JPH11241158A - 電子線を用いた真空蒸着装置 - Google Patents
電子線を用いた真空蒸着装置Info
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- JPH11241158A JPH11241158A JP4650398A JP4650398A JPH11241158A JP H11241158 A JPH11241158 A JP H11241158A JP 4650398 A JP4650398 A JP 4650398A JP 4650398 A JP4650398 A JP 4650398A JP H11241158 A JPH11241158 A JP H11241158A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好なステップカバレージを提供する電子線
を用いた真空蒸着装置を提供する。また、大口径または
大面積の基板に均一な製膜をすることのできる電子線蒸
着装置を提供する。 【解決手段】 電子線源から放射された電子線が真空チ
ャンバ内に導かれ、製膜すべき基板と少なくとも同程度
の面積で基板に対向する製膜物質のターゲットを照射す
る。ターゲットの背後に設けられた回転磁石がターゲッ
トの表面近傍に磁界を生成し、電子線を拡散し、ターゲ
ット全面に照射させる。ターゲットの表面積にわたって
ほぼ均一な物質放出が行われ、基板に均一な膜を形成す
ることができる。
を用いた真空蒸着装置を提供する。また、大口径または
大面積の基板に均一な製膜をすることのできる電子線蒸
着装置を提供する。 【解決手段】 電子線源から放射された電子線が真空チ
ャンバ内に導かれ、製膜すべき基板と少なくとも同程度
の面積で基板に対向する製膜物質のターゲットを照射す
る。ターゲットの背後に設けられた回転磁石がターゲッ
トの表面近傍に磁界を生成し、電子線を拡散し、ターゲ
ット全面に照射させる。ターゲットの表面積にわたって
ほぼ均一な物質放出が行われ、基板に均一な膜を形成す
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置、液
晶表示装置その他の分野において成膜に使用される電子
線を用いた物理的成膜装置に関し、特に、電子線でター
ゲットを照射して対向する基板にターゲット物質を堆積
させる真空成膜装置に関する。
晶表示装置その他の分野において成膜に使用される電子
線を用いた物理的成膜装置に関し、特に、電子線でター
ゲットを照射して対向する基板にターゲット物質を堆積
させる真空成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板に金属、合金などを堆積させ
る装置として電子線を用いた真空蒸着装置がある。図１
は、その原理を示す図で、１０-5から１０-6 Torr の高
真空のチャンバ１内で電子線源２から放射され偏向され
た電子線をるつぼ３内のターゲット４（ソース）に照射
し、局部的に加熱して蒸発させる。この方法は、るつぼ
３からの汚染混入がなく、周辺部を加熱しない局部的加
熱なので不純物の混入も抑制されるという利点を有す
る。ターゲット４の連続的な自動供給も可能であり、合
金蒸着の場合は、電子線源２とるつぼ３を複数個準備す
れば自由に制御可能になる。
る装置として電子線を用いた真空蒸着装置がある。図１
は、その原理を示す図で、１０-5から１０-6 Torr の高
真空のチャンバ１内で電子線源２から放射され偏向され
た電子線をるつぼ３内のターゲット４（ソース）に照射
し、局部的に加熱して蒸発させる。この方法は、るつぼ
３からの汚染混入がなく、周辺部を加熱しない局部的加
熱なので不純物の混入も抑制されるという利点を有す
る。ターゲット４の連続的な自動供給も可能であり、合
金蒸着の場合は、電子線源２とるつぼ３を複数個準備す
れば自由に制御可能になる。
【０００３】特開平３−１３８３５８号公報には、蒸発
試料の近くに磁石を配置した電子線を用いた真空蒸着装
置が記載されている。電子線は、蒸発試料に並列に配置
された電子銃から蒸発試料と平行な垂直方向に放射さ
れ、これが試料近傍の磁石が形成する磁界により、サイ
クロイド運動を行いながら磁力線に沿って進行する。磁
力線は蒸発試料を垂直に貫いているので、磁力線に沿っ
て飛来した電子線は、試料に垂直に入射する。この公報
のものは、試料近傍に磁石を配置することを教示しては
いるが、電子線を拡散させる形態で磁石を利用すること
を教示していない。
試料の近くに磁石を配置した電子線を用いた真空蒸着装
置が記載されている。電子線は、蒸発試料に並列に配置
された電子銃から蒸発試料と平行な垂直方向に放射さ
れ、これが試料近傍の磁石が形成する磁界により、サイ
クロイド運動を行いながら磁力線に沿って進行する。磁
力線は蒸発試料を垂直に貫いているので、磁力線に沿っ
て飛来した電子線は、試料に垂直に入射する。この公報
のものは、試料近傍に磁石を配置することを教示しては
いるが、電子線を拡散させる形態で磁石を利用すること
を教示していない。
【０００４】また、特開平５−２５５８４１号公報に
は、電子線加熱方式によってめっき原料を蒸発または昇
華させる蒸着めっき方法において、効率向上のためめっ
き原料表面への電子線入射角度を20度以上にすることが
記載されている。この公報のものも、電子線を拡散させ
る形態で磁石を利用することは教示していない。
は、電子線加熱方式によってめっき原料を蒸発または昇
華させる蒸着めっき方法において、効率向上のためめっ
き原料表面への電子線入射角度を20度以上にすることが
記載されている。この公報のものも、電子線を拡散させ
る形態で磁石を利用することは教示していない。
【０００５】
【この発明が解決しようとする課題】従来の電子線を用
いた蒸着法は、基本的にポイントソースと呼ばれる蒸発
源を用いており、蒸発した原子が真空中を直進するので
基板のパターン上へのステップカバレージの状態は劣っ
ている。
いた蒸着法は、基本的にポイントソースと呼ばれる蒸発
源を用いており、蒸発した原子が真空中を直進するので
基板のパターン上へのステップカバレージの状態は劣っ
ている。
【０００６】図２は、この従来の装置によるステップカ
バレージの状態を示す図で、シリコン基板２１に絶縁層
２２を形成し、これにコンタクトホール２３をあけた簡
単なモデルを示している。このような基板に電子線蒸着
法で、たとえばアルミニウム層２４を堆積すると、基板
とターゲットとの位置関係に依存してコンタクトホール
の側壁に場所ごとに不均一な堆積を生じる。半導体基板
に形成される各種パターンのアスペクトレイシオ（縦横
比）が大きくなるにつれて、ステップカバレージの問題
が大きくなってくる。
バレージの状態を示す図で、シリコン基板２１に絶縁層
２２を形成し、これにコンタクトホール２３をあけた簡
単なモデルを示している。このような基板に電子線蒸着
法で、たとえばアルミニウム層２４を堆積すると、基板
とターゲットとの位置関係に依存してコンタクトホール
の側壁に場所ごとに不均一な堆積を生じる。半導体基板
に形成される各種パターンのアスペクトレイシオ（縦横
比）が大きくなるにつれて、ステップカバレージの問題
が大きくなってくる。
【０００７】また、大口径または大面積の基板２１に成
膜を行う場合、基板２１の各部がターゲットに対してな
す角度および距離が大きくことなるようになり、均一な
成膜を行うことができない。
膜を行う場合、基板２１の各部がターゲットに対してな
す角度および距離が大きくことなるようになり、均一な
成膜を行うことができない。
【０００８】したがって、この発明の目的は、良好なス
テップカバレージを提供する電子線を用いた真空蒸着装
置を提供することにある。また、この発明は、一面にお
いて、大口径または大面積の基板に均一な成膜をするこ
とのできる電子線蒸着装置を提供することを目的とす
る。
テップカバレージを提供する電子線を用いた真空蒸着装
置を提供することにある。また、この発明は、一面にお
いて、大口径または大面積の基板に均一な成膜をするこ
とのできる電子線蒸着装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、この発明は、次の構成をとる。すなわち、請求項１
に記載される発明の真空蒸着装置は、真空チャンバと、
真空チャンバに結合された電子線源と、真空チャンバ内
に設けられた、成膜すべき基板を支持する支持台と、少
なくとも基板と同程度の面積で基板に対向する成膜物質
のターゲットと、ターゲットの背後に設けられた、ター
ゲットの表面近傍に磁界を生成するための磁石と、で構
成される。
め、この発明は、次の構成をとる。すなわち、請求項１
に記載される発明の真空蒸着装置は、真空チャンバと、
真空チャンバに結合された電子線源と、真空チャンバ内
に設けられた、成膜すべき基板を支持する支持台と、少
なくとも基板と同程度の面積で基板に対向する成膜物質
のターゲットと、ターゲットの背後に設けられた、ター
ゲットの表面近傍に磁界を生成するための磁石と、で構
成される。
【００１０】この構成によると、ターゲットが少なくと
も基板と同程度の面積で基板に対向しており、このター
ゲットの表面近傍に磁界が生成され、電子線源から到来
した電子がこの磁界によって拡散されてターゲットの表
面積にわたってほぼ均一な分布になり、ターゲットを照
射するので、ターゲットの表面積にわたってほぼ均一な
物質放出が行われる。したがって、基板に均一な膜を形
成することができる。
も基板と同程度の面積で基板に対向しており、このター
ゲットの表面近傍に磁界が生成され、電子線源から到来
した電子がこの磁界によって拡散されてターゲットの表
面積にわたってほぼ均一な分布になり、ターゲットを照
射するので、ターゲットの表面積にわたってほぼ均一な
物質放出が行われる。したがって、基板に均一な膜を形
成することができる。
【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１の発明
の構成に加え、磁石が、同じ磁極が内側を向くように閉
曲線上に複数個並べて設けられ、ターゲットに平行な平
面内で回転される構成をとる。この構成によると、電子
線に働く磁界がターゲット全面にわたって均一化される
から、より均一な成膜を行うことができる。
の構成に加え、磁石が、同じ磁極が内側を向くように閉
曲線上に複数個並べて設けられ、ターゲットに平行な平
面内で回転される構成をとる。この構成によると、電子
線に働く磁界がターゲット全面にわたって均一化される
から、より均一な成膜を行うことができる。
【００１２】請求項３に記載の発明は、請求項１の発明
の構成に加え、ターゲットに電子を引きつける直流バイ
アスをかける手段を有する。この構成によると、電子が
ターゲットに向かう速度が大きくなるから、ターゲット
からの物質の放出効果が増大され、成膜速度を向上させ
ることができる。
の構成に加え、ターゲットに電子を引きつける直流バイ
アスをかける手段を有する。この構成によると、電子が
ターゲットに向かう速度が大きくなるから、ターゲット
からの物質の放出効果が増大され、成膜速度を向上させ
ることができる。
【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項１の発明
の構成に加え、ターゲットから放出された物質を引き寄
せるため、基板がＲＦバイアス電源に接続されている構
成をとる。この構成によると、ターゲットから放出され
た物質の基板への堆積効果を増大させることができるか
ら、成膜速度を向上させることができる。
の構成に加え、ターゲットから放出された物質を引き寄
せるため、基板がＲＦバイアス電源に接続されている構
成をとる。この構成によると、ターゲットから放出され
た物質の基板への堆積効果を増大させることができるか
ら、成膜速度を向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図３を参
照して説明する。高真空にすることができるチャンバ３
１内に絶縁物３５を介して基板ステージ３４が設けられ
ており、その上に成膜すべき半導体基板（ウェハ）、液
晶パネルなどの基板３６が置かれる。基板ステージ３４
は、ＲＦ電源４５に接続され、基板にバイアスをかける
ようになっている。電子銃３２がチャンバ３１に結合さ
れており、電子銃３２から放出された電子は、収束用マ
グネット３３によって収束されてチャンバ３１内に導か
れる。チャンバ３１内のプロセス領域は、シールド３７
でシールドされている。
照して説明する。高真空にすることができるチャンバ３
１内に絶縁物３５を介して基板ステージ３４が設けられ
ており、その上に成膜すべき半導体基板（ウェハ）、液
晶パネルなどの基板３６が置かれる。基板ステージ３４
は、ＲＦ電源４５に接続され、基板にバイアスをかける
ようになっている。電子銃３２がチャンバ３１に結合さ
れており、電子銃３２から放出された電子は、収束用マ
グネット３３によって収束されてチャンバ３１内に導か
れる。チャンバ３１内のプロセス領域は、シールド３７
でシールドされている。
【００１５】電子線の導入路は、図３ではターゲット３
８に平行に示しているが、ターゲット方向にわずかに傾
斜していてもよい。また、電子銃３２はチャンバ３１の
周りに複数個設けることができる。電子銃３２をチャン
バ３１の周りに２つないし３つ配置すると電子の密度を
上げることができ、かつターゲット全面にわたって電子
の密度がより均一化されるので堆積速度が増大し、より
均一な膜を堆積することができる。
８に平行に示しているが、ターゲット方向にわずかに傾
斜していてもよい。また、電子銃３２はチャンバ３１の
周りに複数個設けることができる。電子銃３２をチャン
バ３１の周りに２つないし３つ配置すると電子の密度を
上げることができ、かつターゲット全面にわたって電子
の密度がより均一化されるので堆積速度が増大し、より
均一な膜を堆積することができる。
【００１６】ターゲット３８は、典型的にはアルミニウ
ム、チタン、タングステン、タンタルなどの金属、また
は合金で、基板３６と同程度またはこれより大きい面積
で基板３６に対向するように配置されている。図３の例
では、ターゲット３８は、装置の上部筐体４３とチャン
バ３１の側壁の上端に設けられた絶縁体のフランジ４２
との間に端部が挟まれて固定されているが、チャンバ内
部にターゲット３８の支持装置（るつぼ）を設け、この
支持装置でターゲット３８を支持するようにしてもよ
い。ターゲット３８は、直流電源４１に接続されてい
る。上部筐体の内部空間４４にはターゲット３８を冷却
する冷却水が循環するようになっている。
ム、チタン、タングステン、タンタルなどの金属、また
は合金で、基板３６と同程度またはこれより大きい面積
で基板３６に対向するように配置されている。図３の例
では、ターゲット３８は、装置の上部筐体４３とチャン
バ３１の側壁の上端に設けられた絶縁体のフランジ４２
との間に端部が挟まれて固定されているが、チャンバ内
部にターゲット３８の支持装置（るつぼ）を設け、この
支持装置でターゲット３８を支持するようにしてもよ
い。ターゲット３８は、直流電源４１に接続されてい
る。上部筐体の内部空間４４にはターゲット３８を冷却
する冷却水が循環するようになっている。
【００１７】ターゲット３８の背後に磁石３９が配置さ
れ、この磁石は、軸４０の周りを回転駆動される。磁石
３９は、ターゲット３８の表面近傍に電界と直交する磁
界を与えて電子をトラップするためのもので、構造的に
はマグネトロン・プラズマ・スパッタリングに使用され
る磁石と同様である。磁石３９は、ターゲット３８がそ
の全表面にわたって均一に電子で照射され、全表面にわ
たって均一に消費されるような配列で配置される。好ま
しい配列として、複数の永久磁石を同じ磁極が内側を向
いた閉曲線状に配置する構造がある。図４は、そのよう
な磁石配列を示す例で、特開昭６２−６０８６６号公報
に記載されているものである。図５は、磁石配列の別の
例を示す図で、特開平４−８０３５８号公報に記載され
ている。
れ、この磁石は、軸４０の周りを回転駆動される。磁石
３９は、ターゲット３８の表面近傍に電界と直交する磁
界を与えて電子をトラップするためのもので、構造的に
はマグネトロン・プラズマ・スパッタリングに使用され
る磁石と同様である。磁石３９は、ターゲット３８がそ
の全表面にわたって均一に電子で照射され、全表面にわ
たって均一に消費されるような配列で配置される。好ま
しい配列として、複数の永久磁石を同じ磁極が内側を向
いた閉曲線状に配置する構造がある。図４は、そのよう
な磁石配列を示す例で、特開昭６２−６０８６６号公報
に記載されているものである。図５は、磁石配列の別の
例を示す図で、特開平４−８０３５８号公報に記載され
ている。
【００１８】次に図３に示した電子線を用いた蒸着装置
における蒸着プロセスを説明する。上部筐体４３を開い
て、たとえばアルミニウムのターゲット３８をチャンバ
３１の側壁端部のフランジ４２上に置き、上部筐体４３
を閉じる。ターゲット３８は、上部筐体４３に固定して
もよい。基板ステージ３４に皮膜を形成すべきウェハを
置き、チャンバ３１をたとえば１０-6 Torr の高真空に
排気する。軸４０をモータで駆動して磁石３９を回転さ
せる。電子銃３２を駆動し、放射される電子線を収束用
マグネット３３で収束させてチャンバ３１内に導く。チ
ャンバ内に導かれた電子は、回転する磁石３９が作る回
転する磁界の作用で拡散し、同時にターゲット３８に加
えられている直流バイアスによってターゲット３８方向
に引き寄せられる。こうしてターゲットのほぼ全表面に
わたって広がった電子がターゲット３８を照射し、ター
ゲット３８を加熱する。
における蒸着プロセスを説明する。上部筐体４３を開い
て、たとえばアルミニウムのターゲット３８をチャンバ
３１の側壁端部のフランジ４２上に置き、上部筐体４３
を閉じる。ターゲット３８は、上部筐体４３に固定して
もよい。基板ステージ３４に皮膜を形成すべきウェハを
置き、チャンバ３１をたとえば１０-6 Torr の高真空に
排気する。軸４０をモータで駆動して磁石３９を回転さ
せる。電子銃３２を駆動し、放射される電子線を収束用
マグネット３３で収束させてチャンバ３１内に導く。チ
ャンバ内に導かれた電子は、回転する磁石３９が作る回
転する磁界の作用で拡散し、同時にターゲット３８に加
えられている直流バイアスによってターゲット３８方向
に引き寄せられる。こうしてターゲットのほぼ全表面に
わたって広がった電子がターゲット３８を照射し、ター
ゲット３８を加熱する。
【００１９】この電子照射によってターゲット３８表面
から放出された物質は、その一部が磁界および電界の影
響でイオン化し、原子、分子、およびイオンが混在した
形でチャンバ３１内を直進し基板３６上に堆積する。基
板３６は、ＲＦ電源４５によりバイアスされているの
で、イオン化したターゲット物質が基板３６に引き寄せ
られ、堆積速度が増大する。こうして、基板全面にわた
って均一なアルミニウム膜が形成される。
から放出された物質は、その一部が磁界および電界の影
響でイオン化し、原子、分子、およびイオンが混在した
形でチャンバ３１内を直進し基板３６上に堆積する。基
板３６は、ＲＦ電源４５によりバイアスされているの
で、イオン化したターゲット物質が基板３６に引き寄せ
られ、堆積速度が増大する。こうして、基板全面にわた
って均一なアルミニウム膜が形成される。
【００２０】
【発明の効果】この発明によると、基板上に均一な膜を
堆積することができ、また一面によると、堆積速度を増
大させることができる。
堆積することができ、また一面によると、堆積速度を増
大させることができる。
【図１】従来のの電子線蒸着装置の構造を示す図。
【図２】従来の電子線蒸着装置によって堆積された膜の
断面を示す図。
断面を示す図。
【図３】この発明の実施例の真空蒸着装置の構造を示す
図。
図。
【図４】磁石の配列の一例を示す図。
【図５】磁石の配列の他の例を示す図。
【符号の説明】 ３１ 真空チャンバ ３２ 電子銃（電子線源） ３４ 基板支持台 ３６ 基板 ３８ ターゲット ３９ 磁石 ４１ 直流電源 ４５ ＲＦ電源
Claims (4)
- 【請求項１】真空チャンバと、 前記真空チャンバに結合された電子線源と、 前記真空チャンバ内に設けられた、成膜すべき基板を支
持する支持台と、 少なくとも前記基板と同程度の面積で該基板に対向する
成膜物質のターゲットと、 前記ターゲットの背後に設けられた、該ターゲットの表
面近傍に磁界を生成するための磁石と、 を備える真空蒸着装置。 - 【請求項２】前記磁石は、同じ磁極が内側を向くように
閉曲線上に複数個並べて設けられ、ターゲットに平行な
平面内で回転される請求項１に記載の真空蒸着装置。 - 【請求項３】前記ターゲットに電子を引きつける直流バ
イアスをかける手段を有する請求項１に記載の真空蒸着
装置。 - 【請求項４】前記ターゲットから放出された物質を引き
寄せるため、前記基板はＲＦバイアス電源に接続されて
いる請求項１に記載の真空蒸着装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4650398A JPH11241158A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 電子線を用いた真空蒸着装置 |
| TW88103007A TW445302B (en) | 1998-02-27 | 1999-02-26 | A vacuum deposition apparatus |
| EP99905319A EP0977903A1 (en) | 1998-02-27 | 1999-02-26 | Vacuum deposition apparatus using electron beams |
| PCT/JP1999/000902 WO1999043864A1 (en) | 1998-02-27 | 1999-02-26 | Vacuum deposition apparatus using electron beams |
| KR1019997009955A KR20010020339A (ko) | 1998-02-27 | 1999-02-26 | 전자빔을 이용한 진공 증착 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4650398A JPH11241158A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 電子線を用いた真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11241158A true JPH11241158A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12749060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4650398A Pending JPH11241158A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 電子線を用いた真空蒸着装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0977903A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11241158A (ja) |
| KR (1) | KR20010020339A (ja) |
| TW (1) | TW445302B (ja) |
| WO (1) | WO1999043864A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6216177B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2017-10-18 | 日立造船株式会社 | 電子ビーム蒸着装置 |
| FR3136104A1 (fr) * | 2022-05-30 | 2023-12-01 | Polygon Physics | Dispositif à faisceau d’électrons pour le traitement d’une surface |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1487425A (fr) * | 1966-05-24 | 1967-07-07 | Lokomotivbau Elektrotech | Dispositif pour dévier des faisceaux électroniques dans des installations de vaporisation à faisceaux d'électrons, de préférence pour la métallisation sous vide de larges bandes |
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