JPH0713285Y2 - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
- Publication number
- JPH0713285Y2 JPH0713285Y2 JP7804088U JP7804088U JPH0713285Y2 JP H0713285 Y2 JPH0713285 Y2 JP H0713285Y2 JP 7804088 U JP7804088 U JP 7804088U JP 7804088 U JP7804088 U JP 7804088U JP H0713285 Y2 JPH0713285 Y2 JP H0713285Y2
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- Japan
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- ground
- ferrite
- block
- case
- reciprocal circuit
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- Expired - Lifetime
Links
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、高周波部品に採用される非可逆回路素子、例
えばアイソレータ，サーキュレータに関し、特に大量生
産を可能にして部品コストを低減できるようにした構造
に関する。
えばアイソレータ，サーキュレータに関し、特に大量生
産を可能にして部品コストを低減できるようにした構造
に関する。
〔従来の技術〕 マイクロ波機器等に採用される集中定数型のアイソレー
タとして、従来、第３図に示す構造のものがある。この
アイソレータ30は、磁性体製金属ケース31内の底壁31a
上に、銅製のアース板32を介して、コンデンサ電極膜36
が形成されたアルミナ電極基板33を配設し、該電極基板
33の中央孔33a内に、網状の中心導体37を一対のフェラ
イト34aで挟持してなるフェライト組立体34を配置する
とともに、上記ケース31の蓋部31b内に永久磁石35を接
着して上記フェライト組立体34に直流磁界を印加するよ
うに構成されている。
タとして、従来、第３図に示す構造のものがある。この
アイソレータ30は、磁性体製金属ケース31内の底壁31a
上に、銅製のアース板32を介して、コンデンサ電極膜36
が形成されたアルミナ電極基板33を配設し、該電極基板
33の中央孔33a内に、網状の中心導体37を一対のフェラ
イト34aで挟持してなるフェライト組立体34を配置する
とともに、上記ケース31の蓋部31b内に永久磁石35を接
着して上記フェライト組立体34に直流磁界を印加するよ
うに構成されている。
しかしながら、上記従来のアイソレータ30は、電極基板
33の周縁部分にコンデンサ電極膜36を形成し、これの中
央孔33a内にフェライト組立体34を配置する構造である
ことから、平面から見た面積が大きくなり、近年の小型
化の要請に応えられないという問題点があった。
33の周縁部分にコンデンサ電極膜36を形成し、これの中
央孔33a内にフェライト組立体34を配置する構造である
ことから、平面から見た面積が大きくなり、近年の小型
化の要請に応えられないという問題点があった。
そこで、本件考案者らは、第２図に示すように、電極基
板20とフェライト組立体21とを重ねた状態で配置してな
る非可逆回路素子を提案した（特願昭62−253956号）。
これによれば、電極基板20をフェライト組立体21の上側
に配設し、各中心導体22の外部導出部23を電極基板20の
上面の各コンデンサ電極膜24に接続したので、従来の、
フェライトの周縁外方にコンデンサ電極膜を形成してい
た場合に比べて平面の面積を縮小でき、それだけ小型化
の要請に応えられる。
板20とフェライト組立体21とを重ねた状態で配置してな
る非可逆回路素子を提案した（特願昭62−253956号）。
これによれば、電極基板20をフェライト組立体21の上側
に配設し、各中心導体22の外部導出部23を電極基板20の
上面の各コンデンサ電極膜24に接続したので、従来の、
フェライトの周縁外方にコンデンサ電極膜を形成してい
た場合に比べて平面の面積を縮小でき、それだけ小型化
の要請に応えられる。
ところで、上記非可逆回路素子は、ケース25の底壁25a
上に銅製のアースブロック26を載置し、該アースブロッ
ク26の中央部に上記フェライト組立体21を挿入する有底
の凹部26aを形成し、このアースブロック26の底面26bに
下部フェライト27を当接させるとともに、上面縁26cに
電極基板20の下面のアース電極膜28を当接させ、該アー
スブロック26を介してケース25に導通させてアース電位
とする構造である。しかし、上記アースブロック26は、
上記フェライト組立体21の高さと略同一の厚さを有する
ブロック状の銅板を採用し、しかもこれの中央部に中ぐ
り加工により有底の凹部26aを形成するか、あるいはこ
の形状の貫通孔を形成するとともに下面にもう１枚銅板
を追加するかしなければならないことから、生産性が低
く製作コストが上昇するという問題が生じる。
上に銅製のアースブロック26を載置し、該アースブロッ
ク26の中央部に上記フェライト組立体21を挿入する有底
の凹部26aを形成し、このアースブロック26の底面26bに
下部フェライト27を当接させるとともに、上面縁26cに
電極基板20の下面のアース電極膜28を当接させ、該アー
スブロック26を介してケース25に導通させてアース電位
とする構造である。しかし、上記アースブロック26は、
上記フェライト組立体21の高さと略同一の厚さを有する
ブロック状の銅板を採用し、しかもこれの中央部に中ぐ
り加工により有底の凹部26aを形成するか、あるいはこ
の形状の貫通孔を形成するとともに下面にもう１枚銅板
を追加するかしなければならないことから、生産性が低
く製作コストが上昇するという問題が生じる。
本考案の目的は、生産性を向上して製作コストを低減で
きる非可逆回路素子を提供することにある。
きる非可逆回路素子を提供することにある。
本考案は、中心導体とフェライトとを組合せてなるフェ
ライト組立体をアース部材内に収容するとともに、該ア
ース部材を磁気回路ケースに接続してアース電位とする
よう構成された非可逆回路素子において、上記アース部
材を表面に金属膜が形成されたセラミックスブロックに
より構成したことを特徴としている。
ライト組立体をアース部材内に収容するとともに、該ア
ース部材を磁気回路ケースに接続してアース電位とする
よう構成された非可逆回路素子において、上記アース部
材を表面に金属膜が形成されたセラミックスブロックに
より構成したことを特徴としている。
ここで、上記金属膜を形成する方法としては、スパッタ
リング，蒸着，容射あるいは無電解メッキ等が採用でき
る。また、金属の種類は特に限定しないが、Cu,Ag等の
低抵抗で、半田付け性の良いものを採用することが望ま
しい。
リング，蒸着，容射あるいは無電解メッキ等が採用でき
る。また、金属の種類は特に限定しないが、Cu,Ag等の
低抵抗で、半田付け性の良いものを採用することが望ま
しい。
本考案に係る非可逆回路素子によれば、上記アース部材
を金属膜が形成されたセラミックスブロックにより構成
したので、例えば、金型により上述した銅製のアースブ
ロックと同形状のセラミックス体を焼成し、これの表面
にスパッタリング等によって金属膜を形成するだけでこ
のセラミックスブロックを製造でき、しかもこの方法は
大量生産ができるから、上記銅製ブロックを中ぐり加工
することによってアースブロックを形成する場合に比べ
て製作コストを大幅に低減できる。
を金属膜が形成されたセラミックスブロックにより構成
したので、例えば、金型により上述した銅製のアースブ
ロックと同形状のセラミックス体を焼成し、これの表面
にスパッタリング等によって金属膜を形成するだけでこ
のセラミックスブロックを製造でき、しかもこの方法は
大量生産ができるから、上記銅製ブロックを中ぐり加工
することによってアースブロックを形成する場合に比べ
て製作コストを大幅に低減できる。
以下、本考案の実施例を図について説明する。
第１図は本考案の一実施例による非可逆回路素子を説明
するための図であり、本実施例では第２図のアイソレー
タに適用した場合を例にとって説明する。
するための図であり、本実施例では第２図のアイソレー
タに適用した場合を例にとって説明する。
第２図において、１は集中定数型のアイソレータであ
り、これは磁性体製の底板25a,蓋部25bを組み合わせて
なる直方体状のケース25と、３本の中心導体22をそれぞ
れ絶縁シートを介して120度間隔ごとに交叉させて配置
し、これを一対のフェライト27,27で挟持してなるフェ
ライト組立体21と、下面全面にアース電極膜28を形成
し、上面にコンデンサ電極膜24を形成するとともに、１
つの電極膜24に膜抵抗２を接続し、該膜抵抗２をスルー
ホール電極膜３を介して上記アース電極膜28に接続する
とともに、２つのコンデンサ電極膜24にそれぞれ端子４
を接続してなるアルミナ電極基板20と、上記蓋部25bの
内壁に装着された永久磁石５とから構成されている。な
おここで、上記フェライト組立体５は上記フェライトを
上，下いずれか一枚だけで構成される場合もある。
り、これは磁性体製の底板25a,蓋部25bを組み合わせて
なる直方体状のケース25と、３本の中心導体22をそれぞ
れ絶縁シートを介して120度間隔ごとに交叉させて配置
し、これを一対のフェライト27,27で挟持してなるフェ
ライト組立体21と、下面全面にアース電極膜28を形成
し、上面にコンデンサ電極膜24を形成するとともに、１
つの電極膜24に膜抵抗２を接続し、該膜抵抗２をスルー
ホール電極膜３を介して上記アース電極膜28に接続する
とともに、２つのコンデンサ電極膜24にそれぞれ端子４
を接続してなるアルミナ電極基板20と、上記蓋部25bの
内壁に装着された永久磁石５とから構成されている。な
おここで、上記フェライト組立体５は上記フェライトを
上，下いずれか一枚だけで構成される場合もある。
そして本実施例のアイソレータでは、上記底板25a上に
第１図に示す、セラミックス体６の表面に金属膜７が形
成されたセラミックスブロック８が配設されている。こ
のセラミックスブロック８の中央部には上記フェライト
組立体21が挿入される有底の凹部8aが形成されており、
該凹部8aの周縁にはアース溝9,逃げ溝10がそれぞれ等角
度間隔ごとに交互に切き欠き形成されている。
第１図に示す、セラミックス体６の表面に金属膜７が形
成されたセラミックスブロック８が配設されている。こ
のセラミックスブロック８の中央部には上記フェライト
組立体21が挿入される有底の凹部8aが形成されており、
該凹部8aの周縁にはアース溝9,逃げ溝10がそれぞれ等角
度間隔ごとに交互に切き欠き形成されている。
上記各アース溝９内には上記中心導体22のアース端子22
aが挿入され、半田付けにより接続されている。また、
上記逃げ溝10内には上記中心導体22の外部導出部23が非
接触状態に位置しており、該導出部23は上記電極基板20
を貫通して各コンデンサ電極膜24に接続されている。さ
らに、上記凹部8a内の底面8b上には上記下部フェライト
27が当接している。さらにまた、上記セラミックスブロ
ック８の上面縁部8cには上記電極基板20のアース電極膜
28が当接しており、これにより上記アース電極膜28はセ
ラミックスブロック８を介してケース25に導通されアー
ス電位となっている。
aが挿入され、半田付けにより接続されている。また、
上記逃げ溝10内には上記中心導体22の外部導出部23が非
接触状態に位置しており、該導出部23は上記電極基板20
を貫通して各コンデンサ電極膜24に接続されている。さ
らに、上記凹部8a内の底面8b上には上記下部フェライト
27が当接している。さらにまた、上記セラミックスブロ
ック８の上面縁部8cには上記電極基板20のアース電極膜
28が当接しており、これにより上記アース電極膜28はセ
ラミックスブロック８を介してケース25に導通されアー
ス電位となっている。
ここで、上記セラミックスブロック８は、セラミックス
材料を上記凹部8a及び各溝9,10に対応した形状の金型に
より圧縮成形した後、これを焼成してセラミックス体６
を形成し、これの表面に、例えばスパッタリングにより
Cu等の金属膜７を形成して製造されたものである。な
お、この金属膜７は蒸着，溶射，あるいは無電解メッキ
等により形成しても構わない。
材料を上記凹部8a及び各溝9,10に対応した形状の金型に
より圧縮成形した後、これを焼成してセラミックス体６
を形成し、これの表面に、例えばスパッタリングにより
Cu等の金属膜７を形成して製造されたものである。な
お、この金属膜７は蒸着，溶射，あるいは無電解メッキ
等により形成しても構わない。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例のアイソレータ１によれば、セラミックス体６
の表面に金属膜７を形成してなるセラミックスブロック
８を採用したので、大量生産が可能になり、上述した銅
製ブロックを中ぐり加工によってアースブロックに成形
する場合に比べ製作コストを大幅にも低減できる。
の表面に金属膜７を形成してなるセラミックスブロック
８を採用したので、大量生産が可能になり、上述した銅
製ブロックを中ぐり加工によってアースブロックに成形
する場合に比べ製作コストを大幅にも低減できる。
なお、上記実施例では、アイソレータに適用した場合を
例にとって説明したが、本考案はサーキュレータにも勿
論適用でき、他の高周波部品に採用される非可逆回路素
子にも適用できる。
例にとって説明したが、本考案はサーキュレータにも勿
論適用でき、他の高周波部品に採用される非可逆回路素
子にも適用できる。
以上のように本考案に係る非可逆回路素子によれば、ア
ース部材を金属膜が形成されたセラミックスブロックに
より構成したので、大量生産ができ、コストを大幅に低
減できる効果がある。
ース部材を金属膜が形成されたセラミックスブロックに
より構成したので、大量生産ができ、コストを大幅に低
減できる効果がある。
第１図は本考案の一実施例によるアイソレータに採用さ
れるセラミックスブロックを説明するための図であり、
第１図（ａ）はその斜視図、第１図（ｂ）はその断面
図、第２図は本考案の成立過程におけるアイソレータを
説明するための分解斜視図、第３図は従来のアイソレー
タを示す分解斜視図である。 図において、１はアイソレータ、７は金属膜、８はセラ
ミックスブロック（アース部材）、21はフェライト組立
体、22は中心導体、25はケース、27はフェライトであ
る。
れるセラミックスブロックを説明するための図であり、
第１図（ａ）はその斜視図、第１図（ｂ）はその断面
図、第２図は本考案の成立過程におけるアイソレータを
説明するための分解斜視図、第３図は従来のアイソレー
タを示す分解斜視図である。 図において、１はアイソレータ、７は金属膜、８はセラ
ミックスブロック（アース部材）、21はフェライト組立
体、22は中心導体、25はケース、27はフェライトであ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】電気的絶縁状態で、かつ交叉状に配置され
た中心導体とフェライトとを組合せてなるフェライト組
立体をアース部材内に収容するとともに、該フェライト
をアース部材を介してケースに接続してアース電位とす
るよう構成された非可逆回路素子において、上記アース
部材を、表面に金属膜が形成されたセラミックスブロッ
クにより構成したことを特徴とする非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7804088U JPH0713285Y2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7804088U JPH0713285Y2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 非可逆回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02806U JPH02806U (ja) | 1990-01-05 |
| JPH0713285Y2 true JPH0713285Y2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=31302990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7804088U Expired - Lifetime JPH0713285Y2 (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 非可逆回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713285Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP7804088U patent/JPH0713285Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02806U (ja) | 1990-01-05 |
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