JPH07120679B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH07120679B2 JPH07120679B2 JP63166543A JP16654388A JPH07120679B2 JP H07120679 B2 JPH07120679 B2 JP H07120679B2 JP 63166543 A JP63166543 A JP 63166543A JP 16654388 A JP16654388 A JP 16654388A JP H07120679 B2 JPH07120679 B2 JP H07120679B2
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- Japan
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- housing
- sample
- wire bonder
- curing
- semiconductor device
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0444—Apparatus for wiring semiconductor or solid-state device
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置の製造装置に係り、特に試料のキュ
ア及びワイヤボンデイングを行う半導体装置の製造装置
に関する。
ア及びワイヤボンデイングを行う半導体装置の製造装置
に関する。
［従来の技術］ 半導体装置は、第６図に示すような工程によって製造さ
れる。即ち、リードフレームのダイボンデイング部分に
は、接着剤滴下装置70により接着剤が滴下71され、その
後ダイボンダー72により前記接着剤滴下部分にダイがボ
ンデイング73される。次にキュア炉74でキュア75されて
前記接着剤は乾燥され、ダイはリードフレームに固着さ
れる。その後、ワイヤボンダー76でワイヤがボンデイン
グ77される。
れる。即ち、リードフレームのダイボンデイング部分に
は、接着剤滴下装置70により接着剤が滴下71され、その
後ダイボンダー72により前記接着剤滴下部分にダイがボ
ンデイング73される。次にキュア炉74でキュア75されて
前記接着剤は乾燥され、ダイはリードフレームに固着さ
れる。その後、ワイヤボンダー76でワイヤがボンデイン
グ77される。
従来、前記ダイボンデイング後は、その後の各工程を単
独に処理する個別処理装置と、各工程を連続して処理す
るインライン装置が知られている。個別処理装置の場合
は、前記ダイボンデイング73後は、リードフレームをマ
ガジンに収納し、そのマガジンを複数個（キュア炉74の
容量分）貯めておき、キュア炉74に入れて加熱してキュ
アさせる。その後、キュア炉74のマガジンを作業者がワ
イヤボンダー76まで運搬してワイヤボンダー76のローダ
部にセットし、ワイヤボンデイング77を行っていた。ま
たインライン装置の場合には、キュア75後のリードフレ
ームは大気開放型ベルトコンベアによりワイヤボンダー
76まで送られる。なお、インライン装置として、例えば
特開昭63−81935号公報に示すものが知られる。
独に処理する個別処理装置と、各工程を連続して処理す
るインライン装置が知られている。個別処理装置の場合
は、前記ダイボンデイング73後は、リードフレームをマ
ガジンに収納し、そのマガジンを複数個（キュア炉74の
容量分）貯めておき、キュア炉74に入れて加熱してキュ
アさせる。その後、キュア炉74のマガジンを作業者がワ
イヤボンダー76まで運搬してワイヤボンダー76のローダ
部にセットし、ワイヤボンデイング77を行っていた。ま
たインライン装置の場合には、キュア75後のリードフレ
ームは大気開放型ベルトコンベアによりワイヤボンダー
76まで送られる。なお、インライン装置として、例えば
特開昭63−81935号公報に示すものが知られる。
［発明が解決しようとする課題］ 上記個別処理装置は、キュア炉74とワイヤボンダー76と
が分離されているため、キュア75後のリードフレームを
運搬する必要があった。またリードフレーム又はリード
フレームに形成されたリードが酸化し易い銅系材料より
なる場合には、キュア75後の酸化を防止するために十分
に冷却させた後でキュア炉74より取り出さなければなら
なく、多大の時間がかかると共に、冷却装置を備えた特
殊なキュア炉74が必要であった。またキュア75とワイヤ
ボンデイング77時にリードフレームを加熱、冷却するた
め、加熱、冷却回数が多く、製品の信頼性が低下する。
またキュア後のリードフレームを長時間保管する場合に
は、酸化防止処置を必要とする。この点、インライン装
置ではキュア後の試料の運搬及び保管は必要ない。しか
し、従来のインライン装置は、キュア炉74からワイヤボ
ンダー76まで大気開放型ベルトコンベアで搬送するの
で、その搬送中に酸化が進行してしまう。これを防止す
るには、前記したようにキュア炉74で十分冷却させた後
に搬送させるか、又は予めワイヤボンデイングする部分
のみ部分メッキを施したリードフレームを使用する必要
があった。
が分離されているため、キュア75後のリードフレームを
運搬する必要があった。またリードフレーム又はリード
フレームに形成されたリードが酸化し易い銅系材料より
なる場合には、キュア75後の酸化を防止するために十分
に冷却させた後でキュア炉74より取り出さなければなら
なく、多大の時間がかかると共に、冷却装置を備えた特
殊なキュア炉74が必要であった。またキュア75とワイヤ
ボンデイング77時にリードフレームを加熱、冷却するた
め、加熱、冷却回数が多く、製品の信頼性が低下する。
またキュア後のリードフレームを長時間保管する場合に
は、酸化防止処置を必要とする。この点、インライン装
置ではキュア後の試料の運搬及び保管は必要ない。しか
し、従来のインライン装置は、キュア炉74からワイヤボ
ンダー76まで大気開放型ベルトコンベアで搬送するの
で、その搬送中に酸化が進行してしまう。これを防止す
るには、前記したようにキュア炉74で十分冷却させた後
に搬送させるか、又は予めワイヤボンデイングする部分
のみ部分メッキを施したリードフレームを使用する必要
があった。
本発明の目的は、インライン装置において、製品の信頼
性及び生産性の向上が図れ、更に特殊なキュア炉及びキ
ュア後の酸化防止処置が不要である半導体装置の製造装
置を提供することにある。
性及び生産性の向上が図れ、更に特殊なキュア炉及びキ
ュア後の酸化防止処置が不要である半導体装置の製造装
置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的は、リードフレームに接着剤を介してダイがボ
ンデイングされた試料をキュアするキュア炉と、このキ
ュア炉でキュアされた試料にワイヤボンデイングを施す
ボンデイングツールをXY方向及び上下方向に駆動するボ
ンデイングヘッドを有するワイヤボンダーと、前記キュ
ア炉内及びこのキュア炉より前記ワイヤボンダーのボン
デイング部に試料を送る試料送り手段とを備えた半導体
装置の製造装置において、前記キュア炉及び前記ワイヤ
ボンダーは、試料をガイドするガイド溝が形成されたハ
ウジングと、このハウジングの上面に固定された蓋と、
前記ハウジング内に配設されたヒートブロックとをそれ
ぞれ有し、前記キュア炉のハウジングと前記ワイヤボン
ダーのハウジングとは、連続して直列に配設され、かつ
前記キュア炉のハウジングのガイド溝と前記ワイヤボン
ダーのハウジングのガイド溝は、同一面上に形成した構
成により達成される。
ンデイングされた試料をキュアするキュア炉と、このキ
ュア炉でキュアされた試料にワイヤボンデイングを施す
ボンデイングツールをXY方向及び上下方向に駆動するボ
ンデイングヘッドを有するワイヤボンダーと、前記キュ
ア炉内及びこのキュア炉より前記ワイヤボンダーのボン
デイング部に試料を送る試料送り手段とを備えた半導体
装置の製造装置において、前記キュア炉及び前記ワイヤ
ボンダーは、試料をガイドするガイド溝が形成されたハ
ウジングと、このハウジングの上面に固定された蓋と、
前記ハウジング内に配設されたヒートブロックとをそれ
ぞれ有し、前記キュア炉のハウジングと前記ワイヤボン
ダーのハウジングとは、連続して直列に配設され、かつ
前記キュア炉のハウジングのガイド溝と前記ワイヤボン
ダーのハウジングのガイド溝は、同一面上に形成した構
成により達成される。
キュア炉のハウジングとワイヤボンダーのハウジングと
は、連続して直列に配設され、かつ前記キュア炉のハウ
ジングのガイド溝と前記ワイヤボンダーのハウジングの
ガイド溝は、同一面上に形成されているので、キュア後
の試料はワイヤボンダーのハウジング内にすぐに送られ
る。即ち、キュア後の試料はキュア炉で加熱されたまま
ワイヤボンダーへ送られ、キュア後に冷却する必要がな
く、また加熱を繰返す必要がないので、製品の信頼性及
び生産性が向上する。
は、連続して直列に配設され、かつ前記キュア炉のハウ
ジングのガイド溝と前記ワイヤボンダーのハウジングの
ガイド溝は、同一面上に形成されているので、キュア後
の試料はワイヤボンダーのハウジング内にすぐに送られ
る。即ち、キュア後の試料はキュア炉で加熱されたまま
ワイヤボンダーへ送られ、キュア後に冷却する必要がな
く、また加熱を繰返す必要がないので、製品の信頼性及
び生産性が向上する。
［実施例］ 以下、本発明の一実施例を第１図乃至第４図により説明
する。リードフレーム１にダイ２が貼付けられた試料３
をキュアするためのキュア炉10と試料３にワイヤボンデ
イングを施すためのワイヤボンダー30とは直列に配設さ
れている。キュア炉10及びワイヤボンダー30のハウジン
グ11、31の両側面には試料３をガイドするガイド溝11
a、31aが形成されており、ハウジング11、31の上面には
蓋12、32が固定されて内部は密閉型となっており、ハウ
ジング11と31とは連続して直列に配設れている。ハウジ
ング11、31の内部にはヒータ13、33を内臓したヒートブ
ロック14、34が配設されている。ヒートブロック14、34
には窒素ガス等の不活性ガス又は水素と不活性ガスとの
混合ガス等のフォーミングガスを流すための孔14a、34a
が試料３の送り方向と平行に形成され、この孔14a、34a
はヒートブロック14、34の上面に孔14b、34bによって連
通されている。前記孔14a、34aにはフォーミングガスを
供給するフォーミングガス供給口15、35が連通してい
る。
する。リードフレーム１にダイ２が貼付けられた試料３
をキュアするためのキュア炉10と試料３にワイヤボンデ
イングを施すためのワイヤボンダー30とは直列に配設さ
れている。キュア炉10及びワイヤボンダー30のハウジン
グ11、31の両側面には試料３をガイドするガイド溝11
a、31aが形成されており、ハウジング11、31の上面には
蓋12、32が固定されて内部は密閉型となっており、ハウ
ジング11と31とは連続して直列に配設れている。ハウジ
ング11、31の内部にはヒータ13、33を内臓したヒートブ
ロック14、34が配設されている。ヒートブロック14、34
には窒素ガス等の不活性ガス又は水素と不活性ガスとの
混合ガス等のフォーミングガスを流すための孔14a、34a
が試料３の送り方向と平行に形成され、この孔14a、34a
はヒートブロック14、34の上面に孔14b、34bによって連
通されている。前記孔14a、34aにはフォーミングガスを
供給するフォーミングガス供給口15、35が連通してい
る。
前記ハウジング11、31は支柱50を介してハウジング支持
板51に固定されており、ハウジング支持板51は支柱52を
介してベース板53に固定されている。前記ヒートブロッ
ク14、34の下面には上下動棒16、36が固定されており、
上下動棒16、36は前記ハウジング支持板51に固定された
軸受17、37に上下動自在に挿入されている。上下動棒1
6、36の下端にはカムフォロア支持板18、38が固定され
ており、このカムフォロア支持板18、38にはカムフォロ
ア19、39が回転自在に支承されている。また前記支柱52
にはカム軸54が回転自在に支承されており、カム軸54に
はカム20、40が固定されている。そして、カムフォロア
19、39がカム20、40に圧接するようにカムフォロア支持
板18、38は図示しないばねで上方に付勢されている。前
記カム軸54は前記ベース板53に固定されたモータ55によ
ってベルト56を介して回転駆動される。
板51に固定されており、ハウジング支持板51は支柱52を
介してベース板53に固定されている。前記ヒートブロッ
ク14、34の下面には上下動棒16、36が固定されており、
上下動棒16、36は前記ハウジング支持板51に固定された
軸受17、37に上下動自在に挿入されている。上下動棒1
6、36の下端にはカムフォロア支持板18、38が固定され
ており、このカムフォロア支持板18、38にはカムフォロ
ア19、39が回転自在に支承されている。また前記支柱52
にはカム軸54が回転自在に支承されており、カム軸54に
はカム20、40が固定されている。そして、カムフォロア
19、39がカム20、40に圧接するようにカムフォロア支持
板18、38は図示しないばねで上方に付勢されている。前
記カム軸54は前記ベース板53に固定されたモータ55によ
ってベルト56を介して回転駆動される。
前記ハウジング11、31の側面には試料送り軸57が配設さ
れており、試料送り軸57は図示しない上下駆動手段で上
下駆動される軸受58に摺動自在に設けられ、この試料送
り軸57は水平動駆動手段で摺動自在に駆動させられるよ
うになっている。また試料送り軸57には爪レバー21、41
が固定されており、爪レバー21、41には試料３を１ピッ
チづつ送る送り爪22、42が固定されている。前記蓋12、
32には前記送り爪22、42の移動を妨げないように横長の
送り爪用逃げ穴12a、32aが形成されている。また送り爪
用逃げ穴12a、32aを覆うように、蓋12、32上にはカバー
23、43が載置されており、カバー23、43には前記送り爪
22、42が遊嵌する送り爪用窓が形成されている。
れており、試料送り軸57は図示しない上下駆動手段で上
下駆動される軸受58に摺動自在に設けられ、この試料送
り軸57は水平動駆動手段で摺動自在に駆動させられるよ
うになっている。また試料送り軸57には爪レバー21、41
が固定されており、爪レバー21、41には試料３を１ピッ
チづつ送る送り爪22、42が固定されている。前記蓋12、
32には前記送り爪22、42の移動を妨げないように横長の
送り爪用逃げ穴12a、32aが形成されている。また送り爪
用逃げ穴12a、32aを覆うように、蓋12、32上にはカバー
23、43が載置されており、カバー23、43には前記送り爪
22、42が遊嵌する送り爪用窓が形成されている。
前記ワイヤボンダー30用のハウジング31の側方にはボン
デイングヘッド60が配設されており、ボンデイングヘッ
ド60はXY方向に駆動される周知のXYテーブル（図示しな
い）上に固定されている。ボンデイングヘッド60には一
端にボンデイングツール61が固定されたボンデイングア
ーム62が図示しない上下駆動手段で上下駆動されるよう
に設けられている。またボンデイングツール61に対応し
た前記蓋32にはボンデイング作業窓32bが形成されてい
る。
デイングヘッド60が配設されており、ボンデイングヘッ
ド60はXY方向に駆動される周知のXYテーブル（図示しな
い）上に固定されている。ボンデイングヘッド60には一
端にボンデイングツール61が固定されたボンデイングア
ーム62が図示しない上下駆動手段で上下駆動されるよう
に設けられている。またボンデイングツール61に対応し
た前記蓋32にはボンデイング作業窓32bが形成されてい
る。
前記キュア炉10用のハウジング11には試料供給装置63よ
り試料３が供給され、また前記ワイヤボンダー30用のハ
ウジング31から排出された試料３は試料収納装置64に収
納されるようになっている。
り試料３が供給され、また前記ワイヤボンダー30用のハ
ウジング31から排出された試料３は試料収納装置64に収
納されるようになっている。
次に作動について説明する。試料供給装置63より供給さ
れた試料３は、送り爪22、42によって間欠的に等ピッチ
づつ送られ、キュア炉10のハウジング11、ワイヤボンダ
ー30のハウジング31を通って試料収納装置64に収納され
る。この送り爪22、42による試料３の送りは、ヒートブ
ロック14、34が下降した状態で、かつ送り爪22、42が図
示の状態より、第５図に示すように、上下動及び水平往
復動の１サイクル動作を行うことにより試料３を１ピッ
チ送る。送り爪22、42の上下動は軸受58の上下動によ
り、また送り爪22、42の水平往復動は試料送り軸57の水
平動によって行われる。即ち、送り爪22、42が上昇位置
であるａ点、ｄ点にある時は、送り爪22、42はカバー2
3、43のみに係合しており、送り爪22、42が下降位置で
あるｂ点、ｃ点にある時は送り爪22、42は試料３のリー
ドフレーム１の穴に係合している。
れた試料３は、送り爪22、42によって間欠的に等ピッチ
づつ送られ、キュア炉10のハウジング11、ワイヤボンダ
ー30のハウジング31を通って試料収納装置64に収納され
る。この送り爪22、42による試料３の送りは、ヒートブ
ロック14、34が下降した状態で、かつ送り爪22、42が図
示の状態より、第５図に示すように、上下動及び水平往
復動の１サイクル動作を行うことにより試料３を１ピッ
チ送る。送り爪22、42の上下動は軸受58の上下動によ
り、また送り爪22、42の水平往復動は試料送り軸57の水
平動によって行われる。即ち、送り爪22、42が上昇位置
であるａ点、ｄ点にある時は、送り爪22、42はカバー2
3、43のみに係合しており、送り爪22、42が下降位置で
あるｂ点、ｃ点にある時は送り爪22、42は試料３のリー
ドフレーム１の穴に係合している。
送り爪22、42の１サイクルの動作によって試料３が１ピ
ッチ送られると、ヒートブロック14、34が上昇して試料
３に圧接し、試料３は加熱される。前記ヒートブロック
14、34の上昇は、モータ55が作動してカム軸54と共にカ
ム20、40が回転し、カム20、40の下降プロフイルに追従
してカムフォロア19、39が上昇することにより、カムフ
ォロア支持板18、38、上下動棒16、36を介して行われ
る。
ッチ送られると、ヒートブロック14、34が上昇して試料
３に圧接し、試料３は加熱される。前記ヒートブロック
14、34の上昇は、モータ55が作動してカム軸54と共にカ
ム20、40が回転し、カム20、40の下降プロフイルに追従
してカムフォロア19、39が上昇することにより、カムフ
ォロア支持板18、38、上下動棒16、36を介して行われ
る。
前記のようにヒートブロック14、34が試料３に圧接する
と、キュア炉10においてはリードフレーム１とダイ２と
の間に介在された接着剤がキュアされる。またワイヤボ
ンダー30においては、ボンデイングヘッド60がXY方向及
びボンデイングアーム62が上下動させられ、ボンデイン
グツール61によってワイヤボンデイングが行われる。
と、キュア炉10においてはリードフレーム１とダイ２と
の間に介在された接着剤がキュアされる。またワイヤボ
ンダー30においては、ボンデイングヘッド60がXY方向及
びボンデイングアーム62が上下動させられ、ボンデイン
グツール61によってワイヤボンデイングが行われる。
ワイヤボンデイングが終了すると、モータ55が前記と逆
方向に作動してヒートブロック14、34が下降し、その
後、前記したように送り爪22、42が１サイクルの動作を
行って試料３を１ピッチ送り、再びヒートブロック14、
34が上昇して試料３に圧接してキュア炉10においては試
料３がキュアされ、ワイヤボンダー30においてはワイヤ
ボンデイングが行われる。以後、前記動作を順次繰返
す。
方向に作動してヒートブロック14、34が下降し、その
後、前記したように送り爪22、42が１サイクルの動作を
行って試料３を１ピッチ送り、再びヒートブロック14、
34が上昇して試料３に圧接してキュア炉10においては試
料３がキュアされ、ワイヤボンダー30においてはワイヤ
ボンデイングが行われる。以後、前記動作を順次繰返
す。
このように、キュア炉10でキュアされた試料３はワイヤ
ボンダー30に供給されるので、キュア後の酸化防止装置
が不要となると共に、キュア後の運搬も不要となる。ま
たワイヤボンダー30に供給される試料３はキュア炉10で
十分にボンデイングできる温度に加熱されているので、
ワイヤボンデイングのヒートブロック34は試料３を一定
温度に保持するのみでよく、またワイヤボンダー30のヒ
ートブロック34と蓋32間に水素と不活性ガスとの混合ガ
スを流した場合には、前記保持時間内で試料３の還元が
十分に行えるので、ボンダビリティーが大幅に向上する
と共に、生産性も向上する。また試料３の加熱及び冷却
が１度でよいので、製品の信頼性が向上する。
ボンダー30に供給されるので、キュア後の酸化防止装置
が不要となると共に、キュア後の運搬も不要となる。ま
たワイヤボンダー30に供給される試料３はキュア炉10で
十分にボンデイングできる温度に加熱されているので、
ワイヤボンデイングのヒートブロック34は試料３を一定
温度に保持するのみでよく、またワイヤボンダー30のヒ
ートブロック34と蓋32間に水素と不活性ガスとの混合ガ
スを流した場合には、前記保持時間内で試料３の還元が
十分に行えるので、ボンダビリティーが大幅に向上する
と共に、生産性も向上する。また試料３の加熱及び冷却
が１度でよいので、製品の信頼性が向上する。
ところで、キュア炉10でキュアする時間及びワイヤボン
ダー30でワイヤボンデイングする時間は、試料３の材
質、１個のダイ２に対するワイヤボンデイング本数等に
よって異なるが、例えばワイヤボンデイング本数が16本
であり、ダイ２の大きさが2mmである場合には、ワイヤ
ボンデイング時間は約４秒であるのに対し、キュア時間
は10〜40秒であるので、前記した１サイクルの動作はワ
イヤボンデイングの時間によって決める必要がある。そ
こで、試料３がキュア炉10内で前記時間キュアされるよ
うに、キュア炉10の長さは長くする必要がある。
ダー30でワイヤボンデイングする時間は、試料３の材
質、１個のダイ２に対するワイヤボンデイング本数等に
よって異なるが、例えばワイヤボンデイング本数が16本
であり、ダイ２の大きさが2mmである場合には、ワイヤ
ボンデイング時間は約４秒であるのに対し、キュア時間
は10〜40秒であるので、前記した１サイクルの動作はワ
イヤボンデイングの時間によって決める必要がある。そ
こで、試料３がキュア炉10内で前記時間キュアされるよ
うに、キュア炉10の長さは長くする必要がある。
なお、上記実施例においては、ヒートブロック14は３個
よりなっているが、一体でもよく、また２個又は４個以
上でもよい。またキュア炉10のハウジング11とワイヤボ
ンダー30のハウジング31は分割されているが、ハウジン
グ11、31は一体でもよい。またキュア炉10においては、
接着剤がキュアされる時にガスが発生するので、このガ
スを除去するように、カバー23又はハウジング11にパイ
プを取付け、このパイプよりハウジング11内のガスを吸
引するようにしてキュア炉10内をクリーンに保つように
してもよい。
よりなっているが、一体でもよく、また２個又は４個以
上でもよい。またキュア炉10のハウジング11とワイヤボ
ンダー30のハウジング31は分割されているが、ハウジン
グ11、31は一体でもよい。またキュア炉10においては、
接着剤がキュアされる時にガスが発生するので、このガ
スを除去するように、カバー23又はハウジング11にパイ
プを取付け、このパイプよりハウジング11内のガスを吸
引するようにしてキュア炉10内をクリーンに保つように
してもよい。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、キュ
ア炉及び前記ワイヤボンダーは、試料をガイドするガイ
ド溝が形成されたハウジングと、このハウジングの上面
に固定された蓋と、前記ハウジング内に配設されたヒー
トブロックとをそれぞれ有し、前記キュア炉のハウジン
グと前記ワイヤボンダーのハウジングとは、連続して直
列に配設され、かつ前記キュア炉のハウジングのガイド
溝と前記ワイヤボンダーのハウジングのガイド溝は、同
一面上に形成されているので、試料の加熱を繰返す必要
がなく、製品の信頼性及び生産性の向上が図れ、更に特
殊なキュア炉及びキュア後の酸化防止処置が不要であ
る。
ア炉及び前記ワイヤボンダーは、試料をガイドするガイ
ド溝が形成されたハウジングと、このハウジングの上面
に固定された蓋と、前記ハウジング内に配設されたヒー
トブロックとをそれぞれ有し、前記キュア炉のハウジン
グと前記ワイヤボンダーのハウジングとは、連続して直
列に配設され、かつ前記キュア炉のハウジングのガイド
溝と前記ワイヤボンダーのハウジングのガイド溝は、同
一面上に形成されているので、試料の加熱を繰返す必要
がなく、製品の信頼性及び生産性の向上が図れ、更に特
殊なキュア炉及びキュア後の酸化防止処置が不要であ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す正面断面図、第２図は
第１図の平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線断面図、第
４図は第２図のＢ−Ｂ線断面図、第５図は送り爪の移動
軌跡を示す説明図、第６図は半導体装置の製造工程説明
図である。 1:リードフレーム、2:ダイ、3:試料、10:キュア炉、30:
ワイヤボンダー、11、31:ハウジング、11a、31a:ガイド
溝、12、32:蓋、14、34:ヒートブロック、21、41:爪レ
バー、22、42:送り爪、57:試料送り軸、60:ボンデイン
グヘッド、61:ボンデイングツール。
第１図の平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線断面図、第
４図は第２図のＢ−Ｂ線断面図、第５図は送り爪の移動
軌跡を示す説明図、第６図は半導体装置の製造工程説明
図である。 1:リードフレーム、2:ダイ、3:試料、10:キュア炉、30:
ワイヤボンダー、11、31:ハウジング、11a、31a:ガイド
溝、12、32:蓋、14、34:ヒートブロック、21、41:爪レ
バー、22、42:送り爪、57:試料送り軸、60:ボンデイン
グヘッド、61:ボンデイングツール。
Claims (4)
- 【請求項１】リードフレームに接着剤を介してダイがボ
ンデイングされた試料をキュアするキュア炉と、このキ
ュア炉でキュアされた試料にワイヤボンデイングを施す
ボンデイングツールをXY方向及び上下方向に駆動するボ
ンデイングヘッドを有するワイヤボンダーと、前記キュ
ア炉内及びこのキュア炉より前記ワイヤボンダーのボン
デイング部に試料を送る試料送り手段とを備えた半導体
装置の製造装置において、前記キュア炉及び前記ワイヤ
ボンダーは、試料をガイドするガイド溝が形成されたハ
ウジングと、このハウジングの上面に固定された蓋と、
前記ハウジング内に配設されたヒートブロックとをそれ
ぞれ有し、前記キュア炉のハウジングと前記ワイヤボン
ダーのハウジングとは、連続して直列に配設され、かつ
前記キュア炉のハウジングのガイド溝と前記ワイヤボン
ダーのハウジングのガイド溝は、同一面上に形成されて
いることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】前記キュア炉のハウジングと前記ワイヤボ
ンダーのハウジングは、一体に形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造
装置。 - 【請求項３】前記試料送り手段は、上下動及び水平往復
動可能で上方より試料に係合して間欠的に送る送り爪を
有し、前記蓋には、前記送り爪の移動を妨げないように
横長の送り爪用逃げ穴が形成され、かつ蓋上には、前記
送り爪用逃げ穴を覆うようにカバーが載置され、このカ
バーには前記送り爪が遊嵌する送り爪用窓が形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置の製造装置。 - 【請求項４】前記蓋と前記ヒートブロック間にフォーミ
ングガスを流すように構成してなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166543A JPH07120679B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 半導体装置の製造装置 |
| US07/374,542 US4986460A (en) | 1988-07-04 | 1989-06-30 | Apparatus for manufacturing semiconductor devices |
| KR1019890009410A KR920005799B1 (ko) | 1988-07-04 | 1989-07-03 | 반도체 장치의 제조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166543A JPH07120679B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0216742A JPH0216742A (ja) | 1990-01-19 |
| JPH07120679B2 true JPH07120679B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=15833225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63166543A Expired - Fee Related JPH07120679B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4986460A (ja) |
| JP (1) | JPH07120679B2 (ja) |
| KR (1) | KR920005799B1 (ja) |
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| JP3264851B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2002-03-11 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
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| JP4406335B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-01-27 | 株式会社東芝 | 積層型半導体装置の製造方法および製造装置 |
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Family Cites Families (4)
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| JPS6381935A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Ltd | 組立装置 |
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1988
- 1988-07-04 JP JP63166543A patent/JPH07120679B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-06-30 US US07/374,542 patent/US4986460A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-03 KR KR1019890009410A patent/KR920005799B1/ko not_active Expired
Also Published As
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|---|---|
| KR920005799B1 (ko) | 1992-07-18 |
| KR900002435A (ko) | 1990-02-28 |
| US4986460A (en) | 1991-01-22 |
| JPH0216742A (ja) | 1990-01-19 |
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