JPH0713162A - 液晶表示素子の配向処理方法 - Google Patents
液晶表示素子の配向処理方法Info
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- JPH0713162A JPH0713162A JP15930093A JP15930093A JPH0713162A JP H0713162 A JPH0713162 A JP H0713162A JP 15930093 A JP15930093 A JP 15930093A JP 15930093 A JP15930093 A JP 15930093A JP H0713162 A JPH0713162 A JP H0713162A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電気が発生，帯電することなく、良好な配
向処理を行ないうる液晶表示素子の配向処理方法を提供
する。 【構成】 炭酸ガス８´又はアルコール類の混入により
比抵抗値が１００ＫΩ・ｃｍ以下となるように調整され
た超純水８を原料として得られた微細な凍結粒８ｂを、
５０〜２５０℃（より好ましくは１５０〜２００℃）の
一定温度に加熱保持させた液晶表示素子２２の基板面２
２ａに所定の入射角で衝突させることによって、基板面
２２ａに配向処理を施す。
向処理を行ないうる液晶表示素子の配向処理方法を提供
する。 【構成】 炭酸ガス８´又はアルコール類の混入により
比抵抗値が１００ＫΩ・ｃｍ以下となるように調整され
た超純水８を原料として得られた微細な凍結粒８ｂを、
５０〜２５０℃（より好ましくは１５０〜２００℃）の
一定温度に加熱保持させた液晶表示素子２２の基板面２
２ａに所定の入射角で衝突させることによって、基板面
２２ａに配向処理を施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子の配向処
理方法に関するものである。
理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の処理方法としては、一般に、液
晶表示素子の基板面をガーゼ等の繊維体で擦するように
するラビング法（以下「従来法」という）がよく知られ
ている。
晶表示素子の基板面をガーゼ等の繊維体で擦するように
するラビング法（以下「従来法」という）がよく知られ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる従来法
では、配向処理時に繊維屑が配向面に付着して、爾後、
その付着物を除去する必要がある。しかも、擦ることに
より静電気が帯電し、配向面下にあるダイオード等の微
細回路が破壊される虞れがある。また、帯電により、ハ
ンドリング時等において、周辺雰囲気中の微塵を吸着す
る虞れがあり、パーティクル汚染が甚だしい。
では、配向処理時に繊維屑が配向面に付着して、爾後、
その付着物を除去する必要がある。しかも、擦ることに
より静電気が帯電し、配向面下にあるダイオード等の微
細回路が破壊される虞れがある。また、帯電により、ハ
ンドリング時等において、周辺雰囲気中の微塵を吸着す
る虞れがあり、パーティクル汚染が甚だしい。
【０００４】本発明は、このような点に鑑みて、静電気
が発生，帯電することなく、良好な配向処理を行ないう
る液晶表示素子の配向処理方法を提供することを目的と
するものである。
が発生，帯電することなく、良好な配向処理を行ないう
る液晶表示素子の配向処理方法を提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決した本発
明の液晶表示素子の配向処理方法は、特に、炭酸ガス又
はアルコール類の混入により比抵抗値が１００ＫΩ・ｃ
ｍ以下となるように調整された超純水を原料として得ら
れた微細な凍結粒を、液晶表示素子の基板面に所定の入
射角で衝突させるようにしたものである。この場合にお
いて、液晶表示素子の基板面を一定温度に加熱保持させ
ておくことが好ましい。
明の液晶表示素子の配向処理方法は、特に、炭酸ガス又
はアルコール類の混入により比抵抗値が１００ＫΩ・ｃ
ｍ以下となるように調整された超純水を原料として得ら
れた微細な凍結粒を、液晶表示素子の基板面に所定の入
射角で衝突させるようにしたものである。この場合にお
いて、液晶表示素子の基板面を一定温度に加熱保持させ
ておくことが好ましい。
【０００６】
【作用】凍結粒を所定の入射角で基板面に衝突させる
と、その衝突により配向膜面におけるポリマの鎖が再配
列されて溝状に変形して、配向処理される。このとき、
凍結粒は異物を含まない超純水からなるものであるか
ら、繊維等の異物が付着せず、清浄に保たれる。
と、その衝突により配向膜面におけるポリマの鎖が再配
列されて溝状に変形して、配向処理される。このとき、
凍結粒は異物を含まない超純水からなるものであるか
ら、繊維等の異物が付着せず、清浄に保たれる。
【０００７】ところで、超純水の比抵抗値は極めて高い
（１８ＭΩ・ｃｍ程度）ため、超純水からなる凍結粒を
衝突させると、その衝突による摩擦によって静電気が発
生し、従来法による場合と同様の不都合（帯電による塵
埃の吸着，ダイオード等の破壊）を生じる虞れがある。
（１８ＭΩ・ｃｍ程度）ため、超純水からなる凍結粒を
衝突させると、その衝突による摩擦によって静電気が発
生し、従来法による場合と同様の不都合（帯電による塵
埃の吸着，ダイオード等の破壊）を生じる虞れがある。
【０００８】しかし、本発明では、凍結粒が炭酸ガス，
アルコール類の混入により比抵抗値を極めて低く（１０
０ＫΩ・ｃｍ以下）調整した超純水を原料としてなるか
ら、凍結粒の衝突により静電気が発生，帯電するような
ことがなく、上記した虞れはない。
アルコール類の混入により比抵抗値を極めて低く（１０
０ＫΩ・ｃｍ以下）調整した超純水を原料としてなるか
ら、凍結粒の衝突により静電気が発生，帯電するような
ことがなく、上記した虞れはない。
【０００９】また、基板面を一定温度に加熱保持させて
おくことにより、凍結粒の衝突による基板面の冷却ない
し冷却硬化を防止し得て、配向効果を更に高めることが
できる。
おくことにより、凍結粒の衝突による基板面の冷却ない
し冷却硬化を防止し得て、配向効果を更に高めることが
できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の構成を図１及び図２に示す実
施例に基づいて具体的に説明する。
施例に基づいて具体的に説明する。
【００１１】まず、本発明の方法を実施するための装置
について説明する。すなわち、この装置は、図１に示す
如く、凍結粒製造手段１と被凍結原料供給手段２と凍結
粒噴射手段３とからなる。
について説明する。すなわち、この装置は、図１に示す
如く、凍結粒製造手段１と被凍結原料供給手段２と凍結
粒噴射手段３とからなる。
【００１２】凍結粒製造手段１は、密閉断熱容器である
凍結粒製造容器４の周壁上部にノズル５を設けると共
に、その上壁中央部に噴霧器６を設けてなり、ノズル５
から液体窒素等の冷媒７を噴出させて、容器４内を冷気
相雰囲気に保持させた上、噴霧器６から被凍結原料８を
微粒状に噴霧させて、その噴霧粒子８ａを冷媒７との熱
交換により凍結させるものである。そして、凍結粒８ｂ
は、容器４内を逆錐状の底壁へと沈降して、その底壁中
央部から取出管９へと排出されるようになっている。
凍結粒製造容器４の周壁上部にノズル５を設けると共
に、その上壁中央部に噴霧器６を設けてなり、ノズル５
から液体窒素等の冷媒７を噴出させて、容器４内を冷気
相雰囲気に保持させた上、噴霧器６から被凍結原料８を
微粒状に噴霧させて、その噴霧粒子８ａを冷媒７との熱
交換により凍結させるものである。そして、凍結粒８ｂ
は、容器４内を逆錐状の底壁へと沈降して、その底壁中
央部から取出管９へと排出されるようになっている。
【００１３】被凍結原料供給手段２は、密閉状の原料槽
１０の液相部から導いた原料供給管１１を前記噴霧器６
に接続させると共に、ガスタンク１２から原料槽１０の
気相部にガス供給管１３を導いてなり、ガス供給管１３
から窒素ガス等の加圧ガス１４を供給させることによ
り、原料槽１０内を加圧して、被凍結原料８を原料供給
管１１から噴霧器６に供給させるものである。被凍結原
料８は、炭酸ガス８´を溶解混入させることによって比
抵抗値が１００ＫΩ・ｃｍ以下となるように調整された
超純水であり、原料槽１０内の超純水に槽下部から炭酸
ガス８´をバブリングさせることによって得られる。原
料供給管１１には圧力・流量調整器１５が介設されてい
て、噴霧器６からの噴霧圧力を調整しうるようになって
いる。この噴霧圧力及び噴霧器６の噴霧孔径によって、
噴霧粒子８ａつまり凍結粒８ｂの径が決定されるが、こ
の実施例では、かかる噴霧圧力等の噴霧条件を、均一粒
径の微細な（粒径２０μｍ〜５ｍｍ）な凍結粒８ｂが得
られるように設定してある。
１０の液相部から導いた原料供給管１１を前記噴霧器６
に接続させると共に、ガスタンク１２から原料槽１０の
気相部にガス供給管１３を導いてなり、ガス供給管１３
から窒素ガス等の加圧ガス１４を供給させることによ
り、原料槽１０内を加圧して、被凍結原料８を原料供給
管１１から噴霧器６に供給させるものである。被凍結原
料８は、炭酸ガス８´を溶解混入させることによって比
抵抗値が１００ＫΩ・ｃｍ以下となるように調整された
超純水であり、原料槽１０内の超純水に槽下部から炭酸
ガス８´をバブリングさせることによって得られる。原
料供給管１１には圧力・流量調整器１５が介設されてい
て、噴霧器６からの噴霧圧力を調整しうるようになって
いる。この噴霧圧力及び噴霧器６の噴霧孔径によって、
噴霧粒子８ａつまり凍結粒８ｂの径が決定されるが、こ
の実施例では、かかる噴霧圧力等の噴霧条件を、均一粒
径の微細な（粒径２０μｍ〜５ｍｍ）な凍結粒８ｂが得
られるように設定してある。
【００１４】凍結粒噴射手段３は、処理容器１６内に噴
射ガン１７及び処理台１８を配置してなる。噴射ガン１
７は一定位置に固定されたもので、凍結粒製造容器４か
ら導かれた取出管９及びガスタンク１９から導かれたガ
ス供給管２０が接続されていて、凍結粒８ｂを処理台１
８に向けて噴射しうるように構成されている。すなわ
ち、噴射ガン１７は、ガスタンク１９から窒素ガス等の
加圧ガスつまりドライブガス２１を供給させると、この
ドライブガス２１の作用によるエゼクタ効果によって、
凍結粒８ｂを取出管９から吸引して処理台１８上の液晶
表示素子２２に向けて噴射させるものである。ところ
で、この実施例では、液晶表示素子２２の配向膜２２ａ
がポリイミド樹脂で構成されている。したがって、ドラ
イブガス２１の供給圧力は、凍結粒８ｂのポリイミド樹
脂膜２２ａへの衝突によりこれが破損しないように設定
しておく必要があり、通常、３〜４Ｋｇ／ｃｍ2 Ｇとさ
れる。
射ガン１７及び処理台１８を配置してなる。噴射ガン１
７は一定位置に固定されたもので、凍結粒製造容器４か
ら導かれた取出管９及びガスタンク１９から導かれたガ
ス供給管２０が接続されていて、凍結粒８ｂを処理台１
８に向けて噴射しうるように構成されている。すなわ
ち、噴射ガン１７は、ガスタンク１９から窒素ガス等の
加圧ガスつまりドライブガス２１を供給させると、この
ドライブガス２１の作用によるエゼクタ効果によって、
凍結粒８ｂを取出管９から吸引して処理台１８上の液晶
表示素子２２に向けて噴射させるものである。ところ
で、この実施例では、液晶表示素子２２の配向膜２２ａ
がポリイミド樹脂で構成されている。したがって、ドラ
イブガス２１の供給圧力は、凍結粒８ｂのポリイミド樹
脂膜２２ａへの衝突によりこれが破損しないように設定
しておく必要があり、通常、３〜４Ｋｇ／ｃｍ2 Ｇとさ
れる。
【００１５】処理台１８は液晶表示素子２２を載置する
もので、適宜の駆動機構２３により噴射ガン１７に対し
て水平方向に移動されるように構成されていて、かかる
移動により、噴射ガン１７を液晶表示素子２２に対して
相対的にスキャニングせしめて、配向膜２２ａの全面に
亘って凍結粒８ｂを均一に噴射させるように工夫されて
いる。また、処理台１８は角度調整自在に構成されてい
て、図２に示す如く、ガン１７から噴射された凍結粒８
ｂの配向膜２２ａへの入射角θを適宜に設定できるよう
になっている。この入射角θは配向溝の深さ，形状を決
定する要因となるものであり、通常、５〜８０°（より
好ましくは１０〜４５°）に設定される。さらに、処理
台１８には、図２に示す如く、ヒータ２４が内蔵されて
いて、液晶表示素子２２を一定温度に加熱保持するよう
になっている。これは、凍結粒８ｂの衝突によるポリイ
ミド樹脂膜２２ａの冷却ないし冷却硬化を防止して、配
向効果をより高めるためである。一般に、５０℃以上に
加熱保持させておくのが好ましいが、実際には、ポリイ
ミド樹脂の耐熱性をも考慮して、５０〜２５０℃（より
好ましくは１５０〜２００℃）の範囲で適宜に設定して
おく。
もので、適宜の駆動機構２３により噴射ガン１７に対し
て水平方向に移動されるように構成されていて、かかる
移動により、噴射ガン１７を液晶表示素子２２に対して
相対的にスキャニングせしめて、配向膜２２ａの全面に
亘って凍結粒８ｂを均一に噴射させるように工夫されて
いる。また、処理台１８は角度調整自在に構成されてい
て、図２に示す如く、ガン１７から噴射された凍結粒８
ｂの配向膜２２ａへの入射角θを適宜に設定できるよう
になっている。この入射角θは配向溝の深さ，形状を決
定する要因となるものであり、通常、５〜８０°（より
好ましくは１０〜４５°）に設定される。さらに、処理
台１８には、図２に示す如く、ヒータ２４が内蔵されて
いて、液晶表示素子２２を一定温度に加熱保持するよう
になっている。これは、凍結粒８ｂの衝突によるポリイ
ミド樹脂膜２２ａの冷却ないし冷却硬化を防止して、配
向効果をより高めるためである。一般に、５０℃以上に
加熱保持させておくのが好ましいが、実際には、ポリイ
ミド樹脂の耐熱性をも考慮して、５０〜２５０℃（より
好ましくは１５０〜２００℃）の範囲で適宜に設定して
おく。
【００１６】而して、本発明の方法は上記装置を使用し
て次のように実施される。
て次のように実施される。
【００１７】まず、被凍結原料８を噴霧器６から凍結粒
製造容器４内に噴霧させて、ノズル５から噴出された冷
媒７との熱交換により凍結させ、均一粒径の微凍結粒８
ｂを得る。また、ヒータ２４により、液晶表示素子２２
を５０〜２５０℃（より好ましくは１５０〜２００℃）
の範囲における一定温度に加熱保持させておく。
製造容器４内に噴霧させて、ノズル５から噴出された冷
媒７との熱交換により凍結させ、均一粒径の微凍結粒８
ｂを得る。また、ヒータ２４により、液晶表示素子２２
を５０〜２５０℃（より好ましくは１５０〜２００℃）
の範囲における一定温度に加熱保持させておく。
【００１８】そして、ドライブガス２１を噴射ガン１７
に供給させて、凍結粒８ｂを液晶表示素子２２の配向膜
２２ａに向けて噴射させると共に、処理台１８を移動さ
せて、凍結粒８ｂの衝突箇所を移動方向にスキャニング
させることによって、液晶表示素子２２に配向処理を施
す。すなわち、凍結粒８ｂを所定の入射角θで配向膜２
２ａに衝突させると、その衝突により配向膜面における
ポリマの鎖が再配列されて溝状に変形し、凍結粒８ｂが
均一粒径の微細なもの（２０μｍ〜５ｍｍ）であること
とも相俟って、配向膜２２ａには均一且つ密な配向溝が
形成されるのである。なお、配向処理後は、適宜の乾燥
処理が行なわれる。また、配向膜２２ａに衝突後の凍結
粒８ｂ及びその氷解液並びにドライブガス２１（及び凍
結粒８ｂに含まれている炭酸ガス８´）は、処理容器１
６の下部に設けられた排出口１６ａ並びに排気口１６ｂ
から容器１６外に排出される。
に供給させて、凍結粒８ｂを液晶表示素子２２の配向膜
２２ａに向けて噴射させると共に、処理台１８を移動さ
せて、凍結粒８ｂの衝突箇所を移動方向にスキャニング
させることによって、液晶表示素子２２に配向処理を施
す。すなわち、凍結粒８ｂを所定の入射角θで配向膜２
２ａに衝突させると、その衝突により配向膜面における
ポリマの鎖が再配列されて溝状に変形し、凍結粒８ｂが
均一粒径の微細なもの（２０μｍ〜５ｍｍ）であること
とも相俟って、配向膜２２ａには均一且つ密な配向溝が
形成されるのである。なお、配向処理後は、適宜の乾燥
処理が行なわれる。また、配向膜２２ａに衝突後の凍結
粒８ｂ及びその氷解液並びにドライブガス２１（及び凍
結粒８ｂに含まれている炭酸ガス８´）は、処理容器１
６の下部に設けられた排出口１６ａ並びに排気口１６ｂ
から容器１６外に排出される。
【００１９】このとき、配向膜２２ａは、これに異物を
含まない超純水製の凍結粒８ｂをドライブガス２１と共
に衝突させるのみであるから、冒頭で述べた従来法によ
る場合と異なって、繊維等の異物が付着せず、清浄に保
たれる。
含まない超純水製の凍結粒８ｂをドライブガス２１と共
に衝突させるのみであるから、冒頭で述べた従来法によ
る場合と異なって、繊維等の異物が付着せず、清浄に保
たれる。
【００２０】しかも、凍結粒８ｂの原料８が、炭酸ガス
８´を溶解混入させることによって比抵抗値を１００Ｋ
Ω・ｃｍ以下に調整された超純水であるから、凍結粒８
ｂの衝突によって静電気が発生，帯電するようなことが
ない。したがって、配向膜面下のダイオード等が破損す
ることがなく、ハンドリング時等において周辺雰囲気中
の塵埃を吸着するようなこともない。すなわち、完全に
パーティクルフリーで良品質の配向処理物を得ることが
できる。
８´を溶解混入させることによって比抵抗値を１００Ｋ
Ω・ｃｍ以下に調整された超純水であるから、凍結粒８
ｂの衝突によって静電気が発生，帯電するようなことが
ない。したがって、配向膜面下のダイオード等が破損す
ることがなく、ハンドリング時等において周辺雰囲気中
の塵埃を吸着するようなこともない。すなわち、完全に
パーティクルフリーで良品質の配向処理物を得ることが
できる。
【００２１】ところで、凍結粒８ｂを衝突させた場合、
衝突による摩擦熱が発生したとしてもこれは凍結粒８ｂ
による冷熱に相殺されることから、配向膜２２ａにおけ
る高分子ポリマの鎖が一種の凍結状態となる虞れがあ
る。その結果、配向膜２２ａの液晶高分子に対する配向
規制力が室温下で行われる従来法に比して弱くなる可能
性がある。また、凍結粒８ｂにより配向膜たるポリイミ
ド樹脂膜２２ａが冷却硬化されて、凍結粒８ｂの衝突に
よる配向処理が効果的に行われない可能性もある。しか
し、液晶表示素子２２を上記した如く加熱保持させてお
くと、凍結粒８ｂの衝突によるポリイミド樹脂膜２２ａ
の冷却ないし冷却硬化が確実に防止されることから、凍
結粒８ｂの衝突による配向処理を極めて効果的に行うこ
とができる。
衝突による摩擦熱が発生したとしてもこれは凍結粒８ｂ
による冷熱に相殺されることから、配向膜２２ａにおけ
る高分子ポリマの鎖が一種の凍結状態となる虞れがあ
る。その結果、配向膜２２ａの液晶高分子に対する配向
規制力が室温下で行われる従来法に比して弱くなる可能
性がある。また、凍結粒８ｂにより配向膜たるポリイミ
ド樹脂膜２２ａが冷却硬化されて、凍結粒８ｂの衝突に
よる配向処理が効果的に行われない可能性もある。しか
し、液晶表示素子２２を上記した如く加熱保持させてお
くと、凍結粒８ｂの衝突によるポリイミド樹脂膜２２ａ
の冷却ないし冷却硬化が確実に防止されることから、凍
結粒８ｂの衝突による配向処理を極めて効果的に行うこ
とができる。
【００２２】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の基本原理を逸脱しない範囲におい
て適宜に改良・変更することができる。例えば、被凍結
原料８を超純水にアルコール類を溶解混入させたものと
してもよい。混入させるアルコール類としては、蒸気
圧，表面張力が小さく且つ水と任意の割合で混合し、し
かも不純物の少ないものが工業的に製造可能である点か
ら、イソプロピルアルコールが最適である。また、各手
段１，２，３の構成も任意である。
のではなく、本発明の基本原理を逸脱しない範囲におい
て適宜に改良・変更することができる。例えば、被凍結
原料８を超純水にアルコール類を溶解混入させたものと
してもよい。混入させるアルコール類としては、蒸気
圧，表面張力が小さく且つ水と任意の割合で混合し、し
かも不純物の少ないものが工業的に製造可能である点か
ら、イソプロピルアルコールが最適である。また、各手
段１，２，３の構成も任意である。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、配向処理時における静電気の発生，帯電を効
果的に防止することができ、基板面下回路の破壊やパー
ティクル汚染を生じることなく、液晶表示素子の配向処
理を極めて良好に行なうことができる。しかも、配向処
理された液晶表示素子が、周辺雰囲気中の塵埃を吸着し
ない完全なパーティクルフリーとなり、爾後の処理工程
においても好結果を与えることになる。さらに、基板面
を一定温度に加熱保持して、凍結粒の衝突による基板面
の冷却，冷却硬化を防止しておくことにより、配向効果
を更に高めることができる。
によれば、配向処理時における静電気の発生，帯電を効
果的に防止することができ、基板面下回路の破壊やパー
ティクル汚染を生じることなく、液晶表示素子の配向処
理を極めて良好に行なうことができる。しかも、配向処
理された液晶表示素子が、周辺雰囲気中の塵埃を吸着し
ない完全なパーティクルフリーとなり、爾後の処理工程
においても好結果を与えることになる。さらに、基板面
を一定温度に加熱保持して、凍結粒の衝突による基板面
の冷却，冷却硬化を防止しておくことにより、配向効果
を更に高めることができる。
【図１】本発明の方法を実施するための装置の一例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】その要部を示す拡大図である。
１…凍結粒製造手段、２…被凍結原料供給手段、３…凍
結粒噴射手段、８…被凍結原料、８´…炭酸ガス、８ｂ
…凍結粒、１６…処理容器、１７…噴射ガン、１８…処
理台、２１…ドライブガス、２２…液晶表示素子、２２
ａ…配向膜（基板面）、２４…ヒータ、θ…入射角。
結粒噴射手段、８…被凍結原料、８´…炭酸ガス、８ｂ
…凍結粒、１６…処理容器、１７…噴射ガン、１８…処
理台、２１…ドライブガス、２２…液晶表示素子、２２
ａ…配向膜（基板面）、２４…ヒータ、θ…入射角。
Claims (2)
- 【請求項１】 炭酸ガス又はアルコール類の混入により
比抵抗値が１００ＫΩ・ｃｍ以下となるように調整され
た超純水を原料として得られた微細な凍結粒を、液晶表
示素子の基板面に所定の入射角で衝突させるようにした
ことを特徴とする液晶表示素子の配向処理方法。 - 【請求項２】 液晶表示素子の基板面を一定温度に加熱
保持させておくようにしたことを特徴とする、請求項１
の液晶表示素子の配向処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5159300A JP2779583B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 液晶表示素子の配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5159300A JP2779583B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 液晶表示素子の配向処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0713162A true JPH0713162A (ja) | 1995-01-17 |
| JP2779583B2 JP2779583B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=15690790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5159300A Expired - Fee Related JP2779583B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 液晶表示素子の配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2779583B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105271805A (zh) * | 2014-06-20 | 2016-01-27 | 麒麟电子（深圳）有限公司 | 玻璃基板的塑胶粒喷洒设备及其塑胶粒喷洒方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03256023A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶素子の製造方法 |
| JPH0443324A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配向処理方法 |
| JPH04206724A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Cable Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5159300A patent/JP2779583B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2779583B2 (ja) | 1998-07-23 |
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