JPH0443324A - 配向処理方法 - Google Patents
配向処理方法Info
- Publication number
- JPH0443324A JPH0443324A JP2151946A JP15194690A JPH0443324A JP H0443324 A JPH0443324 A JP H0443324A JP 2151946 A JP2151946 A JP 2151946A JP 15194690 A JP15194690 A JP 15194690A JP H0443324 A JPH0443324 A JP H0443324A
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- JP
- Japan
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- fine particles
- oriented film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示装置の表示パネルや液晶プリンタの
シャッターアレイなどに用いられる液晶材料を配向させ
るための配向膜の配向処理に関する。
シャッターアレイなどに用いられる液晶材料を配向させ
るための配向膜の配向処理に関する。
従来の技術
従来、配向膜を配向処理する場合に最もよく使われてい
る方法は、基板などに被着されたポリイミドなどの配向
膜材料をラビング布で一定方向に摩擦することにより配
向性を考えるラビング法である(ラビング法については
例えばフラットパネル・デイスプレィ1990.日経B
P社(1989)p、196などに記載されている)。
る方法は、基板などに被着されたポリイミドなどの配向
膜材料をラビング布で一定方向に摩擦することにより配
向性を考えるラビング法である(ラビング法については
例えばフラットパネル・デイスプレィ1990.日経B
P社(1989)p、196などに記載されている)。
発明が解決しようとする課題
表示パネルやシャンク−アレイなどの製造工程はゴミや
静電気を大変嫌う工程である。ところが、ラビング法は
原理的に静電気やゴミを盛んに発生する工法であり、ラ
ビング布の管理、ラビング布に付着したゴミの除去およ
びラビング布の繊維の劣化管理などラビング布の管理に
も工夫が必要で、配向処理の再現性や制御性に多くの課
題を有している。とりわけ、近年活発に研究され商品化
もされているアクティブマトリクスタイプの液晶表示パ
ネルの場合は薄膜トランジスタなどの能動素子の静電気
による特性変動が大きな問題となっている。
静電気を大変嫌う工程である。ところが、ラビング法は
原理的に静電気やゴミを盛んに発生する工法であり、ラ
ビング布の管理、ラビング布に付着したゴミの除去およ
びラビング布の繊維の劣化管理などラビング布の管理に
も工夫が必要で、配向処理の再現性や制御性に多くの課
題を有している。とりわけ、近年活発に研究され商品化
もされているアクティブマトリクスタイプの液晶表示パ
ネルの場合は薄膜トランジスタなどの能動素子の静電気
による特性変動が大きな問題となっている。
本発明はこのような課題を解決するもので、ラビング法
に伴って発生するゴミや静電気を抑制し、これらによる
液晶パネルの製造工程で発生する不良や性能の不均一性
を低減することを目的とするものである。
に伴って発生するゴミや静電気を抑制し、これらによる
液晶パネルの製造工程で発生する不良や性能の不均一性
を低減することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は、基板などに被着さ
れた配向膜材料に対し、一方向に流れを制御した微粒子
を吹き付けることにより配向膜を配向処理したものであ
る。
れた配向膜材料に対し、一方向に流れを制御した微粒子
を吹き付けることにより配向膜を配向処理したものであ
る。
作用
この配向処理により、配向膜に微粒子流が一定方向で吹
き付けられることにより、配向膜に配向性が生しる。こ
れに加えて、工程中にゴミが発生しても、微粒子流自身
の洗浄作用(例えば日経マイクロデバイス1989年7
月号p、72に氷やドライアイスの微粒子流による洗浄
効果について述べられている)によりゴミが除去される
。さらに帯電制御された微粒子を吹き付けることにより
静電気の発生が制御される。また、イオン性の物質を微
粒子に添加しておけば静電気の発生制御作用はより確実
となる。そして、容易に液化または気化する材料、例え
ばH,OやC02を微粒子材料として用いれば、配向膜
上に一時的に残存した微粒子も容易に除去できる。また
、常時新しい微粒子を供給する方式であれば、ラビング
布の繊維の劣化のようなラビング材料の劣化要因もなく
、配向処理ロフト間のばらつきが小さくなり、液晶表示
パネルの均一性・制御性も向上する。
き付けられることにより、配向膜に配向性が生しる。こ
れに加えて、工程中にゴミが発生しても、微粒子流自身
の洗浄作用(例えば日経マイクロデバイス1989年7
月号p、72に氷やドライアイスの微粒子流による洗浄
効果について述べられている)によりゴミが除去される
。さらに帯電制御された微粒子を吹き付けることにより
静電気の発生が制御される。また、イオン性の物質を微
粒子に添加しておけば静電気の発生制御作用はより確実
となる。そして、容易に液化または気化する材料、例え
ばH,OやC02を微粒子材料として用いれば、配向膜
上に一時的に残存した微粒子も容易に除去できる。また
、常時新しい微粒子を供給する方式であれば、ラビング
布の繊維の劣化のようなラビング材料の劣化要因もなく
、配向処理ロフト間のばらつきが小さくなり、液晶表示
パネルの均一性・制御性も向上する。
実施例
以下、本発明の実施例を図面をもとに説明する。
(実施例1)
第1図に本発明の一実施例の配向処理状態を示す。
図に示すように、液晶パネルは基板3上に″iit膜ト
ランジスタ(TPT)4と画素電極5が設けられ、これ
らを覆って絶縁膜6があり、その上に配向膜が形成され
ている。帯181)1m (除t)した雰囲気中で、イ
オン性物質として炭酸イオンを導入した純水を基に氷の
微粒子1をつくり、この氷微粉子1を用いて一定方向の
微粒子mlaを形成する。そして、配向膜2を塗付した
アクティブマトリクスタイプの基Fi(3膜トランジス
タアレイ基板)3に対して約5度の角度で微粒子流1を
吹き付けた。この後、基板を乾燥させ液晶表示パネルを
組み立てた。
ランジスタ(TPT)4と画素電極5が設けられ、これ
らを覆って絶縁膜6があり、その上に配向膜が形成され
ている。帯181)1m (除t)した雰囲気中で、イ
オン性物質として炭酸イオンを導入した純水を基に氷の
微粒子1をつくり、この氷微粉子1を用いて一定方向の
微粒子mlaを形成する。そして、配向膜2を塗付した
アクティブマトリクスタイプの基Fi(3膜トランジス
タアレイ基板)3に対して約5度の角度で微粒子流1を
吹き付けた。この後、基板を乾燥させ液晶表示パネルを
組み立てた。
(実施例2)
第2図に本発明の別の実施例の配向処理状態を示す。
帯電制御(#t) !、、た雰囲気中で、ドライアイス
の微粒子1)をつくり、このドライアイスの微粒子1)
を用いて一定方向の微粒子流1)aを形成する。そして
第1図と同し構成の液晶パネルの配向膜2を塗付したア
クティブマトリクスタイプの基板(薄膜トランジスタア
レイ基板)3に対して約5度の角度で微粒子流1)aを
吹き付けた。
の微粒子1)をつくり、このドライアイスの微粒子1)
を用いて一定方向の微粒子流1)aを形成する。そして
第1図と同し構成の液晶パネルの配向膜2を塗付したア
クティブマトリクスタイプの基板(薄膜トランジスタア
レイ基板)3に対して約5度の角度で微粒子流1)aを
吹き付けた。
この後、この基板を用いて液晶表示パネルをlみ立てた
。
。
発明の効果
実施例1及び実施例2で述べた配向処理方法を施した配
向膜を用いて液晶表示パネルを組み立てたところ、従来
問題となっていたラビング法に伴うゴミや静電気による
不良や性能の不均一性を低減することができ、液晶表示
パネルの品質と歩留まりが向上した。さらに、従来、基
板の段差部分に発生しやすかった配向不良も低減された
。
向膜を用いて液晶表示パネルを組み立てたところ、従来
問題となっていたラビング法に伴うゴミや静電気による
不良や性能の不均一性を低減することができ、液晶表示
パネルの品質と歩留まりが向上した。さらに、従来、基
板の段差部分に発生しやすかった配向不良も低減された
。
第1図は本発明の一実施例の配向処理状態を示す断面図
、第2図は開割の実施例の配向処理状態を示す断面図で
ある。 1・・・・・・水微粒子、la・・・・・・氷微粒子流
、2・・・・・・配向膜、3・・・・・・基板、4・・
・・・・all!トランジスタ(TPT) 、5・・・
・・・画素電極、6・・・・・・絶縁膜、1)・・・・
・・ドライアイス微粒子、1)a・・・・・・ドライ アイス微粒子流。
、第2図は開割の実施例の配向処理状態を示す断面図で
ある。 1・・・・・・水微粒子、la・・・・・・氷微粒子流
、2・・・・・・配向膜、3・・・・・・基板、4・・
・・・・all!トランジスタ(TPT) 、5・・・
・・・画素電極、6・・・・・・絶縁膜、1)・・・・
・・ドライアイス微粒子、1)a・・・・・・ドライ アイス微粒子流。
Claims (6)
- (1)基板などに被着された配向膜材料に対し、一方向
に流れを制御した微粒子を吹き付ける配向処理方法。 - (2)微粒子は加熱などにより気化または液化する材料
で構成されている請求項(1)記載の配向処理方法。 - (3)微粒子として氷(H_2O)の微粒子を用いる請
求項(2)記載の配向処理方法。 - (4)微粒子としてドライアイス(CO_2)の微粒子
を用いる請求項(2)記載の配向処理方法。 - (5)微粒子を帯電制御してから吹き付ける請求項(1
)または請求項(2)のいずれかに記載の配向処理方法
。 - (6)イオン性物質を含む微粒子を用いる請求項(1)
または請求項(2)のいずれかに記載の配向処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15194690A JP2850265B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15194690A JP2850265B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 配向処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443324A true JPH0443324A (ja) | 1992-02-13 |
| JP2850265B2 JP2850265B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=15529664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15194690A Expired - Fee Related JP2850265B2 (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850265B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0713162A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-17 | Taiyo Sanso Co Ltd | 液晶表示素子の配向処理方法 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP15194690A patent/JP2850265B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0713162A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-17 | Taiyo Sanso Co Ltd | 液晶表示素子の配向処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2850265B2 (ja) | 1999-01-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |