JPH07120221A - 合成パタンの重ね合わせずれ量検出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 パタン形成不良の影響を受けにくい合成パタ
ンの重ね合わせずれ量検出方法を提供し、ずれ量検出用
パタンの微細化を図る。 【構成】 基板上に合成パタンを形成する際に、目盛り
パタン１０１をピッチＰｍで格子状に配列してなる主尺
パタン１１を上記基板上に形成する。次に、基点目盛り
１０２ａを含む目盛りパタン１０２をピッチＰｓで格子
状に配列してなる副尺パタン１２を、基点目盛り１０２
ａが主尺パタン１１の基点目盛り１０１ａと一致するよ
うな設計で、主尺パタン１１と重ね合わせて形成する。
その後、上記重ね合わせで形成したモアレパタン１にお
いて基点目盛り１０２ａからモアレパタン１が最も疎な
位置の目盛りパタン１０２ｂまでの目盛り数と、ピッチ
Ｐｍと、ピッチＰｓとから上記合成パタンの重ね合わせ
ずれ量を算出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、合成パタンの重ね合わ
せずれ量検出方法に関し、特には半導体装置の製造プロ
セスにおいてリソグラフィーによって基板上に形成され
る合成パタンの重ね合わせずれ量を検出する方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造プロセスでは、基板上
に複数のパタンを重ね合わせた合成パタンを形成する場
合、先ずリソグラフィーによって第１のパタンを基板上
に形成し、次にこの第１のパタンと重ね合わせて第２の
パタンをリソグラフィーによって基板上に形成する。そ
して、形成した合成パタンにおいては、第１のパタンと
第２のパタンとの重ね合わせのずれ量を、例えば以下の
ようにして検出している。

【０００３】先ず、図６に示すように、上記第１のパタ
ン（図示せず）と共に、位置ずれ量を検出するための主
尺パタン５１を基板上に形成する。この主尺パタン５１
は、幅Ｌを有する矩形の目盛りパタン５０１を、その幅
方向にピッチＰｍで複数配列した矩形群からなる。そし
て、この目盛りパタン５０１の中の一つを基点目盛り５
０１ａとする。

【０００４】次に、上記第２のパタン（図示せず）と共
に、位置ずれを評価するための副尺パタン５２を基板上
に形成する。この副尺パタン５２は、主尺パタン５１と
同じく幅Ｌを有する矩形の目盛りパタン５０２を、その
幅方向にピッチＰｓで複数配列した矩形群からなる。ま
た、この目盛りパタン５０２の中には、基点目盛り５０
２ａが含まれている。そして、この副尺パタン５２は、
この基点目盛り５０２ａが上記主尺パタン５１の基点目
盛り５０１ａと直線を成すような設計のもとに基板上に
形成される。これによって、基板上に主尺パタン５１と
副尺パタン５２との合成パタンであるバーニアパタン５
が形成される。

【０００５】次に、上記のようにして形成したバーニア
パタン５を用いて、基板上に形成した合成パタンの重ね
合わせずれ量Δを算出する。先ず、基板上に形成したバ
ーニアパタン５において、主尺パタン５１を構成する目
盛りパタン５０１と副尺パタン５２を構成する目盛りパ
タン５０２の形成位置が一致して直線を成しているパタ
ンのうち、基点目盛り５０１ａ，５０２ａに最も近いパ
タン５０１ｂを確認する。そして、主尺パタン５１また
は副尺パタン５２において、基点目盛り５０１ａ，５０
２ａからこのパタン５０１ｂまでの目盛り数Ｎを数え
る。そして、重ね合わせずれ量Δ＝Ｎ×δ（δ＝｜Ｐｍ
−Ｐｓ｜）によって、基板上に形成された合成パタンの
重ね合わせずれ量Δを算出する。例えば、図においては
Ｎ＝３であり、基点目盛り５０１ａ，５０２ａから右を
＋方向と規定し、主尺パタン５１がピッチＰｍ＝４．０
０μｍで形成され、副尺パタン５２がピッチＰｓ＝３．
９８μｍで形成されている場合、基板上に形成された合
成パタンの重ね合わせずれ量は、Δ＝＋３×（４．００
−３．９８）μｍ＝０．０６μｍであることが分かる。

【０００６】上記の重ね合わせずれ量の量検出方法にお
いては、最大ずれ量±Δｍａｘを検出するために必要な
主尺パタン５１と副尺パタン５２の目盛りの目盛り数ｎ
は、２Δｍａｘ／｜Ｐｍ−Ｐｓ｜＜ｎ＜Ｐｍ／２×｜Ｐ
ｍ−Ｐｓ｜を満たす範囲で選択される。例えば、Δｍａ
ｘ＝±０．４０μｍ，Ｐｍ＝４．００μｍ，Ｐｓ＝３．
９８μｍの場合、目盛りの目盛り数ｎは、４０＜ｎ＜１
００の範囲で選択される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の合成パ
タンの重ね合わせずれ量検出方法には、以下のような課
題があった。すなわち、上記重ね合わせずれ量検出方法
に用いるバーニアパタンにおいては、主尺パタンと副尺
パタンとを構成する目盛りパタンが、パタン崩れを生じ
た場合、主尺パタンと副尺パタンの目盛りが一致してい
るパタンを特定することが困難になる。したがって、多
少のパタン形成不良が生じても、形成位置が一致してい
るパタンを特定できるようにするためには、各目盛りパ
タンの幅を２μｍ程度に大きく設定する必要がある。こ
のため、基板上に占めるずれ量検出用のパタンの面積が
大きくなり、半導体装置を形成するための面積が制限さ
れてしまう。

【０００８】そこで、本発明では、パタン形成不良の影
響を受けにくい合成パタンの重ね合わせずれ量検出方法
を提供することによって、基板上に占めるずれ量検出用
パタンの専有面積を縮小して半導体装置の形成面積を拡
大することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの第１の発明は、基板上に合成パタンを形成する際
に、目盛りパタンをそれぞれのピッチＰｍ，Ｐｓで格子
状に配列してなる主尺パタンと副尺パタンとを重ね合わ
せることによって上記基板上にモアレパタンを形成し、
このモアレパタンによって上記合成パタンの重ね合わせ
ずれ量を検出する方法であり、以下の手順にしたがって
行われる。先ず、上記主尺パタンを構成する目盛りパタ
ンの中に基点目盛りを設定し、上記基板上に当該主尺パ
タンを形成する。次に、上記副尺パタンを構成する目盛
りパタンの中に基点目盛りを設定し、当該基点目盛りが
上記主尺パタンの基点目盛りと一致するような設計のも
とに、上記基板上に上記主尺パタンと重ね合わせて当該
副尺パタンを形成する。その後、上記主尺パタンと上記
副尺パタンとの重ね合わせで形成されたモアレパタンに
おいて上記主尺パタンまたは上記副尺パタンの基点目盛
りから当該モアレパタンが最も疎な位置に形成されてい
る目盛りパタンまでの目盛り数と、上記主尺パタンのピ
ッチＰｍと、上記副尺パタンのピッチＰｓとによって上
記合成パタンの重ね合わせずれ量を算出する。

【００１０】さらに、第２の発明は、上記第１の発明と
同様のモアレパタンを用いて、合成パタンの重ね合わせ
ずれ量を検出方法であり、以下の手順にしたがって行
う。先ず、第１の発明と同様に主尺パタンを形成した後
に、上記副尺パタンを構成する目盛りパタンのうちの一
つを基点目盛りとし、当該基点目盛りが上記主尺パタン
の基点目盛りとこの隣接目盛りとの中間に形成されるよ
うな設計のもとに、上記基板上に上記主尺パタンと重ね
合わせて当該副尺パタンを形成する。その後、上記主尺
パタンと上記副尺パタンとの重ね合わせで形成されたモ
アレパタンにおいて上記副尺パタンの基点目盛りから当
該モアレパタンが最も密な位置に形成されている副尺パ
タンの目盛りパタンまでの目盛り数と、上記主尺パタン
のピッチＰｍと、上記副尺パタンのピッチＰｓとによっ
て上記合成パタンの重ね合わせずれ量を算出する。

【００１１】

【作用】先ず、第１の発明では、それぞれの基点目盛り
が重なるように、主尺パタンと副尺パタンとを重ね合わ
せてモアレパタンを構成し、これによって重ね合わせず
れ量を算出するようにしている。このモアレパタンは、
パタンの疎密を視覚的に認識し易い。このため、重ね合
わせずれ量を算出するためのデータとして必要な主尺パ
タンと副尺パタンの目盛りパタンが一致する位置は、主
尺パタンと副尺パタンとの部分的なパタン形成不良の影
響をうけることなく、モアレパタンが最も疎な部分とし
て容易に識別される。

【００１２】次に、第２の発明では、副尺パタンの基点
目盛りが主尺パタンの基点目盛りと隣接目盛りとの間に
形成されるように主尺パタンと副尺パタンとを重ね合わ
せてモアレパタンを構成し、これによって重ね合わせず
れ量を算出するようにしている。上述のように、モアレ
パタンはパタンの疎密を視覚的に認識し易い。このた
め、重ね合わせずれ量を算出するためのデータとして必
要な目盛り位置は、主尺パタンと副尺パタンとの部分的
なパタン形成不良の影響をうけることなく、モアレパタ
ンが最も密な部分として容易に識別される。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例の合成パタンの
重ね合わせずれ量検出方法を図１に基づいて説明する。
先ず、合成パタンを構成する第１のパタンをリソグラフ
ィー法によって基板上に形成すると共に、第１の工程と
して図１（１）に示すように、基板（図示せず）上にず
れ量検出用パタンを構成する主尺パタン１１を形成す
る。この主尺パタン１１は、幅Ｌｍを有する矩形の目盛
りパタン１０１を、その幅方向にピッチＰｍで平行に配
列し、並設状態を同方向に向けた格子状をなしている。
また、この主尺パタン１１は、次の工程で形成する副尺
パタンとの合成パタンが、モアレパタンを形成するよう
な構成になっている。そして、主尺パタン１１を構成す
る目盛りパタン１０１中の任意の一つを基点目盛り１０
１ａとし、他の目盛りパタン１０１と容易に識別できる
ように、例えばこの基点目盛り１０１ａを他の目盛りパ
タンより長く形成する。ここで、合成パタンの最大ずれ
量がΔｍａｘ＝０．４０μｍである場合、例えば、目盛
りパタン１０１を幅Ｌｍ＝０．５μｍ，ピッチＰｍ＝
１．００μｍで形成する。

【００１４】次に、第２の工程として、上記第１のパタ
ンと重ね合わせて合成パタンの構成する第２のパタン
（図示せず）を形成し、同時に主尺パタン１１と重ね合
わせてずれ量検出用パタンを構成する副尺パタン１２を
形成する。この副尺パタン１２は、幅Ｌｓを有する矩形
の目盛りパタン１０２を、その幅方向にピッチＰｓで平
行に配列し、並設状態を同方向に向けた格子状をなして
いる。そして、副尺パタン１２の目盛りパタン１０２の
中の一つを、他の目盛りパタンより長く形成して基点目
盛り１０２ａとし、この基点目盛り１０２ａが上記主尺
パタン１１の基点目盛り１０１ａと完全に一致するよう
な設計のもとに、この副尺パタン１２を主尺パタン１１
に重ね合わせて形成する。ここで、上記の副尺パタン１
２は、上記のように合成パタンの最大ずれ量がΔｍａｘ
＝０．４０μｍである場合、例えば、目盛りパタン１０
２を幅Ｌｓ＝０．５μｍ，ピッチＰｓ＝０．９８μｍで
形成する。

【００１５】上記によって、基板上に第１のパタンと第
２のパタンとからなる合成パタン（図示せず）が形成さ
れ、さらに、図１（２）に示すように主尺パタンと副尺
パタンとの合成パタンであるずれ量検出用のモアレパタ
ン１が形成される。

【００１６】その後、第３の工程として、上記合成パタ
ンの重ね合わせずれ量Δを検出する。先ず、基板上に形
成されたモアレパタン１において、パタンが最も疎であ
る位置に形成されているパタン１０２ｂを確認し、基点
目盛り１０２ａからこのパタン１０２ｂまでの目盛り数
Ｎを数える。そして、重ね合わせずれ量Δ＝Ｎ×δ（δ
＝｜Ｐｍ−Ｐｓ｜）によって、重ね合わせずれ量Δを算
出する。例えば、図においてはＮ＝３であり、基点目盛
り１０２ａから右を＋方向と規定し、主尺パタン１１が
ピッチＰｍ＝１．００μｍで形成され、副尺パタン１２
がピッチＰｓ＝０．９８μｍで形成されている場合、基
板上に形成された合成パタンの重ね合わせずれ量は、Δ
＝＋３×（１．００−０．９８）μｍ＝０．０６μｍと
算出される。

【００１７】上記実施例では、主尺パタンと副尺パタン
とを重ね合わせてモアレパタンを構成し、これによって
重ね合わせずれ量を算出するようにしている。モアレパ
タンは、パタンの疎密を視覚的に認識し易く、主尺と副
尺の目盛りパタンが一致する位置がパタンが最も疎な部
分として容易に識別される。このため、主尺パタンと副
尺パタンとの部分的なパタン形成不良の影響をうけるこ
となく、目盛りパタンが一致する位置が識別される。し
たがって、ずれ量検出パタンを構成する目盛りパタンの
幅を、従来のバーニアパタンのパタン認識の限界であっ
た２μｍより小さく形成することが可能になった。そし
て、最大ずれ量±Δｍａｘを検出するのに必要な目盛り
数ｎは、従来のバーニアパタンの場合と同じであるの
で、基板上におけるずれ量検出パタンの形成面積を小さ
くすることができる。例えば、上記実施例にでは、従来
例との比較においてずれ量検出用パタンの専有面積が７
５％縮小された。

【００１８】次に、第２の実施例の合成パタンの重ね合
わせずれ量検出方法を図２に基づいて説明する。先ず、
第１の工程として、図２（１）に示すように、例えばリ
ソグラフィー法によって、基板上に上記第１の実施例と
同様の主尺パタン２１を形成する。この主尺パタン２１
は、上記第１の実施例と同様に、最大ずれ量がΔｍａｘ
＝０．４０μｍである場合、例えば、主尺パタン２１を
構成する目盛りパタン２０１を幅Ｌｍ＝０．５μｍ，ピ
ッチＰｍ＝１．００μｍで形成する。

【００１９】次に、第２の工程として、上記第１の工程
と同様の副尺パタン２２を主尺パタン２１と重ね合わせ
て形成する。ここでは、副尺パタン２２の中に設けた基
点目盛り２０２ａの中心線が、主尺パタン２１の基点目
盛り２０１ａとこれに隣接する隣接目盛り２０１ｂとの
中間線に一致するような設計のもとに、この副尺パタン
２２が主尺パタン２１に重ね合わせて形成される。ここ
で、上記の副尺パタン２２は、上記第１の実施例と同様
に、最大ずれ量がΔｍａｘ＝０．４０μｍである場合、
例えば、目盛りパタン２０２を幅Ｌｓ＝０．５μｍ，ピ
ッチＰｓ＝０．９８μｍで形成する。

【００２０】上記によって、図２（２）に示すように、
基板上に主尺パタンと副尺パタンとの合成パタンである
モアレパタン２が形成される。

【００２１】その後、第３の工程として、モアレパタン
２と共に基板上に形成された合成パタン（図示せず）の
重ね合わせずれ量Δを検出する。先ず、モアレパタン２
において、パタンが最も密な位置に形成されているパタ
ン２０２ｂを確認し、副尺パタン２２において基点目盛
り２０２ａからこのパタン２０２ｂまでの目盛り数Ｎを
数える。そして、重ね合わせずれ量Δ＝Ｎ×δ（δ＝｜
Ｐｍ−Ｐｓ｜）によって、重ね合わせずれ量Δを算出す
る。例えば、図においてはＮ＝＋３．５であり、基点目
盛り２０２ｂから右を＋方向と規定し、主尺パタンがピ
ッチＰｍ＝１．００μｍで形成され、副尺パタンがピッ
チＰｓ＝０．９８μｍで形成されている場合、基板上に
形成された合成パタンの重ね合わせずれ量は、Δ＝＋
３．５×（１．００−０．９８）μｍ＝０．０７μｍと
算出される。

【００２２】上記実施例では、上記第１の実施例と同様
に、主尺パタンと副尺パタンとを重ね合わせてモアレパ
タンを構成し、これによって重ね合わせずれ量を算出す
るようにしている。このため、上記第１の実施例と同様
に、このため、重ね合わせずれ量を算出するためのデー
タとして必要な目盛り位置は、主尺パタンと副尺パタン
との部分的なパタン形成不良の影響をうけることなく、
モアレパタンが最も密な部分として容易に識別される。
したがって、目盛りパタンの幅と、これを配置するピッ
チを小さく設定することができ、例えば、従来例との比
較においてはずれ量検出用パタンの専有面積は７５％縮
小される。

【００２３】上記第１及び第２の実施例においては、主
尺パタン及び副尺パタンを構成する目盛りパタンを矩形
に形成した。しかし、目盛りパタンの形状はこれに限ら
ず、例えば、図３に示すようなくさび型にしても良い。
このように主尺パタン３１と副尺パタン３２とを構成す
る目盛りパタン３０１，３０２をくさび型にして同方向
に向けて形成することによって、主尺パタン３１及び副
尺パタン３２の双方の目盛りパタン３０１，３０２がパ
タン形成不良を生じた場合でも、目盛りパタンの長手方
向の何処かに、モアレパタンの疎密が識別し易い位置が
形成される。例えば、主尺パタン３１及び副尺パタン３
２の双方の目盛りパタン３０１，３０２が設計よりの幅
広く形成された場合、くさび型の目盛りパタンの何処か
の位置において、モアレパタンの密な部分の塗り潰しが
避けられ、重ね合わせずれ量の検出が可能になる。

【００２４】次に、第３の実施例を図４に基づいて説明
する。第３の実施例は、基板上に形成した合成パタンに
おける２方向の重ね合わせずれ量を、モアレパタンによ
って検出する例である。先ず、第１の工程として、図４
に示すように、例えばリソグラフィー法によって、基板
上に主尺パタン４１を形成する。この主尺パタン４１
は、上記第１及び第２の実施例と同様の主尺パタンをｘ
方向と、このｘ方向と直交するｙ方向に配列した格子パ
タンからなる。また、この主尺パタン４１は、次の工程
で形成する副尺パタンとの合成パタンが、モアレパタン
を形成するような構成になっている。そして、この主尺
パタン４１において、ｘ方向に配列する目盛りパタン４
００中の任意の一つを基点目盛り４００ａとし、他の目
盛りパタン４００と容易に識別できるように、例えば、
この基点目盛り４００ａを他の目盛りパタンより長く形
成する。これと同様に、この主尺パタン４１において、
ｙ方向に配列する目盛りパタン４０１中の任意の一つを
基点目盛り４０１ａとし、この基点目盛り４０１ａを長
く形成する ここで、合成パタンの最大ずれ量がΔｍａ
ｘ＝０．４０μｍである場合には、例えば上記第１及び
第２の実施例と同様に、目盛りパタン４００，４０１を
幅Ｌｍ＝０．５μｍで形成し、ピッチＰｍ＝１．００μ
ｍで配列する。

【００２５】次に、第２の工程として、主尺パタン４１
と重ね合わせて副尺パタン４２を形成する。この副尺パ
タン４２は、上記第１及び第２の実施例と同様の副尺パ
タンを、上記主尺パタン４１と同様にｘ方向とｙ方向に
配列した格子パタンからなる。そして、この副尺パタン
４２において、ｘ方向に配列する目盛りパタン４０２中
の任意の一つを基点目盛り４０２ａとし、ｙ方向に配列
する目盛りパタン４０３中の任意の一つを基点目盛り４
０３ａとし、これらの基点目盛り４０２ａ，４０３ａを
他の目盛りパタンより長く形成する。ここで、主尺パタ
ン４１と副尺パタン４２との重ね合わせは、副尺パタン
４２のｘ方向に配列した基点目盛り４０２ａの中心線
が、主尺パタン４１のｘ方向の基点目盛り４００ａとこ
れに隣接する隣接目盛り４００ｂとの中間線と重なり、
かつ副尺パタン４２のｙ方向に配列した基点目盛り４０
３ａの中心線が、主尺パタン４１のｙ方向の基点目盛り
４０１ａとこれに隣接する隣接目盛り４０１ｂとの中間
線に重なるような設計のもとに行う。ここで、上記の副
尺パタン４２は、上記第１の実施例と同様に、最大ずれ
量がΔｍａｘ＝０．４０μｍである場合、例えば、目盛
りパタン４０２，４０３を幅Ｌｓ＝０．５μｍ，ピッチ
Ｐｓ＝０．９８μｍで形成する。

【００２６】上記によって、図５に示すように、基板上
に主尺パタンと副尺パタンとの合成パタンであるモアレ
パタン４が形成される。

【００２７】その後、第３の工程として、モアレパタン
４と共に上記基板上に形成された合成パタン（図示せ
ず）の重ね合わせずれ量Δを検出する。先ず、モアレパ
タン４において、ｘ方向とｙ方向のパタンが最も密であ
る位置を認識し、この位置に対応して形成されているｘ
方向のパタン４０２ｂとｙ方向のパタン４０３ｂとを確
認する。そして、副尺パタンの基点目盛り４０２ａ，４
０３ａからこれらのパタン４０２ｂ，４０３ｂまでの目
盛り数Ｎｘ，Ｎｙを数える。そして、重ね合わせずれ量
Δ＝Ｎ×δ（δ＝｜Ｐｍ−Ｐｓ｜）によって、重ね合わ
せずれ量Δを算出する。例えば、基点目盛り４０２ａか
ら右、および基点目盛り４０３ａから上を＋方向と規定
すると、図においてはＮｘ＝３．５，Ｎｙ＝−３．５で
ある。そして、主尺パタンがピッチＰｍ＝１．００μｍ
で形成され、副尺パタンがピッチＰｓ＝０．９８μｍで
形成されている場合、基板上に形成された合成パタンの
重ね合わせずれ量は、Δｘ＝＋３．５×（１．００−
０．９８）μｍ＝０．０７μｍ，Δｙ＝−３．５×
（１．００−０．９８）μｍ＝−０．０７μｍと算出さ
れる。

【００２８】上記実施例では、一つのモアレパタンで合
成パタンの重ね合わせずれ量がｘ，ｙの２方向で検出さ
れる。したがって、上記第２の実施例によって２方向の
重ね合わせずれ量を検出する場合と比較して、基板上に
占めるずれ量検出パタンの面積をさらに縮小することが
できる。

【００２９】上記第３の実施例は、上記第１の実施例を
発展させて、モアレパタンが疎な部分を認識して重ね合
わせずれ量を検出することも可能である。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように、第１の発明では、
それぞれの基点目盛りが重なるように、主尺パタンと副
尺パタンとを重ね合わせてモアレパタンを構成し、これ
によって重ね合わせずれ量を算出するようにした。これ
によって、重ね合わせずれ量を算出するためのデータと
して必要な主尺パタンと副尺パタンの目盛りパタンが一
致する位置を、モアレパタンが疎な部分として視覚的に
容易に識別できるようにした。このため、主尺パタンと
副尺パタンとに多少のパタン形成不良が生じても、重ね
合わせずれ量を検出することができ、上記パタンを微細
化することが可能となった。したがって、基板上に占め
るずれ量検出用パタンの専有面積を縮小して半導体装置
の形成面積が拡大できる。さらに、第２の発明では、副
尺パタンの基点目盛りが主尺パタンの基点目盛りと隣接
目盛りとの間に形成されるように主尺パタンと副尺パタ
ンとを重ね合わせてモアレパタンを構成し、これによっ
て重ね合わせずれ量を算出するようにした。これによっ
て、第１の発明と同様に、重ね合わせずれ量を算出する
ためのデータとして必要な目盛り位置を、モアレパタン
が疎な部分として視覚的に容易に識別できるようにし
た。したがって、上記第１の発明と同様に、基板上に占
めるずれ量検出用パタンの専有面積を縮小して半導体装
置の形成面積が拡大できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例を説明する図である。

【図２】第２の実施例を説明する図である。

【図３】目盛りパタンの形状の一例を説明する図であ
る。

【図４】第３の実施例を説明する図である。

【図５】第３の実施例を説明する図である。

【図６】従来例を説明する図である。

【符号の説明】

１，２，４ モアレパタン １１，２１，３１，４１ 主尺パタン １２，２２，３２，４２ 副尺パタン １０１，２０１，３０１，４００，４０１ 目盛りパタ
ン（主尺） １０２，２０２，３０２，４０２，４０３ 目盛りパタ
ン（副尺） １０１ａ，２０１ａ，３０１ａ，４００ａ，４０１ａ
基点目盛り（主尺） １０２ａ，２０２ａ，３０２ａ，４０２ａ，４０３ａ
基点目盛り（副尺） ２０１ｂ，４００ｂ，４０１ｂ 隣接目盛り

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に合成パタンを形成する際に、目
   盛りパタンをピッチＰｍで格子状に配列してなる主尺パ
   タンと、目盛りパタンをピッチＰｓで格子状に配列して
   なる副尺パタンとを重ね合わせることによって前記基板
   上にモアレパタンを形成し、当該モアレパタンを用いて
   前記合成パタンの重ね合わせずれ量を検出する方法であ
   って、 前記主尺パタンを構成する目盛りパタンの中に基点目盛
   りを設定し、前記基板上に当該主尺パタンを形成する工
   程と、 前記副尺パタンを構成する目盛りパタンの中に基点目盛
   りを設定し、当該基点目盛りが前記主尺パタンの基点目
   盛りと一致するような設計のもとに、前記基板上に前記
   主尺パタンと重ね合わせて当該副尺パタンを形成する工
   程と、 前記主尺パタンと前記副尺パタンとの重ね合わせで形成
   されたモアレパタンにおいて前記主尺パタンまたは前記
   副尺パタンの基点目盛りから当該モアレパタンが最も疎
   な位置に形成されている目盛りパタンまでの目盛り数
   と、前記主尺パタンのピッチＰｍと、前記副尺パタンの
   ピッチＰｓとによって前記合成パタンの重ね合わせずれ
   量を算出する工程とからなることを特徴とする合成パタ
   ンの重ね合わせずれ量検出方法。
2. 【請求項２】 基板上に合成パタンを形成する際に、目
   盛りパタンをピッチＰｍで格子状に配列してなる主尺パ
   タンと、目盛りパタンをピッチＰｓで格子状に配列して
   なる副尺パタンとを重ね合わせることによって前記基板
   上にモアレパタンを形成し、当該モアレパタンを用いて
   前記合成パタンの重ね合わせずれ量を検出する方法であ
   って、 前記主尺パタンを構成する目盛りパタンの中に基点目盛
   りを設定し、前記基板上に当該主尺パタンを形成する工
   程と、 前記副尺パタンを構成する目盛りパタンの中に基点目盛
   りを設定し、当該基点目盛りが前記主尺パタンの基点目
   盛りとこれに隣接する隣接目盛りとの中間に形成される
   ような設計のもとに、前記基板上に前記主尺パタンと重
   ね合わせて当該副尺パタンを形成する工程と、 前記主尺パタンと前記副尺パタンとの重ね合わせで形成
   されたモアレパタンにおいて前記副尺パタンの基点目盛
   りから当該モアレパタンが最も密な位置に形成されてい
   る副尺パタンの目盛りパタンまでの目盛り数と、前記主
   尺パタンのピッチＰｍと、前記副尺パタンのピッチＰｓ
   とによって前記合成パタンの重ね合わせずれ量を算出す
   る工程とからなることを特徴とする合成パタンの重ね合
   わせずれ量検出方法。