JPH07136785A - レーザ露光描画装置 - Google Patents
レーザ露光描画装置Info
- Publication number
- JPH07136785A JPH07136785A JP5289505A JP28950593A JPH07136785A JP H07136785 A JPH07136785 A JP H07136785A JP 5289505 A JP5289505 A JP 5289505A JP 28950593 A JP28950593 A JP 28950593A JP H07136785 A JPH07136785 A JP H07136785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- optical system
- exposure drawing
- wafer
- drawing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 加工時間を短くすることができるレーザ露光
描画装置を提供すること。 【構成】 レーザ光束１２を走査させて被照射体３１の
表面に露光描画を形成するためのレーザ露光描画装置に
おいて、レーザ光源１１を含む光学系と被照射体３１の
両者を移動させることによってレーザ光束１２の光軸に
対する被照射体３１の半径方向の相対的移動がなされ
る。
描画装置を提供すること。 【構成】 レーザ光束１２を走査させて被照射体３１の
表面に露光描画を形成するためのレーザ露光描画装置に
おいて、レーザ光源１１を含む光学系と被照射体３１の
両者を移動させることによってレーザ光束１２の光軸に
対する被照射体３１の半径方向の相対的移動がなされ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子、マスク、レ
クチル等の製造においてレーザを利用して微細加工を行
うためのレーザ露光描画装置に関する。
クチル等の製造においてレーザを利用して微細加工を行
うためのレーザ露光描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、マスク、レクチル等の製造
分野では、微細パターンの形成等の微細加工にレーザ露
光描画装置が使用される。斯かるレーザ露光描画装置
は、典型的には、レーザ光源と投影光学系又は縮小光学
系を含む光学系と被照射体と被照射体を光軸に直交する
方向に沿って移動させるための移動装置とを有する。
分野では、微細パターンの形成等の微細加工にレーザ露
光描画装置が使用される。斯かるレーザ露光描画装置
は、典型的には、レーザ光源と投影光学系又は縮小光学
系を含む光学系と被照射体と被照射体を光軸に直交する
方向に沿って移動させるための移動装置とを有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザ露光描画
装置では、微細パターンの形成等の微細加工をすると
き、光学系に対して被照射体を移動させていた。即ち、
光学系は固定され、それに対して被照射体のみが移動さ
れるように構成されていた。従って、ステッピング時間
が長く、加工時間を短くすることが困難であった。
装置では、微細パターンの形成等の微細加工をすると
き、光学系に対して被照射体を移動させていた。即ち、
光学系は固定され、それに対して被照射体のみが移動さ
れるように構成されていた。従って、ステッピング時間
が長く、加工時間を短くすることが困難であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によると、レーザ
光束１２を走査させて被照射体３１の表面に露光描画を
形成するためのレーザ露光描画装置において、レーザ光
源１１を含む光学系と被照射体３１の両者を移動させる
ことによってレーザ光束１２の光軸に直交する方向に沿
った被照射体３１の相対的移動がなされる。
光束１２を走査させて被照射体３１の表面に露光描画を
形成するためのレーザ露光描画装置において、レーザ光
源１１を含む光学系と被照射体３１の両者を移動させる
ことによってレーザ光束１２の光軸に直交する方向に沿
った被照射体３１の相対的移動がなされる。
【０００５】本発明によると、レーザ露光描画装置にお
いて、光学系の移動と被照射体３１の移動とは互いに平
行且つ反対方向となるように構成されている。
いて、光学系の移動と被照射体３１の移動とは互いに平
行且つ反対方向となるように構成されている。
【０００６】本発明によると、レーザ露光描画装置にお
いて、光学系の移動と被照射体３１の移動とは同時にな
されるように構成されている。
いて、光学系の移動と被照射体３１の移動とは同時にな
されるように構成されている。
【０００７】本発明によると、レーザ露光描画装置にお
いて、レーザ光源１１は波長λ＝１００〜３００ｎｍの
紫外線レーザを発生する。
いて、レーザ光源１１は波長λ＝１００〜３００ｎｍの
紫外線レーザを発生する。
【０００８】本発明によると、レーザ露光描画装置にお
いて、レーザ光源１１は連続発振型レーザを発生する。
いて、レーザ光源１１は連続発振型レーザを発生する。
【０００９】
【作用】光学系組立体をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動さ
せるためのＸＹステージ２２とウエハ３１をＸ軸方向及
びＹ軸方向に移動させるためのウエハステージ３２とが
設けられているため、光学系組立体とウエハ３１の両者
を移動させることができる。
せるためのＸＹステージ２２とウエハ３１をＸ軸方向及
びＹ軸方向に移動させるためのウエハステージ３２とが
設けられているため、光学系組立体とウエハ３１の両者
を移動させることができる。
【００１０】
【実施例】以下に図１を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明によるレーザ露光描画装置の
外観を示す。
て説明する。図１は本発明によるレーザ露光描画装置の
外観を示す。
【００１１】本例のレーザ露光描画装置はレーザ光源１
１と照明光学系１４とレクチル１５と投影光学系又は縮
小光学系１６とハウジング１７とを有し、これらは光学
系組立体を形成する。斯かる光学系組立体はＸＹステー
ジ２２によって支持されている。ＸＹステージ２２は光
学系組立体をＸ軸方向に沿って移動させるためのＸステ
ージ２２Ｘと光学系組立体をＹ軸方向に沿って移動させ
るためのＹステージ２２Ｙとを有する。ＸＹステージ２
２は窓２２Ａを有する。
１と照明光学系１４とレクチル１５と投影光学系又は縮
小光学系１６とハウジング１７とを有し、これらは光学
系組立体を形成する。斯かる光学系組立体はＸＹステー
ジ２２によって支持されている。ＸＹステージ２２は光
学系組立体をＸ軸方向に沿って移動させるためのＸステ
ージ２２Ｘと光学系組立体をＹ軸方向に沿って移動させ
るためのＹステージ２２Ｙとを有する。ＸＹステージ２
２は窓２２Ａを有する。
【００１２】光学系組立体の下方にはウエハ３１を支持
するウエハステージ３２が配置されており、斯かるウエ
ハステージ３２はウエハ３１をＸ軸方向に沿って移動さ
せるためのＸウエハステージ３２Ｘとウエハ３１をＹ軸
方向に沿って移動させるためのＹウエハステージ３２Ｙ
とを有する。
するウエハステージ３２が配置されており、斯かるウエ
ハステージ３２はウエハ３１をＸ軸方向に沿って移動さ
せるためのＸウエハステージ３２Ｘとウエハ３１をＹ軸
方向に沿って移動させるためのＹウエハステージ３２Ｙ
とを有する。
【００１３】本例によると、光学系組立体の移動量を検
出するための第１の測長器２３とウエハ３１の移動量を
検出するための第２の測長器３３とが具えられている。
第１の測長器２３は光学系組立体のＸ軸方向の移動量を
検出するＸ測長器２３Ｘと光学系組立体のＹ軸方向の移
動量を検出するＹ測長器２３Ｙとを有し、第２の測長器
３３はウエハ３１のＸ軸方向の移動量を検出するＸ測長
器３３Ｘとウエハ３１のＹ軸方向の移動量を検出するＹ
測長器３３Ｙとを有する。
出するための第１の測長器２３とウエハ３１の移動量を
検出するための第２の測長器３３とが具えられている。
第１の測長器２３は光学系組立体のＸ軸方向の移動量を
検出するＸ測長器２３Ｘと光学系組立体のＹ軸方向の移
動量を検出するＹ測長器２３Ｙとを有し、第２の測長器
３３はウエハ３１のＸ軸方向の移動量を検出するＸ測長
器３３Ｘとウエハ３１のＹ軸方向の移動量を検出するＹ
測長器３３Ｙとを有する。
【００１４】これらの機器はベース４１上に配置されて
いる。
いる。
【００１５】レーザ光源１１は、任意のレーザであって
よいが、好ましくは波長λ＝１００〜３００ｎｍの紫外
線レーザが使用される。
よいが、好ましくは波長λ＝１００〜３００ｎｍの紫外
線レーザが使用される。
【００１６】レーザ光源１１は任意の形式のものであっ
てよいが、好ましくは連続発振型が使用される。しかし
ながら、より好ましくは、ＹＡＧレーザの第２高調波
（波長λ＝２６６ｎｍ）が使用される。
てよいが、好ましくは連続発振型が使用される。しかし
ながら、より好ましくは、ＹＡＧレーザの第２高調波
（波長λ＝２６６ｎｍ）が使用される。
【００１７】レーザ光源１１より発生したレーザ光束１
２は照明光学系１４に導かれ、斯かる照明光学系１４に
よってレーザエネルギ強度分布が均一になるように成形
される。斯かるレーザ光束１２はレクチル１５と投影光
学系又は縮小光学系１６と窓２２Ａを経由してウエハ３
１上に導かれる。レーザ光束１２は、斯かる投影光学系
又は縮小光学系１６によってその球面収差及び非点収差
が補正される。こうして、レクチルの焦点像はウエハ３
１の被照射面の所定位置に照射される。
２は照明光学系１４に導かれ、斯かる照明光学系１４に
よってレーザエネルギ強度分布が均一になるように成形
される。斯かるレーザ光束１２はレクチル１５と投影光
学系又は縮小光学系１６と窓２２Ａを経由してウエハ３
１上に導かれる。レーザ光束１２は、斯かる投影光学系
又は縮小光学系１６によってその球面収差及び非点収差
が補正される。こうして、レクチルの焦点像はウエハ３
１の被照射面の所定位置に照射される。
【００１８】本例によると、上述のように、光学系組立
体をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させるためのＸＹステ
ージ２２とウエハ３１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動さ
せるためのウエハステージ３２とが設けられており、光
軸に直交する方向に沿ったウエハ３１の相対的位置の変
化はＸＹステージ２２とウエハステージ３２の両者によ
ってなされる。
体をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させるためのＸＹステ
ージ２２とウエハ３１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動さ
せるためのウエハステージ３２とが設けられており、光
軸に直交する方向に沿ったウエハ３１の相対的位置の変
化はＸＹステージ２２とウエハステージ３２の両者によ
ってなされる。
【００１９】従って、ウエハ３１の表面に所定の露光描
画パターンを形成する場合には、ＸＹステージ２２とウ
エハステージ３２の両者を使用して光軸に直交する方向
に沿ったウエハ３１の相対的位置が変化される。
画パターンを形成する場合には、ＸＹステージ２２とウ
エハステージ３２の両者を使用して光軸に直交する方向
に沿ったウエハ３１の相対的位置が変化される。
【００２０】尚、好ましくは、ＸＹステージ２２によっ
て光学系組立体をＸ軸方向に移動させる場合にはウエハ
ステージ３２によってウエハ３１もＸ軸方向に移動さ
れ、ＸＹステージ２２によって光学系組立体をＹ軸方向
に移動させる場合にはウエハステージ３２によってウエ
ハ３１もＹ軸方向に移動される。更に、ＸＹステージ２
２とウエハステージ３２は別個に作動されてよいが、好
ましくは同時に作動される。
て光学系組立体をＸ軸方向に移動させる場合にはウエハ
ステージ３２によってウエハ３１もＸ軸方向に移動さ
れ、ＸＹステージ２２によって光学系組立体をＹ軸方向
に移動させる場合にはウエハステージ３２によってウエ
ハ３１もＹ軸方向に移動される。更に、ＸＹステージ２
２とウエハステージ３２は別個に作動されてよいが、好
ましくは同時に作動される。
【００２１】こうして本例によれば、光軸に直交する方
向に沿ってウエハ３１の相対的位置を変化させる場合、
光学系組立体とウエハ３１の両者が移動されるから、ウ
エハ３１のみを移動させる場合に比べて、移動量が半分
になり、移動作業をより迅速になすことができる
向に沿ってウエハ３１の相対的位置を変化させる場合、
光学系組立体とウエハ３１の両者が移動されるから、ウ
エハ３１のみを移動させる場合に比べて、移動量が半分
になり、移動作業をより迅速になすことができる
【００２２】以上本発明の実施例について詳細に説明し
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
【００２３】
【発明の効果】本発明によると、光軸に直交する方向に
沿ってウエハ３１の相対的位置を変化させる場合、光学
系組立体とウエハ３１の両者が移動されるから、ウエハ
３１のみを移動させる場合に比べて、移動量が半分にな
る利点がある。
沿ってウエハ３１の相対的位置を変化させる場合、光学
系組立体とウエハ３１の両者が移動されるから、ウエハ
３１のみを移動させる場合に比べて、移動量が半分にな
る利点がある。
【００２４】本発明によると、光軸に直交する方向に沿
ってウエハ３１の相対的位置を変化させる場合、光学系
組立体とウエハ３１の両者が移動されるから、ウエハ３
１のみを移動させる場合に比べて、露光描画作業をより
迅速になすことができる利点がある。
ってウエハ３１の相対的位置を変化させる場合、光学系
組立体とウエハ３１の両者が移動されるから、ウエハ３
１のみを移動させる場合に比べて、露光描画作業をより
迅速になすことができる利点がある。
【００２５】本発明によると、光軸に直交する方向に沿
ってウエハ３１の相対的位置を変化させる場合、光学系
組立体とウエハ３１の両者が移動されるから、スルース
トップを向上させることができる利点がある。
ってウエハ３１の相対的位置を変化させる場合、光学系
組立体とウエハ３１の両者が移動されるから、スルース
トップを向上させることができる利点がある。
【図１】本発明によるレーザ露光描画装置の例を示す図
である。
である。
１１ 光源 １２ レーザ光束 １４ 照明光学系 １５ レクチル １６ 投影光学系又は縮小光学系 １７ ハウジング ２２ ＸＹステージ ２２Ａ 窓 ２２Ｘ Ｘステージ ２２Ｙ Ｙステージ ２３ 測長器又はレーザ干渉系 ２３Ｘ Ｘ測長器又はレーザ干渉系 ２３Ｙ Ｙ測長器又はレーザ干渉系 ３１ ウエハ ３２ ウエハステージ ３２Ｘ Ｘウエハステージ ３２Ｙ Ｙウエハステージ ３３ 測長器又はレーザ干渉系 ３３Ｘ Ｘ測長器又はレーザ干渉系 ３３Ｙ Ｙ測長器又はレーザ干渉系 ４１ ベース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ 9122−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 田中 宏明 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】レーザ光束を走査させて被照射体の表面に
露光描画を形成するためのレーザ露光描画装置におい
て、レーザ光源を含む光学系と上記被照射体の両者を移
動させることによって上記レーザ光束の光軸に直交する
方向に沿った上記被照射体の相対的移動がなされること
を特徴とするレーザ露光描画装置。 - 【請求項２】請求項１記載のレーザ露光描画装置におい
て、上記光学系の移動と上記被照射体の移動とは互いに
平行且つ反対方向となすことができるように構成されて
いることを特徴とするレーザ露光描画装置。 - 【請求項３】請求項１又は２記載のレーザ露光描画装置
において、上記光学系の移動と上記被照射体の移動とは
同時になすことができるように構成されていることを特
徴とするレーザ露光描画装置。 - 【請求項４】請求項１、２又は３記載のレーザ露光描画
装置において、上記レーザ光源は波長λ＝１００〜３０
０ｎｍの紫外線レーザを発生することを特徴とするレー
ザ露光描画装置。 - 【請求項５】請求項１、２、３又は４記載のレーザ露光
描画装置において、上記レーザ光源は連続発振型レーザ
を発生することを特徴とするレーザ露光描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5289505A JPH07136785A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | レーザ露光描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5289505A JPH07136785A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | レーザ露光描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07136785A true JPH07136785A (ja) | 1995-05-30 |
Family
ID=17744142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5289505A Pending JPH07136785A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | レーザ露光描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07136785A (ja) |
-
1993
- 1993-11-18 JP JP5289505A patent/JPH07136785A/ja active Pending
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