JPH07117764B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH07117764B2 JPH07117764B2 JP63169216A JP16921688A JPH07117764B2 JP H07117764 B2 JPH07117764 B2 JP H07117764B2 JP 63169216 A JP63169216 A JP 63169216A JP 16921688 A JP16921688 A JP 16921688A JP H07117764 B2 JPH07117764 B2 JP H07117764B2
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- G03G5/08278—Depositing methods
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、電子写真法を用いてなる画像形成装置に使用
される電子写真感光体を製造する方法に関する。
される電子写真感光体を製造する方法に関する。
〈従来技術〉 最近、電子写真法を用いて画像形成を行う画像形成装置
に使用される電子写真感光体として、導電性基体上に形
成される光導電層をアモルファスシリコン（a-Si）から
構成した感光体が提案されている。このa-Si感光体は以
下に示す利点によりその実用化が望まれるようになっ
た。
に使用される電子写真感光体として、導電性基体上に形
成される光導電層をアモルファスシリコン（a-Si）から
構成した感光体が提案されている。このa-Si感光体は以
下に示す利点によりその実用化が望まれるようになっ
た。
長寿命である。
人体に対して無害である。
感度が高い。
この様なa-Si感光体としては、特公昭60-35059号公報に
述べられている通りであり、光導電層のa-Si層を形成す
るのに、プラズマCVD法、スパッター法が用いられ、し
かも水素の量としては10〜40atomic％にすることが明記
されている。
述べられている通りであり、光導電層のa-Si層を形成す
るのに、プラズマCVD法、スパッター法が用いられ、し
かも水素の量としては10〜40atomic％にすることが明記
されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 従来のa-Si感光体は、a-Si層の膜中水素量は、上述の通
り10〜40atomic％とすることが厳に規定されている。そ
のため、電子写真感光体にとって充分な光感度を保持し
ようとすると、その比抵抗が109Ωcmとなってしまい、
ボロン（Ｂ）をドープしても1011Ωcmと小さい。従っ
て、既存のセレンやOPC感光体に比べて、帯電保持能力
に劣っていた。
り10〜40atomic％とすることが厳に規定されている。そ
のため、電子写真感光体にとって充分な光感度を保持し
ようとすると、その比抵抗が109Ωcmとなってしまい、
ボロン（Ｂ）をドープしても1011Ωcmと小さい。従っ
て、既存のセレンやOPC感光体に比べて、帯電保持能力
に劣っていた。
しかも、従来のa-Si感光体はプラズマCVD法・スッパタ
ー法により作成されるためどうしても(SiH2)nなるポリ
マー粉が発生してしまい、これが製膜中に感光体の基板
に付着し正常な膜成長を妨げ、その感光体を不良品とし
てしまっていた。更に、従来の製法では、製膜速度が非
常に小さく感光体の作成に長い時間が必要でありコスト
を下げることが出来なかった。
ー法により作成されるためどうしても(SiH2)nなるポリ
マー粉が発生してしまい、これが製膜中に感光体の基板
に付着し正常な膜成長を妨げ、その感光体を不良品とし
てしまっていた。更に、従来の製法では、製膜速度が非
常に小さく感光体の作成に長い時間が必要でありコスト
を下げることが出来なかった。
〈問題を解決するための手段〉 上述の問題点を解決するために、本発明の電子写真感光
体の製造方法は、導電層基体上に、40atomic％以上で65
atomic％以下の水素及び／又はハロゲンを含むアモルフ
ァスシリコンの光導電層をエレクトロン・サイクロトロ
ン・レゾナンス法にて形成することを特徴とする。
体の製造方法は、導電層基体上に、40atomic％以上で65
atomic％以下の水素及び／又はハロゲンを含むアモルフ
ァスシリコンの光導電層をエレクトロン・サイクロトロ
ン・レゾナンス法にて形成することを特徴とする。
〈作用〉 エレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法によりア
モルファスシリコンからなる光導電層を形成している。
この場合、40atomic％以上で65atomic％以下の範囲に水
素及び／又はハロゲンをアモルファスシリコンに含有さ
せるようにしており、その製膜時に(SiH2)nのポリマー
粉の影響を受けることがないため、良品率の高い、かつ
製膜速度を高めることができ、よって感光体としてのコ
スト低減を達成できる。
モルファスシリコンからなる光導電層を形成している。
この場合、40atomic％以上で65atomic％以下の範囲に水
素及び／又はハロゲンをアモルファスシリコンに含有さ
せるようにしており、その製膜時に(SiH2)nのポリマー
粉の影響を受けることがないため、良品率の高い、かつ
製膜速度を高めることができ、よって感光体としてのコ
スト低減を達成できる。
特に、上述した水素等の含有量に設定することで、光感
度に優れた高い電荷保持能力を有する電子写真用として
は充分に優れた特性を有する感光体を得ることができ
る。
度に優れた高い電荷保持能力を有する電子写真用として
は充分に優れた特性を有する感光体を得ることができ
る。
〈実施例〉 第１図は本発明による電子写真感光体の層構造を示す断
面図、第２図は第１図に示す如き電子写真感光体を作成
するためのエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス
法による製膜装置を示す断面図である。
面図、第２図は第１図に示す如き電子写真感光体を作成
するためのエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス
法による製膜装置を示す断面図である。
まず、第２図において、製膜装置は、例えば水素プラズ
マを発生させるプラズマ室11と、a-Si層を堆積させる堆
積室12とを有している。プラズマ室11と堆積室12とはプ
ラズマ引出窓13で通じており、図示しない油拡散ポン
プ，油回転ポンプにより真空排気される。
マを発生させるプラズマ室11と、a-Si層を堆積させる堆
積室12とを有している。プラズマ室11と堆積室12とはプ
ラズマ引出窓13で通じており、図示しない油拡散ポン
プ，油回転ポンプにより真空排気される。
プラズマ室11は空胴共振器構成となっており、導波管14
から2.45GHzのマイクロ波が導入される。なお、マイク
ロ波導入窓15はマイクロ波が通過できる石英ガラス板で
できている。プラズマ室11にはH2ガスが導入される。プ
ラズマ室11の周囲には磁気コイル16,17が配置されてい
る。磁気コイル16はプラズマ発生磁界（875G）を発生さ
せ、磁気コイル17はプラズマ室11で発生したプラズマを
堆積室12に引き出すための発散磁界を形成する。
から2.45GHzのマイクロ波が導入される。なお、マイク
ロ波導入窓15はマイクロ波が通過できる石英ガラス板で
できている。プラズマ室11にはH2ガスが導入される。プ
ラズマ室11の周囲には磁気コイル16,17が配置されてい
る。磁気コイル16はプラズマ発生磁界（875G）を発生さ
せ、磁気コイル17はプラズマ室11で発生したプラズマを
堆積室12に引き出すための発散磁界を形成する。
堆積室12にはアルミ（A1）からなる導電性基体18が設置
されている。この実施例の場合は、導電性基体18はドラ
ム状であるため、支持体に支持され回転される。堆積室
12には、原料ガスとして、例えばSiH4,Si2H6,SiF4,SiCl
4,SiHCl3,SiH2Cl2など水素を含む化合物、あるいはハロ
ゲンを含むケイ素化合物あるいは、それらを混入して導
入する。
されている。この実施例の場合は、導電性基体18はドラ
ム状であるため、支持体に支持され回転される。堆積室
12には、原料ガスとして、例えばSiH4,Si2H6,SiF4,SiCl
4,SiHCl3,SiH2Cl2など水素を含む化合物、あるいはハロ
ゲンを含むケイ素化合物あるいは、それらを混入して導
入する。
このような構成により、まず排気系によりプラズマ室11
及び堆積室12を排気し、プラズマ室11にはH2ガスを、ま
た堆積室12には上述した原料ガスをそれぞれ導入する。
この時のガス圧は10-3torr〜10-4torrに設定される。こ
こで、プラズマ室11にマイクロ波を導入するとともに、
磁界をも印加しプラズマを励起する。プラズマ化された
H2および原料ガスは発散磁場により、プラズマ引出窓13
を介して堆積室12内の導電性基体18へと導かれ、その表
面にa-Siが堆積されることとなる。支持体は回転される
ため、導電性基体18上に均一に製膜される。さらにプラ
ズマ引き出し窓の位置、大きさを調整することで、a-Si
膜の均一性を向上することが可能である。
及び堆積室12を排気し、プラズマ室11にはH2ガスを、ま
た堆積室12には上述した原料ガスをそれぞれ導入する。
この時のガス圧は10-3torr〜10-4torrに設定される。こ
こで、プラズマ室11にマイクロ波を導入するとともに、
磁界をも印加しプラズマを励起する。プラズマ化された
H2および原料ガスは発散磁場により、プラズマ引出窓13
を介して堆積室12内の導電性基体18へと導かれ、その表
面にa-Siが堆積されることとなる。支持体は回転される
ため、導電性基体18上に均一に製膜される。さらにプラ
ズマ引き出し窓の位置、大きさを調整することで、a-Si
膜の均一性を向上することが可能である。
このような製膜装置にて、原料ガスとしてSiH4ガスを用
い、ガス圧を振って製膜実験を行った。この場合、導電
性基体18を加熱することなく、基体18上にa-Si膜を形成
した。このa-Si膜の、膜中水素（Ｈ）量・明導電率（η
μτ）・暗比抵抗率（ρｄ）のSiH4ガス流量をパラメー
ターにした際のガス圧依存性を第３図、第４図及び第５
図にグラフにしてそれぞれ示す。
い、ガス圧を振って製膜実験を行った。この場合、導電
性基体18を加熱することなく、基体18上にa-Si膜を形成
した。このa-Si膜の、膜中水素（Ｈ）量・明導電率（η
μτ）・暗比抵抗率（ρｄ）のSiH4ガス流量をパラメー
ターにした際のガス圧依存性を第３図、第４図及び第５
図にグラフにしてそれぞれ示す。
これらに示されたとおり、Ｈ量を40atomic％以上にする
ことにより、ボロンをドープすることなしに、初めて暗
比抵抗が1012Ωcm以上となり、しかも明導電率が高い
（光感度が高い）a-Si膜が作成出来た。このように暗比
抵抗が1012Ωcm以上となり、しかも明導電率が高い（光
感度が高い）a-Si膜は、従来の膜中Ｈ量が40％以下のａ
−Si膜では達成することができないものであった。
ことにより、ボロンをドープすることなしに、初めて暗
比抵抗が1012Ωcm以上となり、しかも明導電率が高い
（光感度が高い）a-Si膜が作成出来た。このように暗比
抵抗が1012Ωcm以上となり、しかも明導電率が高い（光
感度が高い）a-Si膜は、従来の膜中Ｈ量が40％以下のａ
−Si膜では達成することができないものであった。
Ｈ量を40atomic％以上することにより、上述のような特
性の優れたａ−Si膜を作製できた理由としては、充分な
Ｈを膜中に含ませることにより、Si原子のダングリグ・
ボンドを減少させことができたこと、あるいは光学的バ
ンドギャップをやや大きくすることにより熱励起キャリ
ヤーを減少することが可能になったためと考えられる。
性の優れたａ−Si膜を作製できた理由としては、充分な
Ｈを膜中に含ませることにより、Si原子のダングリグ・
ボンドを減少させことができたこと、あるいは光学的バ
ンドギャップをやや大きくすることにより熱励起キャリ
ヤーを減少することが可能になったためと考えられる。
また、本発明では、エレクトロン・サイクロトロン・レ
ゾナンス法にてａ−Si膜を作成することで(SiH2)nなる
粉は全く発生せず、しかも、製膜速度・ガス利用効率と
もガス圧に大きく依存し、ガス圧を選ぶことにより、従
来法に比べて６〜10倍とかなり高い値を得た。
ゾナンス法にてａ−Si膜を作成することで(SiH2)nなる
粉は全く発生せず、しかも、製膜速度・ガス利用効率と
もガス圧に大きく依存し、ガス圧を選ぶことにより、従
来法に比べて６〜10倍とかなり高い値を得た。
更に好ましいことには、Ｈ量を40atomic％以上含有する
ようにガス圧を設定することで、暗比抵抗が1012Ωcm以
上のａ−Si膜を形成できる。しかも、明導電率が高い
（光感度が高い）a-Si膜を作製することができるガス圧
（２〜3.5mtorr）において、製膜速度及びガス利用効率
とも高い値を示すことが判明した。
ようにガス圧を設定することで、暗比抵抗が1012Ωcm以
上のａ−Si膜を形成できる。しかも、明導電率が高い
（光感度が高い）a-Si膜を作製することができるガス圧
（２〜3.5mtorr）において、製膜速度及びガス利用効率
とも高い値を示すことが判明した。
これに対して従来法により作製されたＨの含有量を40at
omic％以下としたa-Si膜では、一般に製膜速度が大きく
なる領域において、光感度が劣化してしまうという傾向
があった。この点からしても、従来法にない本発明の優
位な点が存在することが判明した。
omic％以下としたa-Si膜では、一般に製膜速度が大きく
なる領域において、光感度が劣化してしまうという傾向
があった。この点からしても、従来法にない本発明の優
位な点が存在することが判明した。
原料ガスとしてハロゲンを含むケイ素化合物が導入され
る場合には、膜中Ｈ量及びハロゲン量の合計が40atomic
％以上である必要があることは言うまでもない。更に鋭
意実験を重ねた結果、膜中のＨ量及び／又はハロゲン量
を65atomic％以上にすると、その膜の光学的バンド・ギ
ャップが大きくなり過ぎて、可視光に対する光感度を必
要とする電子写真感光体の光導電層としては適さないこ
とが判明した。つまり、膜中のＨ量及び／又はハロゲン
量は好適には40〜65atomic％、最も好ましくは40〜55at
omic％という値である。
る場合には、膜中Ｈ量及びハロゲン量の合計が40atomic
％以上である必要があることは言うまでもない。更に鋭
意実験を重ねた結果、膜中のＨ量及び／又はハロゲン量
を65atomic％以上にすると、その膜の光学的バンド・ギ
ャップが大きくなり過ぎて、可視光に対する光感度を必
要とする電子写真感光体の光導電層としては適さないこ
とが判明した。つまり、膜中のＨ量及び／又はハロゲン
量は好適には40〜65atomic％、最も好ましくは40〜55at
omic％という値である。
本発明によるa-Si膜は、電子写真感光体の光導電層だけ
でなく、イメージ・センサーの感光部、液晶と積層され
た表示素子の感光部等といった外部からの光情報を電気
信号に変換するデバイスの感光部に最も適している。更
には、太陽電池・薄膜トランジスターといったデバイス
にも適用可能である。
でなく、イメージ・センサーの感光部、液晶と積層され
た表示素子の感光部等といった外部からの光情報を電気
信号に変換するデバイスの感光部に最も適している。更
には、太陽電池・薄膜トランジスターといったデバイス
にも適用可能である。
次に、この発明による膜中Ｈ量及び／またはハロゲン量
を40atomic％以上含有するa-Siを電子写真感光体の光導
電層として用いた実施例を示す。
を40atomic％以上含有するa-Siを電子写真感光体の光導
電層として用いた実施例を示す。
（実施例１） 第１図に示す如き構造の正帯電用の電子写真感光体１を
得るために、導電性基体２（18）上に中間層３、光導電
層４及び表面被覆層５をこの順に形成した。
得るために、導電性基体２（18）上に中間層３、光導電
層４及び表面被覆層５をこの順に形成した。
即ち、光導電層４としてSiH4流量を120SCCMとすること
で水素量を48atomic％含有し、しかも、少量のボロン
（Ｂ）がドープされ、更には表面被覆層５としてエレク
トロン・サイクロトロン・レゾナンス法により作成され
たa-SiC膜、及び、中間層３として同方法により作成さ
れボロンが多量にドープされたa-Si膜を具備した正帯電
用感光体を作成した。このときの作成条件を下記表１に
まとめておく。
で水素量を48atomic％含有し、しかも、少量のボロン
（Ｂ）がドープされ、更には表面被覆層５としてエレク
トロン・サイクロトロン・レゾナンス法により作成され
たa-SiC膜、及び、中間層３として同方法により作成さ
れボロンが多量にドープされたa-Si膜を具備した正帯電
用感光体を作成した。このときの作成条件を下記表１に
まとめておく。
ボロンをドープするためのガスとしては、B2H6以外に、
BCl3やBH3などボロンと水素あるいはハロゲンとの化合
物が好ましい。また、ボロンと同じ働きをもった原子と
しては例えばアルミ・ガリュウム・インジュウムなどが
適している。このとき(SiH2)nなる粉は全く発生せず、
しかも、製膜速度・ガス利用効率とも従来法に比べて６
〜10倍とかなり高い値を得た。更に作成された感光体の
特性を測定したところ、特に帯電特性に優れていた。ま
た、これを市販の正帯電用複写機に搭載し画像形成を行
ったところ、良好な画像を得た。
BCl3やBH3などボロンと水素あるいはハロゲンとの化合
物が好ましい。また、ボロンと同じ働きをもった原子と
しては例えばアルミ・ガリュウム・インジュウムなどが
適している。このとき(SiH2)nなる粉は全く発生せず、
しかも、製膜速度・ガス利用効率とも従来法に比べて６
〜10倍とかなり高い値を得た。更に作成された感光体の
特性を測定したところ、特に帯電特性に優れていた。ま
た、これを市販の正帯電用複写機に搭載し画像形成を行
ったところ、良好な画像を得た。
尚、表面被覆層５としてエレクトロン・サイクロトロン
・レゾナンス法により作成されたa-SiN膜あるいはa-SiO
膜を用いた場合でも良好な結果が得られている。
・レゾナンス法により作成されたa-SiN膜あるいはa-SiO
膜を用いた場合でも良好な結果が得られている。
（実施例２） 光導電層作成時のガス圧のみを変化させ、その他の条件
は全く（実施例１）と同じにした場合のそれぞれの結果
を表２に示す。
は全く（実施例１）と同じにした場合のそれぞれの結果
を表２に示す。
上記表２に記した通り、ガス圧を選び水素量を40atomic
％（第３図参照）以上含んだとき、良好な結果を得てい
る。
％（第３図参照）以上含んだとき、良好な結果を得てい
る。
（実施例３） 光導電層４として、SiH4流量を90sccmとした場合にその
膜中にＨ量が53atomic％含有し、しかも少量のボロンが
ドープされ、更には表面被覆層５としてエレクトロン・
サイクロトロン・レゾナンス法により作成されたa-SiC
膜、及び中間層３として同寸法により作成されボロンが
多量にドープされたa-Si膜を具備した正帯電用感光体を
作成した。このときの作成条件を表３にまとめておく。
膜中にＨ量が53atomic％含有し、しかも少量のボロンが
ドープされ、更には表面被覆層５としてエレクトロン・
サイクロトロン・レゾナンス法により作成されたa-SiC
膜、及び中間層３として同寸法により作成されボロンが
多量にドープされたa-Si膜を具備した正帯電用感光体を
作成した。このときの作成条件を表３にまとめておく。
ボロンをドープするためのガスとしては、B2H6，以外に
（実施例１）に明記している通り、BCl3やBH3などボロ
ンとＨあるいはハロゲンとの化合物が好ましい。また、
ボロンと同じ働きをもった原子としては例えばアルミや
ガリュウム・インジュムなどが適している。このとき(S
iH2)nなる粉は全く発生せず、しかも、製膜速度やガス
利用効率とも従来法に比べて６〜10倍となり高い値を得
た。更に作成された感光体の特性を測定したところ、特
に帯電特性に優れていた。また、これを市販の正帯電用
複写機に搭載し、画像を形成したところ、良好な画像を
得た。
（実施例１）に明記している通り、BCl3やBH3などボロ
ンとＨあるいはハロゲンとの化合物が好ましい。また、
ボロンと同じ働きをもった原子としては例えばアルミや
ガリュウム・インジュムなどが適している。このとき(S
iH2)nなる粉は全く発生せず、しかも、製膜速度やガス
利用効率とも従来法に比べて６〜10倍となり高い値を得
た。更に作成された感光体の特性を測定したところ、特
に帯電特性に優れていた。また、これを市販の正帯電用
複写機に搭載し、画像を形成したところ、良好な画像を
得た。
尚、表面被覆層としてエレクトロン・サイクロトロン・
レゾナンス法により作成されたa-SiN膜あるいはa-SiO膜
を用いた場合でも良好な結果が得られている。
レゾナンス法により作成されたa-SiN膜あるいはa-SiO膜
を用いた場合でも良好な結果が得られている。
（実施例４） 光導電層作成時のガス圧のみを変化させ、その他の条件
は全く（実施例３）と同じにした場合、それぞれの結果
を表４に示す。この表に示されている通り、ガス圧を選
びＨ量を40atomic％以上含んだとき、良好な結果を得て
いる。
は全く（実施例３）と同じにした場合、それぞれの結果
を表４に示す。この表に示されている通り、ガス圧を選
びＨ量を40atomic％以上含んだとき、良好な結果を得て
いる。
（実施例５） 光導電層４としてSiH4流量を120sccmにし、Ｈ量を48ato
mic％含有し、しかも、少量のリン（Ｐ）がドープさ
れ、更には表面被覆層５としてエレクトロン・サイクロ
トロン・レゾナンス法により作成されたa-SiC膜、及
び、中間層３として同方法により作成されリン（Ｐ）が
多量にドープされたa-Si膜を具備した負帯電用感光体を
作成した。このときの作成条件を表５にまとめておく。
mic％含有し、しかも、少量のリン（Ｐ）がドープさ
れ、更には表面被覆層５としてエレクトロン・サイクロ
トロン・レゾナンス法により作成されたa-SiC膜、及
び、中間層３として同方法により作成されリン（Ｐ）が
多量にドープされたa-Si膜を具備した負帯電用感光体を
作成した。このときの作成条件を表５にまとめておく。
リンをドープするためのガスとしてはPH3以外に、PCl3
やPCl5などリンと水素あるいはハロゲンとの化合物が適
している。また、リンと同じ働きをもった原子としては
窒素，アンチモンや酸素などが適している。
やPCl5などリンと水素あるいはハロゲンとの化合物が適
している。また、リンと同じ働きをもった原子としては
窒素，アンチモンや酸素などが適している。
このとき(SiH2)nなる粉は全く発生せず、しかも、製膜
速度やガス利用効率とも従来法に比べてかなり高い値を
得た。更に作成された感光体の特性を測定したところ、
特に帯電特性に優れていた。また、これを市販の負帯電
用複写機に搭載し画像形成を行ったところ良好な画像を
得た。
速度やガス利用効率とも従来法に比べてかなり高い値を
得た。更に作成された感光体の特性を測定したところ、
特に帯電特性に優れていた。また、これを市販の負帯電
用複写機に搭載し画像形成を行ったところ良好な画像を
得た。
尚、表面被覆層としてエレクトロン・サイクロトロン・
レゾナンス法により作成されたa-SiN膜あるいはa-SiO膜
を用いた場合でも良好な結果が得られている。
レゾナンス法により作成されたa-SiN膜あるいはa-SiO膜
を用いた場合でも良好な結果が得られている。
（実施例６） 光導電層４として、SiH4流量を90sccmにし、その膜中に
Ｈ量を53atomic％含有し、しかも少量のリン（Ｐ）がド
ープされ、更には表面被覆層５としてエレクトロン・サ
イクロトロン・レゾナンス法により作成されたa-SiC
膜、及び中間層３として同方法により作成されリン
（Ｐ）が多量にドープされたa-Si膜を具備してなる負帯
電用感光体１を作成した。このときの作成条件について
表６にまとめておく。
Ｈ量を53atomic％含有し、しかも少量のリン（Ｐ）がド
ープされ、更には表面被覆層５としてエレクトロン・サ
イクロトロン・レゾナンス法により作成されたa-SiC
膜、及び中間層３として同方法により作成されリン
（Ｐ）が多量にドープされたa-Si膜を具備してなる負帯
電用感光体１を作成した。このときの作成条件について
表６にまとめておく。
リンをドープするためのガスとしては、上述の表の如
く、PH3に限らず、PCl3やPCl5など、リンとＨあるいは
ハロゲンとの化合物が適している。また、リンと同じ働
きをもった原子としては、窒素，アンチモンや酸素など
が適している。
く、PH3に限らず、PCl3やPCl5など、リンとＨあるいは
ハロゲンとの化合物が適している。また、リンと同じ働
きをもった原子としては、窒素，アンチモンや酸素など
が適している。
ここで、(SiH2)nなる粉は全く発生せず、しかも、製膜
速度やガス利用効率とも、従来法に比べてかなり高い値
を得た。更に、作成された感光体の特性を測定したとこ
ろ、特に帯電特性に優れていた。また、これを市販の負
帯電用複写機に搭載し、画像を形成したところ、良好な
画像を得ることができた。
速度やガス利用効率とも、従来法に比べてかなり高い値
を得た。更に、作成された感光体の特性を測定したとこ
ろ、特に帯電特性に優れていた。また、これを市販の負
帯電用複写機に搭載し、画像を形成したところ、良好な
画像を得ることができた。
尚、表面被覆層として、エレクトロン・サイクロトロン
・レゾナンス法により作成されたa-SiN膜あるいはa-SiO
膜を用いた場合でも良好な結果が得られている。
・レゾナンス法により作成されたa-SiN膜あるいはa-SiO
膜を用いた場合でも良好な結果が得られている。
〈効果〉 本発明の電子写真感光体の製造方法によれば、エレクト
ロン・サイクロトロン・レゾナンス法によりアモルファ
スシリコンによる光導電層として、水素及び／又はハロ
ゲンの含有量を40atomic％以上で65atomic％以下にして
いる。この製造時、(SiH2)nなるポリマー粉が発生する
心配がなく、電子写真用として重要となる暗比抵抗の大
きな、かつ光感度に優れた特性を有する感光体を得るこ
とができる。
ロン・サイクロトロン・レゾナンス法によりアモルファ
スシリコンによる光導電層として、水素及び／又はハロ
ゲンの含有量を40atomic％以上で65atomic％以下にして
いる。この製造時、(SiH2)nなるポリマー粉が発生する
心配がなく、電子写真用として重要となる暗比抵抗の大
きな、かつ光感度に優れた特性を有する感光体を得るこ
とができる。
また、上記粉の影響を受けることはなく、製膜速度が従
来法に比べて速くなり、良品率も高まり、安価なアモル
ファスシリコンよるなる感光体を得ることができる。
来法に比べて速くなり、良品率も高まり、安価なアモル
ファスシリコンよるなる感光体を得ることができる。
第１図は本発明にかかる電子写真感光体の構造を示す断
面図、第２図は本発明のa-Si層を作成するエレクトロン
・サイクロトロン・レゾナンス法による製膜装置を示す
断面図、第３図、第４図及び第５図はそれぞれSiH4ガス
流量をパラメーターとした際の膜中の水素量、明導電率
（ημτ）及び暗比抵抗率（ρｄ）のガス依存性を示す
特性図である。 1:感光体、2:導電性基体、3:中間層、4:光導電層、5:表
面被覆層。
面図、第２図は本発明のa-Si層を作成するエレクトロン
・サイクロトロン・レゾナンス法による製膜装置を示す
断面図、第３図、第４図及び第５図はそれぞれSiH4ガス
流量をパラメーターとした際の膜中の水素量、明導電率
（ημτ）及び暗比抵抗率（ρｄ）のガス依存性を示す
特性図である。 1:感光体、2:導電性基体、3:中間層、4:光導電層、5:表
面被覆層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−186748（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−98588（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−83544（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−2067（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−159167（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−81361（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基体上にアモルファスシリコンから
なる光導電層を形成する電子写真感光体の製造方法にお
いて、 上記導電層基体上に、40atomic％以上で65atomic％以下
の水素及び／又はハロゲンを含むアモルファスシリコン
の光導電層をエレクトロン・サイクロトロン・レゾナン
ス法にて形成することを特徴とする電子写真感光体の製
造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8245088 | 1988-04-04 | ||
| JP63-82450 | 1988-04-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0234863A JPH0234863A (ja) | 1990-02-05 |
| JPH07117764B2 true JPH07117764B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=13774854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63169216A Expired - Fee Related JPH07117764B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-07-07 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07117764B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH087448B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1996-01-29 | シャープ株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
| JPH03242653A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-29 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147667A (en) * | 1978-01-13 | 1979-04-03 | International Business Machines Corporation | Photoconductor for GaAs laser addressed devices |
| JPS58186748A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-10-31 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59159167A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| JPS6183544A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| EP0249302B1 (en) * | 1986-01-23 | 1994-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for use in electrophotography |
| JPS6381361A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP63169216A patent/JPH07117764B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0234863A (ja) | 1990-02-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |