JPH0713954B2 - 液晶表示装置作製方法 - Google Patents
液晶表示装置作製方法Info
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- JPH0713954B2 JPH0713954B2 JP58208652A JP20865283A JPH0713954B2 JP H0713954 B2 JPH0713954 B2 JP H0713954B2 JP 58208652 A JP58208652 A JP 58208652A JP 20865283 A JP20865283 A JP 20865283A JP H0713954 B2 JPH0713954 B2 JP H0713954B2
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- laser light
- organic resin
- thin film
- resin thin
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/16—Composite materials
- B23K2103/166—Multilayered materials
- B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、透光性導電膜および昇華性絶縁物（以下、こ
れらを合わせて被加工物という）を有機樹脂薄膜上に形
成させ、この被加工物にパルスレーザ光を照射して開溝
または開孔を形成する液晶表示装置作製方法に関するも
のである。
れらを合わせて被加工物という）を有機樹脂薄膜上に形
成させ、この被加工物にパルスレーザ光を照射して開溝
または開孔を形成する液晶表示装置作製方法に関するも
のである。
従来、レーザ光を用いて被加工物を除去し、開溝を形成
する方法には、たとえば、特開昭57−12568号公報の
「太陽電池の製造法」、特開昭57−53986号公報の「光
電池アレイおよび製法」、あるいは特開昭57−176778号
公報の「太陽電池アレー」等がある。また、レーザ光に
よるスクライブの後にできる残渣物を除去する例とし
て、特開昭50−28751号公報の「ウエハのスクライブ
法」、また特開昭49−122278号公報の「レーザスクライ
ブの方法」等がある。
する方法には、たとえば、特開昭57−12568号公報の
「太陽電池の製造法」、特開昭57−53986号公報の「光
電池アレイおよび製法」、あるいは特開昭57−176778号
公報の「太陽電池アレー」等がある。また、レーザ光に
よるスクライブの後にできる残渣物を除去する例とし
て、特開昭50−28751号公報の「ウエハのスクライブ
法」、また特開昭49−122278号公報の「レーザスクライ
ブの方法」等がある。
特に、上記特開昭57−12568号公報における太陽電池の
製造法は、ガラスまたはプラスチック基板上に形成され
た透光性導電膜となる酸化インジューム錫に開溝を設け
ることが記載されている。そして、上記開溝の製造法
は、ウエハをスクライブする場合と同様な考えであり、
ガラスまたはプラスチックを損傷させることなく、加工
による残渣物を除去するものではない。
製造法は、ガラスまたはプラスチック基板上に形成され
た透光性導電膜となる酸化インジューム錫に開溝を設け
ることが記載されている。そして、上記開溝の製造法
は、ウエハをスクライブする場合と同様な考えであり、
ガラスまたはプラスチックを損傷させることなく、加工
による残渣物を除去するものではない。
しかし、上記太陽電池等の基板にガラス板、セラミック
板等の耐熱性の基板を用いると、これらの耐熱性基板
は、レーザ光の高温に対し、耐えられる基板であるが、
価格が高価であり、破損しやすいという欠点を有してい
た。
板等の耐熱性の基板を用いると、これらの耐熱性基板
は、レーザ光の高温に対し、耐えられる基板であるが、
価格が高価であり、破損しやすいという欠点を有してい
た。
近年、ディスプレー装置等への応用を考えた時、基板と
して安価でしかも可撓性を有する有機樹脂薄膜の使用が
求められるようになってきた。
して安価でしかも可撓性を有する有機樹脂薄膜の使用が
求められるようになってきた。
本発明は、以上のような課題を解決するためのもので、
有機樹脂薄膜上の透光性導電膜および昇華性絶縁物、特
に液晶の配向処理に用いられる一酸化珪素（SiO）に対
して、パルスレーザ光を照射して、この有機樹脂薄膜を
損傷せずに、透光性導電膜および昇華性絶縁物を除去す
ることができる有機樹脂上被膜のレーザ加工方法を提供
することを目的とする。
有機樹脂薄膜上の透光性導電膜および昇華性絶縁物、特
に液晶の配向処理に用いられる一酸化珪素（SiO）に対
して、パルスレーザ光を照射して、この有機樹脂薄膜を
損傷せずに、透光性導電膜および昇華性絶縁物を除去す
ることができる有機樹脂上被膜のレーザ加工方法を提供
することを目的とする。
本発明は、連続使用上限温度が150℃ないし300℃におい
て、使用可能な透光性有機樹脂薄膜上に形成された酸化
インジューム、または酸化スズを主成分とする透光性導
電膜に対し、先端温度が1700℃ないし2200℃のパルス状
のレーザ光を照射して走査加工し、有機樹脂薄膜に損傷
を与えることなく、有機樹脂薄膜上の昇華性である酸化
スズまたは酸化インジュームを主成分とする透光性導電
膜、およびその上の他の昇華性絶縁物である一酸化珪素
とを選択的に除去し、開溝または開孔を形成する液晶表
示装置作製方法を提供することを目的とする。
て、使用可能な透光性有機樹脂薄膜上に形成された酸化
インジューム、または酸化スズを主成分とする透光性導
電膜に対し、先端温度が1700℃ないし2200℃のパルス状
のレーザ光を照射して走査加工し、有機樹脂薄膜に損傷
を与えることなく、有機樹脂薄膜上の昇華性である酸化
スズまたは酸化インジュームを主成分とする透光性導電
膜、およびその上の他の昇華性絶縁物である一酸化珪素
とを選択的に除去し、開溝または開孔を形成する液晶表
示装置作製方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明の液晶表示装置作製
方法は、有機樹脂薄膜（１）上にITO、または酸化アン
チモン、酸化スズ、酸化インジュームを主成分とする透
光性導電膜（２）、および一酸化珪素膜（22）を順次形
成した後、前記透光性導電膜（２）および一酸化珪素膜
（22）にパルスレーザ光を照射し、パルスレーザ光の照
射された透光性導電膜（２）および一酸化珪素膜（22）
を切断または開孔する際に、パルスレーザ光のパルス繰
り返し周波数、パルスレーザ光の平均出力（Ｗ）、パル
スレーザ光の走査速度（cm/分）を制御することによ
り、有機樹脂薄膜（１）に損傷を与えることなく加工す
ることを特徴とする。
方法は、有機樹脂薄膜（１）上にITO、または酸化アン
チモン、酸化スズ、酸化インジュームを主成分とする透
光性導電膜（２）、および一酸化珪素膜（22）を順次形
成した後、前記透光性導電膜（２）および一酸化珪素膜
（22）にパルスレーザ光を照射し、パルスレーザ光の照
射された透光性導電膜（２）および一酸化珪素膜（22）
を切断または開孔する際に、パルスレーザ光のパルス繰
り返し周波数、パルスレーザ光の平均出力（Ｗ）、パル
スレーザ光の走査速度（cm/分）を制御することによ
り、有機樹脂薄膜（１）に損傷を与えることなく加工す
ることを特徴とする。
また、本発明の液晶表示装置作製方法は、パルスレーザ
光を照射した後、希弗酸またはアセトンの洗浄溶液で洗
浄することにより、開溝または開孔、あるいはそれらの
近傍に残存する残渣物を除去することを特徴とする。
光を照射した後、希弗酸またはアセトンの洗浄溶液で洗
浄することにより、開溝または開孔、あるいはそれらの
近傍に残存する残渣物を除去することを特徴とする。
本出願人は、上記有機樹脂薄膜上に、たとえば、ITO、
または酸化アンチモン、酸化スズ、酸化インジュームを
主成分とする透光性導電膜や配向処理用の一酸化珪素膜
等の被加工物に対して、パルスレーザ光を照射して、こ
の有機樹脂薄膜を損傷せずに、前記被加工物を除去する
ことができる条件のあることを実験的に検討した。その
結果、本出願人は、レーザ光を１つの場所に長時間（数
10m秒以上）照射することなく、また、パルス繰り返し
周波数、パルスレーザ光の平均出力および走査速度を適
切化することにより、上記被加工物のみを選択的に除去
することが可能であることを発見した。
または酸化アンチモン、酸化スズ、酸化インジュームを
主成分とする透光性導電膜や配向処理用の一酸化珪素膜
等の被加工物に対して、パルスレーザ光を照射して、こ
の有機樹脂薄膜を損傷せずに、前記被加工物を除去する
ことができる条件のあることを実験的に検討した。その
結果、本出願人は、レーザ光を１つの場所に長時間（数
10m秒以上）照射することなく、また、パルス繰り返し
周波数、パルスレーザ光の平均出力および走査速度を適
切化することにより、上記被加工物のみを選択的に除去
することが可能であることを発見した。
たとえば、液晶表示装置は、有機樹脂薄膜のような安価
でしかも可撓性を有する基板が要求されるようになっ
た。
でしかも可撓性を有する基板が要求されるようになっ
た。
そこで、本出願人は、上記有機樹脂薄膜からなる基板上
に形成された透光性導電膜等をレーザ光によって開溝と
すると、有機樹脂薄膜が損傷されて、液晶表示装置の寿
命を短くすることに気付いた。そして、本出願人は、パ
ルス繰り返し周波数、パルスレーザ光の平均出力および
走査速度等の条件を変えて有機樹脂薄膜の損傷されない
条件を発見した。
に形成された透光性導電膜等をレーザ光によって開溝と
すると、有機樹脂薄膜が損傷されて、液晶表示装置の寿
命を短くすることに気付いた。そして、本出願人は、パ
ルス繰り返し周波数、パルスレーザ光の平均出力および
走査速度等の条件を変えて有機樹脂薄膜の損傷されない
条件を発見した。
すなわち、レーザ光の照射により有機樹脂薄膜は、熱伝
導率が小さい（一般には１ないし７×10-4Cal/sec/cm2
／℃/cm）ため、同じ位置に繰り返しレーザパルスを加
えると、劣化し炭化して切断されてしまう。
導率が小さい（一般には１ないし７×10-4Cal/sec/cm2
／℃/cm）ため、同じ位置に繰り返しレーザパルスを加
えると、劣化し炭化して切断されてしまう。
しかし、その繰り返しを１回ないし数回とすると、この
有機樹脂薄膜の熱伝導率が被加工物の1/103であるた
め、逆に被加工物のみを選択的にレーザ光の照射された
場所のみを除去することができる。
有機樹脂薄膜の熱伝導率が被加工物の1/103であるた
め、逆に被加工物のみを選択的にレーザ光の照射された
場所のみを除去することができる。
特に、有機樹脂薄膜上に形成された透光性導電膜等をレ
ーザ光によって開溝を作製する際に、所定の条件を選択
することによって、有機樹脂薄膜が損傷されないため、
寿命の長い液晶表示装置を得ることができた。
ーザ光によって開溝を作製する際に、所定の条件を選択
することによって、有機樹脂薄膜が損傷されないため、
寿命の長い液晶表示装置を得ることができた。
以下、その実施例を図面に従って詳述する。
有機樹脂薄膜（１）として、たとえば、住友ベークライ
ト製スミライトFS−1300を用いた。この有機樹脂薄膜
（１）は、連続使用上限温度180℃、熱伝導率4.3×10-4
Cal/sec/cm2／℃/cm、光線透孔率86.3％（100μｍの厚
さとする）、表面抵抗率5.4×1014Ω、堆積抵抗率1.7×
1016Ωcmをその代表例として有する。この有機樹脂薄膜
（１）上にスパッタ法にて、ITOを700Åの厚さに形成さ
せた。すると、そのシート抵抗は、200Ω／cm2を有して
いた。
ト製スミライトFS−1300を用いた。この有機樹脂薄膜
（１）は、連続使用上限温度180℃、熱伝導率4.3×10-4
Cal/sec/cm2／℃/cm、光線透孔率86.3％（100μｍの厚
さとする）、表面抵抗率5.4×1014Ω、堆積抵抗率1.7×
1016Ωcmをその代表例として有する。この有機樹脂薄膜
（１）上にスパッタ法にて、ITOを700Åの厚さに形成さ
せた。すると、そのシート抵抗は、200Ω／cm2を有して
いた。
さらに、この上面に昇華性絶縁物である一酸化珪素膜
（22）を斜蒸着法により300Åないし0.3μｍの厚さに電
子ビーム蒸着法、または一酸化珪素用タンクル・ルツポ
により真空蒸着を行なった。
（22）を斜蒸着法により300Åないし0.3μｍの厚さに電
子ビーム蒸着法、または一酸化珪素用タンクル・ルツポ
により真空蒸着を行なった。
さらに、ここにYAGレーザ（発光波長1.06μｍ、焦点距
離50mm、光径50μｍを照射した。その条件として、パル
スレーザの繰り返し周波数6KHz、平均出力1.3W、パルス
幅100n秒ないし１μｍ秒、走査速度60cm/分とした。す
ると、第１図に示すごとき開溝（10）（10′）を得るこ
とができた。そして、この開溝（10）（10′）で二つの
被膜は、概略同一形状を有していた。
離50mm、光径50μｍを照射した。その条件として、パル
スレーザの繰り返し周波数6KHz、平均出力1.3W、パルス
幅100n秒ないし１μｍ秒、走査速度60cm/分とした。す
ると、第１図に示すごとき開溝（10）（10′）を得るこ
とができた。そして、この開溝（10）（10′）で二つの
被膜は、概略同一形状を有していた。
この時、電子顕微鏡にて調べたが、有機樹脂薄膜表面
は、何等の損傷もまた部分的な劣化も見られなかった。
このレーザ光は、1800℃以上の温度を有すると推察され
るが、連続使用上限温度が180℃程度の低い耐熱性しか
有ない有機樹脂薄膜に何等損傷を与えなかった。すなわ
ち、有機樹脂薄膜上の被加工物に対し、選択的に開溝
（10）（10′）を作製することができることがわかっ
た。
は、何等の損傷もまた部分的な劣化も見られなかった。
このレーザ光は、1800℃以上の温度を有すると推察され
るが、連続使用上限温度が180℃程度の低い耐熱性しか
有ない有機樹脂薄膜に何等損傷を与えなかった。すなわ
ち、有機樹脂薄膜上の被加工物に対し、選択的に開溝
（10）（10′）を作製することができることがわかっ
た。
第１図はこの有機樹脂薄膜（１）上の透光性導電膜
（２）に対し、一酸化珪素膜（22）を貫通させてプロー
ブ（３）、（４）、テスタ（５）の２端子法にて、その
抵抗を測定した。その結果、500KΩ以上の抵抗（幅は1c
mとする）を開溝（10）により得ることができた。
（２）に対し、一酸化珪素膜（22）を貫通させてプロー
ブ（３）、（４）、テスタ（５）の２端子法にて、その
抵抗を測定した。その結果、500KΩ以上の抵抗（幅は1c
mとする）を開溝（10）により得ることができた。
この開溝（10）、（10′）が形成し得る理由は、レーザ
光の照射による熱エネルギーが下地の有機樹脂薄膜
（１）の熱伝導度がきわめて少ないため、透光性導電膜
（２）内に保存され、かつ、この熱により透光性導電膜
（２）と一酸化珪素膜（22）とが昇華、すなわち、液体
ならず固体により気体に気化してしまうためであると推
定される。さらに、この気化と同時に気化熱を奪い、結
果として、有機樹脂が熱反応をしてしまうのに必要な時
間よりはるかに短い時間で比較的低い温度で保存させる
ことができているためであると考えられる。
光の照射による熱エネルギーが下地の有機樹脂薄膜
（１）の熱伝導度がきわめて少ないため、透光性導電膜
（２）内に保存され、かつ、この熱により透光性導電膜
（２）と一酸化珪素膜（22）とが昇華、すなわち、液体
ならず固体により気体に気化してしまうためであると推
定される。さらに、この気化と同時に気化熱を奪い、結
果として、有機樹脂が熱反応をしてしまうのに必要な時
間よりはるかに短い時間で比較的低い温度で保存させる
ことができているためであると考えられる。
第２図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもの
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。
第２図において、走査速度60cm/分の平均出力0.8W、光
径50μｍのYAGレーザを用いた。すると、その周波数を1
0KHzより下げてゆくと、曲線（９）は、7KHz以下で急激
に500KΩ以上となって、電気的にアイソレイションを行
なうことができるようになったことが判明した。
径50μｍのYAGレーザを用いた。すると、その周波数を1
0KHzより下げてゆくと、曲線（９）は、7KHz以下で急激
に500KΩ以上となって、電気的にアイソレイションを行
なうことができるようになったことが判明した。
しかし、この周波数が4KHz以下では、この被加工物に加
えて下地の有機樹脂薄膜をもその中心部（ガウス分布の
エネルギー密度の最も高い領域）で損傷してしまった。
このことにより、有機樹脂薄膜（１）上の透光性導電膜
（２）のレーザスクライブには、符号（11）で示す範囲
が適していた。
えて下地の有機樹脂薄膜をもその中心部（ガウス分布の
エネルギー密度の最も高い領域）で損傷してしまった。
このことにより、有機樹脂薄膜（１）上の透光性導電膜
（２）のレーザスクライブには、符号（11）で示す範囲
が適していた。
さらに、この下地の有機樹脂薄膜（１）に損傷を与える
ことなく透光性導電膜（２）のみを除去する範囲を調べ
たところ、第３図を得た。
ことなく透光性導電膜（２）のみを除去する範囲を調べ
たところ、第３図を得た。
すなわち、走査速度を０ないし120cm/分、平均出力０な
いし3W、繰り返し周波数6KHz、焦点距離50cm、レーザ光
の直径50μｍのYAGレーザとすると、領域（15）の範囲
は、有機樹脂薄膜（１）の損傷がなく被加工物のみを除
去することができた。
いし3W、繰り返し周波数6KHz、焦点距離50cm、レーザ光
の直径50μｍのYAGレーザとすると、領域（15）の範囲
は、有機樹脂薄膜（１）の損傷がなく被加工物のみを除
去することができた。
領域（13）は、被加工物すらも除去することができない
領域であり、領域（12）は、パルス光が透光性導電膜
（２）上で連続せず、破線のごとく不連続な開溝を形成
させる領域である。領域（14）は、透光性導電膜（２）
のみならず、下地の有機樹脂薄膜（１）に対しても損傷
を与えてしまった領域であった。
領域であり、領域（12）は、パルス光が透光性導電膜
（２）上で連続せず、破線のごとく不連続な開溝を形成
させる領域である。領域（14）は、透光性導電膜（２）
のみならず、下地の有機樹脂薄膜（１）に対しても損傷
を与えてしまった領域であった。
このことにより、下地の有機樹脂薄膜（１）に対して損
傷を与えることなく、被加工物のみを選択的に開溝とし
て除去することのできる領域（15）があることがわかっ
た。領域（16）は、レーザパルス光の繰り返し周波数を
15KHzとした場合である。レーザパルス光の繰り返し周
波数を6KHzから15KHzに増加した場合、透光性導電膜
（２）のみに選択的にレーザスクライブを行う領域は、
第３図における符号（15）より（16）に平行移動してい
る。
傷を与えることなく、被加工物のみを選択的に開溝とし
て除去することのできる領域（15）があることがわかっ
た。領域（16）は、レーザパルス光の繰り返し周波数を
15KHzとした場合である。レーザパルス光の繰り返し周
波数を6KHzから15KHzに増加した場合、透光性導電膜
（２）のみに選択的にレーザスクライブを行う領域は、
第３図における符号（15）より（16）に平行移動してい
る。
これらのことより、カプトン、ポリイミド、エポキシ等
の樹脂のうち、実用的には有機樹脂薄膜（１）が150℃
ないし300℃、またはそれ以上の連続使用の可能な、か
つ熱伝導率が１×10-3cal/sec/cm2／℃/cmの低い値を有
する有機樹脂薄膜（１）であることが好ましい。
の樹脂のうち、実用的には有機樹脂薄膜（１）が150℃
ないし300℃、またはそれ以上の連続使用の可能な、か
つ熱伝導率が１×10-3cal/sec/cm2／℃/cmの低い値を有
する有機樹脂薄膜（１）であることが好ましい。
また、透光性導電膜（２）は、300Åないし１μｍの範
囲、また、一酸化珪素膜（22）は、配向処理用であるた
め斜め蒸着がなされ、その平均の厚さが300Åないし２
μｍの範囲であることがレーザ加工をし易かった。
囲、また、一酸化珪素膜（22）は、配向処理用であるた
め斜め蒸着がなされ、その平均の厚さが300Åないし２
μｍの範囲であることがレーザ加工をし易かった。
もちろん、この被加工物における透光性導電膜（２）
は、ミクロに平面状であっても針状（テクスチャー）を
していても、またITO（酸化スズが10重量％以下添加さ
れた酸化インジューム）上に酸化スズが100Åないし500
Åの厚さに形成された２層膜を用いてもよいことはいう
までもない。
は、ミクロに平面状であっても針状（テクスチャー）を
していても、またITO（酸化スズが10重量％以下添加さ
れた酸化インジューム）上に酸化スズが100Åないし500
Åの厚さに形成された２層膜を用いてもよいことはいう
までもない。
また昇華性の絶縁物も一酸化珪素（22）のみならず、以
下の表に示されるごとき材料も同様に取り扱うことがで
きる。
下の表に示されるごとき材料も同様に取り扱うことがで
きる。
さらに、本発明に用いた透光性導電膜（２）である一酸
化珪素膜（22）も以下に示す。
化珪素膜（22）も以下に示す。
また、このレーザ光を照射してしまった後、希弗酸（水
で10倍ないし100倍に希釈）またはアセトン、水、その
他の洗浄溶液にこの処理薄膜を浸漬し、超音波洗浄をし
て付着物を除去することは有効である。
で10倍ないし100倍に希釈）またはアセトン、水、その
他の洗浄溶液にこの処理薄膜を浸漬し、超音波洗浄をし
て付着物を除去することは有効である。
以上の説明より明らかなごとく、本発明は、有機樹脂薄
膜上の被加工物に対し、レーザ光を照射してその被加工
物のみに開溝を形成して除去することが可能になった。
膜上の被加工物に対し、レーザ光を照射してその被加工
物のみに開溝を形成して除去することが可能になった。
さらに、この被加工物に形成された開溝は線ではなく、
レーザ光または下地をXY方向に移動し種々の形状を作製
することができる。しかし、その際、レーザ光が同一点
を何度（10回以上）も照射するとこの領域での温度が上
昇し、下地を損傷させてしまうため作動には注意を要す
る。
レーザ光または下地をXY方向に移動し種々の形状を作製
することができる。しかし、その際、レーザ光が同一点
を何度（10回以上）も照射するとこの領域での温度が上
昇し、下地を損傷させてしまうため作動には注意を要す
る。
本発明の以上の説明は、連続した線条を有する１本の開
溝を形成する場合を示した。しかし、走査速度を一定と
し、レーザ光の照射を断続させることにより、１つの孔
または破線のごとき複数の開孔または開溝を作ることが
できることはいうまでもない。
溝を形成する場合を示した。しかし、走査速度を一定と
し、レーザ光の照射を断続させることにより、１つの孔
または破線のごとき複数の開孔または開溝を作ることが
できることはいうまでもない。
本発明において、有機樹脂上に1200℃以上好ましくは15
00℃以上の融点を有する窒化珪素または炭化珪素を300
Åないし１μｍの厚さにコーティングさせていてもよ
い。
00℃以上の融点を有する窒化珪素または炭化珪素を300
Åないし１μｍの厚さにコーティングさせていてもよ
い。
しかし、そのコーティング材は、融点1000℃以下のソー
ダガラス、リンガラス等はレーザ照射の際、溶融し、こ
の溶融ガラスと被加工物とが反応し、さらに、このガラ
スに熱衝撃により微妙なクラックが発生してしまうため
不適当であった。
ダガラス、リンガラス等はレーザ照射の際、溶融し、こ
の溶融ガラスと被加工物とが反応し、さらに、このガラ
スに熱衝撃により微妙なクラックが発生してしまうため
不適当であった。
本発明においては、有機樹脂薄膜上の透光性導電膜と絶
縁物とを共に除去する方法を主として示した。しかし透
光性導電膜上の一酸化珪素のみを選択的に除去すること
も可能である。すなわち、透光性導電膜をIn2O3、また
はITOとすると、レーザスクライブの際SnO2よりも昇華
させにくく、一酸化珪素のみを選択的に除去することが
できる。他方透光性導電膜がSnO2、またはSb2O3、Cl、
Ｆを添加させたSnO2膜においては、第１図に示すごとく
透光性導電膜と絶縁物とを共に除去させ易かった。
縁物とを共に除去する方法を主として示した。しかし透
光性導電膜上の一酸化珪素のみを選択的に除去すること
も可能である。すなわち、透光性導電膜をIn2O3、また
はITOとすると、レーザスクライブの際SnO2よりも昇華
させにくく、一酸化珪素のみを選択的に除去することが
できる。他方透光性導電膜がSnO2、またはSb2O3、Cl、
Ｆを添加させたSnO2膜においては、第１図に示すごとく
透光性導電膜と絶縁物とを共に除去させ易かった。
なお、本発明の実施は、大気中、大気圧とした。しか
し、透光性導電膜の昇華を促すため、真空雰囲気または
不活性気体が導入された減圧雰囲気で行うことが有効で
ある。
し、透光性導電膜の昇華を促すため、真空雰囲気または
不活性気体が導入された減圧雰囲気で行うことが有効で
ある。
このようなパターニングを行うことにより、表示用ディ
スプレーへの応用が可能となった。
スプレーへの応用が可能となった。
本発明によれば、パルスレーザのパルス繰り返し周波
数、平均出力、走査速度を所定の範囲に選択することに
よって、たとえば、透光性導電膜および配向処理用の一
酸化珪素、または当該一酸化珪素のみを切断または開孔
しても、有機樹脂薄膜に損傷を与えることなくレーザ加
工を行なうことができる。
数、平均出力、走査速度を所定の範囲に選択することに
よって、たとえば、透光性導電膜および配向処理用の一
酸化珪素、または当該一酸化珪素のみを切断または開孔
しても、有機樹脂薄膜に損傷を与えることなくレーザ加
工を行なうことができる。
本発明によれば、パルスレーザ加工後、開溝または開
孔、あるいはそれらの近傍に残存する残渣を洗浄するこ
とによって、開溝間の抵抗を高くすることができる。
孔、あるいはそれらの近傍に残存する残渣を洗浄するこ
とによって、開溝間の抵抗を高くすることができる。
本発明によれば、安価でしかも可撓性を有する有機樹脂
薄膜がレーザ光の照射によっても損傷されないため、液
晶表示装置の寿命が長くなった。
薄膜がレーザ光の照射によっても損傷されないため、液
晶表示装置の寿命が長くなった。
第１図は有機薄膜上の透光性導電膜および半導体の２層
膜に開溝を形成した図面である。 第２図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもの
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。 第３図はレーザ光の走査速度および平均出力との関係を
示す図面である。 １……有機樹脂薄膜 ２……透光性導電膜 ３、４……プローブ ５……テスタ ７、８……領域 10、10′……開溝 22……一酸化珪素膜
膜に開溝を形成した図面である。 第２図はレーザ光の繰り返し周波数を可変にしたもの
で、開溝が形成される場合の電気抵抗を示す。 第３図はレーザ光の走査速度および平均出力との関係を
示す図面である。 １……有機樹脂薄膜 ２……透光性導電膜 ３、４……プローブ ５……テスタ ７、８……領域 10、10′……開溝 22……一酸化珪素膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 五月 東京都世田谷区北烏山７丁目21番21号 株 式会社半導体エネルギー研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−12568（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−53986（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−176778（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−28751（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−122278（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−88733（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】有機樹脂薄膜上にITO、または酸化アンチ
モン、酸化スズ、酸化インジュームを主成分とする透光
性導電膜、および一酸化珪素膜を順次形成した後、前記
透光性導電膜および一酸化珪素膜にパルスレーザ光を照
射し、パルスレーザ光の照射された透光性導電膜および
一酸化珪素膜を切断または開孔する際に、パルスレーザ
光のパルス繰り返し周波数、パルスレーザ光の平均出力
（Ｗ）、パルスレーザ光の走査速度（cm/分）を制御す
ることにより、有機樹脂薄膜に損傷を与えることなく加
工することを特徴とする液晶表示装置作製方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、パルスレ
ーザ光を照射した後、希弗酸またはアセトンの洗浄溶液
で洗浄することにより、開溝または開孔、あるいはそれ
らの近傍に残存する残渣物を除去することを特徴とする
液晶表示装置作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208652A JPH0713954B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 液晶表示装置作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208652A JPH0713954B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 液晶表示装置作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60102289A JPS60102289A (ja) | 1985-06-06 |
| JPH0713954B2 true JPH0713954B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=16559790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58208652A Expired - Lifetime JPH0713954B2 (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 液晶表示装置作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713954B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01250462A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-05 | Kyoto Kikai Kk | 布帛の染色装置 |
| JPH01283703A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-15 | Stanley Electric Co Ltd | 車体色レンズの形成方法 |
| JPH01292163A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-24 | Mikawa Orimono Kogyo Kyodo Kumiai | 織布糸の自動着糊装置 |
| JP4417941B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2010-02-17 | リコーマイクロエレクトロニクス株式会社 | レーザー加工方法 |
| JP5359356B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-12-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 樹脂フィルム媒体、及び樹脂フィルム媒体の製造方法 |
| CN106808091B (zh) * | 2015-11-27 | 2018-12-07 | 南京魔迪多维数码科技有限公司 | 针对二维和三维脆性材料基板进行加工的激光系统 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643611B2 (ja) * | 1973-03-22 | 1981-10-14 | ||
| JPS5028751A (ja) * | 1973-07-13 | 1975-03-24 | ||
| US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
| US4315096A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-09 | Eastman Kodak Company | Integrated array of photovoltaic cells having minimized shorting losses |
| US4388517A (en) * | 1980-09-22 | 1983-06-14 | Texas Instruments Incorporated | Sublimation patterning process |
| FR2503457B1 (fr) * | 1981-03-31 | 1987-01-23 | Rca Corp | Systeme de cellules solaires connectees en serie sur un substrat unique |
-
1983
- 1983-11-07 JP JP58208652A patent/JPH0713954B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60102289A (ja) | 1985-06-06 |
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