JPH0713519A - 強誘電性液晶装置の駆動方法 - Google Patents
強誘電性液晶装置の駆動方法Info
- Publication number
- JPH0713519A JPH0713519A JP15210293A JP15210293A JPH0713519A JP H0713519 A JPH0713519 A JP H0713519A JP 15210293 A JP15210293 A JP 15210293A JP 15210293 A JP15210293 A JP 15210293A JP H0713519 A JPH0713519 A JP H0713519A
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- Japan
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- ferroelectric liquid
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Abstract
(57)【要約】
【目的】不純物を有するためにメモリ性を示さないよう
な比較的容易に得られる強誘電性液晶を用いた場合で
も、安定した配向状態で高コントラストの画像を得るこ
とを可能とする。 【構成】正または負に偏寄した電界を印加した後に高周
波電界を印加して強誘電性液晶を第１の配向状態に維持
し、正または負に偏寄した電界を印加した後に無電界ま
たは弱電界を印加して液晶中のイオンによる内部電荷に
より自発分極を上記第１の配向状態から第２の配向状態
に反転させ、高周波電界により上記第２の配向状態を維
持する。
な比較的容易に得られる強誘電性液晶を用いた場合で
も、安定した配向状態で高コントラストの画像を得るこ
とを可能とする。 【構成】正または負に偏寄した電界を印加した後に高周
波電界を印加して強誘電性液晶を第１の配向状態に維持
し、正または負に偏寄した電界を印加した後に無電界ま
たは弱電界を印加して液晶中のイオンによる内部電荷に
より自発分極を上記第１の配向状態から第２の配向状態
に反転させ、高周波電界により上記第２の配向状態を維
持する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶装置の駆
動方法に関する。
動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ
* ）相等の強誘電性液晶を用いた液晶表示装置は、高速
応答が可能でメモリ性がある等の効果があることが報告
されている。このような特性は、液晶のＳｍ層が均一な
配向状態となって完全なブックシェルフ構造をとること
によって実現されるものである。
* ）相等の強誘電性液晶を用いた液晶表示装置は、高速
応答が可能でメモリ性がある等の効果があることが報告
されている。このような特性は、液晶のＳｍ層が均一な
配向状態となって完全なブックシェルフ構造をとること
によって実現されるものである。
【０００３】しかしながら、配向膜として例えばポリイ
ミドのラビング膜を用いた場合でも、現実には強誘電性
液晶のＳｍ層がブックシェルフ構造とならず、図７に示
すようなシェブロン構造をとることになる。同図で、1
1，12がガラス基板、13，14が透明電極、15，16が配向
膜、17，18がシール材、19が強誘電性液晶である。その
ため、強誘電性液晶を用いた液晶表示装置が上述したよ
うな均一な配向状態にして充分なメモリ性を得ることは
困難であった。
ミドのラビング膜を用いた場合でも、現実には強誘電性
液晶のＳｍ層がブックシェルフ構造とならず、図７に示
すようなシェブロン構造をとることになる。同図で、1
1，12がガラス基板、13，14が透明電極、15，16が配向
膜、17，18がシール材、19が強誘電性液晶である。その
ため、強誘電性液晶を用いた液晶表示装置が上述したよ
うな均一な配向状態にして充分なメモリ性を得ることは
困難であった。
【０００４】また、強誘電性液晶による液晶表示装置を
液晶シャッターとして用いる場合も、強誘電性液晶中の
不純物イオンによる電荷のかたまりを生じ、この電荷の
かたまりのために連続したオンまたはオフの選択時に光
量の経時変化を生じて、安定したシャッター特性を得る
ことは困難であった。
液晶シャッターとして用いる場合も、強誘電性液晶中の
不純物イオンによる電荷のかたまりを生じ、この電荷の
かたまりのために連続したオンまたはオフの選択時に光
量の経時変化を生じて、安定したシャッター特性を得る
ことは困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したように強誘電
性液晶を用いた液晶表示装置では、現実には強誘電性液
晶中に不純物等を生じるために、その配向性が悪く、メ
モリ性の低いものとなってしまうという問題があった。
性液晶を用いた液晶表示装置では、現実には強誘電性液
晶中に不純物等を生じるために、その配向性が悪く、メ
モリ性の低いものとなってしまうという問題があった。
【０００６】本発明は上記のような実情に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、不純物を有するた
めにメモリ性を示さないような比較的容易に得られる強
誘電性液晶を用いる場合でも、安定した配向状態で高コ
ントラストの画像を得ることが可能な強誘電性液晶装置
の駆動方法を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、不純物を有するた
めにメモリ性を示さないような比較的容易に得られる強
誘電性液晶を用いる場合でも、安定した配向状態で高コ
ントラストの画像を得ることが可能な強誘電性液晶装置
の駆動方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】すなわち本発明
は、誘電異方性が負の強誘電性液晶を使用し、正または
負に偏寄した電界を印加した後に高周波電界を印加して
強誘電性液晶を第１の配向状態に維持し、正または負に
偏寄した電界を印加した後に無電界または弱電界を印加
して液晶中のイオンによる内部電荷により自発分極を上
記第１の配向状態から第２の配向状態に反転させ、高周
波電界により上記第２の配向状態を維持するようにした
もので、不純物を有するためにメモリ性を示さないよう
な比較的容易に得られる強誘電性液晶でも安定した配向
状態で高コントラストの画像を得ることができる。
は、誘電異方性が負の強誘電性液晶を使用し、正または
負に偏寄した電界を印加した後に高周波電界を印加して
強誘電性液晶を第１の配向状態に維持し、正または負に
偏寄した電界を印加した後に無電界または弱電界を印加
して液晶中のイオンによる内部電荷により自発分極を上
記第１の配向状態から第２の配向状態に反転させ、高周
波電界により上記第２の配向状態を維持するようにした
もので、不純物を有するためにメモリ性を示さないよう
な比較的容易に得られる強誘電性液晶でも安定した配向
状態で高コントラストの画像を得ることができる。
【０００８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例を説明
する。図１は強誘電性液晶装置のセル構造を示す断面図
であり、21，22はガラス基板、23，24はガラス基板21，
22上に配設形成された透明電極、25，26は透明電極23，
24上にコーティングされ、ラビング処理が施されてその
配向方向が平行とされたポリイミドによる配向膜、27，
28はシール材、29はシール材27，28によって上記配向膜
25，26間に封入された強誘電性液晶、30は透明電極23，
24を駆動する電源である。同図では、強誘電性液晶29中
のイオン不純物が電源30の駆動により透明電極23，24周
辺にかたよりを生じている状態を示す。
する。図１は強誘電性液晶装置のセル構造を示す断面図
であり、21，22はガラス基板、23，24はガラス基板21，
22上に配設形成された透明電極、25，26は透明電極23，
24上にコーティングされ、ラビング処理が施されてその
配向方向が平行とされたポリイミドによる配向膜、27，
28はシール材、29はシール材27，28によって上記配向膜
25，26間に封入された強誘電性液晶、30は透明電極23，
24を駆動する電源である。同図では、強誘電性液晶29中
のイオン不純物が電源30の駆動により透明電極23，24周
辺にかたよりを生じている状態を示す。
【０００９】ここで、上記構造のセル厚、すなわち配向
膜25，26間の距離を２［μｍ］とし、配向膜25，26間に
封入された強誘電性液晶29の物理特性値を図２に示すよ
うな値とする。
膜25，26間の距離を２［μｍ］とし、配向膜25，26間に
封入された強誘電性液晶29の物理特性値を図２に示すよ
うな値とする。
【００１０】このように不純物イオンを含み、シェブロ
ン構造を有する強誘電性液晶29に対して、図３（Ａ）に
示すような双極性パルス電圧（Ｖop＝２０［Ｖ］）を印
加すると、図３（Ｂ）に示すように強誘電性液晶29はメ
モリ性を有さず、透過光量が経時的に変化するようにな
る。
ン構造を有する強誘電性液晶29に対して、図３（Ａ）に
示すような双極性パルス電圧（Ｖop＝２０［Ｖ］）を印
加すると、図３（Ｂ）に示すように強誘電性液晶29はメ
モリ性を有さず、透過光量が経時的に変化するようにな
る。
【００１１】しかしながら、同じくこの強誘電性液晶29
に、図４（Ａ）に示すような高周波電界（ｆH ＝５０
［ｋＨｚ］）を印加すると、図４（Ｂ）に示すようにメ
モリ性を有し、その直前に印加された偏寄した直流電界
の配向状態を維持することがわかる。
に、図４（Ａ）に示すような高周波電界（ｆH ＝５０
［ｋＨｚ］）を印加すると、図４（Ｂ）に示すようにメ
モリ性を有し、その直前に印加された偏寄した直流電界
の配向状態を維持することがわかる。
【００１２】この点を利用して、図５に示すような時分
割駆動波形の信号を上記セル構造の強誘電性液晶装置に
供給する。ここでデューティ比を１／４とし、図５
（２）に４本すべての走査電極上のシャッターをみなオ
ンにするデータ信号Ｓ１を、図５（３）に４本すべての
走査電極上のシャッターをみなオフにするデータ信号Ｓ
２を、そして、図５（１）にコモン信号Ｃ１をそれぞれ
示す。データ信号Ｓ１とデータ信号Ｓ２は共に電圧値Ｖ
S ，−ＶS が与えられる、互いに極性の反転した同一高
周波（ｆH ）のパルス状の信号である。また、コモン信
号Ｃ１は、１フレーム（ｔｗ）を４分する第１の期間乃
至第３の期間ではデータ信号Ｓ１と同一周期の電圧値Ｖ
C ，−ＶC （ＶC ＜ＶS ）が与えられる信号であり、第
１の期間では完全にデータ信号Ｓ１と同期し、第２の期
間ではデータ信号Ｓ１より４分の１周期先行し、第３の
期間ではデータ信号Ｓ１より４分の１周期後退する。ま
た、第４の期間ではコモン信号に一定の値−Ｖ0 （Ｖ0
＜ＶC ）が与えられる。
割駆動波形の信号を上記セル構造の強誘電性液晶装置に
供給する。ここでデューティ比を１／４とし、図５
（２）に４本すべての走査電極上のシャッターをみなオ
ンにするデータ信号Ｓ１を、図５（３）に４本すべての
走査電極上のシャッターをみなオフにするデータ信号Ｓ
２を、そして、図５（１）にコモン信号Ｃ１をそれぞれ
示す。データ信号Ｓ１とデータ信号Ｓ２は共に電圧値Ｖ
S ，−ＶS が与えられる、互いに極性の反転した同一高
周波（ｆH ）のパルス状の信号である。また、コモン信
号Ｃ１は、１フレーム（ｔｗ）を４分する第１の期間乃
至第３の期間ではデータ信号Ｓ１と同一周期の電圧値Ｖ
C ，−ＶC （ＶC ＜ＶS ）が与えられる信号であり、第
１の期間では完全にデータ信号Ｓ１と同期し、第２の期
間ではデータ信号Ｓ１より４分の１周期先行し、第３の
期間ではデータ信号Ｓ１より４分の１周期後退する。ま
た、第４の期間ではコモン信号に一定の値−Ｖ0 （Ｖ0
＜ＶC ）が与えられる。
【００１３】しかして、実際に上記強誘電性液晶29に印
加される電圧波形は、図５（４）に示すＣ１−Ｓ１（オ
ン時）または図５（５）に示すＣ１−Ｓ２（オフ時）と
なる。そして、この波形の信号を実際に強誘電性液晶29
に印加して得られる応答を図６に示す。同図では、上述
した如くデューティ比を１／４とし、１フレームの周期
ｔｗを１．４４［ｍｓ］、ＶC ＝１６［Ｖ］、Ｖ0 ＝５
［Ｖ］、ＶS ＝２０［Ｖ］、ｆH ＝５０［ｋＨｚ］とし
たものである。コモン信号Ｃ１の第４の期間に与えられ
る−Ｖ0 は、その状態をリセットするために印加される
もので、この電界によって強誘電性液晶29中のイオン不
純物のかたよりが生じるが、この電界の印加直後に無電
界にすることと、この電荷のかたまりによる電界によっ
て自発分極が反転し、すなわちオン状態が実現され、そ
の後の高周波電界によってこの状態が安定化される。ま
た、オフ状態は高周波電界により−Ｖ0 でリセットされ
た状態をそのまま安定化することにより実現される。
加される電圧波形は、図５（４）に示すＣ１−Ｓ１（オ
ン時）または図５（５）に示すＣ１−Ｓ２（オフ時）と
なる。そして、この波形の信号を実際に強誘電性液晶29
に印加して得られる応答を図６に示す。同図では、上述
した如くデューティ比を１／４とし、１フレームの周期
ｔｗを１．４４［ｍｓ］、ＶC ＝１６［Ｖ］、Ｖ0 ＝５
［Ｖ］、ＶS ＝２０［Ｖ］、ｆH ＝５０［ｋＨｚ］とし
たものである。コモン信号Ｃ１の第４の期間に与えられ
る−Ｖ0 は、その状態をリセットするために印加される
もので、この電界によって強誘電性液晶29中のイオン不
純物のかたよりが生じるが、この電界の印加直後に無電
界にすることと、この電荷のかたまりによる電界によっ
て自発分極が反転し、すなわちオン状態が実現され、そ
の後の高周波電界によってこの状態が安定化される。ま
た、オフ状態は高周波電界により−Ｖ0 でリセットされ
た状態をそのまま安定化することにより実現される。
【００１４】なお、上記実施例の図２では強誘電性液晶
29の比抵抗ρの値を２．２×１０11としたが、これは１
０10以下である場合、すなわちイオン不純物が多いほう
が、より望ましい。
29の比抵抗ρの値を２．２×１０11としたが、これは１
０10以下である場合、すなわちイオン不純物が多いほう
が、より望ましい。
【００１５】
【発明の効果】以上詳記した如く本発明によれば、正ま
たは負に偏寄した電界を印加した後に高周波電界を印加
して強誘電性液晶を第１の配向状態に維持し、正または
負に偏寄した電界を印加した後に無電界または弱電界を
印加して液晶中のイオンによる内部電荷により自発分極
を上記第１の配向状態から第２の配向状態に反転させ、
高周波電界により上記第２の配向状態を維持するように
したので、不純物を有するためにメモリ性を示さないよ
うな比較的容易に得られる強誘電性液晶を用いた場合で
も、安定した配向状態で高コントラストの画像を得るこ
とが可能な強誘電性液晶装置の駆動方法を提供すること
ができる。
たは負に偏寄した電界を印加した後に高周波電界を印加
して強誘電性液晶を第１の配向状態に維持し、正または
負に偏寄した電界を印加した後に無電界または弱電界を
印加して液晶中のイオンによる内部電荷により自発分極
を上記第１の配向状態から第２の配向状態に反転させ、
高周波電界により上記第２の配向状態を維持するように
したので、不純物を有するためにメモリ性を示さないよ
うな比較的容易に得られる強誘電性液晶を用いた場合で
も、安定した配向状態で高コントラストの画像を得るこ
とが可能な強誘電性液晶装置の駆動方法を提供すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例に係る液晶のセル構造を示す
断面図。
断面図。
【図２】図１の強誘電性液晶の物理特性値を示す図。
【図３】図１の強誘電性液晶の双極性パルス電圧の印加
に対する応答特性を示す図。
に対する応答特性を示す図。
【図４】図１の強誘電性液晶の高周波電界の印加に対す
る応答特性を示す図。
る応答特性を示す図。
【図５】本発明の一実施例に係る駆動電圧波形を示すタ
イミングチャート。
イミングチャート。
【図６】図５の駆動波形に対応する応答特性を示す図。
【図７】イオン不純物を有するシェブロン構造の強誘電
性液晶のセル構造を示す断面図。
性液晶のセル構造を示す断面図。
11，12，21，22…ガラス基板、13，14，23，24…透明電
極、15，16，25，26…配向膜、17，18，27，28…シール
材、19，29…強誘電性液晶、30…電源。
極、15，16，25，26…配向膜、17，18，27，28…シール
材、19，29…強誘電性液晶、30…電源。
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電異方性が負の強誘電性液晶を用い、
正または負に偏寄した電界を印加した後に高周波電界を
印加して第１の配向状態に維持し、正または負に偏寄し
た電界を印加した後に無電界または弱電界を印加して液
晶中のイオンによる内部電荷により上記第１の配向状態
から第２の配向状態に反転させ、高周波電界により上記
第２の配向状態を維持することを特徴とする強誘電性液
晶装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15210293A JPH0713519A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 強誘電性液晶装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15210293A JPH0713519A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 強誘電性液晶装置の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0713519A true JPH0713519A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15533102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15210293A Pending JPH0713519A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 強誘電性液晶装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713519A (ja) |
-
1993
- 1993-06-23 JP JP15210293A patent/JPH0713519A/ja active Pending
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