JPH07128519A - カラーフィルタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 カラー液晶ディスプレイ等に用いた場合、耐
光性が高く、かつ、その表示画像を高精細化できるとと
もに、その画質の向上及び、生産効率（歩留り）の向上
を図ることができるカラーフィルタの製造方法を提供す
る。 【構成】 金属または金属酸化物によりブラックマトリ
ックスを形成した後に、ミセル電解法によって一つの色
の色素膜を製膜し、その上に光硬化性レジストを積層、
パターン化し、未露光部分の光硬化性レジスト及び色素
膜をエッチングにより除去して一つの色の色素層を形成
し、残りの色の色素についても同様の工程を繰り返し
て、複数色の色素パターンを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カラー液晶ディスプレ
イ、オーロラビジョン等の屋内外大画面画像、情報表示
装置、固体撮像素子（ＣＣＤ）等に使用するカラーフィ
ルタの製造方法に関し、特に、表示画像の画質の向上及
び高精細化を図ることができるとともに生産効率（歩留
り）を向上することができるカラーフィルタの製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近時の液晶テレビジョン、液晶プロジェ
クター、ラップトップパーソナルコンピュータ、ノート
型パーソナルコンピュータ等のディスプレイには、絶縁
性基板、または絶縁性基板上に導電性薄膜を積層、形成
したものの上に、色素層を平面的にパターン化、すなわ
ち、分離、配置して形成したカラーフィルタが使用され
ている。

【０００３】一般的なカラー液晶ディスプレイの構成を
図１１に示す。このカラー液晶ディスプレイにおいて
は、カラーフィルタ基板１０と駆動用基板２０の間に液
晶３０を封入している。液晶３０を封入した後、接着剤
（封止材）４０ａ，４０ｂで封止している。カラーフィ
ルタ基板１０は、絶縁性基板としてのガラス基板１、ま
たは、ガラス基板上に導電性薄膜を積層したものの上に
三原色、すなわち、赤（レッド、Ｒ）緑（グリーン、
Ｇ）、青（ブルー、Ｂ）（以下、必要に応じて単にＲ，
Ｇ，Ｂと記載する）の色素層５ａ，５ｂ，５ｃがそれぞ
れ形成されている。さらに、この色素層５ａ〜５ｃ間で
の洩れ光によるコントラストと色純度との低下を防止す
る役割を果たすブラックマトリックス（以下、必要に応
じてＢＭ又はＢＬと記載する）２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ
が繰り返して設けられている。この後、ブラックマトリ
ックス２ａ〜２ｄ、色素層５ａ〜５ｃ上に保護膜６を形
成して平坦化し、その上面に液晶駆動用透明電極を設け
ている。一方、駆動用基板２０は、ガラス基板等の絶縁
性基板２１に駆動用透明電極２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，
２２ｄが形成されている。

【０００４】このようなカラーフィルタの色素層は、通
常、印刷機を用いてガラス基板等の絶縁性透明基板上に
Ｒ，Ｇ，Ｂ三原色の顔料又は染料（色素）と樹脂を混練
したインキを印刷する印刷法によって形成されている。

【０００５】また、顔料又は染料（色素）を分散して含
有させた紫外線硬化性樹脂（レジスト）をガラス基板上
に塗布し、フォトリソグラフィ法によるマスク露光、現
像、及び熱硬化をＲ，Ｇ，Ｂごとに三回繰り返して色素
層を形成する分散法、また、ゼラチン等の感光性天然高
分子をガラス基板上に塗布し、フォトリソグラフィー法
によるマスク露光、現像後、Ｒ，Ｇ，Ｂのうちの一色の
染料でパターニングしたゼラチンを染色して熱硬化する
工程を残りの二色についても同様に繰り返して色素層を
形成する染色法が用いられている。

【０００６】さらに、電着ポリマーと顔料又は染料（色
素）を水などの液体中に分散させ、基板上に導電性薄膜
を成膜しパターニングして、そのパターン（電極）を形
成した基板を用いてこの電極上にＲ，Ｇ，Ｂの色素層を
順次電着塗装を行なって顔料又は塗料（色素）と電着ポ
リマーとからなる色素層を形成する電着法、又は界面活
性剤と顔料又は染料（色素）とを水などの液体中に分散
させ、先の電極上に顔料又は染料のＲ，Ｇ，Ｂの各色素
を順次製膜して、色素層を形成するミセル電解法が用い
られている。

【０００７】なお、上記のカラーフィルタの色素層を形
成するいずれの方法においても、平面的に配置した複数
色の色素層上にさらに、保護膜として熱硬化性樹脂など
を積層、形成してもよい。以上のカラーフィルタの製造
方法の中において、ミセル電解法で形成した色素層は、
顔料の含有量が高いため、耐光性に優れていることが知
られている（特願平４−３１９０５号）。ここで、ミセ
ル電解法で耐光性に優れたカラーフィルタを製造する方
法としては、主に、工程１（特開平３−１０２３０２
号）、工程２（特開平４−１１０９０１号）、工程３
（特開平５−１４２４１８号）が開示される。以下、具
体的に説明する。

【０００８】工程１：図１３はストライプ型色素パター
ンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、図１２
はその製造工程を示す図１３のＸ−Ｙ線断面図である。 （Ａ）：絶縁性基板上に透明導電性薄膜を成膜する。 （Ｂ）：透明導電性薄膜をパターン化する。 （Ｃ）：ＢＬ（黒色）色素含有光硬化性レジスト硬化物
パターンを形成し、ブラックマトリックス及び電極取出
層を形成する。 （Ｄ）：ミセル電解法製膜により、Ｒ，Ｇ，Ｂ色素層を
製膜・形成する。 （Ｅ）：保護膜を形成する。 （Ｆ）：基板を図１３のＡ線でカットする。 （Ｇ）：液晶駆動用透明導電性薄膜（電極）を形成す
る。 以下、同様にして工程２〜３、及び工程６〜８について
簡略化して説明する。

【０００９】工程２：図１５はダイアゴーナル型色素パ
ターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、図
１４はその製造工程を示す図１５のＸ−Ｙ線断面図であ
る。絶縁性基板上に金属または金属酸化物薄膜を成膜し
てパターン化（ブラックマトリックス形成）→絶縁膜形
成→透明導電性薄膜成膜→透明導電性薄膜パターン化→
光硬化性レジスト硬化物パターン化（電極取り出し層形
成）→ミセル電解法製膜Ｒ，Ｇ，Ｂ色素層形成→保護膜
形成→図１５のＡ線で基板カット→液晶駆動用透明導電
性薄膜（電極）形成

【００１０】工程３：図１７はダイアゴーナル型色素パ
ターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、図
１６はその製造工程を示す図１７のＸ−Ｙ線断面図であ
る。絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜→透明導電性薄
膜パターン化→光硬化性レジスト硬化物（色素含有可）
パターン化（電極取り出し層形成）→ミセル電解法製膜
Ｒ，Ｇ，Ｂ色素層形成→保護膜形成→図１７のＡ線で基
板カット→液晶駆動用透明導電性薄膜（電極）形成→金
属または金属酸化物薄膜パターン化（ブラックマトリッ
クス形成）

【００１１】工程６：図１９はトライアングル型色素パ
ターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、図
１８はその製造工程を示す図１９のＸ−Ｙ線断面図であ
る。絶縁性基板上に金属または金属酸化物薄膜、パター
ン形成（ブラックマトリックス形成）→Ｒ，Ｇ，Ｂ色素
含有光硬化性レジスト硬化物パターン形成（色パターン
形成）→保護膜形成→液晶駆動用透明導電性薄膜（電
極）形成

【００１２】工程７：図２１はダイアゴーナル型色素パ
ターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、図
２０はその製造工程を示す図２１のＸ−Ｙ線断面図であ
る。絶縁性基板上に金属または金属酸化物薄膜成膜パタ
ーン化（ブラックマトリックス形成）→透明導電性薄膜
成膜→＜光可溶化型レジストパターン形成→電着法製膜
色素層形成＞（ＲＧＢ３回繰り返し）→光可溶化型レジ
スト剥離→液晶駆動用透明導電性薄膜（電極）形成

【００１３】工程８：図２３はダイアゴーナル型色素パ
ターンを有するカラーフィルタの構成を示す正面図、図
２２はその製造工程を示す図２３のＸ−Ｙ線断面図であ
る。絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜→＜光可溶化型
レジスト（パターン化）→ミセル電解法製膜色素層形成
＞（ＲＧＢ３回繰り返し）→光可溶化型レジスト剥離→
保護膜形成→液晶駆動用透明導電性薄膜（電極）形成

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例の工程１〜３の問題点としていずれの場合にお
いても、透明導電性薄膜をパターン化し、ＲＧＢの各色
に対し連続して接続した色素層形成用電極と、電極取り
出し層が不可欠であるという問題があった（電着法も同
様）。また、主にＩＴＯである透明導電性薄膜のパター
ン化には、トライアングルやダイアゴーナル配列などの
高精細なパターン化や複雑な色素（画素）配列のパター
ンに応じたフォトリソグラフィー法による微細加工が必
要であり、ストライプなどの単純なパターン以外は、透
明導電性薄膜のショート又は断線による欠陥が発生し易
かった。すなわち色素形成用電極パターンのライン及び
ライン間のギャップの巾が、ダイアゴーナルとトライア
ングル配列の場合に小さくなり、ストライプパターンに
比較して、ショート、断線による欠陥の確率が増加し
た。次に、電極取り出し層も同様にパターン化する必要
があり、工程が煩雑であった。その結果、生産における
カラーフィルタの歩留りが低下せざるを得なかった。

【００１５】さらに、微細な色素層形成用電極を連続的
に接続することによって、透明導電性薄膜の抵抗による
電圧降下が発生し、電極取り出し層近辺と遠隔部にミセ
ル電解法で製膜した色素層の膜厚差、すなわち、カラー
フィルタでの色斑が発生する場合があった。特に、ダイ
アゴーナル、トライアングル配列用の場合には、発生の
頻度が高かった。また、微細な透明導電性薄膜のパター
ン上に色素層を製膜しているため、パターンラインの中
央部と端部で色素層の膜厚差すなわち画素内段差が生じ
る場合があった。その結果、カラーフィルタのコントラ
ストの低下を招き、画質を低下させることがあった。

【００１６】以上の問題点はミセル電解法に固有の問題
ではなく、電着法においても同様の問題があった。な
お、カラーフィルタを電着法で製造する場合において、
レジスト電着法（特開昭６１−２７２７２０号および特
開平４−２４７４０号など）で上記問題点の解決を図る
ため、（ａ）透明基板上に透明導電層を形成する工程、
（ｂ）特定のポジ型感光性樹脂組成物（光可溶化型レジ
スト）を透明導電層に形成する工程、（ｃ）感光性樹脂
層上に所望のパターンを有するマスクを載置した後、露
光・現像して、透明導電の一部を露出する工程、（ｄ）
露出した透明導電層上に電着により所望の色の着色層
（色素層）を形成する工程、および（ｅ）前記（ｃ）お
よび（ｄ）の工程を必要回数繰り返す工程からなる多色
表示装置（カラーフィルタ）の製造方法が開示されてい
る（例えば、前記工程７）。しかしながら、この製造方
法からなるカラーフィルタの色素層（着色層）には、前
記のように、電着ポリマー（水溶性アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂等）がかなりの割合で存在し、顔料の含有率が
低くなるため、形成したカラーフィルタの耐光性を電着
ポリマーで低下させてしまうという問題があった。

【００１７】一方、ミセル電解法においても、特開平４
−３４２２０５号において、レジスト電着法と同様の方
法（色素層の形成を電着法ではなく、ミセル電解法で行
う）により上記問題点の解決が試みられている（例え
ば、前記工程８）が、ミセル電解法で製膜した色素層
は、多孔質であり電気的に絶縁ができないため、繰り返
し多色の色素層の形成を行う際に、先に形成した色素層
を後に形成する色素層で汚染して、カラーフィルタに要
求される色の分光が認められないという問題があった。

【００１８】一方、ミセル電解法および電着法のみなら
ず他の製造法によって色素層を形成する場合にも以下の
問題点があった。すなわち、分散法によるカラーフィル
タは、色素含有、すなわち、色素を分散させた光硬化性
レジストを使用するため色素の光吸収によって露光感度
及び色素パターンの精細度（解像度）が透明レジストに
比較して悪化せざるを得なかった。さらに、色素含有レ
ジストは、スピンコーター又はロールコーターで塗布さ
れるが、カラーフィルタの中心部と末端部にレジストの
膜厚差が生じ、この膜厚差が色むらを引き起こす原因と
なっていた（例えば、前記工程６）。印刷法カラーフィ
ルタは、Ｒ，Ｇ，Ｂを順次印刷する際の位置合わせが難
しく、高解像度（高精細）の色素パターンを得ることが
現状では困難であった。染色法は、色素が染料であるた
めカラーフィルタの後加工上の耐熱性及び洗浄処理にお
ける耐薬品性に問題があった。さらに、これらの分散
法、印刷法、染色法のいずれにおいても、色素層が顔料
（色素）と樹脂（有機物）の共存した構造（顔料に比べ
樹脂の割合が多い）であるため形成したカラーフィルタ
の耐光性に難があった。

【００１９】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであり、カラー液晶ディスプレイ等に用いた場合耐光
性が高く、かつ、その表示画像を高精細化できるととも
に、その画質の向上及び、生産効率（歩留り）の向上を
図ることができるカラーフィルタの製造方法を提供する
ことを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、絶縁性基板上に複数色の色素層を
分離して形成、配置し、所定の色素パターンを形成する
とともに、ブラックマトリックスを形成するカラーフィ
ルタの製造方法において、 ａ）絶縁性基板上の少なくとも複数色の色素層の形成さ
れる領域に対応する部分を含む全面に、透明導電性薄膜
を成膜する工程、 ｂ）透明導電性薄膜上の少なくとも複数色の色素層およ
びブラックマトリックスの形成される領域を含む全面
に、金属または金属酸化物薄膜を成膜する工程、 ｃ）金属または金属酸化物薄膜上に光硬化性レジストを
積層し、フォトリソグラフィー法によってブラックマト
リックスの形状に光硬化性レジストのパターンを形成
し、次いで、下地の露出した部分の金属または金属酸化
物薄膜をエッチングによって除去してブラックマトリッ
クスを形成する工程、 ｄ）露出した透明導電性薄膜上に複数色から選択した一
つの色の色素膜をミセル電解法によって製膜する工程、 ｅ）一つの色の色素膜の上に光硬化性レジストを積層
し、一つの色の色素層に対応したマスクを用いて露光
し、かつ露光部の熱処理の前及び／又は後に未露光部分
の光硬化性レジスト及び色素膜をエッチングによって除
去して、一つの色の色素層を形成、配置する工程、 ｆ）前記工程ｄ）及びｅ）と同様の工程をさらに一回以
上繰り返して、複数色の残りの色の色素層を、透明導電
性薄膜の全面又は一部にそれぞれ分離して形成、配置
し、複数色の色素パターンを形成する工程、 を含むことを特徴とするカラーフィルタの製造方法が提
供される。

【００２１】また、前記ブラックマトリックスを形成す
る工程ｃ）が、金属または金属酸化物薄膜上に光可溶化
型レジストを積層し、フォトリソグラフィー法によって
ブラックマトリックスの形状に光可溶化型レジストのパ
ターンを形成し、次いで、下地の露出した部分の金属ま
たは金属酸化物薄膜をエッチングによって除去した後
に、さらに光可溶化型レジストを除去してブラックマト
リックスを形成することを特徴とするカラーフィルタの
製造方法が提供される。

【００２２】また、前記複数色の色素パターンを形成す
る工程ｆ）の後に、さらに保護膜および／または液晶駆
動用電極を積層、形成することを特徴とするラーフィル
タの製造方法が提供される。

【００２３】また、前記複数色の各色素層を形成、配置
し、複数色の色素パターンを形成する工程ｄ），ｅ）及
びｆ）の前、又は間に、前記透明導電性薄膜上の複数色
の色素層の形成される領域以外の部分に絶縁膜を積層、
形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法が
提供される。

【００２４】また、前記複数色の色素層が赤，青，緑の
三原色に対応するものであることを特徴とするカラーフ
ィルタの製造方法が提供される。

【００２５】また、前記複数色の各色素膜をミセル電解
法によって製膜する工程ｄ）および／またはｆ）の後
に、色素膜を紫外線洗浄することを特徴とするカラーフ
ィルタの製造方法が提供される。

【００２６】また、前記光硬化性レジストの積層、形成
が、ミセル電解法、または電着法によるものであること
を特徴とするカラーフィルタの製造方法が提供される。

【００２７】さらに、前記保護膜の積層、形成が、ミセ
ル電解法、または電着法によるものであることを特徴と
するカラーフィルタの製造方法が提供される。

【００２８】以下、本発明の製造工程を概略説明すると
ともに、使用材料及びその使用方法について具体的に説
明する。

【００２９】１．本発明のカラーフィルタの製造工程 以下、代表的な例を示すが、本発明は、以下の例に限ら
れることはない。なお、色素層Ｒ，Ｇ，Ｂの形成順は任
意である。 工程４：図２は、ダイアゴーナル型色素パターンを有す
る、カラーフィルタの構成を示す正面図、図１は、その
製造工程を示す図２のＸ−Ｙ線断面図である。 （Ａ）：絶縁性基板上に、透明導電性薄膜を成膜する
（ａ）。 （Ｂ）：金属または金属酸化物薄膜を成膜する（ｂ）。 （Ｃ）：光硬化性レジストを積層、パターン化し、金属
または金属酸化物薄膜をエッチングにより除去する（ブ
ラックマトリックスの形成）（ｃ）。 （Ｄ）：ミセル電解法によりＲ色素を製膜する（ｄ）。 （Ｅ）：光硬化性レジストを積層する（ｅ）。 （Ｆ）：光硬化性レジストをパターン化し、不要部分の
Ｒ色素膜をエッチングにより除去する（Ｒ色素層形成）
（ｆ）。 （Ｇ）：（ｄ），（ｅ），（ｆ）をＢ色素について繰り
返す（Ｂ色素層形成）（ｇ）。 （Ｈ）：ミセル電解法によりＧ色素を製膜する（Ｇ色素
層形成）（ｈ）。

【００３０】必要に応じて、光硬化性レジスト積層パタ
ーン化・不要部分のＧ色素膜エッチングを行ってもよ
い。積層パターン化は、三色目（ここではＧ）の色素層
領域（画素）だけでもよいし、一色目、二色目の色素層
の領域（表示部全体）を含めてもよい。さらに、少なく
ともＲ，Ｂ，Ｇ色素層上に、（Ｉ）保護膜を積層する
（ｉ）、および／または（Ｊ）液晶駆動用透明導電性薄
膜（電極）を形成する（ｊ）の各工程を加えてもよい。
さらに、カラーフィルタの複数色の色素層の形成される
領域に対応する部分を除いた部分に絶縁膜を積層しても
よい（ただし、工程４、図１の例のように、カラーフィ
ルタの複数色の色素層の形成される領域に対応する部分
を除いた部分にも光硬化性レジストが積層されている場
合には絶縁膜を積層する必要はない）。その積層は、
Ｒ，Ｇ，Ｂ色素層の形成工程の前、またはＲ，Ｂ，Ｇの
各色素層の形成工程の間でもよい。以下同様に工程５に
ついて簡略化して説明する。

【００３１】工程５：図４は、トライアングル型色素パ
ターンを有する、カラーフィルタの構成を示す正面図、
図３は、その製造工程を示す図４のＸ−Ｙ線断面図であ
る。絶縁性基板上に透明導電性薄膜成膜（ａ）→金属ま
たは金属酸化物薄膜成膜（ｂ）→光可溶化型レジストパ
ターン化・金属または金属酸化物薄膜エッチング、光可
溶化型レジスト剥離（ブラックマトリックスの形成）
（ｃ）→ミセル電解法Ｒ色素製膜（ｄ）→光硬化性レジ
スト積層（ｅ）→光硬化性レジストパターン化・不要部
分のＲ色素膜エッチング（Ｒ色素層形成）（ｆ）→
（ｄ），（ｅ），（ｆ）をＢ，Ｇ色素について繰り返す
（Ｂ，Ｇ色素層形成）（ｇ） なお、三色目の光硬化性レジストの積層パターン化は、
三色目（ここではＧ）の色素層領域（画素）だけでもよ
いし、一色目、二色目の色素層の領域（表示部全体）を
含めてもよい。さらに、少なくともＲ，Ｂ，Ｇ色素層上
に、（Ｈ）保護膜を積層する（ｈ）、および／または
（Ｉ）液晶駆動用透明導電性薄膜（電極）を形成する
（ｉ）の各工程を加えてもよい。さらに、カラーフィル
タの複数色の色素層の形成される領域に対する部分を除
いた部分に絶縁膜を積層してもよい。その積層は、Ｒ，
Ｂ，Ｇ色素層の形成工程の前、またはＲ，Ｂ，Ｇの各色
素層の形成工程の間でもよい。

【００３２】２．各工程における使用材料及びその使用
方法 次に、以上説明した本発明のカラーフィルタの製造工程
における使用材料、及びその使用方法について説明す
る。 （１）絶縁性基板 ガラス板（低膨張ガラス、無アルカリガラス（例：コー
ニング社製７０５９、ＨＯＹＡ製ＮＡ４５）等、石英ガ
ラス板、ソーダーライムガラス）、マイクロレンズ付き
前記ガラス板、又はプラスチック板（ポリエチレンテレ
フタレートなど）を用いることができる。この場合、ガ
ラス板が好適であり、好ましくは研磨品であるが、無研
磨でも良い。

【００３３】（２）透明導電性薄膜 ミセル化剤のフェロセン誘導体の酸化電位より貴な金属
又は導電体であればよい。例えばインジウムとスズの混
合酸化物（ＩＴＯ）、二酸化スズ、透明導電性ポリマー
等を用いることができる。ただし可視光の透過率９５％
以上（薄膜のみ）、膜厚１００〜２０００Åでシート抵
抗５００Ω／□以下とするのが好ましい。この透明導電
性薄膜はスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法、コーティング
法、パイロゾル法等で形成することができる。この場
合、絶縁性基板上の、少なくとも複数色の色素層の形成
される領域に対応する部分を含む全面に成膜する。具体
的には、絶縁性基板上平面的に見て、全面でもよいし、
マスキングの手法により、少なくとも複数色の色素層の
形成される領域に対応する部分を含む全面に形成する。

【００３４】（３）ブラックマトリックス 本発明においては、ブラックマトリックス形成用材料と
して金属または金属酸化物薄膜を用いる。金属または金
属酸化物としては、例えばクロム（Ｃｒ）、ニッケル
（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等又はその酸化
物を用いることができる。金属と金属酸化物との混合物
でも良い。光学濃度３．０以上（膜厚１００〜３０００
Å）とすることが好ましい。この場合、スパッタリング
法、蒸着法、ＣＶＤ法等により、絶縁性基板を平面的に
見て、絶縁性基板全面又はマスキングの手法によって少
なくともブラックマトリックスおよび複数色の色素層の
形成される領域に対応する部分を含む全面に成膜後、フ
ォトリソグラフィー法でパターニングを行う。すなわ
ち、レジスト塗布、露光（ブラックマトリックス形成用
マスク使用）、現像、ポストベーク、金属又は金属酸化
物薄膜のエッチング、レジスト剥離（除去）を順に行な
ってパターンを形成する。

【００３５】以上のブラックマトリックスの形状は、複
数色の色素層間での漏れ光によるコントラストと色純度
との低下を防止する役割を果たすために、少なくとも色
素層間の間隙に存在しなければならない。各色素層がブ
ラックマトリックスと一部重なるようにするのが、漏れ
光を完全になくすために、より好ましい。さらに、ブラ
ックマトリックスの領域が絶縁性基板上の複数色の色素
層の存在しない部分（カラーフィルタの表示部外周辺
部）にも存在する形状としてもよい。

【００３６】（４）ミセル電解法製膜色素膜 赤色（Ｒ）色素膜 ペリレン系顔料、レーキ顔料、アゾ系顔料、キナクリド
ン系顔料、アントラキノン系顔料、アントラセン系顔
料、ジス・アゾ系顔料、イソインドリン系顔料、イソイ
ンドリノン系顔料等の単品又は少なくとも二種類以上の
混合物を用いることができる。 緑色（Ｇ）色素膜 ハロゲン多置換フタロシアニン系顔料、ハロゲン多置換
銅フタロシアニン系顔料、トリフェニルメタン系塩基性
染料、ジス・アゾ系顔料、イソインドリン系顔料、イソ
インドリノン系顔料等の単品又は少なくとも二種類以上
の混合物を用いることができる。 青色（Ｂ）色素膜 銅フタロシアニン系顔料、フタロシアニン系顔料、イン
ダンスロン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン
系顔料、ジオキサジン系顔料等の単品又は少なくとも二
種類以上の混合物を用いることができる。以上をミセル
電解法で製膜する。それぞれの色素膜の膜厚と透過率
は、Ｒが膜厚０．５〜１．５μｍ（透過率６０％以上／
６１０ｎｍ）、Ｇを膜厚０．５〜１．５μｍ（透過率６
０％以上／５４５ｎｍ）とし、またＢを膜厚０．２〜
１．５μｍ（透過率６０％以上／４６０ｎｍ）とするの
が好ましい。

【００３７】ミセル電解法の条件 疎水化処理をした前記色素（顔料又は染料）、または後
述する光硬化性レジストもしくは熱硬化性樹脂を、フェ
ロセン誘導体からなる界面活性剤（ミセル化剤）を用
い、水性媒体中に分散させて、ミセル分散液を調製す
る。この際、用いる水性媒体としては、水、水とアルコ
ールとの混合液、水とアセトンとの混合液など種々の媒
体を挙げることが出来る。例えば、次に示すフェロセン
誘導体界面活性剤を挙げることができる。

【００３８】

【化１】

【００３９】なお、フェロセン誘導体としては、このほ
か国際公開ＷＯ８９／０１９３号明細書、特開平１−４
５３７０号公報、特開平１−２２６８９４号公報、特開
平２−８３３８７号公報、特開平２−２５０８９２号公
報などに記載された方法によって製造されるものを使用
することが出来る。なお、界面活性剤（ミセル化剤）と
してフェロセン誘導体を一種類用いても良く、又は、二
種類以上を組合せても良い。あるいは、フェロセン誘導
体と他の界面活性剤とを組合せても良い。他の界面活性
剤としては、例えばポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエ
チレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン
ポリオキシプロピレンアルキルエーテル等の非イオン性
界面活性剤と、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンア
ルキルエーテル硫酸塩、塩化アルキルトリメチルアンモ
ニウム、脂肪酸ジエチルアミノエチルアミド等のカチオ
ン性及びアニオン性界面活性剤を挙げることができる。

【００４０】ミセル分散液の調製 水性媒体中にフェロセン誘導体、所望に応じて用いられ
る他の界面活性剤及び所望の色素（顔料）、または光硬
化性レジストもしくは熱硬化性樹脂を入れて、メカニカ
ルホモジナイザー、超音波ホモジナイザー、ボールミ
ル、サンドミル、スターラーなどで十分に撹拌する。な
お、超音波を用いる場合には超音波印加条件を５時間／
リットル以下とし遠心分離を用いる場合には遠心条件と
して４Ｇ以下とすることが好ましい。この操作で顔料は
界面活性剤の作用で、水性媒体中に均一に分散又はミセ
ル化して、分散液又はミセル溶液となる。この際のミセ
ル化剤の濃度については、特に制限はないが、通常は、
フェロセン誘導体及び他の界面活性剤の合計濃度が臨界
ミセル濃度以上、好ましくは０．１ミルモル／リットル
〜１モル／リットルの範囲で選択する。一方、顔料又は
染料濃度は通常１〜５００グラム／リットルの範囲で選
択する。

【００４１】また、水性媒体の電気伝導度を調節するた
めに、支持塩（支持電解質）を必要に応じて加えること
が出来る。この支持塩の添加量は、分散している顔料の
電極への析出を妨げない範囲であれば良く、通常は０．
０５〜１０モル／リットルの範囲で選択する。この支持
塩を加えずに電解を行うことも出来る。この場合、支持
塩を含まない純度の高い薄膜（色素膜）を得ることがで
きる。また、支持塩を用いる場合、その支持塩の種類
は、ミセルの形成や電極への顔料の析出を妨げることな
く、水性媒体の電気伝導度を調節できるものであれば特
に制限はない。具体的には、一般に広く支持塩として用
いられている硫酸塩（リチウム、カリウム、ナトリウ
ム、ルビジウム、アルミニウムなどの塩）、酢酸塩（リ
チウム、カリウム、ナトリウム、ルビジウム、ベリリウ
ム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリ
ウム、アルミニウムなどの塩）、さらに、アンモニウム
塩などが好適であり、例えば、ＬｉＢｒ，ＫＣｌ，Ｌｉ
₂ＳＯ₄，（ＮＨ₄）ＢＦ₄などを挙げることが出来る。さ
らに０．５μｍ以下のフィルターでろ過することが好ま
しい。このようにして、赤色色素（顔料又は染料）、緑
色色素（顔料又は染料）、青色色素（顔料又は染料）、
光硬化性レジスト、熱硬化性樹脂のそれぞれを分散した
５種類のミセル分散液を調製する。なお、混合顔料のミ
セル分散液は、水性媒体中に混合すべき顔料又は染料を
ミセル化剤とともに一度加え、分散させて調製しても良
く、または水性媒体中に混合すべき単一顔料をミセル化
剤とともに加え、分散させて得られたそれぞれのミセル
分散液を混合させて調製しても良い。

【００４２】ミセル電解法製膜 次に、前記ミセル分散液のいずれか一つに、その少なく
とも複数色の色素層の形成される領域に対応する部分を
含む全面に透明導電性薄膜が成膜され、かつ透明導電性
薄膜上にブラックマトリックスが形成された絶縁性基板
を挿入し、これを通電してミセル電解を行い、この基板
の透明導電性薄膜上に所望の薄膜（色素膜）を形成す
る。

【００４３】電解条件は、各種状況に応じて適宜選択す
れば良いが、通常液温は０〜９０℃、好ましくは１０〜
７０℃の範囲で選択する。電圧は０．０３〜１．５Ｖ、
好ましくは０．１〜０．９Ｖの範囲で選択する。また、
電流密度は通常１０ｍＡ／ｃｍ²以下であり、好ましく
は５０〜３００μＡ／ｃｍ²の範囲で選択する。この電
解処理を行うと、ミセル電解法の原理に従った反応が進
行する。これをフェロセン誘導体のＦｅイオンの挙動に
着目すると陽極ではフェロセンのＦｅ²⁺がＦｅ³⁺となっ
て、ミセルが崩壊し、顔料又は染料が陽極（透明導電性
薄膜）上に析出する。一方、陰極では陽極で酸化された
Ｆｅ³⁺がＦｅ²⁺に還元されて元のミセルに戻るので、繰
り返し同じ溶液で製膜操作を行うことが出来る。各色素
膜（層）の膜厚および透過率は、上記の電圧の範囲にお
いて、電解時間を操作すれば、コントロールすることが
できる。次に、ミセル電解処理で形成された薄膜（色素
層）は、通常、純水などで洗浄した後、室温での風乾を
行っても良いし、必要に応じて２００℃までの温度範囲
で加熱処理を行っても良い。

【００４４】さらに、前記光硬化性レジストまたは熱硬
化性樹脂のミセル分散液に、色素膜の製膜された基板を
挿入し、これを通電してミセル電解を行い、基板の色素
膜上に所望の光硬化性レジスト膜または熱硬化性樹脂膜
（保護膜）を形成する。色素膜は多孔質であるため、下
地の透明導電性薄膜と光硬化性レジストまたは熱硬化性
樹脂のミセル分散液が導通するため、光硬化性レジスト
膜または熱硬化性樹脂膜を、ミセル電解法により色素膜
上に製膜することが可能である。電解は、色素（顔料）
と同様の条件で行うことができ、ミセル電解法の原理を
適用することができる。ただし、光硬化性レジストまた
は熱硬化性樹脂膜が積層され、色素膜中の空隙を埋めて
くると、だんだん膜の導電性を失う。その結果、色素膜
を含めた光硬化性レジスト膜、熱硬化性樹脂膜シート抵
抗が１０⁹Ω／□以上となると製膜不能となる。従っ
て、色素膜を含めた光硬化性レジスト膜（色素層）また
は熱硬化性樹脂膜の膜厚は、色素膜の膜厚でコントロー
ルされる。次に、ミセル電解処理により形成されたレジ
スト膜は、通常純水などで洗浄された後、室温での風乾
を行ってもよいし、必要に応じて１５０℃までの温度範
囲で加熱処理を行ってもよい。一方、熱硬化性樹脂膜は
保護膜として使われるため、通常純水などで洗浄された
後、室温での風乾を行ってもよいし、必要に応じて１５
０℃までの温度範囲で加熱処理を行った後、１５０〜３
００℃の加熱処理を行って、完全に熱硬化する。

【００４５】なお、光硬化性レジストまたは熱硬化性樹
脂の積層は、ミセル電解法のみならず電着法でも可能で
あるが、いずれの方法においても、色素膜を含む光硬化
性レジスト膜（色素層）中の色素（顔料）の割合が多い
ため、形成したカラーフィルタの耐光性を低下させな
い。

【００４６】（５）光硬化性レジスト硬化物 紫外光（ｉ線、ｇ線、ｈ線）などにおける露光部分が重
合、架橋、硬化するものであって、透明性の高いものほ
どよい。たとえば、アクリル、メタクリル酸誘導体とそ
の共重合体（バインダー）の混合物を用いることができ
る。このアクリル、メタクリル酸誘導体にエポキシ基、
シロキサン基、ポリイミド前駆体を導入したものを好適
に用いることができる。光開始剤としては、トリアジン
系、アセトフェノン系、ベンジイン系、ベンゾフェノン
系、チオキサンソン系等を使用することができる。溶剤
としては、シクロヘキサノン等のケトン類、セルソルブ
アセテート等のエステル類の単品又は二種以上の混合物
を使用することができる。また、特開平４−１０４１０
２号記載の光硬化性電着ポリマーを用いることもでき
る。

【００４７】以上を混合、濾過してレジストを調製し、
このレジストをミセル電解製膜色素膜上にロールコータ
ー又はスピンコーターで少なくとも表示部全面に積層塗
布する。次に、所望の色素層に相当するカラーフィルタ
のマスクパターンを介して光重合及び光架橋（露光）
後、例えば未露光部をエッチングを行った後に熱処理に
よって完全に硬化させる。さらに、光硬化型レジスト
（好ましくは透明な紫外線硬化型レジスト）を塗布する
方法として、従来のロールコート又はスピンコートに代
えて、先に記載したミセル電解法または電着法により透
明光硬化性レジストを塗布することにより、製膜後の基
板の乾燥工程を省略できるばかりでなく、異物の混入を
防ぐことが可能となる。

【００４８】これらのレジストの、具体的な商品名とし
てＣＴ（富士ハント社製）、Ｖ２５９ＰＡ（新日鐵社
製）、ＪＮＰＣ０６，ＪＮＰＣ０９，ＪＮＰＣ１６（Ｊ
ＳＲ社製）、ＣＦＧＲ（東京応化社製）、フォトニース
ＵＲ３１００（東レ社製）等を挙げることができる。透
明光硬化性レジスト硬化物の膜厚と透過率は、膜厚０．
１〜４．０μｍ、透過率９０％以上／４６０ｎｍとする
ことが好ましい。各色素層の膜厚は、ミセル電解法製膜
の各色素膜の膜厚に応じて、レジスト粘度及びスピンコ
ートの回転数等で、又は、ミセル電解法又は電着法では
製膜電位，製膜時間等によってコントロール可能であ
り、各色素層の膜厚段差を最小限にして、平坦化でき
る。

【００４９】（６）光可溶化型レジスト 露光部分が現像液で溶出するものであればよい。たとえ
ば、ジアゾニウム塩とパラホルムアルデヒド縮重合物を
含む感光性樹脂組成物（特公昭３８−１１３６５号，米
国特許第１７６２０３３号など）、オルト−キノンジア
ド類を含む感光性樹脂組成物（特公昭３７−３６２７
号，特公昭４３−２８４０３号，特公昭４５−９６１０
号など）、アルカリ可溶性アジドポリマーを含む感光性
樹脂組成物（特公昭４０−２８４９９号，特公昭４５−
２２０８５号，英国特許第８４３５４１号など）、水ま
たはアルカリ水溶液で現像可能なアジド化合物を含む感
光性樹脂組成物（特公昭４１−７１００号，特公昭４４
−２８７２５号，米国特許第２６９２８２６号，特公昭
４５−２２０８２号など）、及びカルボン酸のｔｅｒｔ
−ブチルエステルまたはフェノールのｔｅｒｔ−ブチル
カルボナートよりなる酸に不安定な枝分かれをした基を
有する重合体と露光時に酸を生ずる光重合開始剤（オニ
ウム塩）とを含むポジ型感光性樹脂組成物等を挙げるこ
とができる。具体的商品名としては、例えば、ＨＰＲ２
０４、ＦＨ２１３０等（富士ハントエレクトロニクステ
クノロジー社製）を挙げることができる。

【００５０】（７）複数色の色素層の形成用基板の作製 絶縁性基板上において、少なくとも複数色の色素層の形
成される領域に対応する部分を含む全面に透明導電性薄
膜を成膜し、次いで少なくともブラックマトリックスお
よび複数色の色素層の形成される領域に対応する部分を
含む全面に金属または金属酸化物薄膜を成膜する。そし
て、光硬化性レジストをブラックマトリックスの形状で
フォトリソグラフィー法にて常法によりパターニング
し、さらに下地の露出した金属および金属酸化物薄膜を
硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合水溶液など
でエッチングして、ブラックマトリックスを形成し、必
要に応じて光硬化性レジストを１５０〜３００℃のオー
ブンまたはホットプレートにより熱処理して熱硬化させ
る（ポストベークする）。また、金属または金属酸化物
薄膜上に光可溶化型レジストをブラックマトリックスの
形状でフォトリソグラフィー法にて常法によりパターニ
ングし、さらに下地の露出した金属または金属酸化物薄
膜を硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸混合水溶液な
どでエッチングし、さらに上記で記載したレジスト剥離
剤（例えば第四級アミンなどのアミン類の溶液、ジメチ
ルスルホキサイド（ＤＭＳＯ）、ジメチルフォルムアミ
ド（ＤＭＦ）などの溶媒を用いて室温から８０℃程度で
処理して剥離する）を用いて、同様に光可溶化型レジス
トを剥離して、ブラックマトリックスを形成する。この
ようにして作成した基板を用いて、以下の方法により、
所望の複数色の色素層を平面的に配置したカラーフィル
タを得ることができる。

【００５１】（８）複数色の色素層の形成 次に、上記で作成した基板上に、複数色のうち一つの色
素（例えばＲ）を透明導電性薄膜上にミセル電解法で製
膜する。次いで、光硬化性レジストをスピンコート、ロ
ールコート、前記ミセル電解法、または光硬化性電着ポ
リマーを利用した電着法（特開平４−１０４１０２号）
によりＲ色素膜上に積層塗布して、Ｒ色素層に対応する
マスクを介して露光し、反応しない部分の光硬化性レジ
ストと色素膜をエッチングする。ここで光硬化性レジス
ト（熱硬化性樹脂も同様）の膜厚は、スピンコートまた
はロールコートの場合には、レジストの粘度およびスピ
ンコートの回転数、回転時間によってコントロールし、
ミセル電解法または電着法の場合には、絶縁化された時
点が積層の終点となる。従って、カラーフィルタの色素
層の膜厚は、ロールコートまたはスピンコートの場合に
は、色素膜と光硬化性レジストの膜厚の和からレジスト
の色素膜への浸透分を差し引いた分であり、ミセル電解
法または電着法の場合にはほとんど色素膜の膜厚に近
い。次に、露光は、コンタクト露光、プロキシミティー
露光、ミラープロジェクション、ステッパーのどの方式
でもよく、使用したレジストの分光感度に応じた露光を
行えばよい。露光エネルギーは、例えばｉ線（３６５ｎ
ｍ）の場合には２０〜６００ｍＪ／ｃｍ²が一般的であ
る。

【００５２】次に、現像液を噴霧し、露光されていない
部分の光硬化性レジストを溶解させ、さらに下層の色素
膜を純水シャワー、高圧純水シャワー、ブラシスクラ
ブ、超音波純水シャワー等の方法によりリンスと同時に
エッチングして、露光部の色素膜と積層した光硬化性レ
ジスト（色素層）を残し、さらに１５０〜３００℃のオ
ーブンまたはホットプレートにより加熱して、色素膜と
積層した光硬化性レジストを完全に硬化させる。現像液
は、レジストに対応する一般的なものが用いられ、例え
ば有機系としては、テトラメチルアンモニウムハイドロ
キシド（ＴＭＡＨ）などの第四級アミンの水溶液が、無
機系としては、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、アルカリ金属
塩の水溶液が用いられ、温度は室温から８０℃のものが
使用される。また上層の光硬化性レジストの露光後の現
像およびリンス処理により、光硬化性レジストのみパタ
ーニングし、先の加熱処理にて硬化させた後に露出した
色素層を例えば先の現像液の他に有機溶剤（エタノー
ル、アセトン）または、界面活性剤等で処理してエッチ
ングしてもよい。

【００５３】ここで、色素膜のエッチングの方法は、先
のウェットエッチングだけでなく、ＵＶ／オゾン、プラ
ズマ、スパッタ、イオンビームなどのドライエッチング
も可能であるし、ウェットエッチングとドライエッチン
グを適宜併用してもよい。このような工程を複数色のさ
らに別の色素（例えばＢ，Ｇ）についても同様に行う
（特願平４−２６５４２２号）。なお、光硬化性レジス
トをカラーフィルタの表示部外基板周辺部を含んだブラ
ックマトリックスの形状でフォトリソグラフィー法でパ
ターニングしてブラックマトリックスを形成した基板に
ついては、すでに三色目の色素層を形成すべきレジスト
枠が残されているので、三色目の色素層に対応する部分
の光硬化性レジスト積層パターン化および不要部分のＧ
色素膜エッチングを行う必要がない。（光可溶化型レジ
ストでブラックマトリックスを形成した基板について
は、三色目の色素層を形成すべきレジスト枠が残されて
いないので、三色目の色素層に対応する部分の光硬化性
レジスト積層パターン化および不要部分のＧ色素層エッ
チングを行う必要がある。）

【００５４】（９）保護膜 複数色の色素層を平面的に配置したのち、色素層の基板
への接着、色素層間の膜厚段差を低減する（平坦性を高
める）ため、または所望の場所だけにミセル電解法で色
素膜を製膜するために、積層形成してもよい。保護膜と
しては、透明光硬化性レジスト硬化物及び透明熱硬化性
樹脂硬化物を挙げることができる。 透明光硬化性レジスト硬化物（前述の材料と同様のも
のを用いることができる） 透明光硬化性レジストをロールコート、スピンコート、
またはオフセット印刷等で少なくとも複数色の色素層の
形成された領域（表示部全面）に積層塗布し、オーブン
やホットプレートで１５０〜３００℃で加熱硬化させて
保護膜を形成する。また、ロールコート、スピンコー
ト、またはオフセット印刷などで複数色の色素層の形成
された領域に対応する部分を含む基板全面に塗布し、フ
ォトリソグラフィー法にて、複数色の色素層の形成工程
の前または、各形成工程の間に、少なくとも複数色の色
素層の形成される領域に対応する部分を除いた部分に積
層されるようにパターニングし、オーブンやホットプレ
ートで１５０〜３００℃で加熱熱硬化させて、保護膜を
形成してもよい。

【００５５】透明熱硬化性樹脂硬化物 前述の材料と同様のものを用いることができる。ロール
コート、スピンコート、またはオフセット印刷などで、
少なくとも複数色の色素層の形成される領域に対応する
部分に、積層塗布し、オーブンやホットプレートで１５
０〜３００℃で加熱硬化させて、保護膜を形成する。ま
た、ロールコートまたはオフセット印刷などで、複数色
の色素層の形成工程の前または、各形成工程の間に、少
なくとも複数色の色素層の形成される領域に対応する部
分を除いた部分に積層塗布し、オーブンやホットプレー
トで１５０〜３００℃で加熱硬化させて、絶縁膜として
形成してもよい。なお、ミセル分散液に分散した光硬化
性レジストまたは熱硬化性樹脂をミセル電解法で製膜す
ることによって、または特開平４−１０４１０２号記載
の光硬化性電着ポリマーを用いた電着法によって、保護
膜を少なくとも色素膜上（絶縁されていない色素膜）に
積層することができる。

【００５６】（１０）液晶駆動用透明導電性薄膜（電
極） 上記透明導電性薄膜と同様の材料及び形成方法を用いる
ことができる。

【００５７】

【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに具体的
に説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。 ［製造例１］ 透明導電性薄膜成膜基板の作製 鏡面研磨した３００ｍｍ角の白板ガラス基板（コーニン
グ社製、７０５９）上に、スパッタリング装置（アルバ
ック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜
を約１３００Åで蒸着を行った。この場合、基板温度を
２５０℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整し
た。次に、透明導電性薄膜（ＩＴＯ）成膜基板上全面
に、さらに金属（Ｃｒ）薄膜をスッパッタリング装置
（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、約
１２００Å蒸着した。このとき、基板温度を２５０℃に
調整した。

【００５８】ミセル分散液の調製 純水１リットル中において、顔料としてジアントラキノ
ニルレッド（チバガイギー社製）を用い、顔料濃度１
１．３１ｇ／リットル、フェロセン誘導体ミセル化剤と
してＦＰＥＧ（１１ーフェロセニルウンデシルポリオキ
シエチレンエーテル）を用いて、２．７５ミリモル／リ
ットル、支持塩として臭化リチウムを用いて０．１モル
／リットルの濃度で混合した。また、顔料としてジスア
ゾイエロー（大日本インキ化学工業製）を用い、顔料濃
度１２．４５ｇ／リットル、ＦＰＥＧを２．００ミリモ
ル／リットル、臭化リチウムを０．１モル／リットルの
濃度で混合し、それぞれの混合液を超音波ホモジナイザ
ーで３０分間分散させた後、前者と後者の重量比９：１
の割合でそれぞれの顔料の分散液を混合し、さらに、こ
の混合液を超音波ホモジナイザーで３０分間分散させ、
Ｒの混合ミセル分散液を調製した。また、純水１リット
ル中において、顔料としてハロゲン化銅フタロシアニン
（ＢＡＳＦ社製）を用い、顔料濃度１４．８５ｇ／リッ
トル、前記ＦＰＥＧを用いて、３．００ミリモル／リッ
トル、支持塩として臭化リチウムを用いて０．１モル／
リットルの濃度で混合した。また、顔料としてジスアゾ
イエロー（大日本インキ化学工業社製）を用い、顔料濃
度１２．４５ｇ／リットル、ＦＰＥＧを２．００ミリモ
ル／リットル、臭化リチウムを０．１モル／リットルの
濃度で混合した。そして、それぞれの混合液を超音波ホ
モジナイザーで３０分間分散させた後、前者と後者の重
量比６：４の割合でそれぞれの顔料の分散液を混合し、
さらに、この混合液を超音波ホモジナイザーで３０分間
分散させ、Ｇの混合ミセル分散液を調製した。さらに、
純水１リットル中において、顔料として銅フタロシアニ
ン（ＢＡＳＦ社製）を用い、顔料濃度６．９０ｇ／リッ
トル、ＦＰＥＧを用いて、１．２５ミリモル／リットル
の濃度と、支持塩として臭化リチウムを用い、０．１モ
ル／リットルの濃度で混合した。また、顔料としてジオ
キサジンバイオレット（三陽色素社製）を用い、顔料濃
度４．８８ｇ／リットル、ＦＰＥＧを３．００ミリモル
／リットル、臭化リチウムを０．１モル／リットルの濃
度で混合した。そして、それぞれの混合液を超音波ホモ
ジナイザーで３０分間分散させた後に、前者と後者の重
量比７：３の割合でそれぞれの顔料の分散液を混合し、
さらに、この混合液を超音波ホモジナイザーで３０分間
分散させ、Ｂの混合ミセル分散液を調製した。さらに、
純水１リットル中において、光硬化性レジストとしてア
クリル酸系レジストＣＴ（富士ハントエレクトロニクス
テクノロジー社製）を用いて、レジスト固形分濃度１
０．００ｇ／リットル、前記ＦＰＥＧを用いて、１．５
０ミリモル／リットル、支持塩として臭化リチウムを用
いて０．１モル／リットルの濃度で混合し、超音波ホモ
ジナイザーで３０分分散させたのち、光硬化性レジスト
のミセル分散液を調製した。

【００５９】［実施例１］製造例１において作製した基
板上に、光硬化性レジスト（Ｖ２５９ＰＡ：新日鉄化学
社製）をスピンコーターで１５００ｒｐｍでコートし、
８０℃のオーブンで１５分間プリベークし、ダイアゴー
ナル色素パターン対応のカラーフィルタの表示部外基板
周辺部を含んだ形状のブラックマトリックス形成用のマ
スク（図２４）を介して、プロキシミティー方式（プロ
キシミティーギャップ６０μｍ）方式の露光機で３００
ｍＪ／ｃｍ²ｉ線で露光した。次に室温の有機アルカリ
系水溶液の現像液（０．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハン
トエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５純水希
釈品）で２分間スピン現像して、純水シャワー洗浄し、
さらに２００℃のオーブンで６０分間熱処理（ポストベ
ーク）して、レジストパターンを形成した。次に、硝酸
第二セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌ
と純水で１リットルのＣｒエッチャントを調製し、レジ
ストパターンを形成した基板を室温で２分間浸漬し、純
水シャワーで洗浄してレジストパターンのない部分のＣ
ｒ薄膜をエッチングした後、エアブローにて乾燥して、
金属薄膜（Ｃｒ）のブラックマトリックスを形成した。
先の製造例１で作製した基板を、製造例１で調製した前
記Ｒのミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜の電極端
子部とポテンショスタットの陽極を接続した。この接続
後に０．４Ｖ，１８分間の定電位電解を行った。さら
に、透明導電性薄膜上にＲの色素膜を形成し、純水で洗
浄した後にエアブローで水を切り、５０℃オーブンで乾
燥した。次に透明光硬化性レジストとして、ＣＴ（富士
ハントエレクトロニクステクノロジー社製）を１５００
ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のホットプレートで５
分プリベークした。次に、Ｒ色素層形成用のマスク（ダ
イアゴーナル用：図２５を介して、プロキシミティー方
式の露光機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で１
００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温有機アルカリ系水
溶液の現像液（０．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５純水希釈
品）を１分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラ
ブを行い、さらに純水で洗浄して、未露光部の色素膜と
光硬化性レジストをエッチングした。最後に２００℃の
オーブンに基板を挿入して、露光部の光硬化性レジスト
を完全に熱硬化させ、Ｒ色素層を得た。次いで、製造例
１で調製した前記Ｂのミセル分散液に挿入し、透明導電
性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、０．
５Ｖ、５分間の定電位電解を行い、Ｒ色素層形成部分以
外の透明導電性薄膜上にＢの色素膜を形成し、純水で洗
浄したのちエアブローにより水を切り、１００℃オーブ
ンで乾燥した。透明光硬化性レジストとして、ＣＴ（富
士ハントエレクトロニクステクノロジー社製）を１００
０ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のホットプレートで
５分プリベークした。次に、Ｂ色素層形成用のマスク
（ダイアゴーナル用：図２６）を介して、プロキシミテ
ィー方式の露光機（プロキシミティーギャップ６０μ
ｍ）で１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機ア
ルカリ系水溶液の現像液（０．５％ＴＭＡＨ水溶液：富
士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５
純水希釈品）を１分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシに
てスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未露光部の
色素膜と光硬化性レジストをエッチングした。最後に２
００℃のオーブンに基板を挿入して、露光部の光硬化性
レジストを完全に熱硬化させ、Ｂ色素層を得た。次い
で、製造例１で調製した前記Ｇのミセル分散液に挿入
し、透明導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接
続して、０．８Ｖ、７分間の定電位電解を行い、Ｒ，Ｂ
色素層形成部分以外の透明導電性薄膜上にＧの色素膜を
形成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切
り、１００℃オーブンで乾燥して、Ｇ色素層を得た。次
に、この基板上に保護膜として透明な熱硬化性樹脂オプ
トマーＳＳ７２６５（日本合成ゴム社製）を９００ｒｐ
ｍでスピンコートし、２２０℃のオーブンで完全に熱硬
化させた。最後に、スパッタリング装置（アルバック社
製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１
２００Åで保護膜上にスパッタリングして液晶駆動用の
透明導電性薄膜（電極）を形成した。この場合、基板温
度を２００℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整
した。以上のようにして、図１，２に示す工程４に係る
カラーフィルタを製造した。

【００６０】［実施例２］製造例１において作製した透
明導電性薄膜（ＩＴＯ）成膜基板上に、金属（Ｃｒ）薄
膜の代わりに金属酸化物（Ｃｒ₂Ｏ₃）薄膜をスパッタリ
ング装置（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用
いて、約１２００Å蒸着した。このとき、基板温度を２
５０℃に調製した。次に、蒸着したＣｒ₂Ｏ₃薄膜上に、
光可溶化型レジスト（ＨＰＲ２０４：富士ハントエレク
トロニクステクノロジー社製）をスピンコーターで７５
０ｒｐｍでコートし、８０℃のホットプレートで５分間
プリベークし、トライアングル色素パターン対応のブラ
ックマトリックス形成用のマスク（図２７）を介して、
プロキシミティー方式（プロキシミティーギャップ６０
μｍ）の露光機で１００ｍＪ／ｃｍ²ｉ線で露光した。
次に室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（２．３８％
ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製ＦＨＤ−５）で２分間スピン現像して、純水シ
ャワー洗浄し、エアブローで乾燥させた。さらに１３０
℃のオーブンで３０分間熱処理（ポストべーク）して、
レジストパターンを形成した。次に、硝酸第二セリウム
アンモニウム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌと純水で１リ
ットルのＣｒエッチャントを調製し、レジストパターン
を形成した基板を室温で２分間浸漬し、純水シャワーで
洗浄してレジストパターンのない部分のＣｒ薄膜をエッ
チングした後、室温のレジスト剥離剤（Ｎ３０３：長瀬
産業社製）に３分間浸漬し、純水シャワーにてリンスし
て、エアブローにて乾燥し、金属酸化物薄膜（Ｃｒ
₂Ｏ₃）のブラックマトリックスを形成した。次に、製造
例１で調製した前記Ｒのミセル分散液に挿入し、透明導
電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、
０．４Ｖ、１８分間の定電位電解を行い、透明導電性薄
膜上にＲの色素膜を形成し、純水で、洗浄したのちエア
ブローにより水を切り、１００℃オーブンで乾燥した。
次に、透明光硬化性レジストとしてＪＮＰＣ０６（日本
合成ゴム社製）を１５００ｒｐｍでスピンコートし、８
０℃のホットプレートで５分プリベークした。次に、Ｒ
色素層形成用のマスク（トライアングル用：図２８）を
介して、プロキシミティー方式の露光機（プロキシミテ
ィーギャップ６０μｍ）で３００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露
光後、室温有機アルカリ系水溶液の現像液（０．５％Ｔ
ＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロジ
ー社製ＦＨＤ−５純水希釈品）を１分間噴霧し、アクリ
ル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄
して、未露光部の色素膜と光硬化性レジストをエッチン
グした。最後に２００℃のオーブンに３０分間基板を挿
入して、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化さ
せ、Ｒ色素層を得た。次いで、製造例１で調製したＢの
前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンシ
ョンスタットの陽極を接続して、０．５Ｖ、５分間の定
電位電解を行い、Ｒ色素層形成領域に対応する部分以外
の透明導電性薄膜上にＢの色素膜を形成し、純水で洗浄
したのちエアブローにより水を切り、１００℃オーブン
で１０分間乾燥した。次に、透明光硬化性レジストとし
てＪＮＰＣ０６（日本合成ゴム社製）を１０００ｒｐｍ
でスピンコートし、８０℃のホットプレートで５分プリ
ベークした。次に、Ｂ色素層形成用のマスク（トライア
ングル用：（図３０）を介して、プロキシミティー方式
の露光機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で３０
０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温有機アルカリ系水溶
液の現像液（０．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレ
クトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５純水希釈品）
を１分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを
行い、さらに純水で洗浄して、未露光部の色素膜と光硬
化性レジストをエッチングした。最後に２００℃のオー
ブンに３０分間基板を挿入して、露光部の光硬化性レジ
ストを完全に熱硬化させ、Ｂ色素層を得た。次いで、製
造例１で調製したＧの前記ミセル分散液に挿入し、透明
導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、
０．８Ｖ、７分間の定電位電解を行い、Ｒ，Ｂ色素層形
成領域に対応する部分以外の透明導電性薄膜上にＧの色
素膜を形成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水
を切り、１００℃オーブンで１０分間乾燥した。次に透
明光硬化性レジストとしてＪＮＰＣ０６（日本合成ゴム
社製）を１５００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のホ
ットプレートで５分プリベークした。次に、Ｇ色素層形
成用のマスク（トライアングル用：図２９）を介して、
プロキシミティー方式の露光機（プロキシミティーギャ
ップ６０μｍ）で３００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室
温有機アルカリ系水溶液の現像液（０．５％ＴＭＡＨ水
溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製Ｆ
ＨＤ−５純水希釈品）を１分間噴霧し、アクリル製の毛
ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未
露光部の色素膜と光硬化性レジストをエッチングした。
最後に２００℃のオーブンに３０分間基板を挿入して、
露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、Ｇ色素
層を得た。次に、この基板上に保護膜として透明な熱硬
化性樹脂剤ＬＣ２００１（三洋化成工業社製）を９００
ｒｐｍでスピンコートし、２２０℃のオーブンに３０分
間入れ完全に熱硬化させた。最後に、スパッタリング装
置（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、
ＩＴＯ薄膜を約１２００Å、保護膜上にスパッタリング
して液晶駆動用の透明導電性薄膜（電極）を形成した。
このとき、基板温度を２００℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を
２０Ω／□に調整した。以上のようにして、図３，４に
示す工程５のカラーフィルタを製造した。

【００６１】［実施例３］実施例２において、Ｒ，Ｂの
色素層を形成した基板上に、製造例１で作製した基板
を、製造例１で調製したＧのミセル分散液に挿入し、透
明導電性薄膜の電極端子部とポテンショスタットの陽極
を接続して、０．８Ｖ，７分間の定電位電解を行った。
Ｒ，Ｂ色素層形成領域に対応する部分以外の透明導電性
薄膜上にＧの色素膜を形成し、純水で洗浄した後にエア
ブローによって水を切り、１００℃オーブンで１０分間
乾燥した。次に、透明光硬化性レジスト（ＪＮＰＣ０
６：日本合成ゴム社製）を１５００ｒｐｍでスピンコー
トし、８０℃のホットプレートで５分間熱処理（プリベ
ーク）した。次に、Ｒ，Ｂの色素層の領域も含むＧ色素
形成用のマスク（図３１：Ｒ，Ｂ，Ｇ色素層の全領域を
露光できるマスクすなわちカラーフィルタの表示部を露
光できるマスク）を介して、プロキシミティー方式の露
光機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で３００ｍ
Ｊ／ｃｍ²、でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶
液の現像液（０．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレ
クトロニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５純水希釈品）
を１分間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを
行い、さらに純水で洗浄して、未露光部の色素膜と光硬
化性レジストをエッチングした。最後に２００℃のオー
ブンに３０分間基板を挿入して、露光部の光硬化性レジ
ストを完全に熱硬化させ、Ｇ色素層を得、カラーフィル
タを作製した。最後に、スパッタリング装置（アルバッ
ク社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を
約１２００Å、保護膜上にスパッタリングして液晶駆動
用の透明導電性薄膜（電極）を形成した。このとき、基
板温度を２００℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に
調整した。以上のようにして、図５，６に示す本発明に
係る工程５のカラーフィルタを製造した。

【００６２】［実施例４］実施例２において、ブラック
マトリックスを形成した基板上に、絶縁膜として透明光
硬化性レジストＣＴ（富士ハントエレクトロニクステク
ノロジー社製）を１５００ｒｐｍでスピンコートし、８
０℃のホットプレートで５分間プリベークした。次い
で、電極取出部分および複数色の色素層の形成領域に対
応する部分以外の部分（カラーフィルタの表示部外）を
露光できるマスク（図３２）を介して、１００ｍＪ／ｃ
ｍ²、でｉ線露光し、室温の有機アルカリ系水溶液の現
像液（０．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロ
ニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５純水希釈品）を１分
間噴霧し、さらに純水で洗浄して、光硬化性レジストを
現像した。最後に２００℃のオーブンに基板を３０分間
挿入して、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化さ
せ、絶縁膜を得た。次に、製造例１で調製した前記Ｒの
ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンション
スタットの陽極を接続して、０．４Ｖ、１０分間の定電
位電解を行い、透明導電性薄膜上にＲの色素膜を形成
し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、１
００℃オーブンで１０分間乾燥した。次に、透明光硬化
性レジストとしてＪＮＰＣ０６（日本合成ゴム社製）を
１５００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のホットプレ
ートで５分プリベークした。次に、Ｒ色素層形成用のマ
スク（トライアングル用：（図２８）を介して、プロキ
シミティー方式の露光機（プロキシミティーギャップ６
０μｍ）で３００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有
機アルカリ系水溶液の現像液（０．５％ＴＭＡＨ水溶
液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨ
Ｄ−５純水希釈品）を１分間噴霧し、アクリル製の毛ブ
ラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未露
光部の色素膜と光硬化性レジストをエッチングした。最
後に２００℃のオーブンに３０分間基板を挿入して、露
光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、Ｒ色素層
を得た。次いで、製造例１で調製した前記Ｂのミセル分
散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンションスタット
の陽極を接続して、０．５Ｖ、３分間の定電位電解を行
い、Ｒ色素層形成領域に対応する部分以外の透明導電性
薄膜上にＢの色素膜を形成し、純水で洗浄したのちエア
ブローにより水を切り、１００℃オーブンで１０分間乾
燥した。次に、透明光硬化性レジストとしてＪＮＰＣ０
６（日本合成ゴム社製）を１０００ｒｐｍでスピンコー
トし、８０℃のホットプレートで５分プリベークした。
次に、Ｂ色素層形成用のマスク（トライアングル用：
（図３０）を介して、プロキシミティー方式の露光機
（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で３００ｍＪ／
ｃｍ²でｉ線露光後、室温有機アルカリ系水溶液の現像
液（０．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＦＨＤ−５純水希釈品）を１分間
噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、さ
らに純水で洗浄して、未露光部の色素膜と光硬化性レジ
ストをエッチングした。最後に２００℃のオーブンに３
０分間基板を挿入して、露光部の光硬化性レジストを完
全に熱硬化させ、Ｂ色素層を得た。次いで、製造例１で
調製したＧの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄
膜とポテンションスタットの陽極を接続して、０．８
Ｖ、５分間の定電位電解を行い、Ｒ，Ｂ色素層形成部分
以外の透明導電性薄膜上にＧの色素層（膜）を形成し、
純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、１００
℃オーブンで１０分間乾燥した。次に、この基板上に保
護膜として透明な熱硬化性樹脂剤ＪＳＳ８１９（日本合
成ゴム社製）を９００ｒｐｍでスピンコートし、２２０
℃のオーブンに６０分間入れ完全に熱硬化させた。最後
に、スパッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰ−５
５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１２００Å、保護
膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性薄膜
を形成した。このとき、基板温度を２００℃、ＩＴＯ膜
の表面抵抗を２０Ω／□に調整した。以上のようにし
て、図７，８に示す工程５のカラーフィルタを製造し
た。

【００６３】［実施例５］実施例１において、ミセル電
解法で各Ｒ，Ｂ，Ｇの色素膜を製膜する毎に、１２０秒
のＵＶ洗浄を行うこと以外は、同一の方法で図１，２に
示す工程４に係るカラーフィルタを製造した。

【００６４】［実施例６］実施例２において、透明光硬
化性レジストをスピンコートするかわりに、製造例１で
調製した光硬化性レジストのミセル分散液中に各Ｒ，
Ｂ，Ｇの色素膜を製膜した基板を挿入し、透明導電性薄
膜とポテンションスタットの陽極を接続して、０．５Ｖ
で１０分間の定電位電解を行って、各Ｒ，Ｂ，Ｇ色素膜
上のそれぞれに光硬化性レジストの膜を積層した。次い
で、純水で洗浄したのち、エアブローで水を切り、１０
０℃オーブンで１０分間乾燥したこと以外は、実施例２
と同一の方法で図３，４に示す工程５に係るカラーフィ
ルタを製造した。

【００６５】［実施例７］実施例２において、透明光硬
化性レジストをスピンコートするかわりに、透明光硬化
性電着ポリマー（特開平４−１０４１０２号）を用い
て、この１０％透明光硬化性電着ポリマー電着液に、各
Ｒ，Ｂ，Ｇの色素膜を製膜した基板を挿入し、透明導電
性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続してＲ，
Ｂ，Ｇ上いずれも１００Ｖで１分間の定電位電着を行っ
て、各Ｒ，Ｂ，Ｇ色素膜上に光硬化性電着ポリマーの膜
を積層した。次いで、純水で洗浄したのち、エアブロー
で水を切り、１００℃オーブンで１０分間乾燥したこと
以外は、実施例２と同一の方法で図３，４に示す工程５
に係るカラーフィルタを製造した。

【００６６】［比較例１］ＩＴＯ薄膜パターニング（色素層形成用電極形成） ＩＴＯ膜として２０Ω/ □の面抵抗を持つＩＴＯ成膜ガ
ラス基板（青板ガラス、研磨、シリカディップ品：ジオ
マティック社製）に紫外線可溶化型のポジレジスト（Ｆ
Ｈ２０３０Ｍ：富士ハントエレクトロニクステクノロジ
ー社製) を１０００ｒｐｍでスピンコートした。このス
ピンコート後、８０℃で１５分間熱処理（プリベーク）
を行った。その後、この基板をプロキシミティー露光機
にセットした。マスクは、ストライプのＩＴＯパターニ
ング用（図３４）を用いた。プロキシミティギャップ７
０μｍをとり、８０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光した後、２
５℃の無機アルカリ系の現像液（ＬＳＩ現像液：富士ハ
ントエレクトロニクステクノロジー社製）にて現像し
た。この現像後、純水にてリンスした後に１８０℃で３
０分間熱処理（ポストベーク）した。次に、エッチャン
トとして、１Ｍ ＦｅＣｌ₃・６Ｎ ＨＣｌ・Ｏ．１Ｎ
ＨＮＯ₃・Ｏ．１ＮＣe （ＮＯ₃）₄の水溶液を準備
し、基板のＩＴＯをエッチングし、エッチングには約１
０分の時間を必要とした。エッチング後、純水でリンス
し、レジストを剥離剤（Ｎ−３０３：長瀬産業社製）に
て剥離した。このようにしてＩＴＯパターニングガラス
基板を得た。

【００６７】ブラックマトリックスおよび電極取り出し
層作製工程 ブラックマトリックス形成レジスト（黒色色素含有レジ
スト）として富士ハントエレクトロニクステクノロジー
社製のカラーモザイクＣＫに同ＣＲ，ＣＧ，ＣＢをそれ
ぞれ、３：１：１：１重量部混合したもの（特開平４−
０１３１０６号）を用いた。先に作製したＩＴＯパター
ニングガラス基板上にスピンコーターによって５００ｒ
ｐｍで先のレジストを塗布し、８０℃オーブンで１５分
間熱処理（プリベーク）した。次に、酸素遮断膜のポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液（ＣＰ：富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製）をレジストと同様
にして塗布した。そして、アライメント機能のあるプロ
キシミティー露光機で位置合わせ機で位置合わせしなが
ら、ブラックマトリックス及び電極取り出し層形成用デ
ザインのマスク（図３５）を用いて８０μｍのプロキシ
ミティ露光（ｉ線）した後、無機アルカリ現像液（０．
１Ｎ炭酸ナトリウム水溶液：富士ハントエレクトロニク
ステクノロジー社製、ＣＤ純水希釈品）で現像した。さ
らに、純水でリンスし、２２０℃のオーブンで３０分間
熱処理（ポストベーク）した。

【００６８】色素層製造工程 銀ペーストで各色ごとに導通を取ったブラックマトリッ
クス付きＩＴＯパターニング基板（図３６）を製造例１
で説明したＲのミセル溶液に挿入し、ストライプのＲ列
に通導した銀ペーストとポテンショスタットの陽極を接
続した。０．８Ｖ，１５分間の定電位電解を行い、Ｒ色
素の薄膜を得た。その後、純水で洗浄後、オーブンにて
プリベーク（１００℃×１５分間）した。次に、この基
板をＧのミセル溶液に挿入し、上記と同様に０．４Ｖ、
１８分間の定電位電解を行い、Ｒ，Ｇの薄膜を得た。製
膜後、Ｒの製膜と同じ条件で後処理を行った。最後に、
この基板をＢのミセル溶液挿入し、ストライプのＢ列に
導通をとった銀ペーストとポテンションスタットの陽極
を接続し、０．７Ｖ，１０分間の定電位電解を行い、
Ｒ，Ｇ，Ｂの薄膜を得た。製膜後、Ｒの製膜と同じ条件
で後処理を行った。

【００６９】保護膜の形成 前記Ｒ，Ｇ，Ｂ色素層（膜）形成基板に保護膜としてＯ
Ｓ−８０８（長瀬産業社製）を８００ｒｐｍでスピンコ
ートし、その後、２４０℃で１時間熱処理（ベーク）し
て硬化させ、保護膜を形成した。

【００７０】基板カット及び面取り 保護膜を積層した基板を図１３のＡ線で±０．３ｍｍ以
下の精度でスクライバーでカットし、切断面を面取り機
で面取り研磨した。

【００７１】液晶駆動用ＩＴＯ膜の形成 最後に、スパッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰ
−５５０ＶＴ）を用い、ＩＴＯ薄膜を約１２００Åで保
護膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性薄
膜（電極）を形成した。このとき、基板温度を２００
℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整した。この
ようにして、図１２，１３に示す工程１に対応するカラ
ーフィルタを完成させた。

【００７２】［比較例２］ブラックマトリックス形成 無アルカリガラス基板（ＮＡ４５：ホヤ（ＨＯＹＡ) 社
製）に、Ｃｒ薄膜を約１３００Åでスパッタした（アル
バック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）。この上に紫外線可
溶化型のポジ型レジスト剤（ＨＰＲ２０４：富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製) を１０００ｒｐｍ
でスピンコートした。次に、１００℃で５分間ホットプ
レートでプリベークを行った。その後、この基板をミラ
ープロジェクション方式の露光機にセットし、ダイアゴ
ーナル用のブラックマトリックスパターンのマスク（図
３３）を介して８０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光し、無機ア
ルカリ水溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液富士
ハントエレクトロニクステクノロジー社製、ＦＨＤ−
５) に浸漬して現像した。次に、純水でシャワーリンス
した後、１５０℃で３０分間熱処理（ポストベーク）し
た。次にエッチャントとして室温の硝酸セリウムアンモ
ニウム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌと純水１リットルの
混合水溶液でＣｒを３分間浸漬エッチングした。このエ
ッチング後、純水でリンスし、有機アルカリ水溶液の剥
離剤（Ｎ−３０３：長瀬産業社製）でレジストを剥離し
た。そして、純水で十分に洗浄し、ブラックマトリック
スを得た。

【００７３】絶縁膜・ＩＴＯ薄膜パターン形成（色素層
形成用電極形成） 次に、このブラックマトリックス上に絶縁膜としてシリ
カ分散液（ＯＣＤＴＹＰＥ−７；東京応化社製) を１０
００ｒｐｍでスピンコートし、２５０℃で６０分間ベー
クした後、さらに、アルバック社製のＳＤＰ−５５０Ｖ
Ｔに基板をセットし、基板の上からＩＴＯを約１３００
Åでスパッタした。このときワークを２００℃としてＩ
ＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整した。次に、この
基板に紫外線可溶化型のポジレジスト（ＦＨ２０３０
Ｍ：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製) を
１０００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃オーブンで１
５分間熱処理（プリベーク）を行った。次に、コンタク
ト露光機にてダイアゴーナルパターンのマスク（図３
７）を介して、アライメント露光（ｉ線の露光エネルギ
ー６０ｍＪ／ｃｍ²）した後、無機アルカリ水溶液の現
像液（ＬＳＩ現像液：富士ハントエレクトロニクステク
ノロジー社製) にてスピン現像した。この現像後、純水
シャワーにてリンスし、さらに、１５０℃で熱処理（ポ
ストベーク）した。次に、エッチャントとして３７℃の
第二塩化鉄水溶液（ボウメ４２）と塩酸の等量混合液で
基板のＩＴＯを３分間エッチングした。エッチング後、
純水でリンスし、レジストを有機アルカリ水溶液の剥離
剤（Ｎ−３０３：長瀬産業社製）で剥離した。さらに、
純水で洗浄してＩＴＯ電極の隣接間の電気的リークがな
いことを確認し、ＩＴＯパターニングブラックマトリッ
クス付き基板を完成させた。

【００７４】電極取出層の形成 アクリル酸系レジスト（ＣＴ：富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製) を電極取り出し層形成用として
用い、前記基板上に８５０ｒｐｍでスピンコートし、１
００℃オーブンで４５分間熱処理（プリベーク）した。
次に、プロキシミティー露光機（プロキシミティーギャ
ップ６０μｍ）で位置合わせしながら、ダイアゴーナル
用の電極取出層の部分のみのマスク（図３８）を介し
て、露光した（ｉ線の露光エネルギー４０ｍＪ／ｃ
ｍ²）。その後、無機アルカリ水溶液（０．１Ｎ炭酸ナ
トリウム水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロ
ジー社製、ＣＤ純水希釈品） の現像液で１分間浸漬し
て現像した。さらに、純水でリンスし、２００℃オーブ
ンで、６０分間熱処理（ポストベーク）して、カラーフ
ィルタ作製用基板を完成させた。

【００７５】色素層製造工程 銀ペーストによる電極取出を図３９のように行ったこと
以外は比較例１と同一の工程で行い、Ｒ，Ｇ，Ｂの色素
層を得た。

【００７６】保護膜の形成 次に、上記の色素層の製膜された基板上に保護膜剤とし
て熱硬化性樹脂（オプトマーＳＳ７２６５：日本合成ゴ
ム社製）を９００ｒｐｍでスピンコートし、さらに、２
２０℃オーブンで、６０分間熱処理（ポストベーク）し
た。基板カット及び面取り 図１５のＡ線でカットした以外は比較例１と同一の工程
で行った。

【００７７】液晶駆動用ＩＴＯ膜の形成 最後に、スパッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰ
−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１２００Å保
護膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性薄
膜（電極）を形成した。このとき、基板温度を２００
℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整した。この
ようにして、図１２，１３に示す工程２に係るカラーフ
ィルタを完成させた。

【００７８】［比較例３］ＩＴＯ薄膜パターニング（色素層形成用電極形成） ＩＴＯ膜／ガラス基板（無アルカリガラス；ＩＴＯ膜２
０Ω/ □）に紫外線可溶化型のポジレジスト（ＨＰＲ２
０４：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製)
を１０００ｒｐｍでスピンコートした。このスピンコー
ト後、８０℃オーブンで１５分間熱処理（プリベーク）
を行った。その後、この基板コンタクト露光機にてダイ
アゴーナルパターンのマスク（図３７）を介して８０ｍ
Ｊ／ｃｍ²でｉ線露光した後、有機アルカリ水溶液の現
像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクト
ロニクステクノロジー社製) にて浸漬して現像した。こ
の現像後に純水にてリンスして１５０℃でポストベーク
した。次に、エッチャントとして３７℃の第二塩化鉄水
溶液（ボウメ４２）と塩酸の等量混合物にて基板のＩＴ
Ｏを３分間エッチングした。次に、純水でリンスし、レ
ジストを有機アルカリ水溶液の剥離剤（Ｎ−３０３：長
瀬産業社製）にて剥離した。さらに、純水で洗浄してＩ
ＴＯ電極の隣接同志の電気的リークがないことを確認し
て、カラーフィルタ作製用基板を完成させた。

【００７９】電極取出層形成 この形成は、比較例２と同一の工程で行い、電極の取出
部を形成した。色素層形成 この形成は、比較例２と同一の工程で行い、Ｒ，Ｇ，Ｂ
の色素層を形成した。保護膜形成 この形成は、比較例２と同一の工程で行った。基板カット及び面取り この基板カット及び面取りは、図１７のＡ線でカットし
た以外は比較例１と同一の工程で行った。液晶駆動用ＩＴＯ膜の形成 最後に、スパッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰ
−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１２００Åで
保護膜上にスパッタリングして液晶駆動用の透明導電性
薄膜（電極）を形成した。このとき、基板温度を２００
℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２０Ω／□に調整した。ブラックマトリックス形成 前記基板にＣｒ薄膜を約１５００Åでスパッタした（ア
ルバック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ型）。次に、紫外線
可溶化型のポジレジスト剤（ＦＨ２１３０：富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製) を１，５００ｒｐ
ｍでスピンコートした。スピンコート後、９０℃オーブ
ンで１５分間熱処理（プリベーク）を行った。その後、
この基板をプロキシミティー方式の露光機（プロキシミ
テーギャップ８０μｍ）にセットし、ブラックマトリッ
クスパターンのマスク（図３３）を介して、下地のＩＴ
Ｏパターンと位置合わせをして６０ｍＪ／ｃｍ² でｉ線
露光した。次に、無機アルカリ水溶液（ＬＳＩ現像液：
富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製) の現像
液で浸漬し、純水にてリンスした後、１５０℃で３０分
間ポストベークした。さらに、エッチャントとして硝酸
セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌと純
水１リットルの混合水溶液にてＣｒを３分間エッチング
した。次に、純水でリンスし、レジストを有機アルカリ
水溶液の剥離剤（Ｎ−３０３：長瀬産業社製）にて剥離
した。さらに、純水で十分に洗浄し、ブラックマトリッ
クスを形成した。このようにして、図１６，１７に示
す、工程３に係るカラーフィルタを完成させた。

【００８０】［比較例４］（分散法カラーフィルタ）ブラックマトリックス形成 トライアングル用ブラックマトリックス形成用マスク
（図２７）を用いたこと以外は比較例２と同一の工程で
行った。色素層形成 ブラックマトリックスを形成した基板上に、赤色（Ｒ）
色素含有（分散）レジストＣＲー２０００（富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製）を５００ｒｐｍで
スピンコートし、８５℃オーブンで１５分間熱処理（プ
リベーク）した。次に、酸素遮断膜（ＣＰ：富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製）をレジストと同様
に積層コートした。この基板を、コンタクト露光機にセ
ットし、ブラックマトリックスと位置合わせ（アライメ
ント）してＲ色素パターンのマスク（トライアングル
用：図２８）を介して３０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光し、
無機アルカリ水溶液の現像液（０．１Ｎ炭酸ナトリウム
水溶液：ＣＤ：富士ハントエレクトロニクステクノロジ
ー社製）でスプレー現像した。さらに、純水シャワーで
リンスし、次に、２００℃オーブンで６０分間熱処理
（ポストベーク）して、Ｒ色素層を形成した。以下、同
様にして青色（Ｂ）色素含有（分散）レジスト（ＣＢ−
２０００：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社
製）、緑色（Ｇ）色素含有（分散）レジスト（ＣＧ−２
０００：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社
製）をコートし、それぞれの色素層形成用のマスク（ト
ライアングル用：図２９，３０）でアライメント露光、
現像、リンス、熱処理（ポストベーク）を繰り返して
Ｒ，Ｇ，Ｂの色素層を形成した。保護膜形成・液晶駆動用ＩＴＯ薄膜（電極）形成 この形成は、比較例２と同一の工程を行い、図１８，１
９に示す工程６に係るカラーフィルタを完成させた。

【００８１】［比較例５］（レジスト電着法カラーフィ
ルタ） Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート、スチレ
ン、エチルアクリレート、ｐ−ヒドロキシ安息香酸とグ
リシジルアクリレートの等モル反応によって得られた化
合物をモル比で３：２：４：１、重量平均分子量７万に
共重合した有機重合体バインダー８００ｇ、２，２−ジ
メトキシ−２−フェニルアセトフェノン５ｇ、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート１４５ｇからなるカチ
オン性感光性樹脂組成物をエチレングリコールモノブチ
ルエーテルで固形分２０％に希釈し、０．５等量の酢酸
で中和し、純水で固形分１０％に調製した。上記のよう
に調製した電着樹脂組成物に各色の顔料を以下のように
混合してカチオン電着液を調製した。すなわち、Ｒ色カ
チオン電着液は、カチオン性感光性電着樹脂組成物：ア
ゾ金属塩赤顔料＝９９５．０：５．０、Ｂ色カチオン電
着液は、カチオン性感光性電着樹脂組成物：銅フタロシ
アニン＝９９５．０：５．０、Ｇ色カチオン電着液は、
カチオン性感光性電着樹脂組成物：ハロゲン化銅フタロ
シアニン＝９９５．０：５．０の比率で混合した。次
に、鏡面研磨した３００ｍｍ角の白板ガラス基板（コー
ニング社製７０５９）上に、スパッタリング装置（アル
バック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、Ｃｒ薄膜
を約１２００Å、スパッタリングを行った。このとき、
基板温度を２５０℃に調整した。次に、蒸着したＣｒ薄
膜上に、光可溶化型レジスト（ＨＰＲ２０４：富士ハン
トエレクトロニクステクノロジー社製）をスピンコータ
ーで７５０ｒｐｍでコートし、８０℃のホットプレート
で５分間プリベークし、ダイアゴーナル色素パターン対
応のブラックマトリックス形成用のマスク（図４０）を
介して、プロキシミティー方式（プロキシミティーギャ
ップ６０μｍ）の露光機で１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露
光した。次に室温の有機アルカリ系水溶液の現像液
（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクロニク
ステクノロジー社製ＦＤＨ−５）で２分間スピン現像し
て、純水シャワー洗浄し、エアブローで乾燥させた。さ
らに１３０℃のオーブンで３０分間熱処理（ポストベー
ク）して、レジストパターンを形成した。次に、硝酸第
二セリウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌと
純水で１リットルのＣｒエッチャントを調製し、レジス
トパターンを形成した基板を室温で２分間浸漬し、純水
シャワーで洗浄してレジストパターンのない部分のＣｒ
薄膜をエッチングした後、室温のレジスト剥離剤（Ｎ３
０３：長瀬産業社製）に３分間浸漬し、純水シャワーに
てリンスして、エアブローにて乾燥し、金属薄膜（Ｃ
ｒ）のブラックマトリックスを形成した。次に、Ｃｒブ
ラックマトリックス形成基板の全面上に、さらに透明導
電性薄膜（ＩＴＯ）をスパッタリング装置（アルバック
社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約
１３００Å蒸着した。このとき、基板温度を２５０℃に
調製した。このようにして作製したクロム薄膜ブラック
マトリックス上透明導電性薄膜（ＩＴＯ）成膜基板上
に、光可溶化型レジストとして、ＨＰＲ２０４（富士ハ
ントエレクトロニクステクノロジー社製）を１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、１１０℃のホットプレートで５
分プリベークした。Ｒ色素層形成用のマスク（ダイアゴ
ーナル用：図４１）を介して、プロキシミティー方式の
露光機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で８０ｍ
Ｊ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液
の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレ
クロニクステクノロジー社製ＦＤＨ−５）で１分間浸漬
現像して、純水洗浄した。次に、上記Ｒ色素層形成用に
光可溶化型レジストをパターン化した基板を、上記で調
製したＲ色カチオン電着液に挿入し、透明導電性薄膜と
ポテンションスタットの負電極と接続して、５０Ｖ、３
０秒間の定電位電着を行い、上記露光部に露出した透明
導電性薄膜上にＲの色素層を形成し、純水で洗浄したの
ちエアナイフにより水を切り、１００℃オーブンで１０
分間乾燥した。次に、Ｇ色素層形成用のマスク（ダイア
ゴーナル用：図４２）を介して、上記基板をプロキシミ
ティー方式の露光機（プロキシミティーギャップ６０μ
ｍ）で８０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アル
カリ系水溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富
士ハントエレクロニクステクノロジー社製ＦＤＨ−５）
で１分間浸漬現像して、純水で洗浄した。次いで、この
基板を上記で調製したＧ色のカチオン電着液に挿入し、
透明導電性薄膜と負電極のポテンションスタットを接続
して、５０Ｖ、４５秒間の定電位電着を行い、上記露光
部に露出した透明導電性薄膜上にＧの色素層を形成し、
純水で洗浄したのちエアナイフにより水を切り、１００
℃オーブンで乾燥した。さらに、Ｒ，Ｇの色素層を形成
した基板をＢ色素層形成用のマスク（ダイアゴーナル
用：図４３）を介して、上記基板をプロキシミティー方
式の露光機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で８
０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アルカリ系水
溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハント
エレクロニクステクノロジー社製ＦＤＨ−５）で１分間
浸漬現像し、純水で洗浄した。次いで、この基板を上記
で調製したＢ色カチオン電着液に挿入し、透明導電性薄
膜と負電極のポテンションスタットを接続して、５０
Ｖ、３０秒間の定電位電着を行い、上記露光部に露出し
た透明導電性薄膜上にＢの色素層を形成し、純水で洗浄
したのちエアブローにより水を切り、１００℃オーブン
で１０分間乾燥した。次に、基板全面を８００ｍＪ／ｃ
ｍ²でｉ線露光後、Ｒ，Ｂ，Ｇの色素層形成した基板を
室温の有機アルカリ系の剥離液（Ｎ−３０３：長瀬産業
社製）に１０分間浸漬後、純水で洗浄して、残存してい
る光可溶化型レジストを完全に除去した。次に、この基
板上に保護膜として透明な熱硬化性樹脂剤（オプトマー
ＳＳ７２６５：日本合成ゴム社製）を７００ｒｐｍでス
ピンコートし、２２０℃のオーブンで６０分間熱処理
（ポストベーク）して、熱硬化した。最後に、スパタリ
ング装置（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用
いて、ＩＴＯ薄膜を約１２００Å、保護膜上にスパッタ
リングして液晶駆動用の透明導電性薄膜（電極）を形成
した。このとき、基板温度を２００℃、ＩＴＯ膜の表面
抵抗を２０Ω／□に調整した。以上のようにして、図２
０，２１に示す工程７に係るカラーフィルタを製造し
た。

【００８２】［比較例６］鏡面研磨した３００ｍｍ角の
の白板ガラス基板（コーニング社製７０５９）上に、ス
パッタリング装置（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０Ｖ
Ｔ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１３００Å、スパッタリ
ングを行った。このとき、基板温度を２５０℃に調整し
た。次にこの基板に、光可溶化型レジスト（ＨＰＲ２０
４：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製）を
７５０ｒｐｍでスピンコートし、１１０℃のホットプレ
ートで５分間プリベークした。Ｇ色素層形成用のマスク
（ダイアゴーナル用：図４２）を介して、プロキシミテ
ィー方式（プロキシミティーギャップ６０μｍ）の露光
機で８０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アルカ
リ系水溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士
ハントエレクロニクステクノロジー社製ＦＤＨ−５）で
１分間スピン現像し、純水で洗浄した。次いでこの基板
を製造例１で調製したＧの前記ミセル分散液に挿入し、
透明導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続し
て、０．４Ｖ、１８分間の定電位電解を行い、上記露光
部に露出した透明導電性薄膜上にＧの色素層（膜）を形
成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、
１００℃オーブンで１０分間乾燥した。次に、Ｂ色素層
形成用のマスク（ダイアゴーナル用：図４３）を介し
て、上記基板をプロキシミティー方式の露光機（プロキ
シミティーギャップ６０μｍ）で８０ｍＪ／ｃｍ²でｉ
線露光後、室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（２．
３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクロニクステク
ノロジー社製ＦＤＨ−５）で２分間スピン現像し、純水
で洗浄した。次いでこの基板を製造例１で調製した前記
Ｂのミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンシ
ョンスタットの陽極を接続して、０．７Ｖ、１０分間の
定電位電解を行い、上記露光部に露出した透明導電性薄
膜上にＢの色素層（膜）を形成し、純水で洗浄したのち
エアブローにより水を切り、１００℃オーブンで１０分
間乾燥した。さらに、Ｒ色素層形成用のマスク（ダイア
ゴーナル用：図４１）を介して、上記基板をプロキシミ
ティー方式の露光機（プロキシミティーギャップ６０μ
ｍ）で８０ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温の有機アル
カリ系水溶液の現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液：富
士ハントエレクロニクステクノロジー社製ＦＤＨ−５）
で３分間スピン現像し、純水洗浄した。次いでこの基板
を製造例１で調製したＲの前記ミセル分散液に挿入し、
透明導電性薄膜とポテンションスタットの陽極を接続し
て、０．８Ｖ、１５分間の定電位電解を行い、上記露光
部に露出した透明導電性薄膜上にＲの色素層（膜）を形
成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、
１００℃オーブンで１０分間乾燥した。次に、Ｇ，Ｂ，
Ｒの色素層形成した基板を室温の有機アルカリ系の剥離
液（Ｎ−３０３：長瀬産業社製）に５分間浸漬後、純水
で洗浄して、残存している光可溶化型レジストを完全に
除去した。次に、この基板上に保護膜として透明な熱硬
化性樹脂剤ＬＣ２００１（三洋化成工業社製）を９００
ｒｐｍでスピンコートし、２２０℃のオーブンに６０分
入れ完全に熱硬化させた。最後に、スパタリング装置
（アルバック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、Ｉ
ＴＯ薄膜を約１２００Å、保護膜上にスパッタリングし
て液晶駆動用の透明導電性薄膜（電極）を形成した。こ
のとき、基板温度を２００℃、ＩＴＯ膜の表面抵抗を２
０Ω／□に調整した。以上のようにして、図２２，２３
に示す工程８に係るカラーフィルタを製造した。

【００８３】［参考例］（特願平４−２６５４２２号記
載の方法） 鏡面研磨した３００ｍｍ角のの白板ガラス基板（コーニ
ング社製７０５９）上に、スパッタリング装置（アルバ
ック社製：ＳＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、Ｃｒ薄膜を
約１２００Å、スパッタリングを行った。このとき、基
板温度を２５０℃に調整した。次に、蒸着したＣｒ薄膜
上に、光可溶化型レジスト（ＨＰＲ２０４：富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製）をスピンコーター
で７５０ｒｐｍでコートし、８０℃のホットプレートで
５分間プリベークし、トライアングル色素パターン対応
のブラックマトリックス形成用のマスク（図２７）を介
して、プロキシミティー方式（プロキシミティーギャッ
プ６０μｍ）の露光機で１００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光
した。次に室温の有機アルカリ系水溶液の現像液（２．
３８％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクロニクステク
ノロジー社製ＦＤＨ−５）で２分間スピン現像して、純
水シャワー洗浄し、エアブローで乾燥させた。さらに１
３０℃のオーブンで３０分間熱処理（ポストベーク）し
て、レジストパターンを形成した。次に、硝酸第二セリ
ウムアンモニウム１６５ｇと過塩素酸４２ｍｌと純水で
１リットルのＣｒエッチャントを調製し、レジストパタ
ーンを形成した基板を室温で２分間浸漬し、純水シャワ
ーで洗浄してレジストパターンのない部分のＣｒ薄膜を
エッチングした後、室温のレジスト剥離剤（Ｎ３０３：
長瀬産業社製）に３分間浸漬し、純水シャワーにてリン
スして、エアブローにて乾燥し、金属薄膜（Ｃｒ）のブ
ラックマトリックスを形成した。次に、Ｃｒブラックマ
トリックス形成基板の全面上に、さらに透明導電性薄膜
（ＩＴＯ）をスパッタリング装置（アルバック社製：Ｓ
ＤＰ−５５０ＶＴ）を用いて、ＩＴＯ薄膜を約１３００
Å蒸着した。このとき、基板温度を２５０℃に調製し
た。このようにして作製した基板を、製造例１で調製し
たＲの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポ
テンションスタットの陽極を接続して、０．４Ｖ、１８
分間の定電位電解を行い、透明導電性薄膜上にＲの色素
膜を形成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を
切り、１００℃オーブンで１０分間乾燥した。次に、透
明光硬化性レジストとして、ＪＮＰＣ０６（日本合成ゴ
ム社製）を１５００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃の
ホットプレートで５分プリベークした。次に、Ｒ色素層
形成用のマスク（トライアングル用：図２８）を介し
て、プロキシミティー方式の露光機（プロキシミティー
ギャップ６０μｍ）で３００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光
後、室温有機アルカリ系水溶液の現像液（０．５％ＴＭ
ＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー
社製ＦＨＤ−５純水希釈品）を１分間噴霧し、アクリル
製の毛ブラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄し
て、未露光部の色素膜と光硬化性レジストをエッチング
した。最後に２００℃のオーブンに基板を３０分間挿入
して、露光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、
Ｒ色素層を得た。次いで、製造例１で調製した前記Ｂの
ミセル分散液に挿入し、透明導電性薄膜とポテンション
スタットの陽極を接続して、０．５Ｖ、５分間の定電位
電解を行い、Ｒ色素層形成領域に対応する部分以外の透
明導電性薄膜上にＢの色素膜を形成し、純水で洗浄した
のちエアブローにより水を切り、１００℃オーブンで１
０分間乾燥した。次に透明光硬化性レジストとして、Ｊ
ＮＰＣ０６（日本合成ゴム社製）を１０００ｒｐｍでス
ピンコートし、８０℃のホットプレートで５分プリベー
クした。次に、Ｂ色素層形成用のマスク（トライアング
ル用：図３０）を介して、プロキシミティー方式の露光
機（プロキシミティーギャップ６０μｍ）で３００ｍＪ
／ｃｍ²でｉ線露光後、室温有機アルカリ系水溶液の現
像液（０．５％ＴＭＡＨ水溶液：富士ハントエレクトロ
ニクステクノロジー社製ＦＨＤ−５純水希釈品）を１分
間噴霧し、アクリル製の毛ブラシにてスクラブを行い、
さらに純水で洗浄して、未露光部の色素膜と光硬化性レ
ジストをエッチングした。最後に２００℃のオーブンに
基板を３０分間挿入して、露光部の光硬化性レジストを
完全に熱硬化させ、Ｂ色素層を得た。次いで、製造例１
で調製したＧの前記ミセル分散液に挿入し、透明導電性
薄膜とポテンションスタットの陽極を接続して、０．８
Ｖ、７分間の定電位電解を行い、ＲＢ色素層形成領域に
対応する部分以外の透明導電性薄膜上にＧの色素膜を形
成し、純水で洗浄したのちエアブローにより水を切り、
１００℃オーブンで１０分間乾燥した。次に、透明光硬
化性レジストとして、ＪＮＰＣ０６（日本合成ゴム社
製）を１５００ｒｐｍでスピンコートし、８０℃のホッ
トプレートで５分プリベークした。次に、Ｇ色素層形成
用のマスク（トライアングル用：図２９）を介して、プ
ロキシミティー方式の露光機（プロキシミティーギャッ
プ６０μｍ）で３００ｍＪ／ｃｍ²でｉ線露光後、室温
有機アルカリ系水溶液の現像液（０．５％ＴＭＡＨ水溶
液：富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製ＦＨ
Ｄ−５純水希釈品）を１分間噴霧し、アクリル製の毛ブ
ラシにてスクラブを行い、さらに純水で洗浄して、未露
光部の色素膜と光硬化性レジストをエッチングした。最
後に２００℃のオーブンに基板を３０分間挿入して、露
光部の光硬化性レジストを完全に熱硬化させ、Ｇ色素層
を得、図９，１０に示すカラーフィルタを製造した。

【００８４】次に、評価結果について説明する。上述の
カラーフィルタの製造工程（比較例６は除く）における
生産歩留り、色むら、精細度、耐熱性、耐光性の評価結
果を一覧にして表１及び表２（表１は実施例及び表２は
比較例）に示す。この（表１及び表２）中のカラーフィ
ルタ評価の各項目について説明する。

【００８５】生産歩留りは、絶縁性基板（ガラス基板）
を２０枚投入した場合のカラーフィルタの良品数の割合
（％）とする。この良品の条件として、外観検査により
白欠陥及び黒欠陥の大きさが３０μｍ径以上のものが存
在しないこととする。また、カラーフィルタ面の突起を
表面粗さ計で測定し、突起の高さが４ミクロン以上が存
在しないものを良品とする。

【００８６】この場合、ミセル電解法によるカラーフィ
ルタでは、ＩＴＯパターンの断線による色素層の欠陥は
白欠陥、ＩＴＯパターンのリークによる色素層の重複は
黒欠陥に相当する。色むらは、その基準としては、ΔＥ
（ＪＩＳ Ｚ８７２４，Ｚ８７２３）に準ずる。基板上
９点の画素の色度をＲ，Ｇ，Ｂ別に測定し、その色差の
最も大きいものをΔＥとして評価する。

【００８７】精細度は、設計マスクパターン（５０μｍ
□）に対する色素層の寸法精度（μｍ）とする。

【００８８】耐熱性は、２６０℃×１時間（酸素雰囲
気）の熱処理による色純度（Ｇ色素パターンについて）
の変化％（熱処理前の色純度と熱処理後の色純度の差の
割合）とする。

【００８９】耐光性は、１００万ルクスのメタルハライ
ドランプの１０００時間照射による色純度（Ｇ色素パタ
ーンについて）の変化％（照射前の色純度と照射後の色
純度の差の割合）とする。なお、色純度は、各色ごとに
色度座標を取り、Ｃ光源とその色度座標を直線で結び、
外挿された直線と外周部の交点を色純度１００％とした
場合に、その色度座標のＣ光源からの距離の割合であ
る。

【００９０】 ［表１］ ───────────────────────────────── 色素層ハ゜ターン 生産歩留 色むら 精細度 耐熱性 耐光性 ───────────────────────────────── 実施例１ タ゛イアコ゛ーナル ８５ ＜２ ±１．０ ０ ０ 工程４ ───────────────────────────────── 実施例２ トライアンク゛ル ８０ ＜２ ±１．０ ０ ０ 工程５ ───────────────────────────────── 実施例３ トライアンク゛ル ８０ ＜２ ±１．０ ０ ０ 工程５ ───────────────────────────────── 実施例４ トライアンク゛ル ８５ ＜２ ±１．０ ０ ０ 工程５ ───────────────────────────────── 実施例５ タ゛イアコ゛ーナル ９０ ＜２ ±１．０ ０ ０ 工程４ ───────────────────────────────── 実施例６ トライアンク゛ル ９０ ＜２ ±１．０ ０ ０ 工程５ ───────────────────────────────── 実施例７ トライアンク゛ル ９０ ＜２ ±１．０ ０ ０ 工程５ ─────────────────────────────────

【００９１】 ［表２］ ───────────────────────────────── 色素層ハ゜ターン 生産歩留 色むら 精細度 耐熱性 耐光性 ───────────────────────────────── 比較例１ ストライフ゜ ６０ ＜５ ±２．０ ０ ０ 工程１ ───────────────────────────────── 比較例２ タ゛イアコ゛ーナル ２５ ＜１０ ±２．０ ０ ０ 工程２ ───────────────────────────────── 比較例３ タ゛イアコ゛ーナル ２０ ＜１０ ±２．０ ０ ０ 工程３ ───────────────────────────────── 比較例４ トライアンク゛ル ７０ ＜５ ±３．０ ０ ７５ 工程６ ───────────────────────────────── 比較例５ タ゛イアコ゛ーナル ７０ ＜４ ±２．０ １０ ８５ 工程７ ─────────────────────────────────

【００９２】表１及び表２から本発明のカラーフィルタ
の製造方法によって、種々の色素パターン配置に対して
も、歩留り良く生産することができ、色むらが低減でき
ることがわかる。また、精細度も良好であることを確認
することができた。さらに、耐熱性のみならず、耐光性
についてもミセル電解法製膜によって得られた色素層が
優れていることを確認することができた。

【００９３】また、表３に示すＲ，Ｇ，Ｂの色素層間段
差（色素層の膜厚最大値と最小値の差）の比較から、保
護膜を積層することにより色素層間の平坦性が向上する
ことを確認することができた。

【００９４】 ［表３］ ───────────────────── 保護膜 色素層間段差（μｍ） ───────────────────── 実施例２ あり ＜０．１ 参考例１ なし ＜０．３ ─────────────────────

【００９５】さらに、図４４で示す実施例１と比較例６
で製造したカラーフィルタの分光特性の比較から明らか
なように、比較例６ではカラーフィルタの分光特性の低
下が見られる。ミセル電解法で形成した色素層（色素
膜）は電気的に絶縁されていないため、比較例６のよう
に絶縁化せずに複数色の色素層（色素膜）を形成する
と、先に形成した色素層（色素膜）が後で形成する色素
層（色素膜）で汚染される。従って、少なくとも先に形
成する色素層（色素膜）については電気的に絶縁化され
ていなければならない。このため、実施例１のようにミ
セル電解法で製膜した色素層（色素膜）上に光硬化性レ
ジストを積層して絶縁化し（色素層を形成し）、先に形
成した色素層上に後の色素層（色素膜）が積層されて汚
染されないような工夫が必要であることがわかった。ま
た、表４に示すように、生産歩留りについて実施例１と
参考例１との比較を行った。実施例１では、ブラックマ
トリックスの形成にフォトリソグラフィー工程１回、ミ
セル電解法で製膜した色素膜上に光硬化性レジストの塗
布後、所望の色に対応したマスクを介して露光後、露光
されていない部分の光硬化性レジストおよび色素膜をエ
ッチングして色素層（パターン）を形成する工程を２色
分行えばよく、３色目は、ミセル電解法で３色目の色素
を製膜し、必要に応じて保護膜および／または透明導電
性薄膜を積層すればよい。従って、フォトリソグラフィ
ー工程は２回となり、併せて３回でよい。

【００９６】一方、参考例１では、ブラックマトリック
スの形成にフォトリソグラフィー工程１回、ミセル電解
法で製膜した色素膜上に光硬化性レジストの塗布後、所
望の色に対応したマスクを介して露光後、露光されてい
ない部分の光硬化性レジストおよび色素膜をエッチング
して色素層（パターン）を形成する工程を３色分行わな
ければならないので、フォトリソグラフィー工程３回、
併せて４回必要である。表４の結果より、フォトリソグ
ラフィー工程の少ない実施例１のほうが、歩留りよくカ
ラーフィルタを製造できることがわかった。

【００９７】

【００９８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のカラーフ
ィルタの製造方法によって、まず、透明導電性薄膜を微
細加工によりパターン化する必要がなく、ショート、断
線による歩留の低下を避けることができる。また、カラ
ーフィルタん色素層（色素層のパターン）において、ダ
イアゴーナル、トライアングルパターン配列が難しいと
されていた従来技術に対し、本発明では、容易に適用が
可能となった。さらに、色素層のある一色について透明
導電性薄膜の微細パターンを連続してつなぐ必要がない
ので、電圧降下によるカラーフィルタの色班を低減する
ことができる。また、本発明では、ミセル電解法で製膜
した色素膜上に塗布した透明な光硬化性レジストを所望
の色に対応したマスクを介して露光後、露光されていな
い部分の光硬化性レジストおよび色素膜をエッチングし
て色素膜（パターン）を形成する工程のため、分散法カ
ラーフィルタのような色素（顔料）含有（分散）光硬化
性レジストの色素の光吸収によるレジストの露光感度お
よび解像度の低下がない。その結果、本発明によって得
られたカラーフィルタを用いて、さらに高精細なカラー
液晶ディスプレイへの応用が期待できる。

【００９９】このような効果に加えて、元来ミセル電解
法カラーフィルタの色素層は、顔料（色素）の含有割合
が大きいため、高い耐光性および耐熱性の長所をいかす
ことができる。また、この製造方法によれば、電極取出
層の形成を行う必要がなく、カラーフィルタ製造の工程
を簡略化することができる。また、カラーフィルタの製
造工程において、先のレジスト電着法では、一度形成し
た色素層が電着ポリマーと共存するため電気的に絶縁化
され、光可溶化型レジストを一回塗布すればそのまま三
原色の色素層の形成が可能であるが、ミセル電解法で形
成した色素層（色素膜）は電気的に絶縁されていないた
め、三原色の色素層の形成には、少なくとも２色の色素
層については電気的に絶縁化されていなければならな
い。従って、ミセル電解法で製膜した色素膜上に光硬化
性レジストを積層して絶縁化し、先に形成した色素層上
に後の色素層（色素膜）が形成されないような工夫が必
要である。この工夫により、ミセル電解法においても、
先に形成した色素層を後で形成する色素層（色素膜）に
より汚染することなく所望の分光を有するカラーフィル
タを製造することが可能となった。

【０１００】また、これまでの発明では（特願平４−２
６５４２２号等）、絶縁性基板上に金属または金属酸化
物ブラックマトリックスを形成した後に、ミセル電解法
で色素膜を製膜するために透明導電性薄膜を蒸着または
スパッタリングにより積層するのが通例であったが、こ
の場合にブラックマトリックスの凹凸により、透明導電
性薄膜の電気的抵抗値にばらつきが発生したり、時には
クラックを発生することがあった。本発明では、透明導
電性薄膜を先に積層してから金属または金属酸化物のブ
ラックマトリックスを形成することにより、先のような
問題がなくなって、安定して高い歩留りでカラーフィル
タを製造することが可能となった。特に、ブラックマト
リックスを形成する際に、金属または金属酸化物薄膜上
に光硬化性レジストをブラックマトリックスの形状でパ
ターニングして、次いで下地の露出した金属または金属
酸化物薄膜をエッチングする。このようにして作製した
基板を用いて、本発明により複数色の色素層を形成した
場合、光硬化性レジストがブラックマトリックスの形状
で各色素層が配置される枠組みを形成したまま残存して
いるため、例えば赤、青、緑の三原色について順次色素
層の形成を行う場合、任意の一つの色素について、三色
目の色素層上の光硬化性レジストの塗布、露光、色素層
のエッチング等のフォトリソグラフィー工程を行う必要
がなくなる。これによって、製造工程の短縮化を図るこ
とができ、かつ、エッチングされにくい色素を三色目に
回せば生産性を向上させることができ、その結果カラー
フィルタの生産歩留りを向上させ、製造コストの低廉化
が望める。

【０１０１】また、本発明においては、このようなカラ
ーフィルタの製造方法に加え、ミセル電解法で製膜した
色素膜上に紫外線（ＵＶ）洗浄を行う。これによって、
色素膜中に混入している油脂等の異物を紫外光と空気中
の酸素との反応による微量のオゾンによって分解し、か
つ、光硬化性レジストおよび保護層の濡れ性を向上さ
せ、光硬化性レジストおよび保護膜の塗膜のピンホール
を減少させ、カラーフィルタの製造歩留りを一層向上さ
せることが可能となった。また、色素膜上の光硬化性レ
ジストおよび／または保護膜を積層する方法、すなわ
ち、ミセル電解法、または、電着法による製膜方法が、
ミセル分散液および電着液のようなウェットの状態の中
で行われるが、スピンコーターやロールコーターのよう
なドライプロセスに、一般的に問題となるコーター周辺
の雰囲気およびコーター装置の摺動部などからの異物の
混入を低減させ、上記と同様にカラーフィルタの製造歩
留りを一層向上させることが可能となった。

【０１０２】また、このようなカラーフィルタの製造方
法で得られるカラーフィルタの複数色の色素層の形成す
る領域に対応する部分を除いた部分に絶縁膜を複数色の
色素層の形成工程の前または、各色素層の形成工程の間
に形成することにより、ミセル電解法での色素の製膜範
囲が狭くなり、かつ、色素膜のエッチング範囲が少なく
てよいため、ミセル分散液中の色素を節約できる上、製
膜時間およびエッチング時間を短縮でき、カラーフィル
タ製造工程の能率を上げることができる。さらに、エッ
チングされる色素量も少ないため、カラーフィルタ上へ
エッチングされた色素が異物として混入することも減
り、歩留りを上げることができる。さらに、ミセル電解
法で製膜した色素膜上に、保護膜および／または液晶駆
動用透明導電性薄膜（電極）を積層するため、色素層の
基板への接着性をより向上させることができる。またさ
らに、色素層間の膜厚段差を低減する（平坦性を高め
る）ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】〜

【図８】本発明の、カラーフィルタの製造工程を模式的
に示す断面図とカラーフィルタ完成時の模式的平面図で
ある。

【図９】〜

【図１０】参考例として挙げられる、カラーフィルタの
製造工程を模式的に示す断面図と、カラーフィルタ完成
時の模式的平面図である。

【図１１】一般的なカラー液晶ディスプレイを模式的に
示す断面図である。

【図１２】〜

【図２３】従来の、カラーフィルタの製造工程を模式的
に示す断面図と、カラーフィルタ完成時の模式的平面図
である。

【図２４】〜

【図３５】，

【図３７】〜

【図３８】，

【図４０】〜

【図４３】カラーフィルタの製造に使用されるマスクを
模式的に示す平面図である。

【図３６】，

【図３９】色素層製造時の銀ペーストによる各色ごとの
導通を模式的に示す平面図である。

【図４４】本発明で得られるカラーフィルタ（実施例
１）と、従来の方法で得られるカラーフィルタ（比較例
６）の分光特性比較を示す説明図である。

【符号の説明】

１０１…絶縁性基板 １０２…透明導電性薄膜 １１０…ブラックマトリックス １１５…絶縁膜 １２１…ミセル電解法Ｒ色素層 １２２…ミセル電解法Ｇ色素層 １２３…ミセル電解法Ｂ色素層 １３０…透明光硬化性レジスト １３１…ＢＬ色素含有レジスト １３２…Ｒ色素含有レジスト １３３…Ｇ色素含有レジスト １３４…Ｂ色素含有レジスト １４０…光可溶化型レジスト １５０…保護膜 １６０…液晶駆動用透明電極 １７０…表示部 １８０…電極取出部 １８１…マスクなし（露光部） １８２…マスクあり（非露光部）

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上に複数色の色素層を分離し
   て形成、配置し、所定の色素パターンを形成するととも
   に、ブラックマトリックスを形成するカラーフィルタの
   製造方法において、 ａ）絶縁性基板上の少なくとも複数色の色素層の形成さ
   れる領域に対応する部分を含む全面に、透明導電性薄膜
   を成膜する工程、 ｂ）透明導電性薄膜上の少なくとも複数色の色素層およ
   びブラックマトリックスの形成される領域を含む全面
   に、金属または金属酸化物薄膜を成膜する工程、 ｃ）金属または金属酸化物薄膜上に光硬化性レジストを
   積層し、フォトリソグラフィー法によってブラックマト
   リックスの形状に光硬化性レジストのパターンを形成
   し、次いで、下地の露出した部分の金属または金属酸化
   物薄膜をエッチングによって除去してブラックマトリッ
   クスを形成する工程、 ｄ）露出した透明導電性薄膜上に複数色から選択した一
   つの色の色素膜をミセル電解法によって製膜する工程、 ｅ）一つの色の色素膜の上に光硬化性レジストを積層
   し、一つの色の色素層に対応したマスクを用いて露光
   し、かつ露光部の熱処理の前及び／又は後に未露光部分
   の光硬化性レジスト及び色素膜をエッチングによって除
   去して、一つの色の色素層を形成、配置する工程、 ｆ）前記工程ｄ）及びｅ）と同様の工程をさらに一回以
   上繰り返して、複数色の残りの色の色素層を、透明導電
   性薄膜の全面又は一部にそれぞれ分離して形成、配置
   し、複数色の色素パターンを形成する工程、 を含むことを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
2. 【請求項２】 前記ブラックマトリックスを形成する工
   程ｃ）が、金属または金属酸化物薄膜上に光可溶化型レ
   ジストを積層し、フォトリソグラフィー法によってブラ
   ックマトリックスの形状に光可溶化型レジストのパター
   ンを形成し、次いで、下地の露出した部分の金属または
   金属酸化物薄膜をエッチングによって除去した後に、さ
   らに光可溶化型レジストを除去してブラックマトリック
   スを形成することを特徴とする請求項１記載のカラーフ
   ィルタの製造方法。
3. 【請求項３】 前記複数色の色素パターンを形成する工
   程ｆ）の後に、さらに保護膜および／または液晶駆動用
   電極を積層、形成することを特徴とする請求項１又は２
   記載のカラーフィルタの製造方法。
4. 【請求項４】 前記複数色の各色素層を形成、配置し、
   複数色の色素パターンを形成する工程ｄ），ｅ）及び
   ｆ）の前、又は間に、前記透明導電性薄膜上の複数色の
   色素層の形成される領域以外の部分に絶縁膜を積層、形
   成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記
   載のカラーフィルタの製造方法。
5. 【請求項５】 前記複数色の色素層が赤，青，緑の三原
   色に対応するものであることを特徴とする請求項１〜４
   のいずれか１項記載のカラーフィルタの製造方法。
6. 【請求項６】 前記複数色の各色素膜をミセル電解法に
   よって製膜する工程ｄ）および／またはｆ）の後に、色
   素膜を紫外線洗浄することを特徴とする請求項１〜５の
   いずれか１項記載のカラーフィルタの製造方法。
7. 【請求項７】 前記光硬化性レジストの積層、形成が、
   ミセル電解法、または電着法によるものであることを特
   徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載のカラーフィ
   ルタの製造方法。
8. 【請求項８】 前記保護膜の積層、形成が、ミセル電解
   法、または電着法によるものであることを特徴とする請
   求項３〜７のいずれか１項記載のカラーフィルタの製造
   方法。