JPH07122187A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH07122187A JPH07122187A JP26746593A JP26746593A JPH07122187A JP H07122187 A JPH07122187 A JP H07122187A JP 26746593 A JP26746593 A JP 26746593A JP 26746593 A JP26746593 A JP 26746593A JP H07122187 A JPH07122187 A JP H07122187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- glass panel
- photoresist film
- photoresist
- forming method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】プロセス要因等の変動による影響を抑制し、均
一性等の品質向上を図ることができるパターン形成方法
を提供する。 【構成】ガラスパネル内面に水溶性ビスアジド化合物と
ポリビニルピロリドンからなるフォトレジスト被膜を形
成する工程と、露光時に露光雰囲気を酵素濃度と湿度に
ついて制御した状態で前記フォトレジスト被膜の特定部
分を露光して硬化させる工程と、現像により前記フォト
レジスト被膜の非露光部分を除去する工程と、現像後の
前記ガラスパネル内面の全域に非発光性光吸収物質を塗
布し、前記除去されたフォトレジスト被膜の部分にのみ
非発光性光吸収物質被膜を形成する工程とを含む。
一性等の品質向上を図ることができるパターン形成方法
を提供する。 【構成】ガラスパネル内面に水溶性ビスアジド化合物と
ポリビニルピロリドンからなるフォトレジスト被膜を形
成する工程と、露光時に露光雰囲気を酵素濃度と湿度に
ついて制御した状態で前記フォトレジスト被膜の特定部
分を露光して硬化させる工程と、現像により前記フォト
レジスト被膜の非露光部分を除去する工程と、現像後の
前記ガラスパネル内面の全域に非発光性光吸収物質を塗
布し、前記除去されたフォトレジスト被膜の部分にのみ
非発光性光吸収物質被膜を形成する工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターン形成方法に係
り、特にブラックストライプ型カラー陰極線管蛍光面非
発光性光吸収物質被膜のパターン形成方法に関するもの
である。
り、特にブラックストライプ型カラー陰極線管蛍光面非
発光性光吸収物質被膜のパターン形成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】カラー陰極線管蛍光面のブラックストラ
イプ（非発光性光吸収物質）のパターン形成方法は、ま
ず陰極線管のガラスパネル凹部内面にフォトレジスト被
膜を形成した後、多数の格子状スリットを有する電子ビ
ーム到達位置決定用マスクを介して所定方向から光を照
射（露光）して架橋反応によりフォトレジスト部に不溶
性部分を形成する。次に、現像プロセスにより、フォト
レジストの可溶性部分を除去して不溶性ストライプ部分
のみを残す。
イプ（非発光性光吸収物質）のパターン形成方法は、ま
ず陰極線管のガラスパネル凹部内面にフォトレジスト被
膜を形成した後、多数の格子状スリットを有する電子ビ
ーム到達位置決定用マスクを介して所定方向から光を照
射（露光）して架橋反応によりフォトレジスト部に不溶
性部分を形成する。次に、現像プロセスにより、フォト
レジストの可溶性部分を除去して不溶性ストライプ部分
のみを残す。
【０００３】次に、例えばカーボン（黒鉛）等の黒色物
質を塗布し、残存レジストを除去する反転プロセスによ
り、ブラックマトリックスとなるストライプ状の非発光
性光吸収物質被膜がガラスパネル内面（蛍光面）に形成
される。
質を塗布し、残存レジストを除去する反転プロセスによ
り、ブラックマトリックスとなるストライプ状の非発光
性光吸収物質被膜がガラスパネル内面（蛍光面）に形成
される。
【０００４】上記パターン形成に用いるフォトレジスト
の特性としては、水溶性であること、高感度であるこ
と、暗反応及び熱かぶりのないこと、付着力が強いこ
と、また現像性の良いこと、光により硬化したフォトレ
ジストの剥離が容易であることなど多くの特性を満足さ
せなければならない。
の特性としては、水溶性であること、高感度であるこ
と、暗反応及び熱かぶりのないこと、付着力が強いこ
と、また現像性の良いこと、光により硬化したフォトレ
ジストの剥離が容易であることなど多くの特性を満足さ
せなければならない。
【０００５】カラー陰極線管の非発光性光吸収物質被膜
を形成する場合のフォトレジストとしては、ポリビニル
ピロリドン（ＰＶＰ）と水溶性ビスアジド化合物（ＡＺ
ＩＤＥ）からなるＰＶＰ−アジド系フォトレジストやポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ）と重クロム酸アンモニウ
ム（ＡＤＣ）又は重クロム酸ナトリウム（ＳＤＣ）から
なるＰＶＡ−ＡＤＣ系フォトレジストが知られている。
を形成する場合のフォトレジストとしては、ポリビニル
ピロリドン（ＰＶＰ）と水溶性ビスアジド化合物（ＡＺ
ＩＤＥ）からなるＰＶＰ−アジド系フォトレジストやポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ）と重クロム酸アンモニウ
ム（ＡＤＣ）又は重クロム酸ナトリウム（ＳＤＣ）から
なるＰＶＡ−ＡＤＣ系フォトレジストが知られている。
【０００６】上記非発光性光吸収物質被膜のパターン形
成における露光プロセスでは、照射した光が格子状スリ
ットを通り、ガラスパネルに到達する際、光の回折現象
による半影部分が生じ、非発光性光吸収物質のムラの原
因となる。
成における露光プロセスでは、照射した光が格子状スリ
ットを通り、ガラスパネルに到達する際、光の回折現象
による半影部分が生じ、非発光性光吸収物質のムラの原
因となる。
【０００７】上述したフォトレジストのうち、光の回折
現象によりムラの改善効果が高いという理由から、ＰＶ
Ｐ−アジド系のフォトレジストが高精細度のカラー陰極
線管に用いられている。このＰＶＰ−アジド系のフォト
レジストは、環化ゴムに２個のアジド基（−Ｎ3）を有
する２官能性ビスアジド化合物を添加すると、光照射に
よりアジド基は光分解してナイトレンを与え、これが環
化ゴムを架橋せしめる（図４（ａ））。この際、ナイト
レンは酸素及び水の影響を受け易く、それらとの結合に
よって環化ゴムの架橋反応が抑制される（図４
（ｂ））。
現象によりムラの改善効果が高いという理由から、ＰＶ
Ｐ−アジド系のフォトレジストが高精細度のカラー陰極
線管に用いられている。このＰＶＰ−アジド系のフォト
レジストは、環化ゴムに２個のアジド基（−Ｎ3）を有
する２官能性ビスアジド化合物を添加すると、光照射に
よりアジド基は光分解してナイトレンを与え、これが環
化ゴムを架橋せしめる（図４（ａ））。この際、ナイト
レンは酸素及び水の影響を受け易く、それらとの結合に
よって環化ゴムの架橋反応が抑制される（図４
（ｂ））。
【０００８】従って、フォトレジスト中に酸素及び水が
溶存していると、弱い光では生じたナイトレンが溶存酸
素及び水と反応してしまい架橋が抑制されるが、強い光
では拡散供給量がナイトレンの発生に追いつかず、架橋
反応率に対して無視され露光量に比例する。
溶存していると、弱い光では生じたナイトレンが溶存酸
素及び水と反応してしまい架橋が抑制されるが、強い光
では拡散供給量がナイトレンの発生に追いつかず、架橋
反応率に対して無視され露光量に比例する。
【０００９】このように、弱い光に対して感度が低く、
強い光に対して感度が高いという相反則不軌性がＰＶＰ
−アジド系のフォトレジストの特徴である。
強い光に対して感度が高いという相反則不軌性がＰＶＰ
−アジド系のフォトレジストの特徴である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＰＶ
Ｐ−アジド系のフォトレジストは、光の回折現象による
ムラの改善効果は高い。しかしながら、図５にプロセス
要因がＰＶＰフォトレジストに与える影響をＰＶＡ系の
フォトレジストと比較して示すように、ＰＶＰ−アジド
系のフォトレジストは塗布膜厚パネル温度等のプロセス
条件及び酸素濃度と湿度等の環境条件の変動が品質に与
える影響が大きい。
Ｐ−アジド系のフォトレジストは、光の回折現象による
ムラの改善効果は高い。しかしながら、図５にプロセス
要因がＰＶＰフォトレジストに与える影響をＰＶＡ系の
フォトレジストと比較して示すように、ＰＶＰ−アジド
系のフォトレジストは塗布膜厚パネル温度等のプロセス
条件及び酸素濃度と湿度等の環境条件の変動が品質に与
える影響が大きい。
【００１１】上記課題を考慮して、本発明はプロセス要
因等の変動による影響を抑制し、均一性（ユニフォーミ
ティー）等の品質向上を図ることができるパターン形成
方法を提供することを目的とする。
因等の変動による影響を抑制し、均一性（ユニフォーミ
ティー）等の品質向上を図ることができるパターン形成
方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明に係る請求項１のパターン形成方法は、ガラスパネル
内面に水溶性ビスアジド化合物とポリビニルピロリドン
からなるフォトレジスト被膜を形成する工程と、露光時
に露光雰囲気を酵素濃度と湿度について制御した状態で
前記フォトレジスト被膜の特定部分を露光して硬化させ
る工程と、現像により前記フォトレジスト被膜の非露光
部分を除去する工程と、現像後の前記ガラスパネル内面
の全域に非発光性光吸収物質を塗布し、前記除去された
フォトレジスト被膜の部分にのみ非発光性光吸収物質被
膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
明に係る請求項１のパターン形成方法は、ガラスパネル
内面に水溶性ビスアジド化合物とポリビニルピロリドン
からなるフォトレジスト被膜を形成する工程と、露光時
に露光雰囲気を酵素濃度と湿度について制御した状態で
前記フォトレジスト被膜の特定部分を露光して硬化させ
る工程と、現像により前記フォトレジスト被膜の非露光
部分を除去する工程と、現像後の前記ガラスパネル内面
の全域に非発光性光吸収物質を塗布し、前記除去された
フォトレジスト被膜の部分にのみ非発光性光吸収物質被
膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】本発明に係る請求項２のパターン形成方法
は、請求項１における前記露光雰囲気の制御状態を、露
光前に予め露光用画室内に形成することを特徴とする。
は、請求項１における前記露光雰囲気の制御状態を、露
光前に予め露光用画室内に形成することを特徴とする。
【００１４】本発明に係る請求項３のパターン形成方法
は、請求項１における前記露光雰囲気の制御状態を、前
記ガラスパネル内面近傍に予め作成した制御ガスを露光
時に直接供給することによって形成することを特徴とす
る。
は、請求項１における前記露光雰囲気の制御状態を、前
記ガラスパネル内面近傍に予め作成した制御ガスを露光
時に直接供給することによって形成することを特徴とす
る。
【００１５】本発明に係る請求項４のパターン形成方法
は、請求項１における前記露光雰囲気の制御状態を、露
光前に予め露光用画室内に形成し、且つ前記ガラスパネ
ル内面近傍に予め作成した制御ガスを露光時に直接供給
することによって形成することを特徴とする。
は、請求項１における前記露光雰囲気の制御状態を、露
光前に予め露光用画室内に形成し、且つ前記ガラスパネ
ル内面近傍に予め作成した制御ガスを露光時に直接供給
することによって形成することを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明のパターン方法によれば、ガラスパネル
内面の所定位置に非発光性光吸収物質被膜を形成するに
際し、水溶性ビスアジド化合物とポリビニルピロリドン
からなるいわゆるＰＶＰ−アジド系のフォトレジスト被
膜を形成し、露光時に露光雰囲気を制御して露光する。
そのため、非発光性光吸収物質被膜パターンが安定して
形成される。
内面の所定位置に非発光性光吸収物質被膜を形成するに
際し、水溶性ビスアジド化合物とポリビニルピロリドン
からなるいわゆるＰＶＰ−アジド系のフォトレジスト被
膜を形成し、露光時に露光雰囲気を制御して露光する。
そのため、非発光性光吸収物質被膜パターンが安定して
形成される。
【００１７】
【実施例】以下、本発明に係るカラー陰極線管蛍光面非
発光性光吸収物質被膜のパターン形成方法の実施例を図
面に基づいて説明する。
発光性光吸収物質被膜のパターン形成方法の実施例を図
面に基づいて説明する。
【００１８】（実施例１）回転テーブル上に載置したカ
ラー陰極線管用のガラスパネルの凹部内面に水溶性ビス
アジド化合物とポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）からな
る、いわゆるＰＶＰ−アジド系フォトレジストを塗布、
乾燥してフォトレジスト被膜を形成する。
ラー陰極線管用のガラスパネルの凹部内面に水溶性ビス
アジド化合物とポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）からな
る、いわゆるＰＶＰ−アジド系フォトレジストを塗布、
乾燥してフォトレジスト被膜を形成する。
【００１９】本発明に使用される水溶性ビスアジド化合
物としては、例えば４，４′−ジアジドスチルベン２，
２′−ジスルフォン酸，４，４′−ジアジドベンザルア
セトフェノン−２−スルフォン酸，４，４′−ジアジド
スチルベン−２−カルボン酸，及びこれらの塩などであ
る。
物としては、例えば４，４′−ジアジドスチルベン２，
２′−ジスルフォン酸，４，４′−ジアジドベンザルア
セトフェノン−２−スルフォン酸，４，４′−ジアジド
スチルベン−２−カルボン酸，及びこれらの塩などであ
る。
【００２０】露光環境を制御するために、図１に示すよ
うに、上記フォトレジスト被膜を形成したガラスパネル
１を酸素（Ｏ2），窒素（Ｎ），水（Ｈ2０）を予め調整
した画室２内に配置し、所定の露光条件によりフォトレ
ジストを露光し、架橋反応により不溶性部分を形成す
る。次に、現像プロセスで可溶性部分のフォトレジスト
を除去し不溶性ストライプ部分のみ残す。その後、黒色
カーボン懸濁液を塗布し、乾燥する。次に剥離液を注
ぎ、硬化したフォトレジストを除去し、非発光性光吸収
物質被膜ストライプパターンを形成する。
うに、上記フォトレジスト被膜を形成したガラスパネル
１を酸素（Ｏ2），窒素（Ｎ），水（Ｈ2０）を予め調整
した画室２内に配置し、所定の露光条件によりフォトレ
ジストを露光し、架橋反応により不溶性部分を形成す
る。次に、現像プロセスで可溶性部分のフォトレジスト
を除去し不溶性ストライプ部分のみ残す。その後、黒色
カーボン懸濁液を塗布し、乾燥する。次に剥離液を注
ぎ、硬化したフォトレジストを除去し、非発光性光吸収
物質被膜ストライプパターンを形成する。
【００２１】以上の工程の後、３色蛍光体層の形成、ア
ルミナイジング、フリットベーキング電子銃装置等の工
程は従来とほぼ同様である。
ルミナイジング、フリットベーキング電子銃装置等の工
程は従来とほぼ同様である。
【００２２】（実施例２）実施例１と同様にガラスパネ
ル１の凹部内面にＰＶＰ−アジド系フォトレジストを塗
布し、乾燥してフォトレジスト被膜を形成する。次に、
露光環境を制御するために、露光時に図２に示すよう
に、上記フォトレジスト被膜を形成したガラスパネル１
面近傍に酸素濃度／湿度を調整したエアーを直接供給
し、所定の露光条件によりフォトレジストを露光し、架
橋反応により不溶性部分を形成する。
ル１の凹部内面にＰＶＰ−アジド系フォトレジストを塗
布し、乾燥してフォトレジスト被膜を形成する。次に、
露光環境を制御するために、露光時に図２に示すよう
に、上記フォトレジスト被膜を形成したガラスパネル１
面近傍に酸素濃度／湿度を調整したエアーを直接供給
し、所定の露光条件によりフォトレジストを露光し、架
橋反応により不溶性部分を形成する。
【００２３】以下実施例１と同様に、現像プロセスで不
溶性ストライプ部分のみ残し、その後、黒色カーボン懸
濁液を塗布し、乾燥する。次に剥離液を注ぎ、硬化した
フォトレジストを除去し、非発光性光吸収物質被膜を形
成する。以下３色蛍光体層の形成、アルミナイジング等
を行う。
溶性ストライプ部分のみ残し、その後、黒色カーボン懸
濁液を塗布し、乾燥する。次に剥離液を注ぎ、硬化した
フォトレジストを除去し、非発光性光吸収物質被膜を形
成する。以下３色蛍光体層の形成、アルミナイジング等
を行う。
【００２４】（実施例３）上記実施例１，２と同様にガ
ラスパネル１の内面にＰＶＰ−アジド系フォトレジスト
被膜を形成する。その後露光環境を抑制するために、実
施例１と実施例２を組み合わせた。
ラスパネル１の内面にＰＶＰ−アジド系フォトレジスト
被膜を形成する。その後露光環境を抑制するために、実
施例１と実施例２を組み合わせた。
【００２５】すなわち、図３に示すように、フォトレジ
スト被膜を形成したガラスパネルを画室１１内に配し、
画室１１内に空間制御エアーを予め流し、更に露光時ガ
ラスパネル１の内面近傍に酸素濃度／湿度を調整したエ
アーを直接供給し、所定の露光条件によりフォトレジス
トを露光し、架橋反応により不溶性部分を形成する。
スト被膜を形成したガラスパネルを画室１１内に配し、
画室１１内に空間制御エアーを予め流し、更に露光時ガ
ラスパネル１の内面近傍に酸素濃度／湿度を調整したエ
アーを直接供給し、所定の露光条件によりフォトレジス
トを露光し、架橋反応により不溶性部分を形成する。
【００２６】この露光工程では、メインコントロールゾ
ーンとしての画室１１の前後に例えば、シャッター等の
仕切りを介して画室１１に連通するプリコントロールゾ
ーンとサブコントロールゾーンが設けられる。ガラスパ
ネルは順次プリコントロールゾーン，メインコントロー
ルゾーンそしてサブコントロールゾーンを経て露光工程
を終了する。
ーンとしての画室１１の前後に例えば、シャッター等の
仕切りを介して画室１１に連通するプリコントロールゾ
ーンとサブコントロールゾーンが設けられる。ガラスパ
ネルは順次プリコントロールゾーン，メインコントロー
ルゾーンそしてサブコントロールゾーンを経て露光工程
を終了する。
【００２７】プリコントロールゾーンでは、メインコン
トロールゾーン（画室１１）での露光時の架橋反応の制
御精度向上（酸素濃度の安定化）のため、ある程度の酸
素濃度の調整を行う。
トロールゾーン（画室１１）での露光時の架橋反応の制
御精度向上（酸素濃度の安定化）のため、ある程度の酸
素濃度の調整を行う。
【００２８】メインコントロールゾーンはパターン形成
のための露光ポジションであり、このゾーンの酸素濃度
によってパターンが決定される。このゾーンでは、図３
に示したように、空間制御と共に、ガラスパネル内面近
傍にノズル等で直接エアーを供給する直接制御を行う。
のための露光ポジションであり、このゾーンの酸素濃度
によってパターンが決定される。このゾーンでは、図３
に示したように、空間制御と共に、ガラスパネル内面近
傍にノズル等で直接エアーを供給する直接制御を行う。
【００２９】次にサブコントロールゾーンでは、外気が
メインコントロールゾーンに流れ込み、架橋反応の制御
精度の低下を防止する。以下、実施例１と同様に、現像
プロセスで不溶性ストライプ部分のみ残し、その後、黒
色カーボン懸濁液を塗布し、乾燥する。次に剥離液を注
ぎ、硬化したフォトレジストを除去し、非発光性光吸収
物質被膜を形成する。以下３色蛍光体層の形成、アルミ
ナイジング等を行う。
メインコントロールゾーンに流れ込み、架橋反応の制御
精度の低下を防止する。以下、実施例１と同様に、現像
プロセスで不溶性ストライプ部分のみ残し、その後、黒
色カーボン懸濁液を塗布し、乾燥する。次に剥離液を注
ぎ、硬化したフォトレジストを除去し、非発光性光吸収
物質被膜を形成する。以下３色蛍光体層の形成、アルミ
ナイジング等を行う。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、陰
極線管蛍光面作成に用いられているポリビニルピロリド
ン（ＰＶＰ）と水溶性ビスアジド化合物からなるＰＶＰ
−アジド系フォトレジスト被膜の露光プロセスにおい
て、特に酸素濃度と湿度を制御した露光環境の下で露光
を行って上記フォトレジスト被膜の架橋反応を制御し、
非発光性光吸収物質被膜パターンをパネル内面に安定し
て形成することができる。
極線管蛍光面作成に用いられているポリビニルピロリド
ン（ＰＶＰ）と水溶性ビスアジド化合物からなるＰＶＰ
−アジド系フォトレジスト被膜の露光プロセスにおい
て、特に酸素濃度と湿度を制御した露光環境の下で露光
を行って上記フォトレジスト被膜の架橋反応を制御し、
非発光性光吸収物質被膜パターンをパネル内面に安定し
て形成することができる。
【００３１】また上記非発光性光吸収物質被膜パターン
を安定して形成できるため、ユニフォーミティー（均一
性）等の品質向上を図ることができる。
を安定して形成できるため、ユニフォーミティー（均一
性）等の品質向上を図ることができる。
【図１】本発明に係る露光環境の第一実施例を示す模式
図である。
図である。
【図２】本発明に係る露光環境の第二実施例を示す模式
図である。
図である。
【図３】本発明に係る露光環境の第三実施例を示す模式
図である。
図である。
【図４】ＰＶＰ−アジド系の架橋原理を説明するための
図である。
図である。
【図５】プロセス要因のＰＶＰレジストに与える影響を
示す図である。
示す図である。
１ ガラスパネル ２ 画室
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラスパネル内面に水溶性ビスアジド化
合物とポリビニルピロリドンからなるフォトレジスト被
膜を形成する工程と、 露光時に露光雰囲気を酵素濃度と湿度について制御した
状態で前記フォトレジスト被膜の特定部分を露光して硬
化させる工程と、 現像により前記フォトレジスト被膜の非露光部分を除去
する工程と、 現像後の前記ガラスパネル内面の全域に非発光性光吸収
物質を塗布し、前記除去されたフォトレジスト被膜の部
分にのみ非発光性光吸収物質被膜を形成する工程とを含
むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記露光雰囲気の制御状態を、露光前に
予め露光用画室内に形成することを特徴とする請求項１
記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 前記露光雰囲気の制御状態を、前記ガラ
スパネル内面近傍に、予め作成した制御ガスを露光時に
直接供給することによって形成することを特徴とする請
求項１記載のパターン形成方法。 - 【請求項４】 前記露光雰囲気の制御状態を、露光前に
予め露光用画室内に形成し、且つ前記ガラスパネル内面
近傍に予め作成した制御ガスを露光時に直接供給するこ
とによって形成することを特徴とする請求項１記載のパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26746593A JPH07122187A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26746593A JPH07122187A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122187A true JPH07122187A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17445223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26746593A Pending JPH07122187A (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122187A (ja) |
-
1993
- 1993-10-26 JP JP26746593A patent/JPH07122187A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4273842A (en) | Process for forming patternwise coated powder layer | |
| US3965278A (en) | Method of making screens for cathode-ray tubes | |
| US3917794A (en) | Method of pattern formation | |
| JPS5847811B2 (ja) | ケイコウメンノ セイゾウホウホウ | |
| US4647519A (en) | Negative-working photoresist method of making rear-projection television screen viewing surface | |
| US3589907A (en) | Photosensitive lacquer and the use of this lacquer in manufacturing picture screens for cathode-ray tubes | |
| US4526854A (en) | Photoresist composition with water soluble bisazide and diazo compound | |
| US4501806A (en) | Method for forming pattern and photoresist used therein | |
| US4556626A (en) | Negative-working dichromate photoresist composition, process for applying it to a polymethyl methacrylate surface, and article produced | |
| JPH07122187A (ja) | パターン形成方法 | |
| US4089687A (en) | Photographic method for printing particle pattern with improved adherence utilizing vanadates | |
| US4223083A (en) | Virtual mask exposure system for CRT screen manufacture | |
| US4572880A (en) | Method of manufacturing fluorescent screens | |
| US5173382A (en) | Photosensitive composition containing water-soluble binder and aromatic diazonium chromate forming fluorescent screens employing same | |
| US4255504A (en) | Method for producing CRT screen structure | |
| KR900000864B1 (ko) | 감광성 조성물 및 그것을 사용한 패턴형성방법 | |
| US4248947A (en) | Method for master pattern production | |
| US5108858A (en) | Method for making a viewing screen structure for CRT | |
| JPH0622096B2 (ja) | カラ−陰極線管の製法 | |
| US3753711A (en) | Method for producing phosphor screen | |
| US4263384A (en) | Method of forming fluorescent screens of color picture tubes | |
| US3706558A (en) | Photographic method for printing viewing screen structure including treatment of exposed coating before development | |
| JPS62195828A (ja) | カラ−受像管螢光面の形成方法 | |
| CA1111698A (en) | Crt screen structure produced by photographic method | |
| JPS6023459B2 (ja) | カラ−受像管の光吸収膜形成方法 |