JPH0712032B2 - 有機樹脂上被膜のレーザ加工方法 - Google Patents
有機樹脂上被膜のレーザ加工方法Info
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- JPH0712032B2 JPH0712032B2 JP58208651A JP20865183A JPH0712032B2 JP H0712032 B2 JPH0712032 B2 JP H0712032B2 JP 58208651 A JP58208651 A JP 58208651A JP 20865183 A JP20865183 A JP 20865183A JP H0712032 B2 JPH0712032 B2 JP H0712032B2
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- conductive film
- thin film
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/16—Composite materials
- B23K2103/166—Multilayered materials
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、透光性導電膜および半導体（以下、被加工物
という）を有機樹脂薄膜上に形成させ、被加工物にパル
スレーザ光を照射して開溝または開孔を形成する有機樹
脂上被膜のレーザ加工方法に関するものである。
という）を有機樹脂薄膜上に形成させ、被加工物にパル
スレーザ光を照射して開溝または開孔を形成する有機樹
脂上被膜のレーザ加工方法に関するものである。
従来、レーザ光を用いて透光性導電膜および半導体を除
去し、開溝を形成する方法には、たとえば、特開昭57−
12568号公報の「太陽電池の製造法」、特開昭57−53986
号公報の「光電池アレイおよび製法」、あるいは特開昭
57−176778号公報の「太陽電池アレー」等がある。ま
た、レーザ光によるスクライブの後にできる残渣物を除
去する例として、特開昭50−28751号公報の「ウエハの
スクライブ法」、また特開昭49−122278号公報の「レー
ザスクライブの方法」等がある。
去し、開溝を形成する方法には、たとえば、特開昭57−
12568号公報の「太陽電池の製造法」、特開昭57−53986
号公報の「光電池アレイおよび製法」、あるいは特開昭
57−176778号公報の「太陽電池アレー」等がある。ま
た、レーザ光によるスクライブの後にできる残渣物を除
去する例として、特開昭50−28751号公報の「ウエハの
スクライブ法」、また特開昭49−122278号公報の「レー
ザスクライブの方法」等がある。
特に、上記特開昭57−12568号公報における太陽電池の
製造法は、ガラスまたはプラスチック基板上に形成され
た透光性導電膜となる酸化インジューム錫に開溝を設け
ることが記載されている。そして、上記開溝の製造法
は、ウエハをスクライブする場合と同様な考えであり、
ガラスまたはプラスチックを損傷させることなく、加工
による残渣物を除去するものではない。
製造法は、ガラスまたはプラスチック基板上に形成され
た透光性導電膜となる酸化インジューム錫に開溝を設け
ることが記載されている。そして、上記開溝の製造法
は、ウエハをスクライブする場合と同様な考えであり、
ガラスまたはプラスチックを損傷させることなく、加工
による残渣物を除去するものではない。
しかし、上記太陽電池等の基板にガラス板、セラミック
板等の耐熱性の基板を用いると、これらの耐熱性基板
は、レーザ光の高温に対し、耐えられる基板であるが、
価格が高価であり、破損しやすいという欠点を有してい
た。
板等の耐熱性の基板を用いると、これらの耐熱性基板
は、レーザ光の高温に対し、耐えられる基板であるが、
価格が高価であり、破損しやすいという欠点を有してい
た。
近年、ディスプレー装置等への応用を考えた時、基板と
して安価でしかも可撓性を有する有機樹脂薄膜の使用が
求められるようになってきた。
して安価でしかも可撓性を有する有機樹脂薄膜の使用が
求められるようになってきた。
本発明は、以上のような課題を解決するためのもので、
有機樹脂薄膜上の透光性導電膜および半導体に対して、
パルスレーザ光を照射して、この有機樹脂薄膜を損傷せ
ずに、透光性導電膜および半導体を除去することができ
る有機樹脂上被膜のレーザ加工方法を提供することを目
的とする。
有機樹脂薄膜上の透光性導電膜および半導体に対して、
パルスレーザ光を照射して、この有機樹脂薄膜を損傷せ
ずに、透光性導電膜および半導体を除去することができ
る有機樹脂上被膜のレーザ加工方法を提供することを目
的とする。
本発明は、連続使用上限温度が150℃ないし300℃におい
て、使用可能な透光性有機樹脂薄膜上に形成された酸化
インジュームまたは酸化スズを主成分とする透光性導電
膜に対し、先端温度が1700℃ないし2200℃のパルス状の
レーザ光を照射して走査加工する際に、有機樹脂薄膜に
損傷を与えずに、また、有機樹脂薄膜上の透光性導電
膜、および半導体を選択的に除去し、開溝または開孔を
形成する有機樹脂上被膜のレーザ加工方法を提供するこ
とを目的とする。
て、使用可能な透光性有機樹脂薄膜上に形成された酸化
インジュームまたは酸化スズを主成分とする透光性導電
膜に対し、先端温度が1700℃ないし2200℃のパルス状の
レーザ光を照射して走査加工する際に、有機樹脂薄膜に
損傷を与えずに、また、有機樹脂薄膜上の透光性導電
膜、および半導体を選択的に除去し、開溝または開孔を
形成する有機樹脂上被膜のレーザ加工方法を提供するこ
とを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明の有機樹脂上被膜の
レーザ加工方法は、有機樹脂薄膜（１）上に酸化インジ
ュームまたは酸化スズを主成分とする透光性導電膜
（２）および非単結晶半導体（22）を順次形成した後、
前記透光性導電膜（２）および非単結晶半導体（22）に
パルスレーザ光を照射し、パルスレーザ光の照射された
透光性導電膜（２）および非単結晶半導体（22）を切断
または開孔するもので、パルスレーザ光のパルス繰り返
し周波数は、6KHzないし15KHzで、パルスレーザ光の走
査速度（cm/分）を横軸に、パルスレーザ光の平均出力
（Ｗ）を縦軸にした座標における次の点（90、0.5）、
（240、3.0）、（240、3.5）、（180、3.5）、（30、1.
0）、（30、0.5）で囲まれる範囲でパルスレーザ光の平
均出力（Ｗ）、およびパルスレーザ光の走査速度（cm/
分）を制御することにより、有機樹脂薄膜に損傷を与え
ることなくレーザ加工することを特徴とする。
レーザ加工方法は、有機樹脂薄膜（１）上に酸化インジ
ュームまたは酸化スズを主成分とする透光性導電膜
（２）および非単結晶半導体（22）を順次形成した後、
前記透光性導電膜（２）および非単結晶半導体（22）に
パルスレーザ光を照射し、パルスレーザ光の照射された
透光性導電膜（２）および非単結晶半導体（22）を切断
または開孔するもので、パルスレーザ光のパルス繰り返
し周波数は、6KHzないし15KHzで、パルスレーザ光の走
査速度（cm/分）を横軸に、パルスレーザ光の平均出力
（Ｗ）を縦軸にした座標における次の点（90、0.5）、
（240、3.0）、（240、3.5）、（180、3.5）、（30、1.
0）、（30、0.5）で囲まれる範囲でパルスレーザ光の平
均出力（Ｗ）、およびパルスレーザ光の走査速度（cm/
分）を制御することにより、有機樹脂薄膜に損傷を与え
ることなくレーザ加工することを特徴とする。
また、本発明の有機樹脂上被膜のレーザ加工方法は、パ
ルスレーザ光を照射して開溝または開孔を形成した後、
希弗酸またはアセトンの洗浄溶液で洗浄することにより
開溝または開孔、あるいはそれらの近傍に残存する残渣
物を除去することを特徴とする。
ルスレーザ光を照射して開溝または開孔を形成した後、
希弗酸またはアセトンの洗浄溶液で洗浄することにより
開溝または開孔、あるいはそれらの近傍に残存する残渣
物を除去することを特徴とする。
本出願人は、上記有機樹脂薄膜上の透光性導電膜および
半導体に対して、パルスレーザ光を照射して、この有機
樹脂薄膜を損傷せずに、透光性導電膜および半導体を除
去することができる条件のあることを実験的に検討し
た。その結果、本出願人は、レーザ光を１つの場所に長
時間（数10m秒以上）照射することなく、また走査速度
を適切化することにより、被加工物のみを選択的に除去
することが可能であることを発見した。
半導体に対して、パルスレーザ光を照射して、この有機
樹脂薄膜を損傷せずに、透光性導電膜および半導体を除
去することができる条件のあることを実験的に検討し
た。その結果、本出願人は、レーザ光を１つの場所に長
時間（数10m秒以上）照射することなく、また走査速度
を適切化することにより、被加工物のみを選択的に除去
することが可能であることを発見した。
すなわち、レーザ光の照射により有機樹脂薄膜は、熱伝
導率が小さい（一般には１ないし７×10-4Cal/sec/cm2
／℃/cm）ため、同じ位置に繰り返しレーザパルスを加
えると、劣化し炭化して切断されてしまう。
導率が小さい（一般には１ないし７×10-4Cal/sec/cm2
／℃/cm）ため、同じ位置に繰り返しレーザパルスを加
えると、劣化し炭化して切断されてしまう。
しかし、その繰り返しを１回ないし数回とすると、この
有機樹脂薄膜の熱伝導率が被加工物の1/103であるた
め、逆に被加工物のみを選択的にレーザ光の照射された
場所のみを除去することができる。
有機樹脂薄膜の熱伝導率が被加工物の1/103であるた
め、逆に被加工物のみを選択的にレーザ光の照射された
場所のみを除去することができる。
以下、その実施例を図面に従って詳述する。
有機樹脂薄膜として、たとえば、住友ベークライト製ス
ミライトFS−1300を用いた。この有機樹脂薄膜は、連続
使用上限温度180℃、熱伝導率4.3×10-4Cal/sec/cm2／
℃/cm、光線透光率86.3％（100μｍの厚さとする）、表
面抵抗率5.4×1014Ω、体積抵抗率1.7×1016Ωcmをその
代表例として有する。
ミライトFS−1300を用いた。この有機樹脂薄膜は、連続
使用上限温度180℃、熱伝導率4.3×10-4Cal/sec/cm2／
℃/cm、光線透光率86.3％（100μｍの厚さとする）、表
面抵抗率5.4×1014Ω、体積抵抗率1.7×1016Ωcmをその
代表例として有する。
この有機樹脂薄膜上にスパッタ法にて、ITOを700Åの厚
さに形成させた。すると、そのシート抵抗は、200Ω／c
m2を有していた。
さに形成させた。すると、そのシート抵抗は、200Ω／c
m2を有していた。
さらに、この上面に珪素を主成分とした非単結晶半導体
を0.1μｍないし３μｍの厚さにプラズマ気相法により
積層した。たとえば、透光性導電膜上にオーム接触をさ
せたＮ型またはＰ型の半導体、さらにＩ型半導体および
Ｎ型またはＰ型の半導体を積層し、NINまたはPIP接合を
構成せしめ、絶縁ゲート型半導体装置の基本構成である
ソース領域（ＮまたはＰ）−チャネル形成領域（Ｉ）−
ドレイン領域（ＮまたはＰ）とした。
を0.1μｍないし３μｍの厚さにプラズマ気相法により
積層した。たとえば、透光性導電膜上にオーム接触をさ
せたＮ型またはＰ型の半導体、さらにＩ型半導体および
Ｎ型またはＰ型の半導体を積層し、NINまたはPIP接合を
構成せしめ、絶縁ゲート型半導体装置の基本構成である
ソース領域（ＮまたはＰ）−チャネル形成領域（Ｉ）−
ドレイン領域（ＮまたはＰ）とした。
第１図はこの有機樹脂薄膜（１）上の透光性導電膜
（２）に対し、半導体（22）を貫通させて、プローブ
（３）、（４）、テスタ（５）の２端子法にてその抵抗
を測定した。
（２）に対し、半導体（22）を貫通させて、プローブ
（３）、（４）、テスタ（５）の２端子法にてその抵抗
を測定した。
さらに、ここにYAGレーザ（発光波長1.06μｍ、焦点距
離50mm、光径50μｍ）を照射した。その条件として、パ
ルスレーザの繰り返し周波数6KHz、平均出力1.3W、パル
ス幅100n秒ないし１μｍ秒、走査速度120cm/分とした。
すると、第１図に示すごとき開溝（10）、（10′）を得
ることができた。
離50mm、光径50μｍ）を照射した。その条件として、パ
ルスレーザの繰り返し周波数6KHz、平均出力1.3W、パル
ス幅100n秒ないし１μｍ秒、走査速度120cm/分とした。
すると、第１図に示すごとき開溝（10）、（10′）を得
ることができた。
この時、電子顕微鏡にて調べたが、有機樹脂薄膜（１）
表面は、何等の損傷もまた部分的な劣化も見られなかっ
た。このレーザ光は、1800℃以上の温度を有すると推察
されるが、連続使用上限温度が180℃程度の低い耐熱性
しか有さない有機樹脂薄膜（１）に何等損傷を与えなか
った。
表面は、何等の損傷もまた部分的な劣化も見られなかっ
た。このレーザ光は、1800℃以上の温度を有すると推察
されるが、連続使用上限温度が180℃程度の低い耐熱性
しか有さない有機樹脂薄膜（１）に何等損傷を与えなか
った。
すなわち、有機樹脂薄膜（１）上の被加工物に対し、選
択的に開溝（10）、（10′）を作製することができるこ
とがわかった。その上、２つの領域（７）、（８）にプ
ローブ（３）、（４）を立てて、その間の抵抗を調べた
ところ、20KΩ以上の抵抗（幅は1cmとする）を開溝（1
0）により得ることができた。
択的に開溝（10）、（10′）を作製することができるこ
とがわかった。その上、２つの領域（７）、（８）にプ
ローブ（３）、（４）を立てて、その間の抵抗を調べた
ところ、20KΩ以上の抵抗（幅は1cmとする）を開溝（1
0）により得ることができた。
これはレーザ光の照射による熱エネルギーの熱伝導度が
きわめて少ないため、下地有機樹脂薄膜（１）に保存さ
れ、かつ、この熱により透光性導電膜（２）が昇華、す
なわち、液体にならず固体より気体に気化してしまうた
めであると推定される。この気化と同時に気化熱を奪
い、結果として、有機樹脂が熱反応をしてしまうのに必
要な時間よりはるかに短い時間で比較的低い温度で保存
させることができているためであると考えられる。
きわめて少ないため、下地有機樹脂薄膜（１）に保存さ
れ、かつ、この熱により透光性導電膜（２）が昇華、す
なわち、液体にならず固体より気体に気化してしまうた
めであると推定される。この気化と同時に気化熱を奪
い、結果として、有機樹脂が熱反応をしてしまうのに必
要な時間よりはるかに短い時間で比較的低い温度で保存
させることができているためであると考えられる。
第２図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもの
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。
第２図において、走査速度120cm/分の平均出力0.8W、光
径50μｍのYAGレーザを用いた。すると、その周波数を1
0KHzより下げてゆくと、曲線（９）は、7KHz以下で急激
に20KΩ以上となって、電気的にアイソレイションを行
なうことができるようになった。
径50μｍのYAGレーザを用いた。すると、その周波数を1
0KHzより下げてゆくと、曲線（９）は、7KHz以下で急激
に20KΩ以上となって、電気的にアイソレイションを行
なうことができるようになった。
この基板を希弗酸（48％HFを水で10倍ないし100倍に希
釈）で10秒ないし２分溶去した。すると、レーザ光によ
り大気中の酸素と半導体および透光性導電膜とが混合反
応した多孔性の酸化物残存物を溶去することができた。
その結果、開溝の抵抗を200KΩ（11′）にまで向上させ
ることができた。
釈）で10秒ないし２分溶去した。すると、レーザ光によ
り大気中の酸素と半導体および透光性導電膜とが混合反
応した多孔性の酸化物残存物を溶去することができた。
その結果、開溝の抵抗を200KΩ（11′）にまで向上させ
ることができた。
しかし、この周波数が4KHz以下では、この透光性導電膜
（２）に加えて下地の有機樹脂薄膜（１）をもその中心
部（ガウス分布のエネルギー密度の最も高い領域）で損
傷してしまった。このことにより、有機樹脂薄膜（１）
上の透光性導電膜（２）のレーザスクライブには、符号
（11）で示す範囲が適していた。
（２）に加えて下地の有機樹脂薄膜（１）をもその中心
部（ガウス分布のエネルギー密度の最も高い領域）で損
傷してしまった。このことにより、有機樹脂薄膜（１）
上の透光性導電膜（２）のレーザスクライブには、符号
（11）で示す範囲が適していた。
さらに、この下地の有機樹脂薄膜（１）に損傷を与える
ことなく透光性導電膜（２）のみを除去する範囲を調べ
たところ、第３図を得た。
ことなく透光性導電膜（２）のみを除去する範囲を調べ
たところ、第３図を得た。
すなわち、走査速度を０ないし240cm/分、平均出力０な
いし3W、繰り返し周波数6KHz、焦点距離50cm、レーザ光
の直径50μｍのYAGレーザとすると、領域（15）、すな
わち、点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆで囲まれる範囲は、有
機樹脂薄膜の損傷がなく被加工物のみを除去することが
できた。
いし3W、繰り返し周波数6KHz、焦点距離50cm、レーザ光
の直径50μｍのYAGレーザとすると、領域（15）、すな
わち、点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆで囲まれる範囲は、有
機樹脂薄膜の損傷がなく被加工物のみを除去することが
できた。
この領域（15）において、走査速度が60cm/分以下で
は、第１図の半導体の側面（24）と透光性導電膜（２）
の側面（21）とが殆ど一致している。しかし、この走査
速度が大きく100cm/分ないし200cm/分とすると、第１図
に示すごとく、透光性導電膜（２）は、側面（21）のみ
ならず平坦面（23）を１μｍないし10μｍの幅で生じて
いる。
は、第１図の半導体の側面（24）と透光性導電膜（２）
の側面（21）とが殆ど一致している。しかし、この走査
速度が大きく100cm/分ないし200cm/分とすると、第１図
に示すごとく、透光性導電膜（２）は、側面（21）のみ
ならず平坦面（23）を１μｍないし10μｍの幅で生じて
いる。
領域（13）は、被加工物すらも除去することができない
領域であり、領域（12）は、パルス光が透光性導電膜上
で連続せず、破線のごとく不連続な穴溝を得たのみであ
った。領域（14）は、透光性導電膜（２）のみならず、
下地の有機樹脂薄膜（１）に対しても損傷を与えてしま
った領域であった。
領域であり、領域（12）は、パルス光が透光性導電膜上
で連続せず、破線のごとく不連続な穴溝を得たのみであ
った。領域（14）は、透光性導電膜（２）のみならず、
下地の有機樹脂薄膜（１）に対しても損傷を与えてしま
った領域であった。
このことにより、下地の有機樹脂薄膜（１）に対して損
傷を与えることなく、被加工物のみを選択的に開溝とし
て除去することのできる領域（15）があることがわかっ
た。
傷を与えることなく、被加工物のみを選択的に開溝とし
て除去することのできる領域（15）があることがわかっ
た。
第３図における点Ａ′、Ｂ′、Ｃ′、Ｄ′、Ｅ′、Ｆ′
に囲まれた領域（16）は、レーザパルス光の繰り返し周
波数を15KHzとした場合である。レーザパルス光の繰り
返し周波数を6KHzから15KHzに増加した場合、透光性導
電膜（２）のみに選択的にレーザスクライブを行う領域
は、第３図における符号（15）より（16）に平行移動し
ている。
に囲まれた領域（16）は、レーザパルス光の繰り返し周
波数を15KHzとした場合である。レーザパルス光の繰り
返し周波数を6KHzから15KHzに増加した場合、透光性導
電膜（２）のみに選択的にレーザスクライブを行う領域
は、第３図における符号（15）より（16）に平行移動し
ている。
これらのことより、カプトン、ポリイミド、エポキシ等
の樹脂のうち、実用的には、有機樹脂薄膜（１）が150
℃ないし300℃、またはそれ以上の連続使用の可能な熱
伝導率が１×10-3cal/sec/cm2／℃/cmの低い値を有する
耐熱性の透光性有機樹脂薄膜（１）であることが好まし
い。
の樹脂のうち、実用的には、有機樹脂薄膜（１）が150
℃ないし300℃、またはそれ以上の連続使用の可能な熱
伝導率が１×10-3cal/sec/cm2／℃/cmの低い値を有する
耐熱性の透光性有機樹脂薄膜（１）であることが好まし
い。
また、透光性導電膜（２）は、300Åないし１μｍの範
囲、また、半導体は、300Åないし２μｍの範囲である
ことがレーザ加工をし易かった。
囲、また、半導体は、300Åないし２μｍの範囲である
ことがレーザ加工をし易かった。
もちろん、この被加工物における透光性導電膜（２）
は、ミクロに平面状であっても針状（テクスチャー）を
していても、またITO（酸化スズが10重量％以下添加さ
れた酸化インジューム）上に酸化スズが100Åないし500
Åの厚さに形成された２層膜を用いてもよいことはいう
までもない。
は、ミクロに平面状であっても針状（テクスチャー）を
していても、またITO（酸化スズが10重量％以下添加さ
れた酸化インジューム）上に酸化スズが100Åないし500
Åの厚さに形成された２層膜を用いてもよいことはいう
までもない。
また、半導体も非単結晶半導体で、水素または弗素が添
加された珪素、ゲルマニューム、SixGe1-x（０＜ｘ＜
１）、SixC1-x（０＜ｘ＜４）等の材料が使用可能であ
った。
加された珪素、ゲルマニューム、SixGe1-x（０＜ｘ＜
１）、SixC1-x（０＜ｘ＜４）等の材料が使用可能であ
った。
また、このレーザ光を照射してしまった後、希弗酸（水
で10倍ないし100倍に希釈）またはアセトン、水、その
他の洗浄溶液にこの処理薄膜を浸漬し、超音波洗浄をし
て付着物を除去することは有効である。
で10倍ないし100倍に希釈）またはアセトン、水、その
他の洗浄溶液にこの処理薄膜を浸漬し、超音波洗浄をし
て付着物を除去することは有効である。
以上の説明より明らかなごとく、本発明は、有機樹脂薄
膜上の被加工物に対し、レーザ光を照射してその被加工
物のみに開溝を形成して除去することが可能になった。
膜上の被加工物に対し、レーザ光を照射してその被加工
物のみに開溝を形成して除去することが可能になった。
さらに、この透光性導電膜に形成された開溝は、線では
なく、レーザ光または下地をXY方向に移動し種々の形状
を作製することができる。しかし、その際、レーザ光が
同一点を何度（10回以上）も照射すると、この領域での
温度が上昇し、下地を損傷させてしまうため作動には注
意を要する。
なく、レーザ光または下地をXY方向に移動し種々の形状
を作製することができる。しかし、その際、レーザ光が
同一点を何度（10回以上）も照射すると、この領域での
温度が上昇し、下地を損傷させてしまうため作動には注
意を要する。
本発明の以上の説明は、連続した線条を有する１本の開
溝を形成する場合を示した。しかし、走査速度を一定と
し、レーザ光の照射を断続させることにより、１つの孔
または破線のごとき複数の開孔または開溝を作ることが
できることはいうまでもない。
溝を形成する場合を示した。しかし、走査速度を一定と
し、レーザ光の照射を断続させることにより、１つの孔
または破線のごとき複数の開孔または開溝を作ることが
できることはいうまでもない。
本発明において、有機樹脂上に1200℃以上好ましくは15
00℃以上の融点を有する窒化珪素または炭化珪素を300
Åないし１μｍの厚さにコーティングさせていてもよ
い。
00℃以上の融点を有する窒化珪素または炭化珪素を300
Åないし１μｍの厚さにコーティングさせていてもよ
い。
しかし、そのコーティング材である融点1000℃以下のソ
ーダガラス、リンガラス等は、レーザ照射の際、溶融
し、この溶融ガラスと透光性導電膜、半導体とが反応
し、さらに、このガラスに熱衝撃により微妙なクラック
が発生してしまうため不適当であった。
ーダガラス、リンガラス等は、レーザ照射の際、溶融
し、この溶融ガラスと透光性導電膜、半導体とが反応
し、さらに、このガラスに熱衝撃により微妙なクラック
が発生してしまうため不適当であった。
なお、本発明の実施は、大気中、大気圧とした。しか
し、透光性導電膜の昇華を促すため、真空雰囲気または
不活性気体が導入された減圧雰囲気で行うことが有効で
ある。
し、透光性導電膜の昇華を促すため、真空雰囲気または
不活性気体が導入された減圧雰囲気で行うことが有効で
ある。
このようなパターニングを行うことにより、表示用ディ
スプレーへの応用が可能となった。
スプレーへの応用が可能となった。
本発明によれば、パルスレーザのパルス繰り返し周波
数、平均出力、走査速度を所定の範囲に選択することに
よって、透光性導電膜及び非単結晶半導体、または非単
結晶半導体のみを切断または開孔すると、安価でしかも
可撓性を有する有機樹脂薄膜に損傷を与えることなくレ
ーザ加工を行なうことができる。
数、平均出力、走査速度を所定の範囲に選択することに
よって、透光性導電膜及び非単結晶半導体、または非単
結晶半導体のみを切断または開孔すると、安価でしかも
可撓性を有する有機樹脂薄膜に損傷を与えることなくレ
ーザ加工を行なうことができる。
すなわち、本発明のような範囲のパルスレーザの繰り返
し周波数、平均出力、および走査速度を選択すると、有
機樹脂薄膜は、劣化または炭化し切断されることがな
い。
し周波数、平均出力、および走査速度を選択すると、有
機樹脂薄膜は、劣化または炭化し切断されることがな
い。
本発明によれば、パルスレーザ加工後、開溝または開
孔、あるいはそれらの近傍に残存する残渣を洗浄するこ
とによって、開溝間の抵抗を高くすることができる。
孔、あるいはそれらの近傍に残存する残渣を洗浄するこ
とによって、開溝間の抵抗を高くすることができる。
第１図は有機薄膜上の透光性導電膜および半導体の２層
膜に開溝を形成した図面である。 第２図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもの
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。 第３図はレーザ光の走査速度および平均出力との関係を
示す図面である。 １……有機樹脂薄膜 ２……透光性導電膜 ３、４……プローブ ５……テスタ ７、８……領域 10、10′……開溝 22……半導体
膜に開溝を形成した図面である。 第２図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもの
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。 第３図はレーザ光の走査速度および平均出力との関係を
示す図面である。 １……有機樹脂薄膜 ２……透光性導電膜 ３、４……プローブ ５……テスタ ７、８……領域 10、10′……開溝 22……半導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 五月 東京都世田谷区北烏山７丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−12568（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−53986（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−176778（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−28751（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−122278（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−88733（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】有機樹脂薄膜上に酸化インジュームまたは
酸化スズを主成分とする透光性導電膜および非単結晶半
導体を順次形成した後、前記透光性導電膜および非単結
晶半導体にパルスレーザ光を照射し、パルスレーザ光の
照射された透光性導電膜および非単結晶半導体を切断ま
たは開孔する有機樹脂上被膜のレーザ加工方法におい
て、 パルスレーザ光のパルス繰り返し周波数は、6KHzないし
15KHzで、パルスレーザ光の走査速度（cm/分）を横軸
に、パルスレーザ光の平均出力（Ｗ）を縦軸にした座標
における次の点（90、0.5）、（240、3.0）、（240、3.
5）、（180、3.5）、（30、1.0）、（30、0.5）で囲ま
れる範囲でパルスレーザ光の平均出力（Ｗ）、およびパ
ルスレーザ光の走査速度（cm/分）を制御することによ
り、有機樹脂薄膜に損傷を与えることなくレーザ加工す
ることを特徴とする有機樹脂上被膜のレーザ加工方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、パルスレ
ーザ光を照射した後、希弗酸またはアセトンの洗浄溶液
で洗浄することにより、開溝または開孔、あるいはそれ
らの近傍に残存する残渣物を除去することを特徴とする
有機樹脂上被膜のレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208651A JPH0712032B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 有機樹脂上被膜のレーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208651A JPH0712032B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 有機樹脂上被膜のレーザ加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60102288A JPS60102288A (ja) | 1985-06-06 |
| JPH0712032B2 true JPH0712032B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=16559773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58208651A Expired - Lifetime JPH0712032B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 有機樹脂上被膜のレーザ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712032B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63205638A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶デイスプレイの欠陥修正方法 |
| JP5359356B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-12-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 樹脂フィルム媒体、及び樹脂フィルム媒体の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643611B2 (ja) * | 1973-03-22 | 1981-10-14 | ||
| JPS5028751A (ja) * | 1973-07-13 | 1975-03-24 | ||
| US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
| US4315096A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-09 | Eastman Kodak Company | Integrated array of photovoltaic cells having minimized shorting losses |
| US4388517A (en) * | 1980-09-22 | 1983-06-14 | Texas Instruments Incorporated | Sublimation patterning process |
| FR2503457B1 (fr) * | 1981-03-31 | 1987-01-23 | Rca Corp | Systeme de cellules solaires connectees en serie sur un substrat unique |
-
1983
- 1983-11-07 JP JP58208651A patent/JPH0712032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60102288A (ja) | 1985-06-06 |
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