JPH07130615A - 微細パターンの形成方法 - Google Patents
微細パターンの形成方法Info
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- JPH07130615A JPH07130615A JP27148093A JP27148093A JPH07130615A JP H07130615 A JPH07130615 A JP H07130615A JP 27148093 A JP27148093 A JP 27148093A JP 27148093 A JP27148093 A JP 27148093A JP H07130615 A JPH07130615 A JP H07130615A
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- Japan
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- light
- pattern
- photomask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光装置の解像度を上回る微細な寸法のライ
ンおよびスペースを有するパターンを高精度に転写す
る。 【構成】 フォトマスクに形成された所定のラインおよ
びスペースを有する一群の遮光パターンを転写する際、
遮光パターンのライン部ｂとスペース部ａとを２つのフ
ォトマスクに分けて形成し、露光装置の解像度を上回る
微細な寸法のライン部ｂは位相シフトマスクを使って露
光し、スペース部ａは露光装置の解像度に見合った従来
型フォトマスクを使って露光することにより、ライン部
ｂとスペース部ａとを矛盾なく転写する。
ンおよびスペースを有するパターンを高精度に転写す
る。 【構成】 フォトマスクに形成された所定のラインおよ
びスペースを有する一群の遮光パターンを転写する際、
遮光パターンのライン部ｂとスペース部ａとを２つのフ
ォトマスクに分けて形成し、露光装置の解像度を上回る
微細な寸法のライン部ｂは位相シフトマスクを使って露
光し、スペース部ａは露光装置の解像度に見合った従来
型フォトマスクを使って露光することにより、ライン部
ｂとスペース部ａとを矛盾なく転写する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細パターンの形成技
術に関し、特に、位相シフトマスクを用いた微細パター
ンの形成に適用して有効な技術に関するものである。
術に関し、特に、位相シフトマスクを用いた微細パター
ンの形成に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスク（レチクル）の遮光領域を
挟む一対の光透過領域の一方に位相シフタを設け、この
一対の光透過領域を透過する二つの光の位相を互いに反
転させることによって、半導体ウエハ上の二つの光の境
界部における光の強度を弱める位相シフト技術が注目さ
れている（特公昭６２−５９２９６号公報など）。
挟む一対の光透過領域の一方に位相シフタを設け、この
一対の光透過領域を透過する二つの光の位相を互いに反
転させることによって、半導体ウエハ上の二つの光の境
界部における光の強度を弱める位相シフト技術が注目さ
れている（特公昭６２−５９２９６号公報など）。
【０００３】図５は、一例として半導体ウエハに形成さ
れるゲート電極のパターン１０を、図６は、このパター
ン１０の形成に使用する位相シフトマスク１１をそれぞ
れ示す。位相シフトマスク１１は、透明なガラス基板１
２の一面に上記パターン１０に対応する遮光パターン１
３を形成し、光透過領域の一部に光の位相を約１８０度
反転させる位相シフタ１４を配置した構成になってい
る。
れるゲート電極のパターン１０を、図６は、このパター
ン１０の形成に使用する位相シフトマスク１１をそれぞ
れ示す。位相シフトマスク１１は、透明なガラス基板１
２の一面に上記パターン１０に対応する遮光パターン１
３を形成し、光透過領域の一部に光の位相を約１８０度
反転させる位相シフタ１４を配置した構成になってい
る。
【０００４】ところで、半導体集積回路装置の製造工程
で広く使用されているポジ型のフォトレジストを使って
上記位相シフトマスク１１の遮光パターン１３をウエハ
側に転写しようとすると、位相シフタ１４のエッジ部に
対応する領域で光強度が零になるため、図７に示すよう
に、現像後のレジストパターン１８の一部にレジスト残
り１５が発生することが知られている。
で広く使用されているポジ型のフォトレジストを使って
上記位相シフトマスク１１の遮光パターン１３をウエハ
側に転写しようとすると、位相シフタ１４のエッジ部に
対応する領域で光強度が零になるため、図７に示すよう
に、現像後のレジストパターン１８の一部にレジスト残
り１５が発生することが知られている。
【０００５】その対策として、図８に示すように、前記
遮光パターン１３をブローデン(broaden) した遮光パタ
ーン１６を通常のフォトマスク１７に形成し、このフォ
トマスク１７と前記位相シフトマスク１１とを重ね露光
することによって、レジスト残り１５の発生を防止する
ことが考えられる。この場合、上記遮光パターン１６の
ブローデン量は、重ね露光の際の重ね合わせ精度に依存
し、現状の技術では、片側0.１〔μｍ〕程度が必要であ
る。
遮光パターン１３をブローデン(broaden) した遮光パタ
ーン１６を通常のフォトマスク１７に形成し、このフォ
トマスク１７と前記位相シフトマスク１１とを重ね露光
することによって、レジスト残り１５の発生を防止する
ことが考えられる。この場合、上記遮光パターン１６の
ブローデン量は、重ね露光の際の重ね合わせ精度に依存
し、現状の技術では、片側0.１〔μｍ〕程度が必要であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記の重
ね露光技術を検討した結果、次のような問題点を見出し
た。
ね露光技術を検討した結果、次のような問題点を見出し
た。
【０００７】例えば解像度が0.３〔μｍ〕の露光装置を
使って、前記図６に示す位相シフトマスク１１と図８に
示すフォトマスク１７を重ね露光する場合、前記図５に
示すパターン１０のスペース部ａ（隣接するパターン１
０とのスペースが最小になる箇所）の寸法を0.４〔μ
ｍ〕、図８に示す遮光パターン１６のブローデン量を片
側0.１〔μｍ〕とすると、上記パターン１０のスペース
部ａに対応する遮光パターン１６のスペース部ａ' の寸
法は、0.２〔μｍ〕となる。
使って、前記図６に示す位相シフトマスク１１と図８に
示すフォトマスク１７を重ね露光する場合、前記図５に
示すパターン１０のスペース部ａ（隣接するパターン１
０とのスペースが最小になる箇所）の寸法を0.４〔μ
ｍ〕、図８に示す遮光パターン１６のブローデン量を片
側0.１〔μｍ〕とすると、上記パターン１０のスペース
部ａに対応する遮光パターン１６のスペース部ａ' の寸
法は、0.２〔μｍ〕となる。
【０００８】すなわち、この場合は、スペース部ａ' の
寸法が露光装置の解像度（0.３〔μｍ〕）を上回るた
め、ウエハ側のスペース部ａ' に対応する領域で光の強
度が非常に弱くなり、レジスト残りの発生の防止を目的
とした重ね露光の効果が失われてしまう。
寸法が露光装置の解像度（0.３〔μｍ〕）を上回るた
め、ウエハ側のスペース部ａ' に対応する領域で光の強
度が非常に弱くなり、レジスト残りの発生の防止を目的
とした重ね露光の効果が失われてしまう。
【０００９】本発明の目的は、位相シフトマスクを用い
た微細パターンの形成技術を提供することにある。
た微細パターンの形成技術を提供することにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１２】フォトマスクに形成された所定のラインお
よびスペースを有する一群の遮光パターンを転写する
際、前記遮光パターンのライン部を形成するための第１
のフォトマスクと、前記遮光パターンのスペース部を形
成するための第２のフォトマスクとを用意し、これらを
重ね合わせて露光する。
よびスペースを有する一群の遮光パターンを転写する
際、前記遮光パターンのライン部を形成するための第１
のフォトマスクと、前記遮光パターンのスペース部を形
成するための第２のフォトマスクとを用意し、これらを
重ね合わせて露光する。
【００１３】
【作用】上記した手段によれば、遮光パターンのライン
部とスペース部とを２つのフォトマスクに分けて形成
し、露光装置の解像度を上回る微細な寸法のライン部は
位相シフトマスクを使って露光し、スペース部は露光装
置の解像度に見合った従来型フォトマスクを使って露光
することにより、遮光パターンのライン部とスペース部
とを矛盾なく転写することができる。
部とスペース部とを２つのフォトマスクに分けて形成
し、露光装置の解像度を上回る微細な寸法のライン部は
位相シフトマスクを使って露光し、スペース部は露光装
置の解像度に見合った従来型フォトマスクを使って露光
することにより、遮光パターンのライン部とスペース部
とを矛盾なく転写することができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【００１５】（実施例１）図１は本実施例で使用する第
１のフォトマスクの要部平面図、図２は同じく第２のフ
ォトマスクの要部平面図である。
１のフォトマスクの要部平面図、図２は同じく第２のフ
ォトマスクの要部平面図である。
【００１６】図１に示す第１のフォトマスク１は、前記
図５に示すゲート電極のパターン１０のライン部ｂを転
写するためのものである。このフォトマスク１のガラス
基板２の一面には、上記パターン１０のライン部ｂとス
ペース部ａとが共に遮光部となるような遮光パターン３
が形成され、光透過領域の一部には光の位相を約１８０
度反転させる位相シフタ４が配置されている。パターン
１０のライン部ｂの寸法（ゲート幅）は、例えば0.２
〔μｍ〕である。
図５に示すゲート電極のパターン１０のライン部ｂを転
写するためのものである。このフォトマスク１のガラス
基板２の一面には、上記パターン１０のライン部ｂとス
ペース部ａとが共に遮光部となるような遮光パターン３
が形成され、光透過領域の一部には光の位相を約１８０
度反転させる位相シフタ４が配置されている。パターン
１０のライン部ｂの寸法（ゲート幅）は、例えば0.２
〔μｍ〕である。
【００１７】図２に示す第２のフォトマスク５は、前記
図５に示すゲート電極のパターン１０のスペース部ａを
転写するためのものである。このフォトマスク５のガラ
ス基板２の一面には、上記パターン１０のスペース部ａ
が光透過部となるような遮光パターン６が形成されてい
る。パターン１０のスペース部ａの寸法は、例えば0.４
〔μｍ〕である。
図５に示すゲート電極のパターン１０のスペース部ａを
転写するためのものである。このフォトマスク５のガラ
ス基板２の一面には、上記パターン１０のスペース部ａ
が光透過部となるような遮光パターン６が形成されてい
る。パターン１０のスペース部ａの寸法は、例えば0.４
〔μｍ〕である。
【００１８】ここで、例えば解像度が0.３〔μｍ〕のｉ
線縮小露光装置と汎用のポジ型フォトレジストを使って
上記第１のフォトマスク１と第２のフォトマスク２を重
ね露光する。このとき、パターン１０のライン部ｂは、
その寸法が露光装置の解像度（0.３〔μｍ〕）を上回っ
ているが、光透過領域の一部に位相シフタ４を配置して
いることから、高精度の転写が可能である。また、パタ
ーン１０のスペース部ａは、その寸法が露光装置の解像
度を下回っているので高精度の転写が可能である。
線縮小露光装置と汎用のポジ型フォトレジストを使って
上記第１のフォトマスク１と第２のフォトマスク２を重
ね露光する。このとき、パターン１０のライン部ｂは、
その寸法が露光装置の解像度（0.３〔μｍ〕）を上回っ
ているが、光透過領域の一部に位相シフタ４を配置して
いることから、高精度の転写が可能である。また、パタ
ーン１０のスペース部ａは、その寸法が露光装置の解像
度を下回っているので高精度の転写が可能である。
【００１９】このように、本実施例によれば、解像度の
高いポジ型のフォトレジストを使用し、レジスト残りが
発生することなく、露光装置の解像度を上回る微細な寸
法のライン部ｂを有するパターン１０を高精度に転写す
ることができる。
高いポジ型のフォトレジストを使用し、レジスト残りが
発生することなく、露光装置の解像度を上回る微細な寸
法のライン部ｂを有するパターン１０を高精度に転写す
ることができる。
【００２０】（実施例２）図３は本実施例で使用する第
１のフォトマスクの要部平面図、図４は同じく第２のフ
ォトマスクの要部平面図である。
１のフォトマスクの要部平面図、図４は同じく第２のフ
ォトマスクの要部平面図である。
【００２１】図３に示す第１のフォトマスク１は、前記
図５に示すゲート電極のパターン１０のライン部ｂを転
写するためのものであって、前記実施例１のフォトマス
ク１と同じものである。
図５に示すゲート電極のパターン１０のライン部ｂを転
写するためのものであって、前記実施例１のフォトマス
ク１と同じものである。
【００２２】一方、図４に示す第２のフォトマスク７
は、前記実施例２のフォトマスク５の遮光パターン６の
一部に露光装置の解像度以下の寸法を有する光透過領域
８を設け、この光透過領域８上に位相シフタ９を配置し
た構成になっているので、パターン１０のスペース部ａ
に相当する領域（光透過部）を透過する光の位相と光透
過領域８を透過する光の位相を互いに反転させることが
できる。
は、前記実施例２のフォトマスク５の遮光パターン６の
一部に露光装置の解像度以下の寸法を有する光透過領域
８を設け、この光透過領域８上に位相シフタ９を配置し
た構成になっているので、パターン１０のスペース部ａ
に相当する領域（光透過部）を透過する光の位相と光透
過領域８を透過する光の位相を互いに反転させることが
できる。
【００２３】従って、上記フォトマスク７と前記第１の
フォトマスク１とを重ね露光することにより、パターン
１０のスペース部ａの寸法が露光装置の解像度を上回っ
ている場合でも高精度の転写が可能になる。すなわち、
本実施例によれば、解像度の高いポジ型のフォトレジス
トを使用し、レジスト残りが発生することなく、露光装
置の解像度を上回る微細な寸法のライン部ｂおよびスペ
ース部ａを有するパターン１０を高精度に転写すること
ができる。
フォトマスク１とを重ね露光することにより、パターン
１０のスペース部ａの寸法が露光装置の解像度を上回っ
ている場合でも高精度の転写が可能になる。すなわち、
本実施例によれば、解像度の高いポジ型のフォトレジス
トを使用し、レジスト残りが発生することなく、露光装
置の解像度を上回る微細な寸法のライン部ｂおよびスペ
ース部ａを有するパターン１０を高精度に転写すること
ができる。
【００２４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２５】前記実施例では、ゲート電極のパターンの
転写に適用した場合について説明したが、配線パターン
その他微細なラインおよびスペースを有する遮光パター
ンの転写に適用することができる。また、半導体ウエハ
のみならず、液晶表示素子やプリント配線基板などの微
細パターンの形成に広く適用することができる。
転写に適用した場合について説明したが、配線パターン
その他微細なラインおよびスペースを有する遮光パター
ンの転写に適用することができる。また、半導体ウエハ
のみならず、液晶表示素子やプリント配線基板などの微
細パターンの形成に広く適用することができる。
【００２６】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００２７】本発明によれば、解像度の高いポジ型のフ
ォトレジストを使用し、レジスト残りが発生することな
く、露光装置の解像度を上回る微細な寸法のラインおよ
びスペースを有するパターンを高精度に転写することが
できる。
ォトレジストを使用し、レジスト残りが発生することな
く、露光装置の解像度を上回る微細な寸法のラインおよ
びスペースを有するパターンを高精度に転写することが
できる。
【図１】本発明の一実施例である第１のフォトマスクの
要部平面図である。
要部平面図である。
【図２】本発明の一実施例である第２のフォトマスクの
要部平面図である。
要部平面図である。
【図３】本発明の他の実施例である第１のフォトマスク
の要部平面図である。
の要部平面図である。
【図４】本発明の他の実施例である第２のフォトマスク
の要部平面図である。
の要部平面図である。
【図５】ゲート電極のパターンの一例を示す要部平面図
である。
である。
【図６】図５に示すパターンの形成に使用する位相シフ
トマスクを示す要部平面図である。
トマスクを示す要部平面図である。
【図７】レジスト残りのパターンを示す要部平面図であ
る。
る。
【図８】図６の位相シフトマスクと重ね露光するフォト
マスクの要部平面図である。
マスクの要部平面図である。
１ フォトマスク ２ ガラス基板 ３ 遮光パターン ４ 位相シフタ ５ フォトマスク ６ 遮光パターン ７ フォトマスク ８ 光透過領域 ９ 位相シフタ １０ パターン １１ 位相シフトマスク １２ ガラス基板 １３ 遮光パターン １４ 位相シフタ １５ レジスト残り １６ 遮光パターン １７ フォトマスク １８ レジストパターン
Claims (3)
- 【請求項１】 フォトマスクに形成された所定のライン
およびスペースを有する一群の遮光パターンを転写する
際、前記遮光パターンのライン部を形成するための第１
のフォトマスクと、前記遮光パターンのスペース部を形
成するための第２のフォトマスクとを重ね合わせて露光
することを特徴とする微細パターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記第１のフォトマスクの光透過領域の
一部に位相シフタを配置することを特徴とする請求項１
記載の微細パターンの形成方法。 - 【請求項３】 前記第２のフォトマスクの遮光パターン
の一部に露光装置の解像度以下の寸法を有する光透過領
域を設け、前記光透過領域に位相シフタを配置すること
を特徴とする請求項１または２記載の微細パターンの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27148093A JP3479329B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27148093A JP3479329B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130615A true JPH07130615A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3479329B2 JP3479329B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=17500635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27148093A Expired - Lifetime JP3479329B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3479329B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283925A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Hitachi Ltd | 露光方法及び素子の形成方法並びに半導体素子の製造方法 |
| JPH0410407A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Hitachi Ltd | パターン構造を有する素子の製造方法 |
| JPH0590121A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27148093A patent/JP3479329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283925A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Hitachi Ltd | 露光方法及び素子の形成方法並びに半導体素子の製造方法 |
| JPH0410407A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Hitachi Ltd | パターン構造を有する素子の製造方法 |
| JPH0590121A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3479329B2 (ja) | 2003-12-15 |
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Legal Events
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