特性パタ
ーン検出用マークを前記リードフレームの外縁部に設け
て前記ペレットの電磁気特性パターンを検出可能とする
工程をさらに含むようにしてもよい。
の製造方法の実施例を説明する。
面を参照して説明する。図１はペレットの構造を示す図
である。図１において１はフェライト等の磁性体、２は
ＩｎＳｂ等の半導体、３はＭｎＺｎ等の磁気集束用磁性
体である。磁性体１と半導体２とはペレット４を構成し
ている。半導体２は感磁部と入力２端子出力２端子で構
成されている。電磁気特性の測定項目は、入出力端子の
抵抗と入力端子に一定の直流電圧を供給して感磁部に一
定の磁界をかけた場合とかけない場合の出力電圧であ
る。
すように半導体ペレットを搭載するアイランド部５と外
部端子となるリード部６とそれらを固定する部分（図示
略）からなっている。リードフレームの表面には全面あ
るいは部分的にメッキが施されている。
特性、特に出力電圧がどの程度高くなるかを知るために
は、予めリードフレーム上にダイボンドされたペレット
について、電磁気特性を測定し、数種類の形状の磁気集
束用磁性体を準備し、その磁気集束用磁性体を載せて素
子化した後、電磁気特性を測定し磁気集束用磁性体の形
状と電磁気特性との相関を調べる。この相関から、ペレ
ットの有する電磁気特性に対して所定の電磁気特性を得
るためにどの形状の磁気集束用磁性体を載せれば良いか
が決定される。磁気集束用磁性体は面積を一定にし厚み
を変えて準備されており、厚みが厚い程、素子の出力電
圧が高くなる。
一実施例を図２をもって説明する。図２（ａ），
（ｂ），（ｃ）および（ｄ）は本発明の実施をするため
の工程図であって、（ａ）はリードフレームアイランド
部５上にペレット４をダイボンドした状態を示す図であ
る。図２（ａ）において、６はリードフレームリード部
である。図２（ｂ）はリードフレームの外縁部に検出パ
ターンマーク７を設けた状態を示す図である。図２
（ｃ）はペレット４の半導体２とリードフレームリード
部６とをワイヤ８で結線した状態を示す図である。図２
（ｄ）はペレット４上に磁気集束用磁性体３を載せた状
態を示す図である。
法について以下その動作を説明する。
ト４をリードフレームアイランド部５上にダイボンドし
接着固定する。この工程は一般にダイボンダーとして知
られる装置を利用できる。すなわち、リードフレームの
アイランド部に予め接着剤を種々の方法で塗布してお
き、その上にペレットを載せる。さらにオーブン等に入
れて接着剤を硬化し、ペレットとリードフレームを一体
化するものである。
たペレット４の電磁気特性を個別に測定する。この工程
は、ペレットの四隅には入出力端子が形成されている
が、プローブ等を該入出力端子に接触させ入力電圧を印
加し、有磁界時と無磁界時の出力電圧を測定するもので
ある。その特性値から目的の特性値を得るために載せる
べき磁気集束用磁性体の大きさを選定することができ
る。次にその形状に相当する特性パターン検出マークを
リードフレームの外縁部に設ける。例えば図２（ｂ）に
示すような記号でもよいし、位置の違いを利用してもよ
い。マーキングは単なるマジックペンで行ってもよい
し、レーザーやインクジェットのような手段を用いるこ
ともできる。図２（ｃ）に示すようにマークされたリー
ドフレームはワイヤーボンドを行い、ペレットの端子と
リードフレームのリード部を結線する。この工程には一
般にワイヤーボンダーとして知られる装置を利用でき
る。すなわち、入出力端子側とリードフレームのリード
部を超音波と熱を利用して、ワイヤーの両端をそれぞれ
圧着し結線する。ワイヤーボンドされたリードフレーム
に設けられた検出マークを個別に検出し、検出マークに
相当する磁気集束用磁性体の大きさを選定し、図２
（ｄ）に示すように磁気集束用磁性定を予め接着剤を塗
布したペレットの中央部に載せて接着し、オーブン等で
硬化する。この際、ワイヤーボンドと磁気集束用磁性体
の積載の工程順を逆にしてもよい。
の厚さ０．３ｍｍフェライト基板上に、電子移動度２５
０００ｃｍ2 ／Ｖ・Ｓの特性（ファン・デル・パウ法で
測定）のＩｎＳｂ（インジウムアンチモン）の半導体を
形成する。次に、ウエット処理でパターニングして得た
ホール素子ウェハを０．８ｍｍ角のペレットに加工す
る。このペレットを、厚み０．１ｍｍ、１ｍｍ×１．２
ｍｍの大きさのアイランドを４．６ｍｍピッチで２０個
並べた大きさ１５ｍｍ×９２ｍｍのリードフレーム上に
ダイボンドし、マガジンに収納し硬化する。電磁気特性
検査機でペレット個別に入出力抵抗を測定し、入力端子
に１Ｖの直流電圧を印加し、有磁界、無磁界の出力電圧
を測定する。予め所定の出力電圧を指定し、その値か
ら、所定の出力電圧を得るために、どの形状の磁気集束
用磁性体を選定するかを計算機で計算させ出力する。磁
気集束用磁性体はＭｎＺｎ（マンガンジンク）の４５ｍ
ｍ角の基板を厚み０．２ｍｍ、０．２５ｍｍ、０．３ｍ
ｍおよび０．４ｍｍの４種類準備し、０．４ｍｍ角に切
断したものである。出力された磁気集束用磁性体の厚み
のマークをリードフレームの外縁部にペレット毎にイン
キでマークする。マークの種類は磁気集束用磁性体の形
状の種類と同じく４種である。マークされたリードフレ
ームは１度マガジンに収納し、ワイヤーボンディング装
置にて入出力端子とリードフレームを金線で結線する。
結線されたリードフレームはディスペンス方式でシリコ
ーン樹脂（東芝シリコーン製ＴＳＪ３１５８−Ｂ）をペ
レット中央部に塗布し、リードフレームの外縁部に設け
たマークに合わせて磁気集束用磁性体をピンセットを利
用し搭載する。磁気集束用磁性体を個別に搭載されたリ
ードフレームをマガジンに収納し、オーブンで硬化す
る。このリードフレームを樹脂封止し素子化する。
検査にて図３（ａ）のような出力電圧分布を示し、所定
の出力電圧範囲に９割以上収まった。図３（ｂ）に従来
法で１枚のウェハ内のペレット全てに厚み０．２５ｍｍ
の磁気集束用磁性体を載せた場合の出力電圧特性分布図
を示す。目的の出力電圧に４〜５割しか収まらない。
得られた磁電変換素子の電磁気特性を所定範囲内に収ま
るように組み立てることが可能になり、要求される特性
を有する磁電変換素子を計画的に、かつ、効率よく生産
できる。
断面図である。
方法の一実施例における各工程を示す図であって、
（ｂ）は平面図であり、（ａ），（ｃ）および（ｄ）は
断面図である。
素子における出力電圧の分布を示す特性図であり、
（ｂ）は従来法により得られた磁電変換素子における出
力電圧の分布を示す特性図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気集束用磁性体の寸法によって変わる
電磁気特性を有する磁電変換素子の製造方法であって、
リードフレーム上に予めダイボンドされた積層構造のペ
レットの電磁気特性を個別に測定する工程と、前記測定
された電磁気特性に対応する寸法の磁気集束用磁性体を
選定し、前記ペレット上に前記選定された磁気集束用磁
性体を載置する工程を含むことを特徴とする磁電変換素
子の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、前記電磁気特性個別
測定工程により測定された電磁気特性に対応する特性パ
ターン検出用マークを前記リードフレームの外縁部に設
けて前記ペレットの電磁気特性パターンを検出可能とす
る工程をさらに含むことを特徴とする磁電変換素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25839193A JP3426004B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 磁電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25839193A JP3426004B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 磁電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115233A true JPH07115233A (ja) | 1995-05-02 |
| JP3426004B2 JP3426004B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=17319592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25839193A Expired - Lifetime JP3426004B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 磁電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3426004B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013096789A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサ |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP25839193A patent/JP3426004B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013096789A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3426004B2 (ja) | 2003-07-14 |
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