JPH07129929A

JPH07129929A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH07129929A
Application number: JP27276393A
Authority: JP
Inventors: Motoyoshi Tsujino; 扶美辻野
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-10-29
Filing date: 1993-10-29
Publication date: 1995-05-19

Abstract

(57)【要約】【目的】再生ギャップ長の薄型化及び狭トラック化に
より、摺動方向やトラック方向の不必要な磁界を取り込
み難くし、再生時のＳＮ比を大幅に向上させると共に媒
体の高回転化・信号の短ビット化・高トラック密度化に
対応可能ならしめる。【構成】ＭＲ素子４をＡＢＳ面１に対してその長手方
向が垂直となるように配したＭＲヘッドにおいて、媒体
上を通過する方向Ｘと同方向のＭＲ素子４と上下に配さ
れる薄膜磁気コア７，８との間隔Ｌ₁，Ｌ₂がいずれも
０．３μｍ以下であり、且つ媒体上を通過する方向と垂
直な方向のＭＲ素子４の幅を４μｍ以下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に書き込まれた記録情報を読み出すのに好適な磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年のハードディスクの小型化，大容量
化の要求に伴い、高線記録密度化（高ＴＰＩ化）が容易
な磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す
る。）が注目されている。しかし、ＭＲヘッドは再生専
用のヘッドであるため、ハードディスク用の磁気ヘッド
としては記録ヘッドである巻線型の薄膜磁気ヘッド（以
下、インダクティブヘッドと称する。）が必要になる。

【０００３】これらＭＲヘッドとインダクティブヘッド
は、通常、スライダと称される基板上に積層形成され、
複合一体化される。すなわち、図１２に示す如きＡｌ₂
Ｏ₃−Ｔｉ−Ｃ系の焼結体からなる基板１０１に、図１
３に示すようにスパッタリング、メッキ、フォトリソグ
ラフィ等の薄膜プロセスを用いてヘッド材料を積層し、
ヘッド素子（ＭＲヘッドとインダクティブヘッドの複合
ヘッド）１０２を複数作製する。そして、図１４に示す
ように、各ヘッドチップ毎に切り出し、外形寸法を決定
するための加工を施してスライダ１０３を作製する。し
かる後、図１５に示すように、ヘッド端子電極にリード
線１０４をはんだ付けしてサスペンション機構１０５に
スライダ１０３を取り付けて完成する。

【０００４】上記ＭＲヘッドとインダクティブヘッドか
らなる複合型磁気ヘッドは、図１６ないし図１８に示す
ように、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称す
る。）１０６を一対の薄膜磁気コア１０７，１０８によ
って挟み込んだ，いわゆるシールド型のＭＲヘッドの上
に、一方の薄膜磁気コア１０８と、この薄膜磁気コア１
０８上にヘッド巻線１０９を介して積層される薄膜磁気
コア１１０とによって閉磁路を構成するインダクティブ
ヘッドが、同一のスライダ１０３上に積層された構成と
なっている。

【０００５】すなわち、この複合型磁気ヘッドでは、Ｍ
Ｒ素子１０６を挟み込む一対の薄膜磁気コア１０７，１
０８が、再生時に媒体からの磁界を選択的にＭＲ素子１
０６に引き込むための磁気シールドコアとして機能し、
その一方の薄膜磁気コア１０８とヘッド巻線１０９を挟
み込む薄膜磁気コア１１０が、記録時の誘導磁気コアと
しての機能を持った、つまり記録ギャップｇ₁と再生ギ
ャップｇ₂を別個に持った２ギャップタイプのヘッド構
成となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭＲヘッド
の再生ギャップ長は、ＭＲ素子１０６とその上下に設け
られる各薄膜磁気コア１０７，１０８との間の線記録方
向における対向距離で表される。かかるヘッドの場合に
は、下層の薄膜磁気コア１０７とＭＲ素子１０６間の距
離が下層の再生ギャップ長、上層の薄膜磁気コア１０８
とＭＲ素子１０６間の距離が上層の再生ギャップ長とな
る。

【０００７】再生ギャップ長が長いと、図１９（ａ）に
示すように、媒体１１１からの磁束を多く引き込めるた
め、信号検出の際の出力が大きくとれるという利点があ
る。しかし、この反面、不必要な磁束までも拾い易くな
るために、ＳＮ比が低下する。また、高密度化・高転送
レート化のため媒体１１１とヘッドとの相対速度を高め
ると、回転方向の不必要な磁界をＭＲ素子１０６が取り
入れ易くなり、やはりＳＮ比の低下を招くことになる。

【０００８】これに対し、再生ギャップ長が短い場合
は、図１９（ｂ）に示すように、ギャップ近傍部の磁束
のみを引き込むことから、高密度に記録された情報を読
み取れることができ、しかも媒体１１１とヘッドの相対
速度を高めても不必要な磁界を取り込むことがなく、Ｓ
Ｎ比の低下は生じない。

【０００９】ところが、再生ギャップ長を短くし過ぎる
と、ＭＲ素子１０６と薄膜磁気コア１０７，１０８との
距離が近くなり過ぎてショート（短絡）する虞れがあ
る。このため、これまでは磁気的・電気的絶縁性の信頼
性を確保すべく、再生ギャップ長を０．３μｍよりも長
くせざるをえなかった。つまり、ＭＲ素子１０６と薄膜
磁気コア１０７，１０８間に設けられる絶縁膜（ギャッ
プ膜）を単に薄膜磁気コア１０７上に成膜しただけで
は、その後のエッチング工程等で絶縁膜が叩かれるため
信頼性を損なってしまい、膜厚の薄型化に限界がある。

【００１０】一方、ＭＲヘッドの再生トラック幅は、図
１７に示すように、媒体上を通過する方向と垂直な方向
のＭＲ素子１０６の幅Ｗで決まる。このＭＲ素子１０６
の幅Ｗが広いと、高記録密度化された媒体に対しては、
再生時に該当トラック以外の隣接トラック情報をもノイ
ズとして再生してしまい、再生出力のＳＮ比の低下を招
いてしまう。

【００１１】これに対して、ＭＲ素子１０６の幅Ｗを狭
くすると、上記問題は解消するが、磁気異方性が不安定
となり、磁壁の移動に伴うバルクハウゼンノイズが発生
し、再生出力が不安定になる。ＭＲ素子１０６の磁気異
方性を安定なものとなすためには、Ｎｉ−Ｆｅを蒸着し
て成膜する際に、トラック幅方向に外部磁場を印加すれ
ばよいが、その効果が得られるのはＭＲ素子１０６の幅
Ｗが５μｍ以上としなければならない。つまり、再生ト
ラックの狭小化に支障を来すことになる。

【００１２】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、再生ギャッ
プ長の薄型化及び狭トラック化により、摺動方向やトラ
ック方向の不必要な磁界を取り込み難くし、再生時のＳ
Ｎ比を大幅に向上させることができ、且つ媒体の高回転
化・信号の短ビット化・高トラック密度化に対応できる
磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、磁気記録媒体との対接面に一端縁が臨
むと共に、この対接面に対してその長手方向が垂直とな
るように配される磁気抵抗効果素子と、上記磁気記録媒
体との対接面に臨み、磁気抵抗効果素子の先端側に積層
される先端電極と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積
層される後端電極と、上記磁気抵抗効果素子上に絶縁層
を介してこの磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加す
るバイアス導体と、上記先端電極と後端電極が積層され
た磁気抵抗効果素子及びバイアス導体を挟み込む一対の
薄膜磁気コアとを備えてなり、媒体上を通過する方向と
同方向の磁気抵抗効果素子と上下に配される薄膜磁気コ
アとの間隔がいずれも０．３μｍ以下であり、且つ媒体
上を通過する方向と垂直な方向の磁気抵抗効果素子の幅
が４μｍ以下であることを特徴とする。

【００１４】これまでの技術では、再生ギャップ長を
０．３μｍ以下とすることができなかったが、プロセス
技術の向上により０．３μｍ以下が可能となった。例え
ば、再生ギャップのデプス部分を除く薄膜磁気コア上に
電気的・磁気的絶縁性を確保する絶縁膜を形成し、その
上にギャップ膜を成膜する。または、再生ギャップのデ
プス部分を除く薄膜磁気コアに溝を設け、この溝内に電
気的・磁気的絶縁性を確保する絶縁膜を形成し、その上
にギャップ膜を成膜する。このようにすることで、デプ
ス部分までは再生ギャップ長が０．３μｍ以下となり、
それ以外の部分では絶縁層によりＭＲ素子と薄膜磁気コ
アとの絶縁性が確保できる。

【００１５】一方、ＭＲ素子の幅を４μｍ以下とした場
合でも磁気異方性を安定なものとなすには、ＭＲ素子の
エッジをシャープにする、或いはＭＲ素子を蒸着によっ
て成膜する際に印加磁場を強くする等の方法がある。

【００１６】

【作用】本発明においては、ＭＲ素子とその上下に配さ
れる薄膜磁気コアとの間隔，すなわち再生ギャップ長を
０．３μｍ以下とし、且つトラック幅となるＭＲ素子の
幅を４μｍ以下としているので、摺動方向やトラック方
向の不必要な磁界が取り込み難くなり、また、再生時の
ＳＮ比が向上する。したがって、媒体の高回転化・信号
の短ビット化・高トラック密度化に対応可能となる。

【００１７】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例は、
ＭＲヘッドとインダクティブヘッドを同一のスライダー
上に積層形成し、再生ギャップと記録ギャップを別個に
持つ２ギャップ型の複合型磁気ヘッドの例である。

【００１８】複合型磁気ヘッドは、図１ないし図３に示
すように、ハードディスクとの対接面となるＡＢＳ面
（エア・ベアリング・サーフエス面）１に再生用磁気ギ
ャップｇ₁を臨ませるＭＲヘッドと、このＡＢＳ面１に
記録用磁気ギャップｇ₂を臨ませるインダクティブヘッ
ドをＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ基板等からなるスライダ２の一
側面上に積層形成した，いわゆる３ポールタイプのヘッ
ド構成とされている。

【００１９】ＭＲヘッドは、図３に示すように、先端部
と後端部にそれぞれ図示しない定電流源からのセンス電
流を通ずるための一対の電極３ａ，３ｂ（以下、ＡＢＳ
面１側に設けられる電極３ａを先端電極３ａ、後端側に
設けられる電極３ｂを後端電極３ｂと称する。）が積層
されたＭＲ素子４と、このＭＲ素子４に所要の向きの磁
界状態を与えるバイアス導体５とからなる。

【００２０】ＭＲ素子４は、その長手方向が上記ＡＢＳ
面１に対して垂直となるように設けられると共に、その
一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むようになされている。ま
た、このＭＲ素子４は、例えばＳｉＯ₂等よりなる非磁
性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜を
積層した積層膜構成とされ、バルクハウゼンノイズの発
生が回避されるようになっている。なお、ＭＲ薄膜は、
例えばパーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚
が数百オングストローム程度とされる。

【００２１】先端電極３ａは、その一側縁がＡＢＳ面１
に臨むようにしてＭＲ素子４の先端部に積層されてい
る。かかる先端電極３ａは、後述の後端電極３ｂとの間
に電流を流してＭＲ素子４にセンス電流を通電する電極
としての機能を有する他、再生用磁気ギャップｇ₁の上
層ギャップ膜としても機能するようになっている。

【００２２】一方、後端電極３ｂは、ＭＲ素子４の後端
部に直接積層してバック側に延在して設けられ、当該Ｍ
Ｒ素子４と電気的に接続するようになされている。

【００２３】上記バイアス導体５は、ＭＲ素子４上に設
けられた絶縁層６上に、このＭＲ素子４に対して略直交
する方向（図１の紙面に対して垂直な方向）、つまりＭ
Ｒ素子４を横切る形で設けられている。そして、このバ
イアス導体５の両端部には、直流電源からのバイアス電
流が通電されるようになされている。したがって、この
両端子部より供給される直流電流はトラック幅方向に流
れ、その結果発生するバイアス磁界がＭＲ素子４の長手
方向に印加されることになる。

【００２４】そして、かかるＭＲヘッドにおいては、上
記ＭＲ素子４を絶縁層６を介してパーマロイ（Ｎｉ−Ｆ
ｅ）等の磁性体からなる第１の薄膜磁気コア７と第２の
薄膜磁気コア８とで挟み込んだ，いわゆるシールド型構
成とされている。

【００２５】ＭＲ素子４の下側に設けられる第１の薄膜
磁気コア７は、上記スライダ２上に上記ＡＢＳ面１にそ
の一端を臨ませるようにしてこのＡＢＳ面１に対して垂
直にバック側へ延在するようにして設けられている。そ
して、この第１の薄膜磁気コア７とＭＲ素子４との間に
は、再生用磁気ギャップｇ₁の下層ギャップ膜として機
能する絶縁膜１４が設けられている。

【００２６】一方、これに対向して設けられる他方の第
２の薄膜磁気コア８は、先の第１の薄膜磁気コア７と同
様に上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにして、
その先端部に再生用磁気ギャップｇ₁を構成すると共
に、このＡＢＳ面１に対して垂直にバック側へ延在して
設けられている。

【００２７】一方、インダクティブヘッドは、上記ＭＲ
素子４のシールドコアとして機能する第２の薄膜磁気コ
ア８を一方の薄膜磁気コアとし、この第２の薄膜磁気コ
ア８に対向して積層される第３の薄膜磁気コア９とによ
って上記ＡＢＳ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁
気ギャップｇ₂を構成するようになっている。

【００２８】すなわち、第２の薄膜磁気コア８に対向し
て積層される第３の薄膜磁気コア９は、上記ＡＢＳ面１
に臨む前方端部でこの第２の薄膜磁気コア８側に屈曲さ
れ、その間隙が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャ
ップｇ₂を構成するようになっている。なお、この第３
の薄膜磁気コア９は、後方端部で上記第２の薄膜磁気コ
ア８と磁気的に接触するようになっている。

【００２９】そして、上記第３の薄膜磁気コア９と第２
の薄膜磁気コア８の接続部である磁気的結合部１０に
は、この磁気的結合部１０を取り囲むようにしてスパイ
ラル状のヘッド巻線１１が設けられている。ヘッド巻線
１１は、第３の薄膜磁気コア９と第２の薄膜磁気コア８
間の絶縁性を確保するために、絶縁層１２によって埋め
込まれている。

【００３０】なお、第３の薄膜磁気コア９の上には、上
記スライダ２上に積層されるＭＲヘッドとインダクティ
ブヘッドを保護するための保護層１３が形成されてい
る。

【００３１】そして特に本実施例では、図３中矢印Ｘで
示す媒体上を通過する方向と同方向のＭＲ素子４と、そ
の上下に配される各薄膜磁気コア７，８との距離Ｌ₁，
Ｌ₂（以下、再生ギャップ長Ｌ₁，Ｌ₂と称する。）が
いずれも０．３μｍ以下とされている。すなわち、ＭＲ
素子４と第１の薄膜磁気コア７との対向距離Ｌ₁（絶縁
膜１４の膜厚に相当する。）が０．３μｍ、ＭＲ素子４
と第２の薄膜磁気コア８との対向距離Ｌ₂（先端電極３
ａの厚みに相当する。）が０．３μｍ以下となってい
る。

【００３２】再生ギャップ長Ｌ₁，Ｌ₂を０．３μｍ以
下とするのは、次のことに基づく。例えば、記録密度２
００Ｍｂ／ｉｎｃｈ²以上を達成するために、トラック
密度を４０００ＴＰＩとすれば、線記録密度は（２００
Ｍｂ／ｉｎｃｈ²÷４０００ＴＰＩ）５０ＫＦＣＩ以上
必要となる。そこで、Ｄ₇₀（記録周波数を上げていった
ときに、出力が７０％に落ちた時点での１インチ当たり
の磁化反転数）が５０ＫＦＣＩ以上になるのは、ギャッ
プ長が０．３μｍ以下となる。実用上、ハードディスク
ドライブ装置で使える線記録密度は、ヘッドの出力が約
７０％〜１００％と考えると、２００Ｍｂ／ｉｎｃｈ²
以上を４０００ＴＰＩで達成するために、ギャップ長が
０．３μｍ以下でなければならない。

【００３３】また、この磁気ヘッドでは、図２に示すよ
うに媒体上を通過する方向Ｘと垂直な方向ＹのＭＲ素子
４の幅Ｗが４μｍ以下とされている。つまり、再生用磁
気ギャップｇ₁，ｇ₂のトラック幅が４μｍ以下となっ
ている。例えば、トラック密度を４０００ＴＰＩ以上と
する場合には、実効トラック幅は４μｍ以下にしなけれ
ばならない。ここで、実効トラック幅には、ＭＲ素子４
の幅Ｗにフリンジング分を考慮しなければならない。つ
まり、実効トラック幅≧ＭＲ素子の幅となる。したがっ
て、トラック密度を４０００ＴＰＩ以上を得るために
は、４≧実効トラック幅となるので、結果的に４≦ＭＲ
素子の幅となる。

【００３４】以上のように、再生ギャップ長Ｌ₁，Ｌ₂
を０．３μｍ以下、ＭＲ素子４の幅Ｗ（トラック幅）を
４μｍ以下のように狭ギャップ化及び狭トラック化する
ことにより、再生時のＳＮ比が向上し、媒体の高回転化
・信号の短ビット化，高トラック密度化に対応でき、ハ
ードディスクドライブ装置の高記録密度化及び高転送レ
ート化を図ることができる。

【００３５】次に、上述の複合型磁気ヘッドの製造方法
について、その工程順に従って説明する。先ず、図４
（ａ），（ｂ）に示すように、Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ基板
等からなるスライダ１５上にスパッタリング等によっ
て、例えばＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系の磁性材からなる１層目
のシールド磁性体である第１の薄膜磁気コア１６を形成
する。第１の薄膜磁気コア１６は、再生用磁気ギャップ
が形成されるフロント部分が幅狭でバック側に亘ってそ
のコア幅が広くなるようなパターンとして形成される。

【００３６】次に、図５（ａ），（ｂ）に示すように、
第１の薄膜磁気コア１６上に、例えばＡｌ₂Ｏ₃等の絶
縁材料をスパッタリング等によって所定の膜厚（０．３
μｍ以下）よりも厚め、例えば０．４μｍ程度に成膜し
て下層ギャップ膜１７を形成する。なお、図５（ａ）で
は、下層ギャップ膜１７の図示を省略する。しかる後、
下層ギャップ膜１７を滑らかにし且つ下層ギャップ厚と
してのＡｌ ₂Ｏ₃厚を制御するために鏡面研磨用の布等
で研磨を施し、当該下層ギャップ膜１７の膜厚を０．３
μｍ以下の例えば０．２μｍにする。

【００３７】次に、図６（ａ），（ｂ）に示すように、
下層ギャップ膜１７上に順次Ｎｉ−Ｆｅを４０ｎｍ、Ａ
ｌ₂Ｏ₃を１０ｎｍ、Ｎｉ−Ｆｅを４０ｎｍ成膜する。
次いで、ＭＲ保護層として例えばＡｌ₂Ｏ₃を２０ｎｍ
蒸着やスパッタリング等によって成膜した後、フォトレ
ジストによるパターンニング・イオンエッチングにより
素子幅Ｗを４μｍ以下としたＭＲ素子１８を形成する。

【００３８】続いて、図７（ａ），（ｂ）に示すよう
に、ＭＲ素子１８と後述の工程で作成するバイアス導体
とを絶縁するための例えば５００ｎｍ厚のＳｉＯ₂等よ
りなる絶縁層１９をスパッタリング等によって成膜す
る。しかる後、ＭＲ素子１８の摺動面でない側の電極作
成のために、絶縁層１９の一部を除去して電極接続孔２
０を形成する。

【００３９】次に、ＭＲ素子１８上に絶縁層１９を介し
てバイアス導体２１を形成すると共に、上記電極接続孔
２０を介してＭＲ素子１８の後端に電気的に接続するよ
うに後端電極２２を形成する。バイアス導体２１は、Ｍ
Ｒ素子１８の長手方向に対して略直交する方向にＡＢＳ
面に沿って形成する。一方、後端電極２２は、ＭＲ素子
１８の延在方向に沿って形成する。なお、これらバイア
ス導体２１と後端電極２２は、いずれもＣｕ等をスパッ
タリング等した後、エッチングする等して所定パターン
とする。

【００４０】次に、図８（ａ），（ｂ）に示すように、
バイアス導体２１及び後端電極２２と後述の工程で作成
される第２の薄膜磁気コアとの絶縁をとるために、例え
ば５００ｎｍ厚程度にＳｉＯ₂等よりなる絶縁層２３を
スパッタリング等によって成膜する。続いて、図９
（ａ），（ｂ）に示すように、ＭＲ素子１８のＡＢＳ面
側の先端電極を形成するために、絶縁層１９，２３を除
去して電極接続孔２４を形成し、当該ＭＲ素子１８の先
端部を露出させる。

【００４１】次に、図１０に示すように、上記電極接続
孔２４が形成される部分に非磁性且つ導電性を有するＴ
ｉ等をスパッタリング等によってその膜厚が０．３μｍ
以下となるように成膜する。そして、フォトレジストに
よるパターニング・リアクティブイオンエッチング等に
よって、下層ギャップ膜としても機能する先端電極２５
を形成する。

【００４２】次に、図１１（ａ），（ｂ）に示すよう
に、Ｎｉ−Ｆｅをメッキ等によって形成することによっ
て、第２の薄膜磁気コア２６を形成する。そして、この
第２の薄膜磁気コア２６を接地するために、当該第２の
薄膜磁気コア２６のバック側に接地電極（ＧＮＤ電極）
２７を形成する。

【００４３】以上の工程でＭＲヘッドが完成する。その
後、かかるＭＲヘッド上にインダクティブヘッドを形成
する。なお、インダクティブヘッドの製造方法を説明す
るに当たっては、図示は省略して説明する。インダクテ
ィブヘッドを形成するには、先ず、第２の薄膜磁気コア
２６上にヘッド巻線をスパイラル状に絶縁層（いずれも
図示を省略する。）によって埋め尽くす形で形成する。

【００４４】そして、上記ヘッド巻線を覆うようにして
第３の薄膜磁気コア（図示は省略する。）を積層するこ
とによって、ＡＢＳ面側に記録用磁気ギャップを形成し
たインダクティブヘッドを完成させる。しかる後、ＭＲ
ヘッドとインダクティブヘッドを保護すべく、第３の薄
膜磁気コア上に保護層を形成する。

【００４５】そして最後に、記録用磁気ギャップと再生
用磁気ギャップがそれぞれ所定のデプスとなるようにＡ
ＢＳ面となる主面を研磨して複合型磁気ヘッドを完成す
る。

【００４６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドによれば、ＭＲ素子とそ
の上下に配される薄膜磁気コアとの間隔，すなわち再生
ギャップ長を０．３μｍ以下とし、且つＭＲ素子の幅を
４μｍ以下としているので、摺動方向やトラック方向の
不必要な磁界の取り込みを減少させることができ、その
結果再生時のＳＮ比を大幅に向上させることができる。
したがって、媒体の高回転化・信号の短ビット化・高ト
ラック密度化に対応でき、ハードディスクドライブ装置
の高密度化及び高転送レート化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】複合型磁気ヘッドの拡大縦断面図である。

【図２】複合型磁気ヘッドの要部拡大横断面図である。

【図３】複合型磁気ヘッドの要部拡大縦断面図である。

【図４】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、（ａ）は第１の薄膜磁気コア形成工程を示す要部拡
大平面図、（ｂ）はその要部拡大縦断面図である。

【図５】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、（ａ）は下層ギャップ膜形成工程を示す要部拡大平
面図、（ｂ）はその要部拡大縦断面図である。

【図６】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、（ａ）はＭＲ素子形成工程を示す要部拡大平面図、
（ｂ）はその要部拡大縦断面図である。

【図７】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、（ａ）はバイアス導体及び後端電極形成工程を示す
要部拡大平面図、（ｂ）はその要部拡大縦断面図であ
る。

【図８】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、（ａ）は絶縁層形成工程を示す要部拡大平面図、
（ｂ）はその要部拡大縦断面図である。

【図９】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、（ａ）は電極接続孔形成工程を示す要部拡大平面
図、（ｂ）はその要部拡大縦断面図である。

【図１０】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、（ａ）は先端電極形成工程を示す要部拡大平面図、
（ｂ）はその要部拡大縦断面図である。

【図１１】複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、（ａ）は第２の薄膜磁気コア形成工程を示す要部拡
大平面図、（ｂ）はその要部拡大縦断面図である。

【図１２】従来のＭＲヘッドとインダクティブヘッドを
複合化した複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、基板作成工程を示す斜視図である。

【図１３】従来のＭＲヘッドとインダクティブヘッドを
複合化した複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、ヘッド素子形成工程を示す斜視図である。

【図１４】従来のＭＲヘッドとインダクティブヘッドを
複合化した複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、ヘッドチップ切り出し工程を示す斜視図である。

【図１５】従来のＭＲヘッドとインダクティブヘッドを
複合化した複合型磁気ヘッドの製造工程を順次示すもの
で、サスペンション取り付け工程を示す斜視図である。

【図１６】従来の複合型磁気ヘッドの拡大縦断面図であ
る。

【図１７】従来の複合型磁気ヘッドの要部拡大横断面図
である。

【図１８】従来の複合型磁気ヘッドの要部拡大平面図で
ある。

【図１９】（ａ）は再生用磁気ギャップの長いＭＲヘッ
ドが媒体から磁界を受ける様子を示す模式図であり、
（ｂ）は再生用磁気ギャップの短いＭＲヘッドが媒体か
ら磁界を受ける様子を示す模式図である。

【符号の説明】

１・・・ＡＢＳ面２・・・スライダ３ａ・・・先端電極３ｂ・・・後端電極４・・・ＭＲ素子５・・・バイアス導体７・・・第１の薄膜磁気コア８・・・第２の薄膜磁気コア９・・・第３の薄膜磁気コア１０・・・磁気的結合部１１・・・ヘッド巻線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体との対接面に一端縁が臨む
と共に、この対接面に対してその長手方向が垂直となる
ように配される磁気抵抗効果素子と、上記磁気記録媒体との対接面に臨み、磁気抵抗効果素子
の先端側に積層される先端電極と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、上記磁気抵抗効果素子上に絶縁層を介してこの磁気抵抗
効果素子にバイアス磁界を印加するバイアス導体と、上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
及びバイアス導体を挟み込む一対の薄膜磁気コアとを備
えてなり、媒体上を通過する方向と同方向の磁気抵抗効果素子と上
下に配される薄膜磁気コアとの間隔がいずれも０．３μ
ｍ以下であり、且つ媒体上を通過する方向と垂直な方向
の磁気抵抗効果素子の幅が４μｍ以下であることを特徴
とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。