JPH07121855A - 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法及びプラズマｃｖｄ成膜方法 - Google Patents

磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法及びプラズマｃｖｄ成膜方法

Info

Publication number
JPH07121855A
JPH07121855A JP5262177A JP26217793A JPH07121855A JP H07121855 A JPH07121855 A JP H07121855A JP 5262177 A JP5262177 A JP 5262177A JP 26217793 A JP26217793 A JP 26217793A JP H07121855 A JPH07121855 A JP H07121855A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording medium
magnetic recording
fluorine
carbon
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5262177A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3419045B2 (ja
Inventor
Hideyuki Ueda
英之 植田
Kenji Kuwabara
賢次 桑原
Hiroshi Seki
博司 関
Kiyoshi Takahashi
喜代司 高橋
Masaru Odagiri
優 小田桐
Mikio Murai
幹夫 村居
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP26217793A priority Critical patent/JP3419045B2/ja
Priority to DE69433956T priority patent/DE69433956T2/de
Priority to DE69419868T priority patent/DE69419868T2/de
Priority to EP94116379A priority patent/EP0650158B1/en
Priority to EP98118269A priority patent/EP0936600B1/en
Priority to US08/325,067 priority patent/US5496595A/en
Publication of JPH07121855A publication Critical patent/JPH07121855A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3419045B2 publication Critical patent/JP3419045B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/735—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the back layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、電磁変換特性と実用信頼性（走行
安定性、耐久性、耐候性）とを高次元で両立することの
できる磁気記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】 非磁性基板１の一方の面に強磁性金属薄膜３
を、他方の面にバックコート層５を形成した後、このバ
ックコート層５上にフッ素、ケイ素もしくは窒素を含
み、且つフッ素濃度が最表面から深さ方向に向かって減
少するとともに、ケイ素もしくは窒素濃度が最表面から
深さ方向に向かって増加する炭素膜６を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オーディオ・ビデオ機
器、コンピュータ等に用いられる磁気記録媒体に関する
ものであり、特に走行安定性、耐久性を改善するために
バックコート層を設けた磁気記録媒体に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録装置には大容量化、高速
化、高画質・高音質化、小型軽量化等が要望されるよう
になってきた。それに伴い磁気記録媒体としては高密度
記録を達成することが必要不可欠であり、従来からの磁
性体を結合剤中に分散させた塗布型磁気記録媒体に対
し、磁性層の残留磁束密度（Ｂｒ）及び保磁力（Ｈｃ）
が共に大きく、磁性層の薄膜化が可能であり、しかも磁
性層表面の超平滑化に最適である強磁性金属薄膜型磁気
記録媒体の開発、実用化が積極的に行われている。
【０００３】一方、磁性層の表面性の向上に伴い磁気記
録媒体の摩擦係数が増大し、走行安定性、耐久性が悪化
する傾向にあるため、磁性層形成面とは反対側の非磁性
基板上に特定の表面粗さを有するバックコート層を付与
する構成が提案されている（例えば、特公平５−９８４
２号公報等に記載）。
【０００４】特に強磁性金属薄膜型磁気記録媒体に用い
られるバックコート層の表面粗さは、巻き取り工程時あ
るいは熱処理工程時においてバックコート層の凹凸が磁
性層表面上に形状転写する、いわゆる裏移りを低減し、
電磁変換特性の悪化を防止するために可能な限り小さく
設定する必要がある。そのためバックコート層に含有す
る充填剤の粒子径を小さくし、充填剤の分散性向上を目
的として、過度の分散剤を使用したり、スルホン酸金属
塩等の極性基を分子中に比較的多量に導入した結合剤を
使用する方法が提案されている。しかしながらこれらの
方法では、バックコート層の塗膜強度を低下させること
につながり、テープ走行時に塗膜の削れやテープの折れ
が生じ易くなる。さらにテープの巻き取り時にバックコ
ート層の摩耗粉が磁性層面に移り、ヘッド目づまりやド
ロップアウトを増加させたり、出力低下の原因になる場
合もある。また長期に渡って保存した際には、磁性層と
バックコート層とが互いに張り付くブロッキング現象が
生じる等の問題を有していた。
【０００５】さらに強磁性金属薄膜型磁気記録媒体の磁
性層は、硬度が低く摩耗しやすいため、走行安定性、耐
久性を改善するために磁性層上に保護膜（例えば、ダイ
ヤモンド状炭素膜）、滑り性・撥水性効果を合わせ持つ
含フッ素系潤滑剤層を順次形成する構成が数多く提案さ
れている（例えば、特開平１−２４５４１７号公報及び
特開平２−１５８９０９号公報等に記載）。しかしなが
らダイヤモンド状炭素膜の表面状態が化学的に非常に不
活性であるため、高温高湿環境下に保存した場合に潤滑
剤成分が裏面のバックコート層上に転写し、ダイヤモン
ド状炭素膜上の潤滑剤量が減少することとなり、スチル
ライフが低下する等の問題が起こり、改善が望まれてい
た。
【０００６】そこで最近では、バックコート層の耐摩耗
性を改善するとともに、ブロッキング現象やバックコー
ト層への潤滑剤成分の転写を防止することを目的とし
て、磁性層形成面とは反対側の非磁性基板上に形成され
たバックコート層上に含フッ素硬質炭素膜を形成する構
成が開示されている（特開平４−３５３６１６号公報に
記載）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
構成においても、優れた電磁変換特性及び耐久性を兼ね
備えた磁気記録媒体を提供することは困難であり、未だ
数多くの問題が存在している。
【０００８】すなわちバックコート層上に直接含フッ素
硬質炭素膜を形成する構成では、硬質炭素膜中のフッ素
原子と炭素原子との結合エネルギーが非常に強い反面、
バックコート層表面上の原子、例えば炭素原子あるいは
酸素原子とフッ素原子との相互作用が極めて弱いため
に、テープ走行時もしくは巻き取り時に含フッ素硬質炭
素膜がバックコート層との界面にて剥離し、その剥離片
が磁性層面に移り、著しい出力低下を招いたり、長時間
のヘッド目づまりを発生させる等の問題を有していた。
【０００９】さらに炭素膜中のフッ素原子の含有量が多
い場合には、炭素膜自体の硬度が低下するために、走行
耐久性が返って悪化する結果を招いてしまう。
【００１０】本発明は上記課題を解決するものであり、
電磁変換特性を損なうことなく、走行安定性、耐久性、
耐候保存性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的
とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、非磁性基板の一方の面に磁性層を、他方の
面にカーボンブラックを主成分とする充填剤と結合剤と
からなるバックコート層をそれぞれ形成させた後、この
バックコート層上にフッ素、ケイ素もしくは窒素を含
み、且つフッ素濃度が最表面から深さ方向に向かって減
少するとともに、ケイ素もしくは窒素濃度が最表面から
深さ方向に向かって増加する炭素膜を形成する構成とす
る。
【００１２】
【作用】本発明によれば、炭素膜表面に適量存在するフ
ッ素原子により、炭素膜の表面エネルギー（臨界表面張
力γC ）が低下するため、耐ブロッキング性が改善され
るとともに磁性層形成面側からの潤滑剤成分の転写を低
減することが可能となる。
【００１３】また炭素膜の最表面から深さ方向（バック
コ−ト層との界面）に向かってフッ素原子濃度が減少す
るために、炭素膜の硬度を低下させることなく、バック
コート層形成面側の耐摩耗性を向上させることができ
る。
【００１４】さらにバックコート層表面上の原子、例え
ば炭素原子あるいは酸素原子と化学的親和力の強いケイ
素もしくは窒素を炭素膜のバックコート層との界面近傍
に多く分布させているために、炭素膜とバックコート層
との良好な密着性を確保することができる。
【００１５】したがって、炭素膜とバックコート層との
良好な密着性を保ちつつ、炭素膜の耐摩耗性、低エネル
ギー表面特性（撥水・撥油性）を充分に発揮することが
できるため、電磁変換特性を損なうことなく、走行安定
性、耐久性、耐候保存性に優れた磁気記録媒体を提供す
ることが可能となる。
【００１６】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照しな
がら詳細に説明する。
【００１７】図１は本発明の強磁性金属薄膜型磁気テー
プの構成を示す拡大断面図である。図中、１は非磁性基
板であり、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート、ポリアミド、ポリイミド等の高分子フィ
ルムを用いることができ、磁性層側の基板表面には最大
高さ粗さ（Ｒmax ）が１０ｎｍ〜２０ｎｍの微小突起層
２が形成されている。３は強磁性金属薄膜であり、真空
雰囲気中でＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等の金属もしくは合金を電
子ビーム等で加熱・蒸発させ、真空槽内にわずかな酸素
ガスを導入しながら、連続的に入射角を変化させた斜方
蒸着法により形成する。その膜厚は１５０ｎｍ〜２００
ｎｍである。４はダイヤモンド状炭素膜であり、プラズ
マＣＶＤ法、イオンビーム蒸着法、イオンビームスパッ
タ法、レーザー蒸着法等により形成することができ、そ
の膜厚は短波長領域での再生出力を確保するために、８
ｎｍ〜１２ｎｍが最適である。５はバックコート層であ
り、カーボンブラック、炭酸カルシウム、ポリエステル
樹脂、ニトロセルロース樹脂を主成分とした塗料を塗布
・乾燥させることにより形成する。その膜厚は５００ｎ
ｍ程度である。６は炭素膜であり、この炭素膜はフッ
素、ケイ素もしくは窒素を含有し、且つフッ素濃度が最
表面から深さ方向に向かって減少するとともに、ケイ素
もしくは窒素濃度が最表面から深さ方向に向かって増加
する構成を有するものである。その膜厚は３ｎｍ〜５０
ｎｍの範囲が好ましく、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が望ま
しい。また７はカルボキシル基等の極性基を分子中に導
入した含フッ素系潤滑剤層であり、湿式塗布法あるいは
有機蒸着法により形成し、その膜厚は３ｎｍ程度であ
る。
【００１８】また図２は本発明の強磁性金属薄膜型磁気
テープを構成している炭素膜６をプラズマＣＶＤ法を用
いて形成するための成膜装置の概略図を示したものであ
る。図中、８は真空槽であり、真空ポンプ９を用いて真
空槽８内部の圧力が１０-4ｔｏｒｒ〜１０-5ｔｏｒｒの
高真空状態となるように排気を行っている。１０は非磁
性基板１上に強磁性金属薄膜３、バックコート層５及び
ダイヤモンド状炭素膜４を形成させた金属薄膜型磁気テ
ープ用原反であり、巻き出しロール１１から送り出さ
れ、２本のパスロール１２、１３及び円筒状の冷却キャ
ン１４の外周面を経由して巻き取りロール１５に巻き取
られる。なお冷却キャン１４は金属薄膜型磁気テープ用
原反１０を一定速度で搬送できるように回転制御する働
きをしている。
【００１９】１６、１７、１８は炭素膜６を金属薄膜型
磁気テープ用原反１０のバックコート層表面上に成膜す
るための放電管（非平衡プラズマ発生空間）であり、放
電管１６、１７、１８の内部には、パイプ状の放電電極
１９、２０、２１がそれぞれ設置されている。パイプ状
の放電電極１９、２０、２１はプラズマ発生用電源２
２、２３、２４とそれぞれ接続されており、プラズマ発
生用電源２２、２３、２４としては、直流電圧または交
流電圧のどちらかのみを印加する方式や直流電圧と交流
電圧とを重畳させて印加する方式の三種類の放電方式を
採用することができる。２５、２６、２７は含フッ素有
機系ガス、含ケイ素有機系ガスもしくは含窒素有機系ガ
スもしくは含ケイ素・窒素有機系ガス及びアルゴン等の
無機系ガスを放電管１６、１７、１８内にそれぞれ導入
するための原料ガス導入口である。
【００２０】また図３は本発明の強磁性金属薄膜型磁気
テープを構成している炭素膜６をプラズマＣＶＤ法を用
いて形成するための成膜装置の概略図を示したものであ
る。図中、８は真空槽であり、真空ポンプ９を用いて真
空槽８内部の圧力が１０-4ｔｏｒｒ〜１０-5ｔｏｒｒの
高真空状態となるように排気を行っている。１０は非磁
性基板１上に強磁性金属薄膜３、バックコート層５及び
ダイヤモンド状炭素膜４を形成させた金属薄膜型磁気テ
ープ用原反であり、巻き出しロール１１から送り出さ
れ、２本のパスロール１２、１３及び円筒状の冷却キャ
ン１４の外周面を経由して巻き取りロール１５に巻き取
られる。なお冷却キャン１４は金属薄膜型磁気テープ用
原反１０を一定速度で搬送できるように回転制御する働
きをしている。
【００２１】２８は炭素膜６を金属薄膜型磁気テープ用
原反１０のバックコート層表面上に成膜するための放電
管（非平衡プラズマ発生空間）であり、放電管２８の内
部には、しきり板２９及びパイプ状の放電電極３０、３
１がそれぞれ設置されている。なお放電管２８の先端部
分と金属薄膜型磁気テープ用原反１０との間隙を０．５
ｍｍとし、しきり板２９の先端部分と金属薄膜型磁気テ
ープ用原反１０との間隙を５ｍｍとしている。放電電極
３０、３１はプラズマ発生用電源３２、３３と接続され
ており、プラズマ発生用電源３２、３３としては、直流
電圧または交流電圧のどちらかのみを印加する方式や直
流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する方式の三種類
の放電方式を採用することができる。３４、３５は含フ
ッ素有機系ガス、含ケイ素有機系ガスもしくは含窒素有
機系ガスもしくは含ケイ素・窒素有機系ガス及びアルゴ
ン等の無機系ガスを放電管２８内にそれぞれ導入するた
めの原料ガス導入口である。
【００２２】実施例（１） 走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）による表面形状分析で
最大高さ粗さ（Ｒmax）が１５ｎｍ程度の微小突起層２
が設けられている１０μｍ厚のポリエチレンテレフタレ
ートフィルム１表面上に連続入射角変化蒸着法を用いて
ＣｏＯからなる強磁性金属薄膜３を膜厚１８０ｎｍ形成
する。次に強磁性金属薄膜３表面上にメタン（ＣＨ4 ：
炭化水素系ガス）とアルゴン（Ａｒ：無機系ガス）との
混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド
状炭素膜４を膜厚１０ｎｍ形成する。さらに湿式塗布法
によりポリエチレンテレフタレートフィルム１の反対側
の表面上にバックコート層５を膜厚５００ｎｍ形成す
る。
【００２３】次に図２に示した成膜装置の真空槽８内部
に金属薄膜型磁気テープ用原反１０を設置し、真空槽８
内部を真空排気した後、放電管１６内にテトラメチルジ
シロキサン（（ＣＨ3）2ＨＳｉＯＳｉＨ（ＣＨ3）2：含
ケイ素有機系ガス）とアルゴンとをそれぞれ導入し、テ
トラメチルジシロキサンとアルゴンとの圧力比が４：
１、総ガス圧力が０．２０ｔｏｒｒとなるようにガス流
量の調整を行う。また放電管１７内にオクタフルオロシ
クロブタン（ｃ−Ｃ4Ｆ8：含フッ素有機系ガス）とテト
ラメチルジシロキサンとアルゴンとをそれぞれ導入し、
テトラメチルジシロキサンとオクタフルオロシクロブタ
ンとアルゴンとの圧力比が２：２：１、総ガス圧力が
０．２０ｔｏｒｒとなるようにガス流量の調整を行う。
さらに放電管１８内にオクタフルオロシクロブタンとア
ルゴンとをそれぞれ導入し、オクタフルオロシクロブタ
ンとアルゴンとの圧力比が４：１、総ガス圧力が０．２
０ｔｏｒｒとなるようにガス流量の調整を行う。
【００２４】その後、金属薄膜型磁気テープ用原反１０
を１５ｍ／ｍｉｎの走行スピードで搬送させるととも
に、パイプ状の放電電極１９、２０、２１に直流電圧８
００Ｖと交流電圧８００Ｖ（周波数２０ｋＨｚ）とを重
畳させて印加することで、非平衡プラズマを発生させ、
金属薄膜型磁気テープ用原反１０のバックコート層５表
面上にフッ素濃度が最表面から深さ方向（バックコ−ト
層との界面）に向かって減少し、且つケイ素濃度が最表
面から深さ方向に向かって増加する炭素膜６を膜厚１２
ｎｍ形成する。
【００２５】次にＣ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨのイソプ
ロピルアルコール溶液を湿式塗布法によりダイヤモンド
状炭素膜４表面上に膜厚３ｎｍ程度形成させた後、８ｍ
ｍ幅にスリットして８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テー
プを作製した。
【００２６】なおＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて
実施例（１）で作製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の
金属薄膜型磁気テープ用原反について炭素膜６表面の組
成分析を行った結果、炭素膜６表面近傍の炭素に対する
フッ素の原子比率は２５％であった。また金属薄膜型磁
気テープの炭素膜６表面の臨界表面張力γC 値は、１
７．５×１０-5Ｎ／ｃｍであった。
【００２７】実施例（２） 走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）による表面形状分析で
最大高さ粗さ（Ｒmax）が１５ｎｍ程度の微小突起層２
が設けられている１０μｍ厚のポリエチレンテレフタレ
ートフィルム１表面上に連続入射角変化蒸着法を用いて
ＣｏＯからなる強磁性金属薄膜３を膜厚１８０ｎｍ形成
する。次に強磁性金属薄膜３表面上にメタンとアルゴン
との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によりダイヤモ
ンド状炭素膜４を膜厚１０ｎｍ形成する。さらに湿式塗
布法によりポリエチレンテレフタレートフィルム１の反
対側の表面上にバックコート層５を膜厚５００ｎｍ形成
する。
【００２８】次に図３に示した成膜装置の真空槽８内部
に金属薄膜型磁気テープ用原反１０を設置し、真空槽８
内部を真空排気した後、原料ガス導入口３４よりテトラ
メチルジシロキサン（（ＣＨ3）2ＨＳｉＯＳｉＨ（ＣＨ
3）2：含ケイ素有機系ガス）とアルゴンとを放電管２８
内にそれぞれ導入し、テトラメチルジシロキサンとアル
ゴンとの圧力比が４：１、総ガス圧力が０．２０ｔｏｒ
ｒとなるようにガス流量の調整を行う。また原料ガス導
入口３５よりオクタフルオロシクロブタンとアルゴンと
を放電管２８内にそれぞれ導入し、オクタフルオロシク
ロブタンとアルゴンとの圧力比が４：１、総ガス圧力が
０．２０ｔｏｒｒとなるようにガス流量の調整を行う。
【００２９】その後、金属薄膜型磁気テープ用原反１０
を１５ｍ／ｍｉｎの走行スピードで搬送させるととも
に、パイプ状の放電電極３０、３１に直流電圧８００Ｖ
と交流電圧８００Ｖ（周波数２０ｋＨｚ）とを重畳させ
て印加することで、非平衡プラズマを発生させ、金属薄
膜型磁気テープ用原反１０のバックコート層５表面上に
フッ素濃度が最表面から深さ方向（バックコ−ト層との
界面）に向かって連続的に減少し、且つケイ素濃度が最
表面から深さ方向に向かって連続的に増加する炭素膜６
を膜厚１０ｎｍ形成する。
【００３０】次にＣ5Ｆ11（ＣＨ2）10ＣＯＯＨのイソプ
ロピルアルコール溶液を湿式塗布法によりダイヤモンド
状炭素膜４表面上に膜厚３ｎｍ程度形成させた後、８ｍ
ｍ幅にスリットして８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テー
プを作製した。
【００３１】なおＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて
実施例（２）で作製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の
金属薄膜型磁気テープ用原反について炭素膜６表面の組
成分析を行った結果、炭素膜６表面近傍の炭素に対する
フッ素の原子比率は２３％であった。また金属薄膜型磁
気テープの炭素膜６表面の臨界表面張力γC 値は、１
８．６×１０-5Ｎ／ｃｍであった。
【００３２】実施例（３） 炭素膜６形成用の原料ガスとして、テトラメチルジシロ
キサンの代わりにテトラメトキシシラン（（ＣＨ3Ｏ）2
Ｓｉ（ＯＣＨ3）2：含ケイ素有機系ガス）を用いるこ
と、またオクタフルオロシクロブタンの代わりに六フッ
化プロピレン（ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦ2：含フッ素有機系ガ
ス）を用いること以外は実施例（１）と同様な方法によ
り、８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００３３】なお実施例（３）でバックコート層５表面
上に形成した炭素膜６の膜厚は１０ｎｍであった。また
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて実施例（３）で作
製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の金属薄膜型磁気テ
ープ用原反について炭素膜６表面の組成分析を行った結
果、炭素膜６表面近傍の炭素に対するフッ素の原子比率
は１８％であった。また金属薄膜型磁気テープの炭素膜
６表面の臨界表面張力γC 値は、１９．８×１０-5Ｎ／
ｃｍであった。
【００３４】実施例（４） 炭素膜６形成用の原料ガスとして、テトラメチルジシロ
キサンの代わりにピリジン（Ｃ5Ｈ6Ｎ：含窒素有機系ガ
ス）を用いること、さらに放電管２８内のピリジンとア
ルゴンとの圧力比を４：１、総ガス圧力を０．２５ｔｏ
ｒｒとし、直流電圧１０００Ｖと交流電圧１３００Ｖ
（周波数２０ｋＨｚ）とを重畳させてパイプ状の放電電
極１９に印加すること以外は実施例（１）と同様な方法
により、８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
【００３５】なお実施例（４）でバックコート層５表面
上に形成した炭素膜６の膜厚は２５ｎｍであった。また
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて実施例（４）で作
製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の金属薄膜型磁気テ
ープ用原反について炭素膜６表面の組成分析を行った結
果、炭素膜６表面近傍の炭素に対するフッ素の原子比率
は２１％であった。また金属薄膜型磁気テープの炭素膜
６表面の臨界表面張力γC 値は、１８．１×１０-5Ｎ／
ｃｍであった。
【００３６】実施例（５） 炭素膜６形成用の原料ガスとして、テトラメチルジシロ
キサンの代わりにピリジン（Ｃ5Ｈ6Ｎ：含窒素有機系ガ
ス）を用いること、さらに原料ガス導入口３４よりピリ
ジンとアルゴンとを放電管２８内に導入し、ピリジンと
アルゴンとの圧力比を４：１、総ガス圧力を０．２５ｔ
ｏｒｒとし、直流電圧１０００Ｖと交流電圧１３００Ｖ
（周波数２０ｋＨｚ）とを重畳させてパイプ状の放電電
極３０に印加すること以外は実施例（２）と同様な方法
により、８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
【００３７】なお実施例（５）でバックコート層５表面
上に形成した炭素膜６の膜厚は２１ｎｍであった。また
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて実施例（５）で作
製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の金属薄膜型磁気テ
ープ用原反について炭素膜６表面の組成分析を行った結
果、炭素膜６表面近傍の炭素に対するフッ素の原子比率
は２０％であった。また金属薄膜型磁気テープの炭素膜
６表面の臨界表面張力γC 値は、１８．９×１０-5Ｎ／
ｃｍであった。
【００３８】実施例（６） 炭素膜６形成用の原料ガスとして、テトラメチルジシロ
キサンの代わりにアリルアミン（ＣＨ2＝ＣＨＣＨ2ＮＨ
2 ：含窒素有機系ガス）を用いること、またオクタフル
オロシクロブタンの代わりに四フッ化エチレン（ＣＦ2
＝ＣＦ2：含フッ素有機系ガス）を用いること、また炭
素膜６の最表層を形成するための原料ガスとして、オク
タフルオロシクロブタンの代わりに四フッ化エチレンと
メタンを用いること、さらに放電管１７内の四フッ化エ
チレンとアリルアミンとアルゴンとの圧力比を１：４：
１、総ガス圧力を０．１８ｔｏｒｒとすること、また放
電管１８内の四フッ化エチレンとメタンとアルゴンとの
圧力比を１：３：１、総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒと
すること以外は実施例（１）と同様な方法により、８ｍ
ｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープを作製した。
【００３９】なお実施例（６）でバックコート層５表面
上に形成した炭素膜６の膜厚は１８ｎｍであった。また
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて実施例（６）で作
製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の金属薄膜型磁気テ
ープ用原反について炭素膜６表面の組成分析を行った結
果、炭素膜６表面近傍の炭素に対するフッ素の原子比率
は１３％であった。また金属薄膜型磁気テープの炭素膜
６表面の臨界表面張力γC 値は、２２．７×１０-5Ｎ／
ｃｍであった。
【００４０】実施例（７） 炭素膜６形成用の原料ガスとして、テトラメチルジシロ
キサンの代わりにヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ3）3
ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3）3：含ケイ素・窒素有機系ガス）
を用いること、またオクタフルオロシクロブタンの代わ
りにパーフロロトルエン（Ｃ6Ｆ5（ＣＦ3） ：含フッ素
有機系ガス）を用いること、さらに放電管１８内のパー
フロロトルエンとアルゴンとの圧力比を４：１、総ガス
圧力を０．１５ｔｏｒｒとし、直流電圧１０００Ｖと交
流電圧１３００Ｖ（周波数２０ｋＨｚ）とを重畳させて
パイプ状の放電電極２１に印加すること以外は実施例
（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型
磁気テープを作製した。
【００４１】なお実施例（７）でバックコート層５表面
上に形成した炭素膜６の膜厚は１５ｎｍであった。また
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて実施例（７）で作
製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の金属薄膜型磁気テ
ープ用原反について炭素膜６表面の組成分析を行った結
果、炭素膜６表面近傍の炭素に対するフッ素の原子比率
は１０％であった。また金属薄膜型磁気テープの炭素膜
６表面の臨界表面張力γC 値は、２３．９×１０-5Ｎ／
ｃｍであった。
【００４２】実施例（８） 炭素膜６形成用の原料ガスとして、テトラメチルジシロ
キサンの代わりにヘキサメトキシジシラザン（（ＣＨ3
Ｏ）3ＳｉＮＨＳｉ（ＯＣＨ3）3：含ケイ素・窒素有機
系ガス）を用いること、またオクタフルオロシクロブタ
ンの代わりにパーフロロトルエンを用いること、また炭
素膜６の最表層を形成するための原料ガスとして、パー
フロロトルエンとトルエン（Ｃ6Ｈ5（ＣＨ3） ：炭化水
素系ガス）を用いること、さらに放電管１７内のパーフ
ロロトルエンとヘキサメトキシジシラザンとアルゴンと
の圧力比を１：３：１、総ガス圧力を０．１５ｔｏｒｒ
とし、直流電圧１０００Ｖと交流電圧１３００Ｖ（周波
数２０ｋＨｚ）とを重畳させてパイプ状の放電電極２０
に印加すること、また放電管１８内のパーフロロトルエ
ンとトルエンとアルゴンとの圧力比を１：２：１、総ガ
ス圧力を０．１６ｔｏｒｒとし、直流電圧１０００Ｖと
交流電圧１３００Ｖ（周波数２０ｋＨｚ）とを重畳させ
てパイプ状の放電電極２１に印加すること以外は実施例
（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型
磁気テープを作製した。
【００４３】なお実施例（８）でバックコート層５表面
上に形成した炭素膜６の膜厚は２０ｎｍであった。また
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて実施例（８）で作
製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の金属薄膜型磁気テ
ープ用原反について炭素膜６表面の組成分析を行った結
果、炭素膜６表面近傍の炭素に対するフッ素の原子比率
は７％であった。また金属薄膜型磁気テープの炭素膜６
表面の臨界表面張力γ C 値は、２７．７×１０-5Ｎ／ｃ
ｍであった。
【００４４】比較例（１） バックコート層５上に炭素膜６を形成しないこと以外は
実施例（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用金属
薄膜型磁気テープを作製した。
【００４５】比較例（２） 炭素膜６形成用の原料ガスとして、オクタフルオロシク
ロブタンの代わりにメタンを用いること以外は実施例
（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型
磁気テープを作製した。
【００４６】なお比較例（２）でバックコート層５表面
上に形成した炭素膜６の膜厚は１４ｎｍであった。また
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて比較例（２）で作
製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の金属薄膜型磁気テ
ープ用原反について炭素膜６表面の組成分析を行った結
果、炭素膜６表面近傍の炭素に対するフッ素の原子比率
は０％であった。また金属薄膜型磁気テープの炭素膜６
表面の臨界表面張力γ C 値は、３５．１×１０-5Ｎ／ｃ
ｍであった。
【００４７】比較例（３） 炭素膜６形成用の原料ガスとして、テトラメチルジシロ
キサンの代わりにアリルアミンを用いること、またオク
タフルオロシクロブタンの代わりに四フッ化エチレンを
用いること、また炭素膜６の最表層を形成するための原
料ガスとして、四フッ化エチレンとプロピレン（ＣＨ3
ＣＨ＝ＣＨ2：炭化水素系ガス）を用いること、さらに
放電管１７内の四フッ化エチレンとアリルアミンとアル
ゴンとの圧力比を１：１５：４、総ガス圧力を０．２０
ｔｏｒｒとすること、また放電管１８内の四フッ化エチ
レンとプロピレンとアルゴンとの圧力比を１：１９：
５、総ガス圧力を０．２５ｔｏｒｒとすること以外は実
施例（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用金属薄
膜型磁気テープを作製した。
【００４８】なお比較例（３）でバックコート層５表面
上に形成した炭素膜６の膜厚は２０ｎｍであった。また
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて比較例（３）で作
製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の金属薄膜型磁気テ
ープ用原反について炭素膜６表面の組成分析を行った結
果、炭素膜６表面近傍の炭素に対するフッ素の原子比率
は２％であった。また金属薄膜型磁気テープの炭素膜６
表面の臨界表面張力γ C 値は、３１．４×１０-5Ｎ／ｃ
ｍであった。
【００４９】比較例（４） 炭素膜６形成用の原料ガスとして、テトラメチルジシロ
キサンを使用せず、放電管１６、１７、１８内にオクタ
フルオロシクロブタンとアルゴンとをそれぞれ導入し、
オクタフルオロシクロブタンとアルゴンとの圧力比を
４：１、総ガス圧力を０．２０ｔｏｒｒとすること以外
は実施例（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用金
属薄膜型磁気テープを作製した。
【００５０】なお比較例（４）でバックコート層５表面
上に形成した炭素膜６の膜厚は１０ｎｍであった。また
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて比較例（４）で作
製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の金属薄膜型磁気テ
ープ用原反について炭素膜６表面の組成分析を行った結
果、炭素膜６表面近傍の炭素に対するフッ素の原子比率
は２６％であった。また金属薄膜型磁気テープの炭素膜
６表面の臨界表面張力γC 値は、１７．４×１０-5Ｎ／
ｃｍであった。
【００５１】比較例（５） 炭素膜６形成用の原料ガスとして、オクタフルオロシク
ロブタンを使用せず、放電管１６、１７、１８内にテト
ラメチルジシロキサンとアルゴンとをそれぞれ導入し、
テトラメチルジシロキサンとアルゴンとの圧力比を４：
１、総ガス圧力を０．２０ｔｏｒｒとすること以外は実
施例（１）と同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用金属薄
膜型磁気テープを作製した。
【００５２】なお比較例（５）でバックコート層５表面
上に形成した炭素膜６の膜厚は１８ｎｍであった。また
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて比較例（５）で作
製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の金属薄膜型磁気テ
ープ用原反について炭素膜６表面の組成分析を行った結
果、炭素膜６表面近傍の炭素に対するフッ素の原子比率
は０％であった。また金属薄膜型磁気テープの炭素膜６
表面の臨界表面張力γ C 値は、３９．１×１０-5Ｎ／ｃ
ｍであった。
【００５３】比較例（６） 放電管１６内にオクタフルオロシクロブタンとアルゴン
とをそれぞれ導入し、オクタフルオロシクロブタンとア
ルゴンとの圧力比を４：１、総ガス圧力を０．２０ｔｏ
ｒｒとすること、また放電管１８内にテトラメチルジシ
ロキサンとアルゴンとをそれぞれ導入し、テトラメチル
ジシロキサンとアルゴンとの圧力比を４：１、総ガス圧
力を０．２０ｔｏｒｒとすること以外は実施例（１）と
同様な方法により、８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テー
プを作製した。
【００５４】なお比較例（６）でバックコート層５表面
上に形成した炭素膜６の膜厚は１２ｎｍであった。また
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて比較例（６）で作
製した含フッ素系潤滑剤層７未形成の金属薄膜型磁気テ
ープ用原反について炭素膜６表面の組成分析を行った結
果、炭素膜６表面近傍の炭素に対するフッ素の原子比率
は０％であった。また金属薄膜型磁気テープの炭素膜６
表面の臨界表面張力γ C 値は、３７．２×１０-5Ｎ／ｃ
ｍであった。
【００５５】また実施例及び比較例における炭素膜６表
面の臨界表面張力γC 値は、含フッ素系潤滑剤層７未形
成の金属薄膜型磁気テープ用原反に対し、炭素膜６表面
に表面張力既知のぬれ指数標準液を滴下し、その液滴の
接触角θを測定する。次にぬれ指数標準液の表面張力に
対して接触角θの余弦（ｃｏｓθ）をプロットする（Ｚ
ｉｓｍａｎｎ Ｐｌｏｔの実施。）。最小二乗法により
得られた直線とｃｏｓθ＝１．０との交点に相当する表
面張力の値を求め、その値を炭素膜６表面の臨界表面張
力γC 値とした。なお使用したぬれ指数標準液の表面張
力は、３８、４５、５４、７２×１０-5 Ｎ／ｃｍであ
る。
【００５６】以上の実施例及び比較例にて得られた各８
ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープについて以下の測定
を行った。 （１）摩擦係数μk 直径４ｍｍ、表面粗さ０．２Ｓのステンレス円柱（ＳＵ
Ｓ４２０Ｊ２）に金属薄膜型磁気テープのバックコート
層形成面が９０゜に渡って接触するようにし、ステンレ
ス円柱に対して、入側張力を３０ｇ、テープ走行速度を
０．５ｍｍ／ｓｅｃに設定した時の出側張力Ｘｇを測定
し、次式から摩擦係数を求めた。
【００５７】
【数１】
【００５８】なお測定環境は２５℃−３０％ＲＨであ
り、摩擦係数としては、走行３０パス目の測定値を採用
することにした。 （２）出力低下 ５℃−８０％ＲＨの環境下、約６０分長の金属薄膜型磁
気テープに映像信号を記録し、再生を２００パス行う
（繰り返し走行による耐久試験）。出力低下の定義とし
ては、再生１パス目の出力を基準（０ｄＢ）とし、２０
０パス再生中に最も出力が低下した値（最低出力値）を
デシベル表示した。 （３）ヘッド目づまり 上記繰り返し走行による耐久試験において、６ｄＢ以上
の再生出力の低下が継続した時間をヘッド目づまり時間
とした。 （４）耐ブロッキング性 ４０℃−９０％ＲＨの環境下で約３０日間金属薄膜型磁
気テープを放置し、ブロッキングの発生有無を観察し
た。 （５）スチルライフ ４０℃−９０％ＲＨの環境下で約１０日間放置した金属
薄膜型磁気テープを用い、２３℃−１０％ＲＨの環境
下、荷重２０ｇの条件にて、スチルモードによる再生を
行い、映像信号が６ｄＢ落ち込むまでの時間を示した。
なお測定は最長６０分間で打ち切った。
【００５９】（表１）に各実施例、比較例にて作製した
８ｍｍＶＴＲ用金属薄膜型磁気テープの評価結果を示
す。
【００６０】
【表１】
【００６１】（表１）から明らかなように、実施例
（１）〜（８）は、フッ素、ケイ素もしくは窒素を含
み、且つフッ素濃度が最表面から深さ方向に向かって減
少するとともに、ケイ素もしくは窒素濃度が最表面から
深さ方向に向かって増加する炭素膜がバックコート層上
に設けられているため、炭素膜とバックコート層との良
好な密着性を保ちつつ、炭素膜の耐摩耗性、低エネルギ
ー表面特性（撥水・撥油性）を充分に発揮することがで
きるため、走行安定性の確保、出力低下、ヘッド目づま
りの大幅な改善、耐ブロッキング性、スチルライフの著
しい向上を同時に達成することができた。特に実施例
（２）及び実施例（５）においては、炭素膜中のフッ素
濃度及びケイ素濃度もしくは窒素濃度が連続的に変化し
ているため、炭素膜中の内部応力が緩和され、バックコ
ート層との密着性がさらに向上するため、実用信頼性
（走行安定性、耐久性、耐候性）が飛躍的に向上した。
【００６２】比較例（１）では、バックコート層の塗膜
強度が低いために、テープの走行安定性が悪化し、さら
にバックコートの摩耗粉に基づく出力低下、長時間のヘ
ッド目づまり等の発生を招く結果となった。
【００６３】比較例（２）では、フッ素原子が炭素膜表
面近傍に存在しないために、比較例（３）では、炭素膜
表面近傍のフッ素原子の含有量が不足しているために、
バックコート層の表面エネルギーが高くなり、高温高湿
環境下に保存した場合に潤滑剤成分の炭素膜上への転写
を抑制することができなくなり、その結果、ダイヤモン
ド状炭素膜上の潤滑剤量が減少することとなり、スチル
ライフが短くなった。
【００６４】比較例（４）では、炭素膜中のフッ素原子
の含有量が多く、炭素膜自体の硬度が低下するととも
に、バックコート層との界面近傍にフッ素原子が多く存
在しているためバックコート層との接着性が悪化し、大
幅な出力低下、長時間のヘッド目づまり、ブロッキング
の発生を招く結果となった。
【００６５】比較例（５）及び比較例（６）では、潤滑
剤分子中に導入された極性基（カルボキシル基）と化学
的親和力の強いケイ素もしくは窒素が炭素膜表面近傍に
存在するために、潤滑剤成分の炭素膜上への転写が多く
なり、スチルライフが著しく減少した。。さらに比較例
（６）ではバックコート層との界面近傍にフッ素原子が
多く存在しているためバックコート層との接着性が悪化
し、大幅な出力低下、長時間のヘッド目づまり、ブロッ
キングの発生を招く結果となった。
【００６６】なお上記実施例では、８ｍｍＶＴＲ用金属
薄膜型磁気テープのみについて説明したが、これに限定
されるものではなく、他の規格の強磁性金属薄膜型磁気
テープ、塗布型磁気テープ等の磁気記録媒体についても
同様に適用できる。
【００６７】また上記実施例では、炭素膜をプラズマＣ
ＶＤ法により形成する際の放電形式として直流電圧と交
流電圧とを重畳させて印加する方式についてのみ示した
が、この方式に限定されるものではなく、直流電圧また
は交流電圧のどちらかのみを印加する方式を用いること
も同様に実施可能である。
【００６８】また上記実施例では、ダイヤモンド状炭素
膜をプラズマＣＶＤ法により形成したが、この作製方法
に限定されるものではなく、イオンビーム蒸着法、イオ
ンビームスパッタ法、レーザー蒸着法等を用いることも
同様に実施可能である。
【００６９】また上記実施例では、極性基としてカルボ
キシル基を分子中に導入した含フッ素系潤滑剤について
のみ示したが、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ2 、＞ＮＨ、−
ＮＣＯ、−ＣＯＮＨ2 、−ＣＯＮＨＲ、−ＣＯＮＲ2 、
−ＣＯＯＲ、＞ＰＲ、＞ＰＲＯ、＞ＰＲＳ、−ＯＰＯ
（ＯＨ）2 、−ＯＰＯ（ＯＲ）2 、−ＳＯ3 Ｍ（ただ
し、Ｒは炭素数１〜２２の炭化水素基、Ｍは水素、アル
カリ金属またはアルカリ土類金属）から選ばれた少なく
とも一つの極性基を有する含フッ素系潤滑剤であれば同
様に適用可能である。
【００７０】また上記実施例では、含フッ素系潤滑剤層
を湿式塗布法により形成する場合についてのみ示した
が、有機蒸着法を用いることも同様に実施可能である。
【００７１】なお本発明のプラズマＣＶＤ成膜方法の一
例として、連続的に組成が変化した炭素膜をバックコー
ト層上に形成する場合について示したが、これに限定さ
れるものではなく、強磁性金属薄膜上の保護膜として用
いられるプラズマ重合膜、ダイヤモンド状炭素膜、ある
いは半導体、液晶用の絶縁膜、光電変換素子に用いられ
る非晶質シリコン膜、超伝導薄膜等の形成に利用するこ
とも可能である。
【００７２】
【発明の効果】以上のように本発明は、非磁性基板の一
方の面に磁性層を、他方の面にカーボンブラックを主成
分とする充填剤と結合剤とからなるバックコート層をそ
れぞれ形成させた後、このバックコート層上にフッ素、
ケイ素もしくは窒素を含み、且つフッ素濃度が最表面か
ら深さ方向に向かって減少するとともに、ケイ素もしく
は窒素濃度が最表面から深さ方向に向かって増加する炭
素膜を形成する構成により、炭素膜とバックコート層と
の良好な密着性を保ちつつ、炭素膜の耐摩耗性、低エネ
ルギー表面特性（撥水・撥油性）を充分に発揮すること
ができるため、電磁変換特性を損なうことなく、走行安
定性、耐久性、耐候保存性に優れた磁気記録媒体の提供
することができ、その実用上の価値は大なるものがあ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における実施例の強磁性金属薄膜型磁気
テープの構成を示す拡大断面図
【図２】本発明の強磁性金属薄膜型磁気テープを構成し
ている炭素膜をプラズマＣＶＤ法を用いて形成するため
の成膜装置の概略図
【図３】本発明の強磁性金属薄膜型磁気テープを構成し
ている炭素膜をプラズマＣＶＤ法を用いて形成するため
の成膜装置の概略図
【符号の説明】
１ 非磁性基板 ２ 微小突起層 ３ 強磁性金属薄膜 ４ ダイヤモンド状炭素膜 ５ バックコート層 ６ 炭素膜 ７ 含フッ素系潤滑剤層 ８ 真空槽 ９ 真空ポンプ １０ 金属薄膜型磁気テープ用原反 １１ 巻き出しロール １２ パスロール １３ パスロール １４ 冷却キャン １５ 巻き取りロール １６ 放電管 １７ 放電管 １８ 放電管 １９ パイプ状の放電電極 ２０ パイプ状の放電電極 ２１ パイプ状の放電電極 ２２ プラズマ発生用電源 ２３ プラズマ発生用電源 ２４ プラズマ発生用電源 ２５ 原料ガス導入口 ２６ 原料ガス導入口 ２７ 原料ガス導入口 ２８ 放電管 ２９ しきり板 ３０ パイプ状の放電電極 ３１ パイプ状の放電電極 ３２ プラズマ発生用電源 ３３ プラズマ発生用電源 ３４ 原料ガス導入口 ３５ 原料ガス導入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 喜代司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小田桐 優 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 村居 幹夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】非磁性基板の一方の面に磁性層を、他方の
    面にカーボンブラックを主成分とする充填剤と結合剤と
    からなるバックコート層をそれぞれ有する磁気記録媒体
    であって、上記バックコート層上にフッ素、ケイ素を含
    み、且つフッ素濃度が最表面から深さ方向に向かって減
    少する炭素膜を有することを特徴とする磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】磁性層がＣｏを主成分とする強磁性金属薄
    膜であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
    体。
  3. 【請求項３】磁性層がＣｏを主成分とする強磁性金属薄
    膜であり、上記強磁性金属薄膜上に炭素を主成分とする
    保護膜を有し、さらに上記保護膜上に含フッ素系潤滑剤
    層を有することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
    体。
  4. 【請求項４】炭素膜表面近傍の炭素に対するフッ素の原
    子比率が５％以上であることを特徴とする請求項１記載
    の磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】炭素膜中のケイ素濃度が最表面から深さ方
    向に向かって増加することを特徴とする請求項１記載の
    磁気記録媒体。
  6. 【請求項６】炭素膜表面の臨界表面張力γc が３０×１
    ０-5Ｎ／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１記載
    の磁気記録媒体。
  7. 【請求項７】非磁性基板の一方の面に磁性層を、他方の
    面にカーボンブラックを主成分とする充填剤と結合剤と
    からなるバックコート層をそれぞれ有する磁気記録媒体
    であって、上記バックコート層上にフッ素、窒素を含
    み、且つフッ素濃度が最表面から深さ方向に向かって減
    少する炭素膜を有することを特徴とする磁気記録媒体。
  8. 【請求項８】磁性層がＣｏを主成分とする強磁性金属薄
    膜であることを特徴とする請求項７記載の磁気記録媒
    体。
  9. 【請求項９】磁性層がＣｏを主成分とする強磁性金属薄
    膜であり、上記強磁性金属薄膜上に炭素を主成分とする
    保護膜を有し、さらに上記保護膜上に含フッ素系潤滑剤
    層を有することを特徴とする請求項７記載の磁気記録媒
    体。
  10. 【請求項１０】炭素膜表面近傍の炭素に対するフッ素の
    原子比率が５％以上であることを特徴とする請求項７記
    載の磁気記録媒体。
  11. 【請求項１１】炭素膜中の窒素濃度が最表面から深さ方
    向に向かって増加することを特徴とする請求項７記載の
    磁気記録媒体。
  12. 【請求項１２】炭素膜表面の臨界表面張力γc が３０×
    １０-5Ｎ／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項７記
    載の磁気記録媒体。
  13. 【請求項１３】非磁性基板の一方の面に磁性層を、他方
    の面にカーボンブラックを主成分とする充填剤と結合剤
    とからなるバックコート層をそれぞれ有する磁気記録媒
    体であって、上記バックコート層上にフッ素、ケイ素、
    窒素を含み、且つフッ素濃度が最表面から深さ方向に向
    かって減少する炭素膜を有することを特徴とする磁気記
    録媒体。
  14. 【請求項１４】磁性層がＣｏを主成分とする強磁性金属
    薄膜であることを特徴とする請求項１３記載の磁気記録
    媒体。
  15. 【請求項１５】磁性層がＣｏを主成分とする強磁性金属
    薄膜であり、上記強磁性金属薄膜上に炭素を主成分とす
    る保護膜を有し、さらに上記保護膜上に含フッ素系潤滑
    剤層を有することを特徴とする請求項１３記載の磁気記
    録媒体。
  16. 【請求項１６】炭素膜表面近傍の炭素に対するフッ素の
    原子比率が５％以上であることを特徴とする請求項１３
    記載の磁気記録媒体。
  17. 【請求項１７】炭素膜中のケイ素及び窒素の総濃度が最
    表面から深さ方向に向かって増加することを特徴とする
    請求項１３記載の磁気記録媒体。
  18. 【請求項１８】炭素膜表面の臨界表面張力γc が３０×
    １０-5Ｎ／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１３
    記載の磁気記録媒体。
  19. 【請求項１９】非磁性基板の一方の面に磁性層を、他方
    の面にカーボンブラックを主成分とする充填剤と結合剤
    とからなるバックコート層をそれぞれ形成させた後、上
    記バックコート層表面を含ケイ素有機系ガスもしくは含
    窒素有機系ガスもしくは含ケイ素・窒素有機系ガスに対
    する含フッ素有機系ガスの比率（ガス分圧）を段階的に
    増加させた混合ガスによるグロー放電プラズマに順次曝
    すことで炭素膜を形成することを特徴とする磁気記録媒
    体の製造方法。
  20. 【請求項２０】真空槽内の基板に対向する位置に放電管
    を設け、さらに上記放電管内に少なくとも一つ以上のし
    きり板を設け、且つ上記しきり板の先端部分と上記基板
    との間隙が上記放電管の先端部分と上記基板との間隙よ
    りも大きくし、上記基板表面上にグロー放電プラズマに
    よる連続的に組成が変化した薄膜を形成することを特徴
    とするプラズマＣＶＤ成膜方法。
  21. 【請求項２１】しきり板の先端部分と基板との間隙が放
    電管の先端部分と上記基板との間隙の２倍以上であるこ
    とを特徴とする請求項２０記載のプラズマＣＶＤ成膜方
    法。
JP26217793A 1993-10-20 1993-10-20 磁気記録媒体の製造方法 Expired - Fee Related JP3419045B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26217793A JP3419045B2 (ja) 1993-10-20 1993-10-20 磁気記録媒体の製造方法
DE69433956T DE69433956T2 (de) 1993-10-20 1994-10-18 Magnetischer Aufzeichungsträger, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Bildung eines Filmes mit Plasma CVD
DE69419868T DE69419868T2 (de) 1993-10-20 1994-10-18 Magnetisches Aufzeichnungsmedium, Verfahren zur Herstellung desselben
EP94116379A EP0650158B1 (en) 1993-10-20 1994-10-18 Magnetic recording medium, method for producing the same
EP98118269A EP0936600B1 (en) 1993-10-20 1994-10-18 Magnetic recording medium, method for producing the same and method for forming film by plasma CVD
US08/325,067 US5496595A (en) 1993-10-20 1994-10-19 Method for forming film by plasma CVD

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26217793A JP3419045B2 (ja) 1993-10-20 1993-10-20 磁気記録媒体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07121855A true JPH07121855A (ja) 1995-05-12
JP3419045B2 JP3419045B2 (ja) 2003-06-23

Family

ID=17372142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26217793A Expired - Fee Related JP3419045B2 (ja) 1993-10-20 1993-10-20 磁気記録媒体の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5496595A (ja)
EP (2) EP0936600B1 (ja)
JP (1) JP3419045B2 (ja)
DE (2) DE69419868T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002105649A (ja) * 2000-09-28 2002-04-10 Toppan Printing Co Ltd 真空成膜装置及び真空成膜方法
JP2003098305A (ja) * 2001-09-19 2003-04-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 反射防止フィルム
JP2006312778A (ja) * 2005-04-06 2006-11-16 Toyo Seikan Kaisha Ltd 表面波プラズマによる蒸着膜の形成方法及び装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5688556A (en) * 1994-04-01 1997-11-18 Mobil Oil Corporation Barrier films having vapor coated EVOH surfaces
WO1997037053A1 (en) * 1996-04-01 1997-10-09 Mobil Oil Corporation Barrier films having vapor coated high energy surfaces
US5989998A (en) * 1996-08-29 1999-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of forming interlayer insulating film
US5948166A (en) * 1996-11-05 1999-09-07 3M Innovative Properties Company Process and apparatus for depositing a carbon-rich coating on a moving substrate
US5888594A (en) * 1996-11-05 1999-03-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for depositing a carbon-rich coating on a moving substrate
JP2001135630A (ja) * 1999-11-10 2001-05-18 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体装置の製造方法
US7568445B2 (en) 2000-11-17 2009-08-04 Lockheed Martin Corporation System and method for the holographic deposition of material
KR101632397B1 (ko) * 2014-10-31 2016-06-21 (주)에스엔텍 플라즈마 화학기상 장치
US20230227689A1 (en) * 2020-05-18 2023-07-20 Jiangsu Favored Nanotechnology Co., LTD Water-resistant film layer and article thereof

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56148732A (en) * 1980-04-17 1981-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin metallic film type magnetic recording medium
JPS57135442A (en) * 1981-02-16 1982-08-21 Fuji Photo Film Co Ltd Magnetic recording medium and its manufacture
GB2166668B (en) * 1984-11-09 1988-03-09 Tdk Corp Magnetic recording medium
US4840844A (en) * 1986-06-02 1989-06-20 Hitachi, Ltd. Magnetic recording medium
JPS6387988A (ja) * 1986-10-01 1988-04-19 Nisshin Oil Mills Ltd:The 消化吸収性の良い油脂
DE3635524A1 (de) * 1986-10-18 1988-04-28 Leybold Ag Verfahren zum herstellen von schutzschichten auf magnetischen datentraegern und durch das verfahren hergestellter datentraeger
US5283087A (en) * 1988-02-05 1994-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus
US5275850A (en) * 1988-04-20 1994-01-04 Hitachi, Ltd. Process for producing a magnetic disk having a metal containing hard carbon coating by plasma chemical vapor deposition under a negative self bias
JPH0394069A (ja) * 1989-09-05 1991-04-18 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JPH0449520A (ja) * 1990-06-19 1992-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気テープ
US5198263A (en) * 1991-03-15 1993-03-30 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High rate chemical vapor deposition of carbon films using fluorinated gases
JPH04353616A (ja) * 1991-05-30 1992-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体
JPH0525648A (ja) * 1991-07-15 1993-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマｃｖｄ成膜方法
US5204138A (en) * 1991-12-24 1993-04-20 International Business Machines Corporation Plasma enhanced CVD process for fluorinated silicon nitride films
DE69311611T2 (de) * 1992-03-30 1997-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zur Herstellung eines Überzuges durch chemische Abscheidung aus der Dampfphase mittels Plasma

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002105649A (ja) * 2000-09-28 2002-04-10 Toppan Printing Co Ltd 真空成膜装置及び真空成膜方法
JP2003098305A (ja) * 2001-09-19 2003-04-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 反射防止フィルム
JP2006312778A (ja) * 2005-04-06 2006-11-16 Toyo Seikan Kaisha Ltd 表面波プラズマによる蒸着膜の形成方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0650158A1 (en) 1995-04-26
DE69433956D1 (de) 2004-09-23
DE69433956T2 (de) 2005-09-08
DE69419868T2 (de) 2000-04-13
EP0650158B1 (en) 1999-08-04
EP0936600B1 (en) 2004-08-18
DE69419868D1 (de) 1999-09-09
US5496595A (en) 1996-03-05
EP0936600A2 (en) 1999-08-18
JP3419045B2 (ja) 2003-06-23
EP0936600A3 (en) 1999-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5776602A (en) Magnetic recording medium having a carbon protective film containing nitrogen and oxygen and overcoated with a lubricant
JP3419045B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
US5798135A (en) Method for producing a magnetic recording medium having a carbon protective layer
US4749608A (en) Magnetic recording medium
JPH0223926B2 (ja)
JP3208972B2 (ja) 磁気記録媒体
EP0655733B1 (en) Magnetic recording medium and method for producing the same
JPH0644558A (ja) 磁気記録媒体
US5549979A (en) Magnetic recording medium
JP3232948B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JP3317054B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JP2523839B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
EP1345213A1 (en) Magnetic recording medium and method and apparatus for manufacturing the same
JP2001195723A (ja) 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法
JPH04134623A (ja) テープ状磁気記録媒体
JP3831424B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JPH01166329A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JP2553621B2 (ja) 磁気記録媒体
JP2605380B2 (ja) 磁気記録媒体
JPH08180363A (ja) 磁気記録媒体およびその製造方法
JPH0916952A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
JPH06176342A (ja) 磁気記録媒体とその製造方法
JPH07282445A (ja) 磁気記録媒体の製造方法
HK1003210B (en) Magnetic recording medium and method for producing the same
JPH06333230A (ja) 磁気記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees