JPH07128409A - 荷電粒子試験装置及び半導体集積回路試験装置 - Google Patents

荷電粒子試験装置及び半導体集積回路試験装置

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JPH07128409A
JPH07128409A JP5278517A JP27851793A JPH07128409A JP H07128409 A JPH07128409 A JP H07128409A JP 5278517 A JP5278517 A JP 5278517A JP 27851793 A JP27851793 A JP 27851793A JP H07128409 A JPH07128409 A JP H07128409A
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charged particle
test
integrated circuit
semiconductor integrated
signal
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JP5278517A
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Akira Goseki
晃 五石
Masayuki Kurihara
正行 栗原
Toshimichi Iwai
俊道 岩井
Hiromoto Kawamoto
裕資 川本
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Advantest Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 保護膜の帯電の影響をさける。 【構成】 信号発生器に動作条件を設定し（Ｓ1 ），そ
の条件信号を電子ビームテスタへ送信する（Ｓ2 ）と共
に、試験パターン信号をＩＣへ供給して動作させる（Ｓ
3 ）。電子ビームテスタでは条件信号を受信すると画像
のとりこみを開始する。１画面のとりこみが終了すると
完了信号を信号発生器に送信する（Ｓ6 ）。信号発生器
は完了信号を受け取ると動作条件を変更する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電子ビームやイオンビ
ームなどの荷電粒子線を半導体集積回路に照射し、発生
する２次電子の量を測定し、その半導体集積回路の電位
分布を濃淡画像として表示して不良部分を判定すること
等に用いられる半導体集積回路試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、電子ビーム試験装置において動
作中の半導体集積回路（以下ＩＣと記す）に電子ビーム
を照射し、そのとき発生する２次電子の量を測定し、そ
のことを同一の試験パターンについて順次電子ビーム照
射位置をずらし、２次電子の量に応じた濃淡画像を表示
することが行われている。この場合の表示像は、例えば
図７Ａに示すように、ＩＣの配線パターン像１〜４が現
れるが、高レベル電位が与えられている配線からの２次
電子は少なく、表示画像においてパターン像１，２のよ
うに黒く表示される。一方、低レベル電位が与えられて
いる配線からの２次電子は多く、表示画像においてパタ
ーン像３，４のように白く表示され、配線以外の部分１
５はその発生２次電子が高レベル部分及び低レベル部分
における各２次電子の中間であって灰色に表示される。
【０００３】この表示画像に対応する印加試験パターン
が知られており、つまり、各配線の正常時の電位が知ら
れているから、この表示画像を見て、そのＩＣが正しく
動作しているか、どの部分が異常であるか等の判断をす
ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＩＣのチップには通常
絶縁膜の保護層が表面に形成されている。このため電子
ビーム照射による前記試験を同一条件で繰り返している
と、保護膜が帯電し、ＩＣ上の電位差がなくなり、例え
ば図７Ｂに示すように高レベルの配線パターン像１，２
が薄くなり、低レベルの配線パターン像３，４が白っぽ
い灰色になり、電位分布の判別がし難くなり、ついには
ＩＣ表面がほゞ一様な電位となり、図７Ｃに示すように
全体がほゞ一様に灰色の表示となって電位分布を知るこ
とができなくなる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１発明によれば、荷電
粒子試験装置には試験信号発生器からトリガ信号を受信
する手段と、その受信したトリガ信号を基準として荷電
粒子線パルスを発生する手段と、試験信号発生器からＩ
Ｃの動作条件、つまり動作電源電圧、動作クロック速度
等を変更したことを示す条件信号を受信する手段と、そ
の条件信号を受信すると画像の所定画面分の取得を実行
させる手段とが設けられる。
【０００６】更に、所定画面分の画像取得が完了する
と、完了信号を発生して試験信号発生器へ送信する手段
が設けられる。その完了信号を試験信号発生器で受信す
ると、ＩＣの動作条件を変更して試験信号を発生させる
手段が試験信号発生器に設けられる。あるいは、完了信
号を発生することなく、所定の画面を取得するに充分な
時間経過後、自動的に動作条件を変更して試験信号を発
生する手段が設けられる。
【０００７】第２発明によると、荷電粒子試験装置に試
験信号発生器からトリガ信号を受信する手段と、その受
信したトリガ信号を基準として荷電粒子線パルスを発生
させる手段と、画像の取得ごとにトリガ信号に対する荷
電粒子線パルスの発生タイミングを変化させる手段とが
設けられる。第３の発明によれば、荷電粒子試験装置に
試験信号発生器からトリガ信号を受信する手段と、その
受信したトリガ信号を基準として時間的にずれた複数の
タイミングで荷電粒子線パルスを発生させる手段とが設
けられる。
【０００８】これら第１乃至第３の発明のいずれにおい
ても、このようにして得られた２つの画像の差を表示す
ることができるようにされ、あるいは特定の１つの画像
を表示することができるようにされる。
【０００９】
【実施例】図１にこの発明の実施例を示す。荷電粒子試
験装置１１として電子ビーム試験装置が用いられた場合
で、これに対し試験信号発生器１２が接続される。電子
ビーム試験装置１１において真空チャンバー１３内で電
子ビーム１４がパルス状に発生され、チャンバー１３内
のＩＣ１５に照射される。その照射により発生した２次
電子が２次電子検出器１６で検出され、メモリ１７にと
りこまれる。
【００１０】試験信号発生器１２内の試験パターン発生
部１８からの試験パターン信号がリード線１９を通じ、
更にコネクタ２１を介してＩＣ１５に印加され、ＩＣ１
５が動作する。その試験パターン信号と同期してトリガ
信号発生部２２からのトリガ信号がリード線２３を通
じ、更にコネクタ２４に通じて電子ビーム試験装置１１
内の遅延回路２５へ供給される。遅延回路２５の出力に
よりパルス発生器２６が駆動され、パルスが発生されて
そのパルスにより電子ビーム１４がパルス的にＩＣ１５
を照射する。
【００１１】例えば図３Ａ，Ｂに示すように、試験パタ
ーン信号として“１”を書き込むパターン、“０”を書
き込むパターン、高インピーダンス入力パターン等の繰
り返しと、これら各パターンの間に発生する読み出しパ
ターン（図３Ｂ）がＩＣ１５に印可され、その各特定パ
ターン、例えば“１”書き込みパターンの前縁と一致し
て図３Ｃに示すようにトリガ信号が発生され、遅延回路
２５で図３Ｄに示すようにΔＴ遅延されて、パルス発生
器２６からパルスが発生される。このようにして各特定
パターンごとに電子ビーム照射がされ、２次電子計測さ
れて１画素分のデータがとりこまれ、次の電子ビーム照
射により隣接位置に対するデータがとりこまれ、以下、
順次同様に動作してＩＣ１５の指定したある領域につい
てのデータが１画面分としてとりこまれる。このとりこ
まれたデータはメモリ１７内に記憶されるが、その記憶
内容はデータのとりこみはじめから表示部２７に画像と
して表示される。
【００１２】請求項１の発明では、ＩＣ１５の動作条件
を変えるごとに画像のとりこみを開始する。即ち、試験
信号発生器１２に動作条件を順次変更する手段が設けら
れ、その１つの動作条件を設定すると、その条件に応じ
た条件信号が条件信号発生部２８から発生され、これが
リード線２９，コネクタ３１を通じて電子ビーム試験装
置１１内の制御部３２に送信される。また、この例では
１画面分の画像を取得すると完了信号が制御部３２から
発生され、コネクタ３３，リード線３４を通じて試験信
号発生器１２へ供給される。この完了信号を受信する
と、試験信号発生器１２では次の動作条件による試験に
移る。電子ビーム試験装置１１及び試験信号発生器１２
はＣＰＵを用いた制御器により動作する。
【００１３】試験信号発生器１２の動作の流れを図２Ａ
に示す。まず、どのような条件でＩＣを動作させるかの
動作条件を設定する（Ｓ1 ）。この動作条件に応じた条
件信号が発生され（Ｓ2 ），また駆動信号、つまり試験
パターン信号が発生され、これら条件信号、試験パター
ン信号は電子ビーム試験装置１１へ送信される
（Ｓ3）。特定パターンが生じるとトリガ信号が発生さ
れ、電子ビーム試験装置に送信される（Ｓ4 ）。次に完
了信号が受信されたかをチェックし（Ｓ5 ），受信され
ていない場合はステップＳ3 に戻って試験パターンの発
生を継続し、同様のことが繰り返される。
【００１４】一方、ステップＳ5 で完了信号が受信され
ると試験パターン信号の発生を停止し（Ｓ6 ），動作条
件を所定の順で１ステップ変更して（Ｓ7 ），ステップ
Ｓ1に戻り、その変更した動作条件を設定し、先と同様
に条件信号の発生、試験パターン信号の発生が行われ
て、電子ビーム試験装置１１ではその変更された動作条
件における画像の取得が行われることになる。
【００１５】電子ビーム試験装置１１の動作の流れを図
２Ｂに示す。まず電子ビーム走査速度、走査面積、電子
ビーム加速速度、走査位置等の画像とりこみ条件を設定
する（Ｓ1 ）。この状態で試験信号発生器から条件信号
が受信されるのを待つ（Ｓ2）。条件信号が受信される
と、その条件信号の内容を判定し、その内容に応じてメ
モリ１７中のどの領域に画像データをとりこむかの設定
を行い（Ｓ3 ），画像のとりこみを開始する（Ｓ4 ）。
つまり、トリガ信号が受信されるごとに前述したように
１画素分ずつデータのとりこみが行われる。１画面分の
画像データのとりこみが終了したかをチェックしており
（Ｓ5 ），終了すると完了信号を発生して試験信号発生
器１２へ送信する（Ｓ6 ）。
【００１６】このように１画面分の画像をとるごとに動
作条件を変更しているため、ＩＣ１５上の同じ部分でも
電位が変化し、特に論理値が変化したことに基づく電位
変化の場合には保護膜における帯電の影響が除去され、
その変化の状態を知ることができる。例えば全く帯電が
ない状態で得られる画像が図４Ａに示す場合に動作条件
を変えると図４Ｂに示すように配線パターン像１及び４
は電位が変わらず図４Ａと同一であるが、配線パターン
像２は高電位から低電位に変化し、配線パターン像３は
低電位から高電位に変化したとする。この２つの動作条
件を繰り返し画像のとりこみを行っていると、図４Ａに
示した画像と対応する動作条件における取得画像は図４
Ｃに示すように、配線パターン像２及び３ははっきりと
現れ、前者は高電位で、後者は低電位であることがわか
り、配線パターン像１及び４は灰色となり、電位変化が
生じていないことが理解される。図４Ｂの画像と対応し
た動作条件でとりこんだ場合、図４Ｄに示すように配線
パターン像２が白く、配線パターン像３が黒く、明確に
現れてくる。
【００１７】上述においては、電子ビーム試験装置１１
において１画像とりこむと完了信号を試験信号発生器１
２へ送信したが、これを省略して試験信号発生器１２に
おいて電子ビーム試験装置１１が１画面分のデータをと
りこむ時間を充分見込んで、所定時間経過するごとに動
作条件を変更するようにしてもよい。つまり図５Ａに図
２Ａと対応するステップに同一符号を付けて示すよう
に、ステップＳ5 の代わりにステップＳ7 として所定時
間が経過するか否かをチェックし、経過しない間は試験
パターン信号の発生を継続し、所定時間が経過すると試
験パターン信号の発生を停止して動作条件の変更に移
る。
【００１８】上述において電子ビーム試験装置１１内で
受信した条件信号が特定のもの（これは自由に設定でき
る）の場合のみ、そのとき得られる画像データを表示
し、その他の場合の表示をしないようにすることもでき
る。例えば動作条件が２つで、図４ＣとＤとの画像が交
互に繰り返されるような場合、条件信号の指定によりそ
の一方を表示させ、その条件と対応した電位分布をゆっ
くり観察することができる。なお、このように動作条件
が２つの場合は条件信号としては単に動作条件を変えた
ことを示す信号でよく、動作条件が３つ以上の場合はこ
れらを区別する条件信号とする。
【００１９】次に、請求項２及び５の発明の実施例を説
明する。この場合は、動作条件の変更は特に条件としな
い。従って図１において条件信号発生部２８及び完了信
号発生手段等は省略される。この場合は電子ビーム試験
装置１１において、１画面分のデータをとりこむごとに
トリガ信号に対する電子ビームパルスの発生時間を変更
する。例えば図６Ａに示すように試験パターン信号が発
生され、これに応じて図６Ｂに示すトリガ信号が発生さ
れ、最初の画像データのとりこみでは図６Ｃに示すよう
に、トリガ信号に対してΔＴ1 だけ遅れて電子ビームパ
ルスを発生する。次の画面のデータのとりこみ時には、
図６Ｄに示すようにトリガ信号に対してΔＴ2 だけ遅れ
て電子ビームパルスを発生する。このように２つの異な
るタイミングでの電子ビームパルスの発生による画像デ
ータのとりこみを交互に行ってもよく、更に多くの異な
るタイミングでの電子ビームパルスの発生により画像デ
ータのとりこみを順次行ってもよい。
【００２０】この場合における電子ビーム試験装置の動
作の流れは、例えば図５Ｂに示すようになる。即ち、画
像とりこみ条件の設定を図２ＢのステップＳ1 と同様に
行う（Ｓ1 ）。次にメモリ１７中のどの領域にとりこむ
かを設定し（Ｓ2 ），更にトリガ信号に対する照射パル
ス発生時刻の設定を行う（Ｓ3 ）。この照射パルス発生
時刻はあらかじめ設定した複数の時刻を順次選択して、
その１つを設定するようにする。そのため図１中の遅延
回路２５を可変遅延回路とし、制御部３２からその遅延
量を設定できるように構成される。
【００２１】この照射パルス発生時刻の設定後、画像デ
ータのとりこみを開始する（Ｓ4 ）。画像データのとり
こみを１画面分行うと（Ｓ5 ），ステップＳ2 に戻り画
像データの蓄積領域を変更し、照射パルス発生時刻を変
更して再び画像データのとりこみを行う。以下、同様の
ことを繰り返す。このようにトリガ信号に対し照射パル
ス発生時刻を変えることによって、その変更前のＩＣ１
５の状態に対して変更後のＩＣ１５の状態が変化してい
ると、例えば印加試験パターンに対する応答の前後の状
態が検出され、この場合も図４について説明したよう
に、その変化した配線のパターン像ははっきりと現れ、
これを確実に知ることができる。
【００２２】請求項３の発明では、トリガ信号を受信す
ると、例えば図６Ｅに示すように異なった複数のタイミ
ングで照射パルスが発生するように構成される。図６Ｅ
ではトリガ信号に対してΔＴ1 とΔＴ2 だけそれぞれ遅
延して照射パルスが発生した場合である。この各照射パ
ルスごとに画像データをとりこむが、これらは別の領域
に記憶し、ΔＴ1 でとりこんだ画像データと、ΔＴ2 で
とりこんだ画像データとがそれぞれ表示部２７に交互に
または並列的に表示される。つまり試験パターン信号速
度が比較的遅い場合はこのようにすることができ、試験
パターン信号が速い場合は図５Ｂについて説明したよう
にすることによって同様の試験がなされる。
【００２３】これらのように１テストサイクルＴ中に異
なる複数のタイミングで画像データをとりこむ場合にお
いて、とりこみタイミングを設定して、そのとりこんだ
１つの画像データだけを表示させるようにすることもで
きる。また以上のいずれの場合においても、とりこんだ
複数の画像データの任意の２つを選んで差動的に加算し
て帯電による影響を一層なくした表示とすることもでき
る。更に遅延回路２５の遅延量を自由に設定できるよう
にすることが好ましい。この遅延量の設定の代わりに試
験信号発生器１２において、トリガ信号の発生タイミン
グを自由に設定するようにしてもよい。電子ビーム試験
装置１１と試験信号発生器１２との間の信号の送受はバ
スを利用して行ってもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば所
定の画像を取得するごとに動作条件を変更したり、照射
パルス発生タイミングを変更するため、その変更に基づ
くＩＣの内部状態の変化は保護膜の帯電に影響されるこ
となく、確実に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項４の発明の実施例を示すブロック図。
【図２】Ａは試験信号発生器１２の動作例を示す流れ
図、Ｂは電子ビーム試験装置の動作例を示す流れ図であ
る。
【図３】試験パターン信号とトリガ信号と照射パルスと
の関係例を示すタイムチャート。
【図４】画像の例を示す図。
【図５】Ａは試験信号発生器の他の動作例を示す流れ
図、Ｂは電子ビーム試験装置の他の動作例を示す流れ図
である。
【図６】試験パターン信号とトリガ信号と照射パルスと
の他の関係例を示すタイムチャート。
【図７】従来装置における問題点を説明するための画像
を示す図。
フロントページの続き (72)発明者 川本 裕資 東京都練馬区旭町１丁目32番１号 株式会 社アドバンテスト内

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 動作中の半導体集積回路に荷電粒子線を
    パルス的に照射し、その２次電子を検出して、上記半導
    体集積回路の電位分布の画像を得る荷電粒子試験装置に
    おいて、 上記半導体集積回路へ動作試験信号を供給する試験信号
    発生器からトリガ信号を受信する手段と、 上記受信したトリガ信号を基準として、上記荷電粒子線
    パルスを発生させる手段と、 上記試験信号発生器から上記半導体集積回路の動作条件
    を変更したことを示す条件信号を受信する手段と、 上記条件信号を受信すると、上記画像の所定画面分の取
    得を実行させる手段と、 を具備することを特徴とする荷電粒子試験装置。
  2. 【請求項２】 動作中の半導体集積回路に荷電粒子線を
    パルス的に照射し、その２次電子を検出して、上記半導
    体集積回路の電位分布の画像を得る荷電粒子試験装置に
    おいて、 上記半導体集積回路へ動作試験信号を供給する試験信号
    発生器からトリガ信号を受信する手段と、 上記受信トリガ信号を基準として、上記荷電粒子線パル
    スを発生させる手段と、 上記画像の取得ごとに上記トリガ信号に対する上記荷電
    粒子線パルスの発生タイミングを変化させる手段と、 を具備することを特徴とする荷電粒子試験装置。
  3. 【請求項３】 動作中の半導体集積回路に荷電粒子線を
    パルス的に照射し、その２次電子を検出して、上記半導
    体集積回路の電位分布の画像を得る荷電粒子試験装置に
    おいて、 上記半導体集積回路へ動作試験信号を供給する試験信号
    発生器からトリガ信号を受信する手段と、 上記受信トリガ信号を基準として時間的にずれた複数の
    タイミングで上記荷電粒子線パルスを発生させる手段
    と、 を具備することを特徴とする荷電粒子試験装置。
  4. 【請求項４】 試験信号発生器と、荷電粒子試験装置と
    からなり、 上記試験信号発生器から動作試験信号を、上記荷電粒子
    試験装置内の半導体集積回路へ供給して、その半導体集
    積回路を動作させ、 その動作中に上記荷電粒子試験装置で荷電粒子線をパル
    ス的に上記半導体集積回路に照射し、その２次電子を検
    出して、上記半導体集積回路の電位分布の画像を得る半
    導体集積回路試験装置において、 上記試験信号発生器に、上記半導体集積回路の動作条件
    を上記試験信号を発生させると、その変更したことを示
    す条件信号を上記荷電粒子試験装置へ送信する手段と、 上記荷電粒子線パルスの発生基準を示すトリガ信号を上
    記荷電粒子試験装置へ送信する手段とを備え、 上記荷電粒子試験装置に、上記トリガ信号を受信する手
    段と、 その受信したトリガ信号を基準として、上記荷電粒子線
    パルスを発生させる手段と、 上記条件信号を受信する手段と、 その条件信号を受信すると、上記画像の所定画面分の取
    得を実行させる手段とを備え、 ていることを特徴とする半導体集積回路試験装置。
  5. 【請求項５】 試験信号発生器と、荷電粒子試験装置と
    からなり、 上記試験信号発生器から動作試験信号を上記荷電粒子試
    験装置内の半導体集積回路へ供給して、その半導体集積
    回路を動作させ、 その動作中に上記荷電粒子試験装置で荷電粒子線をパル
    ス的に上記半導体集積回路に照射し、その２次電子を検
    出して、上記半導体集積回路の電位分布の画像を得る半
    導体集積回路試験装置において、 上記試験信号発生器に、上記荷電粒子線パルスの発生基
    準を示すトリガ信号を上記荷電粒子試験装置へ送信する
    手段とを備え、 上記荷電粒子試験装置に、上記トリガ信号を受信する手
    段と、 受信したトリガ信号を基準として、上記荷電粒子線パル
    スを発生させる手段と、 上記画像の取得ごとに上記トリガ信号に対する上記荷電
    粒子線パルスの発生タイミングを変化させる手段とを備
    え、 ていることを特徴とする半導体集積回路試験装置。
  6. 【請求項６】 試験信号発生器と、荷電粒子試験装置と
    からなり、 上記試験信号発生器から動作試験信号を上記荷電粒子試
    験装置内の半導体集積回路へ供給して、その半導体集積
    回路を動作させ、 その動作中に上記荷電粒子試験装置で荷電粒子線をパル
    ス的に上記半導体集積回路に照射し、その２次電子を検
    出して、上記半導体集積回路の電位分布の画像を得る半
    導体集積回路試験装置において、 上記試験信号発生器に、上記荷電粒子線パルスの発生基
    準を示すトリガ信号を上記荷電粒子試験装置へ送信する
    手段を備え、 上記荷電粒子試験装置に、上記トリガ信号を受信する手
    段と、 上記受信したトリガ信号を基準として時間的にずれた複
    数のタイミングで上記荷電粒子線パルスを発生させる手
    段とを備え、 ていることを特徴とする半導体集積回路試験装置。
  7. 【請求項７】 上記受信したトリガ信号を所望の時間遅
    延させて、上記荷電粒子線パルスの発生時間を変更する
    可変遅延手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至６
    のいずれかに記載の試験装置。
  8. 【請求項８】 取得された複数の画像の差を作り、これ
    を表示する手段を備えていることを特徴とする請求項１
    乃至６のいずれかに記載の試験装置。
  9. 【請求項９】 上記条件信号から特定の条件を検出する
    手段と、その特定の条件が検出されたときだけ、上記特
    定条件と対応する取得画像を表示する手段とを設けたこ
    とを特徴とする請求項１または４記載の荷電粒子試験装
    置。
  10. 【請求項１０】 上記試験信号発生器は、上記動作条件
    を所定時間ごとに変化させる手段を備えることを特徴と
    する請求項４記載の半導体集積回路試験装置。
  11. 【請求項１１】 画像取得が完了すると、そのことを示
    す完了信号を上記試験信号発生器へ送信する手段を設け
    たことを特徴とする請求項１または４記載の試験装置。
  12. 【請求項１２】 上記完了信号を受信すると動作条件を
    変化させる手段が上記試験信号発生器に設けられている
    ことを特徴とする請求項１１記載の半導体集積回路試験
    回路。
  13. 【請求項１３】 取得された複数の画像中の選択した１
    だけを表示させる手段が設けられていることを特徴とす
    る請求項２，３，５または６記載の半導体集積回路試験
    装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011185633A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Toshiba Corp 電子部品の検査方法及び検査装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011185633A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Toshiba Corp 電子部品の検査方法及び検査装置
US8704528B2 (en) 2010-03-05 2014-04-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for inspecting electronic component

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