JPH07116594B2 - 電子銃式成膜装置 - Google Patents
電子銃式成膜装置Info
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- JPH07116594B2 JPH07116594B2 JP1199613A JP19961389A JPH07116594B2 JP H07116594 B2 JPH07116594 B2 JP H07116594B2 JP 1199613 A JP1199613 A JP 1199613A JP 19961389 A JP19961389 A JP 19961389A JP H07116594 B2 JPH07116594 B2 JP H07116594B2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子銃を用いた成膜装置に関する。
（従来の技術） 近年素子の高密度化にともない、高融点で低抵抗を必要
とされるゲート電極として、多結晶シリコンに変わり高
融点金属や各種シリサイドが注目されている。また、マ
イクロ波デバイスなどへの応用を目的として、シリコン
分子線エピタキシー（MBE）法が研究されている。
とされるゲート電極として、多結晶シリコンに変わり高
融点金属や各種シリサイドが注目されている。また、マ
イクロ波デバイスなどへの応用を目的として、シリコン
分子線エピタキシー（MBE）法が研究されている。
これらの材料を形成する方法として、蒸着試料に電子線
を照射し加熱蒸着させる、電子ビーム蒸着法が用いられ
ている。従来用いられている電子銃回りの構造例を第２
図に示す。電子はフィラメント１から放出され、給電線
６から供給される６〜10kVの高電圧により加速される。
ポールピース３にある永久磁石により軌道を曲げられハ
ース４にある蒸着試料２に照射される。
を照射し加熱蒸着させる、電子ビーム蒸着法が用いられ
ている。従来用いられている電子銃回りの構造例を第２
図に示す。電子はフィラメント１から放出され、給電線
６から供給される６〜10kVの高電圧により加速される。
ポールピース３にある永久磁石により軌道を曲げられハ
ース４にある蒸着試料２に照射される。
（発明が解決しようとする課題） 電子ビーム蒸着法では、ハース４内の蒸着試料のみを電
子ビーム加熱蒸着している。しかし、この蒸着粒子は電
子ビームの影響を受けて帯電する。SiMBE等で正と負に
帯電した蒸着粒子が存在することが、アプライドフィジ
ックスレターズ54巻629ページ（Appl.Phys.Lett.54,629
（1989））に実験的に示されている。帯電した蒸着粒子
はフィラメントへの給電線６など高電圧の印加された部
分に、静電的に引き寄せられてスパッタする。これは蒸
着を行なった後給電線などに蒸着源が付着していること
から裏付けられる。給電線の材料としては銅を使うこと
が多いが、銅がスパッタされて不純物金属として蒸着膜
中に混入する。この汚染は、例えばSiMBEではキャリア
の寿命に影響し、また金属薄膜を半導体上に形成するよ
うな場合にはショットキーバリアハイトに影響を及ぼ
す。
子ビーム加熱蒸着している。しかし、この蒸着粒子は電
子ビームの影響を受けて帯電する。SiMBE等で正と負に
帯電した蒸着粒子が存在することが、アプライドフィジ
ックスレターズ54巻629ページ（Appl.Phys.Lett.54,629
（1989））に実験的に示されている。帯電した蒸着粒子
はフィラメントへの給電線６など高電圧の印加された部
分に、静電的に引き寄せられてスパッタする。これは蒸
着を行なった後給電線などに蒸着源が付着していること
から裏付けられる。給電線の材料としては銅を使うこと
が多いが、銅がスパッタされて不純物金属として蒸着膜
中に混入する。この汚染は、例えばSiMBEではキャリア
の寿命に影響し、また金属薄膜を半導体上に形成するよ
うな場合にはショットキーバリアハイトに影響を及ぼ
す。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去して、電
子ビーム蒸着法による成膜において、不純物の混入のな
い膜の形成装置を提供することにある。
子ビーム蒸着法による成膜において、不純物の混入のな
い膜の形成装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明は、電子銃を用いた成膜装置において、フィラメ
ントへの給電線のように高電圧の印加された部分を、蒸
着試験からの蒸着粒子が被蒸着物へ飛ぶのを妨げないよ
うに、蒸着試料と前記給電線との間に、接地した金属あ
るいは金属網で覆ったことを特徴とする成膜装置であ
る。
ントへの給電線のように高電圧の印加された部分を、蒸
着試験からの蒸着粒子が被蒸着物へ飛ぶのを妨げないよ
うに、蒸着試料と前記給電線との間に、接地した金属あ
るいは金属網で覆ったことを特徴とする成膜装置であ
る。
（実施例） 次に発明の実施例について具体的に説明する。
電子銃はフランジに接続されてチャンバー内に導入され
ており、フィラメントへの給電線が露出している。本実
施例では、これを第１図に示すように給電線の上方（蒸
着対象のある側）と側方を金属板７で覆い、フランジ８
などと接続してアースに落としている。こうすることに
より、給電線６は電気的に遮蔽されるので、荷電蒸着粒
子によるスパッタを除去できる。この場合、給電線６の
上方のみに金属板を設置することでも、荷電蒸着粒子の
回り込みを制御できる。また金属板の代わりに金属網を
用いても、静電遮蔽の効果は同様であるので有効であ
る。第３図に、白金をシリコン基板上に、給電線が露出
した従来型の装置で蒸着した膜と本実施例の装置で蒸着
した膜の、オージェ電子分光法による元素分析の結果を
示す。上側に従来型による結果を、下側に本実施例によ
る結果を示すが、前者は給電線の材料である銅が検出さ
れているのに対し、後者では検出されない。このこと
は、蒸着粒子による給電線のスパッタが抑制されたこと
を示している。図中炭素や酵素が検出されているが、こ
れは膜形成後の表面の吸着であり本発明とはなんら関係
ない。
ており、フィラメントへの給電線が露出している。本実
施例では、これを第１図に示すように給電線の上方（蒸
着対象のある側）と側方を金属板７で覆い、フランジ８
などと接続してアースに落としている。こうすることに
より、給電線６は電気的に遮蔽されるので、荷電蒸着粒
子によるスパッタを除去できる。この場合、給電線６の
上方のみに金属板を設置することでも、荷電蒸着粒子の
回り込みを制御できる。また金属板の代わりに金属網を
用いても、静電遮蔽の効果は同様であるので有効であ
る。第３図に、白金をシリコン基板上に、給電線が露出
した従来型の装置で蒸着した膜と本実施例の装置で蒸着
した膜の、オージェ電子分光法による元素分析の結果を
示す。上側に従来型による結果を、下側に本実施例によ
る結果を示すが、前者は給電線の材料である銅が検出さ
れているのに対し、後者では検出されない。このこと
は、蒸着粒子による給電線のスパッタが抑制されたこと
を示している。図中炭素や酵素が検出されているが、こ
れは膜形成後の表面の吸着であり本発明とはなんら関係
ない。
なお本実施例では電極９は遮蔽していないが、この部分
も遮蔽すれば不純物混入を抑制できる。
も遮蔽すれば不純物混入を抑制できる。
（発明の効果） 以上詳述したように、本発明によれば電子銃を用いた成
膜において、高電圧の印加された部分を電気的に遮蔽す
ることにより、蒸着源より飛出した荷電粒子が、これら
の部分をスパッタすることを抑制できるので、不純物金
属の混入を抑えることができ、Siなどの電気特性の向上
及びシリサイド形成過程への影響やショットキバリアの
バリアハイトの変調等を除去できる。
膜において、高電圧の印加された部分を電気的に遮蔽す
ることにより、蒸着源より飛出した荷電粒子が、これら
の部分をスパッタすることを抑制できるので、不純物金
属の混入を抑えることができ、Siなどの電気特性の向上
及びシリサイド形成過程への影響やショットキバリアの
バリアハイトの変調等を除去できる。
第１図は、本発明の装置の実施例を示す図で（ａ）は側
面図、（ｂ）はＡ−Ａ′断面図、第２図は、従来例を示
す図、第３図は、従来例と本発明の実施例の装置によ
る、蒸着膜のオージェ電子分光法による元素分析の結果
を示す図である。 １……フィラメント、２……蒸着試料、３……ポールピ
ース、４……ハース、５……水冷管、６……給電線、７
……金属板、８……フランジ
面図、（ｂ）はＡ−Ａ′断面図、第２図は、従来例を示
す図、第３図は、従来例と本発明の実施例の装置によ
る、蒸着膜のオージェ電子分光法による元素分析の結果
を示す図である。 １……フィラメント、２……蒸着試料、３……ポールピ
ース、４……ハース、５……水冷管、６……給電線、７
……金属板、８……フランジ
Claims (1)
- 【請求項１】フィラメントへの給電線を覆う接地した金
属板または金属網を、蒸着試料と前記給電線との間に設
けることを特徴とする電子銃式成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199613A JPH07116594B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 電子銃式成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199613A JPH07116594B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 電子銃式成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364455A JPH0364455A (ja) | 1991-03-19 |
| JPH07116594B2 true JPH07116594B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=16410770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1199613A Expired - Lifetime JPH07116594B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 電子銃式成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07116594B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4752139B2 (ja) * | 2001-06-06 | 2011-08-17 | パナソニック株式会社 | 温度ヒューズの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295170A (en) * | 1976-02-06 | 1977-08-10 | Hitachi Ltd | Evaporator by electron beam |
| JPS60165372A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-28 | Matsushita Electronics Corp | 電子ビ−ム蒸着装置 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1199613A patent/JPH07116594B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0364455A (ja) | 1991-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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