JPH071214B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

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JPH071214B2
JPH071214B2 JP62066607A JP6660787A JPH071214B2 JP H071214 B2 JPH071214 B2 JP H071214B2 JP 62066607 A JP62066607 A JP 62066607A JP 6660787 A JP6660787 A JP 6660787A JP H071214 B2 JPH071214 B2 JP H071214B2
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JP
Japan
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pressure sensor
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silicon
sensor
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一昭 高見
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Sanyo Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は半導体圧力センサに関する。
(ロ)従来の技術 ダイアフラム部をもつシリコン圧力センサペレットを基
台に装着せる形態の半導体圧力センサはダイアフラム部
が被測定圧力により変形したときその変形量をピエゾ抵
抗効果を利用して電気量に変換し、圧力検出をなすもの
である。
従つて、この種のセンサでは、被測定圧力以外の他の要
因によりダイアフラム部が変形すると、もはや正確な圧
力検出を行えない。通常、最も問題となる上記他の要因
はセンサペレットと基台との間の熱膨張係数の差であ
る。即ち、この場合、温度変化によつてセンサの出力が
変化してしまうのである。
従来、この様な熱膨張係数の差の問題を解決すべく、セ
ンサペレットと基台との間をシリコンゴムにより接着
し、両者間の熱的歪の緩和を図ることも提案されている
が満足いくものではない。加えて、シリコンゴムはその
硬化時に収縮するのでその残留歪がダイアフラム部に影
響を与える。
先行技術として特開昭59-102131号公報に開示された発
明は、センサペレットと基台との間の接着材として、ゲ
ル状シリコーンを用いることで熱的歪の問題を劇的に解
決した。しかし、この場合ゲル状シリコーンは接着力が
比較的弱く従つて測定圧力印加時にセンサペレットを基
台からはがす方向の大きな力がダイアフラム部にかかつ
た場合、センサペレットと基台との間の接着状態が破壊
に至る危惧がある。これを防ぐためには基台上面にセン
サペレットをゲル状シリコーンで接着すると共に、更に
基台上面からセンサペレット上面にかけてゲル状シリコ
ーンで覆いつくさねばならず、それには大量のゲル状シ
リコーンを必要とし高価につく。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 本発明は、低価格にして、かつ熱的歪と接着力との問題
を解決しようとするものである。
(ニ)問題点を解決するための手段 本発明はシリコン圧力センサペレットと基台との間の接
着材として、シリコン粉、アルミナ粉、シリカ粉の少く
とも一種類以上を混入したゴム樹脂を用いたことを特徴
とする。
(ヘ)作用 本発明に使用するゴム樹脂は、強い接着力を示すと共
に、単体のゴム樹脂よりもシリコンに近い熱膨張係数を
示し、かつ樹脂硬化時の収縮も少ない。
(ト)実施例 図面は、本発明実施例の圧力センサ(1)を示す。
このセンサ(1)は、基台(2)の上面にその孔(3)
を塞ぐ配置にて圧力センサのペレット(4)を装着し、
ペレット表面を被覆材(5)で覆つた後、圧力導入筒
(6a)を有するパッケージ(6)を基台(2)上面に気
密固着した構造をもつ。
ペレット(4)はシリコンで形成され、約400μm厚さ
の環状周囲基部(4a)と、エッチングにより肉薄とされ
た約50μm厚さの円板状ダイアフラム部(4b)とからな
る。ダイアフラム部(4b)の表面にはピエゾ抵抗素子と
なる複数の拡散層(7)(7)…と、図には現われてい
ないが、これら拡散層より基部(4a)の上面にまで延び
る配線層が形成され、各配線層は基台(2)に植設した
リード(8)に金属細線(9)を介して電気的に連なつ
ている。
本実施例の特徴として、ペレットの基部(4a)は、シリ
コン粉を混入したゴム樹脂からなる接着材(10)にて基
台(2)に装着されている。接着材(10)はゴム樹脂で
あるため接着力が強く(ゲル状シリコーンの約10倍)、
又シリコン粉を混入しているため、ペレット(4)を構
成するシリコンの熱膨張係数(3.4×10-6/℃)により
近いそれをもち、かつ樹脂硬化時の熱収縮が軽減され
る。
接着材(10)用のゴム樹脂としては、シリコンゴムが好
適であり、例えばトーレシリコーン(株)より市販され
ている品番JCR6121のものが使用され、又シリコン粉と
しては粒径50μm以下のものが重量比にて、(ゴム樹
脂):(シリコン粉)=2:0.8乃至2:1.2の範囲、好適に
は2:1の割合で混入される。この様な混入体は真空中に
て、よく脱泡した後、50μm程度の厚みで基台(2)上
に塗布され、ペレット(4)装着後、70℃、1時間の前
加熱及び90℃、2〜4時間の後加熱で硬化される。
基台(2)の材料には、鉄又はコバール等が用いられ
る。被覆材(5)としては、ダイアフラム部(4b)の表
面保護のために、例えばゲル状シリコーンを用いて良
く、この場合ゲル状シリコーンの使用量は極めて少なく
て済み、高価とならない。
尚、シリコン粉の他、アルミナ粉やシリカ粉を夫々単独
で、又は組合わせてゴム樹脂に混入されて良い。
(ト)発明の効果 本発明によれば、熱的歪や接着力不足を伴うことなく、
かつ安価にセンサペレットと基台との接着を行うことが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の断面図であり、(2)は基台、
(4)はペレット、(10)は接着材である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ダイアフラム部をもつシリコン圧力センサ
    ペレットを、シリコン粉、アルミナ粉、シリカ粉の少な
    くとも一種類以上を混入したゴム樹脂により、基台に接
    着したことを特徴とする半導体圧力センサ。
JP62066607A 1987-03-20 1987-03-20 半導体圧力センサ Expired - Fee Related JPH071214B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5128309B2 (ja) * 1973-07-09 1976-08-18
JPS5128309A (ja) * 1974-09-02 1976-03-10 San Ando Shii Konsarutanto Kk Sandodoreenkohonokeeshingudonyukokutsusakusochi
JPS5826376B2 (ja) * 1977-09-26 1983-06-02 東芝シリコ−ン株式会社 ゴム状に硬化しうるオルガノポリシロキサン組成物
JPS5544778A (en) * 1978-09-27 1980-03-29 Hitachi Chem Co Ltd Package formation of semiconductor and the like
EP0033749B2 (de) * 1980-02-06 1987-11-11 Hans W. Dipl.-Phys. Keller Piezoresistive zylinderdosenartige Druckmesszelle
JPS5821131A (ja) * 1981-07-29 1983-02-07 Toshiba Corp 半導体圧力センサ
JPS58219259A (ja) * 1982-06-14 1983-12-20 Toray Silicone Co Ltd 熱伝導性シリコ−ンゴム組成物
JPS59102131A (ja) * 1982-12-03 1984-06-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
JPS61157569A (ja) * 1984-12-28 1986-07-17 Shin Etsu Polymer Co Ltd 熱伝導性接着組成物

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