JPH07135251A - 高周波回路装置のエアブリッジ配線 - Google Patents
高周波回路装置のエアブリッジ配線Info
- Publication number
- JPH07135251A JPH07135251A JP5282372A JP28237293A JPH07135251A JP H07135251 A JPH07135251 A JP H07135251A JP 5282372 A JP5282372 A JP 5282372A JP 28237293 A JP28237293 A JP 28237293A JP H07135251 A JPH07135251 A JP H07135251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- air bridge
- width
- layer wiring
- frequency circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】犠牲層除去時間の延長や犠牲層残渣の発生を回
避するとともに、交差配線間の寄生容量の低減も実現可
能な高周波回路装置のエアブリッジ配線を提供する。 【構成及び効果】下層配線１１をエアギャップを介して
跨ぐ上層配線１５は、基板１２上に延設された敷設部１
５ａから立ち上がる一対の脚部１５ｂを有し、一対の脚
部１５ｂは、敷設部１５ａより狭幅の跨線部１５ｃを空
中に支持する。このようにすれば、上層配線１５の全体
としての幅が広くても、跨線部１５ｃの幅は狭いままで
あるので、直下の犠牲層の除去は容易であり、しかも跨
線部１５ｃと下層配線１１との間の寄生容量も小さいま
まとなる。
避するとともに、交差配線間の寄生容量の低減も実現可
能な高周波回路装置のエアブリッジ配線を提供する。 【構成及び効果】下層配線１１をエアギャップを介して
跨ぐ上層配線１５は、基板１２上に延設された敷設部１
５ａから立ち上がる一対の脚部１５ｂを有し、一対の脚
部１５ｂは、敷設部１５ａより狭幅の跨線部１５ｃを空
中に支持する。このようにすれば、上層配線１５の全体
としての幅が広くても、跨線部１５ｃの幅は狭いままで
あるので、直下の犠牲層の除去は容易であり、しかも跨
線部１５ｃと下層配線１１との間の寄生容量も小さいま
まとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波トランジスタや
高周波ＩＣなどの高周波回路装置のエアブリッジ配線に
関する。
高周波ＩＣなどの高周波回路装置のエアブリッジ配線に
関する。
【０００２】
【従来技術】特開昭６３ー２５０１５５号公報は、高周
波回路の配線の寄生容量を低減するために空中配線（エ
アブリッジ配線）構造を提案している。
波回路の配線の寄生容量を低減するために空中配線（エ
アブリッジ配線）構造を提案している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このエアブリッジ配線
を形成するには、上層配線下の犠牲層を除去する必要が
あるが、配線幅が増大すると除去すべき犠牲層の体積が
増加するので、犠牲層除去時間の延長や犠牲層残渣の発
生が問題となる。また、配線幅が増大すると、犠牲層を
除去しても交差配線間の寄生容量が増大してしまい、そ
れにより交差配線間のクロストークもＳＮ比劣化を生じ
させる。
を形成するには、上層配線下の犠牲層を除去する必要が
あるが、配線幅が増大すると除去すべき犠牲層の体積が
増加するので、犠牲層除去時間の延長や犠牲層残渣の発
生が問題となる。また、配線幅が増大すると、犠牲層を
除去しても交差配線間の寄生容量が増大してしまい、そ
れにより交差配線間のクロストークもＳＮ比劣化を生じ
させる。
【０００４】さらに、上記のエアブリッジ配線を用いた
としても、周波数が高くなると寄生容量が増加する。こ
のため、高周波特性の劣化を招いてしまう。本発明は上
記問題点に鑑みなされたものであり、犠牲層除去時間の
延長や犠牲層残渣の発生を回避するとともに、交差配線
間の寄生容量の低減も実現可能な高周波回路装置のエア
ブリッジ配線を提供することを、その目的としている。
としても、周波数が高くなると寄生容量が増加する。こ
のため、高周波特性の劣化を招いてしまう。本発明は上
記問題点に鑑みなされたものであり、犠牲層除去時間の
延長や犠牲層残渣の発生を回避するとともに、交差配線
間の寄生容量の低減も実現可能な高周波回路装置のエア
ブリッジ配線を提供することを、その目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波回路装置
のエアブリッジ配線は、基板上に延設された下層配線
と、空隙を隔てて前記下層配線と交差する上層配線とを
有し、前記上層配線は前記基板上に延設された敷設部
と、前記敷設部から互いに接近する方向に立ち上がる一
対の脚部と、両端が前記両脚部に支持される跨線部とか
らなる集積回路のエアブリッジ配線において、前記跨線
部の幅は、前記上層配線の他の部分の幅より狭く形成さ
れることを特徴としている。
のエアブリッジ配線は、基板上に延設された下層配線
と、空隙を隔てて前記下層配線と交差する上層配線とを
有し、前記上層配線は前記基板上に延設された敷設部
と、前記敷設部から互いに接近する方向に立ち上がる一
対の脚部と、両端が前記両脚部に支持される跨線部とか
らなる集積回路のエアブリッジ配線において、前記跨線
部の幅は、前記上層配線の他の部分の幅より狭く形成さ
れることを特徴としている。
【０００６】なお、跨線部の幅を狭くするには跨線部の
中央部などに開口を設けるなどの方法で行うこともでき
る。好適な態様において、前記跨線部の幅は、前記脚部
の幅より狭く形成される。好適な態様において、前記脚
部の下部は前記脚部の上部より広幅に形成される。
中央部などに開口を設けるなどの方法で行うこともでき
る。好適な態様において、前記跨線部の幅は、前記脚部
の幅より狭く形成される。好適な態様において、前記脚
部の下部は前記脚部の上部より広幅に形成される。
【０００７】
【作用及び発明の効果】下層配線を跨ぐ上層配線は、基
板上に延設された敷設部から立ち上がる一対の脚部を有
し、一対の脚部は、他の部分より狭幅の跨線部を空中に
支持する。このようにすれば、上層配線の全体としての
幅が広くても、跨線部の幅は狭いために、直下の犠牲層
の除去は容易であり、しかも跨線部と下層配線との間の
寄生容量も小さい。もちろん、跨線部の電気抵抗は幅が
狭い分だけ増大するが、跨線部は下層配線を跨ぐに足る
長さがあればよく、上層配線全体としての抵抗増加はほ
とんど無視することができる。
板上に延設された敷設部から立ち上がる一対の脚部を有
し、一対の脚部は、他の部分より狭幅の跨線部を空中に
支持する。このようにすれば、上層配線の全体としての
幅が広くても、跨線部の幅は狭いために、直下の犠牲層
の除去は容易であり、しかも跨線部と下層配線との間の
寄生容量も小さい。もちろん、跨線部の電気抵抗は幅が
狭い分だけ増大するが、跨線部は下層配線を跨ぐに足る
長さがあればよく、上層配線全体としての抵抗増加はほ
とんど無視することができる。
【０００８】好適な態様において、跨線部の幅は、脚部
の幅より狭く形成される。このようにすれば、脚部は自
己の強度に比べて比較的小型軽量の跨線部を支持するこ
とになり、振動などに対する強度が向上する。好適な態
様において、脚部の下部は脚部の上部より広幅に形成さ
れる。このようにすれば、脚部の強度低下を抑止しつ
つ、脚部に隣接する犠牲層の除去の容易化、及び脚部と
下層配線との間の寄生容量の削減を実現できる。
の幅より狭く形成される。このようにすれば、脚部は自
己の強度に比べて比較的小型軽量の跨線部を支持するこ
とになり、振動などに対する強度が向上する。好適な態
様において、脚部の下部は脚部の上部より広幅に形成さ
れる。このようにすれば、脚部の強度低下を抑止しつ
つ、脚部に隣接する犠牲層の除去の容易化、及び脚部と
下層配線との間の寄生容量の削減を実現できる。
【０００９】
（実施例１）本発明の高周波回路装置のエアブリッジ配
線の一例を（図示せず）１に基づいて説明する。図１
（ａ）はこのエアブリッジ配線の要部平面模式図を、図
１（ｂ）は図１（ａ）のエアブリッジ構造のＣーＣ線断
面模式図を示す。
線の一例を（図示せず）１に基づいて説明する。図１
（ａ）はこのエアブリッジ配線の要部平面模式図を、図
１（ｂ）は図１（ａ）のエアブリッジ構造のＣーＣ線断
面模式図を示す。
【００１０】基板１２上には下層配線１１（以下配線１
１ともいう）と上層配線１５（以下配線１５ともいう）
が形成されており、配線１１と配線１５の交差部分で、
配線１５は空中で配線１１を跨ぐいわゆるエアブリッジ
配線構造となっている。すなわち、配線１５は、基板１
２上に延設された広幅の敷設部１５ａと、敷設部１５ａ
から互いに接近する略斜め方向に立ち上がる一対の脚部
１５ｂと、両脚部に支持される狭幅の跨線部１５ｃとか
らなる。また。脚部１５ｂは下部から上部へ徐々に幅が
狭くなっている。
１ともいう）と上層配線１５（以下配線１５ともいう）
が形成されており、配線１１と配線１５の交差部分で、
配線１５は空中で配線１１を跨ぐいわゆるエアブリッジ
配線構造となっている。すなわち、配線１５は、基板１
２上に延設された広幅の敷設部１５ａと、敷設部１５ａ
から互いに接近する略斜め方向に立ち上がる一対の脚部
１５ｂと、両脚部に支持される狭幅の跨線部１５ｃとか
らなる。また。脚部１５ｂは下部から上部へ徐々に幅が
狭くなっている。
【００１１】この実施例では、脚部１５ｂの下端幅は３
０μｍ、上端幅は１０μｍ、跨線部１５ｃの幅は中央部
で１０μｍとなっている。また、跨線部１５ｃの両端部
は脚部１５ｂの上端に整合するように徐々に拡幅されて
いる。このようにすれば、エアブリッジ構造における跨
線部１５ｃの幅は、脚部１５ｂに比べて狭いので、後述
する犠牲層の除去は容易であり、しかも跨線部１５ｃと
下層配線１１との間の寄生容量も低減することができ
る。
０μｍ、上端幅は１０μｍ、跨線部１５ｃの幅は中央部
で１０μｍとなっている。また、跨線部１５ｃの両端部
は脚部１５ｂの上端に整合するように徐々に拡幅されて
いる。このようにすれば、エアブリッジ構造における跨
線部１５ｃの幅は、脚部１５ｂに比べて狭いので、後述
する犠牲層の除去は容易であり、しかも跨線部１５ｃと
下層配線１１との間の寄生容量も低減することができ
る。
【００１２】また、脚部１５ｂは自己の強度に比べて比
較的小型軽量の跨線部１５ｃを支持することになり、振
動などに対する強度が向上する。更に、脚部１５ｂは下
部から上部へ徐々に幅が狭くなっているので、脚部１５
ｂの強度低下を抑止しつつ、脚部１５ｂに隣接する犠牲
層の除去の容易化、及び脚部１５ｂと下層配線１１との
間の寄生容量の低減が実現する。
較的小型軽量の跨線部１５ｃを支持することになり、振
動などに対する強度が向上する。更に、脚部１５ｂは下
部から上部へ徐々に幅が狭くなっているので、脚部１５
ｂの強度低下を抑止しつつ、脚部１５ｂに隣接する犠牲
層の除去の容易化、及び脚部１５ｂと下層配線１１との
間の寄生容量の低減が実現する。
【００１３】次にこのエアブリッジ配線の製造工程の一
例を図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明する。
図２（ａ）において、下層配線２２が配設された基板２
１上に第１層目のレジストパターン２３を形成する。こ
のレジストパターンは跨線部形成予定領域Ａにおいて下
層配線２２を覆っている。
例を図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明する。
図２（ａ）において、下層配線２２が配設された基板２
１上に第１層目のレジストパターン２３を形成する。こ
のレジストパターンは跨線部形成予定領域Ａにおいて下
層配線２２を覆っている。
【００１４】次に図２（ｂ）に示すように、メッキ用の
給電電極２４をマスク蒸着等の方法で形成し、さらに第
２層目のレジストパターン２５を形成する。給電電極２
４は、跨線部形成予定領域Ａの表面及びその左右の脚部
形成予定領域Ｂの表面に配設された給電電極２４ａと、
給電電極部２４ａに給電するための給電電極２４ｂとか
らなる。第２層目のレジストパターン２５は、給電電極
部２４ａを露出し、給電電極２４ｂを覆う。次に、給電
電極２４を通じて電流を流して、給電電極２４ａ上にエ
アブリッジ配線２６を電解メッキにより形成する。
給電電極２４をマスク蒸着等の方法で形成し、さらに第
２層目のレジストパターン２５を形成する。給電電極２
４は、跨線部形成予定領域Ａの表面及びその左右の脚部
形成予定領域Ｂの表面に配設された給電電極２４ａと、
給電電極部２４ａに給電するための給電電極２４ｂとか
らなる。第２層目のレジストパターン２５は、給電電極
部２４ａを露出し、給電電極２４ｂを覆う。次に、給電
電極２４を通じて電流を流して、給電電極２４ａ上にエ
アブリッジ配線２６を電解メッキにより形成する。
【００１５】次に、第２層レジストパターン２５と給電
電極２４ｂ、更に第１層レジストパターン２３を順に除
去し、図２（ｃ）に示すエアブリッジ配線を得る。第１
層レジスト２３および第２層レジスト２５の除去は、酸
素アッシングまたはアセトンやレジストリムーバー等の
有機溶剤による洗浄等により行う。また給電電極２４は
ウエットエッチングやアルゴンスパッタ等の方法により
除去する。
電極２４ｂ、更に第１層レジストパターン２３を順に除
去し、図２（ｃ）に示すエアブリッジ配線を得る。第１
層レジスト２３および第２層レジスト２５の除去は、酸
素アッシングまたはアセトンやレジストリムーバー等の
有機溶剤による洗浄等により行う。また給電電極２４は
ウエットエッチングやアルゴンスパッタ等の方法により
除去する。
【００１６】なお、メッキ用の給電電極２４をマスク蒸
着等の方法で形成する前に、第１層目のレジストパター
ン２３を熱軟化するなどして山状に変形すれば、図１に
示すように給電電極２４を斜めに立ち上げることができ
る。 （他の実施例）本発明によるエアブリッジ構造の他の実
施例を図３（ａ）、（ｂ）に基づいて説明する。図３
（ａ）はこのエアブリッジ配線の平面模式図を示し、図
３（ｂ）はそのＤーＤ線断面模式図を示す。
着等の方法で形成する前に、第１層目のレジストパター
ン２３を熱軟化するなどして山状に変形すれば、図１に
示すように給電電極２４を斜めに立ち上げることができ
る。 （他の実施例）本発明によるエアブリッジ構造の他の実
施例を図３（ａ）、（ｂ）に基づいて説明する。図３
（ａ）はこのエアブリッジ配線の平面模式図を示し、図
３（ｂ）はそのＤーＤ線断面模式図を示す。
【００１７】図３（ａ）、（ｂ）において、基板３２上
に下層配線３１と上層配線３５が形成されており、配線
３１と配線３５との交差部分で、配線３５は空中で配線
３１を乗り越えるいわゆるエアブリッジ配線となってい
る。配線３５の跨線部３５ｃにおいて、配線３１直上方
に位置して配線３５に開口部３３が形成されている。こ
の開口の形成プロセスは、例えば図２（ｂ）において、
マスク蒸着される給電電極２４のパターンに開口を形成
すればよい。
に下層配線３１と上層配線３５が形成されており、配線
３１と配線３５との交差部分で、配線３５は空中で配線
３１を乗り越えるいわゆるエアブリッジ配線となってい
る。配線３５の跨線部３５ｃにおいて、配線３１直上方
に位置して配線３５に開口部３３が形成されている。こ
の開口の形成プロセスは、例えば図２（ｂ）において、
マスク蒸着される給電電極２４のパターンに開口を形成
すればよい。
【００１８】なお、開口部３３の形状は、四角形とした
が、円形やひし形や楕円形等、形状は問わない。また、
複数の開口を設けることも可能である。このようにすれ
ば、上層配線３５の跨線部３５ｃの幅はその敷設部３５
ａの幅より削減され、かつ、跨線部３５ｃの中央部に開
口３５ｃを有するので、上層配線３５と下層配線とのオ
ーバーラップ（交差）面積が削減されて寄生容量を小さ
くすることができる。
が、円形やひし形や楕円形等、形状は問わない。また、
複数の開口を設けることも可能である。このようにすれ
ば、上層配線３５の跨線部３５ｃの幅はその敷設部３５
ａの幅より削減され、かつ、跨線部３５ｃの中央部に開
口３５ｃを有するので、上層配線３５と下層配線とのオ
ーバーラップ（交差）面積が削減されて寄生容量を小さ
くすることができる。
【００１９】さらに開口部３４を設けることにより、跨
線部３５ｃ直下の第１層目のレジストパターン２３の除
去も容易となる効果が生じる。つまり、図２（ｂ）にお
いて、第１層目のレジスト２３をレジストの溶剤による
洗浄等の方法により除去する場合、エアブリッジ配線に
設けた開口部からも第１層目のレジスト２３の除去が行
われ、レジストの除去時間を低減したり、エアブリッジ
配線下に発生するレジスト残渣を防止することが可能と
なる。
線部３５ｃ直下の第１層目のレジストパターン２３の除
去も容易となる効果が生じる。つまり、図２（ｂ）にお
いて、第１層目のレジスト２３をレジストの溶剤による
洗浄等の方法により除去する場合、エアブリッジ配線に
設けた開口部からも第１層目のレジスト２３の除去が行
われ、レジストの除去時間を低減したり、エアブリッジ
配線下に発生するレジスト残渣を防止することが可能と
なる。
【図１】図１（ａ）はこのエアブリッジ配線の要部平面
模式図を、図１（ｂ）はそのＣーＣ線断面模式図を示
す。
模式図を、図１（ｂ）はそのＣーＣ線断面模式図を示
す。
【図２】エアブリッジ配線の製造工程の一例を示す。
【図３】図３（ａ）はこのエアブリッジ配線の平面模式
図を示し、図３（ｂ）はそのＤーＤ線断面模式図を示
す。
図を示し、図３（ｂ）はそのＤーＤ線断面模式図を示
す。
１１は下層配線、１２は基板、１５は上層配線、１５ａ
は敷設部、１５ｂは脚部、１５ｃは跨線部。
は敷設部、１５ｂは脚部、１５ｃは跨線部。
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に延設された下層配線と、空隙を隔
てて前記下層配線と交差する上層配線とを有し、前記上
層配線は前記基板上に延設された敷設部と、前記敷設部
から互いに接近する方向に立ち上がる一対の脚部と、両
端が前記両脚部に支持される跨線部とからなる集積回路
のエアブリッジ配線において、 前記跨線部の幅は、前記上層配線の他の部分の幅より狭
く形成されることを特徴とする高周波回路装置のエアブ
リッジ配線。 - 【請求項２】前記跨線部の幅は、前記脚部の幅より狭く
形成される請求項１記載の高周波回路装置のエアブリッ
ジ配線。 - 【請求項３】前記脚部の下部は前記脚部の上部より広幅
に形成される請求項１記載の高周波回路装置のエアブリ
ッジ配線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28237293A JP3455995B2 (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 高周波回路装置のエアブリッジ配線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28237293A JP3455995B2 (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 高周波回路装置のエアブリッジ配線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135251A true JPH07135251A (ja) | 1995-05-23 |
| JP3455995B2 JP3455995B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=17651552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28237293A Expired - Fee Related JP3455995B2 (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 高周波回路装置のエアブリッジ配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3455995B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100367623B1 (ko) * | 1999-11-29 | 2003-01-10 | 대한민국 | 공기 절연층을 갖는 마이크로스트립 구조의 모놀리식마이크로웨이브 아이.씨.용 3 ｄＢ 커플러 및 그 제작 방법 |
| JP2004514271A (ja) * | 2000-07-12 | 2004-05-13 | モトローラ・インコーポレイテッド | 電子部品及び製造方法 |
| JP2007201413A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| EP1986232A2 (en) | 2007-04-23 | 2008-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| WO2013111725A1 (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016181758A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| JP2018109771A (ja) * | 2012-01-20 | 2018-07-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
-
1993
- 1993-11-11 JP JP28237293A patent/JP3455995B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100367623B1 (ko) * | 1999-11-29 | 2003-01-10 | 대한민국 | 공기 절연층을 갖는 마이크로스트립 구조의 모놀리식마이크로웨이브 아이.씨.용 3 ｄＢ 커플러 및 그 제작 방법 |
| JP2004514271A (ja) * | 2000-07-12 | 2004-05-13 | モトローラ・インコーポレイテッド | 電子部品及び製造方法 |
| JP2007201413A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| EP1986232A2 (en) | 2007-04-23 | 2008-10-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7812451B2 (en) | 2007-04-23 | 2010-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2018109771A (ja) * | 2012-01-20 | 2018-07-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2019194712A (ja) * | 2012-01-20 | 2019-11-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2013111725A1 (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016181758A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3455995B2 (ja) | 2003-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3355817B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100420948B1 (ko) | 병렬 분기 구조의 나선형 인덕터 | |
| TW201347084A (zh) | 具有通孔線路結構之佈線設計 | |
| JP3600544B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2964981B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3455995B2 (ja) | 高周波回路装置のエアブリッジ配線 | |
| KR100374249B1 (ko) | 반도체장치및그제조방법 | |
| JP5072417B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100206080B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JP2002270776A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JP2010034248A (ja) | スパイラルインダクタ | |
| CN106611760B (zh) | 化合物半导体集成电路的电路布局方法 | |
| JPH01308036A (ja) | ボンデイングパッド及びその製造方法 | |
| JPH088340A (ja) | エアーブリッジ配線 | |
| CN221532035U (zh) | 一种互连结构和超导量子电路 | |
| JPH0530068B2 (ja) | ||
| JP2005109060A (ja) | 配線構造及びその形成方法 | |
| JP4849788B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11186381A (ja) | 配線構造およびその形成方法 | |
| JPH11204637A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100510937B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JPH01298746A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0786281A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPS63111674A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11330232A (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |