JPH087448B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH087448B2 JPH087448B2 JP63107098A JP10709888A JPH087448B2 JP H087448 B2 JPH087448 B2 JP H087448B2 JP 63107098 A JP63107098 A JP 63107098A JP 10709888 A JP10709888 A JP 10709888A JP H087448 B2 JPH087448 B2 JP H087448B2
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、電子写真法を用いてなる画像形成装置に使
用される電子写真感光体を製造する方法に関する。
用される電子写真感光体を製造する方法に関する。
〈従来技術〉 最近、電子写真法を用いて画像を形成するための画像
形成装置に使用される電子写真感光体として、導電性基
体上に形成される光導電層をアモルファスシリコン（ａ
−Si）から構成した感光体が提案されている。このａ−
Si感光体は以下に示す利点によりその実用化が望まれる
ようになった。
形成装置に使用される電子写真感光体として、導電性基
体上に形成される光導電層をアモルファスシリコン（ａ
−Si）から構成した感光体が提案されている。このａ−
Si感光体は以下に示す利点によりその実用化が望まれる
ようになった。
長寿命である。
人体に対して無害である。
感度が高い。
この様なａ−Si感光体としては、特公昭60-35059号公
報に述べられている通りであり、光導電層のａ−Si層を
形成するのに、ブラズマCVD法、スパッター法が用いら
れ、しかも水素の量としては10〜40atomic％にすること
が最適であると明記されている。
報に述べられている通りであり、光導電層のａ−Si層を
形成するのに、ブラズマCVD法、スパッター法が用いら
れ、しかも水素の量としては10〜40atomic％にすること
が最適であると明記されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 従来のａ−Si感光体は、ａ−Si層の膜中水素（Ｈ）量
は、上述の通り10〜40atomic％とすることが厳に規定さ
れている。また10〜40atomic％の水素を含有するａ−Si
膜において、赤外線吸収スペクトルのSiH2結合に由来す
る2100cm-1付近における吸収の吸収係数α（SiH2）と、
SiH結合に由来する2000cm-1付近において吸収の吸収係
数α（SiH）との比α（SiH2）／α（SiH）が約0.2乃至
1.7とすることが、特開昭57-158650号公報に開示されて
いる。このような、ａ−Siによる電子写真感光体にとっ
て充分な光感度を保持しようとすると、その比抵抗が10
9Ωcmとなってしまい、ボロン（Ｂ）をドープしても10
11Ωcmと小さい。従って、既存のセレンやOPC感光体に
比べて、帯電保持能力に劣っていた。
は、上述の通り10〜40atomic％とすることが厳に規定さ
れている。また10〜40atomic％の水素を含有するａ−Si
膜において、赤外線吸収スペクトルのSiH2結合に由来す
る2100cm-1付近における吸収の吸収係数α（SiH2）と、
SiH結合に由来する2000cm-1付近において吸収の吸収係
数α（SiH）との比α（SiH2）／α（SiH）が約0.2乃至
1.7とすることが、特開昭57-158650号公報に開示されて
いる。このような、ａ−Siによる電子写真感光体にとっ
て充分な光感度を保持しようとすると、その比抵抗が10
9Ωcmとなってしまい、ボロン（Ｂ）をドープしても10
11Ωcmと小さい。従って、既存のセレンやOPC感光体に
比べて、帯電保持能力に劣っていた。
あるいは、帯電保持能力を向上させようとすると、従
来のａ−Si感光体では、上述の吸収係数比α（SiH2）／
α（SiH）を大きくする必要となる。そこで、プラズマC
VD法やスパッター法では、成膜時の高周波電力を大きく
する必要がでてくる。しかしながら、プラズマCVD法・
スパッター法では、成膜時の高周波電力を大きくするこ
とによって原料ガスの気相中での反応を活発にし（Si
H2）ｎなるポリマー粉が多量に発生してしまい、これが
製膜中に感光体の基板に付着し、正常な膜成長を妨げ、
その感光体を不良品としてしまっていた。更に、従来の
方法では、製膜速度が非常に小さく感光体の作成に長い
時間が必要でありコストを下げることが出来なかった。
来のａ−Si感光体では、上述の吸収係数比α（SiH2）／
α（SiH）を大きくする必要となる。そこで、プラズマC
VD法やスパッター法では、成膜時の高周波電力を大きく
する必要がでてくる。しかしながら、プラズマCVD法・
スパッター法では、成膜時の高周波電力を大きくするこ
とによって原料ガスの気相中での反応を活発にし（Si
H2）ｎなるポリマー粉が多量に発生してしまい、これが
製膜中に感光体の基板に付着し、正常な膜成長を妨げ、
その感光体を不良品としてしまっていた。更に、従来の
方法では、製膜速度が非常に小さく感光体の作成に長い
時間が必要でありコストを下げることが出来なかった。
〈問題を解決するための手段〉 上述の問題点を解決するために、本発明の電子写真感
光体の製造方法は、導電性基体上に、赤外吸収スペクト
ルのSiH2結合に由来する2100cm-1付近に現れる吸収の吸
収係数α（SiH2）と、SiH結合に由来する2000cm-1付近
に現れる吸収の吸収係数α（SiH）との比α（SiH2）／
α（SiH）を、1.3〜2.5となるように、かつ水素が40ato
mic％以上で60atomic％以下の範囲に含有されるアモル
ファスシリコンからなる光導電層をエレクトロン・サイ
クロトロン・レゾナンス法にて形成することを特徴とす
る。
光体の製造方法は、導電性基体上に、赤外吸収スペクト
ルのSiH2結合に由来する2100cm-1付近に現れる吸収の吸
収係数α（SiH2）と、SiH結合に由来する2000cm-1付近
に現れる吸収の吸収係数α（SiH）との比α（SiH2）／
α（SiH）を、1.3〜2.5となるように、かつ水素が40ato
mic％以上で60atomic％以下の範囲に含有されるアモル
ファスシリコンからなる光導電層をエレクトロン・サイ
クロトロン・レゾナンス法にて形成することを特徴とす
る。
〈作用〉 エレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法により
アモルファスシリコンからなる光導電層を形成してい
る。この製膜時に（SiH2）ｎのポリマー粉の発生の心配
がなく、この粉による影響を受けることがない。そのた
め、良品率の高い、かつ製膜速度を高めることができ、
よってこの製造方法によれば感光体のコスト低減を達成
できる。
アモルファスシリコンからなる光導電層を形成してい
る。この製膜時に（SiH2）ｎのポリマー粉の発生の心配
がなく、この粉による影響を受けることがない。そのた
め、良品率の高い、かつ製膜速度を高めることができ、
よってこの製造方法によれば感光体のコスト低減を達成
できる。
また、本発明の感光体によれば、水素を40atomic％以
上で60atomic％以下含有させ、かつ赤外吸収スペクトル
のSiH2結合に由来する2100cm-1付近に現れる吸収の吸収
係数α（SiH2）と、SiH結合に由来する2000cm-1付近に
現れる吸収の吸収係数α（SiH）との比α（SiH2）／α
（SiH）を、1.3〜2.5とすること、ボロンやリン等をド
ープしないにもかかわらず非常に高い暗比抵抗を示す。
これを電子写真用の感光体として用いることで、充分な
光感度を有し、かつ電荷保持能力にも優れているため、
より鮮明な画像を形成することが可能になる。
上で60atomic％以下含有させ、かつ赤外吸収スペクトル
のSiH2結合に由来する2100cm-1付近に現れる吸収の吸収
係数α（SiH2）と、SiH結合に由来する2000cm-1付近に
現れる吸収の吸収係数α（SiH）との比α（SiH2）／α
（SiH）を、1.3〜2.5とすること、ボロンやリン等をド
ープしないにもかかわらず非常に高い暗比抵抗を示す。
これを電子写真用の感光体として用いることで、充分な
光感度を有し、かつ電荷保持能力にも優れているため、
より鮮明な画像を形成することが可能になる。
〈実施例〉 第１図は本発明による電子写真感光体の層構造を示す
断面図、第２図は第１図に示す如き電子写真感光体を作
成するためのエレクトロン・サイクロトロン・レゾナン
ス法による製膜装置を示す断面図である。
断面図、第２図は第１図に示す如き電子写真感光体を作
成するためのエレクトロン・サイクロトロン・レゾナン
ス法による製膜装置を示す断面図である。
まず、第２図において、製膜装置は、例えば水素プラ
ズマを発生させるプラズマ室11と、ａ−Si層を堆積させ
る堆積室12とを有している。プラズマ室11と堆積室12と
はプラズマ引出窓13で通じており、図示しない油拡散ポ
ンプあるいはターボ・モレキュラー・ポンプ、油回転ポ
ンプにより真空排気される。
ズマを発生させるプラズマ室11と、ａ−Si層を堆積させ
る堆積室12とを有している。プラズマ室11と堆積室12と
はプラズマ引出窓13で通じており、図示しない油拡散ポ
ンプあるいはターボ・モレキュラー・ポンプ、油回転ポ
ンプにより真空排気される。
プラズマ室11は空洞共振器構成となっており、導波管
14から2.45GHzのマイクロ波が導入される。なお、マイ
クロ波導入窓15はマイクロ波が通過できる石英ガラス板
でできている。プラズマ室11にはH2ガスが導入管17を通
して導入される。プラズマ室11の周囲には磁気コイル16
が配置されている。磁気コイル16はプラズマを発生さ
せ、プラズマ室11で発生したプラズマを堆積室12に引き
出すための発散磁場を形成する。
14から2.45GHzのマイクロ波が導入される。なお、マイ
クロ波導入窓15はマイクロ波が通過できる石英ガラス板
でできている。プラズマ室11にはH2ガスが導入管17を通
して導入される。プラズマ室11の周囲には磁気コイル16
が配置されている。磁気コイル16はプラズマを発生さ
せ、プラズマ室11で発生したプラズマを堆積室12に引き
出すための発散磁場を形成する。
堆積室12にはアルミ（Al）からなる導電性基体18が設
置されている。この実施例の場合は、導電性基体18はド
ラム状であるため、支持体に支持され回転される。堆積
室12には、原料ガスが導入管19を通して導入される。こ
の原料ガスとしては、例えばSiH4,Si2H6など水素（Ｈ）
を含むケイ素化合物、あるいはそれらを混合したガスで
ある。図中20は、マイクロ波発信器、21は導電性基体18
の加熱用ランプである。
置されている。この実施例の場合は、導電性基体18はド
ラム状であるため、支持体に支持され回転される。堆積
室12には、原料ガスが導入管19を通して導入される。こ
の原料ガスとしては、例えばSiH4,Si2H6など水素（Ｈ）
を含むケイ素化合物、あるいはそれらを混合したガスで
ある。図中20は、マイクロ波発信器、21は導電性基体18
の加熱用ランプである。
このような構成により、まず排気系によりプラズマ室
11及び堆積室12を排気し、プラズマ室11には導入管17を
介してH2ガスを、また堆積室12には導入管19を介して上
述した原料ガスをそれぞれ導入する。この時のガス圧は
10-3torr〜10-4torrに設定される。ここで、プラズマ室
11に発振器20からのマイクロ波を導入するとともに、磁
界をも印加しプラズマを励起する。プラズマ化されたH2
および原料ガスは、発散磁場により導電性基体18へと導
かれ、その表面にａ−Siが堆積することとなる。支持体
は回転されるため、導電性基体18上に均一に製膜され
る。さらにプラズマ引き出し窓の位置、大きさを調製す
ることで、ａ−Si膜の均一性を向上することが可能であ
る。
11及び堆積室12を排気し、プラズマ室11には導入管17を
介してH2ガスを、また堆積室12には導入管19を介して上
述した原料ガスをそれぞれ導入する。この時のガス圧は
10-3torr〜10-4torrに設定される。ここで、プラズマ室
11に発振器20からのマイクロ波を導入するとともに、磁
界をも印加しプラズマを励起する。プラズマ化されたH2
および原料ガスは、発散磁場により導電性基体18へと導
かれ、その表面にａ−Siが堆積することとなる。支持体
は回転されるため、導電性基体18上に均一に製膜され
る。さらにプラズマ引き出し窓の位置、大きさを調製す
ることで、ａ−Si膜の均一性を向上することが可能であ
る。
このような製膜装置にて、原料ガスとしてSiH4ガスを
用い、ガス圧を振って製膜実験を行った。このａ−Si膜
のSiH2及びSiHの結合における吸収係数比α（SiH2）／
α（SiH）・明導電率（ημτ）・暗比抵抗率（ρｄ）
のガス圧依存性を第３図、第４図及び第５図にグラフに
してそれぞれ示す。
用い、ガス圧を振って製膜実験を行った。このａ−Si膜
のSiH2及びSiHの結合における吸収係数比α（SiH2）／
α（SiH）・明導電率（ημτ）・暗比抵抗率（ρｄ）
のガス圧依存性を第３図、第４図及び第５図にグラフに
してそれぞれ示す。
これらに示されたとおり、吸収係数比α（SiH2）／α
（SiH）の値を1.3〜2.5にすることにより、暗比抵抗が1
012Ωcm以上となり、しかも明導電率が高い（光感度が
高い）ａ−Si膜が作成出来た。このように暗比抵抗が10
12Ωcm以上となり、しかも暗導電率が高い（光感度が高
い）ａ−Si膜は、従来の膜中Ｈ量が40atomic％以下で、
α（SiH2）／α（SiH）値が0.2〜1.7のａ−Si膜では達
成することができないものであった。
（SiH）の値を1.3〜2.5にすることにより、暗比抵抗が1
012Ωcm以上となり、しかも明導電率が高い（光感度が
高い）ａ−Si膜が作成出来た。このように暗比抵抗が10
12Ωcm以上となり、しかも暗導電率が高い（光感度が高
い）ａ−Si膜は、従来の膜中Ｈ量が40atomic％以下で、
α（SiH2）／α（SiH）値が0.2〜1.7のａ−Si膜では達
成することができないものであった。
更に鋭意実験を重ねた結果、ａ−Si膜のα（SiH2）／
α（SiH）の値を、1.3〜2.5とし、しかもその膜中の水
素量を40atomic％以上にすると、本発明における効果
が、より一層助長されることになる。ただし、ａ−Si膜
中のＨ量を65atomic％以上にすると、その膜の光学的バ
ンドキャップが大きくなり過ぎて、可視光に対する光感
度を必要とする電子写真感光体の光導電層としては適さ
ないことが判明した。つまり、膜中のＨ量は、好適には
40〜60atomic％、最も好ましくは40〜55atomic％という
値である。
α（SiH）の値を、1.3〜2.5とし、しかもその膜中の水
素量を40atomic％以上にすると、本発明における効果
が、より一層助長されることになる。ただし、ａ−Si膜
中のＨ量を65atomic％以上にすると、その膜の光学的バ
ンドキャップが大きくなり過ぎて、可視光に対する光感
度を必要とする電子写真感光体の光導電層としては適さ
ないことが判明した。つまり、膜中のＨ量は、好適には
40〜60atomic％、最も好ましくは40〜55atomic％という
値である。
第２図に示す如き、本発明にかかる製膜によれば、エ
レクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法により作成
しており、（SiH2）ｎなる粉は全く発生せず、しかも、
製膜速度・ガス利用効率とも従来法に比べて６〜10倍と
かなり高い値を得た。
レクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法により作成
しており、（SiH2）ｎなる粉は全く発生せず、しかも、
製膜速度・ガス利用効率とも従来法に比べて６〜10倍と
かなり高い値を得た。
また、本発明によるａ−Si膜は、電子写真感光体の光
導電層、イメージ・センサーの感光部、液晶と積層され
た光情報の記憶素子の感光部等といった外部からの光情
報を電気信号に変換するデバイスの感光部に最も適して
いる。更には、太陽電池・薄膜トランジスターといった
デバイスにも適用可能である。
導電層、イメージ・センサーの感光部、液晶と積層され
た光情報の記憶素子の感光部等といった外部からの光情
報を電気信号に変換するデバイスの感光部に最も適して
いる。更には、太陽電池・薄膜トランジスターといった
デバイスにも適用可能である。
次に、この発明による膜中Ｈ量を40atomic％以上含有
するａ−Si膜を電子写真感光体の光導電層として用いた
実施例を示す。
するａ−Si膜を電子写真感光体の光導電層として用いた
実施例を示す。
（実施例１） 第１図に示す如き構造の正帯電用の電子写真感光体１
を得るために、導電性基体２上に中間層３、光導電性４
及び表面被覆層５をこの順に形成した。
を得るために、導電性基体２上に中間層３、光導電性４
及び表面被覆層５をこの順に形成した。
即ち、光導電層４として水素を含み、赤外吸収スペク
トルの2100cm-1と2000cm-1における吸収係数比α（Si
H2）／α（SiH）が2.15であり、しかも、少量のボロン
（Ｂ）がドープされ、エレクトロン・サイクロトロン・
レゾナンス法によりａ−Si膜を、更には表面被覆層５と
してエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法によ
り作成されたａ−SiC膜、及び、中間層３として同方法
により作成されボロンが多量にドープされたａ−Si膜を
具備した正帯電用感光体を作成した。このときの作成条
件を下記表１にまとめておく。
トルの2100cm-1と2000cm-1における吸収係数比α（Si
H2）／α（SiH）が2.15であり、しかも、少量のボロン
（Ｂ）がドープされ、エレクトロン・サイクロトロン・
レゾナンス法によりａ−Si膜を、更には表面被覆層５と
してエレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス法によ
り作成されたａ−SiC膜、及び、中間層３として同方法
により作成されボロンが多量にドープされたａ−Si膜を
具備した正帯電用感光体を作成した。このときの作成条
件を下記表１にまとめておく。
ボロン（Ｂ）をドープするためのガスとしては、B
2H6,BH3などボロンと水素との化合物が好ましい。ま
た、ボロンと同じ働きをもった原子としては例えばアル
ミ，ガリュウム，インジュウムなどが適している。製膜
時に（SiH2）ｎなる粉は全く発生せず、しかも、製膜速
度・ガス利用効率とも従来に比べて６〜10倍とかなり高
い値を得た。更に作成された感光体の特性を測定したと
ころ、従来のａ−Si感光体に比べて特に帯電特性に優れ
ていた。また、これを市販の正帯電用複写機に搭載し画
出しを行ったところ、良好な画を得た。また、この実施
例に述べたａ−Si膜中に含まれるＨ量を測定したところ
48atomic％であった。
2H6,BH3などボロンと水素との化合物が好ましい。ま
た、ボロンと同じ働きをもった原子としては例えばアル
ミ，ガリュウム，インジュウムなどが適している。製膜
時に（SiH2）ｎなる粉は全く発生せず、しかも、製膜速
度・ガス利用効率とも従来に比べて６〜10倍とかなり高
い値を得た。更に作成された感光体の特性を測定したと
ころ、従来のａ−Si感光体に比べて特に帯電特性に優れ
ていた。また、これを市販の正帯電用複写機に搭載し画
出しを行ったところ、良好な画を得た。また、この実施
例に述べたａ−Si膜中に含まれるＨ量を測定したところ
48atomic％であった。
尚、表面被覆層５としてエレクトロン・サイクロトロ
ン・レゾナンス法により作成されたａ−SiN膜あるいは
ａ−SiO膜を用いた場合でも良好な結果が得られてい
る。
ン・レゾナンス法により作成されたａ−SiN膜あるいは
ａ−SiO膜を用いた場合でも良好な結果が得られてい
る。
（実施例２） 光導電層作成時のガス圧のみを変化させ、その他の条
件は全く実施例１と同じにした場合のそれぞれの感光体
特性の結果を表２に示す。
件は全く実施例１と同じにした場合のそれぞれの感光体
特性の結果を表２に示す。
上記表２に記した通り、ガス圧を選び吸収係数の比α
（SiH4）／α（SiH）の値を1.3〜2.5（第３図参照）と
した時に、良好な結果を得ている。
（SiH4）／α（SiH）の値を1.3〜2.5（第３図参照）と
した時に、良好な結果を得ている。
尚、各サンプル（感光体）の光導電層に含まれるＨ含
有量を測定した結果、ガス圧が2.8〜3.4mtorrでは、45
〜52atomic％であって、3.8〜5.0mtorrでは20〜30atomi
c％という値であった。
有量を測定した結果、ガス圧が2.8〜3.4mtorrでは、45
〜52atomic％であって、3.8〜5.0mtorrでは20〜30atomi
c％という値であった。
（実施例３） 光導電層４としてＨ量を46atomic％含有し、しかも、
少量のリン（Ｐ）がドープされてなるエレクトロン・サ
イクロトロン・レゾナンス法により作成されたａ−Si
膜、更には表面被覆膜５としてエレクトロン・サイクロ
トロン・レゾナンス法により作成されたａ−SiC膜、及
び、中間層３として同方法により作成されリン（Ｐ）が
多量にドープされたａ−Si膜を具備した負帯電用感光体
を作成した。このときの作成条件を表３にまとめてお
く。
少量のリン（Ｐ）がドープされてなるエレクトロン・サ
イクロトロン・レゾナンス法により作成されたａ−Si
膜、更には表面被覆膜５としてエレクトロン・サイクロ
トロン・レゾナンス法により作成されたａ−SiC膜、及
び、中間層３として同方法により作成されリン（Ｐ）が
多量にドープされたａ−Si膜を具備した負帯電用感光体
を作成した。このときの作成条件を表３にまとめてお
く。
リンをドープするためのガスとしてはPH3などリンと
水素の化合物が適している。また、リンと同じ働きをも
った原子としては窒素，アンチモン，酸素などが適して
いる。
水素の化合物が適している。また、リンと同じ働きをも
った原子としては窒素，アンチモン，酸素などが適して
いる。
このとき（SiH2）ｎなる粉は全く発生せず、しかも、
製膜速度・ガス利用効率とも従来法に比べてかなり高い
値を得た。更に作成された感光体の特性を測定したとこ
ろ、特に帯電特性に優れていた。また、これを市販の負
帯電用複写機に搭載し画出しを行ったところ良好な画を
得た。
製膜速度・ガス利用効率とも従来法に比べてかなり高い
値を得た。更に作成された感光体の特性を測定したとこ
ろ、特に帯電特性に優れていた。また、これを市販の負
帯電用複写機に搭載し画出しを行ったところ良好な画を
得た。
尚、表面被覆層としてエレクトロン・サイクロトロン
・レゾナンス法により作成されたａ−SiN膜あるいはａ
−SiO膜を用いた場合でも良好な結果が得られている。
・レゾナンス法により作成されたａ−SiN膜あるいはａ
−SiO膜を用いた場合でも良好な結果が得られている。
〈効果〉 本発明の電子写真感光体の製造方法によれば、エレク
トロン・サイクロトロン・レゾナンス法によりａ−Si層
よりなる光導電層に、水素を40atomic％乃至60atomic％
の範囲内に含有させ、その時の赤外吸収比率α（SiH2）
／α（SiH）を1.3〜2.5にすることから、感光体の製造
時、（SiH2）ｎなるポリマー粉の発生がなく、電子写真
用として重要となる暗比抵抗の大きな、かつ光感度に優
れた特性を有する感光体を得ることができる。
トロン・サイクロトロン・レゾナンス法によりａ−Si層
よりなる光導電層に、水素を40atomic％乃至60atomic％
の範囲内に含有させ、その時の赤外吸収比率α（SiH2）
／α（SiH）を1.3〜2.5にすることから、感光体の製造
時、（SiH2）ｎなるポリマー粉の発生がなく、電子写真
用として重要となる暗比抵抗の大きな、かつ光感度に優
れた特性を有する感光体を得ることができる。
また、この製法による感光体によれば、上記の（Si
H2）ｎなる粉の発生がなく、製膜速度を速く、ガス利用
率とも従来法に比べてかなり高い値を示し、よって良品
率を高め、安価に製造できる。
H2）ｎなる粉の発生がなく、製膜速度を速く、ガス利用
率とも従来法に比べてかなり高い値を示し、よって良品
率を高め、安価に製造できる。
第１図は本発明に係る電子写真感光体の構造を示す断面
図、第２図は本発明のａ−Si層を作成するエレクトロン
・サイクロトロン・レゾナンス法による製膜装置を示す
断面図、第３図、第４図及び第５図はガス圧に対する膜
中のα（SiH2）／α（SiH）値、明導電率（ημτ）及
び暗比抵抗率（ρｄ）を示す特性図である。 1:a−Si感光体導電性基体 2:導電性基体、3:中間層、4:光導電層 5:表面被覆層
図、第２図は本発明のａ−Si層を作成するエレクトロン
・サイクロトロン・レゾナンス法による製膜装置を示す
断面図、第３図、第４図及び第５図はガス圧に対する膜
中のα（SiH2）／α（SiH）値、明導電率（ημτ）及
び暗比抵抗率（ρｄ）を示す特性図である。 1:a−Si感光体導電性基体 2:導電性基体、3:中間層、4:光導電層 5:表面被覆層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−186748（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−98588（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−83544（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−159167（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−81361（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−158650（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基体上にアモルファスシリコンを成
分とした光導電層を形成する電子写真感光体の製造方法
において、 上記導電性基体上に赤外吸収スペクトルのSiH2結合に由
来する2100cm-1付近に現れる吸収の吸収係数α（SiH2）
と、SiH結合に由来する2000cm-1付近に現れる吸収の吸
収係数α（SiH）との比α（SiH2）／α（SiH）を、1.3
〜2.5となるように、かつ水素が40atomic％以上で60ato
mic％以下の範囲に含有されるアモルファスシリコンか
らなる光導電層をエレクトロン・サイクロトロン・レゾ
ナンス法にて形成することを特徴とする電子写真感光体
の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63107098A JPH087448B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 電子写真感光体の製造方法 |
| US07/332,775 US4971878A (en) | 1988-04-04 | 1989-04-03 | Amorphous silicon photosensitive member for use in electrophotography |
| DE68928210T DE68928210T2 (de) | 1988-04-04 | 1989-04-04 | Elektrophotographisches lichtempfindliches Element |
| EP89303300A EP0336700B1 (en) | 1988-04-04 | 1989-04-04 | An electrophotographic photosensitive member |
| KR1019890004485A KR910007719B1 (ko) | 1988-04-04 | 1989-04-04 | 전자사진감광멤버(member) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63107098A JPH087448B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01277245A JPH01277245A (ja) | 1989-11-07 |
| JPH087448B2 true JPH087448B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=14450409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63107098A Expired - Fee Related JPH087448B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-28 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087448B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239397A (en) * | 1989-10-12 | 1993-08-24 | Sharp Kabushiki | Liquid crystal light valve with amorphous silicon photoconductor of amorphous silicon and hydrogen or a halogen |
| JP3352292B2 (ja) * | 1995-08-21 | 2002-12-03 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147667A (en) * | 1978-01-13 | 1979-04-03 | International Business Machines Corporation | Photoconductor for GaAs laser addressed devices |
| JPS57158650A (en) * | 1981-03-25 | 1982-09-30 | Minolta Camera Co Ltd | Amorphous silicon photoconductor layer |
| JPS58186748A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-10-31 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS59159167A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| JPS6183544A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
| EP0249302B1 (en) * | 1986-01-23 | 1994-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for use in electrophotography |
| JPS6381361A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
| JPH07117764B2 (ja) * | 1988-04-04 | 1995-12-18 | シャープ株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63107098A patent/JPH087448B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01277245A (ja) | 1989-11-07 |
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