JPH07122131B2 - ア−ク式蒸発源 - Google Patents
ア−ク式蒸発源Info
- Publication number
- JPH07122131B2 JPH07122131B2 JP61162613A JP16261386A JPH07122131B2 JP H07122131 B2 JPH07122131 B2 JP H07122131B2 JP 61162613 A JP61162613 A JP 61162613A JP 16261386 A JP16261386 A JP 16261386A JP H07122131 B2 JPH07122131 B2 JP H07122131B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- arc
- gas
- evaporation source
- substrate
- Prior art date
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば基板にカソード物質を被着させる真
空アーク蒸着装置や、基板に対するカソード物質の被着
とイオン照射とを併用する薄膜形成装置等に用いられる
ものであって、カソードにおけるアーク放電を利用して
カソード物質を蒸発させるアーク式蒸発源に関する。
空アーク蒸着装置や、基板に対するカソード物質の被着
とイオン照射とを併用する薄膜形成装置等に用いられる
ものであって、カソードにおけるアーク放電を利用して
カソード物質を蒸発させるアーク式蒸発源に関する。
第２図は、真空アーク蒸着装置の一例を示す概略図であ
る。真空ポンプ４によって所定の真空度に排気される真
空容器２内に、基板22保持用のホルダ24が設けられてお
り、それに対向するようにアーク式蒸発源10が設けられ
ている。
る。真空ポンプ４によって所定の真空度に排気される真
空容器２内に、基板22保持用のホルダ24が設けられてお
り、それに対向するようにアーク式蒸発源10が設けられ
ている。
アーク式蒸発源10は、所望の組成をしたカソード12、ア
ーク点弧用のトリガ電極14、それをフィードスルー16を
介して真空容器２外から矢印Ａのように駆動する例えば
エアシリンダ等から成る駆動装置18を備えており、カソ
ード12と真空容器２間には、両者間に真空直流アーク放
電を行わせるために例えば数十Ｖ程度の電圧を印加する
アーク電源26が接続されている。
ーク点弧用のトリガ電極14、それをフィードスルー16を
介して真空容器２外から矢印Ａのように駆動する例えば
エアシリンダ等から成る駆動装置18を備えており、カソ
ード12と真空容器２間には、両者間に真空直流アーク放
電を行わせるために例えば数十Ｖ程度の電圧を印加する
アーク電源26が接続されている。
一方、ホルダ24と真空容器２間には、ホルダ24上の基板
22に例えば数百Ｖ〜1KV程度の負バイアス電圧を印加す
るバイアス電源28が接続されている。また、真空容器２
内には、その壁面に設けられたガス導入口６を介して、
ガス源８からガスＧが導入されるようになっている。
22に例えば数百Ｖ〜1KV程度の負バイアス電圧を印加す
るバイアス電源28が接続されている。また、真空容器２
内には、その壁面に設けられたガス導入口６を介して、
ガス源８からガスＧが導入されるようになっている。
上記装置において基板22上に化合物膜を被着させる工程
を例示すれば次の通りである。
を例示すれば次の通りである。
まず、基板22上に被着させる膜の密着性等を向上さ
せるため、基板22の清浄化を行う。即ち、真空容器２内
にガスＧを導入することなく、真空容器２内を例えば10
-6Torr台の高真空に排気しておき、基板22に例えば−1K
V程度のバイアス電圧をかけながら、アーク式蒸発源10
においてアーク放電を行わせる。
せるため、基板22の清浄化を行う。即ち、真空容器２内
にガスＧを導入することなく、真空容器２内を例えば10
-6Torr台の高真空に排気しておき、基板22に例えば−1K
V程度のバイアス電圧をかけながら、アーク式蒸発源10
においてアーク放電を行わせる。
即ち、トリガ電極14をカソード12に接触させて最初の火
花を発生させた後トリガ電極14をカソード12より引き離
すと、カソード12と真空容器２間にアーク放電が持続さ
れ、それによってカソード12が溶融されてそこからカソ
ード物質20が蒸発させられる。
花を発生させた後トリガ電極14をカソード12より引き離
すと、カソード12と真空容器２間にアーク放電が持続さ
れ、それによってカソード12が溶融されてそこからカソ
ード物質20が蒸発させられる。
その場合、カソード物質20の一部はイオン化されてお
り、このイオン化したカソード物質20は、負電位の基板
22に引き付けられて衝突し、そのエネルギーで基板22上
の汚染物質をスパッタさせ、これによって基板22の清浄
化が行われる。
り、このイオン化したカソード物質20は、負電位の基板
22に引き付けられて衝突し、そのエネルギーで基板22上
の汚染物質をスパッタさせ、これによって基板22の清浄
化が行われる。
次に、基板22上に化合物膜を被着させる。即ち、真
空容器２内にガスＧとして例えば窒素ガス、炭化水素系
ガス、酸素ガス等の反応性ガスを、真空容器２内が例え
ば10-2〜10-1Torr程度になるように導入し、また基板22
に印加するバイアス電圧も例えば−200V程度にし、そし
てアーク式蒸発源10において前記と同様にしてアーク放
電を行わせる。
空容器２内にガスＧとして例えば窒素ガス、炭化水素系
ガス、酸素ガス等の反応性ガスを、真空容器２内が例え
ば10-2〜10-1Torr程度になるように導入し、また基板22
に印加するバイアス電圧も例えば−200V程度にし、そし
てアーク式蒸発源10において前記と同様にしてアーク放
電を行わせる。
それによって、カソード物質20と反応性ガスＧとが化合
して、カソード物質20の例えば窒化物、炭化物、酸化物
等から成る化合物膜が基板22上に被着される。この場
合、基板22のバイアス電圧を下げるのは、カソード物質
20によるスパッタリングを小さくするためである。
して、カソード物質20の例えば窒化物、炭化物、酸化物
等から成る化合物膜が基板22上に被着される。この場
合、基板22のバイアス電圧を下げるのは、カソード物質
20によるスパッタリングを小さくするためである。
ところが上記のような従来のアーク式蒸発源10において
は、カソード12からは細かいカソード物質20と共に大き
な塊のカソード物質20も同時に蒸発され、これらが基板
22に付着して、基板22の表面を荒らして膜の密着性を低
下させると共に、膜組成の均一性や膜厚の均一性等も低
下させるという問題があった。特に、このような問題
は、反応性ガスＧを導入しない上記の工程において顕
著であった。
は、カソード12からは細かいカソード物質20と共に大き
な塊のカソード物質20も同時に蒸発され、これらが基板
22に付着して、基板22の表面を荒らして膜の密着性を低
下させると共に、膜組成の均一性や膜厚の均一性等も低
下させるという問題があった。特に、このような問題
は、反応性ガスＧを導入しない上記の工程において顕
著であった。
そこでこの発明は、大きな塊のカソード物質が蒸発され
るのを防ぐことができるアーク式蒸発源を提供すること
を主たる目的とする。
るのを防ぐことができるアーク式蒸発源を提供すること
を主たる目的とする。
この発明のアーク式蒸発源は、カソードの前面に対し
て、カソードの外から、カソード構成物質と反応する反
応性ガスを吹き付けるガス吹付け機構を備えることを特
徴とする。
て、カソードの外から、カソード構成物質と反応する反
応性ガスを吹き付けるガス吹付け機構を備えることを特
徴とする。
ガス吹付け機構によってカソードの前面に反応性ガスを
吹き付けながら真空アーク放電を行わせると、カソード
の前面にガスの吸着層ができて陰極点が多数でき、アー
ク流が多くの陰極点に分散される。それによって、個々
の陰極点から蒸発されるカソード物質は細かなものとな
り大きな塊のカソード物質が蒸発されるのが防止され
る。
吹き付けながら真空アーク放電を行わせると、カソード
の前面にガスの吸着層ができて陰極点が多数でき、アー
ク流が多くの陰極点に分散される。それによって、個々
の陰極点から蒸発されるカソード物質は細かなものとな
り大きな塊のカソード物質が蒸発されるのが防止され
る。
第１図は、この発明の一実施例に係るアーク式蒸発源を
真空容器に取り付けた状態で示す断面図である。この実
施例においては、アーク点弧用のトリガ電極52であって
内部に通気孔54を有するものと、トリガ電極52を機械的
に保持かつ駆動するための軸44であって内部にトリガ電
極52の通気孔54に連通する通気孔46を有するものと、軸
44の通気孔46に反応性ガスＧを導入するためのガス導入
口48等によって前述したガス吹き付け機構を構成してい
る。反応性ガスＧは、前述したように、カソード12を構
成する物質と反応するガスである。
真空容器に取り付けた状態で示す断面図である。この実
施例においては、アーク点弧用のトリガ電極52であって
内部に通気孔54を有するものと、トリガ電極52を機械的
に保持かつ駆動するための軸44であって内部にトリガ電
極52の通気孔54に連通する通気孔46を有するものと、軸
44の通気孔46に反応性ガスＧを導入するためのガス導入
口48等によって前述したガス吹き付け機構を構成してい
る。反応性ガスＧは、前述したように、カソード12を構
成する物質と反応するガスである。
全体を詳述すると、例えば前述したような真空容器２
に、絶縁物60を介してフランジ62が取り付けられてお
り、フランジ62の前面側（即ち真空容器２の内側）には
前述したようなカソード12が取り付けられている。フラ
ンジ62の背面側には、カソード12の前面におけるアーク
の状態を制御するための磁石64が取り付けられている。
カソード12の回りには、カソード12とある程度離れた所
の真空容器２間でアーク放電させるためのシールド板56
が設けられており、それは抵抗器58によって接地されて
いる。そしてカソード12と真空容器２間には、アーク放
電用の前述したようなアーク電源26が接続されている。
に、絶縁物60を介してフランジ62が取り付けられてお
り、フランジ62の前面側（即ち真空容器２の内側）には
前述したようなカソード12が取り付けられている。フラ
ンジ62の背面側には、カソード12の前面におけるアーク
の状態を制御するための磁石64が取り付けられている。
カソード12の回りには、カソード12とある程度離れた所
の真空容器２間でアーク放電させるためのシールド板56
が設けられており、それは抵抗器58によって接地されて
いる。そしてカソード12と真空容器２間には、アーク放
電用の前述したようなアーク電源26が接続されている。
一方、真空容器２の内外に、フィードスルー32を介して
軸44が通されており、その真空容器２内側の先端部には
トリガ電極52が、真空容器２外側の根元部には前述した
ような駆動装置18がそれぞれ結合されている。
軸44が通されており、その真空容器２内側の先端部には
トリガ電極52が、真空容器２外側の根元部には前述した
ような駆動装置18がそれぞれ結合されている。
トリガ電極52の先端部は、その矢印Ａのような動きによ
ってカソード12の所定部分、例えば中央部分に当接可能
なように曲げられており、かつ当該トリガ電極52の内部
には端から端まで通気孔54が設けられている。
ってカソード12の所定部分、例えば中央部分に当接可能
なように曲げられており、かつ当該トリガ電極52の内部
には端から端まで通気孔54が設けられている。
軸44の内部にも、トリガ電極52の通気孔54に連通する通
気孔46がその先端から根元部付近まで設けられており、
当該通気孔46は軸44の根元部に設けられたガス導入口48
に連通している。
気孔46がその先端から根元部付近まで設けられており、
当該通気孔46は軸44の根元部に設けられたガス導入口48
に連通している。
尚、フィードスルー32は、絶縁物34、ハウジング38、ハ
ウジングカバー42等を備えており、絶縁物34と真空容器
２およびハウジング38間は、Ｏリング等から成るパッキ
ン36によって真空シールされており、ハウジング38と軸
44間はＸリング等から成るパッキン40によって摺動可能
状態で真空シールされている。また軸44は、アーク点弧
時の電流制限用の抵抗器50を介して接地されている。
ウジングカバー42等を備えており、絶縁物34と真空容器
２およびハウジング38間は、Ｏリング等から成るパッキ
ン36によって真空シールされており、ハウジング38と軸
44間はＸリング等から成るパッキン40によって摺動可能
状態で真空シールされている。また軸44は、アーク点弧
時の電流制限用の抵抗器50を介して接地されている。
上記アーク式蒸発源の動作例を説明すると、真空容器２
内を所定の真空度に排気しておき、ガス導入口48に図示
しないフレキシブル配管等を介して、例えば前述したよ
うなガス源８から反応性ガスＧをある程度の（例えば1k
g/cm2G程度の）ガス圧で供給すると、真空容器２内が真
空であることと相俟って、当該反応性ガスＧは軸44の通
気孔46およびトリガ電極52の通気孔54を通してカソード
12の前面の所定領域に吹き付けられる。
内を所定の真空度に排気しておき、ガス導入口48に図示
しないフレキシブル配管等を介して、例えば前述したよ
うなガス源８から反応性ガスＧをある程度の（例えば1k
g/cm2G程度の）ガス圧で供給すると、真空容器２内が真
空であることと相俟って、当該反応性ガスＧは軸44の通
気孔46およびトリガ電極52の通気孔54を通してカソード
12の前面の所定領域に吹き付けられる。
そのような状態で、かつカソード12にアーク電源26から
所定の電圧を印加した状態で、駆動装置18によって軸44
を駆動して、トリガ電極52の先端をカソード12に接触さ
せて火花を発生させた後引き離すと、カソード12と真空
容器２間にアーク放電が持続され、それによってカソー
ド12が溶融されてそこからカソード物質20が蒸発させら
れる。
所定の電圧を印加した状態で、駆動装置18によって軸44
を駆動して、トリガ電極52の先端をカソード12に接触さ
せて火花を発生させた後引き離すと、カソード12と真空
容器２間にアーク放電が持続され、それによってカソー
ド12が溶融されてそこからカソード物質20が蒸発させら
れる。
その場合、従来と違って、カソード12の前面に反応性ガ
スＧを吹き付けながら真空アーク放電を行わせるので、
カソード12の前面におけるガス圧が高くなり、カソード
12の前面には反応性ガスＧの吸着層（言わば不純物層）
が生じて仕事関数の低い部分、即ちアーク放電の陰極点
が多数できる。その結果、アーク放電は多くの陰極点に
分散されることとなり、トータルのアーク電流が同じで
も個々の陰極点におけるカソード12の溶融量は少なくな
るので、大きな塊ができにくくなり、個々の陰極点から
蒸発されるカソード物質は細かなものとなる。
スＧを吹き付けながら真空アーク放電を行わせるので、
カソード12の前面におけるガス圧が高くなり、カソード
12の前面には反応性ガスＧの吸着層（言わば不純物層）
が生じて仕事関数の低い部分、即ちアーク放電の陰極点
が多数できる。その結果、アーク放電は多くの陰極点に
分散されることとなり、トータルのアーク電流が同じで
も個々の陰極点におけるカソード12の溶融量は少なくな
るので、大きな塊ができにくくなり、個々の陰極点から
蒸発されるカソード物質は細かなものとなる。
従ってこのようなアーク式蒸発源を例えば第２図に示し
たような真空アーク蒸着装置に用いれば、基板22を清浄
化する場合および基板22に膜形成する場合のいずれにお
いても、従来のような問題を排除することができる。即
ち、細かなカソード物質20によって基板22をスパッタク
リーニングすることができるので基板22の表面を荒らす
ことはなく、しかも細かなカソード物質20を基板22に被
着させることができるので、基板22上には粒子の細かな
均質の膜が均一厚さに形成されるようになり、膜の密着
性や膜質が向上する。
たような真空アーク蒸着装置に用いれば、基板22を清浄
化する場合および基板22に膜形成する場合のいずれにお
いても、従来のような問題を排除することができる。即
ち、細かなカソード物質20によって基板22をスパッタク
リーニングすることができるので基板22の表面を荒らす
ことはなく、しかも細かなカソード物質20を基板22に被
着させることができるので、基板22上には粒子の細かな
均質の膜が均一厚さに形成されるようになり、膜の密着
性や膜質が向上する。
しかもこのアーク蒸発源においては、多数の陰極点がト
リガ電極52のガス噴出し口に対向したカソード12上の比
較的限定された領域に集中するため、カソード物質２の
発散（広がり）が比較的少なく、カソード物質20はカソ
ード12の正面方向にある程度集中するので、カソード12
の正面におけるカソード物質20の被着レートが高まり、
効率的な膜形成が可能になるという効果も得られる。
リガ電極52のガス噴出し口に対向したカソード12上の比
較的限定された領域に集中するため、カソード物質２の
発散（広がり）が比較的少なく、カソード物質20はカソ
ード12の正面方向にある程度集中するので、カソード12
の正面におけるカソード物質20の被着レートが高まり、
効率的な膜形成が可能になるという効果も得られる。
ちなみに、第２図のような装置においても真空容器２内
に反応性ガスＧを導入すれば、導入しないときに比べて
カソード12における陰極点数はある程度増える場合もあ
るが、この実施例のように反応性ガスＧをカソード12の
前面に吹き付けるものではないため、カソードの前面に
おけるガス圧が低く、それゆえカソードの前面における
陰極点数の増え方は少なく、従ってこの実施例程の効果
は得られない。
に反応性ガスＧを導入すれば、導入しないときに比べて
カソード12における陰極点数はある程度増える場合もあ
るが、この実施例のように反応性ガスＧをカソード12の
前面に吹き付けるものではないため、カソードの前面に
おけるガス圧が低く、それゆえカソードの前面における
陰極点数の増え方は少なく、従ってこの実施例程の効果
は得られない。
また、この実施例においては、カソード12に対するガス
吹付け手段として、アーク点弧用のトリガ電極52および
その駆動用の軸44を兼用しているので、余分なものを設
ける必要がなく、構成が簡単でスペースも少なくて済む
という利点もある。もっとも、トリガ電極52等を兼用す
ることなく、専用のガス導入管等によってカソード12に
対するガス吹付け機構を構成しても良いのは勿論であ
る。
吹付け手段として、アーク点弧用のトリガ電極52および
その駆動用の軸44を兼用しているので、余分なものを設
ける必要がなく、構成が簡単でスペースも少なくて済む
という利点もある。もっとも、トリガ電極52等を兼用す
ることなく、専用のガス導入管等によってカソード12に
対するガス吹付け機構を構成しても良いのは勿論であ
る。
尚、上記のようなアーク式蒸発源は、第２図に示した以
外の真空アーク蒸着装置や、一番初めに例示したような
薄膜形成装置等に広く用いることができるのは言うまで
もない。
外の真空アーク蒸着装置や、一番初めに例示したような
薄膜形成装置等に広く用いることができるのは言うまで
もない。
以上のようにこの発明によれば、次のような効果を奏す
る。
る。
即ち、ガス吹付け機構によって、カソードの前面に反応
性ガスを吹き付けながら真空アーク放電を行わせること
ができるので、カソードの前面におけるガス圧が高くな
り、カソードの前面に反応性ガスの吸着層が生じて仕事
関数の低い部分、即ちアーク放電の陰極点が多数でき、
それによってカソードの前面においてアーク放電は多数
の陰極点に分散されることとなり、その結果、個々の陰
極点におけるカソードの溶融量は少なくなるので、大き
な塊ができにくくなり、個々の陰極点から蒸発するカソ
ード物質は細かなものとなる。即ち、カソードの前面か
ら大きな塊のカソード物質が蒸発するのを防止して、細
かいカソード物質を主体に蒸発させることができる。従
ってこの発明のアーク式蒸発源を用いれば、例えば基板
に対して密着性や平滑性等の膜質の優れた膜を被着する
ことが可能になる。
性ガスを吹き付けながら真空アーク放電を行わせること
ができるので、カソードの前面におけるガス圧が高くな
り、カソードの前面に反応性ガスの吸着層が生じて仕事
関数の低い部分、即ちアーク放電の陰極点が多数でき、
それによってカソードの前面においてアーク放電は多数
の陰極点に分散されることとなり、その結果、個々の陰
極点におけるカソードの溶融量は少なくなるので、大き
な塊ができにくくなり、個々の陰極点から蒸発するカソ
ード物質は細かなものとなる。即ち、カソードの前面か
ら大きな塊のカソード物質が蒸発するのを防止して、細
かいカソード物質を主体に蒸発させることができる。従
ってこの発明のアーク式蒸発源を用いれば、例えば基板
に対して密着性や平滑性等の膜質の優れた膜を被着する
ことが可能になる。
しかも、カソードの前面に生じる陰極点の数は、カソー
ド前面のガス圧が高いほど多くなる傾向にあるが、この
発明では、単にカソードの前面近傍に反応性ガスを供給
するのではなく、カソードの前面に反応性ガスを吹き付
けるようにしているので、カソード前面のガス圧を高め
てカソード前面により多くの陰極点を生じさせ、より細
かいカソード物質を主体に蒸発させることができる。
ド前面のガス圧が高いほど多くなる傾向にあるが、この
発明では、単にカソードの前面近傍に反応性ガスを供給
するのではなく、カソードの前面に反応性ガスを吹き付
けるようにしているので、カソード前面のガス圧を高め
てカソード前面により多くの陰極点を生じさせ、より細
かいカソード物質を主体に蒸発させることができる。
第１図は、この発明の一実施例に係るアーク式蒸発源を
真空容器に取り付けた状態で示す断面図である。第２図
は、真空アーク蒸着装置の一例を示す概略図である。 ２……真空容器、12……カソード、20……カソード物
質、44……軸、46,54……通気孔、52……トリガ電極、
Ｇ……ガス。
真空容器に取り付けた状態で示す断面図である。第２図
は、真空アーク蒸着装置の一例を示す概略図である。 ２……真空容器、12……カソード、20……カソード物
質、44……軸、46,54……通気孔、52……トリガ電極、
Ｇ……ガス。
Claims (2)
- 【請求項１】カソードにおけるアーク放電を利用してカ
ソード物質を蒸発させるアーク式蒸発源において、カソ
ードの前面に対して、カソードの外から、カソード構成
物質と反応する反応性ガスを吹き付けるガス吹付け機構
を備えることを特徴とするアーク式蒸発源。 - 【請求項２】前記ガス吹付け機構が、アーク点弧用のト
リガ電極であって内部に通気孔を有するものと、このト
リガ電極を機械的に保持かつ駆動するための軸であって
内部にトリガ電極の通気孔に連通する通気孔を有するも
のと、この軸の通気孔に前記反応性ガスを導入するガス
導入手段とを備えることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のアーク式蒸発源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162613A JPH07122131B2 (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | ア−ク式蒸発源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162613A JPH07122131B2 (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | ア−ク式蒸発源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318056A JPS6318056A (ja) | 1988-01-25 |
| JPH07122131B2 true JPH07122131B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=15757926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61162613A Expired - Lifetime JPH07122131B2 (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | ア−ク式蒸発源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122131B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01294332A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源 |
| JP3287163B2 (ja) * | 1995-01-23 | 2002-05-27 | 日新電機株式会社 | アーク式蒸発源 |
| US10704136B2 (en) * | 2013-03-05 | 2020-07-07 | Raytheon Technologies Corporation | Cathodic arc deposition stinger |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6141764A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-28 | Natl Res Inst For Metals | 真空ア−ク反応性蒸着法及びその蒸着装置 |
-
1986
- 1986-07-10 JP JP61162613A patent/JPH07122131B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6318056A (ja) | 1988-01-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
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