JPH10170367A - 半導体式圧力センサ - Google Patents
半導体式圧力センサInfo
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- JPH10170367A JPH10170367A JP8328792A JP32879296A JPH10170367A JP H10170367 A JPH10170367 A JP H10170367A JP 8328792 A JP8328792 A JP 8328792A JP 32879296 A JP32879296 A JP 32879296A JP H10170367 A JPH10170367 A JP H10170367A
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 台座の高さを高くすることなく、基台からの
熱歪みの影響を緩和し、かつ熱ヒステリシスによる影響
を安定して低減する。 【解決手段】 ダイヤフラム１ａを有するセンサチップ
１を固定するガラス台座３を、エポキシ樹脂からなる基
台５にシリコン系の接着剤６によって接着し、接着剤６
の厚さを４０μｍ以上にした。また、接着剤６の厚さを
４０μｍ以上にするために、接着剤６の中にミクロビー
ズ７を混入した。
熱歪みの影響を緩和し、かつ熱ヒステリシスによる影響
を安定して低減する。 【解決手段】 ダイヤフラム１ａを有するセンサチップ
１を固定するガラス台座３を、エポキシ樹脂からなる基
台５にシリコン系の接着剤６によって接着し、接着剤６
の厚さを４０μｍ以上にした。また、接着剤６の厚さを
４０μｍ以上にするために、接着剤６の中にミクロビー
ズ７を混入した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体式圧力セン
サに関し、例えば自動車用の吸気圧センサ等に用いるこ
とができる。
サに関し、例えば自動車用の吸気圧センサ等に用いるこ
とができる。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体式圧力センサは、圧力を
受けて変位するダイヤフラムが形成されたセンサチップ
と、このセンサチップを固定するガラスもしくはシリコ
ンの台座を有している。そして、圧力によって生じるダ
イヤフラムの歪みをピエゾ抵抗（歪みゲージ）によって
検出している。また、台座は、金属ステム等の基台上に
半田付けされている。
受けて変位するダイヤフラムが形成されたセンサチップ
と、このセンサチップを固定するガラスもしくはシリコ
ンの台座を有している。そして、圧力によって生じるダ
イヤフラムの歪みをピエゾ抵抗（歪みゲージ）によって
検出している。また、台座は、金属ステム等の基台上に
半田付けされている。
【０００３】ここで、測定すべき圧力以外の要因によっ
てダイヤフラムに歪みが生じると、センサ特性の誤差要
因となる。例えば、基台が温度変化により歪むと、その
歪みがダイヤフラムに伝わって誤差要因になる。このた
め、基台として、熱膨張係数がシリコンあるいはガラス
台座に近いコバール、４２アロイあるいはセラミック基
板を用い、基台からの熱歪みをできるだけ小さくしてい
る。
てダイヤフラムに歪みが生じると、センサ特性の誤差要
因となる。例えば、基台が温度変化により歪むと、その
歪みがダイヤフラムに伝わって誤差要因になる。このた
め、基台として、熱膨張係数がシリコンあるいはガラス
台座に近いコバール、４２アロイあるいはセラミック基
板を用い、基台からの熱歪みをできるだけ小さくしてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の構成に
対し、コスト的な問題等から、基台を樹脂材料にて構成
し、その上に台座を接着剤にて接着することが考えられ
る。この場合、樹脂材料は、コバール、４２アロイある
いはセラミックに比べて熱膨張係数が大きく、その歪み
量も大きいため、基台からの熱歪みによるセンサ特性へ
の影響も大きくなる。
対し、コスト的な問題等から、基台を樹脂材料にて構成
し、その上に台座を接着剤にて接着することが考えられ
る。この場合、樹脂材料は、コバール、４２アロイある
いはセラミックに比べて熱膨張係数が大きく、その歪み
量も大きいため、基台からの熱歪みによるセンサ特性へ
の影響も大きくなる。
【０００５】特開昭５５−１９８６４号公報には、セン
サチップを固定する台座の高さを十分高くすることによ
って、基台からの熱歪みによるセンサ特性への影響を小
さくすることが開示されており、台座の高さを高くすれ
ば、基台を樹脂材料にて構成しても、その熱歪みによる
センサ特性への影響を低減することができる。しかしな
がら、台座の高さを高くすると、センシング部の高さが
高くなり、アッセンブリのサイズが大きくなるというデ
メリットがある。
サチップを固定する台座の高さを十分高くすることによ
って、基台からの熱歪みによるセンサ特性への影響を小
さくすることが開示されており、台座の高さを高くすれ
ば、基台を樹脂材料にて構成しても、その熱歪みによる
センサ特性への影響を低減することができる。しかしな
がら、台座の高さを高くすると、センシング部の高さが
高くなり、アッセンブリのサイズが大きくなるというデ
メリットがある。
【０００６】また、上述したような温度変化に対する熱
歪みの影響は、センサ自身の持つ温度特性とともに、信
号処理回路の温度補正回路によって補正することも可能
である。しかしながら、温度変化に対応しない要因に対
しては温度補正回路によっても補正することができな
い。温度変化に対応しない要因としては、接着剤や樹脂
材料のもつクリープ特性に起因するものが上げられる。
この場合、接着剤や樹脂材料は、一旦、温度をあげて元
に戻したときに、直ぐに元の状態に戻らずに、時間をか
けて徐々に戻っていくような変化をする（これを熱ヒス
テリシスという）。このようなセンサの温度変化と対応
せずに生じる変化については信号処理回路で補正するこ
とは困難である。
歪みの影響は、センサ自身の持つ温度特性とともに、信
号処理回路の温度補正回路によって補正することも可能
である。しかしながら、温度変化に対応しない要因に対
しては温度補正回路によっても補正することができな
い。温度変化に対応しない要因としては、接着剤や樹脂
材料のもつクリープ特性に起因するものが上げられる。
この場合、接着剤や樹脂材料は、一旦、温度をあげて元
に戻したときに、直ぐに元の状態に戻らずに、時間をか
けて徐々に戻っていくような変化をする（これを熱ヒス
テリシスという）。このようなセンサの温度変化と対応
せずに生じる変化については信号処理回路で補正するこ
とは困難である。
【０００７】本発明は上記問題に鑑みたもので、台座の
高さを高くすることなく、基台からの熱歪みの影響を緩
和し、かつ熱ヒステリシスによる影響を安定して低減す
ることを目的とする。
高さを高くすることなく、基台からの熱歪みの影響を緩
和し、かつ熱ヒステリシスによる影響を安定して低減す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、センサチップを
固定する台座を、樹脂材料からなる基台に樹脂接着剤に
よって接着し、樹脂接着剤の厚さを４０μｍ以上にした
ことを特徴としている。このように、樹脂接着剤の厚さ
を４０μｍ以上にすることによって、基台からの熱歪み
の影響を緩和し、かつ後述する図３の測定結果に示すよ
うに熱ヒステリシス量を安定して低減することができ
る。
め、請求項１に記載の発明においては、センサチップを
固定する台座を、樹脂材料からなる基台に樹脂接着剤に
よって接着し、樹脂接着剤の厚さを４０μｍ以上にした
ことを特徴としている。このように、樹脂接着剤の厚さ
を４０μｍ以上にすることによって、基台からの熱歪み
の影響を緩和し、かつ後述する図３の測定結果に示すよ
うに熱ヒステリシス量を安定して低減することができ
る。
【０００９】なお、樹脂接着剤としては、請求項２に記
載の発明のように、シリコン系の接着剤を用いることが
できる。この場合、シリコン系の接着剤としては、請求
項３に記載の発明のように、弾性力が１ＭＰａ以下であ
るものであるのが好ましい。また、請求項４に記載の発
明のように、樹脂接着剤に、その厚さを確保する手段を
混入するようにすれば、樹脂接着剤の厚さを容易に４０
μｍ以上にすることができる。この場合、その厚さを確
保する手段としては、請求項５に記載の発明のように、
ビーズを用いることができる。
載の発明のように、シリコン系の接着剤を用いることが
できる。この場合、シリコン系の接着剤としては、請求
項３に記載の発明のように、弾性力が１ＭＰａ以下であ
るものであるのが好ましい。また、請求項４に記載の発
明のように、樹脂接着剤に、その厚さを確保する手段を
混入するようにすれば、樹脂接着剤の厚さを容易に４０
μｍ以上にすることができる。この場合、その厚さを確
保する手段としては、請求項５に記載の発明のように、
ビーズを用いることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１に本発明の一実施形態に係る
半導体式圧力センサの構造を示す。本実施形態に係る半
導体式圧力センサは、自動車用の吸気圧センサとして用
いられる。センサチップ１は、シリコン基板にて構成さ
れ、ダイヤフラム１ａが形成されるとともに、その表面
に、ダイヤフラム１ａの変位を検出する拡散ゲージ（歪
みゲージ）２が形成されている。センサチップ１は、高
さ０．７ｍｍのアルミナケイ酸系のガラス台座３と陽極
接合されている。そして、センサチップ１とガラス台座
３との間で真空室４が形成され、ダイヤラム１ａは、表
面にかかる圧力と真空室４の圧力の差圧に応じて変位す
る。
半導体式圧力センサの構造を示す。本実施形態に係る半
導体式圧力センサは、自動車用の吸気圧センサとして用
いられる。センサチップ１は、シリコン基板にて構成さ
れ、ダイヤフラム１ａが形成されるとともに、その表面
に、ダイヤフラム１ａの変位を検出する拡散ゲージ（歪
みゲージ）２が形成されている。センサチップ１は、高
さ０．７ｍｍのアルミナケイ酸系のガラス台座３と陽極
接合されている。そして、センサチップ１とガラス台座
３との間で真空室４が形成され、ダイヤラム１ａは、表
面にかかる圧力と真空室４の圧力の差圧に応じて変位す
る。
【００１１】ガラス台座３は、接着剤６によって基台と
してのパッケージ材５に接着されている。パッケージ材
５は、エポキシ樹脂で構成されており、その熱膨張係数
は１４ｐｐｍ／℃である。接着剤６としては、弾性力が
０．６ＭＰａのシリコン系の接着剤が用いられる。ま
た、接着材６は弾性力が低く接着材６だけでは所望の厚
さにするのが困難であるため、接着剤６には、その厚さ
を確保するために、ジビニルベンゼンからなるミクロビ
ーズ７が混入されている。
してのパッケージ材５に接着されている。パッケージ材
５は、エポキシ樹脂で構成されており、その熱膨張係数
は１４ｐｐｍ／℃である。接着剤６としては、弾性力が
０．６ＭＰａのシリコン系の接着剤が用いられる。ま
た、接着材６は弾性力が低く接着材６だけでは所望の厚
さにするのが困難であるため、接着剤６には、その厚さ
を確保するために、ジビニルベンゼンからなるミクロビ
ーズ７が混入されている。
【００１２】拡散ゲージ２は、センサチップ１上に形成
された図示しないＡｌ薄膜による配線パターンおよびボ
ンディングワイヤにより、図示しない外部の信号処理回
路に電気的に接続されている。拡散ゲージ２は、センサ
チップ１の表面に４箇所形成されており、その４つの拡
散ゲージ２にて図２に示すブリッジ回路を構成してい
る。この場合、それぞれの拡散ゲージ２は、ダイヤラム
１ａへの圧力変化に対して図の矢印方向に抵抗値が増減
変化し、出力端子Ｂ、Ｃ間に、ダイヤフラム１ａにかか
る圧力に応じた電位差を発生させる。このＢ、Ｃ端子間
の電位差を信号処理回路にて増幅し、センサ出力を得
る。
された図示しないＡｌ薄膜による配線パターンおよびボ
ンディングワイヤにより、図示しない外部の信号処理回
路に電気的に接続されている。拡散ゲージ２は、センサ
チップ１の表面に４箇所形成されており、その４つの拡
散ゲージ２にて図２に示すブリッジ回路を構成してい
る。この場合、それぞれの拡散ゲージ２は、ダイヤラム
１ａへの圧力変化に対して図の矢印方向に抵抗値が増減
変化し、出力端子Ｂ、Ｃ間に、ダイヤフラム１ａにかか
る圧力に応じた電位差を発生させる。このＢ、Ｃ端子間
の電位差を信号処理回路にて増幅し、センサ出力を得
る。
【００１３】図３に、接着剤６の厚さを変えたときの熱
ヒステリシス量の測定結果を示す。熱ヒステリシス量
は、室温（２５℃）にてセンサ出力の初期値を測定し、
高温（１２０℃）で２時間放置したのち、２時間かけて
室温（２５℃）に戻して再度センサ出力を測定したとき
の、初期値との差から求められる。この場合、図２のＡ
端子から０．７４ｍＡの電流を流し、Ｂ、Ｃ端子間の電
位差を信号処理回路にて約２２０倍に増幅することによ
って、上記したセンサ出力を得ている。また、この測定
においては、ダイヤフラム１ａにかかる圧力Ｐを７５０
ｍｍＨｇ一定にしている。
ヒステリシス量の測定結果を示す。熱ヒステリシス量
は、室温（２５℃）にてセンサ出力の初期値を測定し、
高温（１２０℃）で２時間放置したのち、２時間かけて
室温（２５℃）に戻して再度センサ出力を測定したとき
の、初期値との差から求められる。この場合、図２のＡ
端子から０．７４ｍＡの電流を流し、Ｂ、Ｃ端子間の電
位差を信号処理回路にて約２２０倍に増幅することによ
って、上記したセンサ出力を得ている。また、この測定
においては、ダイヤフラム１ａにかかる圧力Ｐを７５０
ｍｍＨｇ一定にしている。
【００１４】この図３に示す結果から、接着剤６の厚さ
を４０μｍ以上にした場合、熱ヒステリシス量を安定し
て低減することができる。なお、図中の黒丸はミクロビ
ーズ７を混入しないものを示し、白丸は種々のサイズの
ミクロビーズ７を混入したものを示す。この場合、接着
剤６の厚さを４０μｍ以上確保するために、直径５０μ
ｍ以上のミクロビーズ７を混入している。
を４０μｍ以上にした場合、熱ヒステリシス量を安定し
て低減することができる。なお、図中の黒丸はミクロビ
ーズ７を混入しないものを示し、白丸は種々のサイズの
ミクロビーズ７を混入したものを示す。この場合、接着
剤６の厚さを４０μｍ以上確保するために、直径５０μ
ｍ以上のミクロビーズ７を混入している。
【００１５】また、接着剤６の厚さを４０μｍ以上にす
ることにより、パッケージ材５からの台座３への熱歪み
の影響を非常に小さくすることができる。このため、ガ
ラス台座３を高くしなくても熱歪みの影響を少なくする
ことができる。実際、台座３の高さを、０．７ｍｍから
０．５ｍｍに変化させた場合でも、上記と同様の結果を
得ることを確認している。
ることにより、パッケージ材５からの台座３への熱歪み
の影響を非常に小さくすることができる。このため、ガ
ラス台座３を高くしなくても熱歪みの影響を少なくする
ことができる。実際、台座３の高さを、０．７ｍｍから
０．５ｍｍに変化させた場合でも、上記と同様の結果を
得ることを確認している。
【００１６】なお、接着剤６の厚さは、使用上問題ない
範囲内であればその上限は特に問題とはならない。ま
た、シリコン系の接着剤６として、その弾性力が０．６
ＭＰａであるものを用いたが、１Ｍｐａ以下のものであ
れば、上記した効果を得ることができると考えられる。
範囲内であればその上限は特に問題とはならない。ま
た、シリコン系の接着剤６として、その弾性力が０．６
ＭＰａであるものを用いたが、１Ｍｐａ以下のものであ
れば、上記した効果を得ることができると考えられる。
【００１７】さらに、本発明は上記した実施形態に限定
されるものでなく、特許請求の範囲に記載した範囲内で
適宜変更が可能である。例えば、圧力センサとしては、
台座３を貫通してダイヤフラム１ａに測定媒体の圧力を
導入するタイプのものでもよく、また台座３としてはガ
ラス台座に限らずシリコン台座でもよく、さらに基台５
の樹脂材料、樹脂接着剤６においても、上記実施形態以
外の材料を用いることも可能である。
されるものでなく、特許請求の範囲に記載した範囲内で
適宜変更が可能である。例えば、圧力センサとしては、
台座３を貫通してダイヤフラム１ａに測定媒体の圧力を
導入するタイプのものでもよく、また台座３としてはガ
ラス台座に限らずシリコン台座でもよく、さらに基台５
の樹脂材料、樹脂接着剤６においても、上記実施形態以
外の材料を用いることも可能である。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体式圧力センサ
の構造を示す図である。
の構造を示す図である。
【図２】拡散ゲージ２によるブリッジ回路の構成を示す
図である。
図である。
【図３】接着剤６の厚さと熱ヒステリシス量の関係を示
す図である。
す図である。
１…センサチップ、１ａ…ダイヤフラム、２…拡散ゲー
ジ、３…ガラス台座、５…パッケージ材、６…接着剤、
７…ミクロビーズ。
ジ、３…ガラス台座、５…パッケージ材、６…接着剤、
７…ミクロビーズ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康利 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内
Claims (5)
- 【請求項１】 圧力を受けて変位するダイヤフラム（１
ａ）が形成され、このダイヤフラムの変位を検出する歪
みゲージ（２）を有するセンサチップ（１）と、 このセンサチップを固定する台座（３）とを備え、 前記台座が、樹脂材料からなる基台（５）に樹脂接着剤
（６）によって接着されてなる半導体式圧力センサであ
って、 前記樹脂接着剤の厚さを４０μｍ以上にしたことを特徴
とする半導体式圧力センサ。 - 【請求項２】 前記樹脂接着剤は、シリコン系の接着剤
であることを特徴とする請求項１に記載の半導体式圧力
センサ。 - 【請求項３】 前記シリコン系の接着剤は、弾性力が１
ＭＰａ以下のものであることを特徴とする請求項２に記
載の半導体式圧力センサ。 - 【請求項４】 前記樹脂接着剤に、その厚さを確保する
手段（７）が混入されていることを特徴とする請求項１
乃至３のいずれか１つに記載の半導体式圧力センサ。 - 【請求項５】 前記厚さを確保する手段は、ビーズ
（７）であることを特徴とする請求項４に記載の半導体
式圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8328792A JPH10170367A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 半導体式圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8328792A JPH10170367A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 半導体式圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10170367A true JPH10170367A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18214168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8328792A Pending JPH10170367A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | 半導体式圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10170367A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184561B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-02-06 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor having strain gauges and stress balance film |
| WO2008122467A1 (de) * | 2007-04-05 | 2008-10-16 | Robert Bosch Gmbh | Anschlusseinheit für eine druckmesszelle |
| DE102011078055A1 (de) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Denso Corporation | Halbleitersensor für eine physikalische Größe |
| CN103221798A (zh) * | 2010-11-22 | 2013-07-24 | 伊顿公司 | 压力感应软管 |
| US8733175B2 (en) | 2011-03-23 | 2014-05-27 | Denso Corporation | Pressure sensor |
| FR3020890A1 (fr) * | 2014-05-07 | 2015-11-13 | Radiotelephone Sfr | Dispositif et procede de determination de la penibilite d'une tache |
| US10955305B2 (en) * | 2017-06-23 | 2021-03-23 | Saginomiya Seisakusho, Inc. | Sensor chip junction structure and pressure sensor |
| CN113984255A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-01-28 | 深圳信息职业技术学院 | 一种自带温度补偿的压力传感器芯片的封装结构 |
| CN114136509A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-03-04 | 深圳信息职业技术学院 | 一种温度压力一体式mems传感器封装工艺 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06186104A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH0745642A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置 |
-
1996
- 1996-12-09 JP JP8328792A patent/JPH10170367A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06186104A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH0745642A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184561B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-02-06 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor having strain gauges and stress balance film |
| WO2008122467A1 (de) * | 2007-04-05 | 2008-10-16 | Robert Bosch Gmbh | Anschlusseinheit für eine druckmesszelle |
| DE102011078055A1 (de) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Denso Corporation | Halbleitersensor für eine physikalische Größe |
| US8552514B2 (en) | 2010-07-02 | 2013-10-08 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor |
| CN103221798A (zh) * | 2010-11-22 | 2013-07-24 | 伊顿公司 | 压力感应软管 |
| US8733175B2 (en) | 2011-03-23 | 2014-05-27 | Denso Corporation | Pressure sensor |
| FR3020890A1 (fr) * | 2014-05-07 | 2015-11-13 | Radiotelephone Sfr | Dispositif et procede de determination de la penibilite d'une tache |
| US10955305B2 (en) * | 2017-06-23 | 2021-03-23 | Saginomiya Seisakusho, Inc. | Sensor chip junction structure and pressure sensor |
| CN113984255A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-01-28 | 深圳信息职业技术学院 | 一种自带温度补偿的压力传感器芯片的封装结构 |
| CN114136509A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-03-04 | 深圳信息职业技术学院 | 一种温度压力一体式mems传感器封装工艺 |
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