JPH07120736B2 - 半導体整流素子 - Google Patents
半導体整流素子Info
- Publication number
- JPH07120736B2 JPH07120736B2 JP63172235A JP17223588A JPH07120736B2 JP H07120736 B2 JPH07120736 B2 JP H07120736B2 JP 63172235 A JP63172235 A JP 63172235A JP 17223588 A JP17223588 A JP 17223588A JP H07120736 B2 JPH07120736 B2 JP H07120736B2
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- JP
- Japan
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- heat dissipation
- copper
- kovar
- clad material
- silicon chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体整流素子に関し、特に車両の交流発電
機の整流装置に用いられる。
機の整流装置に用いられる。
（従来技術） 本発明に関連する半導体整流素子の一例は、第８図に示
す構造のものである。同図において、１はシリコンチッ
プ、２はわん状に成形された放熱容器であり、シリコン
チップ１はその一方の第一主面（図の下面）で、はんだ
層3aによって放熱容器２の凹底にマウントされ、シリコ
ンチップ１の他方の第二主面（図の上面）ははんだ層3b
によってリード線４に接続され、電極導出が行われてい
る。また、上記シリコンチップ１を保護するために、わ
ん状の放熱容器２の凹部内にはシリコーン樹脂のエンキ
ャップ材５が充填され、シリコンチップ１を被覆すると
ともにこれと放熱容器２とリード線４とを一体に封止す
る外囲器を構成している。
す構造のものである。同図において、１はシリコンチッ
プ、２はわん状に成形された放熱容器であり、シリコン
チップ１はその一方の第一主面（図の下面）で、はんだ
層3aによって放熱容器２の凹底にマウントされ、シリコ
ンチップ１の他方の第二主面（図の上面）ははんだ層3b
によってリード線４に接続され、電極導出が行われてい
る。また、上記シリコンチップ１を保護するために、わ
ん状の放熱容器２の凹部内にはシリコーン樹脂のエンキ
ャップ材５が充填され、シリコンチップ１を被覆すると
ともにこれと放熱容器２とリード線４とを一体に封止す
る外囲器を構成している。
ところで従来、放熱容器２は、熱伝導性のよい銅で製作
されるか、銅／インバー／銅のクラッド材で製作されて
いた。しかし、銅における20〜200℃の線膨脹係数は16.
7×10-6/℃で、シリコンにおけるそれ2.5×10-6/℃に比
べて極めて大きいため、整流素子におけるシリコンチッ
プの破損が多かった。また銅／インバー／銅［層厚比率
1/1/1］のクラッド材における20〜200℃の線膨脹係数は
11.2×10-6/℃と銅のそれよりもかなり小さくなってい
るが、50℃と170℃の繰返しサイクルの破壊試験の結果
はまだ満足できるものではなかった。
されるか、銅／インバー／銅のクラッド材で製作されて
いた。しかし、銅における20〜200℃の線膨脹係数は16.
7×10-6/℃で、シリコンにおけるそれ2.5×10-6/℃に比
べて極めて大きいため、整流素子におけるシリコンチッ
プの破損が多かった。また銅／インバー／銅［層厚比率
1/1/1］のクラッド材における20〜200℃の線膨脹係数は
11.2×10-6/℃と銅のそれよりもかなり小さくなってい
るが、50℃と170℃の繰返しサイクルの破壊試験の結果
はまだ満足できるものではなかった。
さらにサージ吸収機能をもった整流素子としてツェナー
タイプの整流素子を検討するにあたり、設計上の重要な
問題点はロードダンプサージ耐量であり、素子の降伏電
圧以上のサージが印加されると素子が破壊する場合があ
る。素子の破壊耐量を向上させるためには素子の放熱特
性をさらに改良（過渡熱特性を小さく）することが有効
であることがわかった。特に、車両の交流発電機に用い
られるサージ吸収機能をもった整流素子には放熱特性の
向上が不可欠である。
タイプの整流素子を検討するにあたり、設計上の重要な
問題点はロードダンプサージ耐量であり、素子の降伏電
圧以上のサージが印加されると素子が破壊する場合があ
る。素子の破壊耐量を向上させるためには素子の放熱特
性をさらに改良（過渡熱特性を小さく）することが有効
であることがわかった。特に、車両の交流発電機に用い
られるサージ吸収機能をもった整流素子には放熱特性の
向上が不可欠である。
ところが、従来品の素子構造では、ロードダンプサージ
の大きな発電機に対しては耐量が不足しており、耐量向
上のためにはシリコンチップの大型化や放熱板を厚くす
るなどが行われてきた。
の大きな発電機に対しては耐量が不足しており、耐量向
上のためにはシリコンチップの大型化や放熱板を厚くす
るなどが行われてきた。
また、放熱のよい銅製放熱容器の線膨脹係数は、前記し
たように16.7×10-6/℃でシリコンの2.5×10-6/℃に比
して約６倍と大きいため、シリコンチップを放熱容器に
はんだ接合をするとき、大きな熱応力が働き破損の原因
となる。従ってシリコンに極力近い線膨脹係数をもち、
かつ銅に比べて極端に熱伝導性が劣らない材質を選ぶ必
要があるが、適切な材料は知られていなかった。
たように16.7×10-6/℃でシリコンの2.5×10-6/℃に比
して約６倍と大きいため、シリコンチップを放熱容器に
はんだ接合をするとき、大きな熱応力が働き破損の原因
となる。従ってシリコンに極力近い線膨脹係数をもち、
かつ銅に比べて極端に熱伝導性が劣らない材質を選ぶ必
要があるが、適切な材料は知られていなかった。
（発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は、前記従来品よりも放熱特性と線膨脹係
数とがバランスした放熱容器を具備した整流素子を提供
することであり、またサージ吸収機能に必要なレベルの
優れた放熱特性をもつ整流素子の構造を提供することで
ある。
数とがバランスした放熱容器を具備した整流素子を提供
することであり、またサージ吸収機能に必要なレベルの
優れた放熱特性をもつ整流素子の構造を提供することで
ある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明請求項１にかかる半導体整流素子は、特にサージ
吸収機能を有するものに適し、銅とコバールと銅との３
層クラッド材からなる放熱容器の表層に、シリコンチッ
プの第一主面をはんだ接合し、さらにリード線とシリコ
ンチップの第二主面との間に、上記放熱容器におけると
同様の銅とコバールと銅との３層クラッド材からなる放
熱板を挾んではんだ接合した構造を有するとともに、該
３層クラッド材における全層厚に対するコバールの層厚
比率が10〜60％であることを特徴とする。請求項１にお
ける上記コバール層厚比率のクラッド材には、銅／コバ
ール／銅の厚さ構成として、3:1:3のものや1:2:1のもの
が含まれる。なお、本発明の参考例として、３層クラッ
ド材における全層厚に対するコバールの層厚比率が40〜
60％である放熱容器にシリコンチップの第一主面をはん
だ接合し、そしてシリコンチップの第二主面に直接リー
ド線をはんだ接合した構造の半導体整流素子を挙げる。
参考例における上記コバール層厚比率のクラッド材に
は、銅／コバール／銅の厚さ構成として1:2:1のものが
含まれる。
吸収機能を有するものに適し、銅とコバールと銅との３
層クラッド材からなる放熱容器の表層に、シリコンチッ
プの第一主面をはんだ接合し、さらにリード線とシリコ
ンチップの第二主面との間に、上記放熱容器におけると
同様の銅とコバールと銅との３層クラッド材からなる放
熱板を挾んではんだ接合した構造を有するとともに、該
３層クラッド材における全層厚に対するコバールの層厚
比率が10〜60％であることを特徴とする。請求項１にお
ける上記コバール層厚比率のクラッド材には、銅／コバ
ール／銅の厚さ構成として、3:1:3のものや1:2:1のもの
が含まれる。なお、本発明の参考例として、３層クラッ
ド材における全層厚に対するコバールの層厚比率が40〜
60％である放熱容器にシリコンチップの第一主面をはん
だ接合し、そしてシリコンチップの第二主面に直接リー
ド線をはんだ接合した構造の半導体整流素子を挙げる。
参考例における上記コバール層厚比率のクラッド材に
は、銅／コバール／銅の厚さ構成として1:2:1のものが
含まれる。
（作用） 第３図のグラフには、銅／コバール／銅の３層クラッド
材に関しコバールの層厚比率（横軸）に対するクラッド
材の線膨脹係数α（左縦軸）及び貫通方向の熱伝導率λ
（右縦軸）が示される。
材に関しコバールの層厚比率（横軸）に対するクラッド
材の線膨脹係数α（左縦軸）及び貫通方向の熱伝導率λ
（右縦軸）が示される。
また第４図のグラフには、シリコンチップ片側をクラッ
ド材に接合した場合（実線）において、コバールの層厚
比率（横軸）に対するチップ中央に働く最大主応力の係
数Ｐ（縦軸）が示される。該係数Ｐは、次式によって求
めたものである。
ド材に接合した場合（実線）において、コバールの層厚
比率（横軸）に対するチップ中央に働く最大主応力の係
数Ｐ（縦軸）が示される。該係数Ｐは、次式によって求
めたものである。
Ｐ＝E1t1b［mn/（mn＋１）］×（α１−α２）Ｔ ただし、ｍ＝（クラッド材の厚さt2）／（シリコンチッ
プの厚さt1） ｎ＝（クラッド材の縦弾性係数E2）／（シリコンチップ
の縦弾性係数E1） α1:シリコンチップの線膨脹係数 α2:クラッド材の線膨脹係数 T:温度差 b:試片の幅 第３図及び第４図のグラフから、参考例のように、シリ
コンチップの片主面にクラッド材をはんだ接合する場
合、熱伝導率と熱応力の双方を満足する関係にあるコバ
ールの割合は40〜60％の範囲であって、銅／コバール／
銅の厚さ構成1:2:1を中心としたものであることがわか
る。
プの厚さt1） ｎ＝（クラッド材の縦弾性係数E2）／（シリコンチップ
の縦弾性係数E1） α1:シリコンチップの線膨脹係数 α2:クラッド材の線膨脹係数 T:温度差 b:試片の幅 第３図及び第４図のグラフから、参考例のように、シリ
コンチップの片主面にクラッド材をはんだ接合する場
合、熱伝導率と熱応力の双方を満足する関係にあるコバ
ールの割合は40〜60％の範囲であって、銅／コバール／
銅の厚さ構成1:2:1を中心としたものであることがわか
る。
それとは別のコバールの割合が10〜25％の範囲、つまり
銅／コバール／銅の厚さ構成3:1:3を中心としたもの
は、熱伝導率は銅のそれに近く好ましいが、熱応力が大
きい難点がある。この場合、本発明請求項１におけるよ
うに、シリコンチップの両主面にクラッド材の放熱容器
及び放熱板をはんだ接合したものの熱応力（第４図破
線）は、片主面クラッド材接合におけるシリコンチップ
の熱応力（第４図実線）と同程度であるけれども、その
反りはなくすことができるから、実用における繰返し反
りによる破損をまぬかれ、従ってその高い放熱特性が利
用できる。シリコンチップの両主面にクラッド材をはん
だ接合して反りが生じないことは、銅／コバール／銅の
厚さ構成が上記の3:1:3のものばかりでなく、1:1:1のも
の及び1:2:1のものにおいても反りがなくなることは同
様であるから、本発明請求項１におけるコバールの割合
が10〜60％という範囲において採用できる。
銅／コバール／銅の厚さ構成3:1:3を中心としたもの
は、熱伝導率は銅のそれに近く好ましいが、熱応力が大
きい難点がある。この場合、本発明請求項１におけるよ
うに、シリコンチップの両主面にクラッド材の放熱容器
及び放熱板をはんだ接合したものの熱応力（第４図破
線）は、片主面クラッド材接合におけるシリコンチップ
の熱応力（第４図実線）と同程度であるけれども、その
反りはなくすことができるから、実用における繰返し反
りによる破損をまぬかれ、従ってその高い放熱特性が利
用できる。シリコンチップの両主面にクラッド材をはん
だ接合して反りが生じないことは、銅／コバール／銅の
厚さ構成が上記の3:1:3のものばかりでなく、1:1:1のも
の及び1:2:1のものにおいても反りがなくなることは同
様であるから、本発明請求項１におけるコバールの割合
が10〜60％という範囲において採用できる。
また、第５図は、コバール及びインバーについて、温度
（横軸）と常温からその温度までの全膨脹量（縦軸）を
示すグラフである。本発明の３層クラッド材においてコ
バールを採用した理由は、通常検討されている200℃ま
での線膨脹係数では、コバール（同図破線）がインバー
（同図一点鎖線）よりも劣っているが、200℃以上にお
ける曲線の傾斜ではコバールがインバーよりも優れてい
るからである。このコバールの利点から、はんだ接合や
厳しい熱衝撃試験において、コバールの３層クラッド材
が、銅に比べてばかりでなく、インバーの３層クラッド
材に比べてもはるかに有利に働くということが理解でき
よう。
（横軸）と常温からその温度までの全膨脹量（縦軸）を
示すグラフである。本発明の３層クラッド材においてコ
バールを採用した理由は、通常検討されている200℃ま
での線膨脹係数では、コバール（同図破線）がインバー
（同図一点鎖線）よりも劣っているが、200℃以上にお
ける曲線の傾斜ではコバールがインバーよりも優れてい
るからである。このコバールの利点から、はんだ接合や
厳しい熱衝撃試験において、コバールの３層クラッド材
が、銅に比べてばかりでなく、インバーの３層クラッド
材に比べてもはるかに有利に働くということが理解でき
よう。
（実施例） 第１図は、本発明請求項１にかかる第一及び第二実施例
のサージ吸収機能をもった整流素子の構造を示す。
のサージ吸収機能をもった整流素子の構造を示す。
同図において、放熱容器６は銅6aとコバール6bと銅6cの
３層クラッド材からなり、ツェナーダイオードのシリコ
ンチップ１はその下面ではんだ層3aによって、放熱容器
６の凹底にマウントされ、またシリコンチップ１はその
上面で銅7aとコバール7bと銅7cの３層クラッド材の放熱
板７にはんだ層3bによって接合され、放熱板７の他面7c
ははんだ層3cによってリード線４に接続され電極導出が
行われている。そして、わん状の放熱容器６の凹部内に
はシリコーン樹脂の保護用エンキャップ材５が充填さ
れ、シリコンチップ１を被覆するとともに放熱容器６と
放熱板７とリード線４とを一体に封止する外囲器を構成
している。
３層クラッド材からなり、ツェナーダイオードのシリコ
ンチップ１はその下面ではんだ層3aによって、放熱容器
６の凹底にマウントされ、またシリコンチップ１はその
上面で銅7aとコバール7bと銅7cの３層クラッド材の放熱
板７にはんだ層3bによって接合され、放熱板７の他面7c
ははんだ層3cによってリード線４に接続され電極導出が
行われている。そして、わん状の放熱容器６の凹部内に
はシリコーン樹脂の保護用エンキャップ材５が充填さ
れ、シリコンチップ１を被覆するとともに放熱容器６と
放熱板７とリード線４とを一体に封止する外囲器を構成
している。
第一実施例のシリコンチップ１の両主面に接合する放熱
容器６と放熱板７に使用されたクラッド材には、銅／コ
バール／銅の厚さ構成が3:1:3（コバール層厚比率は14.
3％である）のもの６ロットが供試され、各ロットのコ
バール層厚比率実測価は、10.2％、14.3％、14.7％、1
4.7％、18.8％、24.5％であった。
容器６と放熱板７に使用されたクラッド材には、銅／コ
バール／銅の厚さ構成が3:1:3（コバール層厚比率は14.
3％である）のもの６ロットが供試され、各ロットのコ
バール層厚比率実測価は、10.2％、14.3％、14.7％、1
4.7％、18.8％、24.5％であった。
また第二実施例の放熱容器６と放熱板７に使用されたク
ラッド材は、その厚さ構成が1:2:1（コバール層厚比率
は50％である）のもの６ロットが供試され、各ロットの
コバール層厚比率実測価は、40.6％、48.7％、50.8％、
51.0％、53.7％、59.8％であった。
ラッド材は、その厚さ構成が1:2:1（コバール層厚比率
は50％である）のもの６ロットが供試され、各ロットの
コバール層厚比率実測価は、40.6％、48.7％、50.8％、
51.0％、53.7％、59.8％であった。
整流素子のサージ耐量試験は、第６図のテスト回路（Ｃ
＝80000μＦ）によって破壊時のコンデンサピーク電圧
を測定した。その結果を第７図の棒グラフ（ロット毎）
に示したが、この場合の目標とする電圧レベルは図示し
たように90Vである。対照例としたものは、第７図に示
す銅の放熱容器のみを用いた従来品と、次に説明する厚
さ構成1:2:1クラッド材の放熱容器のみを用いた参考例
の素子である。
＝80000μＦ）によって破壊時のコンデンサピーク電圧
を測定した。その結果を第７図の棒グラフ（ロット毎）
に示したが、この場合の目標とする電圧レベルは図示し
たように90Vである。対照例としたものは、第７図に示
す銅の放熱容器のみを用いた従来品と、次に説明する厚
さ構成1:2:1クラッド材の放熱容器のみを用いた参考例
の素子である。
第７図にみるように、整流素子においては、シリコンチ
ップの両主面にクラッド材を配置することによって従来
品（銅製）より放熱特性が高まり、特にサージ吸収機能
の優れた整流素子が得られることがわかる。
ップの両主面にクラッド材を配置することによって従来
品（銅製）より放熱特性が高まり、特にサージ吸収機能
の優れた整流素子が得られることがわかる。
また熱衝撃試験の結果、熱応力特性においても優れてい
ることが確認できた。熱衝撃試験は、−40℃の雰囲気に
30分間放置し、次に170℃の雰囲気に30分間放置すると
いうサイクルを繰り返して不良発生を調べるもので、10
0サイクルと200サイクルでその結果をみた。第８図に示
す銅の放熱容器のみを用いた従来品では、シリコンチッ
プが破損して素子が機能しなくなる割合は、100サイク
ルで２％程度あったが、第一実施例は各ロットとも100
サイクルで０％、200サイクルで0.1％以下であり、第二
実施例は各ロットとも100サイクル、200サイルとも０％
であった。上記実施例の結果は、シリコンチップの両主
面にクラッド材を配置することによってサイクル中にチ
ップの繰返し反りがなくなったことによるものである。
ることが確認できた。熱衝撃試験は、−40℃の雰囲気に
30分間放置し、次に170℃の雰囲気に30分間放置すると
いうサイクルを繰り返して不良発生を調べるもので、10
0サイクルと200サイクルでその結果をみた。第８図に示
す銅の放熱容器のみを用いた従来品では、シリコンチッ
プが破損して素子が機能しなくなる割合は、100サイク
ルで２％程度あったが、第一実施例は各ロットとも100
サイクルで０％、200サイクルで0.1％以下であり、第二
実施例は各ロットとも100サイクル、200サイルとも０％
であった。上記実施例の結果は、シリコンチップの両主
面にクラッド材を配置することによってサイクル中にチ
ップの繰返し反りがなくなったことによるものである。
第２図はシリコンチップの片側にクラッド材放熱容器を
配設した参考例の構造を示す。
配設した参考例の構造を示す。
同図において、放熱容器６は銅6aとコバール6bと銅6cの
３層クラッド材からなり、ダイオードのシリコンチップ
１はその下面ではんだ層3aによって、放熱容器６の凹底
にマウントされ、またシリコンチップ１はその上面では
んだ層3bによってリード線４に接続され電極導出が行わ
れている。そして、上記シリコンチップ１を保護するた
めに、わん状の放熱容器６の凹部内にはシリコーン樹脂
のエンキャップ材５が充填され、シリコンチップ１を被
覆するとともにこれと放熱容器６とリード線４とを一体
に封止する外囲器を構成している。
３層クラッド材からなり、ダイオードのシリコンチップ
１はその下面ではんだ層3aによって、放熱容器６の凹底
にマウントされ、またシリコンチップ１はその上面では
んだ層3bによってリード線４に接続され電極導出が行わ
れている。そして、上記シリコンチップ１を保護するた
めに、わん状の放熱容器６の凹部内にはシリコーン樹脂
のエンキャップ材５が充填され、シリコンチップ１を被
覆するとともにこれと放熱容器６とリード線４とを一体
に封止する外囲器を構成している。
そして、参考例の放熱容器６に使用されたクラッド材
は、その厚さ構成が1:2:1（コバール層厚比率は50％で
ある）のもの６ロットが供試され、各ロットのコバール
層厚比率実測価は、40.6％、48.7％、50.8％、51.0％、
53.7％、59.8％であった。
は、その厚さ構成が1:2:1（コバール層厚比率は50％で
ある）のもの６ロットが供試され、各ロットのコバール
層厚比率実測価は、40.6％、48.7％、50.8％、51.0％、
53.7％、59.8％であった。
この参考例は、第３図にみるように、放熱容器クラッド
材の貫通方向の熱伝導率はコバール100％のものと同程
度であるけれども拡がり方向の熱伝導率はそれよりはる
かに良い。また第４図にみるように、シリコンチップに
及ぼす熱応力については、コバール100％のものとほぼ
同じ値であるから、放熱特性と熱伝導率の特性はバラン
スしている。さらに、第５図の説明にあるとおり、はん
だ接合などにおける熱応力についても良い。そのため、
熱衝撃試験の結果は極めて優れている。すなわち、シリ
コンチップが破損して素子が機能しなくなる割合が、銅
製放熱容器を用いた第８図従来品は100サイクルで２％
程度あったが、参考例は各ロットとも100サイクルで０
％、200サイクルで0.1％以下であった。そして各ロット
の結果からコバール層厚比率が40〜60％の範囲において
それが確認された。
材の貫通方向の熱伝導率はコバール100％のものと同程
度であるけれども拡がり方向の熱伝導率はそれよりはる
かに良い。また第４図にみるように、シリコンチップに
及ぼす熱応力については、コバール100％のものとほぼ
同じ値であるから、放熱特性と熱伝導率の特性はバラン
スしている。さらに、第５図の説明にあるとおり、はん
だ接合などにおける熱応力についても良い。そのため、
熱衝撃試験の結果は極めて優れている。すなわち、シリ
コンチップが破損して素子が機能しなくなる割合が、銅
製放熱容器を用いた第８図従来品は100サイクルで２％
程度あったが、参考例は各ロットとも100サイクルで０
％、200サイクルで0.1％以下であった。そして各ロット
の結果からコバール層厚比率が40〜60％の範囲において
それが確認された。
［発明の効果］ 本発明請求項１にかかる特定クラッド材を放熱容器と放
熱板に用いた整流素子によれば、サージ吸収機能のため
特に放熱特性が必要であるツェナータイプの整流素子に
好適であるなど、放熱特性に優れた整流素子が提供され
る。
熱板に用いた整流素子によれば、サージ吸収機能のため
特に放熱特性が必要であるツェナータイプの整流素子に
好適であるなど、放熱特性に優れた整流素子が提供され
る。
第１図は本発明請求項１にかかる整流素子の断面図、第
２図は参考例にかかる整流素子の断面図、第３図ないし
第５図は本発明に使用するクラッド材の特性を説明する
グラフ、第６図はサージ耐量試験装置の回路図、第７図
は本発明実施例のサージ耐量試験結果を示す棒グラフ、
第８図は従来の整流素子の断面図である。 １……シリコンチップ、2,6……放熱容器、3a,3b,3c…
…はんだ層、４……リード線、５……エンキャップ材、
７……放熱板、6a,6c,7a,7c……クラッド材の銅層、6b,
7b……クラッド材のコバール層。
２図は参考例にかかる整流素子の断面図、第３図ないし
第５図は本発明に使用するクラッド材の特性を説明する
グラフ、第６図はサージ耐量試験装置の回路図、第７図
は本発明実施例のサージ耐量試験結果を示す棒グラフ、
第８図は従来の整流素子の断面図である。 １……シリコンチップ、2,6……放熱容器、3a,3b,3c…
…はんだ層、４……リード線、５……エンキャップ材、
７……放熱板、6a,6c,7a,7c……クラッド材の銅層、6b,
7b……クラッド材のコバール層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭49−51873（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−28275（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−252457（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】わん状の金属製放熱容器の内底に、整流機
能を有する半導体チップを、チップ第一主面の電極では
んだ接合させ、一方リード線の一端に金属製の放熱板を
はんだ接合させるとともに該放熱板に該半導体チップを
チップ第二主面の電極ではんだ接合させ、該放熱容器内
を樹脂封止した半導体整流素子であって、該放熱容器及
び該放熱板が銅とコバールと銅の３層クラッド材から成
るとともに該３層クラッド材におけるコバールの層厚比
率が10〜60％であることを特徴とする半導体整流素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63172235A JPH07120736B2 (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体整流素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63172235A JPH07120736B2 (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体整流素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222847A JPH0222847A (ja) | 1990-01-25 |
| JPH07120736B2 true JPH07120736B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=15938118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63172235A Expired - Lifetime JPH07120736B2 (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体整流素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120736B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4875902B2 (ja) * | 2006-02-08 | 2012-02-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| CN117476470A (zh) * | 2023-12-28 | 2024-01-30 | 广州美维电子有限公司 | 一种选镀金的大功率芯片散热铜基制作工艺 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4951873A (ja) * | 1972-09-20 | 1974-05-20 | ||
| JPS5845825B2 (ja) * | 1975-08-28 | 1983-10-12 | 株式会社東芝 | ハンドウタイセイリユウソシ |
| JPH0795575B2 (ja) * | 1987-04-09 | 1995-10-11 | 株式会社東芝 | 半導体整流素子 |
-
1988
- 1988-07-11 JP JP63172235A patent/JPH07120736B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0222847A (ja) | 1990-01-25 |
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Legal Events
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