JPH07122720A - イメージセンサー及びその製造方法 - Google Patents
イメージセンサー及びその製造方法Info
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- JPH07122720A JPH07122720A JP5286293A JP28629393A JPH07122720A JP H07122720 A JPH07122720 A JP H07122720A JP 5286293 A JP5286293 A JP 5286293A JP 28629393 A JP28629393 A JP 28629393A JP H07122720 A JPH07122720 A JP H07122720A
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- Japan
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- image sensor
- filter
- signal
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フィルターの膜ワレ不良及び剥離を防止す
る。 【構成】 光信号を電気信号に変換する光電変換部上の
平坦化処理平面上に、多層膜で構成されたフィルター３
を接着層４を介在させて設けたイメージセンサー及びそ
の製造方法。
る。 【構成】 光信号を電気信号に変換する光電変換部上の
平坦化処理平面上に、多層膜で構成されたフィルター３
を接着層４を介在させて設けたイメージセンサー及びそ
の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イメージセンサー及び
その製造方法に係り、特に可視光だけではなく非可視光
領域の光信号を電気信号に変換するイメージセンサー及
びその製造方法に関する。本発明は、ファクシミリー、
イメージスキャナー、複写機等の画像情報処理装置に用
いられるイメージセンサーに好適に用いられるものであ
る。
その製造方法に係り、特に可視光だけではなく非可視光
領域の光信号を電気信号に変換するイメージセンサー及
びその製造方法に関する。本発明は、ファクシミリー、
イメージスキャナー、複写機等の画像情報処理装置に用
いられるイメージセンサーに好適に用いられるものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年固体撮像装置の用途は多様化してお
り、新しい機能が要求されている。例えば、複写機の高
画質化に加えて、目に見えない画像を認識しそれを再生
し記録することが要求されてきている。そのような画
像、すなわち非可視光画像としては例えば、赤外線を吸
収する特性を持つインクで形成された画像等がある。こ
のような画像を認識するためのセンサー技術として、可
視光を検出するセンサーと非可視光を検出するセンサー
とを併せて用いるために、両センサーを一つの半導体チ
ップに納める技術が見いだされている。一般に、このよ
うなセンサーは、配線や画素上の選択透過カラーフィル
ター等の凹凸を平坦化するために有機系平坦化膜を設け
る。そして、この平坦化膜の上層の必要な部分に非可視
光を除去する目的で誘電体多層膜を設けて構成される。
このようなセンサーの製造方法としては、シリコン基板
上に光電変換要素を形成し、機能を実現するためのフィ
ルターを形成した後、平坦化膜処理を行う。そしてその
上に誘電体多層膜を設け、可視領域センサー部上の誘電
体多層膜を残して、不要な部分をＲＩＥ法（リアクティ
ブイオンエッチング法）により除去する。その後、Ａ１
電極パッド部、スクライビング部のパターニング、エッ
チングを経て、さらにダイシング後ワイヤーボンディン
グを行い、ガラス封止によりセンサーチップを得ること
ができる。このとき主としてパターニング、ボンディン
グ、ガラス封止のための加熱工程において〜２２０℃の
加熱が必要である。
り、新しい機能が要求されている。例えば、複写機の高
画質化に加えて、目に見えない画像を認識しそれを再生
し記録することが要求されてきている。そのような画
像、すなわち非可視光画像としては例えば、赤外線を吸
収する特性を持つインクで形成された画像等がある。こ
のような画像を認識するためのセンサー技術として、可
視光を検出するセンサーと非可視光を検出するセンサー
とを併せて用いるために、両センサーを一つの半導体チ
ップに納める技術が見いだされている。一般に、このよ
うなセンサーは、配線や画素上の選択透過カラーフィル
ター等の凹凸を平坦化するために有機系平坦化膜を設け
る。そして、この平坦化膜の上層の必要な部分に非可視
光を除去する目的で誘電体多層膜を設けて構成される。
このようなセンサーの製造方法としては、シリコン基板
上に光電変換要素を形成し、機能を実現するためのフィ
ルターを形成した後、平坦化膜処理を行う。そしてその
上に誘電体多層膜を設け、可視領域センサー部上の誘電
体多層膜を残して、不要な部分をＲＩＥ法（リアクティ
ブイオンエッチング法）により除去する。その後、Ａ１
電極パッド部、スクライビング部のパターニング、エッ
チングを経て、さらにダイシング後ワイヤーボンディン
グを行い、ガラス封止によりセンサーチップを得ること
ができる。このとき主としてパターニング、ボンディン
グ、ガラス封止のための加熱工程において〜２２０℃の
加熱が必要である。
【０００３】以下、図面を用いて上記イメージセンサー
の構成及びその製造方法について更に詳しく説明する。
の構成及びその製造方法について更に詳しく説明する。
【０００４】図５に上記イメージセンサーの一例を示す
模式的平面図を示す。このイメージセンサー８には可視
光領域の光信号を電気信号に変換する光電変換要素
（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と、非可視光領域の光信号を電気信号に
変換する光電変換要素（ｉＲ）が４ライン構成で並置さ
れている。ここで光電変換要素としてはフォトダイオー
ドやフォトトランジスタの様な光起電力素子または光電
導素子が用いられる。そして可視光領域用に用いられる
光電変換要素は可視光領域を透過し、非可視光領域の光
を遮断するための誘電体多層膜からなる積層フィルター
（ｉＲカットフィルター）を有する。また、可視光領域
の特定の領域の信号を得るために、特定の領域のみ選択
的に透過するフィルターを合わせて有する。すなわち、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各光電変換要素は各
々、可視光の特定の波長領域のみを透過する固有のフィ
ルターと非可視光領域を遮断する共通のフィルターとを
有する。
模式的平面図を示す。このイメージセンサー８には可視
光領域の光信号を電気信号に変換する光電変換要素
（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と、非可視光領域の光信号を電気信号に
変換する光電変換要素（ｉＲ）が４ライン構成で並置さ
れている。ここで光電変換要素としてはフォトダイオー
ドやフォトトランジスタの様な光起電力素子または光電
導素子が用いられる。そして可視光領域用に用いられる
光電変換要素は可視光領域を透過し、非可視光領域の光
を遮断するための誘電体多層膜からなる積層フィルター
（ｉＲカットフィルター）を有する。また、可視光領域
の特定の領域の信号を得るために、特定の領域のみ選択
的に透過するフィルターを合わせて有する。すなわち、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各光電変換要素は各
々、可視光の特定の波長領域のみを透過する固有のフィ
ルターと非可視光領域を遮断する共通のフィルターとを
有する。
【０００５】一方、非可視光領域の光信号を電気信号に
変換する光電変換要素（ｉＲ）としては、非可視光領域
を含む広い波長領域に感度を有する材料に、非可視光領
域の光に対して選択的な透過率を持つフィルターを組み
合わせて構成する。
変換する光電変換要素（ｉＲ）としては、非可視光領域
を含む広い波長領域に感度を有する材料に、非可視光領
域の光に対して選択的な透過率を持つフィルターを組み
合わせて構成する。
【０００６】以上述べたように、各フィルターと組み合
わせることにより、特定の各可視光領域、非可視光領域
の光信号を得ることができる。図６に上記イメージセン
サーの一例の模式的断面図を示す。一つのＳｉ基板９上
に形成されたフォトダイオード１３ａ〜１３ｄの上に機
能を実現するためのフィルターが形成されている。ま
た、各フォトダイオード１３ａ〜１３ｄには光信号を転
送するためのＣＣＤ１４ａ〜１４ｄが隣接配置される。
フォトダイオード１３ａ〜１３ｃ上には特定の波長領域
だけを選択透過するフィルター１２ｅ，１２ｄ，１２ｃ
と非可視光領域を遮断するフィルター１１とが設けられ
ており、フィルター１２ｅ，１２ｄ，１２ｃとフィルタ
ー１１との組み合わせにより可視光領域の光信号を得て
いる。またフォトダイオード１３ｄ上にはそれぞれＲ，
Ｂの波長領域だけを選択透過するフィルター１２ａ，１
２ｂが設けられており、非可視光領域の光信号を得てい
る。１０ａ，１０ｂは平坦化膜である。
わせることにより、特定の各可視光領域、非可視光領域
の光信号を得ることができる。図６に上記イメージセン
サーの一例の模式的断面図を示す。一つのＳｉ基板９上
に形成されたフォトダイオード１３ａ〜１３ｄの上に機
能を実現するためのフィルターが形成されている。ま
た、各フォトダイオード１３ａ〜１３ｄには光信号を転
送するためのＣＣＤ１４ａ〜１４ｄが隣接配置される。
フォトダイオード１３ａ〜１３ｃ上には特定の波長領域
だけを選択透過するフィルター１２ｅ，１２ｄ，１２ｃ
と非可視光領域を遮断するフィルター１１とが設けられ
ており、フィルター１２ｅ，１２ｄ，１２ｃとフィルタ
ー１１との組み合わせにより可視光領域の光信号を得て
いる。またフォトダイオード１３ｄ上にはそれぞれＲ，
Ｂの波長領域だけを選択透過するフィルター１２ａ，１
２ｂが設けられており、非可視光領域の光信号を得てい
る。１０ａ，１０ｂは平坦化膜である。
【０００７】上記フィルター１１は誘電体多層膜から形
成され、通常高屈折率膜と低屈折率膜との交互層からな
る。高屈折率膜としてはＴｉＯ2 ，ＺｎＳ，Ｔａ2 Ｏ
5 ，Ｎｂ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＨｆＯ2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｃｅ
Ｏ2 等及びこれらの混合物が用いられる。また、低屈折
率膜としてはＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 ，Ｎａ2
ＡｌＦ6 等及びこれらの混合物が用いられる。膜形成時
の基板加熱温度は平坦化膜１０ａ，１０ｂが通常アクリ
ル系ポリマー等の有機系樹脂で形成されるため耐熱性に
乏しく、好ましくは室温から２２０℃の温度範囲であ
る。
成され、通常高屈折率膜と低屈折率膜との交互層からな
る。高屈折率膜としてはＴｉＯ2 ，ＺｎＳ，Ｔａ2 Ｏ
5 ，Ｎｂ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＨｆＯ2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｃｅ
Ｏ2 等及びこれらの混合物が用いられる。また、低屈折
率膜としてはＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＦ2 ，Ｎａ2
ＡｌＦ6 等及びこれらの混合物が用いられる。膜形成時
の基板加熱温度は平坦化膜１０ａ，１０ｂが通常アクリ
ル系ポリマー等の有機系樹脂で形成されるため耐熱性に
乏しく、好ましくは室温から２２０℃の温度範囲であ
る。
【０００８】図７に上記センサーの後工程の模式図を示
す。但し、図６の平坦化膜１０ａ，１０ｂが形成される
までの詳細な工程の模式図は省略する。平坦化膜１５
（図６の平坦化膜１０ａ，１０ｂに相当する）の処理の
後、誘電体多層膜１７を設け、可視領域センサー部上の
多層膜を残して不要な部分を除去できるように、レジス
トによりパターン１８を形成し、ＲＩＥ法によりエッチ
ングする。さらにアルミ電極パッド１６、スクライビン
グ部のパターンニング、エッチングを経てさらにダイシ
ング、ワイヤーボンディングを行いガラス１９により封
止することによりセンサーチップが製造される。このと
き主としてパターンニング、ボンディング、ガラス封止
の工程において〜２２０℃程度の熱がかかる。
す。但し、図６の平坦化膜１０ａ，１０ｂが形成される
までの詳細な工程の模式図は省略する。平坦化膜１５
（図６の平坦化膜１０ａ，１０ｂに相当する）の処理の
後、誘電体多層膜１７を設け、可視領域センサー部上の
多層膜を残して不要な部分を除去できるように、レジス
トによりパターン１８を形成し、ＲＩＥ法によりエッチ
ングする。さらにアルミ電極パッド１６、スクライビン
グ部のパターンニング、エッチングを経てさらにダイシ
ング、ワイヤーボンディングを行いガラス１９により封
止することによりセンサーチップが製造される。このと
き主としてパターンニング、ボンディング、ガラス封止
の工程において〜２２０℃程度の熱がかかる。
【０００９】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記製造工程において、誘電体多層膜１７の形成後に〜２
２０℃程度の熱がかかるために、図６に示したｉＲカッ
トフィルター１１を積層した構成のセンサーを得ようと
した場合、後工程で膜割れを発生するという問題を生じ
る。
記製造工程において、誘電体多層膜１７の形成後に〜２
２０℃程度の熱がかかるために、図６に示したｉＲカッ
トフィルター１１を積層した構成のセンサーを得ようと
した場合、後工程で膜割れを発生するという問題を生じ
る。
【００１０】また、上記製造工程において、誘電体多層
膜を設けたセンサーチップを加熱すると、有機系平坦化
膜が面変形を起こし、面精度が低下する問題が生じる。 （発明の目的）本発明の目的は、膜ワレ不良及び剥離を
防止するためのイメージセンサーを提供することにあ
る。また本発明の目的は、このようなイメージセンサー
を低コストで製造するための製造方法を提供することに
ある。
膜を設けたセンサーチップを加熱すると、有機系平坦化
膜が面変形を起こし、面精度が低下する問題が生じる。 （発明の目的）本発明の目的は、膜ワレ不良及び剥離を
防止するためのイメージセンサーを提供することにあ
る。また本発明の目的は、このようなイメージセンサー
を低コストで製造するための製造方法を提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のイメージセンサ
ーは、光信号を電気信号に変換する光電変換部上の平坦
化処理平面上に、多層膜で構成されたフィルターを接着
層を介在させて設けたものである。
ーは、光信号を電気信号に変換する光電変換部上の平坦
化処理平面上に、多層膜で構成されたフィルターを接着
層を介在させて設けたものである。
【００１２】本発明のイメージセンサーの製造方法は、
光信号を電気信号に変換する光電変換部が設けられた第
１の基板上に平坦化処理面を有する層を設ける工程と、
第２の基板上に離型剤層を介して多層膜で構成されたフ
ィルターを設ける工程と、前記平坦化処理面と前記フィ
ルター面とを接着層を介在させて接着する工程と、前記
離型剤層の界面から前記第２の基板を剥離することで、
前記フィルターを前記平坦化処理面上に接着層を介在さ
せて設ける工程と、を備えたものである。
光信号を電気信号に変換する光電変換部が設けられた第
１の基板上に平坦化処理面を有する層を設ける工程と、
第２の基板上に離型剤層を介して多層膜で構成されたフ
ィルターを設ける工程と、前記平坦化処理面と前記フィ
ルター面とを接着層を介在させて接着する工程と、前記
離型剤層の界面から前記第２の基板を剥離することで、
前記フィルターを前記平坦化処理面上に接着層を介在さ
せて設ける工程と、を備えたものである。
【００１３】
【作用】本発明のイメージセンサーは、平坦化処理平面
と多層膜フィルターとの間に、接着層を介在させること
により、平坦化処理平面の熱収縮等を抑制して膜ワレ及
び剥離の問題を解消しようとするものである。
と多層膜フィルターとの間に、接着層を介在させること
により、平坦化処理平面の熱収縮等を抑制して膜ワレ及
び剥離の問題を解消しようとするものである。
【００１４】平坦化処理平面を構成する膜としては、有
機系平坦化膜を用いることができるが、接着層として有
機系平坦化膜よりも剛性が高い、又は／及び熱膨張率が
小さい材質のものを選べば、温度変化に対して有機系平
坦化膜の収縮等を抑制することができ多層膜の膜ワレ及
び膜剥離を防止することができる。
機系平坦化膜を用いることができるが、接着層として有
機系平坦化膜よりも剛性が高い、又は／及び熱膨張率が
小さい材質のものを選べば、温度変化に対して有機系平
坦化膜の収縮等を抑制することができ多層膜の膜ワレ及
び膜剥離を防止することができる。
【００１５】また本発明のイメージセンサーの製造方法
は、多層膜フィルターを面精度の優れた第２の基板に設
けた後、前記接着層を介在させて平坦化処理平面上に多
層膜フィルターを転写することにより、容易な製造プロ
セスで多層膜フィルターを平坦化処理平面上に形成する
ものであり、またイメージセンサーの表面精度を向上さ
せるものである。
は、多層膜フィルターを面精度の優れた第２の基板に設
けた後、前記接着層を介在させて平坦化処理平面上に多
層膜フィルターを転写することにより、容易な製造プロ
セスで多層膜フィルターを平坦化処理平面上に形成する
ものであり、またイメージセンサーの表面精度を向上さ
せるものである。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の目的が達成されるものであれば、
その範囲内での多層膜構成、材料の選択が可能である。 （実施例１）図１に示すニュートン１０本以下に研磨さ
れたガラス基板１を洗浄後、フッ素系離型剤（パーフル
オロアルキルシランをトリエタンまたはジクロルメタン
等の溶剤で希釈した液）に１０秒間浸漬し、７０ｍｍ／
分の引き上げスピードで引き上げて離型剤層２ａを形成
した。この離型剤層２ａの上に、真空蒸着法により誘電
体多層膜３を形成した。誘電体多層膜３はセンサー上に
転写されたとき、非可視光領域である近赤外光の透過率
を抑え、可視光領域の透過率を有するものであるため、
離型剤層２ａ上には転写時、上記特性が得られるように
センサー側に配置する層が最外層になるように２１層の
ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 との多層膜ｉＲカットフィルターを
形成した。形成時の真空度は１×１０-2Ｐａであり、基
板温度は５０℃である。このｉＲカットフィルターの分
光特性を図２に示した。
説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の目的が達成されるものであれば、
その範囲内での多層膜構成、材料の選択が可能である。 （実施例１）図１に示すニュートン１０本以下に研磨さ
れたガラス基板１を洗浄後、フッ素系離型剤（パーフル
オロアルキルシランをトリエタンまたはジクロルメタン
等の溶剤で希釈した液）に１０秒間浸漬し、７０ｍｍ／
分の引き上げスピードで引き上げて離型剤層２ａを形成
した。この離型剤層２ａの上に、真空蒸着法により誘電
体多層膜３を形成した。誘電体多層膜３はセンサー上に
転写されたとき、非可視光領域である近赤外光の透過率
を抑え、可視光領域の透過率を有するものであるため、
離型剤層２ａ上には転写時、上記特性が得られるように
センサー側に配置する層が最外層になるように２１層の
ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 との多層膜ｉＲカットフィルターを
形成した。形成時の真空度は１×１０-2Ｐａであり、基
板温度は５０℃である。このｉＲカットフィルターの分
光特性を図２に示した。
【００１７】一方、Ｓｉウエハー６に光電変換要素とな
るフォトダイオード（ＰＤ）、信号を転送するためのＣ
ＣＤ及びＡｌ電極が隣接配置された基板上に、Ｂ
（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）及びＢ（青）の選択透過カ
ラーフィルターを印刷で形成する。ついで、アクリル系
ポリマーの平坦化膜５ｂを形成後、上記Ｂフィルターの
うち赤外光領域の光電変換要素部上のみに、Ｒフィルタ
ーを印刷で形成し（Ｂ＋Ｒのフィルターは可視光を吸収
し、赤外光を透過する分光特性を持つ（ｉＲ部））、つ
いで、アクリル系ポリマーの平坦化膜５ａを形成する。
るフォトダイオード（ＰＤ）、信号を転送するためのＣ
ＣＤ及びＡｌ電極が隣接配置された基板上に、Ｂ
（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）及びＢ（青）の選択透過カ
ラーフィルターを印刷で形成する。ついで、アクリル系
ポリマーの平坦化膜５ｂを形成後、上記Ｂフィルターの
うち赤外光領域の光電変換要素部上のみに、Ｒフィルタ
ーを印刷で形成し（Ｂ＋Ｒのフィルターは可視光を吸収
し、赤外光を透過する分光特性を持つ（ｉＲ部））、つ
いで、アクリル系ポリマーの平坦化膜５ａを形成する。
【００１８】このようにして用意したガラス及びＳｉ基
板の接合面に熱硬化性接着剤（エポキシ２液性接着剤、
商品名：セメダイン１５６５）を滴下し、接着剤層４に
気泡を巻き込まないように貼り合わせた後、６０℃で３
時間硬化し、離型剤層間からガラス基板を剥離する。こ
のときのシリコンウエハー上のｉＲカットフィルターの
分光特性を図３に示す。
板の接合面に熱硬化性接着剤（エポキシ２液性接着剤、
商品名：セメダイン１５６５）を滴下し、接着剤層４に
気泡を巻き込まないように貼り合わせた後、６０℃で３
時間硬化し、離型剤層間からガラス基板を剥離する。こ
のときのシリコンウエハー上のｉＲカットフィルターの
分光特性を図３に示す。
【００１９】このようにして得られたイメージセンサー
基板上に、前記ｉＲ部及びＡｌ電極パッド部のパターン
ニング、エッチング、ダイシング、ワイヤーボンディン
グ及びパッケージングのためのガラス封止を経て、イメ
ージセンサーを形成した。このようにして得られたイメ
ージセンサーは、誘電体多層膜にクラック、剥離等の不
備はみられず可視光、近赤外光ともに良好なセンサー機
能を示した。 （実施例２）離型剤をディッピングする基板としてＳｉ
ウエハーを使用した以外実施例１と同様にして、イメー
ジセンサーを得た。得られたイメージセンサーは、誘電
体多層膜にクラック、剥離等の不備はみられず可視光、
近赤外光ともに良好なセンサー機能を示した。（実施例
３）図４に示す厚さ５０μｍのアクリルフィルム７上に
離型剤層２ｂとして、炭素膜を形成した。このときの成
膜方法としては、ＣＨ4 ガス圧力０．４Ｐａ、ＲＦパワ
ー２００ｗで１０分間放電を行い、５０ｎｍの離型剤層
としての炭素膜を得た。この離型剤層の上に、スパッタ
リング法により誘電体多層膜３を形成した。誘電体多層
膜３は実施例１と同様の構成を有するものである。形成
時の真空度は０．１５Ｐａ（Ａｒ／Ｏ2 ＝９／１）であ
り、ＲＦパワーは１ｋＷ、基板温度は８０℃である。
基板上に、前記ｉＲ部及びＡｌ電極パッド部のパターン
ニング、エッチング、ダイシング、ワイヤーボンディン
グ及びパッケージングのためのガラス封止を経て、イメ
ージセンサーを形成した。このようにして得られたイメ
ージセンサーは、誘電体多層膜にクラック、剥離等の不
備はみられず可視光、近赤外光ともに良好なセンサー機
能を示した。 （実施例２）離型剤をディッピングする基板としてＳｉ
ウエハーを使用した以外実施例１と同様にして、イメー
ジセンサーを得た。得られたイメージセンサーは、誘電
体多層膜にクラック、剥離等の不備はみられず可視光、
近赤外光ともに良好なセンサー機能を示した。（実施例
３）図４に示す厚さ５０μｍのアクリルフィルム７上に
離型剤層２ｂとして、炭素膜を形成した。このときの成
膜方法としては、ＣＨ4 ガス圧力０．４Ｐａ、ＲＦパワ
ー２００ｗで１０分間放電を行い、５０ｎｍの離型剤層
としての炭素膜を得た。この離型剤層の上に、スパッタ
リング法により誘電体多層膜３を形成した。誘電体多層
膜３は実施例１と同様の構成を有するものである。形成
時の真空度は０．１５Ｐａ（Ａｒ／Ｏ2 ＝９／１）であ
り、ＲＦパワーは１ｋＷ、基板温度は８０℃である。
【００２０】一方、実施例１と同様にＰＤ等を形成した
Ｓｉウエハー６に、選択透過フィルター及びアクリル系
平坦化膜５ｃを形成後、ｉＲ部としての（Ｂ）フィルタ
ーを設けた上に、選択透過フィルター（Ｒ）を可視カッ
トの目的で設ける（この上層にはアクリル系平坦化膜は
設けない）。
Ｓｉウエハー６に、選択透過フィルター及びアクリル系
平坦化膜５ｃを形成後、ｉＲ部としての（Ｂ）フィルタ
ーを設けた上に、選択透過フィルター（Ｒ）を可視カッ
トの目的で設ける（この上層にはアクリル系平坦化膜は
設けない）。
【００２１】このようにして用意したＳｉ基板の接合面
に熱硬化性接着剤（エポキシ２液性接着剤、商品名：セ
メダイン１５６５）を滴下し、接着剤層４に気泡を巻き
込まないようにアクリルフィルムを貼り合わせた後、ニ
ュートン１０本以下、厚さ１０ｍｍで、シリコン基板と
同一形状のガラス基板を重ね合わせた後、１００℃で１
時間硬化し、離型剤層間からアクリルフィルム７を剥離
する。
に熱硬化性接着剤（エポキシ２液性接着剤、商品名：セ
メダイン１５６５）を滴下し、接着剤層４に気泡を巻き
込まないようにアクリルフィルムを貼り合わせた後、ニ
ュートン１０本以下、厚さ１０ｍｍで、シリコン基板と
同一形状のガラス基板を重ね合わせた後、１００℃で１
時間硬化し、離型剤層間からアクリルフィルム７を剥離
する。
【００２２】このようにして得られたイメージセンサー
基板上に、前記ｉＲ部及びＡｌ電極パッド部のパターン
ニング、エッチング、ダイシング、ワイヤーボンディン
グ及びパッケージングのためのガラス封止を経て、イメ
ージセンサーを形成した。
基板上に、前記ｉＲ部及びＡｌ電極パッド部のパターン
ニング、エッチング、ダイシング、ワイヤーボンディン
グ及びパッケージングのためのガラス封止を経て、イメ
ージセンサーを形成した。
【００２３】このようにして得られたイメージセンサー
は、誘電体多層膜にクラック、剥離等の不備はみられず
可視光、近赤外光ともに良好なセンサー機能を示した。
また、本実施例ではアクリル系平坦化膜を２層にする必
要がないこと、また、離型基板がフィルム形状で剛性が
小さく離型が容易なため、製造上有利である。
は、誘電体多層膜にクラック、剥離等の不備はみられず
可視光、近赤外光ともに良好なセンサー機能を示した。
また、本実施例ではアクリル系平坦化膜を２層にする必
要がないこと、また、離型基板がフィルム形状で剛性が
小さく離型が容易なため、製造上有利である。
【００２４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、イメージセンサー上に耐熱性に優れかつ密着力の
強い誘電体多層膜を設けることが可能となり、イメージ
センサーの機能・用途の多様化に役立つものである。特
に、その平坦化膜と誘電体多層膜との間に、平坦化膜よ
りも低熱膨張係数、高弾性率の接着層を設けることによ
り、後工程の膜割れ及び膜剥離を防止した良好な特性の
イメージセンサー及びその製造方法を提供することがで
きる。
れば、イメージセンサー上に耐熱性に優れかつ密着力の
強い誘電体多層膜を設けることが可能となり、イメージ
センサーの機能・用途の多様化に役立つものである。特
に、その平坦化膜と誘電体多層膜との間に、平坦化膜よ
りも低熱膨張係数、高弾性率の接着層を設けることによ
り、後工程の膜割れ及び膜剥離を防止した良好な特性の
イメージセンサー及びその製造方法を提供することがで
きる。
【図１】本発明のイメージセンサーの第１実施例の模式
的断面図である。
的断面図である。
【図２】本発明のイメージセンサーの第１実施例による
ガラス上のｉＲカットフィルターの分光特性図である。
ガラス上のｉＲカットフィルターの分光特性図である。
【図３】本発明のイメージセンサーの第１実施例による
ｉＲカットフィルターの分光特性図である。
ｉＲカットフィルターの分光特性図である。
【図４】本発明のイメージセンサーの第３実施例の模式
的断面図である。
的断面図である。
【図５】イメージセンサーの一例を示す模式的平面図で
ある。
ある。
【図６】イメージセンサーの一例の模式的断面図であ
る。
る。
【図７】イメージセンサー製造工程の模式的断面図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ａ，２ｂ 離型剤層 ３，１１，１７ 多層膜 ４ 接着剤層 ５ａ，５ｂ，５ｃ，１０ａ，１０ｂ，１５ 平坦化膜 ６，９ Ｓｉ基板 ７ アクリルフィルム ８ イメージセンサー １２ａ〜１２ｅ フィルター １３ａ〜１３ｄ フォトダイオード １４ａ〜１４ｄ ＣＣＤ １６ Ａｌ電極パッド １８ マスク １９ 封止ガラス
フロントページの続き (72)発明者 深澤 求 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 光信号を電気信号に変換する光電変換部
上の平坦化処理平面上に、多層膜で構成されたフィルタ
ーを接着層を介在させて設けたイメージセンサー。 - 【請求項２】 前記イメージセンサーは、可視光領域の
光信号を色分解して電気信号に変換する複数の光電変換
要素を含む複数のセンサーアレイと、非可視光領域の光
信号を色分解して電気信号に変換する複数の光電変換要
素を含む複数のセンサーアレイと、が並設されているイ
メージセンサーであって、前記フィルターは、可視光領
域の光信号と非可視光領域の光信号とを分離するために
センサーアレイの要素として形成されたフィルターであ
る請求項１記載のイメージセンサー。 - 【請求項３】 前記平坦化処理平面は有機系樹脂層面で
あり、前記接着層の線熱膨張係数が該有機系樹脂層より
も小さいことを特徴とする請求項１記載のイメージセン
サー。 - 【請求項４】 前記平坦化処理平面は有機系樹脂層面で
あり、前記接着層の弾性率が該有機系樹脂層よりも大き
いことを特徴とする請求項１または請求項３記載のイメ
ージセンサー。 - 【請求項５】 光信号を電気信号に変換する光電変換部
が設けられた第１の基板上に平坦化処理面を有する層を
設ける工程と、 第２の基板上に離型剤層を介して多層膜で構成されたフ
ィルターを設ける工程と、 前記平坦化処理面と前記フィルター面とを接着層を介在
させて接着する工程と、 前記離型剤層の界面から前記第２の基板を剥離すること
で、前記フィルターを前記平坦化処理面上に接着層を介
在させて設ける工程と、 を備えた請求項１記載のイメージセンサーの製造方法。 - 【請求項６】 前記イメージセンサーは、可視光領域の
光信号を色分解して電気信号に変換する複数の光電変換
要素を含む複数のセンサーアレイと、非可視光領域の光
信号を色分解して電気信号に変換する複数の光電変換要
素を含む複数のセンサーアレイと、が並設されているイ
メージセンサーであって、前記多層膜で構成されたフィ
ルターは、可視光領域の光信号と非可視光領域の光信号
とを分離するためにセンサーアレイの要素として形成さ
れたフィルターである請求項５記載のイメージセンサー
の製造方法。 - 【請求項７】 前記第２の基板がガラスであることを特
徴とする請求項５記載のイメージセンサーの製造方法。 - 【請求項８】 前記第２の基板が合成樹脂シートである
ことを特徴とする請求項５記載のイメージセンサーの製
造方法。 - 【請求項９】 前記第２の基板がシリコンウエハーであ
ることを特徴とする請求項５記載のイメージセンサーの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5286293A JPH07122720A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | イメージセンサー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5286293A JPH07122720A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | イメージセンサー及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122720A true JPH07122720A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17702505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5286293A Pending JPH07122720A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | イメージセンサー及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122720A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6252220B1 (en) | 1999-04-26 | 2001-06-26 | Xerox Corporation | Sensor cover glass with infrared filter |
| US6316284B1 (en) | 2000-09-07 | 2001-11-13 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| US6768565B1 (en) | 2000-09-07 | 2004-07-27 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| KR100465540B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-01-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 노치 필터를 갖는 이미지센서 |
| US7180112B2 (en) | 2003-11-28 | 2007-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging apparatus having an upwardly convex color filter layer and method of manufacturing the same |
| KR100968471B1 (ko) * | 2008-04-10 | 2010-07-07 | 주식회사 에이디텍 | 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서 및 이를 이용한반도체 집적회로 제조방법 |
| JP2023071380A (ja) * | 2021-11-11 | 2023-05-23 | 株式会社東京精密 | 顕微鏡及び半導体製造装置 |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP5286293A patent/JPH07122720A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6252220B1 (en) | 1999-04-26 | 2001-06-26 | Xerox Corporation | Sensor cover glass with infrared filter |
| US6316284B1 (en) | 2000-09-07 | 2001-11-13 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| US6768565B1 (en) | 2000-09-07 | 2004-07-27 | Xerox Corporation | Infrared correction in color scanners |
| KR100465540B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-01-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 노치 필터를 갖는 이미지센서 |
| US7180112B2 (en) | 2003-11-28 | 2007-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging apparatus having an upwardly convex color filter layer and method of manufacturing the same |
| KR100968471B1 (ko) * | 2008-04-10 | 2010-07-07 | 주식회사 에이디텍 | 실리콘 웨이퍼를 이용한 가시광 센서 및 이를 이용한반도체 집적회로 제조방법 |
| JP2023071380A (ja) * | 2021-11-11 | 2023-05-23 | 株式会社東京精密 | 顕微鏡及び半導体製造装置 |
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