JPH07140209A

JPH07140209A - 回路配線基板の検査装置およびその検査方法

Info

Publication number: JPH07140209A
Application number: JP6041333A
Authority: JP
Inventors: Akio Ito; 昭夫伊藤; Kazuyuki Ozaki; 一幸尾崎; Kazuhiro Nakazawa; 和広中沢
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-09-20
Filing date: 1994-03-11
Publication date: 1995-06-02
Also published as: US6366100B1; US5680056A; US6154038A

Abstract

(57)【要約】【目的】回路配線基板検査装置に関し、非接触で任意
の被試験パッド間の導通／絶縁の良否試験を高速に行う
ことを目的とする。【構成】光導電シート７と、該光導電シート７上に設
けられ、光導電シート励起用光源３からの照射光30の形
状を制御して、該光導電シート７に第１の導電性パス71
および第２の導電性パス72を形成する光透過パターン制
御手段６,5と、回路配線基板９における第１の被試験パ
ッドＩＮと前記第１の導電性パス71の一端の導通を制御
する第１のレーザプラズマスイッチ制御手段１,11 と、
前記回路配線基板９における第２の被試験パッドＯＵＴ
と前記第２の導電性パス72の一端の導通を制御する第２
のレーザプラズマスイッチ制御手段２,21 と、前記第１
の導電性パス71の他端と前記第２の導電性パス72の他端
との間の抵抗値を測定する抵抗測定手段104,105 とを具
備するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は回路配線基板の検査装置
に関し、特に、非接触で任意の被試験パッド間の導通／
絶縁の良否試験を行う回路配線基板検査装置に関する。
近年、回路配線基板の検査は、ネット数の増大および同
一ネット内におけるパッド数の増大に伴って、被試験パ
ッド間の導通／絶縁の良否試験に要する時間が長時間化
する傾向にある。また、接触式の回路配線基板の検査装
置では、検査対象となる回路配線基板に対応したコンタ
クトプローブを準備したり、或いは、各被試験パッド間
の試験毎にコンタクトプローブの接触を制御する必要が
ある。さらに、最近では、パッドサイズの微細化によ
り、多数を整列配置したコンタクトプローブヘッドの製
作が困難となり、さらに、多数プローブを同時に確実に
パッドに接触することが不可能となって来ている。そこ
で、非接触で任意の被試験パッド間の導通／絶縁の良否
試験を高速に行うことのできる回路配線基板の検査装置
の提供が要望されている。特に、マルチチップモジュー
ル（ＭＣＭ）基板等の高密度回路配線基板の導通／絶縁
の良否試験を非接触で行うことのできる回路配線基板の
検査装置の提供が要望されている。

【０００２】

【従来の技術】従来、回路配線基板を検査する技術とし
ては、例えば、特開平３−２９５４７６号公報, 特開平
３−１１８４８４, および, 特開平４−２３６３６７号
公報等に記載された技術が知られている。まず、特開平
３−２９５４７６号公報には、金属のコンタクトプロー
ブを多数埋め込んだ検査ヘッドを基板上の多数のパッド
部に同時に接触させ、任意の２つのプローブ間に信号を
加えたときの電圧又は電流を測定することで任意のパッ
ド間の抵抗を測定し、これにより、同一ネット内のパッ
ド間の導通試験および任意のネット間の絶縁試験を行う
接触式方法（第１の従来技術）が示されている。

【０００３】又、基板の配線やパッド寸法の縮小あるい
はパッド数の増加等の理由から一括触針方法が困難にな
り、２ないし４つの独立に移動可能な金属プローブを制
御して２点間の抵抗を測定していくフライングプローブ
方式（或いは２点又は４点プローブ方式）がある。ま
た、特開平３−１１８４８４号公報には、電子ビームを
用いた非接触式の基板検査技術（第２の従来技術）が開
示されている。この第２の技術は、任意のパッドと該パ
ッドに連結された基板内配線を電子ビームの照射により
充電した後、その充電電圧の影響が他のパッドあるいは
他のネットに現れるかどうかを調べることにより、基板
検査を行うようにしたものである。すなわち、同一ネッ
ト上のパッドは全て同電圧になれば、導通が良と判定さ
れ、また、他のネット上のパッドの電圧は、充電前と変
わらなければ絶縁が良と判定されることになる。

【０００４】さらに、特開平４−２３６３６７号公報に
は、レーザ光および透明導電膜付の光導電シートを利用
し、レーザ光を照射することで光導電材料の被試験パッ
ドに接触している部分における透明導電膜と被試験パッ
ド間の部分的な導通をとり、パッドに電荷を充電した後
に、他方の被試験パッドの電荷量を同様にレーザ光照射
により透明導電膜を介し測定することによって、２つの
パッド間の導通と絶縁の良否を判定する技術（第３の従
来技術）が開示されている。なお、導通と絶縁の良否の
判定は、上述した第２の従来技術における判定と同様で
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た各従来技術には、以下に説明するような問題点があ
る。すなわち、第１の従来技術では、まず、回路配線基
板の高密度化（例えば、配線ピッチは１０μｍ程度、パ
ッドサイズは数１０μｍ□程度、個数は数千〜数万）に
より、多数を整列配置したコンタクトプローブヘッドの
製作が困難になり、さらに多数プローブを同時に確実に
パッドに接触することは不可能になって来ている。ま
た、最近では、プローブを確実にパッドに接触させるた
めに、１本だけのコンタクトプローブを４個独立に制御
して電圧印加および電圧測定を行う方式が採用されるよ
うになりつつあるが、この場合には、測定時間が膨大な
ものになる。例えば、検査対象のパッド数を２０００個
とした場合、コンタクトプローブによる１組のパッドの
抵抗測定に最低O.５sec.要するため、絶縁試験の場合２
０００×２０００通りの全試験を行うためには、約５０
０時間の長時間を要することになる。

【０００６】次に、前述した第２の従来技術の電子ビー
ムを利用した検査技術の場合、上記の問題は小さいが、
新たに、次の問題点がある。すなわち、回路配線基板
は、通常１０〜数１０cm□あり、これを真空チャンバ内
に収容するためには装置全体が３〜４ｍ□のサイズとな
ってしまう。また、回路配線基板を真空チャンバ内に導
入した場合、基板からの脱ガスを行うための真空排気に
時間がかかり、試験開始まで１時間程度要するという問
題点がある。

【０００７】そして、前述した第３の従来技術では、光
導電シートと被試験パッドとは完全に接触している必要
があるが、基板には数μｍの凹凸があるため、全てのパ
ッドとの接触を確保することは極めて困難であるといっ
た問題点がある。なお、第２および第３の従来技術は、
共に任意のパッドへの充電の後、他のパッドへのリーク
による当該他のパッドへの充電現象を利用することでは
共通であるが、これら第２および第３の従来技術におい
ては、充放電の時定数は抵抗だけでなくネットのもつ静
電容量にも左右され正確な抵抗の測定は困難であるとい
った原理的な問題点を有している。

【０００８】本発明の目的は、上述した従来の回路配線
基板の検査技術が有する課題を解決し、非接触で任意の
被試験パッド間の導通／絶縁の良否試験を高速に行うこ
とをを可能とすると同時に、従来に於いて製作が困難で
且つ高価で然も接触時の信頼性に難点の有る多数のコン
タクトプローブの使用を不要とし、更に、真空排気系が
不要で、被試験パッドと物理的な接触が不要であって、
然もネットの静電容量に左右されないで測定が出来る回
路配線基板の検査装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
に係る回路配線基板の検査装置は、基本的には、次の様
な技術構成を有するものである。即ち、配線パターン及
び複数のパッドを有するネット群を多数備え回路配線基
板を検査する回路配線基板の検査装置であって、該検査
装置は、当該回路配線基板を保持する基板保持手段、該
基板保持手段に保持されている該回路配線基板と所定の
間隔を隔てて配置されており、且つ当該回路配線基板に
設けられている、一つの配線部に於ける第１の被試験パ
ッド位置と対応する位置と、第１の電源との間に第１の
導電性パスを形成すると共に、当該回路配線基板に設け
られている、他の配線部に於ける第２の被試験パッド位
置と対応する位置と、第２の電源との間に第２の導電性
パスを形成する導電性パス形成手段を有する、該回路配
線基板の電気的特性検出手段、及び該第１の被試験パッ
ドと該第１の導電性パスとの間の第１の空間部及び該第
２の被試験パッドと該第２の導電性パスとの間の第２の
空間部にレーザを照射して、該第１と第２の空間部に導
電性を付与するレーザプラズマスイッチ制御手段、とか
ら構成されたものであり、更に、該電気的特性検出手段
は、該第１と第２の導電性パスの何れか一方に接続され
た電気的特性値サンプリング手段を有するものである回
路配線基板の検査装置である。

【００１０】本発明に係る上記構成からなる回路配線基
板の検査装置の一具体例としては、例えば、配線パター
ンおよび複数のパッドを有するネットＮＡ，ＮＢを多数
備えた回路配線基板９を検査する回路配線基板の検査装
置であって、前記回路配線基板９上に所定の間隙を持っ
て設けられた光導電シート７と、該光導電シート７上に
設けられ、光導電シート励起用光源３からの照射光30の
形状を制御して、該光導電シート７に第１の導電性パス
71および第２の導電性パス72を形成する該光導電シート
７の保持手段を兼ねる液晶シャッター等から構成される
光透過パターン制御手段６と該液晶シャッター等の光透
過パターン制御手段６を制御する制御手段５とから構成
される導電性パス形成手段１９２が設けられると共に、
前記回路配線基板９における第１の被試験パッドＩＮと
前記第１の導電性パス71の一端の導通を制御する第１の
レーザプラズマスイッチ制御機構１,11 と、前記回路配
線基板９における第２の被試験パッドＯＵＴと前記第２
の導電性パス72の一端の導通を制御する第２のレーザプ
ラズマスイッチ制御機構２,12 とから構成されるレーザ
プラズマスイッチ制御手段１９６、該電気的特性検出手
段１９３として前記第１の導電性パス71の他端と前記第
２の導電性パス72の他端との間の抵抗値を測定する抵抗
測定手段104,105 とを具備する回路配線基板の検査装置
が提供される。

【００１１】

【作用】本発明の回路配線基板の検査装置によれば、光
透過パターン制御手段６,5,で光導電シート励起用光源
３からの照射光30の形状を制御することによって、光導
電シート７に対する第１の導電性パス71および第２の導
電性パス72が形成される。さらに、第１のレーザプラズ
マスイッチ制御機構１,11 および第２のレーザプラズマ
スイッチ制御機構２,12 によって、回路配線基板９にお
ける第１の被試験パッドＩＮと第１の導電性パス71の一
端の導通および回路配線基板９における第２の被試験パ
ッドＯＵＴと第２の導電性パス72の一端の導通が制御さ
れる。そして、抵抗測定手段104,105 によって、第１の
導電性パス71の他端と第２の導電性パス72の他端との間
の抵抗値が測定される。

【００１２】これによって、非接触で任意の被試験パッ
ド間の導通／絶縁の良否試験を高速に行うことができ
る。

【００１３】

【実施例】以下、図面を参照して本発明に係る回路配線
基板検査装置の実施例を説明する。図１は本発明に係る
回路配線基板の検査装置における第１の形態の原理構成
を示す図である。同図において、配線パターン（ＮＡ、
ＮＢ）及び複数のパッド（ＩＮ、ＯＵＴ）を有するネッ
ト群を多数備え回路配線基板９を検査する回路配線基板
の検査装置であって、該検査装置は、当該回路配線基板
９を保持する、例えば、ケース９０、スペーサ８１等か
らなる基板保持手段１９１、該基板保持手段１９１に保
持されている該回路配線基板９と所定の間隔を隔てて配
置されており、且つ当該回路配線基板９に設けられてい
る、一つの配線部に於ける第１の被試験パッド（例えば
ＩＮ）の配置位置と対応する位置Ｓ１と、高電位電源で
ある第１の電源Ｖ１との間に第１の導電性パス７１を形
成すると共に、当該回路配線基板９に設けられている、
他の配線部に於ける第２の被試験パッド（例えばＯＵ
Ｔ）の配置位置と対応する位置Ｓ２と、第１の電源Ｖ１
より低電位電源で、例えばＧＮＤである第２の電源Ｖ２
との間に第２の導電性パス７２を形成する導電性パス形
成手段１９２を有する、該回路配線基板９の電気的特性
検出手段１９３、及び該第１の被試験パッド（ＩＮ）と
該第１の導電性パス７１との間の第１の空間部１９４及
び該第２の被試験パッドＯＵＴと該第２の導電性パス７
２との間の第２の空間部１９５にレーザ１０、２０を照
射して、該第１と第２の空間部１９３、１９４に導電性
を付与するレーザプラズマスイッチ制御手段１９６、と
から構成されたものであり、更に、該電気的特性検出手
段１９３は、該第１と第２の導電性パス７１、７２の何
れか一方に接続された、例えば電圧計、或いは電流計と
うから構成される電気的特性値サンプリング手段１９７
を有する回路配線基板の検査装置が示されている。

【００１４】尚、その他の参照符号に関しては、１は第
１のレーザ光源, ２は第１のレーザ光源, 10および20は
第１および第２のレーザ光（レーザパルス),11および12
は第１および第２のレーザ光偏向ミラー（ガルバノミラ
ー),11' 及び12' は第１および第２のレーザ光偏向ミラ
ー11および12と協動して駆動されるレーザ光偏向ミラー
である。又、３は光導電シート励起用光源, ４はスキャ
ンレンズ, ５は液晶マスク制御部, ６は液晶マスク板,
７は光導電シート。また、参照符号30は光導電シート励
起用均一照明光, 41はスキャンレンズの光軸,81,82はス
ペーサ, 91は基板ＧＮＤ層, そして, 92は基板電源層を
示している。尚、参照符号Ｄ１は導通不良欠陥_,Ｄ２は
絶縁不良欠陥_,Ｐ１およびＰ２は第１および第２のレー
ザ光により励起されたプラズマ（レーザプラズマ・スイ
ッチオン部分）を示している。ここで、図１では、被試
験パッドＩＮを含む第１のネットＮＡと、被試験パッド
ＯＵＴを含む第２のネットＮＢの２つのネットが示され
ており、導通試験の対象とする欠陥（導通不良欠陥Ｄ1)
および絶縁試験の対象とする欠陥（絶縁不良欠陥Ｄ2)が
存在する例が示されている。

【００１５】図１に示されるように、光導電シート７
（又は、光導電膜がコートされたガラス板）が回路配線
基板９の表面上数１０μｍの位置に配置され、その上に
は光選択透過マスク板として液晶マスク板６がこの場合
密着搭載されている。さらに、液晶マスク板６の上方に
は、２本のレーザ光10および20を独立に収束偏向して位
置決めを行うための１つのスキャンレンズ４および２系
統の偏向ミラー11および12（各Ｘ，Ｙ制御、図ではＹを
省略）と光導電励起用光源３が設置される。そして、２
つの偏向ミラー11および12に対して独立なパルスレーザ
光源１および２が設けられ、パルスレーザ光が発射され
るようになっている。

【００１６】図２および図３は図１に示す回路配線基板
の検査装置の動作を説明するための図である。次に、図
２および図３を参照して、図１に示す被試験パッドＩＮ
およびＯＵＴの間の抵抗を測定し、絶縁の良否の判定を
する場合の原理的な動作を説明する。まず、液晶マスク
制御部５により液晶マスク板６の光透過パターンを図２
に示すような形61,62 に形成する。すると、光導電膜励
起用光源３からの照射光30は、図２に示す光透過パター
ン61,62 に従って透過し、光導電シート７を照射するの
で、この光透過パターン61,62 に対応した形に導電性パ
ターン71,72 が形成される。これにより、入力パッド
（第１の電極パッド）Ｉ₀から第１の被試験パッドＩＮ
の直上までの導電性パス(71)、および、第２の被試験パ
ッドＯＵＴの直上から出力パッド（第２の電極パッド）
Ｏ₀までの導電性パス(72)が出来上がる。

【００１７】この状態で、図２において『●』で示すパ
ッド部にレーザ偏向位置を制御し、２つのレーザパルス
10および20を同時に照射する。すると、図３に示すよう
に、Ｐ１およびＰ２の位置（レーザプラズマ・スイッチ
オン部分）において、レーザパルス10および20により励
起されたプラズマの作用により、光導電膜励起用光源３
からの照射光30で導電性をもった部分（入力パス71およ
び出力パス72）と直下の被試験パッドＩＮおよびＯＵＴ
とをそれぞれ瞬時的に導通する。この結果、入力パッド
Ｉ₀から第１の被試験パッドＩＮまでの間、および、第
２の被試験パッドＯＵＴから出力パッドＯ₀までの間の
電気的経路が構成される。

【００１８】ところで、入力パッド（第１の電極パッ
ド）Ｉ₀に接続された電圧源から第１の被試験パッドＩ
Ｎを通り、さらに、第２の被試験パッドＯＵＴを経て出
力パッド（第２の電極パッド）Ｏ₀に流れ込む電流は、
被試験パッドＩＮおよびＯＵＴの間の抵抗（この場合、
絶縁抵抗）に依存する。したがって、レーザパルス照射
時、或いは、レーザパルス照射の直ぐ後の所定のタイミ
ングで出力電流を測定することにより、入力パッドＩ₀
と出力パッドＯ₀との間の抵抗Ｒmes を求める。さら
に、該Ｒmes から、光導電パス部(71,72) の抵抗Ｒin,
Ｒout およびレーザプラズマ・スイッチのオン抵抗Ｒ
_LPSの２倍を差し引くことにより、被試験パッド間の絶
縁抵抗Ｒin-outを求めることができる。

【００１９】図４および図５は本発明の回路配線基板の
検査装置における被試験パッド間抵抗の測定原理を説明
するための図である。ここで、図４は、光導電入出力パ
スが形成された後のレーザパルス照射以降における各部
の抵抗、電圧、電流の変化を示すものであり、また、図
５は、１組の被試験パッド(IN,OUT)間の絶縁抵抗を測定
する場合の等価回路を示すものである。なお、パッドＩ
Ｎ用のレーザ（第１のレーザ光）およびパッドＯＵＴ用
のレーザ（第２のレーザ光）は、同時にパルス発生さ
れ、第１および第２のレーザプラズマスイッチ(P1,P2)
は同時にオン状態（低抵抗値）となるように構成されて
いる。

【００２０】ところで、上記した２つの導体の間にレー
ザパルスを照射してレーザプラズマを生成して、該２つ
の導体の電気的接続を行うという現象は、従来から知ら
れているレーザによる気体（空気、アルゴン、キセノン
等）の電離現象であり、例えば浅見義弘監修「レーザ工
学」ｐ２０７〜（東京電機大学出版局、昭和４７年１２
月発行）にも記載されている。この文献によれば、レー
ザによる気体の放電、プラズマ生成するために必要な光
パワーの密度は、レーザの波長に依存しており、５００
〜７００nmの波長で最大となり、プラズマ生成（スイッ
チオン）し難いことが示されている。これに対して、１
μｍ以上の波長または３００nm以下の波長では、約 1/5
〜1/10程度の光パワーでプラズマ生成（スイッチオン）
できることが示されている。本発明では、大出力が得ら
れやすい長波長側の１〜２μｍの波長のレーザ光を使用
するのが好ましい。

【００２１】なお、上記した現象をスイッチに応用した
一例として、 DON L. MILLARD らの「 Noncontact Test
ing of Circuits Via a Laser-Induced Plasma Electri
calPathway 」, IEEE DESIGN & TEST OF COMPUTERS, 19
92 MARCH, p.55 では、中心に開口を持つ電極を被測定
電極と対向させ、電極の開口部を通してレーザパルスを
照射することによりレーザプラズマを形成して開口電極
と被測定電極との間を導通させ、そして、この開口電極
の電圧をオシロスコープで観測することにより被測定電
極に印加された波形を数１０〜１００μｓの間観測する
ことができることが示されている。

【００２２】本発明に係る第１の形態の回路配線基板の
検査装置では、従来技術としてのレーザプラズマ・スイ
ッチを、光導電シート上に形成して任意の導電性パター
ンに適用し、非接触で閉回路を構成可能として、抵抗測
定を高速で高精度に測定できるように構成したものであ
る。ところで、図４および５に示されるように、非接触
技術における問題点の１つとしては、抵抗測定値がネッ
トのもつ静電容量Ｃin, Ｃout の大小により左右される
ことであるが、本発明の第１の形態によれば、静電容量
の影響を受けるのは、各部の立ち上がり時間のｔrin お
よびｔroutであり、パルス照射の一定時間後には、純粋
に絶縁抵抗の大小だけで決まる電圧値および電流値にな
る。したがって、レーザプラズマ・スイッチのオン継続
時間が１ｍｓ程度とすると、パルスレーザ照射後の約
０.5ｍｓ後の電流値をサンプリングすれば、静電容量の
影響を受けない測定が可能となる。

【００２３】なお、抵抗Ｒin, Ｒout は光導電パスの単
位長さあたりの抵抗値を予め実験的に求めておき、光選
択透過マスク板（液晶マスク板６）の制御データから計
算した経路長に対応させることによって簡単に求めるこ
とができる。また、レーザプラズマ・スイッチのオン抵
抗Ｒ_LPSの値も同様に予め実験的に求めておく。ここ
で、被試験パッド（ＩＮおよびＯＵＴ）間の抵抗値測定
精度は主として抵抗Ｒin, Ｒout,および, Ｒ_LPSのばら
つきに左右されるが、これらの抵抗値はおよそ数ｋΩ程
度にできることから、少なくともこれと同程度の抵抗測
定精度は得られる。したがって、数１０ｋΩ程度の判定
レベルでの導通試験は可能であり、絶縁良否試験の場合
には全く十分な精度である。

【００２４】図６および図７は本発明の回路配線基板の
検査装置における第１の形態の実施例を示す図である。
同図において、参照符号１は第１のレーザ光源, ２は第
２のレーザ光源, 10および20は第１および第２のレーザ
光, 11,11'および21,21'は第１および第２のレーザ光を
偏向するためのガルバノミラー, ３は光導電シート励起
用光源, ４はスキャンレンズ, ６は液晶マスク板, ７は
光導電シート, そして, ９は回路配線基板を示してい
る。また、参照符号30は光導電シート励起用均一照明
光、81,82は絶縁スペーサ, 90はケース, 93は絶縁シー
トであり、これらは、前記した基板保持手段を構成する
ものである。

【００２５】そして,100はＸＹＺステージを示してい
る。さらに、参照符号101 は第１のレーザ位置制御部,1
02は第２のレーザ位置制御部,103はタイミング制御部,1
04は定電圧源,105は電流計,106は A/D変換器,107は液晶
マスク制御部(5), 108はＸＹＺステージ制御部, そし
て,109は制御部を示している。ここで、第１および第２
のレーザ光10,20 を独立に偏向する第１および第２のガ
ルバノミラー11,12 は、スキャンレンズ４の焦点付近の
光軸41に垂直な平面上で該光軸41から等距離はなれた位
置に設置されている。また、光導電シート励起用光源３
は光軸41から等距離離れた位置に設置された第１および
第２のガルバノミラー11,12 の間に配置されている。

【００２６】図６および図７に示されるように、本実施
例では、液晶マスク板６を用いて光導電パス71,72 を形
成する手段（107)を設け、光導電シート７に設けられ入
力パッドＩ₀に定電圧源104 を接続し、さらに、出力パ
ッドＯ₀に電流検出器（電流計)105を接続するようにな
っている。第１のパルスレーザ10は、第１の被試験パッ
ドＡに位置決めされ、また、第２のパルスレーザ20は第
２の被試験パッドＢに位置決めされて同時に照射され
る。そして、その直後の電流を検出するサイクルを繰り
返して絶縁良否試験を行うようになっている。

【００２７】以下、絶縁試験の場合を例にとって図６お
よび図７に示す実施例の動作を説明する。まず、被試験
基板９は、内部に絶縁シート93が敷かれたケース90内に
設置され、絶縁スペーサ81,82 をかぶせた状態にセット
した後、ケース90ごと本試験装置のＸＹＺステージ100
に搭載される。液晶マスク板６の座標系とレーザ偏向座
標系は予め位置合わせされており、これらと基板９の座
標系との位置合わせが、まず行われる。ここで、入力パ
ッドＩ₀には常に電圧源（定電圧源)104が、出力パッド
Ｏ₀には常に電流計105 が接続されており、光導電シー
ト励起用光源３が点灯される。

【００２８】次に、液晶マスク制御部107により液晶マ
スク板６の画素毎の透過／非透過が制御され、入力パッ
ドＩ₀から第１の被試験パッドＡまで、および第２の被
試験パッドＢから出力パッドＯ₀までの間に光透過パタ
ーン61,62 がそれぞれ形成される。このパターン生成
は、予め制御部109 に記憶された基板の設計データに基
づき行われる。理想的には、経路長が最短になるように
生成するのが望ましい。これにより、液晶マスク板６の
光透過パターン61,62 部のみ均一照明光30が透過し、こ
れに対応する光導電シート（光導電膜）部分が帯状に導
電性を発生し、入力パス71（第１の導電性パス）および
出力パス72（第２の導電性パス）が形成される。ここ
で、光導電シート７の材料としては、ガリウム砒素(GaA
s), アモルファスシリコン, 或いは, 電子写真技術で用
いられるフォトコン材料等を使用することができる。な
お、液晶マスク板６は、該液晶マスク板の透過光を光学
系により光導電シート７上に縮小または拡大投影するよ
うに構成してもよい。

【００２９】この状態で、予め制御部109 内に記憶され
た基板の設計データにしたがって第１のレーザ位置制御
部101 により第１のレーザ光10がパッドＡに位置決めさ
れ、また、第２のレーザ位置制御部102 により第２のレ
ーザ光20がパッドＢに位置決めされる。その後、タイミ
ング制御部103 から第１および第２のレーザ光（レーザ
パルス）の発生を制御するパルス信号が送出され、入力
パス71とパッドＡの間およびパッドＢと出力パス72の間
が一定時間導通状態となる。この時間は、例えば、数１
００μｓから１ｍｓ程度とする。ここで、図６および図
７では、第１のレーザ光10および第２のレーザ光20は、
それぞれ専用のパルスレーザ光源１および２の出力を使
用するように構成されているが、該第１のレーザ光10お
よび第２のレーザ光20は、共通のパルスレーザ光源から
のレーザ光をビームスプリッタで２つに分割して使用す
るように構成してもよい。なお、パルスレーザ光源
（１，２）は、波長１μｍ前後のパルスレーザ光を出力
するようになっており、該パルスレーザ光源は、連続パ
ルス動作を行うモードロックレーザ、および、該モード
ロックレーザの出射光を断続するシャッタ手段により構
成することができる。或いは、パルスレーザ光源（１，
２）は、Ｑスイッチレーザとして構成することもでき
る。

【００３０】この後、レーザ照射タイミングから約０.5
ｍｓ後にタイミング制御部103 より送出されるサンプリ
ングトリガ信号を用いてＡ／Ｄ変化器106 で出力電流値
がデジタルデータに変換されて測定結果が制御部109 に
送信される。そして、制御部109 では、この測定値から
パッドＡとパッドＢ間の抵抗を算出する。このとき、入
力パス71および出力パス72の抵抗値分を補正するため
に、その経路長が算出されることになる。ここで、光導
電シート７に設けられ入力パッドＩ₀および出力パッド
Ｏ₀の間における抵抗の測定は、入力パッドＩ₀に交流
信号（正弦波またはパルス波）を印加し、出力パッドＯ
₀から接地電位に対し流出される出力電流波形の振幅の
最大値を検出し、そして、入力パッドと出力パッド間の
抵抗を入力電圧または入力波形の電圧振幅と出力電流検
出値の比から算出するように構成してもよい。

【００３１】以上の説明で対象とした絶縁試験の場合、
ここまでの動作によりパッドＡおよびＢ間の絶縁試験が
完了するが、実際の試験では、この後、パッドＡに対し
てパッドＢと異なるネットに属するパッドＣ，Ｄ，……
を次々と試験していくことが効率的である。その場合に
は、出力パスのパターンのみを変更するように液晶マス
ク板６の制御を変更し、第２のレーザ光の位置のみを変
更しパッドＣに位置決めするようにして、レーザパルス
照射以降の動作を繰り返すことになる。

【００３２】図８は本発明の回路配線基板の検査装置に
おける試験シーケンスの一例を示す波形図である。図８
に示す試験シーケンスは模式的なものであり、実際の試
験シーケンスでは、出力電流をサンプリングした後、出
力パスを次の被試験パッドＣに対応するように変更して
も構わないので、その場合、電流計の検出値はここで急
激にゼロになる。このシーケンスの概略サイクルは、１
組のパッド間抵抗測定に１〜２ｍｓとなる。パッドＡに
対して絶縁試験すべきパッド全ての試験を完了したら、
第１のレーザ光10を次のパッドに移して同様なシーケン
スを繰り返す。

【００３３】なお、本実施例では、レーザ光の収束偏向
系、レーザ−スキャンミラー（ガルバノミラー）−スキ
ャンレンズの順に配置し行っているが、レーザ−収束レ
ンズ−スキャンミラーの順に配置しても差し支えない。
上述したように、本発明の第１の形態に係る回路配線基
板の検査装置は、電気的に制御可能な光選択透過マスク
板により光導電膜上に入力パスと出力パスを形成し、且
つ、２つの被試験パッド上に同時、或いは、順次レーザ
光を照射することによって、光導電膜上に形成された入
力パスと１つの被試験パッドおよび出力パスと他方の被
試験パッドとの間の電気的な経路を閉じ、そして、非接
触で２つのパッド（ネット）間の導通・絶縁試験を行う
ようになっている。

【００３４】すなわち、本発明の第１の形態に係る回路
配線基板の検査装置は、光導電膜（光導電シート）上の
周辺部に入出力パッドを形成し、この入出力パッドと基
板上の被試験パッドまでの経路（入出力パス）を光導電
効果により電気的に自由に変更できるように形成する技
術と、これらの入出力パスと一定間隔をもって対向され
る被試験パッド間の導通をパルスレーザ照射により実現
できるレーザプラズマ・スイッチ技術とを組み合わせ、
レーザ照射時の入力パッドと出力パッド間の抵抗を瞬時
的に測定することにより２つの被試験パッド用の抵抗を
算出するようになっている。

【００３５】これによって、絶縁試験に要する時間を短
縮し、製作が困難でしかも接触の信頼性に難点のある多
数のコンタクトプローブを不要とし、さらに、真空排気
系を不要とするができる。また、被試験パッドとの物理
的な接触をなくし、ネットの静電容量に左右されない測
定を行うことができる。なお、レーザプローブを１０数
μｍに絞るのは容易で、プラズマスイッチの空間分解能
としては被測定パッドと導電性パス間のギャップ長とほ
ぼ同程度の値が期待できるので、従来の多数点コンタク
トプローブでは、検査が困難であった数１０μｍサイズ
のパッドの絶縁試験が可能になる。また、従来の２点な
いし４点式のプローブでは、機械的な移動が全てに必要
であり、検査時間は、少なくとも数１００ｍｓ／１絶縁
試験であったが、本発明の第１の形態では、数ｍｓで１
桁以上の高速化が実現できる。

【００３６】基本的に、本発明の第１の形態に係る回路
配線基板の検査装置は、コンタクトプローブが不要であ
ると共に、真空排気系も不要となり、更に被試験パッド
とテストヘッド（透明電極等）との物理的な接触も不要
となる。しかも電圧源から給電用入力パッド、電光導
膜等の導電入力パス、第１の試験パッド、第２の試験パ
ッド、光導電膜等の導電出力パス、出力パッドを経て接
地電極までの閉回路が構成され、この時の印加電圧と流
れる電流とから抵抗値を測定する方式であり、抵抗測定
値はネットの静電容量には左右されないという利点があ
る。

【００３７】測定に要する時間を左右するのは、レーザ
プラズマのスイッチング時間、レーザ偏向の設定時間お
よび検出信号のＳ／Ｎなどであるが、レーザプラズマの
スイッチング（スイッチのＯＮ継続時間）は１０μｓか
ら長くて１ｍｓ、レーザ偏向の静定時間はおよそ数１０
０μｓであることから、１組の被試験パッド間の抵抗測
定は１〜２ｍｓ程度と見積もられ、従来のコンタクトプ
ローブ（例えば、４点式）の場合の０.5ｓに比べて約１
／２００の検査時間の達成が可能となる。

【００３８】つまり、上記した本発明に係る回路配線基
板の検査装置に於いては、該導電性パス形成手段１９２
は、レーザが透過しえる部材で構成されている事が望ま
しく、又該導電性パス形成手段１９２は、更に光導電性
部材で構成されている事が望ましい。更に、当該導電性
パス形成手段１９２は、該光導電性部材７と該光導電性
部材を保持する光導電性部材保持手段６’とで構成され
ている事が望ましく、又、該光導電性部材保持手段６’
は、液晶マスク板６等で構成された光透過制御機能を有
するものである事が好ましい。

【００３９】その場合には、当該光導電性部材保持手段
６’には、該液晶マスク板６に於ける光透過パターンを
制御する光透過パターン制御手段５が設けられている事
が望ましい。更に、本発明に係る回路配線基板の検査装
置に於いては、該電気的特性検出手段１９３には、此れ
と共同して作動する該レーザプラズマスイッチ制御手段
１９６には、レーザビーム出力手段１、２及び当該レー
ザビーム偏向手段１１、１２が含まれている事が望まし
い。

【００４０】一方、本発明に係る回路配線基板の検査装
置に於いては、該電気的特性検出手段１９３には、該光
導電性部材７を励起させる、適宜の光源からなる光導電
性部材励起手段３が更に設けられているものである。
又、本発明に於ける回路配線基板の検査装置に設けられ
ている該電気的特性検出手段１９３は、該レーザプラズ
マスイッチ制御手段１９６が駆動され、該第１と第２の
空間部１９４と１９５が導通状態になった後、所定の時
間経過後に、該電気的特性値サンプリング手段１９７を
駆動させて、該導電性パス７１若しくは７２に於ける電
気的特性値を検出する様に構成されている事が望まし
く、又本発明に於ける該電気的特性検出手段１９３が検
出する該電気的特性は、抵抗、電圧、電流、絶縁抵抗等
から選択された少なくとも一つである。

【００４１】次に、本発明に係る回路配線基板の検査装
置の第２の形態を説明する。上述した本発明に係る回路
配線基板の検査装置の第１の形態においては、以下の問
題がある。すなわち、光導電膜のオン抵抗（光照射時の
抵抗）値はかなり高く、光導電パスの長さが数１０〜数
１００mmにもなる場合、数１００ｋΩ〜数ＭΩとなっ
て、上記の光導電パスの形成に障害になる。例えば、光
導電膜としてＥｒ（エルミウム）ドープＧａＡｓとした
とき、長さ１μｍの光導電パスのオン抵抗はおよそ１０
０Ωであり、単純な比例計算では、数mm長さで数１００
ｋΩ、数１０mm長さで数ＭΩとなる。このように、光導
電パスのオン抵抗が数ＭΩとなるとそのばらつきも増大
し（例えば数１００ｋΩ）、これが検査の対象となる抵
抗に直列に挿入されその計測精度も数１００ｋΩ程度し
か期待できなくなる。

【００４２】そこで、本発明に係る回路配線基板の検査
装置の第２の形態では、光導電膜の上に、複数の透明導
電膜パターンを全面に形成して光導電シート（７）を構
成し、これにより、光導電パスの形成時の実質的な光導
電パス長を短縮してオン抵抗を低減するようになってい
る。図９は本発明に係る回路配線基板の検査装置におけ
る第２の形態の原理を説明するための図であり、前述し
た図２に対応するものである。また、図１０は図９の一
部を拡大して示す図である。

【００４３】図９に示されるように、本発明に係る第２
の形態における光導電シート７は、ＩＴＯ(In₂O₃:Sn)等
より成り、ほぼ１μｍのスペースをもつ独立透明導電膜
パターン70（サイズ：例えば２０μｍ□）を一定ピッチ
で全面に形成する。これにより、光導電パスの形成時の
実質的な光導電パス長を、独立パターンのサイズに対す
るパターン間スペース比に相当する分だけ短縮するよう
になっている。

【００４４】すなわち、図９および図１０に示されるよ
うに、液晶マスク板６の光透過パターン61,62 が形成さ
れると、光導電シート７上では、該光透過パターン61,6
2 に対応した形状の導電性パターン71,72 が形成され
る。ここで、導電性パターン71,72 に一部でも含まれる
透明導電膜パターン70は、全て入力および出力パスを構
成することになる。具体的に、導電性パターン71の周辺
部の透明導電膜パターン70a,70b,70c,70d も導電性パタ
ーン71とほぼ等電位となるが、何ら問題となることはな
い。このようにして、入力パッドＩ₀から第１の被試験
パッドＩＮの直上までの導電性パス(71)、および、第２
のパッドＯＵＴの直上から出力パッドＯ₀までの導電性
パス(72)が形成されることになる。

【００４５】そして、上述したように、各導電性パス
（導電性パターン）71,72 においては、該導電性パス7
1,72 に含まれる透明導電膜パターン70は該透明導電膜
が有する低い抵抗値であり、光照射により導電性になっ
た場合でも比較的に抵抗値の大きい光導電シートは各透
明導電膜パターン70の間に存在するものだけとなる。そ
の結果、導電性パス71,72 によるオン抵抗を、全面に光
導電膜が形成された導電シートを使用した場合のオン抵
抗の数１０分の１から数１００分の１の１００ｋΩ〜数
ｋΩに低減することが可能となる。

【００４６】なお、前述した本発明に係る第１の形態と
同様に、抵抗Ｒin, Ｒout は、光導電パスの単位長さあ
たりの抵抗値を予め実験的に求めておき、光選択透過マ
スクの制御データより計算した経路長とから簡単に求め
ることができる。ここで、上述したように、光導電膜
（層）としてＥｒドープＧａＡｓを用いる場合の抵抗Ｒ
in, Ｒout の典型値としては、全面に形成された独立透
明導電パターン70の効果により、数１００ｋΩ以下とす
ることができる。また、レーザプラズマ・スイッチのオ
ン抵抗Ｒ_LPSの値も同様に予め実験的に求めておく。

【００４７】ところで、被試験パッド間の抵抗値測定精
度は、主として抵抗Ｒin, Ｒout,Ｒ _LPSのばらつきに左
右されるが、これらの抵抗値はおよそ数１０ｋΩ程度と
なり、そのばらつきは１０％程度の数１０ｋΩと見積も
られる。したがって、数１０ｋΩ程度の判定レベルでの
導通試験は可能であり、絶縁良否試験の場合には全く十
分な精度が得られることになる。

【００４８】図１１は本発明に係る回路配線基板の検査
装置における第２の形態の他の実施例としての透明導電
膜のパターンを示す図であり、図１２は図１１の透明導
電膜を使用した様子を示す図である。図１１に示される
ように、本実施例の光導電シート７は、ＩＴＯ(In₂O₃:S
n)等より成る所定形状の独立透明導電膜パターン70' が
一定ピッチで全面に形成されている。ここで、透明導電
膜パターン70' の形状は、４方向で隣接するパターン間
で櫛形構造で組み合うようにされている。なお、櫛形構
造で組み合う部分700の長さＬ₁は、例えば、透明導電
膜パターン70' の一辺の長さＬ₀(例えば、10〜数10μ
ｍ）の１／４とされている。このような透明導電膜パタ
ーン70' の形状により、隣接する透明導電膜パターン7
0' 間における光導電パスの実効的な幅を矩形形状の透
明導電膜パターン70を使用した場合の数倍程度に増加し
て、さらにオン抵抗を数分の一に低下させることができ
るようになっている。

【００４９】図１２は図１１の透明導電膜を使用した様
子を示す図であり、光透過マスク板（液晶マスク板）６
を介して透過される光パターン61と、これにより形成さ
れる光導電パス71の関係を示すものである。図１２に示
されるように、光導電パス71の空間的な設定精度は、透
明導電膜孤立パターンのサイズにより制限され、本実施
例の場合には、透明導電膜パターン70' のサイズの約１
／２程度の設定誤差が生じる。しかしながら、例えば、
透明導電膜パターン70' のサイズを２０μｍとすると光
導電パスの設定精度は１０μｍ程度となり、高密度回路
基板の場合でも５０μｍ程度の配線幅およびパッドサイ
ズであることから十分な空間分解能を得ることができ
る。

【００５０】上述したように、本発明に係る回路配線基
板の検査装置の第２の形態によれば、光導電膜の上に複
数の透明導電膜パターンを全面に形成して光導電シート
することにより、光導電パスの形成時の実質的な光導電
パス長を短縮してオン抵抗を低減するようになってい
る。すなわち、本発明の第２の形態によれば、光導電パ
スのオン抵抗を、本発明の第１の形態における光導電パ
スのオン抵抗よりも１〜２桁低下させることが可能とな
り、絶縁抵抗測定精度を向上させることができる。次
に、本発明に係る回路配線基板の検査装置の第３の形態
を説明する。

【００５１】図１３は本発明に係る回路配線基板の検査
装置における第３の形態の原理構成を示す図であり、図
１４は図１３における回路配線基板の断面を示す図であ
り、そして、図１５は図１３に示す回路配線基板の検査
装置の動作を説明するための図である。図１３および図
１４において、参照符号10および20は第１および第２の
レーザ光（レーザパルス),301 および302 は第１および
第２の光導電シート励起用光ビーム, 51および52は第１
および第２の櫛型透明電極, ７は光導電シート,701およ
び702 は第１および第２の光導電パターン, そして, ９
は回路配線基板（基板）を示している。また、参照符号
91は基板ＧＮＤ層, 92は基板電源層, Ｄ１は導通不良欠
陥_,Ｄ２は絶縁不良欠陥_,Ｐ１およびＰ２は第１および
第２のレーザ光により励起されたプラズマ（レーザプラ
ズマ・スイッチオン部分）を示している。ここで、図１
４では、被試験パッドｉ (INに対応) を含む第１のネッ
トＮＡと、被試験パッドｊ(OUTに対応を含む第２のネッ
トＮＢの２つのネットが示されており、導通試験の対象
とする欠陥（導通不良欠陥Ｄ1)および絶縁試験の対象と
する欠陥（絶縁不良欠陥Ｄ2)が存在する例が示されてい
る。なお、ガラス板70と回路配線基板９との間の空間
は、例えば、Ｏリングシール等により気密構造として該
気密空間にアルゴン, キセノン等の希ガス或いは空気を
加圧または減圧封入するようにしてもよい。

【００５２】図１３および図１４に示されるように、本
発明の回路配線基板の検査装置の第３の形態では、光導
電膜（光導電シート）７が塗布され、該光導電膜上に給
電側透明導電膜パターン（第１の櫛型透明電極51）およ
び検出側透明導電膜パターン（第２の櫛型透明電極52）
が形成されたガラス板70（以下、テストヘッド基板70と
も称する）が回路配線基板９の表面上数１０μｍの位置
に配置され、その上方から第１の光導電パターン701 を
形成するための第１の光導電シート励起用光ビーム301
および第２の光導電パターン702 を形成するための第２
の光導電シート励起用光ビーム302,並びに, レーザプラ
ズマスイッチ（ＬＰＳ）用レーザ光（第１および第２の
レーザ光)10,20が照射されるようになっている。

【００５３】次に、図１３および図１４に示す第１の被
試験パッドｉと第２の被試験パッドｊの間の抵抗を測定
して絶縁の良否の判定をする場合の原理的な動作を説明
する。まず、第１の光導電パターン701 を形成するため
に、第１の光導電シート励起用光ビーム301 による矩形
光ビームパターンを第１の被試験パッドｉと第１の櫛型
透明電極（給電側透明導電膜パターン)51 の最も近い部
分を跨ぐように（覆うように）位置決めし、同時に、第
２の光導電シート励起用光ビーム302 による矩形光ビー
ムパターンを第２の被試験パッドｊと第２の櫛型透明電
極（検出側透明導電膜パターン)52 の最も近い部分を跨
ぐように位置決めする。これにより、光導電膜の光照射
効果により、給電用パッド（Ｉ₀)から第１の被試験パッ
ドｉ直上までの電気的な経路（パス),および, 第２の被
試験パッドｊ直上から検出用パッド（Ｏ₀)までのパスが
形成される。

【００５４】この状態で、図１３において『●』で示す
パッド部にレーザ偏向位置を制御し、２つのレーザパル
ス10および20を同時に照射する。すると、図１５に示す
ように、レーザパルス10および20によりテストヘッド基
板70と回路配線基板９との間隙Ｐ１，Ｐ２に励起された
プラズマの作用により、光照射で導電性をもった部分
（給電パス51および検出パス52）とその直下の第１およ
び第２の被試験パッドｉ，ｊとがそれぞれ瞬時的に導通
し、結果として、給電用パッドＩ₀から第１の被試験パ
ッドｉおよび第２の被試験パッドｊを経て検出用パッド
０₀間の電気的経路が構成される。ここで、パルスレー
ザ光源（１，２）は、連続パルス動作を行うモードロッ
クレーザおよびモードロックレーザの出射光を断続する
シャッタ手段で構成してもよく、また、Ｑスイッチレー
ザにより構成することもできる。

【００５５】この状態では、給電用パッドＩ₀に接続さ
れた電圧源(204) から第１の被試験パッドｉを通り第２
の被試験パッドｊを経て検出用パッド０₀から接地電位
に流れ込む電流は、第１の被試験パッドｉと第２の被試
験パッドｊ間の抵抗（この場合絶縁抵抗Ｒij）に依存す
る。したがって、レーザパルス照射時もしくは僅かに後
の或るタイミングで出力電流を測定することにより、給
電パッドＩ₀と検出パッド０₀間の抵抗Ｒmes を求め、
この抵抗Ｒmes から透明導電膜電極パターン部と光導電
パス部の抵抗Ｒin, Ｒout およびレーザプラズマ・スイ
ッチのオン抵抗Ｒ_LPSの２倍を差し引くことにより、次
の式により被試験パッド間の絶縁抵抗Ｒijを求めること
ができる。

【００５６】Ｒij＝Ｒmes −Ｒin−Ｒout −２×Ｒ_LPS ここで、Ｒijは被試験パッド（ｉ，ｊ）間の抵抗測定値
を示し、また、Ｒmesは給電パッドと検出パッド間の抵
抗測定値を示している。図１６および図１７は本発明の
回路配線基板の検査装置の第３の形態における被試験パ
ッド間抵抗の測定原理を説明するための図であり、前述
した図４および図５に相当するものである。すなわち、
図１６および図１７は、図４および図５における被試験
パッドＩＮ, ＯＵＴ, 立ち上がり時間ｔrin,ｔrout, 絶
縁抵抗Ｒin-out, および，パッドIN,OUTの静電容量Ｃi
n, Ｃout を、それぞれ、被試験パッドｉ, ｊ, 立ち上
がり時間ｔri, ｔrj, 絶縁抵抗Ｒij, および，パッドi,
j の静電容量Ｃi,Ｃj としたものに対応しており、それ
らの説明は省略する。

【００５７】このように、本発明の第３の形態は、レー
ザプラズマ・スイッチの技術と光導電膜上に矩形状に光
導電パターンを形成する技術を組み合わせたることによ
り、図１７に示すように非接触で閉回路を構成すること
を可能とし、抵抗の高速・高精度測定を実現するもので
ある。従来の非接触技術の問題点の１つは、抵抗測定値
がネットのもつ静電容量Ｃｉ，Ｃｊの大小により左右さ
れることであるが、本発明によれば、図１６に示すよう
に静電容量の影響を受けるのは、各部の立ち上がり時間
ｔri, ｔrjであり、パルス照射の一定時間後には、純粋
に絶縁抵抗の大小だけで決まる電圧値および電流値とな
る。因みに、立ち上がり時間ｔriは、Ｒin＋Ｒ_LPSをお
よそ１０ｋΩ，静電容量Ｃｉを大きめに見積もって５０
pfとするとO.５μｓ程度となり、また、立ち上がり時間
ｔrjは、Ｒijを１０ＭΩ（絶縁良の場合）とすると約0.
５ｍｓとなる。したがって、レーザ・プラズマ・スイッ
チのオン継続時間が１ｍｓ程度とすると、パルスレーザ
照射後の約0.５ｍｓ後の電流値をサンプリングすれば、
静電容量の影響を受けない測定が可能となる。

【００５８】なお、Ｒin, Ｒout は透明導電膜パターン
および光導電パスの単位長さあたりの抵抗値をあらかじ
め実験で求めておき、被試験パッドの座標に基づき行わ
れる光導電用光ビームパターンの位置決め制御の制御デ
ータより計算されるそれぞれの経路長とから簡単に求ま
る。光導電膜（層）としてＥｒドープＧａＡｓを用いる
場合のＲin, Ｒout の典型値としては、長さ数１００μ
ｍで数ｋΩ〜数１０ｋΩ程度となる。またＲ_LPSも同様
に予め実験的に求めておけば良く、典型的には数ｋΩ程
度となる。被試験パッド間の抵抗値測定精度は主として
Ｒin, Ｒout,Ｒ _LPSのばらつきに左右されるが、上述し
たようにこれら全体の抵抗値はおよそ数１０ｋΩ程度と
なりばらつきはその１０％程度の数ｋΩと見積もられ
る。したがって、数ｋΩ程度の判定レベルでの導通試験
は可能であり、絶縁良否試験の場合には全く十分な精度
である。

【００５９】図１８および図１９は本発明の回路配線基
板の検査装置における第３の形態の他の実施例を示す図
である。同図において、参照符号１は第１のレーザ光
源, ２は第２のレーザ光源, 10および20は第１および第
２のレーザ光, 11および21は第１および第２のレーザ光
を偏向するための２次元偏向器, そして, 31および32は
第１および第２の光導電シート励起用光源を示してい
る。また、参照符号311 および321 はフィルタ・レンズ
系,312,322は矩形スリット,313,323は２次元偏向器, ４
はスキャンレンズ, ７は光導電シート, 70はガラス基
板, そして, ９は回路配線基板を示している。さらに、
参照符号81,82 は絶縁スペーサ, 90はケース,93は絶縁
シート, そして,900はテストヘッド基板支持台を示して
いる。そして、参照符号200 はＸＹＺステージ,201は第
１のレーザ位置制御部,202は第２のレーザ位置制御部,2
03はタイミング制御部,204は定電圧源,205は電流計,206
は A/D変換器,207は第１および第２のレーザパルス発生
制御部,208はＸＹＺステージ制御部, そして,209は制御
部を示している。なお、参照符号210 は第１の光ビーム
（第１の光導電シート励起用光ビーム）位置制御部,211
は第２の光ビーム（第２の光導電シート励起用光ビー
ム）位置制御部,212は第１の試験パッドデータファイ
ル, そして,213は第２の試験パッドデータファイル部を
示している。

【００６０】図１８および図１９に示されるように、本
実施例では、光導電パス形成用の２つの矩形光ビームパ
ターン(301,302) の結像投影・偏向系(311,312,313;32
1,322,323) およびレーザプラズマ・スイッチ用の２つ
のレーザプローブの偏向系(11,21) を設け、給電パッド
Ｉ₀に電圧源（定電圧源)204を、検出パッドＯ₀には電
流検出器（電流計)205をそれぞれ接続し、第１のパルス
レーザ10は、第１の被試験パッドｉに位置決めし、第２
のパルスレーザ20を第２の被試験パッドｊに位置決めし
て同時に照射し、その直後の電流を検出するサイクルを
繰り返して絶縁良否試験を行うものである。

【００６１】以下、本発明に係る回路配線基板の検査装
置の第３の形態を、絶縁試験の場合を例にとって動作を
説明する。図１８および図１９において、テストヘッド
基板(70,７),上方のレーザ系, および, 光ビーム系は、
同一の架台（図では省略）に固定されており、被試験基
板（回路配線基板）９を内部に絶縁シート93が敷かれた
ケース90内に設置し、絶縁スペーサ81,82 （間隙：数１
０μｍとなるように設定）を被せた状態にセットした
後、ケース90ごと本試験装置のＸＹＺステージ200 に搭
載する。ここで、絶縁スペーサ81,82 は、テストヘッド
基板と被試験基板との間隙を数１０μｍとするように構
成されている。また、テストヘッド基板の座標系とレー
ザ偏向座標系は予め位置合わせされており、これらと被
試験基板の座標系との位置合わせが、まず行われる（手
段については省略）。なお、給電パッドＩ₀には常に電
圧源204 が、検出パッドＯ₀には常に電流計205 が接続
されている。

【００６２】次に、矩形形状の光導電シート励起用光ビ
ーム301,302 の位置決め制御が行われ、給電側透明導電
膜パターン51のひとつから被試験パッドｉまで、およ
び、被試験パッドｊから検出側透明導電膜パターン52の
ひとつまでの間に矩形光ビームパターン（光導電パター
ン)701および702 が結像投影される。ここで、矩形光ビ
ームパターン701 および702 は、例えば、タングステン
ランプ等の光源（光導電シート励起用光源31,32 から発
生する白色光をフィルタ・レンズ系311,321 によるフィ
ルタ作用で約８００nmの光を取り出し、さらに、矩形ス
リット（アパーチャ)312,322を介してレンズ系で結像・
投影することにより発生している。また、この光ビーム
パターン701,702 の位置制御は、予め制御部209 に記憶
された基板の設計データおよび被試験パッドの組み合わ
せデータ（各パッドの位置座標を含む:212,213) に基づ
き行われ、常に、対象とするパッドに最も近い透明導電
膜パターン(51,52) との間にまたがるように設定され
る。第１および第２の被試験パッドデータファイル212,
213 については後述する。

【００６３】図２０は図１８および図１９に示す実施例
における光ビームの位置決め動作を説明するための図で
あり、テストヘッド基板(70)を上方からみた拡大図であ
る。図２０に示されるように、櫛形構造の２つの透明導
電膜パターン51,52 の寸法としては、幅（Ｙk,ｕ−Ｙk,
l)は被試験パッドｉ, ｊのサイズとほぼ同程度の数１０
μｍとし、ピッチＰはその数倍程度で光導電パス701,70
2 の抵抗が過大にならないためには数１００μｍとする
のが好ましい。なお、図２０に示す例では、透明導電膜
パターン51,52 の幅を４０μｍ、ピッチを２４０μｍと
している。

【００６４】図２０からも明らかなように、例えば、或
るパッドの直上までの導電パスの形成の仕方は一意的で
はないが、第１および第２の被試験パッドｉ, ｊが近接
していない場合には、例えば、被試験パッドｉ(xi,yi)
と接続すべき透明導電膜パターン51が矩形光ビームパタ
ーン701 のほぼ中央となるように位置決め制御すればよ
い。しかし、２つの被試験パッドが近接している場合に
は、２つの矩形光ビームパターンが重なりあわないよう
に位置決め制御する必要がある。また、矩形光ビームパ
ターンの長さが、少なくとも透明導電膜パターンのピッ
チＰと等しければ、透明導電膜パターンの間にある全て
のパッドを矩形光ビームパターンで覆うことが可能なこ
とも分かる。

【００６５】このように矩形光ビームパターン701,702
がそれぞれ位置決めされ、テストヘッド基板を照射する
と、透明導電膜パターン51,52 から被試験パッド直上ま
での給電パスおよび検出パスが光導電により形成され
る。光導電膜としてはＧａＡｓ基板、Ｃｒドープまたは
ＥｒドープのＧａＡｓ基板、アモルファスＳｉ、もしく
は、電子写真技術で用いられるフタロシアニン系のフォ
トコン材料等を使用することができる。

【００６６】再び、図１８および図１９を参照して説明
する。この状態で、予め制御部209内に記憶された基板
の設計データにしたがって第１および第２のレーザ位置
制御部201,202 により、第１のレーザ光10が被試験パッ
ドｉに、第２のレーザ光20が被試験パッドｊに位置決め
される。その後、タイミング制御部203 から第１および
第２のレーザパルスの発生を制御するパルス信号が送出
され、給電パス（透明導電膜パターンと光導電パス）と
被試験パッドｉとの間、および、被試験パッドｊと検出
パスとの間が一定時間導通状態となる。この時間は、通
常、数１００μｓから１ｍｓ程度とする。

【００６７】この後、レーザ照射タイミングから約0.５
ｍｓ後にタイミング制御部209 より送出されるサンプリ
ングトリガ信号を用いてＡ／Ｄ変換部206 で出力電流値
がデジタルデータに変換されて制御部209 に結果が送信
される。制御部209 では、この測定値より、被試験パッ
ドｉおよびｊ間の抵抗Ｒijを算出する。この際、給電パ
スおよび検出パスの抵抗値分を補正するため、透明導電
膜パターンおよび光導電パターン部の経路長が算出され
る。

【００６８】以上の説明で対象とした絶縁試験の場合、
ここまでの動作により被試験パッドｉおよびｊ間の絶縁
試験が完了するが、実際の試験では、この後、被試験パ
ッド（第１の被試験パッド）ｉに対し、被試験パッドｊ
と異なるネットに属する他の被試験パッド（第２の被試
験パッド）ｊ＋ｉ，ｊ＋２，…を次々と試験するのが効
率的で好ましい。その場合には、検出パスの光導電用矩
形ビーム位置および第２の被試験パッドに対するレーザ
プラズマ・スイッチ用レーザ光の位置のみを変更制御
し、レーザパルス照射以降の動作を繰り返すことにな
る。

【００６９】以上において、抵抗測定手段は、第１の電
極パッドＩ₀に交流信号を印加し、第２の電極パッドＯ
₀から接地電位に対し流出される出力電流波形の振幅の
最大値を検出し、第１および第２の電極パッド間（Ｉ₀,
Ｏ₀)の抵抗を入力波形の電圧振幅と出力電流波形の最大
振幅の比から算出するように構成してもよい。図２１は
本発明の回路配線基板の検査装置の第３の形態における
試験シーケンスの一例を示す波形図であり、上述した動
作シーケンスを模式的に示すものである。

【００７０】実際の試験シーケンスでは、出力電流をサ
ンプリングした後は、直ちに検出パスｊは次パッドｊ＋
ｉに対応するように変更しても構わないので、その場
合、電流計205 の検出値はここで急激に零になる。この
シーケンスの概略サイクルは、１組のパッド間抵抗測定
に１〜２ｍｓとなる被試験パッドｉに対し絶縁試験すべ
きパッド全ての試験を完了したら、第１のレーザ(10)を
次の被試験パッドｉ＋１に移して同様なシーケンスを繰
り返す。なお、本実施例では、レーザ光源、２次元偏向
手段（例えば、ガルバノミラー）、スキャンレンズ（収
束レンズ）の順に配置しているが、レーザ光源、収束レ
ンズ、２次元偏向手段の順に配置しても差し支えない。
また、光ビーム光源(31,32) は、白色光源を用い、フィ
ルタ(311,321) で必要な波長の光を得るようにしている
が、レーザ光源を用いても良い。

【００７１】以上、本発明の第３の形態の基本的な動作
を説明したが、実際には、図２２および図２３に示すよ
うな被試験パッドと透明導電膜パターンとの位置関係が
特殊な場合を考慮する必要がある。図２２は図１８およ
び図１９に示す実施例における光ビームが不要な場合を
説明するための図であり、また、図２３は図１８および
図１９に示す実施例において測定不可能な場合とそれに
対する対処方法を説明するための図である。

【００７２】図２２は、被試験パッドｉおよびｊがちょ
うど透明導電膜パターン51および52の直下に位置し、且
つ、２つの被試験パッドが同じ透明導電膜パターンの直
下でない場合を示している。この例の場合、被試験パッ
ドｉは給電側のパターン51の直下であり、被試験パッド
ｊは検出側のパターン52の直下であるため、光導電用矩
形光ビーム(301,302) の照射は不要であり、単に、被試
験パッドｉおよびｊの位置に第１および第２のレーザ光
10,20 を照射するだけでよい。ただし、この場合には、
被試験パッドｉに電圧を印加（給電）し、被試験パッド
ｊに検出用電流計を接続する試験方法のみ実現でき、そ
の逆は不可能となる。

【００７３】一方、図２３は、このままでは試験不可能
な場合である。すなわち、被試験パッドｉおよびｊが共
に同じ透明導電膜パターン(51)の直下に位置しており、
このままでは、給電用パスと検出用パスを分離して形成
することができない。このような場合の対処方法として
は、被試験パッドの組み合わせを予め検索し、別の試験
データとしてファイルに記憶しておき、通常の試験が可
能なパッドの組み合わせを全て終了した後に、図２３に
示すように回路配線基板９をＹ方向に移動することが有
効である。具体的に、図２３では、透明導電膜パターン
のピッチＰの１／２だけ移動させた例を点線で示す。こ
うすると、被試験パッドｉ，ｊは、必ず、透明導電膜パ
ターンの直下ではなくなり、これまで述べてきた通常の
方法で試験が可能となる。

【００７４】図２４および図２５は本発明の第３の形態
における回路配線基板の検査処理の一例を示すフローチ
ャートである。まず、回路配線基板の検査処理が開始さ
れると、被試験パッド（ｉ，ｊ）のｙ座標（ｙi,ｙj)を
チェックし、これら２つが共にに同一の透明導電膜パタ
ーン直下になるか否かを判定する。すなわち、ステップ
ST1 において、Ｙku≦yi≦Ｙkl, 且つ, Ｙku≦yj≦Ｙk
l; ｋ＝1, 2, …, N が成立するかどうかを判別し、成
立する場合にはステップST3 に進み、成立しない場合に
はステップST2 に進む。

【００７５】ステップST3 では、第２の試験対象パッド
データファイル213 に対して(i, j)を登録してステップ
ST4 に進む。一方、ステップST2 では、第１の試験対象
パッドデータファイル212 に対して(i, j)を登録してス
テップST4 に進む。ステップST4 では、全ての(i, j)が
完了したかどうかを判別し、完了していないと判別され
ればステップST1 に戻り、完了していると判別されれば
ステップST5 に進む。ここで、ステップST4 において、
試験すべき全ての組み合わせが予め設定されることにな
る。

【００７６】次に、測定・試験処理が行われるが、ま
ず、ステップST5 において、第１の試験パッドデータフ
ァイル212 から順次パッド(i, j)に関する試験データ
（パッドの座標データ等）を読み出し、先に述べた方法
で試験を実行する。すなわち、ステップST6 において、
第１および第２の矩形形状の光導電シート励起用光ビー
ム301,302 の位置決め、並びに、第１および第２のレー
ザパルス10,20 の位置決めを行って、ステップST7 に進
む。ステップST7 では、被試験パッドｉ, ｊ間の抵抗測
定（試験）を行って、ステップST8 において、その試験
結果を記憶する。さらに、ステップST9 に進んで、第１
の試験パッドデータファイル212 の全てのパッド(i, j)
が完了したかどうかを判別し、完了していないと判別さ
れればステップST5 に戻り、逆に、完了したと判別され
るとステップST10に進む。

【００７７】ステップST10では、前述した測定不能の場
合（図２３参照）に対処するために、回路基板のｙステ
ージを透明導電膜パターンのピッチの１／２（＝Ｐ／
２）だけ移動し、さらに、ステップST11において、第２
の試験パッドデータファイル213 中のパッドのｙ座標デ
ータに全てＰ／２だけ加算・変更する。そして、ステッ
プST12NIおいて、第２の試験パッドデータファイル213
からパッド(i, j)の座標データを読み出し、ステップST
13に進む。ステップST13では、第１および第２の矩形形
状の光導電シート励起用光ビーム301,302 の位置決め、
並びに、第１および第２のレーザパルス10,20 の位置決
めを行って、ステップST14に進む。ステップST14におい
て、被試験パッドｉ, ｊ間の抵抗測定（試験）を行い、
さらに、ステップST15に進んで、その試験結果を記憶す
る。さらに、ステップST6 に進んで、第２の試験パッド
データファイル213 の全てのパッド(i, j)が完了したか
どうかを判別し、完了していないと判別されればステッ
プST12に戻り、逆に、完了したと判別されると回路配線
基板の検査処理を終了する。

【００７８】このように、本発明の第３の形態によれ
ば、光導電膜（光導電シート）平面上に、櫛形構造の透
明導電膜パターン２つを互いに交互に並ぶように設け、
一方の周辺部には給電用パッドを、他方には検出用パッ
ドを形成し、この給電／検出パッドと基板上の被試験パ
ッドまでの導電経路（パス）を上記透明導電膜パターン
と任意に位置決め可能な矩形光ビームによる光導電効果
とにより電気的制御で自由に変更できるように形成す
る。そして、給電／検出用パスと一定間隔をもって対向
される被試験パッド間の導通をパルスレーザ照射（レー
ザ・プラズマ・スイッチ）により行うことによって、レ
ーザ照射時の給電パッドと検出パッド間の抵抗を瞬時的
に測定することにより２つの被試験パッド間の抵抗を算
出することができる。

【００７９】次に、本発明に係る回路配線基板の検査装
置の第４の形態に付いて図面を参照しながら詳細に説明
する。即ち、上記した本発明に係る回路配線基板の検査
装置に於ける第１から第３の形態に於いては、該第１及
び第２の導電性パスを形成する該導電性パス形成手段１
９２は、光導電性部材から構成された薄膜に、適宜のパ
ターンを有するマスクを使用するか、液晶シャッターを
用いて適宜のパターンを形成させた後、光導電性部材励
起手段１９６の光源から適宜の光エネルギーを照射し
て、当該光導電性薄膜に、所定のパターンを持つ導電性
パスを形成させるものである。

【００８０】然しながら、係る方法に於いては、上記し
た様な、所定の導電性パスを、別途に形成させる必要が
あり、その為に、マスク或いは、液晶シャッターと該液
晶シャッター駆動手段とを用意する必要があると共に、
当該所定のパターンを有する導電性パスを形成する為の
時間を必要とする等、コストアップに繋がる要因となっ
ていた。

【００８１】本発明に係る第４の形態に於いては、係る
問題を解決して、簡易な構成を有する導電性パス形成手
段を採用して、更に効率的で、高速に当該回路配線基板
の検査を実行しうる回路配線基板の検査装置を提供する
ものである。即ち、本発明に係る第４の形態の回路配線
基板の検査装置は、配線パターン及び複数のパッドを有
するネット群を多数備え回路配線基板を検査する回路配
線基板の検査装置であって、該検査装置は、当該回路配
線基板を保持する基板保持手段、該基板保持手段に保持
されている該回路配線基板と所定の間隔を隔てて配置さ
れており、且つ当該回路配線基板に設けられている配線
部に於ける全ての被試験パッド位置が含まれる領域と対
向する位置に設けられた導電領域部からなり、当該導電
領域部は、複数の互いに電気的に分離された導電領域で
構成され、該導電領域部の少なくとも一部の導電領域
が、第１の電源と接続され、他の導電領域の一部が、該
第１の電源より低電位の電源電圧を有する第２の電源と
接続される様に構成された、所定被試験パッド位置と該
電源との間に導電性パスを形成する導電性パス形成手段
を有する、該回路配線基板の電気的特性検出手段、及び
選択された少なくとも２個の被試験パッドと該電導領域
との間の空間部にレーザを照射して、該空間部に導電性
を付与するレーザプラズマスイッチ制御手段、とから構
成されたものであり、更に、該電気的特性検出手段は、
該導電性パスに接続された電気的特性値サンプリング手
段を有する回路配線基板の検査装置である。

【００８２】つまり、本発明に係る第４の形態に於ける
回路配線基板の検査装置に於いては、基本的な構成は、
前記した第１〜第３の形態の回路配線基板の検査装置と
略同一であるが、導電性パス形成手段１９２の構成が異
なるものである。即ち、本形態に於いては、該導電性パ
ス形成手段１９２は、予め導電性を有する面状の導電領
域部からなる部材を使用するものであって、前記第１〜
第３の形態に於ける様に、個別に所定のパターンを持つ
導電性パスを形成する事はなく、当該面状の導電領域部
そのものを導電性パスとして使用するものである。

【００８３】従って、当該導電領域部は、検査使用とす
る回路配線基板の全体を略被覆するに充分な面積を持っ
た平面形態を有する部材である事が必要となる。更に、
本形態に於ける該導電性パス形成手段の該導電領域部
は、少なくとも２つの、電気的に分離された複数個の導
電領域群から構成されているものであり、それぞれの導
電領域間の分離状態は、特に特定されるものではない
が、例えば、スリットで分離されたもので有っても良
く、或いは当該導電領域が、光導電性部材で構成されて
いる場合には、光遮蔽材で分離されたもので有っても良
い。

【００８４】図２６（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明に係る第
４の形態の回路配線基板の検査装置で使用される該導電
性パス形成手段１９２の構成の概略を説明する図であ
り、図中、当該導電領域部が、スリットで互いに分離さ
れた２個の導電領域から構成されいる場合の例を示すも
のである。

【００８５】即ち、図２６（Ａ）〜（Ｄ）には、図１に
示される本発明に係る回路配線基板の検査装置の第１の
形態の基本構成を有する、配線パターン及び複数のパッ
ドを有するネット群を多数備え回路配線基板を検査する
回路配線基板の検査装置であって、該回路配線基板の電
気的特性検出手段１９３は、該基板保持手段１９１に保
持されている該回路配線基板９と所定の間隔を隔てて配
置されており、且つ当該回路配線基板９に設けられてい
る、一つの配線部Ａに於ける第１の被試験パッドＩＮの
配置位置と対応する位置Ｓ１と、第１の電源Ｖ１との間
の導電性を確保する第１の導電領域２６１と、当該回路
配線基板９に設けられている、他の配線部Ｂに於ける第
２の被試験パッドＯＵＴの配置位置と対応する位置Ｓ２
と、第２の電源Ｖ２との間の導電性を確保する該第１の
導電領域２６１からスリット２６３により互いに分離さ
れている第２の導電領域２６２とが設けられている導電
性パス形成手段１９２を有するものである。

【００８６】その他の構成は、図１と同様であるが、当
該導電領域部が、予め導電性を有する部材で構成されて
いる場合には、図１に示す様な光導電性部材励起手段３
は、不要であり、単にレーザを発生手段と当該レーザ偏
向手段とを含むレーザプラズマスイッチ制御手段１、２
が設けられるものである。係る場合には、当該導電領域
２６１及び２６２は、何れも該レーザビームが透過しう
る部材で構成されている事が必要となる。

【００８７】一方、当該導電領域部が、光導電性部材か
ら構成されている場合には、図１の構成と同様、光導電
性部材励起手段３及びレーザプラズマスイッチ制御手段
１、２が設けられる必要がある。更に本発明の第４の形
態について詳述するならば、図２６（Ａ）〜（Ｄ）にお
いて、ガラス板２６４の片面に、中央の微少なスリット
２６３で２つに分離されたそれぞれ周辺部に給電パッド
２６５および検出パッド２６６を有する透明導電膜２６
９を設けたテストヘッドである導電領域２６１，２６２
を、透明導電膜側が被試験基板９と向かい合い、かつ所
定のギャップを保つように基板９上に配置し、一方の導
電膜２６７からなる第１の導電領域２６１には第１の電
圧源Ｖ₁を接続し、他方の導電膜２６７からなる第２の
導電領域を２６２には電流検出器２６８を介して第２の
電圧源Ｖ₂と接続し、このテストヘッド２６１，２６２
をスリット２６３と直角方向に機械的に移動することに
より、任意の２つの被試験パッドＡ，Ｂを、一方は第１
の電源印加された第１の導電領域２６１の下に、又他方
を電流検出器２６８に接続された第２の導電領域２６２
の下に位置決めすることにより、任意のパッドＡ，Ｂ上
までの給電パスまたは検出パスを形成する技術と、これ
らの給電／検出パスと一定間隔をもって対向される被試
験パッド間Ｐ₁，Ｐ ₂の導通をパルスレーザ照射により
実現できるレーザ・プラズマ・スイッチとを組み合わ
せ、レーザ照射時の給電パッドと検出パッド間の抵抗を
瞬時的に測定することにより２つの被試験パッド間の抵
抗を算出することを可能としたものである。

【００８８】図２６（Ａ）〜（Ｄ）に、かかる第４の形
態の検査装置の原理的な構成を示す。回路配線基板の一
例としてはその部分の断面図である２６（Ｄ）も示す。
この例では、第１の被試験パッドｉを含むネットＡと第
２の被試験パッドｊを含むネットＢの２つが示されてお
り、図２６（Ｄ）には導通試験の対象とする欠陥（導通
不良欠陥）Ｄ₁および絶縁試験の対象とする欠陥（絶縁
不良欠陥）Ｄ₂の例も示す。

【００８９】図２６（Ａ）（Ｂ）は正面図又図２６
（Ｃ）（Ｄ）は断面図であり、基板９上にはネットＡ〜
Ｄ、被測定パッドＥ１〜Ｅ８まで例示してある。被試験
基板９の２倍のサイズのガラス板２６４の下面に、中央
のスリット部２６３で２分割された透明導電膜がコート
された導電領域２６１と２６２からなる導電領域部が設
けられ、これがギャップ数μｍ〜数１０μｍをおいて基
板９上に配置されている。左側の導電膜（第１の導電領
域）２６１は給電用パッド２６５を介して電圧源Ｖ ₁に
接続され、右側の導電膜（第２の導電領域）２６２は検
出用パッド２６６を介して電流検出器２６８を介して第
２の電源Ｖ₂であるＧＮＤに接続されている。

【００９０】ここで、パルスレーザ光１０，２０がネッ
トＡ内の被試験パッドｉ即ちＥ１とネットＢ内のパッド
ｊ即ちＥ４に同時に照射されると、第１の導電領域２６
１とパッドｉ間および第２の導電領域２６２とパッドｊ
間のギャップＰ₁，Ｐ₂にレーザにより励起されたプラ
ズマ（●で図示）の作用により、各導電領域２６１，２
６２と各パッド（ｉ，ｊ）との間のそれぞれが瞬時的に
導通し、結果として給電用パッド２６５からパッドｉ、
パッドｊを経て検出用パッド２６６間の電気的経路が構
成される。この状態では、給電用パッドに接続された電
圧源Ｖ₁からパッドｉを通りパッドｊを経て検出用パッ
ド２６６から接地電位Ｖ₂（ＧＮＤ）に流れ込む電流
は、パッドｉとパッドｊ間の抵抗（この場合絶縁抵抗）
に依存する。したがって、前記形態と同様レーザパルス
照射時もしくは僅かに後の或るタイミングで出力電流を
測定することにより、給電パッドと検出パッド間の抵抗
Ｒmes が求まり、このＲmes から導電領域２６１と２６
２の抵抗であるＲin，Ｒoutとレーザ・プラズマ・スイ
ッチのＯＮ抵抗Ｒ_LPSの２倍を差し引けば被試験パッド
間の絶縁抵抗Ｒijを次式で求めることができる。

【００９１】Ｒij＝Ｒmes −Ｒin−Ｒout −２×Ｒ_LPS 尚Ｒ_LPSはプラズマスイッチのＯＮ抵抗である。図２７
に、以上の動作を拡大断面図として模式的に示す。尚、
本発明の上記第４の形態における、測定動作原理は図４
に示す波形にもとずく動作と同一の動作を示すものであ
り又、本形態における等価回路図を図５に示す等価回路
と同一であるので、ここではその説明を省略する。

【００９２】次に本発明に係る第４の形態の回路配線基
板の検査装置を使用した具体的な検査方法を説明する。
即ち、本具体例は、レーザ・プラズマ・スイッチの上記
従来技術とスリット部で電気的に分割された少くとも２
つの導電膜コートを含む導電領域からなるテストヘッド
を基板９上に移動することにより、２つの導電領域２６
１，２６２の下に位置するパッドの組み合わせを任意に
選択する技術を組み合わせたものであり、その結果、図
２７に示すように非接触で閉回路を構成することが可能
となり抵抗の高速、高精度測定を実現するものである。

【００９３】前記した第１〜第３の形態においては、所
定のパッドｉ，ｊ間の絶縁抵抗を検査する場合には、予
め、所定のマスクを用いたり、液晶シャッター等を用い
て、所定のパターンの導電パスが光導電性部材からなる
光電膜に形成されるよう光エネルギーを光電膜に照射す
るものである。つまりこれ等の形態においては、第１の
電源Ｖ₁と第１の被試験パッドｉとの間及び第２の電源
Ｖ₂と第２の被試験パッドj との間に、個別に、任意の
パターンを有する導電性パスを形成する必要がある。こ
のため、装置全体として複雑となりコスト高となること
は勿論、かかる個別の導電性パスを形成させるための工
程が必要となると同時にそのための操作時間も必要とな
るため高連化の弊害となっていた。

【００９４】更にこれらの具体例においては、個別に形
成される導電性パスの長さや幅、形状が必ずしも同一と
はならず測定する毎に、そのたびに形成される新たな導
電性パスについてその抵抗値を測定しなければならず、
又同じ形状に作成したとしても、抵抗値のパラツキが生
ずるおそれもあり、その確認も必要となる等、余分な処
理操作を行うことになり、操作効率を向上させることが
難しいという問題があった。

【００９５】その為、本具体例に於いては、所定の被試
験パッドの組を選択して測定する毎に、導電性パスを形
成個別に形成する操作をやめ、予め定められた所定の抵
抗値を有する複数個の導電領域２６１、２６２からなる
導電領域部２７０を設け、当該各導電領域を導電性パス
と見なす様に構成するものである。しかも、本具体例に
於いては、複数個の導電領域を、スリット、或いは光遮
蔽部材を用いて形成された分離部分２６３により互いに
電気的に分離された構成となし、当該分離部分２６３を
挟んで一方の該導電領域２６１で被覆される領域に、絶
縁抵抗を測定すべき２個の被試験パッドの組の一方の被
試験パッドｉを選択的に配置される様に設定し、当該２
個の被試験パッドの組の他方の被試験パッドｊを当該分
離部分２６３を挟んで配置されている他方の該導電領域
２６２で被覆される領域に、選択的に配置される様に設
定するものである。

【００９６】そして、係る関係に或る一つ若しくは複数
個の被試験パッドの組に付いて、後述する絶縁抵抗を測
定する操作が終了すると、該導電領域部２７０を該回路
配線基板９の表面に沿って並行に移動させて、未だ絶縁
抵抗を測定していない被試験パッドの組を選び出して、
上記と同様の被試験パッドと該分離部分２６３との位置
関係を設定して当該被試験パッド間の絶縁抵抗を測定す
る様にするものである。

【００９７】その為、該導電領域部２７０は、該導電領
域部に設けられた該分離部２６３と直交する方向に、当
該回路配線基板９の表面に沿って当該回路配線基板９と
相対的に移動しうる様に構成されている事が望ましい。
更に、本具体例に於いては、前記した、当該分離部分２
６３の一方向での移動では、検査出来ない被試験パッド
の組が当然発生するので、係る被試験パッドの組の絶縁
抵抗を測定する為、当該導電領域部２７０及び該回路配
線基板９の少なくとも一方は、他方の平面と並行に配列
された状態を維持しながら少なくとも９０度回転しうる
様に構成されている事が好ましい。

【００９８】次に図２６（Ａ）〜（Ｄ）と図２７を参照
しながら本具体例の検査方法の具体例を説明する。図２
８には、テストヘッド２７０のスリット部２６３の移動
により基板９全面の被試験パッドの全ての組み合わせに
ついて試験できるようすを示す。まず図２８（Ａ）に示
すような縦方向の２つの導電領域２６１，２６２間のス
リット部２６３がある場合からスタートする。被試験パ
ッド（ｉまたはｊ）はＥ１〜Ｅ６までとして、各導電領
域にある給電パッドや検出パッドおよびレーザなどは省
略されている。この基板９のパッドのピッチの最小デザ
インルールがＰであるとする、スリット２６３の位置ｋ
は基板横方向を△＝Ｐ／２の単位で分割し、左から順に
ｋ１〜ｋ９と設定する。まずｋ＝１に位置決めすると、
スリット２６３でパッド群は２つに区別され、左側のパ
ッドＥ１，Ｅ２と右側のパッドＥ３〜Ｅ６間の組み合わ
せが試験可能となる。図２８（Ｂ）の表に示すように、
ｉ＝１（つまりパッドＥ１）に対し、ｊ＝３〜６、ｉ＝
２に対し、ｊ＝３〜６間の試験を行っていく。次にｋ＝
３に設定したときには、パッド３，４が右側の領域から
左側の領域に移るため、新たにｉ＝３，４とｊ＝５，６
の組み合わせの試験が可能になる。このような手順を繰
り返しｋ＝９までスリットが移動すると、次にはパッド
１，２や３，４のようにスリットの方向と同じ方向にな
らんだパッドの組み合わせの試験が必要となる。

【００９９】そこで、次に図２８（Ｃ）のようにスリッ
ト２６３を９０度回転し、今度は横スリットで同様な試
験を進める。ただし、この場合には、さきの縦スリット
で試験出来なかった組のものだけやればよいので、図２
８（Ｂ）の表に示すようなスリット位置とパッドの組み
合わせの試験となる。この場合、スリット移動は機械的
に行うので、やや時間を要すが、一次元の移動を２回行
うことですむので、フライングプローバのような２次元
移動にくらべればはるかに単時間ですむ。

【０１００】例えば、基板サイズＡを１００mm、被試験
パッドの最小ピッチＰを０．０４mm、導電領域部（ヘッ
ド）の１回の移動距離をＰ／２として０．０２mm、又導
電領域部の移動時間を０．２Ｓとするとステージの移動
回数の最大値を１００００回とした時の所要時間は約３
３分となる。図２９に本具体例を示す。

【０１０１】テストヘッドである導電性パス形成手段１
９２としては、透明導電膜２７１，２７２（例えばＩＴ
Ｏ膜）がコートされたガラス板２７３で、ＩＴＯ膜は中
央のスリット部２６３で２分割されたものを用い、これ
が、図中で左右方向に可動なテストヘッドステージ２７
４に搭載されている。さらにこのテストヘッドステージ
２７４は、９０°方向変更が可能な回転ステージ２７５
に載っている。すなわち、スリット部２６３の移動は、
すべてテストヘッドを機械的に移動する方式とされてい
る。

【０１０２】スリット部２６３の幅は、できる限り小さ
いのが望ましいが、被試験パッドの最小ピッチＰの１／
１０〜１／２０で５μｍ以下程度が適当である。また、
スリットの移動制御はここでは、最も単純な固定キザミ
で順次ステップ移動制御とする。この場合のスリット部
２６３の移動キザミは、Ｐ／２程度が目安となる。テス
トヘッド部左右の両端には給電用、検出パッドがあり、
ここを介して第１および第２の透明導電膜からなる導電
領域２６１，２６２に電圧源内および電流検出器２６８
が接続される。

【０１０３】被試験基板９は絶縁シート２７６をはさみ
基板ステージ１９１に搭載され、テストヘッド１９２下
の所定部に配置される。このとき、基板９とテストヘッ
ドを構成する導電性パス形成手段１９２の下面との間隔
（ギャップ）Ｐ₁，Ｐ₂は、空間分解能の確保およびプ
ラズマスイッチＯＮ抵抗低減のためには小さい程良く、
一方、基板の表面の凹凸によるプラズマスイッチＯＮ抵
抗のばらつきの低減のためには大きいほど良い。基板の
凹凸が数μｍ程度とするとこれが真のギャップ量の１０
％以下のばらつきとするにはギャップ量は数１０μｍ以
上となる。また数１０μｍサイズのパッドの測定のため
には、ギャップ量はやはり数１０μｍ以上とすることは
できない。この結果、ギャップ量は数１０μｍとする
（典型値としては３０μｍ）。

【０１０４】図２９に示すように、２つのパルスレーザ
光１０，２０は２つのレーザ光源１，２から同時に発生
され、テストヘッド１９２の上方に設けられたレーザ偏
向系１１，１２により、テストヘッド１９２の全面にわ
たり位置決め照射できるようにされている。レーザの発
生タイミングは制御部２７７からの指令に基づきタイミ
ング制御部２７８により制御される。また、タイミング
制御回路２７８は、レーザ発生トリガ信号に対し一定の
遅延をうけたトリガ信号をＡ／Ｄ変換器２７９に送出
し、検出電流信号の特定の瞬間の値をデジタルデータと
して制御部２７７にとりこむようにされている。

【０１０５】制御部２７７には、被試験パッドの組み合
わせ（ｉ，ｊ）およびそれらの座標データが格納記憶さ
れている２つの試験パッドデータファイル２８０，２８
１が設けられ、ここから読みだされるデータに基づき、
レーザ偏向系２８２〜２８５が制御され、パルスレーザ
光が試験対照のパッドｉ，ｊに照射される。なお、試験
データファイル２８０，２８１は、あらかじめ試験すべ
きパッドに関する情報が格納されるだけでなく、後の試
験シーケンスで述べる前処理結果の格納のためにも用い
られる。

【０１０６】尚図２９中基板９の配線設計データを記憶
したデータファイル２８６を併用することも出来る。
又、本具体例に於いては、前記した様に、テストヘッド
を形成する該導電性パス形成手段１９２を該回路配線基
板９の表面に対して平行に、相対的に移動させたり、回
転させたりするものであって、その為に、図２９の例に
於いては、該導電性パス形成手段１９２は、当該導電性
パス形成手段１９２を該回路配線基板９の表面に対して
平行な、水平方向に移動しえる水平方向移動ステージ２
７４と該水平方向移動ステージ２７４を回転自在に保持
し所定の信号に応答して、少なくとも該導電性パス形成
手段１９２を、該回路配線基板９に対して９０度回転さ
せる為の回転ステージ２７５に取りつけられている例が
示されている。

【０１０７】本具体例に於いては、当該水平方向移動ス
テージ２７４は、水平方向移動用モータ２９０が、水平
方向移動用モータ制御回路２８８の出力信号に応答して
所定の距離を移動する様に構成されている。一方、前記
回転ステージ２７５は、ステージ回転用モータ２９１に
より、回転用モータ制御回路２８７の出力信号に応答し
て所定の角度回転しうる様に構成されている。

【０１０８】尚、本具体例において、基板９も移動させ
る必要がある場合には、基板ステージ制御回路２８９を
駆動させて、適宜の移動手段を介して該基板ステージ、
即ち基板保持手段１９１を所定の方向に所定の距離だけ
移動させる様に構成されていても良い。尚、図中、２９
３は、本具体例に於ける当該回路配線基板の検査装置の
フレームである。

【０１０９】以下、絶縁試験の場合を例にとって測定の
基本動作（パッドｉ，ｊ間の抵抗測定）を説明する。図
２９において、基板ステージ１９１および上方のレーザ
系１〜２は同一の架台２９３に固定されており、被試験
基板９は内部に絶縁シート２７６が敷かれたケース２９
４内に設置し、ケース２９４ごと本試験装置の基板ステ
ージ１９１に搭載される。まず、レーザ偏向座標系１，
２と基板９の座標系との位置合わせがまず行われる（手
段については省略）。次に、テストヘッドステージ２７
４によりスリット部２６３が最初の位置に移動、設定さ
れ、試験パッドデータファイル２８０，２８１から読み
だされたパッド（ｉ，ｊ）の座標値に基づき、第１，第
２のレーザ位置制御部２８３，２８４により、第１のレ
ーザ光１０がパッドｉに、第２のレーザ光２０がパッド
ｊに位置決めされる。その後、タイミング制御部２７８
から第１，第２のレーザパルス１０，２０の発生を制御
するパルス信号が２８２，２８５から送出され、給電パ
ス（給電用パッド２６５から第１の導電領域２６１）と
パッドｉ間、およびパッドｊと検出パス（第２の導電領
域２６２から検出用パッド２６６）間が一定時間導通状
態となる。この時間は、通常数１００μｓから１ｍｓ程
度である。

【０１１０】この後、レーザ照射タイミングから約０．
５ｍｓ後にタイミング制御部より送出されるサンプリン
グトリガ信号を用いてＡ／Ｄ変化部２７９で出力電流値
がデジタルデータに変換され制御部２７７に結果が送信
される。制御部２７７では、この測定値より、パッドｉ
とパッドｊ間の抵抗を算出する。この際には、給電パス
検出パスの抵抗値分を補正するため、導電領域２７０の
各経路長が算出される。

【０１１１】以上の説明で対象とした絶縁試験の場合、
ここまでの動作によりパッドｉ，ｊ間の絶縁試験が完了
する。この動作シーケンスを図３０に模式的に示す。こ
のシーケンスの概略サイクルは、１組のパッド間抵抗測
定に１〜２ｍｓとなる。パッドｉに対し絶縁試験対象の
パッド全ての試験を完了したら、第１のレーザを次のパ
ッドｉ＋１に移して同様なシーケンスを繰り返す。

【０１１２】なお、本実施例では、レーザ光学系にはレ
ンズが図示されていないが、必要に応じてスキャンレン
ズなどレンズを挿入しても差し支えない。以上、本具体
例の基本的な動作を説明したが、実際には、図３１に示
すような、複雑かつ稠密にパッド配置された基板の試験
るためには、スリット位置とそのとき対象となる被試験
パッドの組み合わせについて前処理が必要になる。前処
理には、縦方向のスリットでは原理的に不可能なパッ
ドの組み合わせの抽出処理と、スリット位置座標毎に
試験対象となるパッドの組み合わせの抽出処理である。

【０１１３】図３１に示す基板の８個のパッドを例にし
て図３３〜図３５を参照しつつ説明する。図３１で、点
線の正方形は基板のパッドの最小ピッチＰを示し、実線
の正方形はパッドのサイズＳを示す。Ｓ／Ｐは当然１よ
り小であり、普通０．６程度である。したがって、点線
の正方形が重なるような配置がないことを意味する。先
ず、上記したの処理は、すべての組み合わせ（ｉ，
ｊ）のｘ座標の差の絶対値が最小ピッチＰより大きい場
合には、すべて縦スリットで試験可能である。また、逆
に差の絶対値が最小ピッチＰより小の場合、必ず（ｉ，
ｊ）のｙ座標の差の絶対値の方はＰ以上となるのは図３
１より分かる。図３３では、この処理により縦スリット
で試験可能なパッドの組み合わせをデータファイル２８
０に、横スリットでの試験が必要なパッドの組み合わせ
をデータファイル２８１に格納記憶するようにされてい
る。図３１の例について実際に行った結果を図３２の表
に示す。

【０１１４】上記した本具体例に於ける操作手順を図３
３から図３５を参照しながら説明する。図３３〜図３５
に於いて、先ずデータの前処理操作が行われるが、スタ
ート後ステップ（１）に於いて一組の被試験パッド
（ｉ，ｊ）のＸ座標（ｘｉ，ｘｊ）を測定し、ステップ
（２）に於いて、その差ｘｉ−ｘｊの絶対値が被試験パ
ッドの最小ピッチＰ以下であるか否かが判断され、ＮＯ
であれば、ステップ（３）に進んで、当該被試験パッド
の組（ｉ，ｊ）を、第１の被試験パッドデータファイル
２８０に格納しておく、一方、ステップ（２）でＹＥＳ
であれば、ステップ（４）に進んで、該ｘｉ−ｘｊの絶
対値が被試験パッドの最小ピッチＰに等しいか否かが判
断され、ＹＥＳであれば、ステップ（５）に進んで当該
一組の被試験パッド（ｉ，ｊ）のＹ座標（ｙｉ，ｙｊ）
を測定し、その差ｙｉ−ｙｊの絶対値が被試験パッドの
最小ピッチＰ以下であるか否かが判断され、ＹＥＳであ
れば、ステップ（３）に戻り、又ＮＯであればステップ
（６）に進んで、当該被試験パッドの組（ｉ，ｊ）を、
第２の被試験パッドデータファイル２８１に格納してお
き、後工程い於いて、当該スリットを縦に回転させて再
度測定する場合に使用しえる様にする。

【０１１５】一方、ステップ（４）に於いてＮＯであれ
ば、直接ステップ（６）に進んで上記操作を実行する。
その後、ステップ（７）に移り、全ての被試験パッドの
組合せに付いて、座標の確認が完了したか否かが判断さ
れ、ＮＯであれば、ステップ（２）に戻って、上記各工
程が繰り返され、ＹＥＳであれば、ステップ（８）に進
み、絶縁抵抗、断線等の電気的特性検出操作に移行す
る。

【０１１６】つまり、ステップ（７）までの操作に於い
ては、当該回路配線基板９に設けられている配線間の電
気的特性を測定する場合に、縦方向に設けられた例えば
スリットのみでその測定操作を実行しえるか、当該スリ
ットを回転させて横方向にしたスリットで更に同様の測
定操作を実行する必要があるか否かを判断しているもの
である。

【０１１７】尚、ステップ（７）に於いては、試験すべ
き被試験パッドの組（ｉ，ｊ）については、予め定めら
れている場合が多い。次いで、ステップ（８）以降に於
いては、前記試験の為の当該スリット座標を演算する為
の操作手順を示すものであり、ステップ（８）に於いて
は、前記した第１の被試験パッドデータファイル２８０
に格納されている被試験パッドの組（ｉ，ｊ）のデータ
を読出し、ステップ（９）に於いて、該被試験パッドの
組（ｉ，ｊ）のＸ座標（ｘｉ，ｘｊ）の内から、座標値
の小さい方を選択してｘｓとする。

【０１１８】次いで、ステップ（１０）に進み、Ｐ／４（２ｎ−１）＜ｘｓ＜Ｐ／４（２ｎ−１）、n=1,
2,3,・・・の式を満たすｎを求め、スリット座標ｋｘ＝ｎ＋１とし
て前記データファイルに追加格納する。その後ステップ
（１１）に於いて、全ての被試験パッドの組合せに付い
て、座標に対する該スリットの座標ｋｘが設定されたか
否かが判断され、ＮＯであれば、ステップ（９）に戻っ
て、上記各工程が繰り返され、ＹＥＳであれば、ステッ
プ（１２）に進み、横方向に回転した当該スリットに付
いても同様の操作を実行する。

【０１１９】つまり、ステップ（１２）に於いては、前
記した第２の被試験パッドデータファイル２８１に格納
されている被試験パッドの組（ｉ，ｊ）のデータを読出
し、ステップ（１３）に於いて、該被試験パッドの組
（ｉ，ｊ）のＹ座標（ｙｉ，ｙｊ）の内から、座標値の
小さい方を選択してｙｓとする。次いで、ステップ（１
４）に進み、Ｐ／４（２ｎ−１）＜ｙｓ＜Ｐ／４（２ｎ−１）、n=1,
2,3,・・・の式を満たすｎを求め、スリット座標ｋｙ＝ｎ＋１とし
て前記データファイルに追加格納する。

【０１２０】その後ステップ（１５）に於いて、全ての
被試験パッドの組合せに付いて、座標に対する該スリッ
トの座標ｋｙが設定されたか否かが判断され、ＮＯであ
れば、ステップ（１３）に戻って、上記各工程が繰り返
され、ＹＥＳであれば、ステップ（１６）以降に進み、
実際の例えば絶縁抵抗の測定を実行する操作を行う事に
なる。

【０１２１】即ち、ステップ（１６）に於いては、第１
の被試験パッドデータファイル２８０に格納されている
被試験パッドの組のそれぞれに付いてのデータを読出
し、ステップ（１７）に於いて、全てのスリット座標デ
ータの読出しが終了したか否かが判断され、ＮＯであれ
ば、ステップ（１８）に進んで、スリット座標ｋｘを設
定し、ステップ（１９）に於いてスリットを所定の座標
値迄移動させて静定させる。

【０１２２】その後ステップ（２０）に於いて、レーザ
ー光１、２の照射位置を決定し、ステップ（２１）に於
いて、当該被試験パッドの組の間の抵抗を測定する。ス
テップ（２２）では、その測定結果を所定の記憶手段に
記憶させ、ステップ（２３）に於いて、全ての被試験パ
ッドの組に付いて測定が完了したか否かが判断され、Ｎ
Ｏであれば、ステップ（２０）に戻って、上記各工程が
繰り返され、ＹＥＳであれば、ステップ（１７）に戻っ
て、上記各工程が繰り返さる事になる。

【０１２３】一方、ステップ（１７）に於いてＹＥＳで
ある場合には、ステップ（２４）に進み、当該スリット
を９０度回転させ、ステップ（２５）に進んで、前記第
２の被試験パッドデータファイル２８１に格納されてい
る被試験パッドの組（ｉ，ｊ）のそれぞれに付いてのデ
ータを読出し、ステップ（２６）に於いて、ＹＥＳであ
れば、全てのスリット座標データに付いての測定が完了
した事になるので、当該操作は完了してＥＮＤとなる。

【０１２４】又、ステップ（２６）でＮＯである場合に
は、ステップ（２７）に進み、スリット座標ｋｙを設定
し、ステップ（２８）に於いてスリットを所定の座標値
迄移動させて静定させる。その後ステップ（２９）に於
いて、レーザー光１、２の照射位置を決定し、ステップ
（３０）に於いて、当該被試験パッドの組の間の抵抗を
測定する。

【０１２５】ステップ（３１）では、その測定結果を所
定の記憶手段に記憶させ、ステップ（３２）に於いて、
スリットの座標値ｋｙに対応する全ての被試験パッドの
組に付いて測定が完了したか否かが判断され、ＮＯであ
れば、ステップ（２９）に戻って、上記各工程が繰り返
され、ＹＥＳであれば、当該操作は完了してＥＮＤとな
る。横方向に回転した当該スリットに付いても同様の操
作を実行する。絶縁抵抗、断線等の電気的特性検出操作
に移行する。

【０１２６】上記本発明に係る回路配線基板の検査装置
の操作に於いて、被試験パッドの組合せ及び縦スリット
若しくは横スリットに対応する該被試験パッドの組の例
を図３２（Ａ）及び図３２（Ｂ）に示しておく。次に、
上記の処理について、再び図３１の例で説明する。通
常、基板上のパッド配置のデザインルールは、最小ピッ
チとは別に、その絶対位置自身にはほとんど制約がない
（もしくは、１μｍオーダと非常に細かい）。したがっ
て、厳密には、パッド１個１個の左端にスリット部を位
置決めして試験しなければならないことになる。しか
し、このようにするとスリットステージの移動回数が膨
大になり、レーザによる試験の高速性のメリットが失わ
れてしまうし、実際には、かなり多くのパッドが１つの
スリット位置で同時に試験可能となることが予想され
る。

【０１２７】そこで、本実施例では、図３６，３７によ
る検討から、スリットステージ移動のキザミを最小パッ
ドピッチＰの１／２とした。図３６は、ｘ方向にパッド
配置が連続的変化する場合の、試験に用いる最適なスリ
ット位置を示したものである。点線の四角はパッドのピ
ッチを模式的に示したものであり、対応するスリット位
置を○または●付の縦棒で示す。この結果より、スリッ
ト座標の単位をＰ／２としたとき、最大でＰ／４の部分
がスリット部を越えて他方の導電領域にはみだす程度と
なることが分かる。（図３７参照）。これはまた、パッ
ドのはみ出しにして約８％にすぎないことを意味し（Ｓ
／Ｐ（ｓｐａｅｅ／ｐｉｔｃｈの比が０．６の場合）、
このことからスリットのきざみをＰ／２とした。

【０１２８】図３７から与えられたパッド座標ｘに対す
る最適なスリット座標を求める処理は図３３及び図３４
におけるステップ８〜ステップ１５に示されている。こ
こでまず、縦スリットによる試験パッドの組み合わせに
対し、スリット座標（単位：Ｐ／２）を求め、再びデー
タファイルに格納記憶する。次に横スリットによる試験
パッドの組み合わせについても同様に行う。

【０１２９】実際には、図３２に示すように、各スリッ
ト座標において試験対象となったパッドの組み合わせと
いう形式で格納されるのが、後の測定では便利である。
以下、実際の測定、試験を行うシーケンスフローは前記
した図３３〜図３５に示すように、まず第１の試験デー
タファイル２８０からパッド組み合わせ（ｉ，ｊ）を読
出し、対応するスリット座標にしたがってスリット図の
移動を行う。その後、レーザ光をパッドｉ、ｊにそれぞ
れ位置決めし、パルスレーザ照射、電流検出によりパッ
ド間抵抗値を求め、導通または絶縁の良否を判定し、結
果を記録する。同じスリット位置での試験対象パッドが
なくなるまで繰り返した後、次のスリット座標に移動す
る。同様な手順をくりかえした後、横スリットによる測
定に移る。

【０１３０】以上説明した具体例では、１次元のテスト
ヘッド移動を２回行うことですむため、２次元のプロー
ブ機械的移動を行うフライングプローバよりもはるかに
少ないステージ移動時間で試験が可能である。例えば、
１００mm□の基板でパッド最小ピッチＰ＝４０μｍ、ス
テージの１単位移動に要する時間を０．２秒とすると、
ステージ移動回数は最大１０，０００回で時間は約３０
分となる。さらに、パッド配置の粗密がある場合には、
固定キザミでスリット位置を決める代わりに可変キザミ
で設定できるようにすれば、さらにステージ移動回数を
減らすことも可能である。

【０１３１】図３８（Ａ）は本発明に係る第５の形態の
具体例である。先の具体例では、それでもスリットステ
ージの移動回数および時間が数１０分オーダとなりやや
大きいといえる。本実施例では、さらにスリット移動回
数を低減できる。本具体例では、テストヘッド１９２の
導電領域は２本のスリット部３５１，３５２により３分
割３５３，３５４，３５５されており、それぞれには給
電、検出両用のパッド３５６，３５７，３５８が設けら
れている。さらにこれらの両用パッドと電圧源Ｖ₁およ
び電流検出器２６８の接続を任意に可変するためのリレ
ー回路３６１およびリレー制御部３６０が新たに設けら
れている。テストヘッド全体に最低限必要な実質導電領
域の大きさＧ×Ｈは、基板のサイズをＡとすると次の式
で与えられる。この例の場合導電領域の数Ｎ＝３で、Ｇ
＝１．５Ａとなる。

【０１３２】Ｇ＝ＮＡ／（Ｎ−１）Ｈ＝Ａ又図３８（Ｂ）は上記本具体例の断面図である。図３９
は本発明の第５の形態における具体例による動作シーケ
ンスを示す。基板９全体に分布した図３９（Ａ）のパッ
ド配置例で説明する。テストヘッドの移動キザミは簡単
のためパッドのピッチＰとして説明する。まず、スリッ
ト座標ｋ＝１のとき試験対象となるパッドは、＝ＰＳ
（電圧源接続）、＝＝ＣＤ（電流検出器接続）とす
ると、ｉ＝１に対しｊ＝２〜８となるがさらに、ここで
＝ＰＳ、＝＝ＣＤと切り換えると、ｉ＝２〜５、
ｊは６〜８の１２通りの試験が１つのスリット座標で可
能となる。（図３９（Ｂ）参照）。結局、スリット移動
量は、最大でも１つの透明導電膜領域の長さｇだけの第
４の形態の具体例より１／２ですみ、移動回数も１／２
となる。

【０１３３】さらに、透明導電膜の分割数を多くするこ
とにより、ステージ移動回数の減少および、テストヘッ
ドの小型化が可能となる。例えばＮ＝１１とすると、ス
テージ移動回数は実施例１の１／１０となる。先に述べ
た数値例では、移動回数＝１０００回、移動時間＝３分
となり効果は大きい。図４０は、本発明の第６の形態に
おける具体例であり、テストヘッドの導電領域を分離す
る手段をスリット以外のもので構成した例を示す。つま
りテストヘッドは光導電膜３６２がコートされたガラス
板３６３とこの上面に細い幅の線状の光遮蔽パターン３
６４が形成されたガラス板３６５が積み重ねた構造であ
り、これらの上方から均一の平行光で照射されている。
照明光は光導電を誘起するのに好適な０．５〜１μｍの
波長となる。このようにすると、光導電膜には、光遮蔽
パターンによる影でできた非照明部ができ、ここをスリ
ット部と同じ作用をする分離部を有する光導電領域２７
０ができる。ここで、光遮蔽パターンのあるガラス板の
水平方向に移動することにより、スリット部の移動が実
現できる。

【０１３４】かかる本発明の第４と第５の形態による具
体例においては、前記した第１〜第３の形態の具体例と
同様にレーザプローブは１０数μｍに絞るのは容易で、
プラズマスイッチの空間分解能としては被測定のパッド
と導電性パス間のギャップ長とほぼ同程度の値が期待で
きるので、従来の多数点コンタクトプローブでは、検査
が困難であった数１０μｍサイズのパッドの絶縁試験が
可能になる。

【０１３５】従来の２点ないし４点式のプローブでは、
２次元的なステージ移動が全てに必要であり、検査時間
は、少なくとも数１００ｍｓ／１組のパッドであった
が、本発明では数ｍｓ／１組のパッドおよび１次元のス
テージ移動となり、１００mm□、パッド最小ピッチ４０
μｍ、で１０００パッドある基板内のすべての組み合わ
せを試験する場合を例にとると、従来方式では４０時間
程度かかるのに対し、１時間（実施例１）〜３０分（実
施例２）と少なくとも４０分の１に短縮することができ
る。

【０１３６】ただし、従来のプロー方式の測定速度を
０．３ｓ／１組測定とし、本発明によるステージ移動時
間を０．２ｓ／単位ステップ、測定速度を３ｍｓ／１組
測定として概算したものである。本発明に係る上記した
第４と第５の形態に於ける具体例に於いても、該電気的
特性検出手段は、該レーザプラズマスイッチ制御手段が
駆動され、該空間部が導通状態になった後、所定の時間
経過後に、該電気的特性値サンプリング手段を駆動させ
て、該導電領域を含む導電性パスに於ける電気的特性値
を検出する様に構成されている事が望ましい。

【０１３７】本発明に於ける上記第４と第５の形態に於
いては、前記した様に、当該分離部を一方向に移動させ
ながら、当該回路配線基板上に配置されている配線群の
各端部に設けられたパッドの内から、当該分離部を挟ん
で配置されている２個の被試験パッドの組の全てを検出
して、その全ての組の被試験パッド間の電気的特性を検
出する様に構成するものであって、更に当該分離部を一
方向に移動させながら被試験パッドの組として検出出来
なかった被試験パッドの組のアドレスを適宜の記憶手段
に記憶させる様に構成し、且つ被試験パッドの組として
検出出来なかった被試験パッドの組が、少なくとも一組
存在する場合には、当該分離を一方向に移動させた後、
該導電領域を９０度回転させた後、該導電領域を該分離
部と直角の方向に再び移動させる様に構成し、当該分離
部を該方向に移動させながら、当該被試験パッドの組と
して検出出来なかった被試験パッドの組から、当該分離
部を挟んで配置されている２個の被試験パッドの組のを
検出して、その組の被試験パッド間の電気的特性を検出
する様に構成されているものである。

【０１３８】上記した本発明に係る第４の形態及び第５
の形態の検査装置について、その構成をまとめると、次
の様になる。即ち、金属配線パターンと複数のパッドか
らなるネットを多数有する回路配線基板（以下単に基板
とする）のネット間の絶縁およびネット内のパッド間の
導通を試験する装置において、一方の表面スリット部で
互いに電気的に絶縁された少なくとも２つの導電領域か
らなり、それぞれの導電領域上に少なくとも１個の金属
パッド（給電用パッドと検出用パッド）を有する１枚の
透明板（テストヘッドと称する）を、被試験基板上に２
つの導電領域を有する面が基板に対し向き合いかつ所定
のギャップを保つように搭載され、前記テストヘッドの
導電領域を透過可能な波長の２つ（給電用と検出用）の
レーザ光発生手段、および基板と反対側から該レーザ光
を独立な位置に収束、偏向、照射する手段と給電用パッ
ドと検出用パッド間の抵抗を測定する手段とを有し、給
電用と検出用の２つのレーザ光を、前記テストヘッドの
２つの導電領域下にそれぞれ位置する２つの被試験パッ
ド上に位置決め照射し、その際のレーザ誘起プラズマの
効果による気体の導通現象（レーザ・プラズマ・スイッ
チ）を利用することにより、該テストヘッドの給電用パ
ッドと一方の被試験パッド間および検出用パッドと他方
の被試験パッド間の電気的な接続を得るようになし、給
電パッドと検出パッド間の抵抗測定値に基づき２つの被
試験パッド間の導通あるいは絶縁の良／不良を判定する
ようになしたことを特徴とする回路配線基板の試験装置
である。

【０１３９】更に上記の構成において、給電パッドと検
出パッド間の抵抗を測定する手段は、給電パッドに一定
電圧を印加する手段および検出パッドから接地電位に対
し流出される出力電流を検出する手段、もしくは給電パ
ッドに交流信号（正弦波またはパルス波）を印加する手
段および検出パッドから接地電位に対し流出される出力
電流波形の振幅を検出する手段を設け、入力電圧又は入
力電圧波形の電圧振幅と出力電流又は出力電流波形振幅
の検出値の比より算出するようになした基板の試験装置
である。

【０１４０】尚上記の具体例において導電領域を光導電
材料からなる膜体で形成する場合には、ガラス板等の透
明支持体の表面で試験すべき回路基板側に光導電膜を設
けたものであり、透明板直上（基板と反対側）に微細な
幅をもつ直線状（ストライプ状）光遮蔽体が設けられ、
さらに該遮蔽体と直交する水平方向に移動せしめる手段
が設けられ、前記テストヘッド上方に、光導電膜全面を
均一照射する平行光（波長：０．５〜１μｍ）照射手段
を設け、光遮蔽体によりテストヘッドの光導電膜上に少
なくとも２つの分離した光照射領域が形成されるように
なしたものであってもよい。

【０１４１】又、上記の各具体例における電気的特性の
測定に際して、第１および第２の被試験パッドの両者が
ともにテストヘッドの基板に対する相対的平行移動のみ
では、同一の導電領域下にしか位置決めできない場合
（例：２つの試験パッドを結ぶ直線の方向がスリット部
の方向と一致している場合）を測定試験動作を開始する
前に抽出し、これらのパッドの組み合わせ番号（ｉ，
ｊ）とその位置座標等を第２の被試験パッドデータファ
イルに登録記憶し、それ以外の被試験パッドの組み合わ
せ番号（ｉ，ｊ）とその位置座標等を第１の被試験パッ
ドデータファイルに登録記憶した後に、第１の被試験パ
ッドデータファイルから読みだした位置座標データ等に
基づきここに登録された全ての被試験パッドの組み合わ
せについて、２つのレーザ照射による被試験パッドへの
電圧印加、電流検出、抵抗測定および２つの導電領域間
のスリット部移動を繰り返して試験を行い、次に、基板
またはテストヘッド（スリット部）を９０度回転すると
ともに、基板の回転を行う場合には第２のパッドデータ
ファイルに登録された被試験パッド座標データまたはレ
ーザ光偏向座標系を９０度回転、更新してから第２のパ
ッドデータファイルから読みだしたパッド位置座標デー
タ等に基づき同様な試験をここに登録された全ての被試
験パッドの組み合わせについて行うようになしたもので
ある。

【０１４２】更に上記の構成においてテストヘッドに設
けられた少なくとも３つの導電領域内の給電用または検
出用パッドと、抵抗測定用の電圧源および電流検出器と
の接続を任意に変更制御する手段を設けたものであって
もよい。一方、テストヘッドの１つの導電領域の長さｇ
（スリット部と直交方向）、幅Ｈ（スリット部と同方
向）およびテストヘッド全体の長さＧは少なくとも次式
で与えられるものである。

【０１４３】ｇ≧Ａ／（Ｎ−１）Ｈ≧ＡＧ≧Ｎ×ｇ＝Ｎ×Ａ／（Ｎ−１）ここで、Ａは被試験基板のサイズ（正方形の場合）、Ｎ
は導電領域の数（Ｎ＝２，３，…）である。

【０１４４】上記具体例においては、テストヘッドの互
いに電気的に絶縁された少なくとも３つの導電領域のう
ち１つ（第１の領域）のみ電圧源（または電流検出器）
に接続し、他の全ての導電領域（その他の領域）を電流
検出器（または電圧源）に接続するように制御した後、
第１の領域下にある被試験パッドとその他の領域下にあ
る被試験パッドの組み合わせにのうち試験すべきすべて
の組み合わせについて導通または絶縁試験を行い、その
後に第２の導電領域に電圧源（または電流検出器）を、
他のすべての領域に電流検出器（または電圧源）を接続
するように変更した後、第２の領域下にある被試験パッ
ドとその他の領域下にある被試験パッドの組み合わせの
うち試験すべきすべての組み合わせについて導通または
絶縁試験を行い、この測定試験動作を全ての領域の組み
合わせで電圧印加、電流検出を行うまで繰り返す。

【０１４５】次に、テストヘッドを所定量だけ基板に対
し水平でかつスリット部と直角方向に相対移動し、これ
により新たに生じる各導電領域下の被試験パッドの組み
合わせのうち、試験すべきすべての組み合わせについて
導通または絶縁試験を行う。上記一連の試験動作を繰り
返し、テストヘッドの基板に対する相対移動量が、導電
領域の長さｇと等しくなるまで繰り返し、基板全面の試
験すべきすべての被試験パッド間の組み合わせについて
導通または絶縁試験を完了するようにして所定の電気的
特性を検査測定するものである。

【０１４６】上記の具体例において、ある組み合わせの
被試験パッドの両者がともにテストヘッドの基板に対す
る相対平行移動のみでは、同一の導電領域下にしか位置
決めできない場合（例：２つの試験パッドを結ぶ直線の
方向がスリット部の方向と一致している場合）を測定試
験動作前にあらかじめ抽出し、これらのパッドの組み合
わせ番号（ｉ，ｊ）とその位置座標等を第２の被試験パ
ッドデータファイルに登録記憶し、それ以外の被試験パ
ッドの組み合わせ番号（ｉ，ｊ）とその位置座標等を第
１の被試験パッドデータファイルに登録記憶した後に、
第１の被試験パッドデータファイルから読みだした位置
座標データ等に基づきここに登録された全ての被試験パ
ッドの組み合わせについて、２つのレーザ照射による被
試験パッドへの電圧印加、電流検出、抵抗測定およびテ
ストヘッドスリット部の移動をその移動量が個々の導電
領域の長さｇと等しくなるまで繰り返して試験を行い、
次に、基板またはテストヘッド（スリット部）を９０度
回転するとともに、第２パッドデータファイルに登録さ
れた被試験パッド座標データまたはレーザ光偏向座標系
を９０度回転、更新してから第２のパッドデータファイ
ルから読みだしたパッド位置座標データ等に基づき同様
な試験をここに登録された全ての被試験パッドの組み合
わせについて行うようになしたものであってもよい。

【０１４７】つまり、上記具体例におけるテストヘッド
のスリット部の移動は、被試験基板のパッドの最小ピッ
チＰの１／ｎ（ｎ＝１または２または３…）のキザミ
で、順次ステップ移動制御されるか、もしくは、あらか
じめ、全パッドの座標値を検索し、パッド上にスリット
部が重ならないよう計算された移動位置に基づいて制御
されるようになしたものである。

【０１４８】本発明において使用される２つのレーザ光
発生手段は、・２つの独立したパルスレーザ光源もしくは・１つのパルスレーザ光源からのレーザ光をビームスプ
リッタで２つに分割することで発生させるようになした
ものであることが好ましく、そのレーザ光は、波長１〜
２μｍのパルスレーザ光であることが好ましい。

【０１４９】次に、本発明に係る回路配線基板の検査装
置の第６の形態に付いて図面を参照しながら詳細に説明
する。即ち、上記した本発明に係る第１から第５の形態
に於ける回路配線基板の検査装置に有っては、何れも被
試験パッドが、回路配線基板９の一方の主面にのみ存在
している場合について配慮されたものであり、該回路配
線基板９の同一の面に配置された配線群に於ける端部の
パッド間の絶縁抵抗、配線破断等を抵抗値、電流値或い
は電圧値を、当該測定導電通路を介してながれる電流或
いは電圧を利用して測定する様にしたものである。

【０１５０】然しながら、係る回路配線基板９に於いて
は、当該基板の両面に所定の回路配線が形成されている
ものも少なくなく、今後、回路の集積性を向上し、又当
該基板をアセンブリする場合の配線接続等を考慮する
と、基板の両面に所定の回路配線が設けられた回路配線
基板が多数使用される可能性が多く、その場合に、前記
した各形態の具体例では、被試験パッド間の電気的特性
を効率的に、且つ短時間で測定検出する事が困難であ
る。

【０１５１】その為、本具体例に於いては、上記した両
面に所定の回路配線が設けられた回路配線基板に於ける
電気的特性を容易に且つ効率的に測定する事の出来る回
路配線基板の検査装置を提供するものである。本具体例
に於ける回路配線基板の検査装置の基本的な構成は、図
１に示す様な構成を有するものであるが、他の形態との
相違は、本具体例では、当該回路配線基板９の両面に、
被試験パッドが存在する為、前記した導電性パス形成手
段或いはレーザプラズマスイッチ制御手段等が何れも該
回路配線基板９の両面に個別に配置形成されているもの
である。

【０１５２】図４１は、本発明に係る第６の形態に於け
る具体例の構成を示す断面図であって、図中、配線パタ
ーン及び複数のパッドを有するネット群を多数備え回路
配線基板を検査する回路配線基板の検査装置であって、
該検査装置は、当該回路配線基板を保持する基板保持手
段１９１、該基板保持手段１９１に保持されている該回
路配線基板９と所定の間隔を隔てて当該回路配線基板９
の両面に配置されており、且つ当該回路配線基板９の一
面Ｈ１に設けられている、一つの配線部に於ける第１の
被試験パッドｉ位置と対応する位置Ｓ１と、第１の電源
Ｖ１との間に第１の導電性パス３９１を形成する第１の
導電性パス形成手段３９４と、当該回路配線基板９の他
面Ｈ２に設けられている、前記第１の被試験パッドｉが
含まれる配線部と同一若しくは異なる配線部に於ける第
２の被試験パッドｊ位置と対応する位置Ｓ２と、該第１
の電源Ｖ１より電位が低い第２の電源ＧＮＤとの間に第
２の導電性パス３９２を形成する第２の導電性パス形成
手段３９５を有する、該回路配線基板の電気的特性検出
手段３９３、及び該第１の被試験パッドｉと該第１の導
電性パス３９１との間の第１の空間部Ｐ１及び該第２の
被試験パッドｊと該第２の導電性パス３９２との間の第
２の空間部Ｐ２にレーザ１０、２０を照射して、該第１
と第２の空間部Ｐ１、Ｐ２に導電性を付与するレーザプ
ラズマスイッチ制御手段３９５、とから構成されたもの
であり、更に、該電気的特性検出手段は３９６、該第１
と第２の導電性パス３９１、３９２の何れか一方に接続
された電気的特性値サンプリング手段１９７を有する回
路配線基板の検査装置が示されている。

【０１５３】即ち、本具体例の構成をより詳細に説明す
るならば、２枚のガラス板３９７，３９８のそれぞれの
片面に、それぞれ周辺部に給電パッド４０１または検出
パッド４０２を有する透明導電膜４０３を設けた２つの
テストヘッド４０４，４０５を、透明導電膜４０１側が
被試験基板９と向かい合い、かつ所定のギャップを保つ
ように基板の表面と裏面に配置し、一方のテストヘッド
４０４の導電膜上の給電パッド４０１には電圧源Ｖ₁を
接続し、他方のテストヘッド４０５の導電膜上の検出パ
ッド４０２には電流検出器１９７を接続し、これらのテ
ストヘッドの内側に位置する基板９の被試験パッドｉｊ
直近までの導電膜４０３，４０６を給電パス３９１また
は検出パス３９２として利用し、これらの給電／検出パ
スと一定間隔をもって対向される被試験パッド間の導通
をパルスレーザ照射によるレーザ・プラズマ・スイッチ
技術により実現し、レーザ照射時の給電パッド４０１と
検出パッド４０２間の抵抗を瞬時的に測定することによ
り２つの被試験パッドｉｊ間の抵抗を測定することを可
能とした。

【０１５４】本具体例によれば、コンタクトプローブ不
要、真空排気系不要、被試験パッドとテストヘッド（透
明導電膜）との物理的な接触は不要で、かつ基本的には
印加電源Ｖ₁から給電用パッド４０１、給電側透明導電
膜３９１、第１の被試験パッドｉ（例えば基板の裏面
側）→第２の被試験パッドｊ（例えば基板の表面側）検
出側透明導電膜３９２、検出用パッド４０２を経て接地
電極ＧＮＤまでの閉回路が構成され、この時の印加電圧
と流れる電流とから抵抗値を測定する方式であり、抵抗
測定値はネットの静電容量には左右されないという利点
がある。

【０１５５】測定に要する時間を左右するのは、レーザ
・プラズマのスイッチング時間、レーザ位置の静定時間
および検出信号のＳ／Ｎなどであるがレーザプラズマの
スイッチイング（スイッチのＯＮ継続時間）は１０ｕｓ
から長くて１ｍｓ、レーザ偏向の静定時間はおよそ数１
００μｓであることから、１組の被試験パッド間の抵抗
測定は１〜２ｍｓ程度と見積もられ、従来のコンタクト
プローブ（フライングプローブ方式）の場合の０．５ｓ
に比べ、約１／２００の検査時間の達成が期待できる。
また、異なる品種の基板の試験も、試験治具の新たな製
作は不要で、レーザの位置決めデータの変更により対応
できるため、試験コストや工数の大幅な削減が可能であ
る。

【０１５６】即ち、本発明に於ける第６の形態の具体例
では、回路配線基板９の両面に配置形成された、複数の
回路配線間の端部に形成された被試験パッド間の絶縁抵
抗を測定する他、回路配線基板９を貫通して配線されて
いる２つの被試験パッド間の断線状態を検出する事も出
来る。図４２は、本形態に於ける具体例の構成例を示す
断面図であり、該第１及び第２の導電性パス３９１、３
９２を形成する導電性パス形成手段３９３は、導電性部
材で構成された、前記第４及び第５の形態で使用されて
いる導電領域と同様の導電領域を有するものであり、更
に当該導電領域は、何れも該レーザビームが透過しうる
部材で構成されている事が望ましい。

【０１５７】更に、本具体例に於いては、該電気的特性
検出手段３９６の該レーザプラズマ光源手段１、２及び
該レーザプラズマ光源手段１、２を制御するレーザプラ
ズマスイッチ制御手段４１０、４１１は、当該回路配線
基板９の両面に配置されている事が望ましく、又、該電
気的特性検出手段３９６の該レーザプラズマスイッチ制
御手段４１０、４１１には、レーザビーム偏向手段１
１、１２が含まれている事が好ましい。

【０１５８】又、本具体例に於いても、測定操作に於い
ては、前記した各形態での操作手順と同様に、該電気的
特性検出手段３９６は、該レーザプラズマスイッチ制御
手段４１０、４１１が駆動され、該空間部Ｐ１、Ｐ２が
導通状態になった後、所定の時間経過後に、該電気的特
性値サンプリング手段１９７を駆動させて、該導電領域
を含む導電性パスに於ける電気的特性値を検出する様に
構成されている事が望ましい。

【０１５９】又、本具体例に於いては、第１と第２の導
電性パス３９１、３９２を形成する装置、構成は特に特
定されるものではないが、第１と第２の導電性パス３９
１、３９２を形成する手段としては、何れも光エネルギ
ーを受けて導電性となる光導電性部材で構成されている
もので有っても良い。更に、本具体例に於ける該光導電
性部材は、前記した第１から第３の形態で使用された構
成を採用する事も可能である。

【０１６０】此処で、本発明に係る第６の形態での回路
配線基板の検査装置の構成と操作方法に付いて、図４１
及び図４２を参照しながら説明する。図４１で本具体例
の原理を説明する。ここでは、回路配線基板の表面の被
試験パッドｉと裏面の被試験パッドｊ間の抵抗Ｒijを測
定する場合を示す。基板９の上下に、ガラス基板３９
１，３９８に透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）４０３，４
０６がコーティングされたテストヘッド４０４，４０５
が基板９表面から数１０μｍの間隙をもって配置され
る。テストヘッド４０４，４０５には、透明導電膜４０
３，４０６と電気的接続がとられた給電用または検出用
パッド４０１，４０２が形成されており、この場合、表
面側の給電用パッド４０１には電圧源Ｖ₁が接続され、
裏面側の検出用パッド４０２には電流検出器１９７を介
してＧＮＤに接続される。表面、裏面どちらを給電側、
検出側として使用しても差し支えない。

【０１６１】ここで、パルスレーザ光１０，２０が表面
の被試験パッドｉと裏面の被試験パッドｊに同時に照射
されると、第１のテストヘッド４０４の導電膜４０３と
パッドｉ間および第２のテストヘッド４０５の導電膜４
０６とパッドｊ間のギャップにレーザにより励起された
プラズマ（●で図示）の作用により、各導電膜とパッド
間が瞬時的に導通し、結果として給電用パッド４０１か
らパッドｉ、パッドｊを経て検出用パッド４０２までの
電気的経路が構成される。この状態では、給電用パッド
に接続された電圧源Ｖ₁からパッドｉを通りパッドｊを
経て検出用パッド４０２から接地電位に流れ込む電流
は、パッドｉとパッドｊ間の抵抗Ｒij（絶縁試験の場合
には絶縁抵抗であり、導通試験の場合には配線抵抗とな
る）に依存する。したがって、レーザパルス照射時もし
くは僅かに後の或るタイミングで出力電流ｌを測定する
ことにより、給電パッドと検出パッド間の抵抗Ｒmes が
Ｖ／１により求まり、このＲmes から透明導電膜部の抵
抗Ｒin、Ｒout およびレーザ・プラズマ・スイッチのＯ
Ｎ抵抗Ｒ_LPSの２倍を差し引けば被試験パッド間の絶縁
抵抗Ｒijを次式により求めることができる。

【０１６２】Ｒij＝Ｒmes −Ｒin−Ｒout −２×Ｒ_LPS 尚、Ｒij ：被試験パッド（ｉ，ｊ）間の抵抗測定値Ｒmes ：給電パッドと検出パッド間の抵抗測定値Ｒin ：給電パッドからパッドｉ直上までの透明導電膜
部の抵抗Ｒout ：給電パッドからパッドｊ直上までの透明導電膜
部の抵抗Ｒ_LPS：プラズマスイッチのＯＮ抵抗である。

【０１６３】本具体例は、レーザ・プラズマ・スイッチ
の上記従来技術を２枚の透明導電膜を設けたテストヘッ
ドの一方から電圧を供給し、他方から出力電流を検出す
るようにして、この間に挟まれた基板両面間の導通、絶
縁試験を可能にしたものであり、又図３９，４０示すよ
うに非接触で閉回路を構成して、導通、絶縁を試験する
ようにしたことが特長であり、抵抗の高速・高精度測定
を実現するものである。

【０１６４】なお、本具体例ではＲin、Ｒout は透明導
電膜の単位長さあたりの抵抗値をあらかじめ実験で求め
ておき、被試験パッドの座標に基づき計算される給電パ
ッド、検出パッドまでの経路長とから簡単に求まる。被
試験パッド間の抵抗値測定精度は主としてＲin、Ｒout
、Ｒ_LPSのばらつきに左右されるが、上述したように
これら全体の抵抗値はおよそ１０ｋΩ程度となりばらつ
きはその１０％程度のおよそ１ｋΩと見積もられる。し
たがって、数１０ｍΩ〜数１００ｍΩの精度で導通良否
試験を行うには十分ではないが、ｋΩ程度の判定レベル
での導通試験は可能である。また、絶縁良否試験の場合
には全く十分な精度である。

【０１６５】又図４２には、具体例の全体の構成が示さ
れている。架台４６０には、２組のレーザパルス発生手
段１，２（レーザ光源とレー偏向系）が設けられ、その
中間地点に試験用ケース４６１内にテストヘッド４０
４，４０５で挟まれた被試験基板９が搭載される。試験
用ケース４６１には、裏面用のケースヘッド４０５と、
数１０μｍの間隙を保つためのスペーサ４６２、被試験
基板９、スペーサ４６３、表面用のテストヘッド４０４
の順に組み込まれ、適度の圧力でカバー４６４が固定さ
れる。本具体例では、表面用のテストヘッド４０４を給
電側、裏面用テストヘッド４０５を検出側としてそれぞ
れ給電用パッド、検出用パッドに電圧源、電流検出器が
接続される。まず第１，第２のレーザ光１０，２０が制
御部４０５からの指令の下に、被試験パッドｉ，ｊ上に
位置決めされ、次にタイミング制御部４６６からのトリ
ガ信号によりレーザパルスがレーザ光パルス発生制御部
４１０，４１１より発射される。タイミング制御部４６
６は、この一定時間後（例０．５ｍｓ後）に、電流検出
器１９７の出力をアナログデジタル変換するＡ／Ｄコン
バータ４６７のサンプリング用ストローブを送出する。
このＡＤ変換結果のデータは制御部４６５にとりこま
れ、抵抗の算出がなされ、導通または絶縁の良否判定が
行われる。試験のシーケンスとしては、どちらか一方の
面の被試験パッドｉに対する他方の面の被試験パッドｊ
の所定の組み合わせをすべて実施した後、最初の被試験
パッドｉを更新し、繰り返す方式とすれば、所定の組み
合わせすべての試験を完了できる。

【０１６６】なお、本実施例では、レーザ光学系にはレ
ンズが図示されていないが、被試験パッドのサイズから
決まる必要なレーザプローブ径に応じてスキャンレンズ
などのレンズを挿入しても差し支えない。以上説明した
実施例では、表面と裏面間の被試験パッドに関する限
り、機械的な移動なしで、試験が可能である。

【０１６７】したがって、例えば、被試験パッドの組み
合わせが２０００×２０００通りの導通、絶縁試験の場
合、１組の試験が約３ｍｓで可能であるため、約３時間
ですべての試験が完了できることになり、約１／１６０
の時間短縮できることになる。又、レーザプローブは１
０数μｍに絞るのは容易で、プラズマスイッチの空間分
解能としては被測定パッドと導電性パス間のギャップ長
とほぼ同程度の値が期待できるので、従来の多数点コン
タクトプローブでは、検査が困難であった数１０μｍサ
イズのパッドの絶縁試験が可能になる。

【０１６８】従来の２点ないし４点式のプローブでは、
２次元的なステージ移動（機械式移動）が全てに必要で
あり、検査時間は、少なくとも数１００ｍｓ／１組のパ
ッドであったが、本発明では、すべて、レーザの偏向に
より被試験パッドの選択を行うため、数ｍｓ／１組のパ
ッドとなる。そのため、表面と裏面間の２０００×２０
００組の被試験パッド間の測定、試験の場合、従来方式
では５５０時間程度かかるのに対し、約３時間と約１６
０分の１に試験時間を短縮することができる。ただし、
従来のプローブ方式の測定速度を０．５ｓ／１組測定と
し、本発明による測定速度を３ｍｓ／１組測定として概
算したものである。

【０１６９】本発明に係る第６の形態での検査装置の別
の態様としては、例えば、配線パターンと複数のパッド
からなるネットを多数有する回路配線基板のネット間の
絶縁およびネット内のパッド間の導通を試験する装置に
おいて、片側表面が透明導電膜でコートされ、その導電
膜上に少なくとも１個の金属パッド（給電用パッドまた
は検出用パッド）が設けられた２枚の透明板からなるテ
ストヘッドを、被試験基板の表の面と裏の面に導電膜面
が基板に対し向き合いかつ所定のギャップを保つように
搭載され、前記２つのテストヘッドの導電領域を透過可
能な波長の２つ（給電用と検出用）のレーザ光発生手
段、およびそれぞれのテストヘッドに関して基板と反対
側から該レーザ光を独立な位置に収束、偏向、照射する
手段と給電用パッドと検出用パッド間の抵抗を測定する
手段とを有し、給電用と検出用の２つのレーザ光を、前
記２つのテストヘッドの導電領域内側にそれぞれ位置す
る２つの被試験パッド上に位置決め照射し、その際のレ
ーザ誘起プラズマの効果による気体の導通現象（レーザ
・プラズマ・スイッチ）を利用することにより、該一方
のテストヘッドの給電用パッドとその内側の被試験パッ
ド間および他方のテストヘッドの検出用パッドとその内
側の被試験パッド間の電気的な接続を得るようになし、
給電パッドと検出パッド間の抵抗測定値に基づき２つの
被試験パッド間の導通あるいは絶縁の良／不良を判定す
るようになしたこと回路配線基板の試験装置である。

【０１７０】又、上記の構成において、給電パッドと検
出パッド間の抵抗を測定する手段は、給電パッドに一定
電圧を印加する手段および検出パッドから接地電位に対
し流出される出力電流を検出する手段、もしくは給電パ
ッドに交流信号（正弦波またはパルス波）を印加する手
段および検出パッドから接地電位に対し流出される出力
電流波形の振幅を検出する手段を設け、入力電圧又は入
力電圧波形の電圧振幅と出力電流又は出力電流波形振幅
の検出値の比より算出することが出来る。

【０１７１】更に上記の構成において、２つのレーザ光
の偏向照射により、第１のテストヘッドの内側にある被
試験パッドに対し、第２のテストヘッドの内側にある被
試験パッドのすべての組み合わせを試験した後、前記第
１のテストヘッドの内側にある被試験パッドを変更し
て、上記試験を繰り返しすことにより、被試験基板の表
面と裏面の被試験パッドの所定の組み合わせすべてにつ
いて導通または絶縁試験を完了するようにしたものであ
る。

【０１７２】

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明に係る回
路配線基板の検査装置の第１の形態によれば、電気的に
パターン形状を制御可能な光透過マスク板と２つのレー
ザ光を用いることによって、非接触で任意の被試験パッ
ド間の導通／絶縁の良否試験を高速に行うことができ
る。さらに、本発明に係る回路配線基板の検査装置の第
２の形態によれば、光導電膜の上に複数の透明導電膜パ
ターンを全面に形成した光導電シートとすることによ
り、光導電パスの形成時の実質的な光導電パス長を短縮
してオン抵抗を低減し、絶縁抵抗測定精度を向上させる
ことができる。本発明に係る回路配線基板の検査装置の
第３の形態によれば、光透過マスク板を不要とし、且
つ、光導電パスの形成時の実質的な光導電パス長を短縮
して、高速でしかも高精度で絶縁抵抗測定を行うことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る回路配線基板の検査装置における
第１の形態の原理構成を示す図である。

【図２】図１に示す回路配線基板の検査装置の動作を説
明するための図（その１）である。

【図３】図１に示す回路配線基板の検査装置の動作を説
明するための図（その２）である。

【図４】本発明の回路配線基板の検査装置における被試
験パッド間抵抗の測定原理を説明するための図（その
１）である。

【図５】本発明の回路配線基板の検査装置における被試
験パッド間抵抗の測定原理を説明するための図（その
２）である。

【図６】本発明の回路配線基板の検査装置における第１
の形態の一実施例を示す図（その１）である。

【図７】本発明の回路配線基板の検査装置における第１
の形態の一実施例を示す図（その２）である。

【図８】本発明の回路配線基板の検査装置における試験
シーケンスの一例を示す波形図である。

【図９】本発明に係る回路配線基板の検査装置における
第２の形態の原理を説明するための図である。

【図１０】図９の一部を拡大して示す図である。

【図１１】本発明に係る回路配線基板の検査装置におけ
る第２の形態の一実施例としての透明導電膜のパターン
を示す図である。

【図１２】図１１の透明導電膜を使用した様子を示す図
である。

【図１３】本発明に係る回路配線基板の検査装置におけ
る第３の形態の原理構成を示す図である。

【図１４】図１３における回路配線基板の断面を示す図
である。

【図１５】図１３に示す回路配線基板の検査装置の動作
を説明するための図である。

【図１６】本発明の回路配線基板の検査装置の第３の形
態における被試験パッド間抵抗の測定原理を説明するた
めの図（その１）である。

【図１７】本発明の回路配線基板の検査装置の第３の形
態における被試験パッド間抵抗の測定原理を説明するた
めの図（その２）である。

【図１８】本発明の回路配線基板の検査装置における第
３の形態の一実施例を示す図（その１）である。

【図１９】本発明の回路配線基板の検査装置における第
３の形態の一実施例を示す図（その２）である。

【図２０】図１８および図１９に示す実施例における光
ビームの位置決め動作を説明するための図である。

【図２１】本発明の回路配線基板の検査装置の第３の形
態における試験シーケンスの一例を示す波形図である。

【図２２】図１８および図１９に示す実施例における光
ビームが不要な場合を説明するための図である。

【図２３】図１８および図１９に示す実施例において測
定不可能な場合とそれに対する対処方法を説明するため
の図である。

【図２４】本発明の第３の形態における回路配線基板の
検査処理の一例を示すフローチャート（その１）であ
る。

【図２５】本発明の第３の形態における回路配線基板の
検査処理の一例を示すフローチャート（その２）であ
る。

【図２６】図２６（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明に係る第４
の形態に於ける回路配線基板の検査装置の構成の要部を
示す図であり、図２６（Ａ）は、本具体例に於ける回路
配線基板の検査装置に於いて使用される導電性パス形成
手段の構成の概略を示す平面図であり、図２６（Ｂ）
は、図２６（Ａ）に示された導電性パス形成手段を平行
に移動させた状態を示す平面図である。又図２６
（Ｃ）及び図２６（Ｄ）は、本具体例に於ける回路配線
基板の検査装置に於いて使用される導電性パス形成手段
の断面図である。

【図２７】図２７は、本発明に係る第４の形態に於ける
回路配線基板の検査装置の構成の要部を示すと同時に、
その電気的特性の測定原理を説明する図である。

【図２８】図２８（Ａ）及び図２８（Ｃ）は、本発明に
係る第４の形態に於ける、導電性パス形成手段を用いて
被試験パッド間の絶縁抵抗を測定する方法を説明する図
であり、図２８（Ｂ）は、測定される被試験パッドの組
のを示す表である。

【図２９】図２９は、本発明に係る第４の形態に於ける
回路配線基板の検査装置の全体の概略を示すブロックダ
イアグラムである。

【図３０】図３０は、本発明に係る第４の形態に於ける
回路配線基板の検査装置を用いて電気的特性を測定する
場合の測定シーケンスを示すタイムチャートである。

【図３１】図３１は、本発明に係る第４の形態に於ける
回路配線基板の検査装置を用いて測定される回路配線基
板の構成の例を示す平面図である。

【図３２】図３２（Ａ）は、本発明に係る第４の形態に
於ける回路配線基板の検査装置に於けるスリットの位置
と被試験パッドの関係を示す表であり、図３２（Ｂ）
は、測定されるべき回路配線基板に於ける被試験パッド
の組とスリットの位置との関係を示す表である。

【図３３】図３３は、本発明に係る第４の形態に於ける
回路配線基板の検査装置を用いて回路配線基板の電気的
特性を測定する場合の操作手順を説明するフローチャー
トである。

【図３４】図３４は、本発明に係る第４の形態に於ける
回路配線基板の検査装置を用いて回路配線基板の電気的
特性を測定する場合の操作手順を説明するフローチャー
トである。

【図３５】図３５は、本発明に係る第４の形態に於ける
回路配線基板の検査装置を用いて回路配線基板の電気的
特性を測定する場合の操作手順を説明するフローチャー
トである。

【図３６】図３６は、本発明に係る第４の形態に於ける
回路配線基板の検査装置を用いて電気的特性を検査する
に際しての、被試験パッドの位置と最適なスリット部の
座標との関係を示す図である。

【図３７】図３７は、本発明に係る第４の形態に於ける
回路配線基板の検査装置を用いて電気的特性を検査する
に際してスリットの移動範囲と被試験パッド間のピッチ
との関係を説明する図である。

【図３８】図３８は、本発明に係る第５の形態に於ける
回路配線基板の検査装置の構成の要部を示す図であり、
図３８（Ａ）は、本具体例に於ける回路配線基板の検査
装置に於いて使用される導電性パス形成手段の構成の概
略を示す平面図であり、図３８（Ｂ）は、図３８（Ａ）
に示された導電性パス形成手段の断面図である。

【図３９】図３９（Ａ）は、本発明に係る第５の形態に
於ける回路配線基板の検査装置を用いて回路配線基板の
電気的特性を測定する場合の当該導電性パス形成手段と
回路配線基板との位置関係を示す平面図であり、図３９
（Ｂ）は、当該導電性パス形成手段の移動位置と給電／
検出パッド及び被試験パッドとの関係を示す表である。

【図４０】図４０は、本発明に係る第５の形態に於ける
回路配線基板の検査装置で用いられている導電性パス形
成手段の他の構成の例を示す側面図である。

【図４１】図４１は、本発明に係る第６の形態に於ける
回路配線基板の検査装置の構成の要部を示す断面図であ
る。

【図４２】図４２は、本発明に係る第６の形態に於ける
回路配線基板の検査装置の構成の全体の構成を示す側面
図である。

【符号の説明】

１, ２…レーザ光源 10,20 …レーザ光（レーザパルス) 11,21 …レーザ光偏向ミラー（ガルバノミラー) ３…光導電シート励起用光源４…スキャンレンズ５…液晶マスク制御部６…液晶マスク板（光選択透過マスク板）７…光導電シート９…回路配線基板（基板） 30…光導電シート励起用均一照明光 41…スキャンレンズの光軸 51…第１の透明電極 52…第２の透明電極 81,82 …スペーサ 91…基板ＧＮＤ層 92…基板電源層 701 …第１の導電性パス 702 …第２の導電性パス１９１…基板保持手段１９２…導電性パス形成手段１９３…電気的特性検出手段１９４、１９５…空間部１９６…レーザプラズマスイッチ制御手段２６１…第１の導電領域２６２…第２の導電領域２６３…分離部、スリット２６５…給電パッド２６６…検出用パッド２６８…電流計２７０…導電領域部Ｄ１…導通不良欠陥Ｄ２…絶縁不良欠陥Ｐ１, Ｐ２…レーザ光励起プラズマ（レーザプラズマ・
スイッチオン部分）ＩＮ, ＯＵＴ…被試験パッドｉ…第１の被試験パッドｊ…第２の被試験パッドＮＡ, ＮＢ…ネット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線パターン及び複数のパッドを有する
ネット群を多数備え回路配線基板を検査する回路配線基
板の検査装置であって、該検査装置は、当該回路配線基板を保持する基板保持手段、該基板保持手段に保持されている該回路配線基板と所定
の間隔を隔てて配置されており、且つ当該回路配線基板
に設けられている、一つの配線部に於ける第１の被試験
パッド位置と対応する位置と、第１の電源との間に第１
の導電性パスを形成すると共に、当該回路配線基板に設
けられている、他の配線部に於ける第２の被試験パッド
位置と対応する位置と、第２の電源との間に第２の導電
性パスを形成する導電性パス形成手段を有する、該回路
配線基板の電気的特性検出手段、及び該第１の被試験パッドと該第１の導電性パスとの間
の第１の空間部及び該第２の被試験パッドと該第２の導
電性パスとの間の第２の空間部にレーザを照射して、該
第１と第２の空間部に導電性を付与するレーザプラズマ
スイッチ制御手段、とから構成されたものであり、更に、該電気的特性検出
手段は、該第１と第２の導電性パスの何れか一方に接続
された電気的特性値サンプリング手段を有するものであ
る事を特徴とする回路配線基板の検査装置。
【請求項２】該導電性パス形成手段は、該レーザが透
過しえる部材で構成されている事を特徴とする請求項１
記載の回路配線基板の検査装置。
【請求項３】該導電性パス形成手段は、光導電性部材
で構成されている事を特徴とする請求項２記載の回路配
線基板の検査装置。
【請求項４】該導電性パス形成手段は、該光導電性部
材と該光導電性部材を保持する光導電性部材保持手段と
で構成されている事を特徴とする請求項３記載の回路配
線基板の検査装置。
【請求項５】該光導電性部材保持手段は、光透過制御
機能を有するものである事を特徴とする請求項４記載の
回路配線基板の検査装置。
【請求項６】該光導電性部材保持手段は、液晶マスク
板で構成されている事を特徴とする請求項５記載の回路
配線基板の検査装置。
【請求項７】該光導電性部材保持手段には、該液晶マ
スク板に於ける光透過パターンを制御する光透過パター
ン制御手段が設けられている事を特徴とする請求項６記
載の回路配線基板の検査装置。
【請求項８】該電気的特性検出手段の該レーザプラズ
マスイッチ制御手段には、レーザビーム出力手段及び当
該レーザビーム偏向手段が含まれている事を特徴とする
請求項１乃至７の何れかに記載の回路配線基板の検査装
置。
【請求項９】該電気的特性検出手段には、該光導電性
部材を励起させる光導電性部材励起手段が更に設けられ
ている事を特徴とする請求項３記載の回路配線基板の検
査装置。
【請求項１０】該電気的特性検出手段は、該レーザプ
ラズマスイッチ制御手段が駆動され、該第１と第２の空
間部が導通状態になった後、所定の時間経過後に、該電
気的特性値サンプリング手段を駆動させて、該導電性パ
スに於ける電気的特性値を検出する様に構成されている
事を特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の回路配
線基板の検査装置。
【請求項１１】該電気的特性検出手段が検出する該電
気的特性は、抵抗、電圧、電流、絶縁抵抗を含んでいる
事を特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の回路
配線基板の検査装置。
【請求項１２】配線パターンおよび複数のパッドを有
するネット（ＮＡ，ＮＢ）を多数備えた回路配線基板
（９）を検査する回路配線基板の検査装置であって、前記回路配線基板（９）上に所定の間隙を持って設けら
れた光導電シート（７）と、該光導電シート（７）上に設けられ、光導電シート励起
用光源（３）からの照射光（30）の形状を制御して、該
光導電シート（７）に第１の導電性パス（71）および第
２の導電性パス（72）を形成する光透過パターン制御手
段（６,5,107）と、前記回路配線基板（９）における第１の被試験パッド
（ＩＮ）と前記第１の導電性パス（71）の一端の導通を
制御する第１のレーザプラズマスイッチ制御手段（１,1
1;１,11,11',101)と、前記回路配線基板（９）における第２の被試験パッド
（ＯＵＴ）と前記第２の導電性パス（72）の一端の導通
を制御する第２のレーザプラズマスイッチ制御手段
（２,21;２,21,21',102)と、前記第１の導電性パス（71）の他端と前記第２の導電性
パス（72）の他端との間の抵抗値を測定する抵抗測定手
段（104,105)とを具備することを特徴とする回路配線基
板の検査装置。
【請求項１３】前記光透過パターン制御手段は、各画
素毎の透過／被透過の制御可能な液晶マスク板（６）を
備えたことを特徴とする請求項１２の回路配線基板の検
査装置。
【請求項１４】前記液晶マスク板（６）は、該液晶マ
スク板の透過光を光学系で前記光導電シート（７）上に
縮小または拡大投影するようになっていることを特徴と
する請求項１３の回路配線基板の検査装置。
【請求項１５】前記光導電シート励起用光源（３）
を、前記スキャンレンズ（４）の光軸（41）に対してほ
ぼ対称な位置に設置された前記第１および第２のレーザ
光偏向用ミラー（11,12)の間に配置したことを特徴とす
る請求項１２の回路配線基板の検査装置。
【請求項１６】前記回路配線基板の検査装置は、前記
光導電シート（７）に設けられた第１の電極パッド（Ｉ
₀)および第２の電極パッド（Ｏ₀)の間の抵抗を測定する
抵抗測定手段を備えていることを特徴とする請求項１２
の回路配線基板の検査装置。
【請求項１７】前記回路配線基板の検査装置は、前記
光導電シート（７）に設けられた第１の電極パッド（Ｉ
₀)および第２の電極パッド（Ｏ₀)の間の抵抗を測定する
抵抗測定手段を備え、該抵抗測定手段は、該第１の電極
パッド（Ｉ₀)に交流信号を印加する交流信号印加手段お
よび該第２の電極パッド（Ｏ₀)から接地電位に対し流出
される出力電流波形の振幅の最大値を検出する最大振幅
検出手段を有し、前記第１および第２の電極パッド間の
抵抗を入力波形の電圧振幅と出力電流波形の最大振幅の
比から算出するようにしたことを特徴とする請求項１２
の回路配線基板の検査装置。
【請求項１８】前記２つの被試験パッド間の導通／絶
縁の良否判定は、測定された第１および第２の電極パッ
ド間の抵抗値から前記第１の導電性パス（71）の抵抗
（Ｒin）とレーザプラズマスイッチのオン抵抗
（Ｒ_LPS）および前記第２の導電性パス（72）の抵抗
（Ｒout)を差し引いた値として算出される被試験パッド
間の抵抗値（Ｒin-out）に基づいて行い、該第１および
第２の導電性パスの抵抗（Ｒin, Ｒout)は予め実験的に
求めた単位長さあたりの光導電抵抗値と該第１および第
２の導電性パス（71,72)の経路長を掛けて求め、前記レ
ーザプラズマスイッチのオン抵抗（Ｒ_LPS）は予め実験
的に求めたオン抵抗を２倍することで与えるようにした
ことを特徴とする請求項１２記載の回路配線基板の検査
装置。
【請求項１９】前記光導電シート（７）は、該光導電
シートの全面に一定のピッチで形成された複数の独立透
明導電膜パターン（70,70'）を備えていることを特徴と
する請求項１２の回路配線基板の検査装置。
【請求項２０】前記独立透明導電膜パターン（70）
を、矩形または円形形状としたことを特徴とする請求項
１９の回路配線基板の検査装置。
【請求項２１】前記独立透明導電膜パターン（70')
を、当該独立透明導電膜パターン（70')の周囲の複数の
方向において、隣接する独立透明導電膜パターン（70')
との間で微細間隙をおいて櫛形に入り組んだ構造とした
ことを特徴とする請求項１９の回路配線基板の検査装
置。
【請求項２２】前記各独立透明導電膜パターン（70,7
0'）の大きさを、一辺の長さが１０〜数１０μｍとなる
ようにしたことを特徴とする請求項２０または２１の回
路配線基板の検査装置。
【請求項２３】前記隣接する各独立透明導電膜パター
ン（70,70'）間の間隙を、該独立透明導電膜パターン
（70,70'）の一辺の長さに対して１／１０以下となるよ
うにしたことを特徴とする請求項２０または２１の回路
配線基板の検査装置。
【請求項２４】金属配線パターンおよび複数のパッド
を有するネット（ＮＡ，ＮＢ）を多数備えた回路配線基
板（９）を検査する回路配線基板の検査装置であって、前記回路配線基板（９）上に所定の間隙を持って設けら
れた光導電シート（７）と、該光導電シート（７）上に形成された櫛型構造を有し、
互いに組み合うように設けられた第１および第２の透明
電極(51,52) と、前記第１の透明電極（51）と前記回路配線基板（９）に
おける第１の被試験パッド（ｉ）までの第１の導電性パ
ス（701)を形成するために所定形状の光ビーム（301)を
照射制御する第１の光ビーム照射制御手段（31,311,31
2,313;210) と、前記第２の透明電極（52) と前記回路配線基板（９）に
おける第２の被試験パッド（ｊ）までの第２の導電性パ
ス（702)を形成するために所定形状の光ビーム（302)を
照射制御する第２の光ビーム照射制御手段（32,321,32
2,323;211) と、前記第１の被試験パッド（ｉ）と前記第１の導電性パス
（701)の一端の導通を制御する第１のレーザプラズマス
イッチ制御手段（１,11;201,207)と、前記回路配線基板（９）における第２の被試験パッド
（ｊ）と前記第２の導電性パス（702)の一端の導通を制
御する第２のレーザプラズマスイッチ制御手段（２,21;
202,207)と、前記第１の透明電極（51）を介した第１の導電性パス
（701)の他端と前記第２の透明電極（52) を介した前記
第２の導電性パス（702)の他端との間の抵抗値を測定す
る抵抗測定手段（204,205)とを具備することを特徴とす
る回路配線基板の検査装置。
【請求項２５】前記各第１および第２の透明電極(51,
52) における透明導電膜パターンの幅を前記被試験パッ
ド（ｉ, ｊ）のサイズと同程度とし、該透明導電膜パタ
ーンのピッチを該透明導電膜パターン幅の数倍から１０
倍程度としたことを特徴とする請求項２４の回路配線基
板の検査装置。
【請求項２６】前記第１および第２の導電性パス（70
1,702)を形成するための光ビーム（301,302)のパターン
を、前記第１および第２の透明電極(51,52)のピッチ方
向と同方向の長さが該透明電極(51,52) のピッチとほぼ
等しくなるようにしたことを特徴とする請求項２４の回
路配線基板の検査装置。
【請求項２７】前記第１および第２の導電性パス（70
1,702)を形成するための光ビーム（301,302)の位置決め
を、給電側については、前記第１の被試験パッド（ｉ）
および当該第１の被試験パッドに最も近い前記第１の透
明電極（51）に跨がるようにし、且つ、検出側について
は、前記第２の被試験パッド（ｊ）および当該第２の被
試験パッドに最も近い前記第２の透明電極（52）に跨が
るようにしたことを特徴とする請求項２４の回路配線基
板の検査装置。
【請求項２８】前記第１の透明電極（51）は第１の電
極パッド（Ｉ₀)を備え、前記第２の透明電極（52）は第
２の電極パッド（Ｏ₀)を備え、前記回路配線基板の検査
装置は該第１および第２の電極パッド（Ｉ₀,Ｏ₀)間の抵
抗を測定する抵抗測定手段を備えていることを特徴とす
る請求項２４の回路配線基板の検査装置。
【請求項２９】前記抵抗測定手段は、該第１の電極パ
ッド（Ｉ₀)に交流信号を印加する交流信号印加手段およ
び該第２の電極パッド（Ｏ₀)から接地電位に対し流出さ
れる出力電流波形の振幅の最大値を検出する最大振幅検
出手段を有し、前記第１および第２の電極パッド間の抵
抗を入力波形の電圧振幅と出力電流波形の最大振幅の比
から算出するようにしたことを特徴とする請求項２８の
回路配線基板の検査装置。
【請求項３０】前記２つの被試験パッド間の導通／絶
縁の良否判定は、測定された第１および第２の電極パッ
ド間の抵抗値（Ｒmes)から, 前記第１の透明電極（51）
および前記第１の導電性パス（701)により形成される第
１の経路の抵抗（Ｒin),レーザプラズマスイッチのオン
抵抗（Ｒ_LPS),および, 前記第２の透明電極（52）およ
び前記第２の導電性パス（702)により形成される第２の
経路の抵抗（Ｒout)を差し引いた値として算出される試
験パッド間の抵抗値（Ｒij）に基づいて行い、該第１お
よび第２の経路の抵抗（Ｒin, Ｒout)は予め実験的に求
めた単位長さあたりの光導電抵抗値と該第１および第２
の導電性パス（701,702)の経路長を掛けて求め、前記レ
ーザプラズマスイッチのオン抵抗（Ｒ_LPS）は予め実験
的に求めたオン抵抗を２倍することで与えるようにした
ことを特徴とする請求項２４の回路配線基板の検査装
置。
【請求項３１】前記回路配線基板の検査装置は、さら
に、前記第１および第２の被試験パッド（ｉ, ｊ）が共
に前記第１の透明電極（51）または前記第２の透明電極
（52）の直下に位置する場合を測定試験動作を開始する
前に抽出する手段と、該第１および第２の被試験パッドが共に前記第１の透明
電極（51）または前記第２の透明電極（52）の直下に位
置する当該被試験パッドの組み合わせ番号（ｉ, ｊ）お
よびその位置座標等を第２の被試験パッドデータファイ
ル（213)に登録記憶する手段と、前記第１および第２の被試験パッドが共に前記第１の透
明電極（51）または前記第２の透明電極（52）の直下に
位置する場合以外の被試験パッドの組み合わせ番号
（ｉ，ｊ）およびその位置座標等を第１の被試験パッド
データファイル（212)に登録記憶する手段と、前記第１の被試験パッドデータファイル（212)から読み
出したパッド位置座標データ等に基づいて、該第１の被
試験パッドデータファイルに登録された全ての被試験パ
ッドの組み合わせについて試験を行う手段と、前記回路配線基板（９）を前記透明電極（51,52)のピッ
チ方向にピッチ（Ｐ）の１／２だけ移動させる手段と、前記第２の被試験パッドデータファイル（213)から読み
出したパッド位置座標データを被試験基板移動量（Ｐ／
２）だけ加算・更新する手段と、前記第２の被試験パッドデータファイル（213)から読み
出したパッド位置座標データ等に基づいて、該第２の被
試験パッドデータファイルに登録された全ての被試験パ
ッドの組み合わせについて試験を行う手段とを具備する
ことを特徴とする請求項２４の回路配線基板の検査装
置。
【請求項３２】前記第１および第２のレーザプラズマ
スイッチ制御手段は、それぞれ専用のパルスレーザ光源
（１，２）を備えていることを特徴とする請求項１２、
２４または３１記載の回路配線基板の検査装置。
【請求項３３】前記第１および第２のレーザプラズマ
スイッチ制御手段は、１つのパルスレーザ光源を共通に
備え、該共通のパルスレーザ光源からのレーザ光をビー
ムスプリッタで２つに分割して使用するようになってい
ることを特徴とする請求項１２、２４または３１記載の
回路配線基板の検査装置。
【請求項３４】前記パルスレーザ光源（１，２）は、
波長１μｍ〜２μｍのパルスレーザ光を出力するように
なっていることを特徴とする請求項３２または３４の回
路配線基板の検査装置。
【請求項３５】前記パルスレーザ光源（１，２）は、
連続パルス動作を行うモードロックレーザ、および、該
モードロックレーザの出射光を断続するシャッタ手段を
備えていることを特徴とする請求項３４の回路配線基板
の検査装置。
【請求項３６】前記パルスレーザ光源（１，２）は、
Ｑスイッチレーザを備えていることを特徴とする請求項
３４の回路配線基板の検査装置。
【請求項３７】前記回路配線基板の検査装置は、さら
に、第１および第２のレーザ光（10, 20）を収束するス
キャンレンズ（４）、および、該レーザ光（10, 20）を
独立に偏向する第１および第２のレーザ光偏向用ミラー
（11,21)を備え、該第１および第２のレーザ光偏向用ミ
ラー（11,21)は該スキャンレンズ（４）の焦点付近の光
軸（41）に垂直な平面上で該光軸（41）に対してほぼ対
称な位置に設置されるようになっていることを特徴とす
る請求項１２、２４または３１記載の回路配線基板の検
査装置。
【請求項３８】前記抵抗測定手段は、該第１の電極パ
ッド（Ｉ₀)に一定電圧を印加する電圧印加手段(104,20
4) および該第２の電極パッド（Ｏ₀)から接地電位に対
し流出される出力電流を検出する電流検出手段(105,20
5) を有し、前記第１および第２の電極パッド間の抵抗
を入力電圧と出力電流の比から算出するようにしたこと
を特徴とする請求項１６または２８の回路配線基板の検
査装置。
【請求項３９】前記第１および第２のレーザプラズマ
スイッチ制御手段は、２つのパルスレーザ光を同時に発
生し、その一定時間経過後の前記第２の電極パッド（Ｏ
₀)から出力される電流信号を検出して、導通／絶縁の良
否を判定するようにしたことを特徴とする請求項３８の
回路配線基板の検査装置。
【請求項４０】前記第１の電極パッド（Ｉ₀)から前記
第１の被試験パッド（ＩＮ；Ａ）までの電気的経路の形
成動作、前記第１のレーザプラズマスイッチ制御手段
（１）の前記第１の被試験パッド（ＩＮ；Ａ）上への位
置決め, 前記第２の被試験パッド（ＯＵＴ；Ｂ）から前
記第２の電極パッド（Ｏ₀)までの電気的経路の形成動
作, 前記第２のレーザプラズマスイッチ制御手段（２）
の前記第２の被試験パッド（ＯＵＴ；Ｂ）上への位置決
め, 前記第１および第２のレーザ光照射, および, その
一定時間経過後の該第２の電極パッド（Ｏ₀)からの出力
電流の検出からなる一連の動作は、該第２の被試験パッ
ド（ＯＵＴ；Ｂ）から該第２の電極パッド（Ｏ₀)までの
電気的経路の形成動作, 該第２のレーザプラズマスイッ
チ制御手段（２）の該第２の被試験パッド（ＯＵＴ；
Ｂ）上への位置決め, 該第１および第２のレーザ光照
射, および, その一定時間経過後の該第２の電極パッド
（Ｏ₀)からの出力電流の検出の動作のみ、該第２の被試
験パッド（Ｂ，Ｃ）を次々更新しながら全てに対して繰
り返し、しかる後、前記第１の被試験パッド（ＩＮ；
Ａ）を更新し、全ての被試験パッドの組み合わせに対
し、導通／絶縁の良否を判定するようにしたことを特徴
とする請求項３８の回路配線基板の検査装置。
【請求項４１】前記光導電シートまたはガラス板
（７，70）と前記回路配線基板（９）との間の空間をＯ
リングシール等により気密構造とする手段と、該気密空
間にアルゴン, キセノン等の希ガス或いは空気を加圧ま
たは減圧封入するようにしたことを特徴とする請求項
１、１２、２４、３１または４０記載の回路配線基板の
検査装置。
【請求項４２】配線パターン及び複数のパッドを有す
るネット群を多数備え回路配線基板を検査する回路配線
基板の検査装置であって、該検査装置は、当該回路配線基板を保持する基板保持手段、該基板保持手段に保持されている該回路配線基板と所定
の間隔を隔てて配置されており、且つ当該回路配線基板
に設けられている配線部に於ける全ての被試験パッド位
置が含まれる領域と対向する位置に設けられた導電領域
部からなり、当該導電領域部は、複数の互いに電気的に
分離された導電領域で構成され、該導電領域部の少なく
とも一部の導電領域が、第１の電源と接続され、他の導
電領域の一部が、該第１の電源より低電位の電源電圧を
有する第２の電源と接続される様に構成された、所定被
試験パッド位置と該電源との間に導電性パスを形成する
導電性パス形成手段を有する、該回路配線基板の電気的
特性検出手段、及び選択された少なくとも２個の被試験パッドと該電導
領域との間の空間部にレーザを照射して、該空間部に導
電性を付与するレーザプラズマスイッチ制御手段、とから構成されたものであり、更に、該電気的特性検出
手段は、該導電性パスに接続された電気的特性値サンプ
リング手段を有するものである事を特徴とする回路配線
基板の検査装置。
【請求項４３】配線パターン及び複数のパッドを有す
るネット群を多数備え回路配線基板を検査する回路配線
基板の検査装置であって、該検査装置は、当該回路配線基板を保持する基板保持手段、該基板保持手段に保持されている該回路配線基板と所定
の間隔を隔てて配置されており、且つ当該回路配線基板
に設けられている、一つの配線部に於ける第１の被試験
パッド位置と対応する位置と、第１の電源との間の導電
性を確保する第１の導電領域と、当該回路配線基板に設
けられている、他の配線部に於ける第２の被試験パッド
位置と対応する位置と、第２の電源との間の導電性を確
保する該第１の導電領域から分離されている第２の導電
領域とが設けられている導電性パス形成手段を有する、
該回路配線基板の電気的特性検出手段、及び該第１の被試験パッドと該第１の導電領域との間の
第１の空間部及び該第２の被試験パッドと該第２の導電
領域との間の第２の空間部にレーザを照射して、該第１
と第２の空間部に導電性を付与するレーザプラズマスイ
ッチ制御手段、とから構成されたものであり、更に、該電気的特性検出
手段は、該第１と第２の導電領域の少なくとも一方に接
続された電気的特性値サンプリング手段を有するもので
ある事を特徴とする回路配線基板の検査装置。
【請求項４４】当該導電領域は、何れも該レーザビー
ムが透過しうる部材で構成されている事を特徴とする請
求項４２又は４３記載の回路配線基板の検査装置。
【請求項４５】該電気的特性検出手段の該レーザプラ
ズマスイッチ制御手段には、レーザビーム出力手段及び
当該レーザビーム偏向手段が含まれている事を特徴とす
る請求項４２乃至４４の何れかに記載の回路配線基板の
検査装置。
【請求項４６】該電気的特性検出手段は、該レーザプ
ラズマスイッチ制御手段が駆動され、該空間部が導通状
態になった後、所定の時間経過後に、該電気的特性値サ
ンプリング手段を駆動させて、該導電領域を含む導電性
パスに於ける電気的特性値を検出する様に構成されてい
る事を特徴とする請求項４２乃至４５の何れかに記載の
回路配線基板の検査装置。
【請求項４７】該電気的特性検出手段が検出する該電
気的特性は、抵抗、電圧、電流、絶縁抵抗を含んでいる
事を特徴とする請求項４２乃至４６の何れかに記載の回
路配線基板の検査装置。
【請求項４８】該複数個の導電領域は、所定の間隔を
有するスリットよりなる分離部により互いに分離されて
いる事を特徴とする請求項４２又は４３記載の回路配線
基板の検査装置。
【請求項４９】該複数個の導電領域は、何れも光エネ
ルギーを受けて導電性となる光導電性部材で構成されて
いる事を特徴とする請求項４２又は４３記載の回路配線
基板の検査装置。
【請求項５０】該光導電性部材は、透明な光導電性部
材保持手段を接合されている事を特徴とする請求項４９
記載の回路配線基板の検査装置。
【請求項５１】該複数個の導電領域は、光遮蔽材から
構成された分離部により互いに電気的に分離されている
事を特徴とする請求項４９記載の回路配線基板の検査装
置。
【請求項５２】該導電領域部は、該導電領域部に設け
られた該分離部と直交する方向に、当該回路配線基板の
表面に沿って当該回路配線基板と相対的に移動しうる様
に構成されている事を特徴とする請求項４８又は５１記
載の回路配線基板の検査装置。
【請求項５３】当該導電領域部及び該回路配線基板の
少なくとも一方は、他方の平面と並行に配列された状態
を維持しながら９０度回転しうる様に構成されている事
を特徴とする請求項４２又は４３記載の回路配線基板の
検査装置。
【請求項５４】該導電領域部と該回路配線基板との間
に形成された空間部を気密構造とする手段と該気密化さ
れた空間部に希ガス或いは空気を加圧若しくは減圧して
封入した事を特徴とする請求項４２又は４３記載の回路
配線基板の検査装置。
【請求項５５】当該分離部の最小移動単位距離は、該
回路配線基板に形成されているパッドの最小配置ピッチ
をＰとすると、Ｐ／ｎ（ｎ＝１又は１以上の整数）であ
る事を特徴とする請求項５２記載の回路配線基板の検査
装置。
【請求項５６】当該分離部を一方向に移動させなが
ら、当該回路配線基板上に配置されている配線群の各端
部に設けられたパッドの内から、当該分離部を挟んで配
置されている２個の被試験パッドの組の全てを検出し
て、その全ての組の被試験パッド間の電気的特性を検出
する様に構成されている事を特徴とする請求項５２記載
の回路配線基板の検査装置。
【請求項５７】当該分離部を一方向に移動させながら
被試験パッドの組として検出出来なかった被試験パッド
の組のアドレスを適宜の記憶手段に記憶させる様に構成
されている事を特徴とする請求項５６記載の回路配線基
板の検査装置。
【請求項５８】被試験パッドの組として検出出来なか
った被試験パッドの組が、少なくとも一組存在する場合
には、当該分離を一方向に移動させた後、該導電領域を
９０度回転させた後、該導電領域を該分離部と直角の方
向に再び移動させる様に構成し、当該分離部を該方向に
移動させながら、当該被試験パッドの組として検出出来
なかった被試験パッドの組から、当該分離部を挟んで配
置されている２個の被試験パッドの組のを検出して、そ
の組の被試験パッド間の電気的特性を検出する様に構成
されている事を特徴とする請求項５７記載の回路配線基
板の検査装置。
【請求項５９】配線パターン及び複数のパッドを有す
るネット群を多数備え回路配線基板を検査する回路配線
基板の検査装置であって、該検査装置は、当該回路配線基板を保持する基板保持手段、該基板保持手段に保持されている該回路配線基板と所定
の間隔を隔てて当該回路配線基板の両面に配置されてお
り、且つ当該回路配線基板の一面に設けられている、一
つの配線部に於ける第１の被試験パッド位置と対応する
位置と、第１の電源との間に第１の導電性パスを形成す
る第１の導電性パス形成手段と、当該回路配線基板の他
面に設けられている、前記第１の被試験パッドが含まれ
る配線部と同一若しくは異なる配線部に於ける第２の被
試験パッド位置と対応する位置と、該第１の電源より電
位が低い第２の電源との間に第２の導電性パスを形成す
る第２の導電性パス形成手段を有する、該回路配線基板
の電気的特性検出手段、及び該第１の被試験パッドと該第１の導電性パスとの間
の第１の空間部及び該第２の被試験パッドと該第２の導
電性パスとの間の第２の空間部にレーザを照射して、該
第１と第２の空間部に導電性を付与するレーザプラズマ
スイッチ制御手段、とから構成されたものであり、更に、該電気的特性検出
手段は、該第１と第２の導電性パスの何れか一方に接続
された電気的特性値サンプリング手段を有するものであ
る事を特徴とする回路配線基板の検査装置。
【請求項６０】当該第１及び第２の導電性パスを形成
する導電性パス形成手段は、導電性部材で構成された導
電領域を有するものであり、更に当該導電領域は、何れ
も該レーザビームが透過しうる部材で構成されている事
を特徴とする請求項５９記載の回路配線基板の検査装
置。
【請求項６１】該電気的特性検出手段の該レーザプラ
ズマスイッチ制御手段は、当該回路配線基板の両面に配
置されている事を特徴とする請求項５９記載の回路配線
基板の検査装置。
【請求項６２】該電気的特性検出手段の該レーザプラ
ズマスイッチ制御手段には、レーザビーム出力手段及び
当該レーザビーム偏向手段が含まれている事を特徴とす
る請求項６１記載の回路配線基板の検査装置。
【請求項６３】該電気的特性検出手段は、該レーザプ
ラズマスイッチ制御手段が駆動され、該空間部が導通状
態になった後、所定の時間経過後に、該電気的特性値サ
ンプリング手段を駆動させて、該導電領域を含む導電性
パスに於ける電気的特性値を検出する様に構成されてい
る事を特徴とする請求項５９記載の回路配線基板の検査
装置。
【請求項６４】該電気的特性検出手段が検出する該電
気的特性は、抵抗、電圧、電流、絶縁抵抗を含んでいる
事を特徴とする請求項５９記載の回路配線基板の検査装
置。
【請求項６５】該導電領域は、何れも光エネルギーを
受けて導電性となる光導電性部材で構成されている事を
特徴とする請求項５９記載の回路配線基板の検査装置。
【請求項６６】該光導電性部材は、透明な光導電性部
材保持手段を接合されている事を特徴とする請求項６５
記載の回路配線基板の検査装置。
【請求項６７】該光導電性部材保持手段は、光透過制
御機能を有するものである事を特徴とする請求項６６記
載の回路配線基板の検査装置。
【請求項６８】該光導電性部材保持手段は、液晶マス
ク板で構成されている事を特徴とする請求項６７記載の
回路配線基板の検査装置。
【請求項６９】該光導電性部材保持手段には、該液晶
マスク板に於ける光透過パターンを制御する光透過パタ
ーン制御手段が設けられている事を特徴とする請求項６
８記載の回路配線基板の検査装置。
【請求項７０】該電気的特性検出手段には、該光導電
性部材を励起させる光導電性部材励起手段が更に設けら
れている事を特徴とする請求項６５記載の回路配線基板
の検査装置。
【請求項７１】該導電領域部と該回路配線基板との間
に形成された空間部を気密構造とする手段と該気密化さ
れた空間部に希ガス或いは空気を加圧若しくは減圧して
封入した事を特徴とする請求項５９記載の回路配線基板
の検査装置。
【請求項７２】該独立透明導電膜パターンを該回路配
線基板の表面と平行に移動可能に構成した事を特徴とす
る請求の範囲第２１項記載の回路配線基板の検査装置。
【請求項７３】配線パターン及び複数のパッドを有す
るネット群を多数備えた検査すべき回路配線基板を保持
する基板保持手段を有する検査装置に於いて、該基板保
持手段に保持されている該回路配線基板と所定の間隔を
隔てて配置させる工程、当該回路配線基板に設けられて
いる、一つの配線部に於ける第１の被試験パッド位置と
対応する位置と、第１の電源との間に第１の導電性パス
を形成する工程、当該回路配線基板に設けられている、
他の配線部に於ける第２の被試験パッド位置と対応する
位置と、第２の電源との間に第２の導電性パスを形成す
る導電性パス形成する工程、該第１の被試験パッドと該
第１の導電性パスとの間の第１の空間部及び該第２の被
試験パッドと該第２の導電性パスとの間の第２の空間部
にレーザを照射して、該第１と第２の空間部に導電性を
付与する工程、及び該第１と第２の導電性パスの何れか
一方に接続されたサンプリング手段により該回路配線基
板の電気的特性を検査する工程とから構成されている事
を特徴とする回路配線基板の検査方法。
【請求項７４】配線パターンおよび複数のパッドを有
するネット（ＮＡ，ＮＢ）を多数備えた回路配線基板
（９）を検査する回路配線基板の検査装置であって、前記回路配線基板（９）上に光導電シート（７）を所定
の間隙を持って配置させる工程と、該光導電シート（７）上に設けられ、光透過パターン制
御手段（６,5,107）を用いて、光導電シート励起用光源
（３）からの照射光（30）の形状を制御しながら該光導
電シート（７）に第１の導電性パス（71）および第２の
導電性パス（72）を形成する工程と、前記回路配線基板（９）における第１の被試験パッド
（ＩＮ）と前記第１の導電性パス（71）の一端の導通性
を第１のレーザプラズマスイッチ制御手段（１,11;１,1
1,11',101)を用いて制御する工程と、前記回路配線基板（９）における第２の被試験パッド
（ＯＵＴ）と前記第２の導電性パス（72）の一端の導通
性を第２のレーザプラズマスイッチ制御手段（２,21;
２,21,21',102)を用いて制御する工程と、抵抗測定手段（104,105)を用いて前記第１の導電性パス
（71）の他端と前記第２の導電性パス（72）の他端との
間の抵抗値を測定する工程と、を具備することを特徴と
する回路配線基板の検査方法。
【請求項７５】金属配線パターンおよび複数のパッド
を有するネット（ＮＡ，ＮＢ）を多数備えた回路配線基
板（９）を検査する回路配線基板の検査装置に於いて、前記回路配線基板（９）上に光導電シート（７）を所定
の間隙を持って配置させる工程と、該光導電シート（７）上に、櫛型構造を有する第１およ
び第２の透明電極(51,52) を互いに組み合さるように設
ける工程と、前記第１の透明電極（51）と前記回路配線基板（９）に
おける第１の被試験パッド（ｉ）までの第１の導電性パ
ス（701)を形成するために第１の光ビーム照射制御手段
（31,311,312,313;210) を用いて所定形状の光ビーム
（301)を照射制御する工程と、前記第２の透明電極（52) と前記回路配線基板（９）に
おける第２の被試験パッド（ｊ）までの第２の導電性パ
ス（702)を形成するために第２の光ビーム照射制御手段
（32,321,322,323;211) を用いて所定形状の光ビーム
（302)を照射制御する工程と、第１のレーザプラズマスイッチ制御手段（１,11;201,20
7)を用いて前記第１の被試験パッド（ｉ）と前記第１の
導電性パス（701)の一端の導通性を制御する工程と、第２のレーザプラズマスイッチ制御手段（２,21;202,20
7)を用いて前記回路配線基板（９）における第２の被試
験パッド（ｊ）と前記第２の導電性パス（702)の一端の
導通性を制御工程と、前記第１の透明電極（51）を介した第１の導電性パス
（701)の他端と前記第２の透明電極（52) を介した前記
第２の導電性パス（702)の他端との間の抵抗値を抵抗測
定手段（204,205)を用いて測定する工程と、から構成さ
れていることを特徴とする回路配線基板の検査方法。
【請求項７６】配線パターン及び複数のパッドを有す
るネット群を多数備えた、検査すべき回路配線基板を保
持する基板保持手段を有する回路配線基板の検査装置に
於いて、当該回路配線基板に設けられている配線部に於
ける全ての被試験パッド位置が含まれる領域と対向する
位置に、該回路配線基板と所定の間隔を隔てて導電領域
部を配置する工程、当該導電領域部をは、複数の互いに
電気的に分離された導電領域に分割する工程、該導電領
域部の少なくとも一部の導電領域を、第１の電源と接続
する工程、他の導電領域の一部を、該第１の電源より低
電位の電源電圧を有する第２の電源と接続する工程、所
定被試験パッド位置と該電源との間に導電性パスを形成
する導電性パス形成する工程、レーザプラズマスイッチ
制御手段を用いて、選択された少なくとも２個の被試験
パッドと該電導領域との間の空間部にレーザを照射する
事により該空間部に導電性を付与する工程、電気的特性
検出手段により、該導電性パスの電気的特性を検出する
工程、とから構成されている事を特徴とする回路配線基
板の検査方法。
【請求項７７】配線パターン及び複数のパッドを有す
るネット群を多数備えた、検査すべき回路配線基板を保
持する基板保持手段を有する回路配線基板の検査装置に
於いて、該基板保持手段に保持されている該回路配線基
板と所定の間隔を隔てて、当該回路配線基板に設けられ
ている一つの配線部に於ける第１の被試験パッド位置と
対応する位置と第１の電源との間の導電性を確保する、
第１の導電領域を配置する工程と、該基板保持手段に保
持されている該回路配線基板と所定の間隔を隔てて、当
該回路配線基板に設けられている他の配線部に於ける第
２の被試験パッド位置と対応する位置と第２の電源との
間の導電性を確保する、該第１の導電領域から分離され
た第２の導電領域を配置する工程と、レーザプラズマス
イッチ制御手段を用いて、該第１の被試験パッドと該第
１の導電領域との間の第１の空間部及び該第２の被試験
パッドと該第２の導電領域との間の第２の空間部にレー
ザを照射して、該第１と第２の空間部に導電性を付与す
る工程と、該第１と第２の導電領域の少なくとも一方に
接続された電気的特性値サンプリング手段を用いて、該
回路配線基板の電気的特性値を検査する工程とから構成
されている事を特徴とする回路配線基板の検査方法。
【請求項７８】配線パターン及び複数のパッドを有す
るネット群を多数備えた検査すべき回路配線基板を保持
する基板保持手段を有する回路配線基板の検査装置に於
いて、当該回路配線基板の当該一面に設けられている一
つの配線部に於ける第１の被試験パッド位置と対応する
位置と、第１の電源との間に第１の導電性パスを形成す
る工程と、当該回路配線基板の他面に設けられている、
前記第１の被試験パッドが含まれる配線部と同一若しく
は異なる配線部に於ける第２の被試験パッド位置と対応
する位置と、該第１の電源より電位が低い第２の電源と
の間に第２の導電性パスを形成する工程と、レーザプラ
ズマスイッチ制御手段を用いて、該第１の被試験パッド
と該第１の導電性パスとの間の第１の空間部及び該第２
の被試験パッドと該第２の導電性パスとの間の第２の空
間部にレーザを照射して、該第１と第２の空間部に導電
性を付与する工程、と該第１と第２の導電性パスの何れ
か一方に接続された電気的特性値サンプリング手段によ
り、当該回路配線基板の電気的特性値を測定する工程
と、から構成されている事を特徴とする回路配線基板の
検査方法。