JPH07119907B2

JPH07119907B2 - 光学変調素子の駆動方法

Info

Publication number: JPH07119907B2
Application number: JP13274586A
Authority: JP
Inventors: 征四郎吉岡; 正彦江成; 光俊久野; 寿進藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-06-10
Filing date: 1986-06-10
Publication date: 1995-12-20
Anticipated expiration: 2010-12-20
Also published as: JPS62289816A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、表示パネルのための光学変調素子の駆動法に
関し、詳しくは双安定性を有する液晶物質、特に強誘電
性液晶を用いた表示パネル、特に高密度表示に適した液
晶光学素子の駆動法に関する。

［従来の技術］従来のアクティブマトリクス駆動方式を用いた液晶テレ
ビジョンパネルでは、薄膜トランジスタ（TFT）を画素
毎のマトリクス配置し、TFTにゲートオンパネルを印加
してソースとドレイン間を導通状態とし、このとき映像
画像信号がソースから印加され、キャパシタに蓄積さ
れ、この蓄積された画像信号に対応して液晶（例えばツ
イステッド・ネマチック;TN−液晶）が駆動し、同時に
映像信号の電圧を変調することによって階調表示が行な
われている。

［発明が解決しようとする問題点］しかし、この様なTN液晶を用いたアクティブマトリクス
駆動方式のテレビジョンパネルでは、使用するTFTが複
雑な構造を有しているため、構造工程数が多く、高い製
造コストがネックとなっているうえに、TFTを構成して
いる薄膜半導体（例えば、ポリシリコン、アモルファス
シリコン）を広い面積に亘って被膜形成することが難し
いなどの問題点がある。

一方、低い製造コストで製造できるものとしてTN液晶を
用いたパッシブマトリクス駆動方式の表示パネルが知ら
れているが、この表示パネルでは走査線（Ｎ）が増大す
るに従って、１画面（１フレーム）を走査する間に１つ
の選択点に有効な電界が印加されている時間（デューテ
ィー比）が1/Nの割合で減少し、このためクロストーク
が発生し、しかも高コントラストの画像とならないなど
の欠点を有している上、デューティー比が低くなると各
画素の階調を電圧変調により制御することが難しくなる
など、高密度配線数の表示パネル、特に液晶テレビジョ
ンパネルには適していない。

本発明の目的は、このような問題点に鑑みて、広い面積
に亘って高密度画素をもつ表示パネルの駆動方法、特
に、高密度表示に適した光学変調素子の駆動方法を提供
することにある。

［問題点を解決するための手段］本発明は、対向する一対の導電膜間に光学変調物質が配
された画素を行列状に複数配列し、行毎に複数の画素を
共通に接続した走査電極群と、列毎に複数の画素を共通
に接続した情報電極群と、を備え、前記走査電極はそれ
ぞれ前記導電膜とそれより低抵抗の２つの電送ラインと
を有している光学変調素子を、前記２つの電送ラインへ
の異なる電圧の印加によって前記画素を構成する前記一
対の導電膜間に電位差勾配が生じるように、駆動する光
学変調素子の駆動方法であって、前記２つの電送ライン間の前記導電膜に第１の電位勾配
を形成するとともに、前記情報電極群に第１の情報信号
を印加することにより前記画素内全領域の光学状態を定
める工程と、前記２つの電送ライン間の前記導電膜に前記第１の電位
勾配と同じ向きの勾配で且つ電位レベルの異なる第２の
電位勾配を形成するとともに、前記情報電極群に第２の
情報信号を印加することにより該画素内の特定の領域の
光学状態を定める工程と、を含むことを特徴とする光学
変調素子の駆動方法に関する。

本発明で使用される光学変調物質としては、加えられる
電界に応じて第１の光学的安定状態（例えば明状態を形
成するものとする）と第２の光学的安定状態（例えば暗
状態を形成するものとする）を有する、すなわち電界に
対する少くとも２つの安定状態を有する物質、特にこの
ような性質を有する液晶が用いられる。

本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメクティッ
ク液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクティッ
クＣ相（SmC^＊）、Ｈ相（SmH^＊）、Ｉ相（SmI^＊）、Ｆ
相（SmF^＊）やＧ相（SmG^＊）の液晶が適している。この
強誘電性液晶については、“ル・ジュルナール・ド・フ
ィジイク・レットル”（“LE JOURNAL DE PHYSIQUE LET
TERS"）第36巻（Ｌ−69）1975年の「フェロエレクトリ
ック・リキッド・クリスタルス」（「Ferroelectric Li
quid Crystals」）；“アプライド・フィジィックス・
レターズ”（“Applied physics Letters"）第36巻，第
11号,1980年の「サブミクロ・セカンド・バイステイブ
ル・エレクトロオプティック・スイッチング・イン・リ
キッド・クリスタルス」（「Submicro Second Bistable
Electrooptic Switching in Liquid Crystals」）；
“固体物理”16（141）1981「液晶」等に記載されてお
り、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用い
ることができる。

より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（DOBAMBC）、ヘ
キシルオキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２−クロロ
プロピルシンナメート（HOBACPC）および４−ｏ−（２
−メチル）−ブチルレゾルシリデン−４′−オクチルア
ニリン（MBRA 8）等が挙げられる。

これらの材料を用いて、素子を構成する場合、液相化合
物がSmC^＊、SmH^＊、SmI^＊、SmF^＊、SmG^＊となるような
温度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒーターが
埋め込まれた銅ブロック等により支持することができ
る。

第16図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いためも
のである。101と101′は、In₂O₃、SnO₂やITO（インジウ
ム−ティン−オキサイド）等の透明電極がコートされた
基板（ガラス板）であり、その間に液相分子層102がガ
ラス面に垂直になるよう配向したSmC^＊相の液晶が封入
されている。太線で示した線103が液晶分子を表わして
おり、この液晶分子103は、その分子に直交した方向に
双極子モーメント（Ｐ_⊥）104を有している。基板101と
101′上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加する
と、液晶分子103のらせん構造がほどけ、双極子モーメ
ント（Ｐ_⊥）104はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子103の配向方向を変えることができる。液晶分子103は
細長い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈
折率異方性を示し、従って、例えばガラス面の上下に互
いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置け
ば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶光学変
調素子となることは、容易に理解される。さらに液晶セ
ルの厚さを充分に薄くした場合（例えば１μ）には、第
17図に示すように電界を印加していない状態でも、液晶
分子のらせん構造はほどけ（非らせん構造）、その双極
子モーメントＰ又はＰ′は上向き（114）又は下向き（1
14′）のどちらかの状態をとる。このようなセルに第17
図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ又は
Ｅ′を付与すると、双極子モーメント電界Ｅ又はＥ′の
電界ベクトルに対応して上向き114又は下向き114′と向
きを変え、それに応じて液晶分子は第１の安定状態113
（明状態）かあるいは第２の安定状態113′（暗状態）
のいずれか一方に配向する。

この様な強誘電性液晶を光学変調素子として用いること
の利点は２つある。第１に応答速度が極めて速いこと、
第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することであ
る。第２の点を例えば第17図によって説明すると、電界
Ｅを印加すると液晶分子は第１の安定状態113に配向す
るが、この状態は電界を切ってもこの第１の安定状態11
3が維持され、又、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、液
晶分子は第２の安定状態113′に配向してその分子の向
きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に保ち、
それぞれの安定状態でメモリー機能を有している。この
ような応答速度の速さと、双安定性が有効に実現される
には、セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般
的には、0.5μ〜20μ、特に１μ〜５μが適している。
この種の強誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有
する液晶−電気光学装置は、例えばクラークとラガバル
により、米国特許第4,367,924号明細書で提案されてい
る。

［作用］本発明では、前記２つの電送ライン間の導電膜に第１の
電位勾配を形成するとともに、前記情報電極群に第１の
情報信号を印加することにより、前記画素内全領域の光
学状態を明状態か暗状態のいずれか一方の状態にした
後、前記２つの電送ライ間の導電膜に前記第１の電位勾
配と同じ向きの勾配で且つ電位レベルの異なる第２の電
位勾配を形成するとともに、前記情報電極群に第２の情
報信号を印加することにより、予め同一状態に定められ
た画素内の特定の領域の光学状態を定めるため、一画素
内を複数の領域に分割して表示することができ、表示密
度がその分だけ高密度になる。

［実施例］以下、本発明の実施例を、図面と共に詳細に説明する。

第１図は、本発明に使用される光学変調素子の１実施例
を示す斜視図である。第１図において、１は一方の基板
で、２はその基板１上に積層されている表示導電膜であ
る。３は低抵抗の金属フィルムから成る電送電極で、前
記表示導電膜２上に等間隔で平行に並んで積層されてい
る。又、基板１に対して、他方の基板（図示せず）が対
向していて、該他方の基板上に、対向導電膜（又は対向
電極）４が前記電送電極３と交差配置され、その交差部
分に画素領域Ａが形成されている。表示導電膜２と対向
導電膜４との間には、前記光学変調物質がサンドイッチ
されている。

上記のように構成された液晶光学素子では、電送電極３
に印加された信号電圧により表示用導電膜２の面内に電
位勾配を付与することによって、対向電極４との間の電
界に電位差勾配を生じさせる。この際、電送電極3a及び
3cを基準電位点VE（例えば０ボルト）に接続し、別な電
送電極3bに所定の信号電圧Vaを印加すると、第２図
（ａ）に示すように、電送電極3a及び3b間、3b及び3c間
の導電膜２の面内の長さ方向L₁とL₂とにVaの電位勾配を
付与することができる。このとき強誘電性液晶の反転閾
値電圧VthをVaとして、対向電極４に−Vbを印加する
と、第２図（ｂ）に示すように導電膜２の面内の長さ方
向m₁,m₂に対応する強誘電性液晶に反転閾値電圧Vth以上
の電位差Va＋Vbが印加されることになり、かかるm₁,m₂
に対応した領域が例えば明状態から暗状態に反転するこ
とができる。従って、本発明では、画素毎に階調に応じ
た値でVbを印加することにより階調性を表現することが
できる。この際に、対向電極４に印加する電圧信号−Vb
を階調情報に応じてその電圧値を変調させてもよく、又
は階調情報に応じてそのパルス幅を変調させてもよく、
もしくはそのパルス数を変調することによっても階調性
を制御することができる。

又、本発明では、前記階調信号を印加するに先立って、
画素を明状態か暗状態のいずれか一方の状態にする消去
ステップを経てのち、その状態を反転させる反転電圧が
階調に応じて制御されて、強誘電性液晶に印加されるよ
うにしておくことが必要である。

さらに、本発明の好ましい具体例を挙げて説明する。

第１図におけるガラス基板１上に、スパッタリング法に
よって、約200Åの厚さのSiO₂膜の透明導電膜を形成
し、表示用導電膜２とした。このSiO₂膜のシート抵抗は
10⁶Ω／口であった。次に、1000Å厚でAlを前記SiO₂膜
上に真空蒸着し、再びパターニングすることにより第１
図の如く電送電極３を複数本形成した。本実施例では、
電送電極３の間隔を230μとした。この電送電極３のシ
ート抵抗は約0.4Ω／口であり、その幅を約20μとし
た。一方、対向基板には領域ＡをカバーするようなITO
膜を対向電極４として設けた。この対向電極となるITO
膜のシート抵抗は約20Ω／口であった。

このようにして作成された２つの基板のそれぞれの表面
に、液晶配向膜として約500Åのポリビニルアルコール
層を形成し、ラビング処理を施した。

次に、２つの基板を対向させ、間隙が約１μとなるよう
に調節し、強誘電性液晶（ｐ−η−オクチルオキシ安息
香酸−ｐ′−（２−メチルブチルオキシ）フェニルエス
テルとｐ−η−ノニルオキシ安息香酸−ｐ′−（２−メ
チルブチルオキシ）フェニルエステルを主成分とした液
晶組成物）を注入した。表示用導電膜２と対向電極４と
が重なる部分画素Ａの形状は230μ×230μであって、液
晶注入後の静電容量は約3PFであった。但し、画素Ａの
幅はL₁/2＋L₂/2とした。そして、このように形成した液
晶セルの両側に．偏光板をクロスニコルに配設し、光学
特性を観察した。

第３図は電気信号の印加方法を示した模式図であって、
基板１上に表示用導電膜２が形成され、更にその上に電
送電極３が配置されていて、対向基板31に対向導電膜32
が形成され、２つの基板間に強誘電性液晶33を挟持して
いる。対向導電膜32は第１の駆動回路34に接続され、表
示用導電膜２は第２の駆動回路35に接続されている。第
４図は第３図の駆動回路34で発生するシグナル（ａ）の
波形を表し、第５図は第３図の駆動回路35で発生するシ
グナル（ｂ）の波形を表わしている。

さて、シグナル（ａ）として−12V,200μsecパルス、シ
グナル（ｂ）として8V,200μsecパルスを予め同期して
（これを消去パルスと呼ぶ）与える消去ステップを設け
ると、液晶は第１の安定状態にスイッチングされ、画素
Ａ全体が明状態となる（このようにクロス偏光板を配置
した）。この状態より、第５図（ａ）〜（ｅ）に示され
るような種々のパルスをシグナル（ｂ）として電送電極
３に印加した第４図のパルスに同期させて対向電極４に
与えたときの画素Ａの光学的状態を第６図に示す。

パルス印加電圧−2V（第５図（ａ）に対応）と−5V（第
５図（ｂ）に対応）では全く明状態61からの変化は生じ
ない（第６図（ａ）に対応）が、パルス印加電圧−8V
（第５図（ｃ）に対応）では電送電極３の近傍の液晶は
暗状態62へスイッチングする（第６図（ｂ）に対応）。
さらに、印加電圧を−14V（第５図（ｄ）に対応）と長
くした場合には、暗状態62の領域は図示の如く広くなり
（第６図（ｃ）に対応）、印加電圧20V（第５図（ｅ）
に対応）で画素Ａ全体が暗状態62にスイッチングされる
（第６図（ｄ）に対応）。このようにして、階調性のあ
る画像を形成することができる。

また、第７図（ａ）〜（ｅ）に示されるような種々のパ
ルス幅の異なるシグナル（ｂ）と第８図に示されるよう
な、三角波であるシグナル（ａ）を同期して与えたとき
でも、前記に第６図に図示した光学的状態変化を示すこ
とができる。この際、第８図に示すパネルを電送電極に
印加し、このパルスと同期して第７図（ａ）〜（ｅ）に
示すパルス階調に応じて対向電極４に印加することによ
って階調性を表現することができる。

尚、第３図に示した本実施例の液晶33は、強誘電性液晶
であって、更に好ましくは双安定状態下のカイラルスメ
クチック液晶である。

又、本発明の電送電極３及び対向電極４としては、アル
ミニウム（Al）の他に、金，銀，銅，クロムなどの金属
を使用することができ、好ましくはそのシート抵抗を10
²Ω／□以下とする。更に又、電位勾配が付与される導
電膜２としては10KΩ／口〜10⁹Ω／口のシート抵抗をも
つ透明導電膜を用いることができる。かかるシート抵抗
は、透明導電膜の膜厚を調節することにより適当な値に
設計することができる。

第９図は、本発明による階調表面をマトリクス駆動に適
用した１具体例を示す斜視図である。

第９図に示す表示パネルは、ガラス基板１上に高抵抗の
ストライプ状導電膜91a,91b,91c…が複数配列され、更
に各ストライプ状導電膜91の長手方向の両端部に低抵抗
の電送電極92a,92b,92c…及び93a,93b,93c…が配線され
ている。基板１と対向する対向基板（図示せず）にはス
トライプ状導電膜から成る対向電極94a及び94bが配置さ
れ、前記ストライプ状導電膜91と対向電極94との間に強
誘電性液晶が配置される。

さて、一方の電送電極92a,92b,92c…を共通の基準電極V
sに接続し、他方の電送電極93a,93b,93c…に順次走査電
圧を印加する。但し、本発明は、電極のパターニングに
よる画素は前記導電膜91a,91b,91cに形成され、これを
駆動法によって更に微細な画素に表示しようとするもの
なので、例えば第９図の導電膜91aを更に３分割した画
素に表示する場合などがあり、第10図から第12図の各図
に示される如く駆動される。

即ち、第10図に示される如く、例えば1ms間隔の時刻t₁,
t₂,t₃に、波高値がそれぞれV_L1,V_L2,V_L3のパルスを前記
電送電極93aに印加する。このとき電送電極92は共通に
接続し、第11図に示すように、固定抵抗R_Sと接続する。
ここで電送電極93に電圧V_Lを印加すると、電送電極92に
印加される電圧V_Sは、 V_S＝V_L・R_S/（R_L＋R_S）となる（R_Lは電極92と電極93の間の抵抗値）。ここで、
第９図に示す導電膜91aと対向電極94aとの交差する画素
Ａに信号を書き込む手順は、まず前記時刻t₁に電圧V_L1
を、液晶の閾値V_Tに対してV_L1＝V_Tとなるようにして、
電送電極93aに印加し、抵抗R_SをV_S1＝V_T/2となるように
設定すると、前記式よりR_S＝R_Lとなる。このようにして
おいて、電送電極93aにV_L1＝V_Tを印加し、かつ同時にV_A
＝−V_T/2を対向電極94aに印加すると、第９図の画素Ａ
に対応する全領域の液晶に閾値V_Tを越える電圧が印加さ
れ、画素Ａの全領域が液晶板の配置に対応して白又は黒
に書き込まれる。

ここで、電送電極93aに印加される電圧V_LをV_T/2＜V_L＜V
_Tとすると、対向電極94aにV_A＝−V_T/2が同時に印加され
たとき、液晶に印加される電圧VaがVa＞V_Tとなる領域Ｌ
（Ｌは電送電極93aから測定された距離）は次式で演算
される。

V_L/2L₁＝（V_L−V_T/2）/L （但し、L₁は電極92a及び93a間の距離）即ち、V_T/2＜V_L＜V_Tとして、Ｌ＝L₁（２−V_T/V_L）となる。次に画素Ａの2/3の領域の液晶にV_Tを越える電
圧が印加される条件を求めると、 V_L2＝3V_T/4 となるV_L2を、第12図に示す如く、電送電極93aに印加す
ればよい。又、画素Ａの1/3の領域の液晶にV_Tを越える
電圧が印加される条件は、 V_L3＝3V_T/5 となるV_L3を、第12図に示す如く、電送電極93aに印加す
ればよい。

このように、電送電極93aに、順次V_L1＝V_T,V_L2＝3V_T/4,
V_L3＝3V_T/5を印加することによって、画素Ａの全領域,2
/3領域,1/3領域の液晶に順次V_Tを越える電圧が印加され
る。但し、印加する電圧の符号は第13図に示す如くにな
り、例えば前記対向電極94aに第13図（ａ）に示す如く
±V_T/2を交互に印加すると、第12図の前記領域L₁,L₂,L₃
の白黒表示に対応させて、電送電極93aには第13図
（ｂ）に示す如く＋または−の符号が与えられる。尚、
このとき第13図で明らかなように、対向電極94aに印加
される電圧と極性が反対になるような同期がとられてい
る。以上の手順の結果、第13図（ｃ）に示されるよう
に、領域L₁,L₂,L₃に白，黒，白の書き込みを行うと、そ
の結果（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）の領域に白，黒，白の書
き込みが行われる。

このように、本発明の駆動方法によれば、電極に複数レ
ベルの電圧を与えることにより、電極間の領域を複数の
領域に分割して表示することが可能となる。

以上は３分割の例について説明したが、一般にＮ個の領
域に分割して表示できることは明らかであり、またＮ＝
ｍ×ｎとしたとき、ｎ個の領域に分割してｍ段階の面積
階調表示があることも示している。

又、いいかえれば、第９図においてストライプ電極91が
ｎ本あったとき、電極93にｍ段階の電圧レベルを印加す
る本発明の駆動方法では、mn本の画素数として表示でき
るし、又はｍ＝m₁×m₂としたとき、m₁×ｎ本の画素数で
m₂段階の階調表示が可能になるものである。

このことは、４本/mn以上とか、16本/mn以上とかの高密
度の表示を行う場合におけるパネルの電極と駆動素子と
の接続数を減少できるという点で、実装上の非常に大き
なメリットをもたらす。又、パネルの電極数と駆動素子
数そのものを減少させても高密度かつ高画質の表示が可
能であるという点でも、表示パネル製造コストの大幅減
少をもたらす大きなメリットを有する。

例えば、A4サイズの表示パネルの場合、短幅方向の200m
mの１本/mmで電極パターニングを行い、200個の駆動素
子と１本/mmで接続しても、例えば本発明の駆動方法に
より４段階の電圧レベルで駆動すれば、４本/mmの２値
表示画素数として表示できるが、従来の表示パネル駆動
法では、４本/mmの電極をパターニングし、200×２＝80
0個の駆動素子を４本/mmの密度で接続しなければなら
ず、パネル製造コストの低下は非常に大きい。又、例え
ば第13図（ｃ）に示すように、１個のパターニング電極
内に、Red,Green,Blueの３色のカラーモザイクフィルタ
を配置して、本発明による３段階の電圧レベルを適用す
れば、１個のパターニング電極と１個の駆動素子に対し
て３色のカラー画表示が順次行われることになる。

第14図は、本発明による駆動方法の１実施例を示す部分
回路図で、電極93a,93b,93cは第９図における同一番号
の電極に相当する。第14図において、201a,201b,201cは
電極切り替えスイッチで、接点1,2,3を選択することが
でき、各接点は、パルス駆動電源202の出力が３つの分
割抵抗203,204,205で分圧された出力端子である。この
分圧された出力は、第12図のV_L1,V_L2,V_L3に相当し、前
記各スイッチ201a,201b,201cをそれぞれ順次、接点1,2,
3を選択することによって、順次V_L1,V_L2,V_L3の電位を与
える。その結果、第９図に示したで電極91a,91b,91cを
それぞれ３分割した領域に、白又は黒を順次書き込むこ
とができる。

尚、このときストライプ電極91のシート抵抗はSnO₂膜の
膜厚100Å以下で10⁶Ω／口以下である。第９図における
電極92aと93aの間の抵抗値R_Lは間隙が200μ，電極長が2
00mmで、約1kΩであった。従って、各電極92a,92b,92c
を共通に接続し、第11図に示すバイアス抵抗R_Sを1kΩに
選んだ。液晶の閾値V_Tは10Vで、パルス巾は1msで、スト
ライプ電極94a,94b…には順次、±V_T/2＝±5V,パルス巾
1msのパルス電圧を印加した。ここで電送電極93a,93b,9
3cに印加された電圧は、第12図に示された電圧レベルV
_L1,V_L2,V_L3で、 V_L1＝V_T＝10V V_L2＝3V_T/4＝7.5V V_L3＝3V_T/5＝6V のパルス電圧を印加した。パルスの符号は第13図に示す
とおりに運び、画素を白又は黒とした。又、各分割抵抗
203,204,205は上記の各パルス電圧を与えるように、Ｒ（203）＝25Ω Ｒ（204）＝15Ω Ｒ（205）＝60Ω とした。

このように、本実施例では、第９図に示す構成の液晶表
示パネルをストライプ電極密度４本/mmでA4サイズに作
成し、本発明による駆動方法によって、片側表示密度３
×４＝12本/mmの２値モノクロ表示パネルを製作した。

第15図は、本発明による駆動回路の別の実施例を示す回
路図で、第14図と同一の番号配置によっているが、下記
の諸点で大幅な改善がはかられている。即ち、スイッチ
群201a,201b,201cは単なる１接点スイッチで、第14図の
実施例のように、各スイッチを各解像点数に対応させた
マルチ接点スイッチではない。第14図の例のマルチ接点
分が第15図の例ではスイッチ206の１個に集約され、そ
の結果、接点の数を比較すると、電極数ｍ本で１本の電
極をｎ本に解像すれば、第14図の例では接点の数がｍ×
ｎ個であるのに対し、第15図の例ではｍ＋ｎ個に激減す
る。

尚、光学変調素子については、最も好ましい例として強
誘電性液晶、時に少なくとも２つの安定状態をもつ強誘
電性液晶における場合を説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、その他の光学変調素子としてツ
イストネマティック液晶、ゲストホスト液晶等にも適用
できる。

［発明の効果］以上説明したように、本発明によれば、画素を構成する
少なくとも一方の導電膜面内に、電位勾配を形成するこ
とにより、広い面積にわたって高密度画素を有する表示
パネルの駆動方法、特に高密度表示に好適な光学変調素
子の駆動方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第９図は本発明の駆動方法を実施する光学変
調素子の基本的な構造の斜視図、第２図はその電位勾配
図、第３図はその基本的な配線図、第４図，第５図，第
７図，第８図，第10図，第12図及び第13図は電圧波形
図、第14図及び第15図は部分回路図、第６図は画素の状
態図、第11図は抵抗の配線図、第16図及び第17図は強誘
電性液晶セルの模式図である。 1;基板、 2,92;導電膜、 3,93;電送電極、 4,94;対向電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者進藤寿東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (56)参考文献特開昭61−201217（ＪＰ，Ａ) 特開昭52−20851（ＪＰ，Ａ) 特開昭52−122098（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向する一対の導電膜間に光学変調物質が
配された画素を行列状に複数配列し、行毎に複数の画素
を共通に接続した走査電極群と、列毎に複数の画素を共
通に接続した情報電極群と、を備え、前記走査電極はそ
れぞれ前記導電膜とそれより低抵抗の２つの電送ライン
とを有している光学変調素子を、前記２つの電送ライン
への異なる電圧の印加によって前記画素を構成する前記
一対の導電膜間に電位差勾配が生じるように、駆動する
光学変調素子の駆動方法であって、前記２つの電送ライン間の前記導電膜に第１の電位勾配
を形成するとともに、前記情報電極群に第１の情報信号
を印加することにより前記画素内全領域の光学状態を定
める工程と、前記２つの電送ライン間の前記導電膜に前記第１の電位
勾配と同じ向きの勾配で且つ電位レベルの異なる第２の
電位勾配を形成するとともに、前記情報電極群に第２の
情報信号を印加することにより該画素内の特定の領域の
光学状態を定める工程と、を含むことを特徴とする光学変調素子の駆動方法。
【請求項２】前記光学変調物質が強誘電性液晶である特
許請求の範囲第１項に記載の光学変調素子の駆動方法。