JPH103617A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH103617A JPH103617A JP8152539A JP15253996A JPH103617A JP H103617 A JPH103617 A JP H103617A JP 8152539 A JP8152539 A JP 8152539A JP 15253996 A JP15253996 A JP 15253996A JP H103617 A JPH103617 A JP H103617A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シールドギャップ間隔を小さくすることが可
能で、しかも、少ない工数で製造が可能な磁気抵抗効果
型磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁層を介して一対の軟磁性体に狭持さ
れた磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子に接続
された導体とを備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、上記導体を上記絶縁層に形成された溝部に埋め込む
ように形成する。この磁気抵抗効果素子では、磁気抵抗
効果素子に接続された導体が、絶縁層に形成された溝部
に埋め込まれているので、シールドギャップ間隔を小さ
くすることができる。
能で、しかも、少ない工数で製造が可能な磁気抵抗効果
型磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁層を介して一対の軟磁性体に狭持さ
れた磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子に接続
された導体とを備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、上記導体を上記絶縁層に形成された溝部に埋め込む
ように形成する。この磁気抵抗効果素子では、磁気抵抗
効果素子に接続された導体が、絶縁層に形成された溝部
に埋め込まれているので、シールドギャップ間隔を小さ
くすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばデジタルテ
ープレコーダーやデータストレージ等の高密度デジタル
記録再生装置に搭載され、磁気抵抗効果を利用して記録
信号を再生する磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
ープレコーダーやデータストレージ等の高密度デジタル
記録再生装置に搭載され、磁気抵抗効果を利用して記録
信号を再生する磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録は益々高密度化が進んで
おり、これに対応するために、従来から広く使用されて
いるバルク型磁気ヘッドに比べて、狭トラック化、低イ
ンダクタンス化、転送速度の高速化等の面において有利
な薄膜磁気ヘッドの需要が伸びてきている。
おり、これに対応するために、従来から広く使用されて
いるバルク型磁気ヘッドに比べて、狭トラック化、低イ
ンダクタンス化、転送速度の高速化等の面において有利
な薄膜磁気ヘッドの需要が伸びてきている。
【０００３】薄膜磁気ヘッドは、半導体集積回路と同様
に、蒸着やスパッタ等の成膜技術、及び写真製版やエッ
チング等のフォトリソグラフィー技術を用いて製造され
るため、ウエハ上に高精度に一括生産することができ、
量産性に優れているという特徴がある。そのため、薄膜
磁気ヘッドは、今後のハードディスクドライブ等の磁気
記録装置に使用される磁気ヘッドとして、主流になると
予測されている。
に、蒸着やスパッタ等の成膜技術、及び写真製版やエッ
チング等のフォトリソグラフィー技術を用いて製造され
るため、ウエハ上に高精度に一括生産することができ、
量産性に優れているという特徴がある。そのため、薄膜
磁気ヘッドは、今後のハードディスクドライブ等の磁気
記録装置に使用される磁気ヘッドとして、主流になると
予測されている。
【０００４】このような中、薄膜磁気ヘッドに対して
も、更なる高記録密度化に対応するために高性能化の要
求があり、これに対応するために、インダクティブ型薄
膜磁気ヘッドと磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと称する。）とを組み合わせ、インダクティブ型
薄膜磁気ヘッドを用いて情報信号の記録を行い、ＭＲヘ
ッドを用いて情報信号の再生を行うタイプの磁気ヘッド
が開発されている。更には、インダクティブ型薄膜磁気
ヘッドとＭＲヘッドとを同一基板上に一括形成した複合
型薄膜磁気ヘッドの実用化も進められている。
も、更なる高記録密度化に対応するために高性能化の要
求があり、これに対応するために、インダクティブ型薄
膜磁気ヘッドと磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと称する。）とを組み合わせ、インダクティブ型
薄膜磁気ヘッドを用いて情報信号の記録を行い、ＭＲヘ
ッドを用いて情報信号の再生を行うタイプの磁気ヘッド
が開発されている。更には、インダクティブ型薄膜磁気
ヘッドとＭＲヘッドとを同一基板上に一括形成した複合
型薄膜磁気ヘッドの実用化も進められている。
【０００５】上記ＭＲヘッドは、磁気抵抗効果素子（以
下、ＭＲ素子と称する。）の磁気抵抗効果を利用して記
録信号を再生する磁気ヘッドであり、一般的な磁気誘導
型の磁気ヘッド、すなわち磁気コアに巻線を施したタイ
プの磁気ヘッドと異なり、再生出力が記録媒体との相対
速度に依存しない。したがって、ＭＲヘッドは、低相対
速度のシステムにおいても十分な出力を得ることが可能
であり、今後の高密度記録再生を実現するために、必須
のデバイスになると考えられている。
下、ＭＲ素子と称する。）の磁気抵抗効果を利用して記
録信号を再生する磁気ヘッドであり、一般的な磁気誘導
型の磁気ヘッド、すなわち磁気コアに巻線を施したタイ
プの磁気ヘッドと異なり、再生出力が記録媒体との相対
速度に依存しない。したがって、ＭＲヘッドは、低相対
速度のシステムにおいても十分な出力を得ることが可能
であり、今後の高密度記録再生を実現するために、必須
のデバイスになると考えられている。
【０００６】このようなＭＲヘッドには、大きく分類し
て、ＭＲ素子の両側を非磁性材にて挟み込んだノンシー
ルド型ＭＲヘッドと、ノンシールド型ＭＲヘッドの再生
周波数特性を改善するために、ＭＲ素子の両側を軟磁性
材でシールドしたシールド型ＭＲヘッドと、耐摩耗性等
の諸特性の安定化の為に記録媒体からの磁束をＭＲ素子
へ導き、このＭＲ素子を非露出型としたヨーク型ＭＲヘ
ッドとがある。そして、これらのＭＲヘッドの中では、
シールド型ＭＲヘッドが最も実用化がなされている。こ
れは、シールド型ＭＲヘッドは、ノンシールド型ＭＲヘ
ッドに比べて、周波数特性が良好であり、高い分解能が
得られ、また、ヨーク型ＭＲヘッドに比べて、製造が容
易であり、しかも、高い再生出力が得られるからであ
る。
て、ＭＲ素子の両側を非磁性材にて挟み込んだノンシー
ルド型ＭＲヘッドと、ノンシールド型ＭＲヘッドの再生
周波数特性を改善するために、ＭＲ素子の両側を軟磁性
材でシールドしたシールド型ＭＲヘッドと、耐摩耗性等
の諸特性の安定化の為に記録媒体からの磁束をＭＲ素子
へ導き、このＭＲ素子を非露出型としたヨーク型ＭＲヘ
ッドとがある。そして、これらのＭＲヘッドの中では、
シールド型ＭＲヘッドが最も実用化がなされている。こ
れは、シールド型ＭＲヘッドは、ノンシールド型ＭＲヘ
ッドに比べて、周波数特性が良好であり、高い分解能が
得られ、また、ヨーク型ＭＲヘッドに比べて、製造が容
易であり、しかも、高い再生出力が得られるからであ
る。
【０００７】そして、シールド型ＭＲヘッドには、セン
ス電流がトラック幅方向に流れる横型タイプと、センス
電流がトラック幅方向に対して垂直方向に流れる縦型タ
イプとがあり、現在では横型タイプが主流となってい
る。
ス電流がトラック幅方向に流れる横型タイプと、センス
電流がトラック幅方向に対して垂直方向に流れる縦型タ
イプとがあり、現在では横型タイプが主流となってい
る。
【０００８】従来の横型タイプのシールド型ＭＲヘッド
は、図２４〜図２７に示すような構造を有している。こ
こで、図２４は、横型タイプのシールド型ＭＲヘッドの
配線パターンを示す平面図であり、図２５は、図２４中
の線分Ｉ−Ｉ’での断面図であり、図２６は、図２４中
の線分Ｊ−Ｊ’での断面図であり、図２７は、当該ＭＲ
ヘッドの概略斜視図である。
は、図２４〜図２７に示すような構造を有している。こ
こで、図２４は、横型タイプのシールド型ＭＲヘッドの
配線パターンを示す平面図であり、図２５は、図２４中
の線分Ｉ−Ｉ’での断面図であり、図２６は、図２４中
の線分Ｊ−Ｊ’での断面図であり、図２７は、当該ＭＲ
ヘッドの概略斜視図である。
【０００９】これらの図に示すように、横型タイプのシ
ールド型ＭＲヘッドは、第１の軟磁性基板１０１と、第
１の軟磁性基板１０１上に形成された絶縁層１０２と、
絶縁層１０２上に形成されたＭＲ素子１０３及びバイア
ス用導体１０４からなるＭＲ素子部１０５と、ＭＲ素子
部１０５の長手方向両端部から導出された一対の導体１
０６，１０７と、ＭＲ素子部１０５及び導体１０６，１
０７上に形成された絶縁層１０８と、絶縁層１０８上に
接着剤１０９によって接合された第２の軟磁性基板１１
０とから構成される。
ールド型ＭＲヘッドは、第１の軟磁性基板１０１と、第
１の軟磁性基板１０１上に形成された絶縁層１０２と、
絶縁層１０２上に形成されたＭＲ素子１０３及びバイア
ス用導体１０４からなるＭＲ素子部１０５と、ＭＲ素子
部１０５の長手方向両端部から導出された一対の導体１
０６，１０７と、ＭＲ素子部１０５及び導体１０６，１
０７上に形成された絶縁層１０８と、絶縁層１０８上に
接着剤１０９によって接合された第２の軟磁性基板１１
０とから構成される。
【００１０】ここで、バイアス用導体１０４は、ＭＲ素
子１０３にバイアス磁界を印加するためのものであり、
ＭＲ素子１０３上に形成されている。そして、ＭＲ素子
１０３とバイアス用導体１０４とが積層されてなるＭＲ
素子部１０５は、その長手方向が記録媒体対向面Ｍと平
行になるように配され、その端部の一方が記録媒体対向
面Ｍに露出するように研磨加工されている。
子１０３にバイアス磁界を印加するためのものであり、
ＭＲ素子１０３上に形成されている。そして、ＭＲ素子
１０３とバイアス用導体１０４とが積層されてなるＭＲ
素子部１０５は、その長手方向が記録媒体対向面Ｍと平
行になるように配され、その端部の一方が記録媒体対向
面Ｍに露出するように研磨加工されている。
【００１１】そして、このＭＲヘッドを用いて記録媒体
から情報信号を再生する際には、導体１０６，１０７を
介してＭＲ素子部１０５にセンス電流が供給される。こ
れにより、記録媒体対向面Ｍに沿ってＭＲ素子部１０５
の長手方向にセンス電流が流れる。
から情報信号を再生する際には、導体１０６，１０７を
介してＭＲ素子部１０５にセンス電流が供給される。こ
れにより、記録媒体対向面Ｍに沿ってＭＲ素子部１０５
の長手方向にセンス電流が流れる。
【００１２】このようなＭＲヘッドにおいて、導体１０
６，１０７は、これらの導体１０６，１０７を介してＭ
Ｒ素子部１０５にセンス電流が供給されるので、電気抵
抗が小さいことが好ましい。また、導体１０６，１０７
のうち、ＭＲ素子部１０５と接続している部分は、記録
媒体対向面Ｍに露出して外気に触れるため、耐環境性が
求められる。
６，１０７は、これらの導体１０６，１０７を介してＭ
Ｒ素子部１０５にセンス電流が供給されるので、電気抵
抗が小さいことが好ましい。また、導体１０６，１０７
のうち、ＭＲ素子部１０５と接続している部分は、記録
媒体対向面Ｍに露出して外気に触れるため、耐環境性が
求められる。
【００１３】そこで、通常、導体１０６，１０７は、記
録媒体対向面Ｍに露出して外気に触れる部分と、記録媒
体対向面Ｍに露出せず外気に触れない部分とに分けら
れ、これらがそれぞれ異なる材料によって形成される。
録媒体対向面Ｍに露出して外気に触れる部分と、記録媒
体対向面Ｍに露出せず外気に触れない部分とに分けら
れ、これらがそれぞれ異なる材料によって形成される。
【００１４】すなわち、導体１０６，１０７は、ＭＲ素
子部１０５の長手方向両端部から導出された第１の導体
１０６ａ，１０７ａと、第１の導体１０６ａ，１０７ａ
の後端部から導出された第２の導体１０６ｂ，１０７ｂ
とから構成される。
子部１０５の長手方向両端部から導出された第１の導体
１０６ａ，１０７ａと、第１の導体１０６ａ，１０７ａ
の後端部から導出された第２の導体１０６ｂ，１０７ｂ
とから構成される。
【００１５】そして、第１の導体１０６ａ，１０７ａ
は、記録媒体対向面Ｍに露出して外気に触れるため、電
気的特性よりも耐環境性が優先され、より耐環境性の高
い高融点金属が使用される。一方、第２の導体１０６
ｂ，１０７ｂは、記録媒体対向面Ｍに露出せず外気に触
れることがないため、耐環境性よりも電気的特性が優先
され、より比抵抗の小さい導電材料が使用される。
は、記録媒体対向面Ｍに露出して外気に触れるため、電
気的特性よりも耐環境性が優先され、より耐環境性の高
い高融点金属が使用される。一方、第２の導体１０６
ｂ，１０７ｂは、記録媒体対向面Ｍに露出せず外気に触
れることがないため、耐環境性よりも電気的特性が優先
され、より比抵抗の小さい導電材料が使用される。
【００１６】以上のような横型タイプのシールド型ＭＲ
ヘッドを製造する際は、先ず、第１の軟磁性基板１０１
上に絶縁層１０２をスパッタ等により形成し、次に、絶
縁層１０２上に、ＭＲ素子１０３と、バイアス磁界をＭ
Ｒ素子１０３に印加するためのバイアス用導体１０４と
を成膜し、これらをフォトリソグラフィー技術によって
所定の形状に加工してＭＲ素子部１０５を形成する。
ヘッドを製造する際は、先ず、第１の軟磁性基板１０１
上に絶縁層１０２をスパッタ等により形成し、次に、絶
縁層１０２上に、ＭＲ素子１０３と、バイアス磁界をＭ
Ｒ素子１０３に印加するためのバイアス用導体１０４と
を成膜し、これらをフォトリソグラフィー技術によって
所定の形状に加工してＭＲ素子部１０５を形成する。
【００１７】次に、ＭＲ素子部１０５の両端部から絶縁
層１０２上にわたって、すなわち、ＭＲ素子部１０５の
長手方向両端部からそれぞれ導出されるように、第１の
導体１０６ａ，１０７ａを形成し、次に、第１の導体１
０６ａ，１０７ａの後端部上に第２の導体１０６ｂ，１
０７ｂを積層する。
層１０２上にわたって、すなわち、ＭＲ素子部１０５の
長手方向両端部からそれぞれ導出されるように、第１の
導体１０６ａ，１０７ａを形成し、次に、第１の導体１
０６ａ，１０７ａの後端部上に第２の導体１０６ｂ，１
０７ｂを積層する。
【００１８】ここで、第１の導体１０６ａ，１０７ａ及
び第２の導体１０６ｂ，１０７ｂは、ＭＲ素子部１０５
にセンス電流を供給するためのものであり、上述したよ
うに、第１の導体１０６ａ，１０７ａには耐環境性に優
れた材料が使用され、第２の導体１０６ｂ，１０７ｂに
は比抵抗の小さい材料が使用される。
び第２の導体１０６ｂ，１０７ｂは、ＭＲ素子部１０５
にセンス電流を供給するためのものであり、上述したよ
うに、第１の導体１０６ａ，１０７ａには耐環境性に優
れた材料が使用され、第２の導体１０６ｂ，１０７ｂに
は比抵抗の小さい材料が使用される。
【００１９】次に、全面に絶縁層１０８を形成し、この
上に接着剤１０９によって第２の軟磁性基板１１０を接
合する。ここで、第２の軟磁性基板１１０は、第２の導
体１０６ｂ，１０７ｂの後端部の一部が外部接続用の電
極として露出するように接合される。
上に接着剤１０９によって第２の軟磁性基板１１０を接
合する。ここで、第２の軟磁性基板１１０は、第２の導
体１０６ｂ，１０７ｂの後端部の一部が外部接続用の電
極として露出するように接合される。
【００２０】そして、これらの工程の後、ＭＲ素子部１
０５が記録媒体対向面Ｍに露出するように記録媒体対向
面Ｍを研磨加工する研磨工程や、第２の導体１０６ｂ，
１０７ｂの後端部の電極部分に外部接続用の端子を形成
する端子形成工程等を施すことにより、上述したような
横型タイプのシールド型ＭＲヘッドが完成する。
０５が記録媒体対向面Ｍに露出するように記録媒体対向
面Ｍを研磨加工する研磨工程や、第２の導体１０６ｂ，
１０７ｂの後端部の電極部分に外部接続用の端子を形成
する端子形成工程等を施すことにより、上述したような
横型タイプのシールド型ＭＲヘッドが完成する。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、以上のよう
な横型タイプのシールド型ＭＲヘッドにおいて、その周
波数特性は、第１の軟磁性基板１０１と第２の軟磁性基
板１１０との間隔であるシールドギャップ間隔ｇによっ
て決定され、このシールドギャップ間隔ｇが小さいほど
周波数特性は良好なものとなり、より高密度な情報信号
の再生を行うことが可能となる。
な横型タイプのシールド型ＭＲヘッドにおいて、その周
波数特性は、第１の軟磁性基板１０１と第２の軟磁性基
板１１０との間隔であるシールドギャップ間隔ｇによっ
て決定され、このシールドギャップ間隔ｇが小さいほど
周波数特性は良好なものとなり、より高密度な情報信号
の再生を行うことが可能となる。
【００２２】そして、上記シールド型ＭＲヘッドの場
合、ＭＲ素子１０３、バイアス用導体１０４及び導体１
０６，１０７が第１の軟磁性基板１０１及び第２の軟磁
性基板１１０によって挟み込まれた構造となっているた
め、シールドギャップ間隔ｇは、主に、ＭＲ素子１０
３、バイアス用導体１０４及び導体１０６，１０７の膜
厚によって定まることとなる。そして、通常、これらの
中では、導体１０６，１０７が最も厚く形成されるた
め、シールドギャップ間隔ｇは、導体１０６，１０７の
膜厚によって規制されることなる。
合、ＭＲ素子１０３、バイアス用導体１０４及び導体１
０６，１０７が第１の軟磁性基板１０１及び第２の軟磁
性基板１１０によって挟み込まれた構造となっているた
め、シールドギャップ間隔ｇは、主に、ＭＲ素子１０
３、バイアス用導体１０４及び導体１０６，１０７の膜
厚によって定まることとなる。そして、通常、これらの
中では、導体１０６，１０７が最も厚く形成されるた
め、シールドギャップ間隔ｇは、導体１０６，１０７の
膜厚によって規制されることなる。
【００２３】したがって、シールド型ＭＲヘッドの場
合、シールドギャップ間隔ｇを小さくするために、導体
１０６，１０７の膜厚を薄くすることが好ましい。しか
し、導体１０６，１０７を薄くすると、導体１０６，１
０７の電気抵抗が増大してしまうため、ＭＲ素子部１０
５に供給されるセンス電流の制御を行うセンス電流回路
の負荷の増加や、インピーダンスの増加等が生じ、その
結果、ノイズが増大してしまう。そのため、上述のよう
な構造のシールド型ＭＲヘッドでは、導体１０６，１０
７の膜厚を薄くすることは困難であり、シールドギャッ
プ間隔ｇを満足な値とすることは難しかった。
合、シールドギャップ間隔ｇを小さくするために、導体
１０６，１０７の膜厚を薄くすることが好ましい。しか
し、導体１０６，１０７を薄くすると、導体１０６，１
０７の電気抵抗が増大してしまうため、ＭＲ素子部１０
５に供給されるセンス電流の制御を行うセンス電流回路
の負荷の増加や、インピーダンスの増加等が生じ、その
結果、ノイズが増大してしまう。そのため、上述のよう
な構造のシールド型ＭＲヘッドでは、導体１０６，１０
７の膜厚を薄くすることは困難であり、シールドギャッ
プ間隔ｇを満足な値とすることは難しかった。
【００２４】そこで、このような問題に対応するため
に、図２８及び図２９に示すような構造を有するシール
ド型ＭＲヘッドが提案されている。ここで、図２８は、
このシールド型ＭＲヘッドの配線パターンを示す平面図
であり、図２９は、図２８中の線分Ｋ−Ｋ’での断面図
である。
に、図２８及び図２９に示すような構造を有するシール
ド型ＭＲヘッドが提案されている。ここで、図２８は、
このシールド型ＭＲヘッドの配線パターンを示す平面図
であり、図２９は、図２８中の線分Ｋ−Ｋ’での断面図
である。
【００２５】このシールド型ＭＲヘッドでは、第１の導
体１０６ａ，１０７ａ及び第２の導体１０６ｂ，１０７
ｂの形成後に全面に形成された絶縁層１０８のうち、第
１の導体１０６ａ，１０７ａ上の部分に対してエッチン
グを施して、この部分の絶縁層１０８の膜厚を薄くし、
第１の導体１０６ａ，１０７ａ上における絶縁層１０８
の盛り上がりを無くしている。これにより、シールドギ
ャップ間隔ｇの大きさに対する第１の導体１０６ａ，１
０７ａ及び第２の導体１０６ｂ，１０７ｂの影響が小さ
くなり、シールドギャップ間隔ｇを小さくすることが可
能となっている。このように、このシールド型ＭＲヘッ
ドでは、シールドギャップ間隔ｇを小さくすることが可
能であり、比較的に良好な周波数特性を得ることが出来
る。
体１０６ａ，１０７ａ及び第２の導体１０６ｂ，１０７
ｂの形成後に全面に形成された絶縁層１０８のうち、第
１の導体１０６ａ，１０７ａ上の部分に対してエッチン
グを施して、この部分の絶縁層１０８の膜厚を薄くし、
第１の導体１０６ａ，１０７ａ上における絶縁層１０８
の盛り上がりを無くしている。これにより、シールドギ
ャップ間隔ｇの大きさに対する第１の導体１０６ａ，１
０７ａ及び第２の導体１０６ｂ，１０７ｂの影響が小さ
くなり、シールドギャップ間隔ｇを小さくすることが可
能となっている。このように、このシールド型ＭＲヘッ
ドでは、シールドギャップ間隔ｇを小さくすることが可
能であり、比較的に良好な周波数特性を得ることが出来
る。
【００２６】しかしながら、図２８及び図２９に示した
シールド型ＭＲヘッドでは、第１の導体１０６ｂ，１０
７ｂの形成後に全面に形成された絶縁層１０８のうち、
第１の導体１０６ａ，１０７ａ上の部分をエッチングす
る工程が必要であり、製造時の工数が多いという問題が
ある。すなわち、このシールド型ＭＲヘッドでは、絶縁
層１０８の形成後に、フォトリソグラフィー技術を用い
たエッチング工程が必要であり、その分だけ、工程数が
増してしまうという問題がある。
シールド型ＭＲヘッドでは、第１の導体１０６ｂ，１０
７ｂの形成後に全面に形成された絶縁層１０８のうち、
第１の導体１０６ａ，１０７ａ上の部分をエッチングす
る工程が必要であり、製造時の工数が多いという問題が
ある。すなわち、このシールド型ＭＲヘッドでは、絶縁
層１０８の形成後に、フォトリソグラフィー技術を用い
たエッチング工程が必要であり、その分だけ、工程数が
増してしまうという問題がある。
【００２７】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、シールドギャップ間隔を小さく
することが可能で、しかも、少ない工数で製造が可能な
ＭＲヘッド及びその製造方法を提供することを目的とし
ている。
提案されたものであり、シールドギャップ間隔を小さく
することが可能で、しかも、少ない工数で製造が可能な
ＭＲヘッド及びその製造方法を提供することを目的とし
ている。
【００２８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに完成された本発明に係るＭＲヘッドは、絶縁層を介
して一対の軟磁性体に狭持された磁気抵抗効果素子と、
上記磁気抵抗効果素子に接続された導体とを備え、上記
導体が上記絶縁層に形成された溝部に埋め込まれている
ことを特徴とするものである。
めに完成された本発明に係るＭＲヘッドは、絶縁層を介
して一対の軟磁性体に狭持された磁気抵抗効果素子と、
上記磁気抵抗効果素子に接続された導体とを備え、上記
導体が上記絶縁層に形成された溝部に埋め込まれている
ことを特徴とするものである。
【００２９】上記ＭＲヘッドにおいて、上記軟磁性体の
一方は、例えば、接着剤によって上記絶縁層に接着され
る。
一方は、例えば、接着剤によって上記絶縁層に接着され
る。
【００３０】また、上記ＭＲヘッドにおいて、上記導体
には、当該導体よりも比抵抗の小さい第２の導体が接続
されていることが好ましい。
には、当該導体よりも比抵抗の小さい第２の導体が接続
されていることが好ましい。
【００３１】また、上記ＭＲヘッドにおいて、上記磁気
抵抗効果素子の両端部には、磁性層が配されていること
が好ましい。このとき、磁性層は、例えば、導電性を有
し、一方の磁性層と他方の磁性層との間隔によって、ト
ラック幅を規定するようになっていてもよい。
抵抗効果素子の両端部には、磁性層が配されていること
が好ましい。このとき、磁性層は、例えば、導電性を有
し、一方の磁性層と他方の磁性層との間隔によって、ト
ラック幅を規定するようになっていてもよい。
【００３２】以上のような本発明に係るＭＲヘッドで
は、磁気抵抗効果素子に接続された導体が、絶縁層に形
成された溝部に埋め込まれているので、シールドギャッ
プ間隔を小さくすることが可能である。
は、磁気抵抗効果素子に接続された導体が、絶縁層に形
成された溝部に埋め込まれているので、シールドギャッ
プ間隔を小さくすることが可能である。
【００３３】一方、本発明に係るＭＲヘッドの製造方法
は、絶縁層を介して一対の軟磁性体に狭持された磁気抵
抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子に接続された導体
とを備えたＭＲヘッドの製造方法において、上記導体を
形成する際に、上記絶縁層をエッチングして溝部を形成
し、当該溝部内に上記導体を形成することを特徴とする
ものである。
は、絶縁層を介して一対の軟磁性体に狭持された磁気抵
抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子に接続された導体
とを備えたＭＲヘッドの製造方法において、上記導体を
形成する際に、上記絶縁層をエッチングして溝部を形成
し、当該溝部内に上記導体を形成することを特徴とする
ものである。
【００３４】上記ＭＲヘッドの製造方法において、上記
軟磁性体の一方は、例えば、接着剤によって上記絶縁層
に接着する。
軟磁性体の一方は、例えば、接着剤によって上記絶縁層
に接着する。
【００３５】また、上記ＭＲヘッドの製造方法では、上
記導体を形成した後、当該導体に接続するように、当該
導体よりも比抵抗の小さい第２の導体を形成することが
好ましい。
記導体を形成した後、当該導体に接続するように、当該
導体よりも比抵抗の小さい第２の導体を形成することが
好ましい。
【００３６】また、上記ＭＲヘッドの製造方法では、上
記磁気抵抗効果素子を形成した後、当該磁気抵抗効果素
子の両端部に、磁性層を形成することが好ましい。この
とき、上記磁性層間の間隔によって、トラック幅を規定
するようにしてもよい。
記磁気抵抗効果素子を形成した後、当該磁気抵抗効果素
子の両端部に、磁性層を形成することが好ましい。この
とき、上記磁性層間の間隔によって、トラック幅を規定
するようにしてもよい。
【００３７】以上のような本発明に係るＭＲヘッドの製
造方法では、絶縁層に溝部を形成し、当該溝部に埋め込
むように、磁気抵抗効果素子に接続された導体を形成す
るので、シールドギャップ間隔を小さくすることが可能
である。
造方法では、絶縁層に溝部を形成し、当該溝部に埋め込
むように、磁気抵抗効果素子に接続された導体を形成す
るので、シールドギャップ間隔を小さくすることが可能
である。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態に係るＭＲヘッドについて、図面を参照しな
がら詳細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
形状や材質等を任意に変更することが可能であることは
言うまでもない。
実施の形態に係るＭＲヘッドについて、図面を参照しな
がら詳細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
形状や材質等を任意に変更することが可能であることは
言うまでもない。
【００３９】第１の実施の形態 第１の実施の形態に係るＭＲヘッドの構造を図１〜図４
に示す。ここで、図１は、本実施の形態に係るＭＲヘッ
ドの配線パターンを示す平面図であり、図２は、図１中
の線分Ａ−Ａ’での断面図であり、図３は、図１中の線
分Ｂ−Ｂ’での断面図であり、図４は、図１中の線分Ｃ
−Ｃ’での断面図である。
に示す。ここで、図１は、本実施の形態に係るＭＲヘッ
ドの配線パターンを示す平面図であり、図２は、図１中
の線分Ａ−Ａ’での断面図であり、図３は、図１中の線
分Ｂ−Ｂ’での断面図であり、図４は、図１中の線分Ｃ
−Ｃ’での断面図である。
【００４０】これらの図に示すように、このＭＲヘッド
は、第１の軟磁性基板１と、第１の軟磁性基板１上に形
成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成されたＭＲ素子
３及びバイアス用導体４からなるＭＲ素子部５と、ＭＲ
素子部５の長手方向両端部から導出された一対の第１の
導体６，７と、一対の第１の導体６，７にそれぞれ接続
された一対の第２の導体８，９と、ＭＲ素子部５、第１
の導体６，７及び第２の導体８，９を覆うように形成さ
れた絶縁層１０ａ，１０ｂと、絶縁層１０ｂ上に接着剤
１１によって接着された第２の軟磁性基板１２とから構
成される。
は、第１の軟磁性基板１と、第１の軟磁性基板１上に形
成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成されたＭＲ素子
３及びバイアス用導体４からなるＭＲ素子部５と、ＭＲ
素子部５の長手方向両端部から導出された一対の第１の
導体６，７と、一対の第１の導体６，７にそれぞれ接続
された一対の第２の導体８，９と、ＭＲ素子部５、第１
の導体６，７及び第２の導体８，９を覆うように形成さ
れた絶縁層１０ａ，１０ｂと、絶縁層１０ｂ上に接着剤
１１によって接着された第２の軟磁性基板１２とから構
成される。
【００４１】このＭＲヘッドにおいて、ＭＲ素子部５
は、ＭＲ素子３と、ＭＲ素子３にバイアス磁界を印加す
るためにＭＲ素子３上に形成されたバイアス用導体４と
からなる。そして、このＭＲ素子部５は、その長手方向
が記録媒体対向面Ｍと平行になるように配され、その端
部の一方が記録媒体対向面Ｍに露出するように研磨加工
されている。
は、ＭＲ素子３と、ＭＲ素子３にバイアス磁界を印加す
るためにＭＲ素子３上に形成されたバイアス用導体４と
からなる。そして、このＭＲ素子部５は、その長手方向
が記録媒体対向面Ｍと平行になるように配され、その端
部の一方が記録媒体対向面Ｍに露出するように研磨加工
されている。
【００４２】ＭＲ素子部５の両端部から導出された第１
の導体６，７は、ＭＲ素子部５の端部から絶縁層２上に
わたって、絶縁層１０ａに形成された溝部に埋め込まれ
ており、その前端部が記録媒体対向面Ｍに露出してい
る。一方、第１の導体６，７に接続された第２の導体
８，９は、第１の導体６，７の後端部に積層されてお
り、記録媒体対向面Ｍには露出していない。そして、こ
れらの第１の導体６，７及び第２の導体８，９の上に、
絶縁層１０ｂが形成されている。
の導体６，７は、ＭＲ素子部５の端部から絶縁層２上に
わたって、絶縁層１０ａに形成された溝部に埋め込まれ
ており、その前端部が記録媒体対向面Ｍに露出してい
る。一方、第１の導体６，７に接続された第２の導体
８，９は、第１の導体６，７の後端部に積層されてお
り、記録媒体対向面Ｍには露出していない。そして、こ
れらの第１の導体６，７及び第２の導体８，９の上に、
絶縁層１０ｂが形成されている。
【００４３】すなわち、このＭＲヘッドでは、図３に示
すように、絶縁層１０ａに形成された溝部に埋め込まれ
た第１の導体６の後端部分に、第２の導体８が積層され
ており、これにより、第１の導体６と第２の導体８とが
導通している。そして、これらの第１の導体６及び第２
の導体８の上に、絶縁層１０ｂが形成されている。ここ
で、絶縁層１０ｂは、第２の導体部８の後端部に形成さ
れる接続端子１３が露出するように形成されている。
すように、絶縁層１０ａに形成された溝部に埋め込まれ
た第１の導体６の後端部分に、第２の導体８が積層され
ており、これにより、第１の導体６と第２の導体８とが
導通している。そして、これらの第１の導体６及び第２
の導体８の上に、絶縁層１０ｂが形成されている。ここ
で、絶縁層１０ｂは、第２の導体部８の後端部に形成さ
れる接続端子１３が露出するように形成されている。
【００４４】同様に、絶縁層１０ａに形成された溝部に
埋め込まれた第１の導体７の後端部分に、第２の導体９
が積層されており、これにより、第１の導体７と第２の
導体９とが導通している。そして、これらの第１の導体
７及び第２の導体９の上に、絶縁層１０ｂが形成されて
いる。ここで、絶縁層１０ｂは、第２の導体部９の後端
部に形成される接続端子１４が露出するように形成され
ている。
埋め込まれた第１の導体７の後端部分に、第２の導体９
が積層されており、これにより、第１の導体７と第２の
導体９とが導通している。そして、これらの第１の導体
７及び第２の導体９の上に、絶縁層１０ｂが形成されて
いる。ここで、絶縁層１０ｂは、第２の導体部９の後端
部に形成される接続端子１４が露出するように形成され
ている。
【００４５】ここで、第１の導体６，７は、耐環境性に
優れた高融点金属からなる。これは、第１の導体６，７
が、記録媒体対向面Ｍに露出しているため、優れた耐環
境性を必要とするからである。一方、第２の導体８，９
は、第１の導体６，７よりも比抵抗の小さい導電材料か
らなる。これは、第２の導体８，９が、記録媒体対向面
Ｍに露出しないため、耐環境性よりも電気的特性を優先
することができるからである。
優れた高融点金属からなる。これは、第１の導体６，７
が、記録媒体対向面Ｍに露出しているため、優れた耐環
境性を必要とするからである。一方、第２の導体８，９
は、第１の導体６，７よりも比抵抗の小さい導電材料か
らなる。これは、第２の導体８，９が、記録媒体対向面
Ｍに露出しないため、耐環境性よりも電気的特性を優先
することができるからである。
【００４６】このようなＭＲヘッドを用いて記録媒体か
ら情報信号を再生する際には、第２の導体８，９の後端
部に形成された接続端子１３，１４から、第２の導体
８，９及び第１の導体６，７を介してＭＲ素子部５にセ
ンス電流を供給し、記録媒体対向面Ｍに沿ってＭＲ素子
部５の長手方向にセンス電流を流す。そして、このセン
ス電流により、記録媒体からの磁界によって生じるＭＲ
素子部５の抵抗変化を検出し、これによって記録媒体か
ら情報信号を再生する。
ら情報信号を再生する際には、第２の導体８，９の後端
部に形成された接続端子１３，１４から、第２の導体
８，９及び第１の導体６，７を介してＭＲ素子部５にセ
ンス電流を供給し、記録媒体対向面Ｍに沿ってＭＲ素子
部５の長手方向にセンス電流を流す。そして、このセン
ス電流により、記録媒体からの磁界によって生じるＭＲ
素子部５の抵抗変化を検出し、これによって記録媒体か
ら情報信号を再生する。
【００４７】なお、上記ＭＲヘッドにおいて、第１の軟
磁性基板１及び第２の軟磁性基板１２は、ＭＲ素子部５
を磁気的にシールドするためのものであり、全体が軟磁
性材料からなる必要ない。すなわち、例えば、非磁性基
板又は磁性基板上に軟磁性薄膜を形成して、これを第１
の軟磁性基板１や第２の軟磁性基板１２とし、当該軟磁
性薄膜がＭＲ素子部５に対向するように配してもよい。
磁性基板１及び第２の軟磁性基板１２は、ＭＲ素子部５
を磁気的にシールドするためのものであり、全体が軟磁
性材料からなる必要ない。すなわち、例えば、非磁性基
板又は磁性基板上に軟磁性薄膜を形成して、これを第１
の軟磁性基板１や第２の軟磁性基板１２とし、当該軟磁
性薄膜がＭＲ素子部５に対向するように配してもよい。
【００４８】つぎに、以上のようなＭＲヘッドの製造方
法について、図５〜図１６を参照しながら説明する。こ
こで、図５〜図１０及び図１６は、図１中の線分Ａ−
Ａ’での断面部の様子を製造工程順に示したものであ
り、図１１〜図１５は、図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断面
部の様子を製造工程順に示したものである。
法について、図５〜図１６を参照しながら説明する。こ
こで、図５〜図１０及び図１６は、図１中の線分Ａ−
Ａ’での断面部の様子を製造工程順に示したものであ
り、図１１〜図１５は、図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断面
部の様子を製造工程順に示したものである。
【００４９】上記ＭＲヘッドを作製する際は、先ず、図
５に示すように、軟磁性材料であるＮｉ−Ｚｎヘマタイ
ト等の多結晶フェライトを材料とした第１の軟磁性基板
１上に、Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 （酸化珪素）等からなる
絶縁層２を、スパッタ等によって０．２〜０．３μｍ程
度形成する。ここで、絶縁層２の表面は後工程において
ＭＲ素子３の形成面となるため、面粗度を向上しておく
ことが好ましい。そこで、絶縁層２を形成した後、絶縁
層２の表面に対して鏡面研磨、若しくはスピン・オン・
グラス（ＳＯＧ）と呼ばれる塗布型ＳｉＯ2 等による表
面処理を施しておく。
５に示すように、軟磁性材料であるＮｉ−Ｚｎヘマタイ
ト等の多結晶フェライトを材料とした第１の軟磁性基板
１上に、Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 （酸化珪素）等からなる
絶縁層２を、スパッタ等によって０．２〜０．３μｍ程
度形成する。ここで、絶縁層２の表面は後工程において
ＭＲ素子３の形成面となるため、面粗度を向上しておく
ことが好ましい。そこで、絶縁層２を形成した後、絶縁
層２の表面に対して鏡面研磨、若しくはスピン・オン・
グラス（ＳＯＧ）と呼ばれる塗布型ＳｉＯ2 等による表
面処理を施しておく。
【００５０】次に、図６に示すように、絶縁層２上にＭ
Ｒ素子部５を形成する。ここで、ＭＲ素子部５は、いわ
ゆるＳＡＬバイアス方式によってＤＣバイアス磁界をＭ
Ｒ素子に印加するために、上述したように、ＭＲ素子３
と、ＭＲ素子３へバイアス磁界を印加するためのバイア
ス用導体４とが積層されてなる。そこで、ＭＲ素子部５
を形成する際は、ＭＲ素子３とバイアス用導体４をスパ
ッタ又は蒸着等によって積層し、その後、ＭＲ素子３と
バイアス用導体４を同時に、長手方向が記録媒体対向面
Ｍに対して平行な短冊形状となるように、エッチングす
る。これにより、長手方向が記録媒体対向面Ｍに対して
平行な短冊形状のＭＲ素子部５が絶縁層２上に形成され
る。
Ｒ素子部５を形成する。ここで、ＭＲ素子部５は、いわ
ゆるＳＡＬバイアス方式によってＤＣバイアス磁界をＭ
Ｒ素子に印加するために、上述したように、ＭＲ素子３
と、ＭＲ素子３へバイアス磁界を印加するためのバイア
ス用導体４とが積層されてなる。そこで、ＭＲ素子部５
を形成する際は、ＭＲ素子３とバイアス用導体４をスパ
ッタ又は蒸着等によって積層し、その後、ＭＲ素子３と
バイアス用導体４を同時に、長手方向が記録媒体対向面
Ｍに対して平行な短冊形状となるように、エッチングす
る。これにより、長手方向が記録媒体対向面Ｍに対して
平行な短冊形状のＭＲ素子部５が絶縁層２上に形成され
る。
【００５１】ここで、ＭＲ素子３には、例えば、Ｎｉ−
Ｆｅ合金を使用し、バイアス用導体４には、例えば、Ｔ
ａとＮｉ−Ｆｅ−Ｔａ合金との積層膜を使用する。そし
て、本実施の形態においては、ＭＲ素子３には、膜厚が
約５０ｎｍのＮｉ−Ｆｅ合金を使用し、バイアス用導体
４には、膜厚が約１０ｎｍのＴａと、膜厚が約５０ｎｍ
のＮｉ−Ｆｅ−Ｔａ合金との積層膜を使用した。したが
って、本実施の形態に係るＭＲヘッドのＭＲ素子部５全
体の膜厚は約１１０ｎｍである。
Ｆｅ合金を使用し、バイアス用導体４には、例えば、Ｔ
ａとＮｉ−Ｆｅ−Ｔａ合金との積層膜を使用する。そし
て、本実施の形態においては、ＭＲ素子３には、膜厚が
約５０ｎｍのＮｉ−Ｆｅ合金を使用し、バイアス用導体
４には、膜厚が約１０ｎｍのＴａと、膜厚が約５０ｎｍ
のＮｉ−Ｆｅ−Ｔａ合金との積層膜を使用した。したが
って、本実施の形態に係るＭＲヘッドのＭＲ素子部５全
体の膜厚は約１１０ｎｍである。
【００５２】なお、ＭＲ素子３とバイアス用導体４の積
層順は逆であってもよい。すなわち、例えば、Ｎｉ−Ｆ
ｅ−Ｔａ合金と、Ｔａと、Ｎｉ−Ｆｅ合金とをこの順に
積層するようにしてもよい。
層順は逆であってもよい。すなわち、例えば、Ｎｉ−Ｆ
ｅ−Ｔａ合金と、Ｔａと、Ｎｉ−Ｆｅ合金とをこの順に
積層するようにしてもよい。
【００５３】次に、図７に示すように、絶縁層２及びＭ
Ｒ素子部５上に、Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等からなる絶縁
層１０ａを、スパッタ等によって０．１μｍ程度形成す
る。なお、この絶縁層１０ａは、ＮｉＯ等のような反強
磁性特性を有する絶縁材料によって形成してもよい。そ
して、反強磁性特性を有する絶縁材料によって絶縁層１
０ａを形成したときは、絶縁層１０ａとＭＲ素子３の反
強磁性結合によって、ＭＲ素子３の磁気的安定性の向上
を図ることができる。
Ｒ素子部５上に、Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等からなる絶縁
層１０ａを、スパッタ等によって０．１μｍ程度形成す
る。なお、この絶縁層１０ａは、ＮｉＯ等のような反強
磁性特性を有する絶縁材料によって形成してもよい。そ
して、反強磁性特性を有する絶縁材料によって絶縁層１
０ａを形成したときは、絶縁層１０ａとＭＲ素子３の反
強磁性結合によって、ＭＲ素子３の磁気的安定性の向上
を図ることができる。
【００５４】次に、ＭＲ素子部５の２箇所が露出するよ
うに、絶縁層１０ａに、媒体摺動面に対して略垂直方向
に２つの溝部を形成する。ここで、溝部は、図８に示す
ように、溝部に対応した逆テーパー状の開口部を有する
レジスト２０を絶縁層１０ａ上に形成し、当該レジスト
２０をマスクとして絶縁層１０ａをイオンミリング等に
よりエッチングすることによって形成する。これらの溝
部は、後工程において、ＭＲ素子部５へセンス電流を供
給するための第１の導体６，７を、埋め込むためのもの
である。
うに、絶縁層１０ａに、媒体摺動面に対して略垂直方向
に２つの溝部を形成する。ここで、溝部は、図８に示す
ように、溝部に対応した逆テーパー状の開口部を有する
レジスト２０を絶縁層１０ａ上に形成し、当該レジスト
２０をマスクとして絶縁層１０ａをイオンミリング等に
よりエッチングすることによって形成する。これらの溝
部は、後工程において、ＭＲ素子部５へセンス電流を供
給するための第１の導体６，７を、埋め込むためのもの
である。
【００５５】次に、図９に示すように、第１の導体６，
７となる導体膜２１を全面にスパッタ等により形成す
る。これにより、導体膜２１が、絶縁層１０ａに形成さ
れた溝部内に形成されるとともに、レジスト２０上に形
成される。ここで、導体膜２１の膜厚は、絶縁層１０ａ
の膜厚と同一、又は絶縁層１０ａの膜厚よりも薄くなる
ようにする。また、第１の導体６，７には、上述したよ
うに優れた耐環境性が求められるため、この導体膜２１
の材料には、耐環境性に優れた高融点金属であるＣｒ，
Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ等、又はこれらの合金等を使用す
る。
７となる導体膜２１を全面にスパッタ等により形成す
る。これにより、導体膜２１が、絶縁層１０ａに形成さ
れた溝部内に形成されるとともに、レジスト２０上に形
成される。ここで、導体膜２１の膜厚は、絶縁層１０ａ
の膜厚と同一、又は絶縁層１０ａの膜厚よりも薄くなる
ようにする。また、第１の導体６，７には、上述したよ
うに優れた耐環境性が求められるため、この導体膜２１
の材料には、耐環境性に優れた高融点金属であるＣｒ，
Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ等、又はこれらの合金等を使用す
る。
【００５６】次に、レジスト２０を有機溶媒等を用いて
剥離する。これにより、レジスト２０上に形成された導
体膜２１は、レジスト２０と共に除去される。この結
果、図１０に示すように、導体膜２１は、溝部内に形成
された部分、すなわち絶縁層１０ａに埋め込まれた部分
だけが残り、これが第１の導体６，７となる。この第１
の導体６，７は、その膜厚が絶縁層１０ａの膜厚以下と
されているので、シールドギャップ間隔ｇ１に影響を及
ぼすことはない。
剥離する。これにより、レジスト２０上に形成された導
体膜２１は、レジスト２０と共に除去される。この結
果、図１０に示すように、導体膜２１は、溝部内に形成
された部分、すなわち絶縁層１０ａに埋め込まれた部分
だけが残り、これが第１の導体６，７となる。この第１
の導体６，７は、その膜厚が絶縁層１０ａの膜厚以下と
されているので、シールドギャップ間隔ｇ１に影響を及
ぼすことはない。
【００５７】なお、以上のように、不要な部分をレジス
トによりマスクし、当該マスクを剥離することによって
所定のパターンを形成する方法は、リフトオフ法と呼ば
れている。
トによりマスクし、当該マスクを剥離することによって
所定のパターンを形成する方法は、リフトオフ法と呼ば
れている。
【００５８】ところで、ＭＲ素子部５に供給されるセン
ス電流は、第１の導体６，７の間に流れるので、ＭＲ素
子部５のうち、記録媒体からの磁界を検出するのに有効
な部分は、第１の導体６と第１の導体７の間の部分だけ
である。したがって、第１の導体６と第１の導体７の間
隔Ｔ１が、このＭＲヘッドのトラック幅となる。そこ
で、これら一対の第１の導体６，７は、第１の導体６と
第１の導体７との間の距離が所望するトラック幅となる
ように形成する。
ス電流は、第１の導体６，７の間に流れるので、ＭＲ素
子部５のうち、記録媒体からの磁界を検出するのに有効
な部分は、第１の導体６と第１の導体７の間の部分だけ
である。したがって、第１の導体６と第１の導体７の間
隔Ｔ１が、このＭＲヘッドのトラック幅となる。そこ
で、これら一対の第１の導体６，７は、第１の導体６と
第１の導体７との間の距離が所望するトラック幅となる
ように形成する。
【００５９】以上のように第１の導体６，７の形成が完
了したら、次に、第２の導体８，９を、第１の導体６，
７と同様に、リフトオフ法により形成する。なお、第２
の導体の製造工程は、図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断面を
示す図１１乃至図１４を参照して説明する。ここで、図
１１は、図１０に対応しており、第１の導体６，７の形
成後の状態を示している。
了したら、次に、第２の導体８，９を、第１の導体６，
７と同様に、リフトオフ法により形成する。なお、第２
の導体の製造工程は、図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断面を
示す図１１乃至図１４を参照して説明する。ここで、図
１１は、図１０に対応しており、第１の導体６，７の形
成後の状態を示している。
【００６０】第２の導体８，９を形成する際は、図１０
及び図１１に示すように第１の導体６，７を形成した
後、先ず、図１２に示すように、レジスト２２を形成す
る。ここで、レジスト２２は、第１の導体６，７の後端
部に対応する部分に開口部を形成するとともに、その他
の部分全体を覆うように形成する。また、このレジスト
２２の開口部は、そのエッジ部分が逆テーパー状となる
ように形成する。
及び図１１に示すように第１の導体６，７を形成した
後、先ず、図１２に示すように、レジスト２２を形成す
る。ここで、レジスト２２は、第１の導体６，７の後端
部に対応する部分に開口部を形成するとともに、その他
の部分全体を覆うように形成する。また、このレジスト
２２の開口部は、そのエッジ部分が逆テーパー状となる
ように形成する。
【００６１】次に、図１３に示すように、第２の導体
８，９となる導体膜２３を全面にスパッタ等により形成
する。このとき、レジスト２２の開口部内に形成された
導体膜２３と、レジスト２２上に形成された導体膜２３
とは、レジスト２２の開口部のエッジ部分が逆テーパー
状となるように形成されているので、図１３に示すよう
に、接続することなく、互いに完全に分離された状態で
形成される。なお、第２の導体８，９は、上述したよう
に比抵抗が小さい導電材料からなることが好ましい。そ
こで、第２の導体８，９となる導体膜２３には、例え
ば、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ系材料等や、Ｔｉ等の下地膜上に
これらの導電材料を積層した積層膜等を使用する。
８，９となる導体膜２３を全面にスパッタ等により形成
する。このとき、レジスト２２の開口部内に形成された
導体膜２３と、レジスト２２上に形成された導体膜２３
とは、レジスト２２の開口部のエッジ部分が逆テーパー
状となるように形成されているので、図１３に示すよう
に、接続することなく、互いに完全に分離された状態で
形成される。なお、第２の導体８，９は、上述したよう
に比抵抗が小さい導電材料からなることが好ましい。そ
こで、第２の導体８，９となる導体膜２３には、例え
ば、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ系材料等や、Ｔｉ等の下地膜上に
これらの導電材料を積層した積層膜等を使用する。
【００６２】このように導体膜２３を形成する際、その
膜厚は、ＭＲ素子部５の膜厚よりも薄くなるように形成
する。すなわち、本実施の形態のＭＲヘッドでは、ＭＲ
素子部５の膜厚が約１１０ｎｍなので、導体膜２３の膜
厚は１１０ｎｍよりも薄くする。
膜厚は、ＭＲ素子部５の膜厚よりも薄くなるように形成
する。すなわち、本実施の形態のＭＲヘッドでは、ＭＲ
素子部５の膜厚が約１１０ｎｍなので、導体膜２３の膜
厚は１１０ｎｍよりも薄くする。
【００６３】なお、第２の導体８，９の形状は、第１の
導体６，７に接続するようになっていれば良い。すなわ
ち、第２の導体８，９のパターンは、例えば、第１の導
体６，７の後端部に一致するようなパターンとしても良
いし、第１の導体６，７の後端部を覆うような広めのパ
ターンとしても良いし、第１の導体６，７の後端部より
も狭めのパターンとしてもよい。そして、本実施の形態
において、第２の導体８，９のパターンは、図１に示し
たように、第１の導体６，７のパターンよりも全体的に
狭めのパターンとした。
導体６，７に接続するようになっていれば良い。すなわ
ち、第２の導体８，９のパターンは、例えば、第１の導
体６，７の後端部に一致するようなパターンとしても良
いし、第１の導体６，７の後端部を覆うような広めのパ
ターンとしても良いし、第１の導体６，７の後端部より
も狭めのパターンとしてもよい。そして、本実施の形態
において、第２の導体８，９のパターンは、図１に示し
たように、第１の導体６，７のパターンよりも全体的に
狭めのパターンとした。
【００６４】次に、図１４に示すように、リフトオフ法
によって第２の導体８，９を所定の形状に形成する。す
なわち、有機溶剤等を用いて、レジスト２２上に形成さ
れた導体膜２３と共に、レジスト２２を除去する。ここ
で、レジスト２２の開口部内に形成された第２の導体
８，９と、レジスト２２上に形成された第２の導体８，
９とは、互いに完全に分離された状態で形成されている
ので、レジスト２２の開口部内に形成された第２の導体
８，９のエッジ部分に乱れが生じるようなことなく、レ
ジスト２２上に形成された導体膜２３だけが確実に除去
される。
によって第２の導体８，９を所定の形状に形成する。す
なわち、有機溶剤等を用いて、レジスト２２上に形成さ
れた導体膜２３と共に、レジスト２２を除去する。ここ
で、レジスト２２の開口部内に形成された第２の導体
８，９と、レジスト２２上に形成された第２の導体８，
９とは、互いに完全に分離された状態で形成されている
ので、レジスト２２の開口部内に形成された第２の導体
８，９のエッジ部分に乱れが生じるようなことなく、レ
ジスト２２上に形成された導体膜２３だけが確実に除去
される。
【００６５】以上の工程により、第１の導体６，７上に
第２の導体８，９が形成される。
第２の導体８，９が形成される。
【００６６】ここで、第２の導体８，９は、ＭＲ素子部
５よりも薄く形成している。したがって、第１の導体６
と第２の導体８が積層された部分の膜厚や、第１の導体
７と第２の導体９が積層された部分の膜厚は、ＭＲ素子
部５と第１の導体６が積層された部分の膜厚や、ＭＲ素
子部５と第１の導体７が積層された部分の膜厚よりも薄
くなっている。したがって、第２の導体８，９が形成さ
れた部分は、ＭＲ素子部５上に第１の導体６，７が形成
された部分よりも段差的に低くなっており、第２の導体
８，９が、シールドギャップ間隔ｇ１に影響を及ぼすよ
うなことはない。
５よりも薄く形成している。したがって、第１の導体６
と第２の導体８が積層された部分の膜厚や、第１の導体
７と第２の導体９が積層された部分の膜厚は、ＭＲ素子
部５と第１の導体６が積層された部分の膜厚や、ＭＲ素
子部５と第１の導体７が積層された部分の膜厚よりも薄
くなっている。したがって、第２の導体８，９が形成さ
れた部分は、ＭＲ素子部５上に第１の導体６，７が形成
された部分よりも段差的に低くなっており、第２の導体
８，９が、シールドギャップ間隔ｇ１に影響を及ぼすよ
うなことはない。
【００６７】次に、図１５及び図１６に示すように、Ｍ
Ｒ素子部５、絶縁層１０ａ、第１の導体６，７及び第２
の導体８，９上に、Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等からなる絶
縁層１０ｂを、スパッタ等によって０．１μｍ程度形成
する。この絶縁層１０ｂは、第１の導体６，７及び第２
の導体８，９を静電気や腐食等から保護するためのもの
である。
Ｒ素子部５、絶縁層１０ａ、第１の導体６，７及び第２
の導体８，９上に、Ａｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 等からなる絶
縁層１０ｂを、スパッタ等によって０．１μｍ程度形成
する。この絶縁層１０ｂは、第１の導体６，７及び第２
の導体８，９を静電気や腐食等から保護するためのもの
である。
【００６８】ここで、第１の軟磁性基板１の主面に対し
て、最も段差的に高い部分は、ＭＲ素子部５上に絶縁層
１０ａ及び絶縁層１０ｂが形成された部分である。した
がって、シールドギャップ間隔ｇ１は、第１の軟磁性基
板１上に形成された絶縁層２と、ＭＲ素子３及びバイア
ス用導体４からなるＭＲ素子部５と、ＭＲ素子部５上に
形成された絶縁層１０ａ及び絶縁層１０ｂとにより決定
される。すなわち、このＭＲヘッドでは、第１の導体
６，７や第２の導体８，９は、シールドギャップ間隔ｇ
１に影響しない。
て、最も段差的に高い部分は、ＭＲ素子部５上に絶縁層
１０ａ及び絶縁層１０ｂが形成された部分である。した
がって、シールドギャップ間隔ｇ１は、第１の軟磁性基
板１上に形成された絶縁層２と、ＭＲ素子３及びバイア
ス用導体４からなるＭＲ素子部５と、ＭＲ素子部５上に
形成された絶縁層１０ａ及び絶縁層１０ｂとにより決定
される。すなわち、このＭＲヘッドでは、第１の導体
６，７や第２の導体８，９は、シールドギャップ間隔ｇ
１に影響しない。
【００６９】次に、第２の導体８，９の後端部の一部が
外部接続用の電極として露出するように、第２の導体
８，９の後端部上に形成されている絶縁層１０ｂをエッ
チングして完全に除去した上で、絶縁層１０ｂ上に第２
の軟磁性基板１２を接着剤によって接着する。ここで、
第２の軟磁性基板１２は、第２の導体８，９の後端部が
露出するように接合する。
外部接続用の電極として露出するように、第２の導体
８，９の後端部上に形成されている絶縁層１０ｂをエッ
チングして完全に除去した上で、絶縁層１０ｂ上に第２
の軟磁性基板１２を接着剤によって接着する。ここで、
第２の軟磁性基板１２は、第２の導体８，９の後端部が
露出するように接合する。
【００７０】そして、以上の工程の後、ＭＲ素子３が記
録媒体対向面Ｍに露出するように記録媒体対向面Ｍを研
磨加工する研磨工程や、第２の導体８，９の後端部の電
極部分に外部接続用の接続端子１３，１４を形成する端
子形成工程等の後工程を施すことにより、本実施の形態
に係るＭＲヘッドが完成する。そして、このＭＲヘッド
では、上述したように、第１の導体６，７や第２の導体
８，９がシールドギャップ間隔ｇ１に影響しないため、
シールドギャップ間隔ｇ１を狭くすることができる。
録媒体対向面Ｍに露出するように記録媒体対向面Ｍを研
磨加工する研磨工程や、第２の導体８，９の後端部の電
極部分に外部接続用の接続端子１３，１４を形成する端
子形成工程等の後工程を施すことにより、本実施の形態
に係るＭＲヘッドが完成する。そして、このＭＲヘッド
では、上述したように、第１の導体６，７や第２の導体
８，９がシールドギャップ間隔ｇ１に影響しないため、
シールドギャップ間隔ｇ１を狭くすることができる。
【００７１】第２の実施の形態 一般に、ＭＲヘッドは、ＭＲ素子内における磁壁の移動
によってバルクハウゼンノイズが発生するという問題が
ある。そして、このバルクハウゼンノイズを低減する方
法として、ＭＲ素子に磁場を印加してＭＲ素子を単磁区
化する方法が知られている。そこで、本実施の形態に係
るＭＲヘッドでは、ＭＲ素子の両端部分に磁性層を配
し、この磁性層によってＭＲ素子に磁場を印加するよう
にする。
によってバルクハウゼンノイズが発生するという問題が
ある。そして、このバルクハウゼンノイズを低減する方
法として、ＭＲ素子に磁場を印加してＭＲ素子を単磁区
化する方法が知られている。そこで、本実施の形態に係
るＭＲヘッドでは、ＭＲ素子の両端部分に磁性層を配
し、この磁性層によってＭＲ素子に磁場を印加するよう
にする。
【００７２】本実施の形態に係るＭＲヘッドの構造を図
１７〜図２０に示す。ここで、図１７は、本実施の形態
に係るＭＲヘッドの配線パターンを示す平面図であり、
図１８は、図１７中の線分Ｄ−Ｄ’での断面図であり、
図１９は、図１７中の線分Ｅ−Ｅ’での断面図であり、
図２０は、図１７中の線分Ｆ−Ｆ’での断面図である。
なお、第１の実施の形態に係るＭＲヘッドと同様な部分
については、第１の実施の形態に係るＭＲヘッドの場合
と同じ符号を付している。
１７〜図２０に示す。ここで、図１７は、本実施の形態
に係るＭＲヘッドの配線パターンを示す平面図であり、
図１８は、図１７中の線分Ｄ−Ｄ’での断面図であり、
図１９は、図１７中の線分Ｅ−Ｅ’での断面図であり、
図２０は、図１７中の線分Ｆ−Ｆ’での断面図である。
なお、第１の実施の形態に係るＭＲヘッドと同様な部分
については、第１の実施の形態に係るＭＲヘッドの場合
と同じ符号を付している。
【００７３】これらの図に示すように、このＭＲヘッド
は、バイアス用導体４上にＭＲ素子３が積層されたＭＲ
素子部５の両端部分、すなわち第１の導体６，７の下層
にそれぞれ磁性層３１，３２が配されている。
は、バイアス用導体４上にＭＲ素子３が積層されたＭＲ
素子部５の両端部分、すなわち第１の導体６，７の下層
にそれぞれ磁性層３１，３２が配されている。
【００７４】上記磁性層３１，３２は、膜厚が約１０ｎ
ｍのＣｒからなる導体膜と、保磁力の大きなＣｏ系の硬
磁性材料からなる強磁性膜と、Ｃｒからなる導体膜とが
積層された３層構造となっている。
ｍのＣｒからなる導体膜と、保磁力の大きなＣｏ系の硬
磁性材料からなる強磁性膜と、Ｃｒからなる導体膜とが
積層された３層構造となっている。
【００７５】ここで、強磁性膜の下層に形成された導体
膜は、強磁性膜の下地となり、強磁性膜の保磁力を向上
させるためのものである。また、強磁性膜は、ＭＲ素子
を単磁区化させるためのものであり、例えば、Ｃｏ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ等の強磁性
合金からなる。また、強磁性膜上に形成された導体膜
は、このＭＲヘッドの形成過程における強磁性膜の酸化
を防止するととともに、磁性層３１，３２上に形成され
る絶縁層１０ａに溝部を形成する際に、強磁性膜がエッ
チングダメージを受けないようにするためのものであ
る。
膜は、強磁性膜の下地となり、強磁性膜の保磁力を向上
させるためのものである。また、強磁性膜は、ＭＲ素子
を単磁区化させるためのものであり、例えば、Ｃｏ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ等の強磁性
合金からなる。また、強磁性膜上に形成された導体膜
は、このＭＲヘッドの形成過程における強磁性膜の酸化
を防止するととともに、磁性層３１，３２上に形成され
る絶縁層１０ａに溝部を形成する際に、強磁性膜がエッ
チングダメージを受けないようにするためのものであ
る。
【００７６】本実施の形態に係るＭＲヘッドは、以上の
ような磁性層３１，３２を有している他は、第１の実施
の形態に係るＭＲヘッドと同様な構成とされている。そ
して、このＭＲヘッドでは、磁性層３１，３２からの磁
場の影響により、ＭＲ素子３が単磁区化し、ＭＲ素子３
内における磁壁の移動によるバルクハウゼンノイズの発
生が防止される。
ような磁性層３１，３２を有している他は、第１の実施
の形態に係るＭＲヘッドと同様な構成とされている。そ
して、このＭＲヘッドでは、磁性層３１，３２からの磁
場の影響により、ＭＲ素子３が単磁区化し、ＭＲ素子３
内における磁壁の移動によるバルクハウゼンノイズの発
生が防止される。
【００７７】ところで、上記磁性層３１，３２は導電性
を有しているので、このＭＲヘッドにおいて、センス電
流は、第１の導体６，７から磁性層３１，３２を介して
ＭＲ素子部５に供給される。したがって、ＭＲ素子部５
のうち、記録媒体からの磁界を検出するのに有効な部分
は、磁性層３１と磁性層３２の間の部分となる。すなわ
ち、このＭＲヘッドでは、磁性層３１と磁性層３２の間
隔Ｔ２がトラック幅となり、磁性層３１，３２によって
トラック幅が規制されることとなる。
を有しているので、このＭＲヘッドにおいて、センス電
流は、第１の導体６，７から磁性層３１，３２を介して
ＭＲ素子部５に供給される。したがって、ＭＲ素子部５
のうち、記録媒体からの磁界を検出するのに有効な部分
は、磁性層３１と磁性層３２の間の部分となる。すなわ
ち、このＭＲヘッドでは、磁性層３１と磁性層３２の間
隔Ｔ２がトラック幅となり、磁性層３１，３２によって
トラック幅が規制されることとなる。
【００７８】つぎに、以上のようなＭＲヘッドの製造方
法について、図２１〜図２３を参照しながら説明する。
ここで、図２１〜図２３は、図１７中の線分Ｄ−Ｄ’で
の断面部の様子を製造工程順に示したものである。な
お、本実施の形態に係るＭＲヘッドの製造方法は、第１
の導体６，７を形成する前に磁性層３１，３２を形成す
る他は、第１の実施の形態に係るＭＲヘッドの製造方法
と同様である。
法について、図２１〜図２３を参照しながら説明する。
ここで、図２１〜図２３は、図１７中の線分Ｄ−Ｄ’で
の断面部の様子を製造工程順に示したものである。な
お、本実施の形態に係るＭＲヘッドの製造方法は、第１
の導体６，７を形成する前に磁性層３１，３２を形成す
る他は、第１の実施の形態に係るＭＲヘッドの製造方法
と同様である。
【００７９】上記ＭＲヘッドを作製する際は、先ず、第
１の実施の形態と同様に、第１の軟磁性基板１上に絶縁
層２を形成し、更に絶縁層２上にＭＲ素子部５を形成す
る。このとき、本実施の形態では、図２１に示すよう
に、ＭＲ素子部５の感磁部となる部分の両端に、上述し
たような磁性層３１，３２を形成する。ここで、上述し
たように、磁性層３１と磁性層３２の間隔Ｔ２が、この
ＭＲヘッドのトラック幅となる。そこで、磁性層３１，
３２は、磁性層３１と磁性層３２の間の距離が所望する
トラック幅となるように形成する。
１の実施の形態と同様に、第１の軟磁性基板１上に絶縁
層２を形成し、更に絶縁層２上にＭＲ素子部５を形成す
る。このとき、本実施の形態では、図２１に示すよう
に、ＭＲ素子部５の感磁部となる部分の両端に、上述し
たような磁性層３１，３２を形成する。ここで、上述し
たように、磁性層３１と磁性層３２の間隔Ｔ２が、この
ＭＲヘッドのトラック幅となる。そこで、磁性層３１，
３２は、磁性層３１と磁性層３２の間の距離が所望する
トラック幅となるように形成する。
【００８０】次に、図２２に示すように、絶縁層２、Ｍ
Ｒ素子部５及び磁性層３１，３２上に、Ａｌ2 Ｏ3 やＳ
ｉＯ2 等からなる絶縁層１０ａを、スパッタ等によって
０．１μｍ程度形成する。なお、この絶縁層１０ａは、
ＮｉＯ等のような反強磁性特性を有する絶縁材料によっ
て形成してもよい。
Ｒ素子部５及び磁性層３１，３２上に、Ａｌ2 Ｏ3 やＳ
ｉＯ2 等からなる絶縁層１０ａを、スパッタ等によって
０．１μｍ程度形成する。なお、この絶縁層１０ａは、
ＮｉＯ等のような反強磁性特性を有する絶縁材料によっ
て形成してもよい。
【００８１】次に、磁性層３１，３２の一部が露出する
ように、絶縁層１０ａに、媒体摺動面に対して略垂直方
向に２つの溝部を形成する。ここで、溝部は、図２３に
示すように、溝部に対応した逆テーパー状の開口部を有
するレジスト２０を絶縁層１０ａ上に形成し、当該レジ
スト２０をマスクとして絶縁層１０ａをイオンミリング
等によりエッチングすることによって形成する。このと
き、磁性層３１，３２の最上層は、Ｃｒからなる導電膜
であり、この導電膜によって磁性層３１，３２内の強磁
性膜は保護される。したがって、磁性層３１，３２内の
強磁性膜がこのエッチング工程によってダメージを受け
るようなことはない。
ように、絶縁層１０ａに、媒体摺動面に対して略垂直方
向に２つの溝部を形成する。ここで、溝部は、図２３に
示すように、溝部に対応した逆テーパー状の開口部を有
するレジスト２０を絶縁層１０ａ上に形成し、当該レジ
スト２０をマスクとして絶縁層１０ａをイオンミリング
等によりエッチングすることによって形成する。このと
き、磁性層３１，３２の最上層は、Ｃｒからなる導電膜
であり、この導電膜によって磁性層３１，３２内の強磁
性膜は保護される。したがって、磁性層３１，３２内の
強磁性膜がこのエッチング工程によってダメージを受け
るようなことはない。
【００８２】ところで、ＭＲ素子部５は、エッチングダ
メージを受けると、磁気的に不安定となり、駆動したと
きにバルクハウゼンノイズを生じてしまう。そこで、上
述のように溝部を形成する際は、レジスト２０に形成す
る開口部を、ＭＲ素子部５が露出しないように、磁性層
３１，３２の幅よりも狭く形成する。このように、ＭＲ
素子部５が露出しないようにすることにより、絶縁層１
０ａをエッチングする際に、ＭＲ素子部５がエッチング
ダメージを受けるのを防止することができる。そして、
この結果、エッチングダメージに起因するバルクハウゼ
ンノイズの発生を防止することができる。
メージを受けると、磁気的に不安定となり、駆動したと
きにバルクハウゼンノイズを生じてしまう。そこで、上
述のように溝部を形成する際は、レジスト２０に形成す
る開口部を、ＭＲ素子部５が露出しないように、磁性層
３１，３２の幅よりも狭く形成する。このように、ＭＲ
素子部５が露出しないようにすることにより、絶縁層１
０ａをエッチングする際に、ＭＲ素子部５がエッチング
ダメージを受けるのを防止することができる。そして、
この結果、エッチングダメージに起因するバルクハウゼ
ンノイズの発生を防止することができる。
【００８３】そして、この後は、第１の実施の形態と同
様な工程を施すことにより、本実施の形態に係るＭＲヘ
ッドが完成する。
様な工程を施すことにより、本実施の形態に係るＭＲヘ
ッドが完成する。
【００８４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、磁気抵抗効果素子に接続された導体を絶縁層に埋
め込むように形成しているので、シールドギャップ間隔
を小さくすることができる。したがって、本発明によれ
ば、良好な周波数特性を有し、且つノイズの発生が少な
いＭＲヘッドを提供することができる。
では、磁気抵抗効果素子に接続された導体を絶縁層に埋
め込むように形成しているので、シールドギャップ間隔
を小さくすることができる。したがって、本発明によれ
ば、良好な周波数特性を有し、且つノイズの発生が少な
いＭＲヘッドを提供することができる。
【００８５】また、本発明では、磁気抵抗効果素子に接
続された導体を絶縁層に埋め込むように形成しているの
で、導体上に形成された絶縁層をエッチングするような
工程を要することなく、シールドギャップ間隔を小さく
することができる。すなわち、本発明では、シールドギ
ャップ間隔を小さくしても、ＭＲヘッド製造時の工数が
少なくても済む。したがって、本発明によれば、良好な
周波数特性を有し、且つノイズの発生が少ない高性能な
ＭＲヘッドを、低コストで製造することが可能となる。
続された導体を絶縁層に埋め込むように形成しているの
で、導体上に形成された絶縁層をエッチングするような
工程を要することなく、シールドギャップ間隔を小さく
することができる。すなわち、本発明では、シールドギ
ャップ間隔を小さくしても、ＭＲヘッド製造時の工数が
少なくても済む。したがって、本発明によれば、良好な
周波数特性を有し、且つノイズの発生が少ない高性能な
ＭＲヘッドを、低コストで製造することが可能となる。
【図１】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドの配線パタ
ーンを模式的に示す平面図である。
ーンを模式的に示す平面図である。
【図２】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについて、
図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を示す断面図である。
図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を示す断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについて、
図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断面を示す断面図である。
図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断面を示す断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについて、
図１中の線分Ｃ−Ｃ’での断面を示す断面図である。
図１中の線分Ｃ−Ｃ’での断面を示す断面図である。
【図５】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについて、
その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を
示す断面図である。
その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を
示す断面図である。
【図６】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについて、
その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を
示す断面図である。
その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を
示す断面図である。
【図７】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについて、
その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を
示す断面図である。
その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を
示す断面図である。
【図８】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについて、
その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を
示す断面図である。
その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を
示す断面図である。
【図９】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについて、
その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を
示す断面図である。
その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断面を
示す断面図である。
【図１０】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断
面を示す断面図である。
て、その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断
面を示す断面図である。
【図１１】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、その製造過程における図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断
面を示す断面図である。
て、その製造過程における図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断
面を示す断面図である。
【図１２】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、その製造過程における図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断
面を示す断面図である。
て、その製造過程における図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断
面を示す断面図である。
【図１３】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、その製造過程における図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断
面を示す断面図である。
て、その製造過程における図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断
面を示す断面図である。
【図１４】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、その製造過程における図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断
面を示す断面図である。
て、その製造過程における図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断
面を示す断面図である。
【図１５】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、その製造過程における図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断
面を示す断面図である。
て、その製造過程における図１中の線分Ｂ−Ｂ’での断
面を示す断面図である。
【図１６】第１の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断
面を示す断面図である。
て、その製造過程における図１中の線分Ａ−Ａ’での断
面を示す断面図である。
【図１７】第２の実施の形態に係るＭＲヘッドの配線パ
ターンを模式的に示す平面図である。
ターンを模式的に示す平面図である。
【図１８】第２の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、図１７中の線分Ｄ−Ｄ’での断面を示す断面図であ
る。
て、図１７中の線分Ｄ−Ｄ’での断面を示す断面図であ
る。
【図１９】第２の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、図１７中の線分Ｅ−Ｅ’での断面を示す断面図であ
る。
て、図１７中の線分Ｅ−Ｅ’での断面を示す断面図であ
る。
【図２０】第２の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、図１７中の線分Ｆ−Ｆ’での断面を示す断面図であ
る。
て、図１７中の線分Ｆ−Ｆ’での断面を示す断面図であ
る。
【図２１】第２の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、その製造過程における図１７中の線分Ｄ−Ｄ’での
断面を示す断面図である。
て、その製造過程における図１７中の線分Ｄ−Ｄ’での
断面を示す断面図である。
【図２２】第２の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、その製造過程における図１７中の線分Ｄ−Ｄ’での
断面を示す断面図である。
て、その製造過程における図１７中の線分Ｄ−Ｄ’での
断面を示す断面図である。
【図２３】第２の実施の形態に係るＭＲヘッドについ
て、その製造過程における図１７中の線分Ｄ−Ｄ’での
断面を示す断面図である。
て、その製造過程における図１７中の線分Ｄ−Ｄ’での
断面を示す断面図である。
【図２４】従来のＭＲヘッドの一例について、その配線
パターンを模式的に示す平面図である。
パターンを模式的に示す平面図である。
【図２５】図２４に示したＭＲヘッドについて、図２４
中の線分Ｉ−Ｉ’での断面を示す断面図である。
中の線分Ｉ−Ｉ’での断面を示す断面図である。
【図２６】図２４に示したＭＲヘッドについて、図２４
中の線分Ｊ−Ｊ’での断面を示す断面図である。
中の線分Ｊ−Ｊ’での断面を示す断面図である。
【図２７】図２４に示したＭＲヘッドの概略斜視図であ
る。
る。
【図２８】従来のＭＲヘッドの他の例について、その配
線パターンを模式的に示す平面図である。
線パターンを模式的に示す平面図である。
【図２９】図２８に示したＭＲヘッドについて、図２８
中の線分Ｋ−Ｋ’での断面を示す断面図である。
中の線分Ｋ−Ｋ’での断面を示す断面図である。
１ 第１の軟磁性基板、 ２ 絶縁層、 ３ ＭＲ素
子、 ４ バイアス用導体、 ５ ＭＲ素子部、 ６，
７ 第１の導体、 ８，９ 第２の導体、 １０ａ，１
０ｂ 絶縁層、 １１ 接着剤、 １２ 第２の軟磁性
基板、 １３，１４ 接続端子、 ２０ レジスト、
２１ 導体膜、 ２２ レジスト、 ２３導体膜、 ３
１，３２ 磁性層、 ｇ１ シールドギャップ間隔
子、 ４ バイアス用導体、 ５ ＭＲ素子部、 ６，
７ 第１の導体、 ８，９ 第２の導体、 １０ａ，１
０ｂ 絶縁層、 １１ 接着剤、 １２ 第２の軟磁性
基板、 １３，１４ 接続端子、 ２０ レジスト、
２１ 導体膜、 ２２ レジスト、 ２３導体膜、 ３
１，３２ 磁性層、 ｇ１ シールドギャップ間隔
Claims (10)
- 【請求項１】 絶縁層を介して一対の軟磁性体に狭持さ
れた磁気抵抗効果素子と、 上記磁気抵抗効果素子に接続された導体とを備え、 上記導体が、上記絶縁層に形成された溝部に埋め込まれ
ていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上記軟磁性体の一方は、接着剤によって
上記絶縁層に接着されていることを特徴とする請求項１
記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上記導体に、当該導体よりも比抵抗の小
さい第２の導体が接続されていることを特徴とする請求
項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項４】 上記磁気抵抗効果素子の両端部に磁性層
が配されていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項５】 上記磁性層は、導電性を有し、一方の磁
性層と他方の磁性層との間隔によって、トラック幅が規
定されていることを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。 - 【請求項６】 絶縁層を介して一対の軟磁性体に狭持さ
れた磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子に接続
された導体とを備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造
方法において、 上記導体を形成する際に、上記絶縁層をエッチングして
溝部を形成し、当該溝部内に上記導体を形成することを
特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 上記軟磁性体の一方を、接着剤によって
上記絶縁層に接着することを特徴とする請求項６記載の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 上記導体を形成した後、当該導体に接続
するように、当該導体よりも比抵抗の小さい第２の導体
を形成することを特徴とする請求項６記載の磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 上記磁気抵抗効果素子を形成した後、当
該磁気抵抗効果素子の両端部に磁性層を形成することを
特徴とする請求項６記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項１０】 上記磁性層間の間隔によって、トラッ
ク幅を規定することを特徴とする請求項６記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8152539A JPH103617A (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US08/873,105 US6031691A (en) | 1996-06-13 | 1997-06-11 | Magnetoresistance effect magnetic head and manufacturing method therefor |
| KR1019970024642A KR980004395A (ko) | 1996-06-13 | 1997-06-13 | 자기 저항 효과 자기 헤드 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8152539A JPH103617A (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH103617A true JPH103617A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15542669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8152539A Withdrawn JPH103617A (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6031691A (ja) |
| JP (1) | JPH103617A (ja) |
| KR (1) | KR980004395A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6387285B1 (en) | 1998-11-18 | 2002-05-14 | Tdk Corporation | Method of manufacturing thin-film magnetic head |
| US6671133B1 (en) | 1998-11-19 | 2003-12-30 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6278594B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-08-21 | Storage Technology Corporation | Dual element magnetoresistive read head with integral element stabilization |
| US6385016B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-05-07 | Seagate Technology Llc | Magnetic read head with an insulator layer between an MR sensor and rear portions of current contacts to provide enhanced sensitivity |
| US8098463B2 (en) * | 2008-07-30 | 2012-01-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Current perpendicular to plane magnetoresistance read head design using a current confinement structure proximal to an air bearing surface |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3987485A (en) * | 1973-02-20 | 1976-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head with thin film components |
| US5296987A (en) * | 1992-06-05 | 1994-03-22 | Hewlett-Packard Company | Tapered conductors for magnetoresistive transducers |
| JPH06251339A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びバイアス特性測定方法 |
-
1996
- 1996-06-13 JP JP8152539A patent/JPH103617A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-06-11 US US08/873,105 patent/US6031691A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-13 KR KR1019970024642A patent/KR980004395A/ko not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6387285B1 (en) | 1998-11-18 | 2002-05-14 | Tdk Corporation | Method of manufacturing thin-film magnetic head |
| US6671133B1 (en) | 1998-11-19 | 2003-12-30 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6031691A (en) | 2000-02-29 |
| KR980004395A (ko) | 1998-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |