JPH07119910B2 - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents
液晶パネルの製造方法Info
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- JPH07119910B2 JPH07119910B2 JP1095778A JP9577889A JPH07119910B2 JP H07119910 B2 JPH07119910 B2 JP H07119910B2 JP 1095778 A JP1095778 A JP 1095778A JP 9577889 A JP9577889 A JP 9577889A JP H07119910 B2 JPH07119910 B2 JP H07119910B2
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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Description
び液晶パネル表示装置に関し、液晶の画像品質を向上す
るものである。
成からなり、液晶1を間に挟み、カラーフィルター2が
形成されている上基板3と、画素電極4が形成されてい
る下基板5とを配し、それぞれの基板3、5の外側に偏
光板6、7を配置するものである。それぞれの基板3、
5は、液晶1に配向性を付与するために、上下基板3、
5に高分子材料(例えば、ポリイミドなど)の配向膜を
塗布し、布でラビングを行う。このラビング方向は、上
下基板3、5で約90度ずらして対向させている。そのた
め、液晶1はその配向方向に沿って分子が配列され、第
14図(a)(b)のごとく捻れる。この捻れる方向は、
液晶パネル内で全て同一方向でなければならない。しか
し、液晶1をパネル内に注入するときの流動効果などに
より、捻れる方向が逆になる逆ドメインと呼ばれる欠陥
が一部に発生する。通常この欠陥の対策としては、液晶
1をN−I点(ネマティック相からアイソトロピック相
への変態点で、液晶1が等方性の透明となる温度)以
上、すなわち液晶1を等方性にしてパネル内に注入する
か、あるいはパネル内に注入した後に、加熱して、一度
等方性にし、自然冷却により逆ドメインをなくす方法が
よく知られている。
が、最近、画像の高精細度化が進み、画素の一つ一つに
薄膜トランジスターを設け、アクティブマトリックス方
式の液晶パネルが開発され、さらに、この画素面積を小
さくして高密度化が図られている。この場合、第15図の
ように画素面積が小さくなるにつれて薄膜トランジスタ
ー9および、ソース配線10などの高さが、画素面に対す
るラビング布の接触を弱くし、その結果液晶の配向性を
弱め、逆ドメインが発生しやすくなる。このような配向
の弱さや、凹凸の形状効果による逆ドメインは従来の熱
処理方法ではなくすことができない。
ック液晶(例えばCB15;チッソ(株)など)と呼ばれる
旋回物質を添加することにより、液晶の旋回力を強くす
る方法も使用されているが、この添加量を増加しすぎる
と、液晶の応答速度が悪くなるなど特性劣化につなが
り、添加量に限界がある。
晶分子の配向方向を左右螺旋回転方向で異なる構成とす
る方法もあるが、この効果も不十分である。
な逆ドメイン防止を達成できる高画質の液晶パネルの製
造方法及び液晶パネル表示装置を提供するものである。
パネルを、加熱で等方性とした後、上下基板のどちらか
一方の基板側から冷却することにより、逆ドメインの発
生を防止するものである。
に回復するとき、正常な旋回方向のドメイン化を促進
し、逆ドメイン範囲の拡大を防止するとともに、正常ド
メインで逆ドメインを吸収する力が発生し、逆ドメイン
を消滅させることができる。
はパネル11内に液晶1を注入するときの断面図である。
パネル11内は従来例第13図で示すように、液晶分子が上
下基板3、5で約90度捻られるように配向されている。
液晶1をこのパネル11に注入するとき、液晶1はあらか
じめ等方性になる温度にされており(例えば、ねじれネ
マティック液晶がLIXON−9150;チッソ(株)であれはN
−I点88℃以上の温度)、パネル11も88℃以上に加熱さ
れている。この状態で、液晶1をパネる11内に注入(注
入方法は、例えば真空注入法;特公昭58−49853)す
る。このときの液晶1は等方性で、配向方向や旋回方向
の影響を受けない状態、つまり中立状態になっている。
を冷却する。このとき、液晶1は、冷却過程においてパ
ネル11全体が同時にネマティック相になるのではなくN
−I点通過時点で、冷却効果の速い方から島状にネマテ
ィック相に変化していく。この変化時において、等方性
つまり中立状態の液晶1は、右ねじれ、左ねじれの旋回
方向の力バランスがほぼ等しく、どちらにも旋回する。
従って、コレステリック液晶の添加や配向方向の設定
で、例えば右ねじれ方向に設定した場合でも、冷却過程
の変態点では、左ねじれの逆ドメインも局部的に発生す
る。その発生状況を第2図に示す。
ものを冷却し、等方性から異方性のネマティック相に変
態している状態を示すものであり、液晶駆動配線パター
ンや遮蔽マスクが形成されており、液晶パネルの一部を
200倍に拡大している。液晶の冷却は、図の左から右に
向かって進行する。第2図において、図で白く抜けてい
る部分が液晶1が等方性の状態のところで、透明になっ
ている。灰色部分が、正常な右ねじれのネマティック相
に変化しているところである。黒い部分が逆ドメインで
左ねじれとなっているところである。
1が冷却されていくにつれて島状範囲を拡大していく。
このときの拡大、つまりネマティック相への変態は、正
常な右ねじれのネマティック相の方が拡大範囲が広い。
従って、従来の画素面積の大きい、配向性の強いもの
は、正常ドメインが逆ドメインを吸収する。しかし、高
密度パネルのような基板の凹凸が多く、配向性の弱いも
のは、正常ドメインの力が弱く、更に自然冷却などの冷
却速度が遅いと、逆ドメインの範囲が拡大し、逆ドメイ
ンを吸収できなくなる。この吸収する力は配向性や、基
板の凹凸、液晶材料の影響で左右され、特に配向性が弱
く基板の凹凸多いと、逆ドメインのディスクリネーショ
ンラインが凹凸に引っかかり、逆ドメインの残留につな
がる。従って、冷却過程の逆ドメインの拡大を防止し、
正常な右ねじれのネマティック相を速く拡大させること
が必要で、冷却速度を速くすることにより逆ドメインを
防止できる。
り配向性が弱くなっている薄膜トランジスターが形成さ
れている、素子側の基板5を部材12(例えば金属板)に
接触させ熱伝導を利用し急冷する。こうすることで逆ド
メインは発生しない。
11で、このパネル11を加熱し、冷却してもよい。この場
合は、液晶注入時の加熱は不用であり、また加熱時間
も、液晶注入時のように長時間(約10分以上)の加熱を
必要としなくて、加熱による揮発で特性劣化する液晶で
は特に有効で、また短時間でおこなえる。例えば上記LI
XON−9150では90℃ホットプレート上で、約20秒でよ
い。これら加熱したパネル11の冷却手段は、図のような
冷却板12(水冷あるいはガス冷却)のパネル吸着による
熱伝導での放熱でよく、また第4図のように冷水や冷風
を直接、素子基板5に吹き付ける方法でもよい。さら
に、第5図のように冷水13(水以外の液体でも可能)に
素子基板5を浸せきさせてもよい。
がら冷却してもよい。この押圧治具14は、パネル11のカ
ラーフィルター側の基板3に接触する第1の部材15は、
熱伝導の悪い部材(例えば弾性体;フッソゴム)で構成
し、素子側の基板5は、第2の部材16として、熱伝導の
よい部材(例えば金属;アルミニウム)で構成し、取っ
手を回動することでバネ力を加え押圧する。この押圧治
具14を用いれば、パネル11は注入前に治具14に組み込ん
だ状態で工程を流すことができ、液晶注入、注入口封
止、を経て加熱工程に入り、冷却工程で押圧治具14を冷
却すれば熱伝導の差で、素子基板5側から冷却される。
また、押圧することでパネル11と第2の部材16はより密
着度が増し、熱伝導の効率が向上する。
とき、冷却板12の温度は20℃とし、材料を熱伝導の良好
なアルミニウムで表面を酸化処理したものを用いた。こ
の冷却板12にパネル11の素子基板5を吸着或は接触させ
ると、パネル内の液晶1は約20秒で等方性から異方性に
なり、逆ドメインの発生は減少した。また、氷水13(水
温約3℃)に加熱されたパネルの素子基板5を浸せきさ
せると、パネル11内の液晶は約5秒で等方性から異方性
になり、逆ドメインは発生しなかった。
の配向力の強弱差をラビング条件などで行ってもよい
が、逆ドメインがより顕著にでてくるコレステリック液
晶の添加量で差を明確にした。この図からも急冷が効果
があり、しかも素子5側からの急冷で逆ドメインの発生
を防止できることが確認できた。この効果はコレステリ
ック液晶がなくても、微量でも正常なネマティック相に
できることから、液晶の配合や、配向性の強弱に対して
関係なく高品質の液晶パネルが製造可能である。この発
明は、例えばラビングなどによる配向強度の評価にも用
いることができ、冷却速度を変化させたときの逆ドメイ
ン発生率で評価が可能である。
さらに量産化や高品質化のために次のような加熱手段を
用いると効果が向上できる。
ほかに、多様な欠陥が発生することがある。その1つに
液晶1を封入した後で、高温の熱処理を必要とするもの
があり、この場合、注入直後で逆ドメイン防止を行って
もこの高温熱処理時に、素子側冷却をしなければならな
い。したがって、逆ドメインの防止工程をその後に行う
場合、パネルの加熱をカラーフィルター基板3側からお
こない、第8図のようにパネル11の一部に透過光量を検
出する光センサー18などの検出手段を設け、液晶の加熱
による異方性から等方性に変化する過程を管理すること
により、短時間で確実に加熱時間の制御が可能である。
ィック相への変態が判断でき、必要以上の冷却をなくす
ことができる。このとき、パネル11の上下に偏光板6、
7を配置しておく。この偏光板6、7の配置は、ノーマ
リブラックでもよく、ノーマリホワイトでもよい。つま
り、通常では光を透過しないノーマリブラックでは、液
晶が等方性になると光を透過し、通常光を透過するノー
マリホワイトでは、液晶が等方性になると光を遮断す
る。このことを、例えば光センサー18で検出する。この
検出は、透過でもよく、第9図のような反射でもよい。
その後、パネル11の素子基板5側を吸着して冷却する。
この構成では、パネル11の熱容量にもよるが、やく2cm
角のパネルで加熱に約20秒、冷却で約10秒程度の短時間
で逆ドメイン防止が可能である。
置に組み込んだ一実施例における液晶パネル表示装置を
第10図〜第12図で説明する。
射できる半導体レーザー19と、素子を形成した基板5に
冷風、もしくは放熱板20を設けた構成(第10図)や、第
11図のように熱電性能の大きいN形、P形半導体21、22
を、金属片で交互に電気的に直列に接合したサーモモジ
ュールをパネル11に設置し、電流を反転することにより
加熱、冷却をおこなう。尚、半導体21、22には、それぞ
れ金属23、24が取り付けられている。
じめ弱めておけば、液晶をN−I点以上に加熱し、その
後のパネル冷却速度の調整で右ねじれ、左ねじれ(逆ド
メイン)の液晶パネルが自在に設定可能となる。例え
ば、LIXON−9150+CB15の液晶を用いて、通常右ねじれ
の配向をおこない、加熱後の冷却速度を徐冷にすれば左
ねじれ(逆ドメイン)のパネル、急冷にすれば右ねじれ
のパネルとすることができ、捻れ方向の可変自在な液晶
表示装置ができる。このことは、右ねじれと左ねじれ
(逆ドメイン)の特性は視野角が異なり、第12図のよう
に右ねじれでは、矢印25が主視野となり、左ねじれ(逆
ドメイン)では、矢印26が主視野となり、それぞれでパ
ネルの上下、左右の視野角が90度反転する。従って、視
野角の異なるパネルが、同一パネルで構成でき用途に応
じた液晶表示装置ができる。
ような配向性の難しいパネルにおいても、簡単な構成
で、確実に逆ドメインの欠陥をなくすことができ、しか
も、配向性を強めるためにラビングなどの接触を強くし
たときの傷の発生などがなく、高歩どまりが達成できる
液晶パネルを得ることができる。
滅手段を組み込んだ表示装置にすることにより、パネル
の視野角可変の液晶パネル表示装置が簡単に構成でき
る。
法であるところの液晶注入時の構成を示す断面図、第2
図は冷却過程の変態点における逆ドメインの発生状況を
示す図、第3図は液晶注入後の構成を示す断面図、第4
図は熱伝導利用の構成を示す断面図、第5図は冷却剤利
用の構成を示す断面図、第6図は押圧治具利用の断面
図、第7図は冷却効果を示す実験データを示す図、第8
図及び第9図は検出手段を構成した断面図、第10図、第
11図は本発明の一実施例における液晶パネル表示装置を
示す断面図、第12図は液晶パネルの視野角を示す斜視
図、第13図は従来パネル構成の断面図、第14図は液晶の
ねじれ方向を示す斜視図、第15図は素子基板の断面図で
ある。 1……液晶、3……カラーフィルター基板、5……素子
基板、6、7……偏光板、11……パネル、12……冷却
板、14……押圧治具、18……光センサー、19……半導体
レーザー、21……N形半導体、22……P形半導体。
Claims (4)
- 【請求項1】互いに対面するそれぞれの基板に電極層を
形成し、その間にネマティック液晶を封入してなる液晶
パネルの製造方法において、液晶パネルを加熱し、液晶
を等方性にした後、液晶パネルのどちらか一方の基板側
から冷却速度を少なくとも1℃/秒以上の温度勾配で急
冷して異方性にすることを特徴とする液晶パネルの製造
方法。 - 【請求項2】一方の基板はカラーフィルターを形成し、
他方の基板は薄膜トランジスターを形成した液晶パネル
であって、薄膜トランジスターを形成した基板側から急
冷することを特徴とする請求項1記載の液晶パネルの製
造方法。 - 【請求項3】液晶の加熱による透明点を、透過光量の変
化で検出することを特徴とする請求項1記載の液晶パネ
ルの製造方法。 - 【請求項4】加熱した液晶パネルを冷却するとき、パネ
ルを熱伝導の異なる第1と第2の部材で押圧し、液晶パ
ネルのどちらか一方の基板側から急冷することを特徴と
する請求項1記載の液晶パネルの製造方法。
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