JPH07122604A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit deviceInfo
- Publication number
- JPH07122604A JPH07122604A JP5290063A JP29006393A JPH07122604A JP H07122604 A JPH07122604 A JP H07122604A JP 5290063 A JP5290063 A JP 5290063A JP 29006393 A JP29006393 A JP 29006393A JP H07122604 A JPH07122604 A JP H07122604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- output terminal
- output terminals
- terminal
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/019—Manufacture or treatment of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/926—Multiple bond pads having different sizes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路装置(半導体チップ)の電気
的検査を可能にする一方で、好適な金属線のボンディン
グを可能にして他ピン化を実現する。
【構成】 半導体チップ1の周辺部に微小端子寸法の第
1の入出力端子2を微小ピッチ寸法で配列し、その内側
の領域に第2の入出力端子3を第1の入出力端子よりも
大きな端子寸法およびピッチ寸法で配列し、かつ各入出
力端子2,3を接続部4により個々に電気接続する。第
2の入出力端子3に対して金属線のボンディングを行う
ことにより、位置精度を確保して高信頼性のボンディン
グが実現される。また、第1の入出力端子2を半導体チ
ップの周辺部に1列に配置することにより、検査装置の
プローブの当接を可能とし、検査の容易化を実現する。
(57) [Abstract] [Objective] While enabling electrical inspection of a semiconductor integrated circuit device (semiconductor chip), suitable metal wire bonding is possible to realize other pins. [Structure] First input / output terminals 2 having minute terminal dimensions are arranged at a minute pitch dimension in the peripheral portion of a semiconductor chip 1, and second input / output terminals 3 are arranged in a region inside the first input / output terminals 2 more than the first input / output terminals. The input and output terminals 2 and 3 are individually arranged to be electrically connected by the connection portion 4 while being arranged with a large terminal size and pitch size. By bonding a metal wire to the second input / output terminal 3, it is possible to secure positional accuracy and realize highly reliable bonding. Further, by arranging the first input / output terminals 2 in a row in the peripheral portion of the semiconductor chip, the probes of the inspection device can be brought into contact with each other and the inspection can be facilitated.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特に多ピン化に適した半導体集積回路装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a semiconductor integrated circuit device suitable for increasing the number of pins.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の半導体集積回路装置では、図5に
示すように、中央部に内部素子領域223が形成され、
その外形が矩形に形成された半導体チップ21の周辺部
に複数の入出力端子22が配列されている。この入出力
端子22は電極パッドとして30μφのアルミニウムや
金等の金属線が接続されるものであるため、これらの金
属線のボンディングを可能とし、かつ隣接する金属線の
干渉による短絡を防止するために、所定以上の寸法、及
び所定以上のピッチ寸法であることが要求される。例え
ば500ピン程度の15mm□チップの半導体集積回路
装置の場合には、各入出力端子は100〜120μm□
程度の寸法とされ、かつ110〜130μm程度のピッ
チ寸法として配列形成されている。2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor integrated circuit device, as shown in FIG. 5, an internal element region 223 is formed at the center,
A plurality of input / output terminals 22 are arranged in the peripheral portion of the semiconductor chip 21 having a rectangular outer shape. Since the input / output terminal 22 is connected to a metal wire such as aluminum or gold having a diameter of 30 μφ as an electrode pad, these metal wires can be bonded and a short circuit due to interference of adjacent metal wires is prevented. In addition, it is required that the size is a predetermined size or more and the pitch size is a predetermined size or more. For example, in the case of a semiconductor integrated circuit device having a 15 mm square chip with about 500 pins, each input / output terminal is 100 to 120 μm square.
They are formed to have a size of about 110 to 130 μm and arranged in an array.
【0003】このような入出力端子の構成では、近年に
おける半導体集積回路装置の高集積化に伴って半導体チ
ップに対して800〜2000ピンの極めて大きな多ピ
ン化が要求されると、入出力端子22のピッチ寸法を6
0〜70μm程度に低減させることが必要とされる。し
かしながら、このような微細ピッチ寸法では、前記した
金属線のボンディングに際しての位置精度を確保する上
で不利となり信頼性の高いボンディングが困難になると
ともに、隣接金属線の短絡を防止することが困難にな
り、その実現が困難になる。With such a configuration of the input / output terminals, when the semiconductor chip is required to have an extremely large number of pins of 800 to 2000 pins in accordance with the high integration of the semiconductor integrated circuit device in recent years, the input / output terminals are required. 22 pitch size 6
It is necessary to reduce the thickness to about 0 to 70 μm. However, such a fine pitch dimension is disadvantageous in securing the positional accuracy at the time of bonding of the above-described metal wire, makes reliable bonding difficult, and makes it difficult to prevent a short circuit between adjacent metal wires. Becomes difficult to realize.
【0004】このため、従来では図6に示すように、半
導体チップ31の内部素子領域32を含む略全面に入出
力端子32を配列したものが提案されている(特開昭6
4−67951号公報)。この半導体集積回路装置で
は、多数の入出力端子32を半導体チップ31の略全面
にマトリクス状に配列することで、各入出力端子32の
端子寸法やピッチ寸法を所定以上に確保し、前記したボ
ンディングに際しての問題を解消し、かつ隣接金属線の
短絡の防止効果を高めることが可能となる。For this reason, conventionally, as shown in FIG. 6, there has been proposed a semiconductor chip 31 in which the input / output terminals 32 are arranged on substantially the entire surface including the internal element region 32 (Japanese Patent Laid-Open No. Sho 6-62).
4-67951). In this semiconductor integrated circuit device, by arranging a large number of input / output terminals 32 in a matrix on substantially the entire surface of the semiconductor chip 31, the terminal size and pitch size of each input / output terminal 32 are secured to a predetermined value or more, and the above-mentioned bonding is performed. In this case, it is possible to solve the problem at the time of, and enhance the effect of preventing a short circuit between adjacent metal wires.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに入出力端子32を半導体チップ31の略全面に配列
すると、半導体チップ31の電気的検査を行うために検
査用プローブを入出力端子に接触して通電検査を行う際
に、既存のプローブ配列の検査装置を使用することがで
きなくなり、特殊なプローブ配列の検査装置を用意する
必要がある。また、通常では検査装置の多数本のプロー
ブは円周方向に配置された構成が取られるが、図6の半
導体チップに適用するためには、これらのプローブをマ
トリクス状に配置する必要があり、その構造が複雑にな
るとともに、検査装置の高コスト化をまねくという問題
が生じる。本発明の目的は、通常の検査装置を用いて半
導体チップの電気的検査を可能にする一方で、金属線を
ボンディングする際の問題を解消した他ピン化を可能に
した半導体集積回路装置を提供することにある。However, when the input / output terminals 32 are arranged on substantially the entire surface of the semiconductor chip 31, the inspection probe is brought into contact with the input / output terminals in order to electrically inspect the semiconductor chip 31. When conducting the energization inspection by using the existing probe array inspection device, it becomes impossible to use the existing probe array inspection device, and it is necessary to prepare a special probe array inspection device. Further, usually, a large number of probes of the inspection device are arranged in the circumferential direction, but in order to apply to the semiconductor chip of FIG. 6, it is necessary to arrange these probes in a matrix. There is a problem that the structure becomes complicated and the cost of the inspection device is increased. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device that enables electrical inspection of a semiconductor chip by using a normal inspection device, and solves a problem at the time of bonding a metal wire and enables other pins. To do.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、半導体チップの周辺部に微小ピッチ寸法で配列され
た微小端子寸法の複数の第1の入出力端子と、第1の入
出力端子よりも内側の領域に第1の入出力端子の端子寸
法及びピッチ寸法よりも大きな端子寸法及びピッチ寸法
で配列され、かつそれぞれが第1の入出力端子に個々に
電気接続された複数の第2の入出力端子とを備える構成
とする。例えば、第1の入出力端子の少なくとも一部
と、第2の入出力端子の少なくとも一部と、これらの入
出力端子を相互に電気接続する接続部とを一つの導電膜
で一体に形成する。また、第1の入出力端子と第2の入
出力端子の表面部の材質が異なる構成としてもよい。SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor integrated circuit according to the present invention comprises a plurality of first input / output terminals each having a minute terminal size and arranged at a peripheral portion of a semiconductor chip with a minute pitch size, and a first input / output terminal. A plurality of second input / output terminals arranged in a region inside the first input / output terminals with terminal dimensions and pitch dimensions larger than those of the first input / output terminals, and electrically connected to the first input / output terminals, respectively. And an input / output terminal of. For example, at least a part of the first input / output terminal, at least a part of the second input / output terminal, and a connection portion for electrically connecting these input / output terminals to each other are integrally formed by one conductive film. . Further, the materials of the surface portions of the first input / output terminal and the second input / output terminal may be different.
【0007】[0007]
【作用】端子寸法及びピッチ寸法の大きな第2の入出力
端子に対して金属線のボンディングを行うことにより、
位置精度を確保して高信頼性のボンディングが実現で
き、かく金属線の相互短絡が防止される。また、端子寸
法及びピッチ寸法が小さい第1の入出力端子を半導体チ
ップの周辺部に1列に配置することにより、検査装置の
プローブの当接を可能とし、検査の容易化を実現する。[Operation] By bonding a metal wire to the second input / output terminal having a large terminal size and pitch,
Positioning accuracy can be secured and highly reliable bonding can be realized, and thus mutual short circuit of metal wires can be prevented. Further, by arranging the first input / output terminals having a small terminal size and a small pitch size in a row in the peripheral portion of the semiconductor chip, the probes of the inspection device can be brought into contact with each other, and the inspection can be facilitated.
【0008】[0008]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例を示す図であり、矩形に形
成された半導体チップ1の周辺部には多数の第1の入出
力端子2が半導体チップ1の周縁に沿って1列に配列さ
れている。また、この第1の入出力端子2の内側には、
これと同じ数の第2の入出力端子3が第1の入出力端子
2の配列方向に沿って2列に配列されている。そして、
前記第1の入出力端子2と第2の入出力端子3とはそれ
ぞれ近接されたものが1対1で対応され、それぞれが接
続部4により相互に電気的に接続されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, in which a large number of first input / output terminals 2 are arranged in a row along the peripheral edge of the semiconductor chip 1 in the peripheral portion of the semiconductor chip 1 formed in a rectangular shape. Has been done. In addition, inside the first input / output terminal 2,
The same number of second input / output terminals 3 are arranged in two rows along the arrangement direction of the first input / output terminals 2. And
The first input / output terminal 2 and the second input / output terminal 3 are in close proximity to each other in a one-to-one correspondence, and are electrically connected to each other by the connecting portion 4.
【0009】図2は図1のA部を拡大した図であり、
(a)は平面図、(b)はそのB−B線拡大断面図であ
る。半導体チップ1を構成するシリコン基板10の主面
部の素子領域には、リソグラフィ、イオン注入、エッチ
ング等の技術を用いて所要の内部素子を形成し、これら
の素子からなる内部素子領域11を形成している。そし
て、その上には絶縁膜と、所要のパターンに形成した導
電膜とを積層した多層配線層12を形成し、前記内部素
子領域11の各素子を相互に電気接続し、所望の半導体
集積回路を構成している。そして、この多層配線層12
の最上層にはアルミニウム膜をパターン形成して端子配
線層13を形成している。FIG. 2 is an enlarged view of portion A of FIG.
(A) is a top view and (b) is the BB line expanded sectional view. In the element region of the main surface portion of the silicon substrate 10 that constitutes the semiconductor chip 1, required internal elements are formed by using a technique such as lithography, ion implantation, and etching, and the internal element region 11 including these elements is formed. ing. Then, a multilayer wiring layer 12 in which an insulating film and a conductive film formed in a desired pattern are laminated is formed thereon, and the respective elements in the internal element region 11 are electrically connected to each other to obtain a desired semiconductor integrated circuit. Are configured. Then, this multilayer wiring layer 12
An aluminum film is patterned on the uppermost layer to form the terminal wiring layer 13.
【0010】この端子配線層13は、前記第1の入出力
端子2に相当する部分と、第2の入力出力端子3に相当
する部分と、これら第1及び第2の入出力端子2,3を
相互に電気接続する接続部4とを一体に形成してその平
面形状が、いわゆるドッグボーンに近い形状に形成す
る。そして、この端子配線層13上にカバー絶縁膜14
を形成し、かつこのカバー絶縁膜14には前記第1及び
第2の入出力端子に相当する部分にそれぞれ窓14a,
14bを開設する。この開設された窓14aにより、露
呈された端子配線層13の一部で前記第1の入出力端子
2が形成される。また、開設された窓14bにより露呈
された端子配線層13の他の部分を含む領域に選択的に
チタン・タングステン膜15と金膜16とを積層形成す
ることにより前記第2の入出力端子3が形成される。な
お、この第2の入出力端子3の製造に際しては、カバー
絶縁膜14に窓14bを開設した後に、チタン・タング
ステン膜15と金膜16とをカバー絶縁膜13の上面に
形成し、その後にフォトレジスト等をマスクにして選択
エッチングすることにより形成することが可能である。The terminal wiring layer 13 has a portion corresponding to the first input / output terminal 2, a portion corresponding to the second input / output terminal 3, and these first and second input / output terminals 2 and 3. And the connecting portion 4 for electrically connecting the two are integrally formed, and the planar shape thereof is formed so as to be close to a so-called dog bone. Then, the cover insulating film 14 is formed on the terminal wiring layer 13.
And in the cover insulating film 14, windows 14a and 14a are formed in the portions corresponding to the first and second input / output terminals, respectively.
14b is opened. Due to the opened window 14a, the first input / output terminal 2 is formed on a part of the exposed terminal wiring layer 13. The second input / output terminal 3 is formed by selectively forming a titanium / tungsten film 15 and a gold film 16 in a region including the other portion of the terminal wiring layer 13 exposed by the opened window 14b. Is formed. In manufacturing the second input / output terminal 3, after the window 14b is opened in the cover insulating film 14, the titanium / tungsten film 15 and the gold film 16 are formed on the upper surface of the cover insulating film 13, and thereafter, It can be formed by selective etching using a photoresist or the like as a mask.
【0011】また、このとき、第1の入出力端子2は半
導体チップ1の周縁に沿って1列に配列するが、端子配
線層13の接続部4の長さを長、短、長の周期で繰り返
すように設定することで、内側に配列される1つの第2
の入出力端子3に対して、これを挟むように外側に2つ
の第1の入出力端子2が配列される構成とすることがで
きる。そして、第1の入出力端子2は、端子寸法を50
μm□とし、ピッチ寸法を60〜70μmとする。一
方、第2の入出力端子3は端子寸法をこれよりも大きな
150μm□とし、かつそのピッチ寸法200〜500
0μm程度に大きくする。At this time, the first input / output terminals 2 are arranged in one line along the periphery of the semiconductor chip 1, but the length of the connecting portion 4 of the terminal wiring layer 13 is set to long, short, and long cycles. By setting to repeat with, one second arranged inside
The first input / output terminal 2 may be arranged outside the input / output terminal 3 so as to sandwich the input / output terminal 3. The terminal size of the first input / output terminal 2 is 50
The pitch dimension is 60 to 70 μm. On the other hand, the second input / output terminal 3 has a terminal size of 150 μm □, which is larger than this, and its pitch size is 200 to 500.
Increase to about 0 μm.
【0012】この構成の半導体集積回路装置によれば、
半導体チップ1に対して金属線をボンディングする際に
は、第2の入出力端子3に対して行う。この場合、第2
の入出力端子3の端子寸法が十分に大きくされているた
め、ボンディング時において所要の位置精度を確保する
ことが容易となり、高い信頼性の金属線ボンディングが
実現できる。また、第2の入出力端子3のピッチ寸法が
大きくされているため、隣接位置にボンディングされた
金属線が相互に接触して短絡されることを抑制すること
が可能となる。According to the semiconductor integrated circuit device having this structure,
When the metal wire is bonded to the semiconductor chip 1, the second input / output terminal 3 is bonded. In this case, the second
Since the terminal size of the input / output terminal 3 is sufficiently large, it becomes easy to ensure the required positional accuracy during bonding, and highly reliable metal wire bonding can be realized. Further, since the pitch size of the second input / output terminals 3 is increased, it is possible to prevent the metal wires bonded at the adjacent positions from contacting each other and being short-circuited.
【0013】一方、半導体チップの電気的検査において
は、周辺部に配列した第1の入出力端子2を利用する。
この第1の入出力端子2は端子寸法とピッチ寸法が小さ
くされているが、検査装置のプローブをそれぞれの端子
に接触させるのには十分であり、必要とされる検査を行
う際の障害になることはない。むしろ、第1の入出力端
子2が半導体チップの周辺に沿って1列に配列されてい
ることで、従来から提供されているプローブ配置の検査
装置をそのまま使用することが可能となり、特殊な検査
装置を必要とせず、その高価格化が回避できる。On the other hand, in the electrical inspection of the semiconductor chip, the first input / output terminals 2 arranged in the peripheral portion are used.
Although the first input / output terminal 2 has a small terminal size and a small pitch size, it is sufficient to bring the probe of the inspection device into contact with the respective terminals, which may be a obstacle to the required inspection. It never happens. Rather, by arranging the first input / output terminals 2 in a row along the periphery of the semiconductor chip, it becomes possible to use the conventionally provided probe arranging inspection device as it is, and to perform a special inspection. It does not require a device, and its price increase can be avoided.
【0014】なお、第2の入出力端子3はその表面にバ
リアメタルとしてのチタン・タングステン膜15を介し
て金膜16が形成されているので、アルミニウムや金等
からなる金属線に対して良好なボンディングを実現する
ことができる。その一方で、第1の入出力端子2は端子
配線層13のみで構成されているため、構造の簡易化を
図り、かつ省資源の上でも有利となる。Since the gold film 16 is formed on the surface of the second input / output terminal 3 through the titanium / tungsten film 15 as a barrier metal, it is suitable for a metal wire made of aluminum or gold. Bonding can be realized. On the other hand, since the first input / output terminal 2 is composed of only the terminal wiring layer 13, it is advantageous in terms of simplifying the structure and saving resources.
【0015】図3は本発明の他の実施例を示す図であ
り、前記実施例の図2(b)に相当する断面図である。
この実施例では、第2の入出力端子3の表面の金膜16
上に半田バンプ17を形成したものであり、金属線を用
いることなく半導体チップの実装やパッケージを行う場
合、例えば半導体チップをTABテープを用いて実装す
る場合、或いはリードフレームに直接搭載する場合等に
有効である。なお、図4に示すように、第1の入出力端
子2にもチタン・タングステン膜15と金膜16との積
層膜を形成してもよい。この場合には、第1の入出力端
子2を検査用にのみ使用するのではなく、一部の第1の
入出力端子2に対して金属線をボンディングして電気接
続に利用することも可能である。FIG. 3 is a view showing another embodiment of the present invention and is a sectional view corresponding to FIG. 2B of the above embodiment.
In this embodiment, the gold film 16 on the surface of the second input / output terminal 3 is used.
When the solder bumps 17 are formed on the semiconductor chip, the semiconductor chip is mounted or packaged without using a metal wire, for example, when the semiconductor chip is mounted using a TAB tape, or directly mounted on a lead frame. Is effective for. Note that, as shown in FIG. 4, a laminated film of the titanium / tungsten film 15 and the gold film 16 may be formed also on the first input / output terminal 2. In this case, instead of using the first input / output terminal 2 only for inspection, it is also possible to bond a metal wire to some of the first input / output terminals 2 and use it for electrical connection. Is.
【0016】ここで、前記した実施例は本発明の一例を
示したものに過ぎず、特に第2の入出力端子の配列は任
意であり、例えば第2の入出力端子は図6に示した従来
構成のように半導体チップの全面にマトリクスに近い形
で配列することも可能である。なお、端子配線層はアル
ミニウム合金で形成してもよく、またバリアメタルは窒
化チタンやその他の金属を用いることが可能である。The above-described embodiment is merely an example of the present invention, and particularly the arrangement of the second input / output terminals is arbitrary, for example, the second input / output terminals are shown in FIG. As in the conventional configuration, it is possible to arrange the semiconductor chips on the entire surface in a form close to a matrix. The terminal wiring layer may be formed of an aluminum alloy, and the barrier metal may be titanium nitride or another metal.
【0017】[0017]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、微小端子
寸法の第1の入出力端子を半導体チップの周辺部に微小
ピッチ寸法で1列に配列し、その内側領域に端子寸法の
大きな第2の入出力端子を大きなピッチ寸法で配列し、
かつ第1の入出力端子と第2の入出力端子を相互に電気
接続しているのて、第2の入出力端子に対して金属線の
ボンディングを行うことにより、位置精度を確保して高
信頼性のボンディングが実現でき、かつ金属線の相互短
絡が防止される。また、第1の入出力端子に対して検査
装置のプローブを当接して検査を行うことにより、既存
の検査装置の使用が可能になり、検査の容易化を実現す
る。これにより、半導体集積回路装置の多ピン化が実現
できる。また、第1の入出力端子と第2の入出力端子の
表面部の材質を異なる構成とし、第1の入出力端子をア
ルミニウムまたはアルミニウム合金で構成し、第2の入
出力端子をアルミニウム又はアルミニウム合金の上にチ
タン等のバリアメタル膜を形成し、かつその上に金膜を
形成することで、第2の入出力端子に対する金属線のボ
ンディングを良好に行うことができる一方で、省資源或
いは構造の簡略化の点で有利になる。As described above, according to the present invention, the first input / output terminals having a minute terminal size are arranged in a row at the peripheral portion of the semiconductor chip with a minute pitch size, and the first input / output terminals having a large terminal size are arranged in the inner region. Arrange the 2 input / output terminals with a large pitch,
In addition, since the first input / output terminal and the second input / output terminal are electrically connected to each other, by bonding the metal wire to the second input / output terminal, the positional accuracy is secured and the high accuracy is ensured. Reliable bonding can be realized and mutual short circuit of metal wires can be prevented. Further, by contacting the probe of the inspection device with the first input / output terminal to perform the inspection, the existing inspection device can be used and the inspection can be facilitated. This makes it possible to increase the number of pins of the semiconductor integrated circuit device. Further, the first input / output terminal and the second input / output terminal are made of different materials, and the first input / output terminal is made of aluminum or an aluminum alloy, and the second input / output terminal is made of aluminum or aluminum. By forming a barrier metal film such as titanium on the alloy and forming a gold film on the barrier metal film, it is possible to satisfactorily bond the metal wire to the second input / output terminal, while saving resources or This is advantageous in terms of simplification of the structure.
【図1】本発明の半導体集積回路装置の一実施例の全体
構成を概略図示した平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing the overall configuration of an embodiment of a semiconductor integrated circuit device of the present invention.
【図2】図1のA部を拡大した図であり、(a)はその
拡大平面図、(b)はそのB−B線拡大断面図である。2 is an enlarged view of a portion A in FIG. 1, (a) is an enlarged plan view thereof, and (b) is an enlarged sectional view taken along line BB thereof.
【図3】本発明の他の実施例の図2(b)に相当する断
面図である。FIG. 3 is a sectional view corresponding to FIG. 2B of another embodiment of the present invention.
【図4】本発明の更に他の実施例の図2(b)に相当す
る断面図である。FIG. 4 is a sectional view of yet another embodiment of the present invention, which corresponds to FIG. 2 (b).
【図5】従来の半導体集積回路装置の半導体チップの概
略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view of a semiconductor chip of a conventional semiconductor integrated circuit device.
【図6】従来の他の半導体集積回路装置の半導体チップ
の概略平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view of a semiconductor chip of another conventional semiconductor integrated circuit device.
1 半導体チップ 2 第1の入出力端子 3 第2の入出力端子 4 接続部 10 シリコン基板 12 多層配線層 13 端子配線層 14 カバー膜 15 チタン・タングステン膜 16 金膜 17 半田バンプ 1 Semiconductor Chip 2 First Input / Output Terminal 3 Second Input / Output Terminal 4 Connection 10 Silicon Substrate 12 Multilayer Wiring Layer 13 Terminal Wiring Layer 14 Cover Film 15 Titanium / Tungsten Film 16 Gold Film 17 Solder Bump
Claims (5)
の周辺部に微小ピッチ寸法で配列された微小端子寸法の
複数の第1の入出力端子と、この第1の入出力端子より
も内側の領域に前記第1の入出力端子の端子寸法および
ピッチ寸法よりも大きな端子寸法およびピッチ寸法で配
列され、かつそれぞれが前記第1の入出力端子に個々に
電気接続された複数の第2の入出力端子とを備えること
を特徴とする半導体集積回路装置。1. A plurality of first input / output terminals each having a minute terminal size and arranged at a minute pitch in a peripheral portion of a semiconductor chip on which a semiconductor integrated circuit is formed, and a region inside the first input / output terminal. A plurality of second input / outputs arranged in a terminal size and a pitch size larger than the terminal size and the pitch size of the first input / output terminals, and each of which is individually electrically connected to the first input / output terminal. A semiconductor integrated circuit device comprising: a terminal.
第2の入出力端子の少なくとも一部と、これらの入出力
端子を相互に電気接続する接続部とを一つの導電膜で一
体に形成してなる請求項1の半導体集積回路装置。2. At least a part of the first input / output terminal,
2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein at least a part of the second input / output terminal and a connecting portion for electrically connecting these input / output terminals to each other are integrally formed by one conductive film.
表面部の材質が異なる請求項1または2の半導体集積回
路装置。3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the material of the surface portions of the first input / output terminal and the second input / output terminal is different.
アルミニウム合金で構成され、第2の入出力端子は金/
チタン・タングステンまたは窒化チタン/アルミニウム
またはアルミニウム合金の積層構造で構成される請求項
3の半導体集積回路装置。4. The first input / output terminal is made of aluminum or aluminum alloy, and the second input / output terminal is made of gold / aluminum.
4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 3, which has a laminated structure of titanium / tungsten or titanium nitride / aluminum or aluminum alloy.
ンプが形成されてなる請求項4の半導体集積回路装置。5. The semiconductor integrated circuit device according to claim 4, wherein the second input / output terminal has solder bumps formed on the surface thereof.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5290063A JPH07122604A (en) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5290063A JPH07122604A (en) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122604A true JPH07122604A (en) | 1995-05-12 |
Family
ID=17751313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5290063A Pending JPH07122604A (en) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122604A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1065044A (en) * | 1996-06-07 | 1998-03-06 | Lsi Logic Corp | Semiconductor die with staggered bond pads |
| EP1039545A3 (en) * | 1999-03-26 | 2001-10-17 | Sanyo Electric Co., Limited. | Semiconductor device |
| US6369407B1 (en) | 1999-02-09 | 2002-04-09 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6897669B2 (en) | 2002-08-19 | 2005-05-24 | Denso Corporation | Semiconductor device having bonding pads and probe pads |
| JP2007311432A (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2009147220A (en) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Toshiba Corp | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device |
| JP2010153750A (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Renesas Electronics Corp | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2011505695A (en) * | 2007-11-30 | 2011-02-24 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Semiconductor device having a die area designed for aluminum free solder bump bonding and a test structure designed for aluminum free wire bonding |
| CN104600043A (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-06 | 瑞萨电子株式会社 | Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device |
| JPWO2015097979A1 (en) * | 2013-12-27 | 2017-03-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Semiconductor device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183134A (en) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPH02132836A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| JPH0496343A (en) * | 1990-08-13 | 1992-03-27 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPH05206383A (en) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Sony Corp | Semiconductor wafer and method for inspecting the same |
| JPH05211212A (en) * | 1992-01-20 | 1993-08-20 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
-
1993
- 1993-10-26 JP JP5290063A patent/JPH07122604A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183134A (en) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPH02132836A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| JPH0496343A (en) * | 1990-08-13 | 1992-03-27 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPH05211212A (en) * | 1992-01-20 | 1993-08-20 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPH05206383A (en) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Sony Corp | Semiconductor wafer and method for inspecting the same |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1065044A (en) * | 1996-06-07 | 1998-03-06 | Lsi Logic Corp | Semiconductor die with staggered bond pads |
| US6369407B1 (en) | 1999-02-09 | 2002-04-09 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| EP1039545A3 (en) * | 1999-03-26 | 2001-10-17 | Sanyo Electric Co., Limited. | Semiconductor device |
| US6392307B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-05-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6522012B2 (en) | 1999-03-26 | 2003-02-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with HIHG resistivity |
| US6897669B2 (en) | 2002-08-19 | 2005-05-24 | Denso Corporation | Semiconductor device having bonding pads and probe pads |
| JP2007311432A (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2011505695A (en) * | 2007-11-30 | 2011-02-24 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Semiconductor device having a die area designed for aluminum free solder bump bonding and a test structure designed for aluminum free wire bonding |
| JP2009147220A (en) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Toshiba Corp | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device |
| US8569181B2 (en) | 2007-12-17 | 2013-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor apparatus and semiconductor apparatus |
| JP2010153750A (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Renesas Electronics Corp | Method of manufacturing semiconductor device |
| CN104600043A (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-06 | 瑞萨电子株式会社 | Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device |
| EP2876679A3 (en) * | 2013-10-30 | 2015-08-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JPWO2015097979A1 (en) * | 2013-12-27 | 2017-03-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4308671B2 (en) | Semiconductor device having wire bond pad and manufacturing method thereof | |
| JPH09330934A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2006507686A (en) | Semiconductor device having bonding pad and method of forming the same | |
| JP2001351983A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| JP3648585B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH0773106B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH05343468A (en) | Semiconductor device | |
| US7226814B2 (en) | Semiconductor package device and method for fabricating the same | |
| JPH1187400A (en) | Semiconductor device | |
| JP4213672B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH05243482A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPH0922912A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2001118994A (en) | Semiconductor device | |
| JP5430848B2 (en) | Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method thereof | |
| JPH11354578A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPS62183134A (en) | Semiconductor device | |
| JPH07106523A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2001118957A (en) | Semiconductor device | |
| JP2004296464A (en) | Semiconductor device | |
| JP3692353B2 (en) | Assembling method of semiconductor device | |
| JP3279309B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2842430B2 (en) | TAB tape | |
| JPH02181457A (en) | Testing method of integrated circuit device with bump electrode | |
| JPH09260389A (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same | |
| JP4059240B2 (en) | Semiconductor chip mounting structure |