JPH07126851A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、液体原料の霧状化を反応容器内で
行うことにより、霧状化原料の輸送効率を高め、低圧下
でも安定に膜を生成し得ることを目的とする。 【構成】 霧状化原料を反応容器内に供給すると共に、
該霧状化原料を反応容器内に配置されて基材を保持する
基材保持台に向けて供給することにより、基材に薄膜を
形成するＣＶＤ装置において、所定の量の液体原料を反
応容器内に供給する液体原料供給手段（１１ａ，１１
ｂ，１４）と、この液体原料供給手段から供給される液
体原料を霧状化して霧状化原料を作成し、該霧状化原料
を基材に向けて噴射する霧状化原料噴射手段（６ａ，６
ｂ）とを備えたＣＶＤ装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液体原料を霧状化して
薄膜を堆積するＣＶＤ装置に係わり、特に液体原料の霧
状化を反応容器内で行うことにより、霧状化原料の輸送
効率を高め、低圧下でも安定に膜を生成し得るＣＶＤ装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、減圧プラズマＣＶＤ（減圧プラ
ズマ化学気相成長）はプラズマエネルギーを利用して基
材表面に薄膜を堆積する技術である。基材に供給される
原料は常温で高蒸気圧を得られる気体原料が主であり、
気体原料の種類に対応して堆積する薄膜の種類が金属、
ガラス、セラミックス、有機物質などのように広範囲に
及んでいる。

【０００３】一方、液体原料を用いるＣＶＤでは、テト
ラエトキシシラン（以下、ＴＥＯＳという）やテトラメ
チルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）などを用いて集積回路
の層間絶縁膜やパッシベーション膜用のＳｉＯｘ膜を堆
積する技術が発達している。

【０００４】また、ジピバロイル基を有する金属化合物
等の有機金属錯体、例えばＹ（ＤＰＭ）₃ やＣｕ（ＤＰ
Ｍ）₂ などのＤＰＭ原料を用いて高温超電導薄膜をつく
る方法が提唱されている。このような液体原料は、堆積
速度が大きい、ステップカバレッジが良い、原料自体の
毒性が低いという理由から、今後益々利用範囲を広げる
ことが期待される。

【０００５】液体原料の供給は、単純気化供給法、バブ
リング法又はペーパーライザー法が適宜使用可能となっ
ている。ここで、単純気化供給法は原料供給系及び供給
配管全体を恒温槽内に配置して原料蒸気圧を制御するこ
とにより、原料を供給する技術であり、バブリング法は
単純気化供給法にキャリア−ガスのバブリング効果を付
与してバブラー内空間に均一な原料飽和蒸気を得ること
により、原料を供給する技術である。また、ペーパーラ
イザー法はマスフローコントローラあるいは定量ポンプ
とヒータを用いて所要流量の原料だけを強制的に気化さ
せて供給する技術である。

【０００６】しかしながら、これらの供給技術は液体原
料を気化供給することに伴い、原料供給量が原料蒸気圧
に影響される問題がある。

【０００７】ここで、多成分系の液体原料を供給する場
合、原料供給組成は混合比ではなく蒸気圧の差に影響さ
れるために不安定であり、制御が困難となっている。制
御の容易化のためには、各成分毎に供給器を設けると共
に、各供給器を個別に制御して供給量を調節すればよい
が、気体原料ほどの高蒸気圧をもたない原料にはマスフ
ローコントローラ等の流量計測器の使用が不可能とな
る。また、非常に低蒸気圧の原料では供給さえも実質的
に不可能となっている。

【０００８】この問題を解決するために、最近、新しい
試みとして液体原料を霧状化して供給する霧状化装置
（以下、ネブライザーという）の導入が検討されてい
る。

【０００９】このネブライザーでは、液体原料を霧状化
して供給することにより、原料供給量が原料蒸気圧に影
響されないので、多成分系の原料組成が容易に制御可能
となる。このため、ネブライザーの液体原料の霧状化供
給による薄膜生成では、誘電性、圧電性、焦電性、透光
性などの各種の性質を有するチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐ
ＺＴ；lead-zirconate-titanate ）やチタン酸バリウム
などの多成分系電子セラミックス材料を生成する分野に
て適用を期待されている。

【００１０】この種のネブライザーは２方式が提案され
ている。１つは超音波振動子を用いた超音波発振により
キャピラリーウェーブ及びキャビテーション効果を利用
する方式であり、例えば特開昭５５−１５５４５号公
報、特開昭６２−２０７８７０号公報、特開平３−１１
２８９４号公報に開示されている。

【００１１】もう１つは噴霧ノズルを用いて霧吹きの原
理により原料の霧状化を行う方式であり、例えば特開昭
６３−２６１７００号公報、特開平３−８３３０号公
報、特開平３−１２６８７２号公報、特開平３−２９１
３８２号公報、特開平４−３７１５８１号公報、特開平
５−８１９号公報に開示されている。

【００１２】この種のネブライザー式ＣＶＤ装置では、
上述したネブライザーにより液体原料を霧状化して膜を
堆積する。なお、成膜方法は常圧熱ＣＶＤあるいは減圧
プラズマＣＶＤが適用可能であり、反応圧力はいずれの
ＣＶＤでも約１０Ｔｏｒｒ以上である。しかしながら、
基材の熱耐性の制限から低温プロセスにより成膜可能な
減圧プラズマＣＶＤを使用することが望ましい。なお、
このプラズマＣＶＤは反応圧力が通常約１Ｔｏｒｒ以下
好ましくは０．１Ｔｏｒｒ以下となっている。

【００１３】一方、霧状化原料の輸送は、圧力、粒径及
び流速に依存する。霧状化原料の浮遊時間は浮力と重力
とのバランスできまる。また、低圧力や大粒径になるほ
ど重力浮沈速度が大きくなるので、霧状化原料の輸送距
離をかせぐためにキャリアガスの流速を大きくすること
が必要となる。

【００１４】例えば１〜３ＭＨｚ程度の超音波振動子を
用いたネブライザーは、平均粒径５μｍ、最小粒径０．
８μｍ程度の霧状化原料を生成し、また噴霧ノズルを用
いたネブライザーは、粒径がそれの１〜２桁大きい。な
お、この程度の粒径を有する霧状化原料は１０Ｔｏｒｒ
以上の圧力において正常に輸送される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ようなネブライザーを用いたプラズマＣＶＤ装置では、
１Ｔｏｒｒ以下の低い圧力の場合、平均粒径５μｍ、最
小粒径０．８μｍ程度の粒径を有する霧状化原料の輸送
が困難となる問題がある。

【００１６】また、キャリアガスに輸送されない霧状化
原料が原料供給配管内に滞留して後からくる霧状化原料
を捕獲するため、輸送効率が低く不安定となる問題があ
る。

【００１７】一方、ネブライザー近傍は、液体原料の飽
和蒸気圧で平衡しており、霧状化原料が蒸発して気化す
ることはない。なお、ＴＥＯＳの如き有機液体原料は原
料供給配管の途中に加熱部を設けて気化させることによ
り、輸送効率を向上可能である。これに対し、例えば超
電導材料の形成に用いられる硝酸塩の水溶液原料の如き
固体の溶液原料は、加熱部で脱溶媒され微粒子化された
原料が原料供給配管内に滞留するため、輸送効率の向上
が困難となっている。

【００１８】また、霧状化原料や微粒子化原料の滞留を
阻止するために原料供給配管を太くすることが考えられ
る。しかし、太い原料供給配管は余分な原料蒸気を反応
容器に輸送して反応容器内の圧力を上昇させることか
ら、１Ｔｏｒｒ以下の低い反応圧力を維持するための巨
大な真空ポンプを反応容器に設ける必要を生じさせるた
め、非実用的である問題がある。

【００１９】本発明は上記実情を考慮してなされたもの
で、液体原料の霧状化を反応容器内で行うことにより、
霧状化原料の輸送効率を高め、低圧下でも安定に膜を生
成し得るＣＶＤ装置を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】請求項１に対応する発明
は、霧状化原料を反応容器内に供給すると共に、該霧状
化原料を前記反応容器内に配置されて基材を保持する基
材保持台に向けて供給することにより、前記基材に薄膜
を形成するＣＶＤ装置において、所定の量の液体原料を
前記反応容器内に供給する液体原料供給手段と、この液
体原料供給手段から供給される液体原料を霧状化して前
記霧状化原料を作成し、当該霧状化原料を前記基材に向
けて噴射する霧状化原料噴射手段とを備えたＣＶＤ装置
である。

【００２１】また、請求項２に対応する発明は、上記霧
状化原料噴射手段が前記基材保持台に対して鉛直方向に
配置されるＣＶＤ装置である。

【００２２】さらに、請求項３に対応する発明は、請求
項１又は請求項２に対応するＣＶＤ装置において、前記
霧状化原料噴射手段が、前記液体原料を霧状化するため
の超音波振動子を備えたＣＶＤ装置である。

【００２３】

【作用】従って、請求項１に対応する発明は以上のよう
な手段を講じたことにより、液体原料供給手段が所定の
量の液体原料を反応容器内に供給し、霧状化原料噴射手
段がこの液体原料供給手段から供給される液体原料を霧
状化して霧状化原料を作成し、当該霧状化原料を基材に
向けて噴射するので、液体原料の霧状化を反応容器内で
行うことにより、霧状化原料の輸送効率を高め、低圧下
でも安定に膜を生成することができる。

【００２４】また、請求項２に対応する発明は、上記霧
状化原料噴射手段が基材保持台に対して鉛直方向に配置
されるので、請求項１の作用に加え、重力の作用によ
り、一層霧状化原料の輸送効率を向上させることができ
る。

【００２５】さらに、請求項３に対応する発明は、請求
項１又は請求項２に対応する発明の霧状化原料噴射手段
が液体原料を霧状化するための超音波振動子を備えてい
るので、液体原料を非常に細かい粒径に霧状化できるこ
とにより、輸送効率を一層向上させて反応圧力の低圧化
を図り、もって、膜生成過程の低温化を図ることができ
る。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。

【００２７】図１は本発明の一実施例に係るＣＶＤ装置
の構成を示す模式図であり、図２はこのＣＶＤ装置に適
用されるネブライザーの構成を示す断面図である。この
ＣＶＤ装置は、円筒状に形成された容器本体１を有し、
且つこの容器本体１の上部を密閉する上部フランジ２ａ
及び容器本体１の下部を密閉する下部フランジ２ｂを備
えた真空反応容器３が設けられている。なお、ａの添字
は上部側に対応する構成要素を示し、ｂの添字は下部側
に対応する構成要素を示す。

【００２８】真空反応容器３は、上部フランジ２ａから
上部真空バルブ４ａを介して真空ポンプ５に接続され、
且つ下部フランジ２ｂから下部真空バルブ４ｂを介して
真空ポンプ５に接続されている。この真空ポンプ５はロ
ータリーポンプを使用するが、排気速度の向上のため、
ロータリーポンプの他にメカニカルブースターポンプ、
油拡散ポンプ又はターボ分子ポンプ等を設けてもよい。

【００２９】また、真空反応容器３は、上部フランジ２
ａの中央部に上部ネブライザー（霧状化原料噴射手段）
６ａが取り付けられ、下部フランジ２ｂの中央部に下部
ネブライザー（霧状化原料噴射手段）６ｂが取付けられ
ている。なお、成膜時には、上部及び下部ネブライザー
６ａ，６ｂのいずれか一方のみが駆動され、他方のネブ
ライザーは停止される。

【００３０】また、上部及び下部ネブライザー６ａ，６
ｂは、図２に示すように、圧電セラミックス７を金属電
極８で挟み込んでなる超音波振動子９を有し、この超音
波振動子９の周辺部を弾性体であるエラストマー１０が
支持することにより、気密構造を持って上部及び下部フ
ランジ６ａ，６ｂに取付可能となっている。なお、超音
波振動子９は真空反応容器１の内側に位置して１．６〜
１．７５ＭＨｚの発振周波数で振動し、対応する上部又
は下部キャピラリー１１ａ，１１ｂから供給される液体
原料を瞬間的に霧状化する機能をもっている。

【００３１】上部キャピラリー１１ａは上部フランジに
設けられ、例えば内径０．５ｍｍ程度のステンレス管で
あって、一端部が超音波振動子９に近接して配置され、
他端部が上部フランジ２ａに設けられた上部フィードス
ルー１２ａを通して真空反応容器３外に導出され、且つ
この真空反応容器３外に設けられた上部原料バルブ１３
ａを介して液体用定量ポンプ１４に連結されている。

【００３２】なお、下部キャピラリー１１ｂは上部キャ
ピラリー１１ａと同様に構成されたものであり、一端部
が超音波振動子９に近接して配置され、他端部が下部フ
ランジ２ｂに設けられた下部フィードスルー１２ｂを通
して真空反応容器３外に導出され、且つこの真空反応容
器３外に設けられた下部原料バルブ１３ｂを介して液体
用定量ポンプ１４に連結されている。

【００３３】ここで、上部及び下部キャピラリー１１
ａ，１１ｂ並びに液体用定量ポンプ１４は液体原料供給
手段を構成している。また、上部及び下部キャピラリー
１１ａ，１１ｂは、真空反応容器内においては蒸発潜熱
による液体原料の氷化を阻止するために防水処理の施さ
れた上部又は下部シースヒータ１５ａ，１５ｂが巻付け
られている。

【００３４】液体用定量ポンプ１４は、液体原料を保持
する液体原料容器１６に接続され、液体原料容器１６内
の液体原料を例えば毎分１ｍｌの流量で上部又は下部キ
ャピラリー１１ａ，１１ｂに供給するものであり、ここ
ではペリスタルティック（ぜんどう）ポンプを使用して
いる。なお、液体原料容器１６は、例えば硝酸銅三水和
物、塩化第二銅二水和物及び硝酸イットリウム六水和物
を５：１：１のモル比で混合してなる混合物の０．５ｍ
ｏｌ／ｌ水溶液を液体原料として保持している。

【００３５】一方、真空反応容器３は、容器本体１のほ
ぼ中央部にリング状に形成された容量結合型の２つのプ
ラズマ電極１７が所定の間隔を有して互いに平行に設け
られ、各プラズマ電極１７が整合回路１８を介して１
３．５６ＭＨｚの電源周波数及び最大電力１ｋＷの高周
波電力を有する高周波電源１９に連結されている。

【００３６】また、真空反応容器３は、各プラズマ電極
１７近傍に反応ガスとしての酸素を導入する反応ガス導
入口（図示せず）が設けられている。

【００３７】さらに、真空反応容器３の上部及び下部フ
ランジ２ａ，２ｂはＯリングを有するＯリングシール部
２０ａ又は２０ｂが設けられ、このＯリングシール部２
０ａ，２０ｂにより、基材支持台２１の支柱２２を保持
可能としている。なお、成膜時には、上部又は下部フラ
ンジ２ａ，２ｂのいずれか一方のＯリングシール部２０
ａ又は２０ｂにのみ、基材支持台２１の支柱２２が保持
され、他方のＯリングシール部２０ｂ又は２０ａは閉塞
される。

【００３８】基材支持台２１は下部が支柱２２に支持さ
れた支持台本体２３を有している。支持台本体２３は真
空反応容器３の内径よりも小さい径の円板状に形成さ
れ、薄膜が形成される基材としてのポリエステルフィル
ム２４を保持する機能をもっている。なお、基材支持台
２１は、上部及び下部ネブライザー６ａ，６ｂのうち、
駆動される方のネブライザーを保持するフランジとは反
対側のフランジに保持される。すなわち、駆動されるネ
ブライザーと基材支持台２１とは互いに対向して鉛直方
向に配置される。

【００３９】次に、以上のように構成されたＣＶＤ装置
の動作を説明する。

【００４０】なお、始めに上部ネブライザー６ａにより
霧状化された液体原料を下方のポリエステルフィルム２
４に供給するデポジションダウン方式を述べ、続いて下
部ネブライザー６ｂにより霧状化された液体原料を上方
のポリエステルフィルム２４に供給するデポジションア
ップ方式を説明する。

【００４１】デポジションダウン方式の場合、基材支持
台２１の支柱２２が下部フランジ２ｂのＯリングシール
部２０ｂに保持されると共に、支持台本体２３にポリエ
ステルフィルム２４が載置される。また、上部真空バル
ブ４ａが閉状態とされ、下部真空バルブ４ｂが開状態と
されて真空ポンプ５が下部フランジ２ｂから真空反応容
器３を真空排気する。

【００４２】真空反応容器３が所定の真空度に到達する
と、各プラズマ電極１７に２００Ｗの高周波電力が投入
されると共に、上部ネブライザー６ａの超音波振動子９
が駆動される。また、真空反応容器３では、反応ガス導
入口から酸素が導入されて真空度が０．１Ｔｏｒｒ程度
になる。

【００４３】このとき、下部原料バルブ１３ｂが閉状態
とされると共に、上部原料バルブ１３ａが開状態とさ
れ、しかる後、液体用定量ポンプ１４が駆動される。液
体用定量ポンプ１４は液体原料容器１６内の液体原料を
毎分１ｍｌの割合で上部キャピラリー１１ａに供給し、
上部キャピラリー１１ａはこの液体原料を上部ネブライ
ザー６ａの超音波振動子９に供給する。

【００４４】上部ネブライザー６ａは、この液体原料を
超音波振動子９に触れた瞬間に霧状化して下方の基材支
持台２１に向けて噴射する。

【００４５】噴射された液体原料は、容器本体１中央の
プラズマ電極１７間を通過する際に、プラズマ反応を発
生して活性化され、プラズマ電極１７の下方に配置され
たポリエステルフィルム２４に到達すると共に、このポ
リエステルフィルム２４上に銅酸化物の薄膜Ｃｕ₆ ＹＯ
_8-z Ｃｌを生成する。

【００４６】なお、このような薄膜生成過程において
は、ポリエステルフィルム２４を熱によって損傷又は変
形させることなく、１分間の堆積時間で１μｍの膜厚を
得ることができた。

【００４７】次に、デポジションアップの場合について
説明する。

【００４８】まず、基材支持台２１の支柱２２が、図１
の破線に示すように上部フランジ２ａのＯリングシール
部２０ａに保持されると共に、支持台本体２３にポリエ
ステルフィルム２４が保持される。また、上部真空バル
ブ４ａが開状態とされ、下部真空バルブ４ｂが閉状態と
されて真空ポンプ５が上部フランジ２ａから真空反応容
器３を真空排気する。

【００４９】真空反応容器３が所定の真空度に到達する
と、各プラズマ電極１７に２００Ｗの高周波電力が投入
されると共に、下部ネブライザー６ｂの超音波振動子９
が駆動される。また、真空反応容器３では、反応ガス導
入口から酸素が導入されて真空度が１Ｔｏｒｒ程度にな
る。

【００５０】このとき、下部原料バルブ１３ｂが開状態
とされると共に、上部原料バルブ１３ａが閉状態とさ
れ、しかる後、液体用定量ポンプ１４が駆動される。液
体用定量ポンプ１４は液体原料容器１６内の液体原料を
毎分１ｍｌの割合で下部キャピラリー１１ｂに供給し、
下部キャピラリー１１ｂはこの液体原料を下部ネブライ
ザー６ｂの超音波振動子９に供給する。

【００５１】下部ネブライザー６ｂは、この液体原料を
超音波振動子９に触れた瞬間に霧状化して上方の基材支
持台２１に向けて噴射する。

【００５２】噴射された液体原料は、容器本体３中央の
プラズマ電極１７間を通過する際に、プラズマ反応を発
生して活性化され、プラズマ電極１７の上方に配置され
たポリエステルフィルム２４に到達すると共に、このポ
リエステルフィルム２４表面に銅酸化物の薄膜Ｃｕ₆ Ｙ
Ｏ_8-z Ｃｌを生成する。

【００５３】また、このような薄膜生成過程において
は、例えば１分間の堆積時間で０．５μｍの膜厚を得る
ことができ、さらに、輸送過程において重力及び輸送距
離により粒径を選別しているので、上記薄膜を緻密、且
つ平滑に生成することができる。

【００５４】上述したように本実施例によれば、液体用
定量ポンプ１４及びキャピラリー１１ａ，１１ｂが所定
の量の液体原料を真空反応容器３内に供給し、上部又は
下部ネブライザー６ａ，６ｂがこのキャピラリー１１
ａ，１１ｂから供給される液体原料を霧状化して基材で
あるポリエステルフィルム２４に向けて噴射するように
したので、従来とは異なり液体原料の霧状化を反応容器
内で行うことにより、従来の原料供給配管を削除して霧
状化原料の輸送効率を高めたので、１Ｔｏｒｒ以下の低
圧下でも安定に膜を生成することができる。

【００５５】また、本実施例によれば、低圧下で放電を
発生させるため、汎用品の１３．５６ＭＨｚの高周波電
源１９を用いて、容易に安定な放電を得ることができ
る。

【００５６】また、本実施例によれば、ネブライザー６
ａ，６ｂを基材保持台２１に対して鉛直方向に配置する
ようにしたので、重力を有効に利用することができる。
すなわち、デポジションダウン方式のとき、キャリアガ
スを流さずに０．１Ｔｏｒｒ以下の低圧力にしても、霧
状化原料が重力によりポリエステルフィルム２４まで輸
送されるようにしたので、成膜速度の向上を図ることが
できると共に、低圧下でも安定的に膜を生成させること
ができる。

【００５７】一方、デポジションアップ方式のとき、重
力及び輸送距離によって粒径が選別された霧状化原料が
ポリエステルフィルム２４まで輸送されるようにしたの
で、緻密かつ平滑に膜を堆積させることができる。な
お、選別される粒径は、液体原料の供給流量、反応圧
力、基材保持台の位置を変化させることにより制御でき
るため、この制御に伴って、膜質を管理することができ
る。

【００５８】また、本実施例によれば、上部又は下部ネ
ブライザー６ａ，６ｂを用いて液体原料を霧状化して供
給するので、単純気化法、バブリング法、ベーパーライ
ザー法などの他の気化供給法とは異なり、原料蒸気圧に
影響されることなく、容易に原料の組成を制御すること
ができる。

【００５９】さらに、本実施例によれば、上部及び下部
ネブライザー６ａ，６ｂが液体原料を霧状化するための
超音波振動子９を備えることにより、噴霧ノズルの場合
より１〜２桁小さい０．１〜１０μｍという非常に細か
い粒径の霧状化原料を得ることができるようにしたの
で、輸送効率を一層向上させて反応圧力の低圧化を図
り、もって、膜生成過程の低温化を図ることができる。

【００６０】なお、上記実施例では、超音波振動子９を
用いる上部又は下部ネブライザー６ａ，６ｂを適用した
場合について説明したが、これに限らず、噴霧ノズルを
用いるネブライザーを適用した構成としても、本発明を
同様に実施して同様の効果を得ることができる。

【００６１】また、上記実施例では、上部又は下部ネブ
ライザー６ａ，６ｂを基材保持台２１に対して鉛直方向
に配置する場合について説明したが、これに限らず、ネ
ブライザーを真空反応容器の側壁に配置する構成として
も、本発明を同様に実施して同様の効果を得ることがで
きる。

【００６２】さらに、上記実施例では、液体用定量ポン
プ２４としてペリスタルティックポンプを使用する場合
について説明したが、これに限らず、他の液体用定量ポ
ンプを使用するようにしても、本発明を同様に実施して
同様の効果を得ることができる。

【００６３】また、上記実施例では、プラズマ電極１７
をリング状に形成された容量結合型のものとした場合に
ついて説明したが、これに限らず、プラズマ電極を平行
平板の容量結合型又はコイルを用いた誘導結合型のもの
としても、本発明を同様に実施して同様の効果を得るこ
とができる。

【００６４】さらに、上記実施例では、高周波電源１９
の電源周波数を１３．５６ＭＨｚとした場合について説
明したが、これに限らず、１ｋＨｚ〜２００ＭＨｚまで
の任意の値の電源周波数を用いる構成としても、本発明
を同様に実施して同様の効果を得ることができる。ま
た、導波管を用いてマイクロ波放電を起こすことにより
プラズマを発生させる構成としても、本発明を同様に実
施して同様の効果を得ることができる。

【００６５】また、上記実施例では、基材支持台２１に
温度調整機構を設けない場合について説明したが、これ
に限らず、基材支持台にシースヒータあるいは赤外線ラ
ンプヒータ等の加熱機構や水冷等の冷却機構を付加する
ことにより、基材温度を調整する構成としても、本発明
を同様に実施して同様の効果を得ることができる。

【００６６】さらに、上記実施例では、ポリエステルフ
ィルム２４上に銅酸化物薄膜を生成する場合について説
明したが、これに限らず、他の基材と他の液体原料とを
用いることにより、他の基材上に他の薄膜を生成するよ
うにしても、本発明を同様に実施して同様の効果を得る
ことができる。

【００６７】その他、本発明はその要旨を逸脱しない範
囲で種々変形して実施できる。

【００６８】

【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明は、
液体原料供給手段が所定の量の液体原料を反応容器内に
供給し、霧状化原料噴射手段がこの液体原料供給手段か
ら供給される液体原料を霧状化して霧状化原料を作成
し、当該霧状化原料を基材に向けて噴射するようにした
ので、液体原料の霧状化を反応容器内で行うことによ
り、霧状化原料の輸送効率を高め、低圧下でも安定に膜
を生成できるＣＶＤ装置を提供できる。

【００６９】また、請求項２に対応する発明は、上記霧
状化原料噴射手段が基材保持台に対して鉛直方向に配置
されるようにしたので、請求項１の効果に加え、重力の
作用により、一層霧状化原料の輸送効率を向上できるＣ
ＶＤ装置を提供できる。

【００７０】さらに、請求項３に対応する発明は、請求
項１又は請求項２の発明の霧状化原料噴射手段が液体原
料を霧状化するための超音波振動子を備えるようにした
ので、液体原料を非常に細かい粒径に霧状化できること
により、輸送効率を一層向上させて反応圧力の低圧化を
図り、もって、膜生成過程の低温化を図ることができる
ＣＶＤ装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係るＣＶＤ装置の構成を示
す模式図。

【図２】同実施例におけるネブライザーの構成を示す断
面図

【符号の説明】

１…容器本体、２ａ…上部フランジ、２ｂ…下部フラン
ジ、３…真空反応容器、４ａ…上部真空バルブ、４ｂ…
下部真空バルブ、５…真空ポンプ、６ａ…上部ネブライ
ザー、６ｂ…下部ネブライザー、７…圧電セラミック
ス、８…金属電極、９…超音波振動子、１０…エラスト
マー、１１ａ…上部キャピラリー、１１ｂ…下部キャピ
ラリー、１２ａ…上部フィードスルー、１２ｂ…下部フ
ィードスルー、１３ａ…上部原料バルブ、１３ｂ…下部
原料バルブ、１４…液体用定量ポンプ、１５ａ…上部シ
ースヒータ、１５ｂ…下部シースヒータ、１６…液体原
料容器、１７…プラズマ電極、１８…整合回路、１９…
高周波電源、２０ａ，２０ｂ…Ｏリングシール部。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 霧状化原料を反応容器内に供給すると共
   に、該霧状化原料を前記反応容器内に配置されて基材を
   保持する基材保持台に向けて供給することにより、前記
   基材に薄膜を形成するＣＶＤ装置において、 所定の量の液体原料を前記反応容器内に供給する液体原
   料供給手段と、 この液体原料供給手段から供給される液体原料を霧状化
   して前記霧状化原料を作成し、当該霧状化原料を前記基
   材に向けて噴射する霧状化原料噴射手段とを備えたこと
   を特徴とするＣＶＤ装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のＣＶＤ装置において、 前記霧状化原料噴射手段は、前記基材保持台に対して鉛
   直方向に配置されることを特徴とするＣＶＤ装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載のＣＶＤ装置
   において、 前記霧状化原料噴射手段は、前記液体原料を霧状化する
   ための超音波振動子を備えたことを特徴とするＣＶＤ装
   置。