JPH07140085A - 半導体ウェーハの表面測定方法 - Google Patents
半導体ウェーハの表面測定方法Info
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- JPH07140085A JPH07140085A JP5311318A JP31131893A JPH07140085A JP H07140085 A JPH07140085 A JP H07140085A JP 5311318 A JP5311318 A JP 5311318A JP 31131893 A JP31131893 A JP 31131893A JP H07140085 A JPH07140085 A JP H07140085A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハの表面観察において、測定されるダ
ストの位置精度を向上する。 【構成】 検査機によるダスト位置測定の際、半導体ウ
ェーハ１表面上の特定ダストＡを原点として新たな座標
系Ｘ−Ｙを設定し、この座標系を基に各ダストＢ〜Ｆの
ウェーハ上位置を測定する。またダスト観察のためのＳ
ＥＭでは、検査機で求まったデータをフロッピィから読
み込み、まずＳＥＭで検出可能な大きなダストを選択
し、この座標値より原点Ａを規定する。その後、原点Ａ
の座標系で各ダスト位置を検知し、電子ビーム照射によ
りダストの性状を観察する。
ストの位置精度を向上する。 【構成】 検査機によるダスト位置測定の際、半導体ウ
ェーハ１表面上の特定ダストＡを原点として新たな座標
系Ｘ−Ｙを設定し、この座標系を基に各ダストＢ〜Ｆの
ウェーハ上位置を測定する。またダスト観察のためのＳ
ＥＭでは、検査機で求まったデータをフロッピィから読
み込み、まずＳＥＭで検出可能な大きなダストを選択
し、この座標値より原点Ａを規定する。その後、原点Ａ
の座標系で各ダスト位置を検知し、電子ビーム照射によ
りダストの性状を観察する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハの表面に
付着する微粒子（ダスト）などの位置を測定する方法お
よびこの方法を用いたウェーハ表面観察方法に関する。
付着する微粒子（ダスト）などの位置を測定する方法お
よびこの方法を用いたウェーハ表面観察方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェーハの表面に付着した
ダストの位置や個数を測定する方法としては、レーザー
光などの強い光をウェーハ表面に照射することで、ダス
トからの散乱光を受光素子や光電管で感知する光散乱法
が知られている。また、現在では、この原理を利用した
ウェーハ表面検査機に座標系を持たせ、ここで設定され
た座標値を以て、同様な座標系を持つＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）を駆動させ、ダストの形状や成分などを解析
するウェーハ観察装置が開発されている。尚、このよう
なウェーハ表面検査機やＳＥＭにおいては、座標基準と
なる原点を、通常、半導体ウェーハ外周に形成される主
オリフラ（オリエンテーションフラット）と副オリフラ
の各延長線の交点や、あるいは主オリフラの延長線とウ
ェーハ外周接線とが互いに直角を交わる点に定めるよう
にしており、それぞれの装置にはウェーハを突き当てる
ための固定治具が設けられている。測定はこの治具を用
いた原点設定により、この原点を基準とする座標系で各
ダスト位置を規定している。
ダストの位置や個数を測定する方法としては、レーザー
光などの強い光をウェーハ表面に照射することで、ダス
トからの散乱光を受光素子や光電管で感知する光散乱法
が知られている。また、現在では、この原理を利用した
ウェーハ表面検査機に座標系を持たせ、ここで設定され
た座標値を以て、同様な座標系を持つＳＥＭ（走査型電
子顕微鏡）を駆動させ、ダストの形状や成分などを解析
するウェーハ観察装置が開発されている。尚、このよう
なウェーハ表面検査機やＳＥＭにおいては、座標基準と
なる原点を、通常、半導体ウェーハ外周に形成される主
オリフラ（オリエンテーションフラット）と副オリフラ
の各延長線の交点や、あるいは主オリフラの延長線とウ
ェーハ外周接線とが互いに直角を交わる点に定めるよう
にしており、それぞれの装置にはウェーハを突き当てる
ための固定治具が設けられている。測定はこの治具を用
いた原点設定により、この原点を基準とする座標系で各
ダスト位置を規定している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た原点設定法では、ウェーハ表面検査機で設定した座標
系（原点）と、ＳＥＭで設定した座標系との間で、数１
００μｍからｍｍのオーダの誤差が生じることがあり、
検査機で設定された座標位置を情報として、ＳＥＭで目
標とするダストを捕捉しようとしても、その位置にダス
トが見いだせない場合もある。これは、各ウェーハ固定
治具とウェーハとのマッチング（相性）や作業者バラツ
キによって、ウェーハ表面検査機やＳＥＭでのウェーハ
セット位置にバラツキが生じることに起因するものであ
る。加えて、この原点設定法は、ウェーハ外周に接する
仮想線同士の交点というウェーハ外側の１点を原点とす
るため、原点設定位置のバラツキがそのまま原点・ダス
ト間距離の測定誤差を生み、いわゆる座標精度が低いと
いう問題がある。
た原点設定法では、ウェーハ表面検査機で設定した座標
系（原点）と、ＳＥＭで設定した座標系との間で、数１
００μｍからｍｍのオーダの誤差が生じることがあり、
検査機で設定された座標位置を情報として、ＳＥＭで目
標とするダストを捕捉しようとしても、その位置にダス
トが見いだせない場合もある。これは、各ウェーハ固定
治具とウェーハとのマッチング（相性）や作業者バラツ
キによって、ウェーハ表面検査機やＳＥＭでのウェーハ
セット位置にバラツキが生じることに起因するものであ
る。加えて、この原点設定法は、ウェーハ外周に接する
仮想線同士の交点というウェーハ外側の１点を原点とす
るため、原点設定位置のバラツキがそのまま原点・ダス
ト間距離の測定誤差を生み、いわゆる座標精度が低いと
いう問題がある。
【０００４】本発明は、このような問題点に鑑み、測定
されるダストの位置精度を向上する、半導体ウェーハの
表面測定方法および、この方法を利用したウェーハ表面
観察方法を提供することを目的とするものである。
されるダストの位置精度を向上する、半導体ウェーハの
表面測定方法および、この方法を利用したウェーハ表面
観察方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による半導体ウェーハの表面測定方法は、ウ
ェーハ表面上の特異点を原点とする座標系により、ウェ
ーハ表面に付着した各微粒子の座標位置を測定するもの
である。また、好ましくは、前記特異点もまたウェーハ
表面に付着した微粒子となる。
め、本発明による半導体ウェーハの表面測定方法は、ウ
ェーハ表面上の特異点を原点とする座標系により、ウェ
ーハ表面に付着した各微粒子の座標位置を測定するもの
である。また、好ましくは、前記特異点もまたウェーハ
表面に付着した微粒子となる。
【０００６】更に、別の発明では、ウェーハ表面上の特
異点を原点として表面の微粒子位置を測定した後、次に
前記半導体ウェーハを顕微鏡にセットして、前記特異点
を原点とする座標位置に基づいてウェーハ表面の微粒子
を観察するウェーハ表面観察方法も提供される。
異点を原点として表面の微粒子位置を測定した後、次に
前記半導体ウェーハを顕微鏡にセットして、前記特異点
を原点とする座標位置に基づいてウェーハ表面の微粒子
を観察するウェーハ表面観察方法も提供される。
【０００７】
【作用】半導体ウェーハ表面上の特異点を原点としてウ
ェーハ表面に付着した各微粒子の座標位置を測定するた
め、座標軸を規定するための治具がいらず、そのセット
バラツキがなく微粒子の位置精度を向上することができ
る。
ェーハ表面に付着した各微粒子の座標位置を測定するた
め、座標軸を規定するための治具がいらず、そのセット
バラツキがなく微粒子の位置精度を向上することができ
る。
【０００８】また、請求項２に記載の発明によれば、特
異点をウェーハ上の特定微粒子とすることで容易に特異
点の設定ができる。
異点をウェーハ上の特定微粒子とすることで容易に特異
点の設定ができる。
【０００９】更に、請求項３に記載の発明によれば、半
導体ウェーハ表面上の特異点を原点とした座標系に基づ
いて顕微鏡を操作するため、顕微鏡で捕捉しにくいよう
な小さな微粒子でさえも、この座標データを頼りにあた
りをつけ、そのダストを検知したり、観察できる。
導体ウェーハ表面上の特異点を原点とした座標系に基づ
いて顕微鏡を操作するため、顕微鏡で捕捉しにくいよう
な小さな微粒子でさえも、この座標データを頼りにあた
りをつけ、そのダストを検知したり、観察できる。
【００１０】
【実施例】図面を参照しながら本発明による半導体ウェ
ーハ表面測定方法を以下、説明する。
ーハ表面測定方法を以下、説明する。
【００１１】図１は、測定対象となる半導体ウェーハ
（以下、ウェーハと呼ぶ）の平面図である。図１におい
て、１はウェーハを示し、その外周エッジ１ａにはフラ
ットなオリフラ２が形成されている。また、以下説明す
る各図も含め、アルファベットＡ，Ｂ，Ｃ…は全てウェ
ーハ１表面上に付着したダストを示している。
（以下、ウェーハと呼ぶ）の平面図である。図１におい
て、１はウェーハを示し、その外周エッジ１ａにはフラ
ットなオリフラ２が形成されている。また、以下説明す
る各図も含め、アルファベットＡ，Ｂ，Ｃ…は全てウェ
ーハ１表面上に付着したダストを示している。
【００１２】このようなダストの位置を規定するため、
まず作業者（検査者）はウェーハ表面検査機（図示せ
ず）を用いて、従来方法において設定されていた原点、
すなわちオリフラ２の延長線ｘとウェーハ外周接線ｙと
が互いに直角を交わる点ｏを仮の原点（０，０）として
仮設定する。このようにして仮原点ｏを中心とする仮の
座標系（ｘ，ｙ）を設定したならば、次に作業者は、ウ
ェーハ１表面上の最初のダストＡに着目し、検査機によ
ってこのダストＡの座標位置（ｘ1，ｙ1）を測定し、そ
の測定データを検査機内のメモリに記録する。同様にし
て、２番目のダストＢ、および３番目のダストＣについ
ても座標位置を測定し、その値Ｂ（ｘ2，ｙ2）、Ｃ（ｘ
3，ｙ3）も記録する。
まず作業者（検査者）はウェーハ表面検査機（図示せ
ず）を用いて、従来方法において設定されていた原点、
すなわちオリフラ２の延長線ｘとウェーハ外周接線ｙと
が互いに直角を交わる点ｏを仮の原点（０，０）として
仮設定する。このようにして仮原点ｏを中心とする仮の
座標系（ｘ，ｙ）を設定したならば、次に作業者は、ウ
ェーハ１表面上の最初のダストＡに着目し、検査機によ
ってこのダストＡの座標位置（ｘ1，ｙ1）を測定し、そ
の測定データを検査機内のメモリに記録する。同様にし
て、２番目のダストＢ、および３番目のダストＣについ
ても座標位置を測定し、その値Ｂ（ｘ2，ｙ2）、Ｃ（ｘ
3，ｙ3）も記録する。
【００１３】次に作業者は、図２に示すように各ダスト
Ａ，Ｂ，Ｃからダスト同士を結ぶ三角形３を仮想し、三
角形３の線分ＢＣに先の座標系のｘ軸が重ねる。そし
て、このｘ軸を固定したままで、これと直角をなすｙ軸
をｘ方向に移動し、ダストＡと交わる位置でｙ軸を固定
し、これを新たなＹ軸として設定する。その後、ダスト
Ｂ，Ｃ上にあるｘ軸をＹ軸を固定したままでダストＡま
で下げ、ダストＡと交わる位置でｘ軸を固定し、これを
新たなＸ軸として設定する。これによりダストＡを原点
とする新たな座標系（Ｘ，Ｙ）が形成される。
Ａ，Ｂ，Ｃからダスト同士を結ぶ三角形３を仮想し、三
角形３の線分ＢＣに先の座標系のｘ軸が重ねる。そし
て、このｘ軸を固定したままで、これと直角をなすｙ軸
をｘ方向に移動し、ダストＡと交わる位置でｙ軸を固定
し、これを新たなＹ軸として設定する。その後、ダスト
Ｂ，Ｃ上にあるｘ軸をＹ軸を固定したままでダストＡま
で下げ、ダストＡと交わる位置でｘ軸を固定し、これを
新たなＸ軸として設定する。これによりダストＡを原点
とする新たな座標系（Ｘ，Ｙ）が形成される。
【００１４】以上のようにして新座標系Ｘ−Ｙが設定さ
れたならば、次にダストＡの座標値を（０，０）として
メモリに記憶させ、更にダストＢ，Ｃの座標値を次々と
求め、その都度メモリに記憶していく。そして、図３に
示すように、前記ダストＡ，Ｂ，Ｃ以外で、これ以降検
出されるその他のダストＤ，Ｅ，Ｆもまた同様にメモリ
内に記憶させる。尚、この時、ダストＡ，Ｂ，Ｃの旧座
標系ｘ−ｙにおける座標データ（ｘ1，ｙ1）、（ｘ2，
ｙ2）、（ｘ3，ｙ3）は、そのままクリアせずにメモリ
内の別の領域に格納しておき、同時にその他のダスト
Ｄ，Ｅ，Ｆの旧座標系ｘ−ｙの座標値Ｄ：（ｘ4，
ｙ4）、Ｅ：（ｘ5，ｙ5）、Ｆ：（ｘ6，ｙ6）も、新座
標系Ｘ−Ｙの各座標成分値にｘ1，ｙ1をそれぞれ加算す
ることで求め、それぞれメモリに記憶しておく。以下の
表１は、新たな座標系Ｘ−Ｙのもとで測定された、図３
に示す各ダストＡ〜Ｆの座標値例である。
れたならば、次にダストＡの座標値を（０，０）として
メモリに記憶させ、更にダストＢ，Ｃの座標値を次々と
求め、その都度メモリに記憶していく。そして、図３に
示すように、前記ダストＡ，Ｂ，Ｃ以外で、これ以降検
出されるその他のダストＤ，Ｅ，Ｆもまた同様にメモリ
内に記憶させる。尚、この時、ダストＡ，Ｂ，Ｃの旧座
標系ｘ−ｙにおける座標データ（ｘ1，ｙ1）、（ｘ2，
ｙ2）、（ｘ3，ｙ3）は、そのままクリアせずにメモリ
内の別の領域に格納しておき、同時にその他のダスト
Ｄ，Ｅ，Ｆの旧座標系ｘ−ｙの座標値Ｄ：（ｘ4，
ｙ4）、Ｅ：（ｘ5，ｙ5）、Ｆ：（ｘ6，ｙ6）も、新座
標系Ｘ−Ｙの各座標成分値にｘ1，ｙ1をそれぞれ加算す
ることで求め、それぞれメモリに記憶しておく。以下の
表１は、新たな座標系Ｘ−Ｙのもとで測定された、図３
に示す各ダストＡ〜Ｆの座標値例である。
【００１５】
【表１】
【００１６】このようにして測定・演算された各ダスト
の新、旧座標系における各データは、次に検査機からの
メモリから、例えばフロッピィディスクなどの持ち運び
便利な記録媒体に書き落とされ、これを介して走査型電
子顕微鏡（ＳＥＭ）にデータ転送される。
の新、旧座標系における各データは、次に検査機からの
メモリから、例えばフロッピィディスクなどの持ち運び
便利な記録媒体に書き落とされ、これを介して走査型電
子顕微鏡（ＳＥＭ）にデータ転送される。
【００１７】ＳＥＭを使用するダスト観察・分析では、
まず図４に示すようにオリフラ２の延長線ｘとウェーハ
外周接線ｙが交わる仮原点ｏ’を中心におく走査位置か
ら、ＳＥＭの試料台を操作し、ＳＥＭで検出できるくら
いの大きさの少なくとも２つのダストを選択し、それぞ
れのダストが走査領域の中心となるようにウェーハ１を
相対移動させる。この時、仮原点ｏ’からの各ダストま
での変位量は、ＳＥＭに設けられた測長機能によって容
易に検出できる。そして、この検出値から、現在視野内
にあるダストが、フロッピィに記憶されて旧座標系ｘ−
ｙの各座標値Ａ（ｘ1，ｙ1）〜Ｆ：（ｘ6，ｙ6）の内の
どのダストに相当するかを特定することができる。この
説明では、図５に示すように、ダストＢ、ＤをＳＥＭ検
出可能ダストとする。尚、一般的なＳＥＭで検出可能な
ダストは通常、１μｍ以上の大きさである。
まず図４に示すようにオリフラ２の延長線ｘとウェーハ
外周接線ｙが交わる仮原点ｏ’を中心におく走査位置か
ら、ＳＥＭの試料台を操作し、ＳＥＭで検出できるくら
いの大きさの少なくとも２つのダストを選択し、それぞ
れのダストが走査領域の中心となるようにウェーハ１を
相対移動させる。この時、仮原点ｏ’からの各ダストま
での変位量は、ＳＥＭに設けられた測長機能によって容
易に検出できる。そして、この検出値から、現在視野内
にあるダストが、フロッピィに記憶されて旧座標系ｘ−
ｙの各座標値Ａ（ｘ1，ｙ1）〜Ｆ：（ｘ6，ｙ6）の内の
どのダストに相当するかを特定することができる。この
説明では、図５に示すように、ダストＢ、ＤをＳＥＭ検
出可能ダストとする。尚、一般的なＳＥＭで検出可能な
ダストは通常、１μｍ以上の大きさである。
【００１８】このようにして視野内にあるダストが特定
できたならば、次にフロッピィよりダストＢ、Ｄの新座
標系Ｘ−Ｙにおける座標値（−２，２）、（３，５）を
取り込み、この座標値を基にそのＸ−Ｙ座標系における
原点（０，０）の位置、すなわちダストＡの位置を決定
する。尚、原点位置決定にあたっては、図６に示すよう
に、まずダストＢを中心として、半径√［（−２）2＋
２2］の仮想円ａと、ダストＣを中心として半径√（３2
＋５2）の仮想円ｂとＳＥＭ内で描き、この２つの円
ａ，ｂの交点の内、旧座標系ｘ−ｙの換算で点（ｘ1，
ｙ1）に近似する方を選択することで決定することがで
きる。
できたならば、次にフロッピィよりダストＢ、Ｄの新座
標系Ｘ−Ｙにおける座標値（−２，２）、（３，５）を
取り込み、この座標値を基にそのＸ−Ｙ座標系における
原点（０，０）の位置、すなわちダストＡの位置を決定
する。尚、原点位置決定にあたっては、図６に示すよう
に、まずダストＢを中心として、半径√［（−２）2＋
２2］の仮想円ａと、ダストＣを中心として半径√（３2
＋５2）の仮想円ｂとＳＥＭ内で描き、この２つの円
ａ，ｂの交点の内、旧座標系ｘ−ｙの換算で点（ｘ1，
ｙ1）に近似する方を選択することで決定することがで
きる。
【００１９】以上のようにしてダストＡの座標（０，
０）を指定できたならば、ウェーハ１のこの地点に向け
てＳＥＭより電子ビームを照射し、２次電子や反射電子
の強度などを測定することにより、ダストＡを観察する
ことができる。その後、ダストＡを基準として、先の検
査機と同様にＳＥＭにＸ−Ｙ座標系を設定し、フロッピ
ィより読み込まれた各ダストＢ〜Ｆの座標データ（表
１）を基に、ウェーハ１上に各ダスト位置を設定し、各
位置においてダストを検出し、観察する。
０）を指定できたならば、ウェーハ１のこの地点に向け
てＳＥＭより電子ビームを照射し、２次電子や反射電子
の強度などを測定することにより、ダストＡを観察する
ことができる。その後、ダストＡを基準として、先の検
査機と同様にＳＥＭにＸ−Ｙ座標系を設定し、フロッピ
ィより読み込まれた各ダストＢ〜Ｆの座標データ（表
１）を基に、ウェーハ１上に各ダスト位置を設定し、各
位置においてダストを検出し、観察する。
【００２０】このように本実施例によれば、ウェーハ上
の特定ダストを原点とするため、従来のような各ウェー
ハ固定治具とウェーハとのマッチング（相性）や作業者
バラツキによる、ウェーハ表面検査機やＳＥＭでのウェ
ーハセット位置のバラツキがなく、設定される座標精度
も高くなる。更に、このようにして検査機で設定したダ
ストを原点とする座標系を、ＳＥＭにおいても再現し、
検査機で測定した座標データをそのままＳＥＭに適用し
て、各ダスト位置を特定するため、通常ＳＥＭでは検出
しにくいような微小ダストでも、その位置に向けて正確
に電子ビームを照射することができ、その外観形状や元
素構成などの情報を得ることができる。尚、本実施例で
は検査機とＳＥＭとの間のデータ交換を、フロッピィを
介したものとしたが、検査機とＳＥＭなどを通信ケーブ
ルなどで接続し、検査機で測定された各ダスト座標デー
タがダイレクトにＳＥＭの演算部に入力されるようにし
てもよい。
の特定ダストを原点とするため、従来のような各ウェー
ハ固定治具とウェーハとのマッチング（相性）や作業者
バラツキによる、ウェーハ表面検査機やＳＥＭでのウェ
ーハセット位置のバラツキがなく、設定される座標精度
も高くなる。更に、このようにして検査機で設定したダ
ストを原点とする座標系を、ＳＥＭにおいても再現し、
検査機で測定した座標データをそのままＳＥＭに適用し
て、各ダスト位置を特定するため、通常ＳＥＭでは検出
しにくいような微小ダストでも、その位置に向けて正確
に電子ビームを照射することができ、その外観形状や元
素構成などの情報を得ることができる。尚、本実施例で
は検査機とＳＥＭとの間のデータ交換を、フロッピィを
介したものとしたが、検査機とＳＥＭなどを通信ケーブ
ルなどで接続し、検査機で測定された各ダスト座標デー
タがダイレクトにＳＥＭの演算部に入力されるようにし
てもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば半
導体ウェーハ表面上の特異点を原点として前記半導体ウ
ェーハ表面に付着した各微粒子の座標位置を測定するた
め、ウェーハ外部の仮想点を原点として、これより各微
粒子の位置を測定する方法に比較して、治具へのセット
バラツキなどがなく、ダストの位置精度を向上すること
ができる。
導体ウェーハ表面上の特異点を原点として前記半導体ウ
ェーハ表面に付着した各微粒子の座標位置を測定するた
め、ウェーハ外部の仮想点を原点として、これより各微
粒子の位置を測定する方法に比較して、治具へのセット
バラツキなどがなく、ダストの位置精度を向上すること
ができる。
【００２２】また、請求項２に記載の発明によれば、特
異点をウェーハ上の特定微粒子とすることで、ウェーハ
上にマーキングなどを付けることなく容易に特異点の設
定ができる。
異点をウェーハ上の特定微粒子とすることで、ウェーハ
上にマーキングなどを付けることなく容易に特異点の設
定ができる。
【００２３】更に、請求項３に記載の発明によれば、半
導体ウェーハ表面上の特異点を原点とした座標系に基づ
いて顕微鏡を操作するため、顕微鏡で捕捉しにくいよう
な小さな微粒子でさえも、この座標データを頼りにあた
りをつけ、そのダストを検知したり、観察できる。
導体ウェーハ表面上の特異点を原点とした座標系に基づ
いて顕微鏡を操作するため、顕微鏡で捕捉しにくいよう
な小さな微粒子でさえも、この座標データを頼りにあた
りをつけ、そのダストを検知したり、観察できる。
【図１】本発明による測定方法の対象となる半導体ウェ
ーハの平面図であり、検査機においてウェーハ外の仮想
点を仮原点とする座標系を示す図である。
ーハの平面図であり、検査機においてウェーハ外の仮想
点を仮原点とする座標系を示す図である。
【図２】図１に続き、その座標軸をウェーハ上のダスト
を原点とする座標軸に変換した図である。
を原点とする座標軸に変換した図である。
【図３】図２の新座標系による各ダスト位置を示した図
である。
である。
【図４】図３に続き、求められた各ダスト位置データに
よりＳＥＭでのダストを特定するため、まず、ＳＥＭに
おいてウェーハ外の仮想点を仮原点とする座標系を示す
図である。
よりＳＥＭでのダストを特定するため、まず、ＳＥＭに
おいてウェーハ外の仮想点を仮原点とする座標系を示す
図である。
【図５】図４に続き、検出可能なダストを特定し、その
旧座標系のおける座標値を示した図である。
旧座標系のおける座標値を示した図である。
【図６】図５に示すダストより新座標系の原点ダストを
設定する方法を示した図である。
設定する方法を示した図である。
１…半導体ウェーハ １ａ…外周エッジ ２…オリフラ Ａ〜Ｆ…ダスト
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ表面上の特異点を原点と
する座標系により前記半導体ウェーハ表面に付着した微
粒子の座標位置を測定する半導体ウェーハの表面測定方
法。 - 【請求項２】 前記特異点もまたウェーハ表面に付着し
た微粒子であることを特徴とする請求項１に記載の半導
体ウェーハの測定方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体ウェーハの測定方
法でウェーハ表面の微粒子位置を測定し、次に前記半導
体ウェーハを顕微鏡にセットして、前記特異点を原点と
する座標位置に基づいてウェーハ表面の微粒子を観察す
るウェーハ表面観察方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31131893A JP3279022B2 (ja) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 半導体ウェーハの表面測定方法およびウェーハ表面観察方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31131893A JP3279022B2 (ja) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 半導体ウェーハの表面測定方法およびウェーハ表面観察方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07140085A true JPH07140085A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3279022B2 JP3279022B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=18015696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31131893A Expired - Fee Related JP3279022B2 (ja) | 1993-11-17 | 1993-11-17 | 半導体ウェーハの表面測定方法およびウェーハ表面観察方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3279022B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7010447B2 (en) | 2000-07-26 | 2006-03-07 | Hitachi, Ltd. | Method for inspecting defect and system therefor |
| WO2008045197A1 (en) * | 2006-10-09 | 2008-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for implementing a universal coordinate system for metrology data |
-
1993
- 1993-11-17 JP JP31131893A patent/JP3279022B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7305314B2 (en) | 2000-07-26 | 2007-12-04 | Hitachi, Ltd. | Method for inspecting defect and system therefor |
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| WO2008045197A1 (en) * | 2006-10-09 | 2008-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for implementing a universal coordinate system for metrology data |
| GB2456938A (en) * | 2006-10-09 | 2009-08-05 | Advanced Micro Devices Inc | Method and apparatus for implementing a universal coordinate system for metrology data |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3279022B2 (ja) | 2002-04-30 |
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