JPH0933617A - 微細構造素子の機能の試験方法及び装置 - Google Patents

微細構造素子の機能の試験方法及び装置

Info

Publication number
JPH0933617A
JPH0933617A JP8163276A JP16327696A JPH0933617A JP H0933617 A JPH0933617 A JP H0933617A JP 8163276 A JP8163276 A JP 8163276A JP 16327696 A JP16327696 A JP 16327696A JP H0933617 A JPH0933617 A JP H0933617A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microstructured
testing
function
microstructured element
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8163276A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3693422B2 (ja
Inventor
Matthias Dr Brunner
ブルンナー マシアス
Hans-Peter Feuerbaum
ペーター フォイエルバウム ハンス
Juergen Frosien
フロジエン ユルゲン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH
Original Assignee
ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH filed Critical ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH
Publication of JPH0933617A publication Critical patent/JPH0933617A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3693422B2 publication Critical patent/JP3693422B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/305Contactless testing using electron beams

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細構造素子の機能を試験するための方法及
び装置を提供することをを目的とする。 【解決手段】 本発明は微細構造素子の機能を試験する
ための方法及び装置に関する。微細構造素子はその放出
及び/又は機械的性質を試験するために励振され、微細
構造素子によって放出又は反射された粒子は検出され評
価される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細構造素子の機
能を試験するための方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】用語“微細構造素子”は、粒子線放射
(例えば光又は電子)を放出する素子(例えばレーザダ
イオード又は電界放出チップ)ばかりでなく、例えば微
小な機械的センサ及びアクタを意味する。このような微
細構造素子は、いずれも、例えばウエハのような基板上
に多数形成される。
【0003】微細構造素子の技術分野では、マイクロエ
レクトロニクスにおける手法に関連した方法を使用し
て、機械的、光学的、電気的構成要素及び他の構成要素
が製造される。同様に、製造中に、対応した故障が、例
えば汚染又は故障調整が原因で、生じる。従って微細構
造素子の満足すべき機能を保証するために、各素子の機
能を試験することが必要である。
【0004】微細構造素子の試験は、その寸法が小さい
ために、使用する方法及びそれに対応した装置に特別の
条件を要求する。トランジスタ、導体、及びキャパスタ
ンス及び抵抗器の電気的機能の迅速測定法が例えば米国
特許US−A−3531716号及び欧州特許EP−A
−0048862号により知られている。これらの既知
の方法は基本的に、電子線を利用すると、トリガーされ
た2次電子によって、構成要素の特定の位置の電荷を測
定することができるという事実に基づいている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は微細構
造素子を試験するための方法及び装置を提供することで
あり、それによって以前にチェックされていなかった微
細構造素子の機能を試験することが可能となる。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によるとこの目的
は特許請求の範囲第1項及び17項の特徴部分によって
達成される。本発明による方法では、微細構造素子の放
出及び/又は機械的特性は微細構造素子を励振すること
によって及びそれによって放出又は反射された粒子を検
出し評価することによって試験されることができる。放
出された粒子は、微細構造素子の正常な動作にて放出さ
れた粒子を意味するものと理解されるべきである。
【0007】この方法によって例えば、電界放出チップ
の配列をチェックすることが可能となり、これは、その
放出特性のために、例えば薄板型ディスプレイスクリー
ンに使用される。多分そこで、不完全放出は修復される
ことができ又は完全な配列に並べ替えられ、それによっ
て不必要な更なる作業工程が省略されることができる。
ダイヤモンド電界放出素子は同様な方法にてチェックさ
れることができる。
【0008】更に他の使用分野は、微細機構ミラーの配
列をチェックすることであり、これは例えば投射ディス
プレイにて使用される。個々のミラー要素はその励振装
置によって特定量だけ機械的に偏向される。個々のミラ
ー要素の不十分な偏向に起因して画像生成に誤差が生ず
る。従って、この場合でも、満足し得る機能を保証する
ために個々の要素の機能をチェックする必要がある。
【0009】本発明の他の例は特許請求の範囲の従属項
の内容にある。本発明の更なる利点及び改良は、幾つか
の例及び図面を参照して以下に詳細に説明されよう。
【0010】
【発明の実施の形態】図1に示す微細構造素子の機能を
試験するための本発明による装置は、基本的に、少なく
とも1つの微細構造素子を有する試料を受け入れるため
の装置1と、微細構造素子を励振(駆動)するための装
置2と、微細構造素子によって放出又は反射された粒子
に対して感度を有する検出器3と、微細構造素子の放出
及び/又は機械的特性に関する検出器3からの出力信号
を評価するための装置4とよりなる。
【0011】試料を受け入れるための装置1は特に、試
料に対応した構造の且つ選択的に複数の方向に可動な試
料テーブル1aと詳細に示されていない真空室を有す
る。
【0012】微細構造素子5を励振するための装置2は
基本的に、例えば電子源によって形成される粒子線を発
生するためのソース2aと粒子線を微細構造素子5上に
導くためのレンズ系2bと粒子線6を他の微細構造素子
上に導くための偏向器2cとを含む。ソース2aは例え
ば、イオン源によって形成されてよい。レンズ系2bは
基本的に磁気的及び/又は静電的レンズよりなる。
【0013】微細構造素子を励振(駆動)するための装
置はまた、例えば制御装置2’によって形成されてよ
く、この制御装置は電気的接点を経由して微細構造素子
に接続されている。
【0014】検査すべき微細構造素子の形式に依存し
て、検出器は電子、イオン又は光子に対して感度を有す
る。電気的電極よりなる偏向装置が、例えば、微細構造
素子によって放出又は反射された粒子を検出器方向に案
内するために使用されることができる。これらの粒子の
エネルギを探知するために、検出器3は、例えばその前
に接続された逆電界分光器と組み合わせて作動されてよ
い。
【0015】本発明の幾つかの例は図2〜図10を参照
して詳細に説明されよう。尚、図2〜図6はその放出特
性に関してエミッタを試験することが示されている。
【0016】ここで検査されるべきエミッタは励振(駆
動)によって粒子を放出する微細構造素子であると理解
されるべきである。このようなエミッタは例えば電界放
出チップ又はレーザダイオードによって形成されてよ
い。
【0017】図2は対応するフィード9を有する基板上
に配置された複数の電界放出チップ8を示す。電界放出
チップ8は装置2’を経由して励振され、この装置は電
界放出チップ8が粒子10、この場合は電子をトリガす
るように接続されている。この粒子10は図1の例では
偏向装置7を経由して検出器3上に案内される。検出器
3にて生成された信号は次の装置4によって評価され
る。
【0018】図3に示す例では、電界放出チップ8は電
気的に接続された外部の装置を経由して励振されず、粒
子10の放出のためにフィード9上に導かれた粒子線6
によって励起される。粒子10は次に再び検出器3上に
導かれ、それによって評価される。励振に対する反応と
して、検出された信号、即ち、検出器3の出力信号の分
析によって、微細構造素子の機能が故障であるか又は正
常であるかに関する情報が生成される。
【0019】しかしながら、エミッタ8、即ち、電界放
出チップ8は粒子線6によって励振されるが、粒子線6
をそのフィード9を経由することによってばかりでな
く、粒子線を直接エミッタ8上に特にそのチップの上に
導くことによって、励振されることができる。それによ
ってトリガされた粒子10は再び検出器3上に導かれ更
に評価される。
【0020】図5にはエミッタを試験するための更に別
の方法が記載されており、この方法ではエミッタ8は電
気的に接続された装置2’によって励振され、これは、
粒子をトリガするには未だ不十分なエミッタに電圧を印
加するように構成されている。もしこのような試験条件
にて、粒子線6が直接エミッタ、例えば電界放出チップ
8の先端上に導かれると、入射した粒子はエミッタに印
加した電圧の関数として反射される。検出器3を打撃し
反射した粒子11は再び検出器3に到達する。次の評価
によってエミッタに印加される電圧に関する直接的な結
論に到達することが許される。
【0021】本発明による更に他の例が図6に示されて
おり、同図では、微細構造素子はレーザダイオード12
によって形成されており、このレーザダイオードはフィ
ード13を経由して励振されることができる。励振は再
び、フィード13上に導かれる粒子線6によって又はフ
ィード13に電気的に接続され詳細には図示されていな
い励振装置によって起きる。再び、励振の結果、粒子1
0はレーザダイオード12によって放出され、この粒子
はこの例では光子によって形成されている。放出された
光子は再び検出器3に到達し、その出力信号は次の評価
装置4によって評価される。
【0022】これまで説明したエミッタとは別に、しか
しながら、本発明による方法によって機械的に作動され
る微細構造をチェックすることも可能である。こうして
例えば、投射ディスプレイに使用される微細機構ミラー
の配列が用いられる。斯かる配列は複数の個別的に偏向
可能なミラーによって形成され、ある場合、個々の微細
構造素子の機能をチェックする必要性が存在する。図7
にはそれに対応した装置が略図的に示されている。個々
の微細機構ミラー14は電気的に接続された装置2’を
経由して励振(駆動)されることができる。この励振に
よってミラーの表面14aが偏向する。試験方法を実施
する間、粒子線6は偏向可能なミラーの表面14a上に
導かれる。正常な偏向の場合、反射した粒子は検出器3
上に到達する。こうして粒子線6を使用することによっ
て、可動な微細構造素子の正常な偏向が特別に簡単な方
法によってチェックされることができる。
【0023】微細構造素子の形式に依存するが、ある条
件下では、微細構造素子の様々な偏向位置をチェックす
るために複数の検出器を適当な方法にて配置することも
考慮されてよい。しかしながら、もしミラーが様々な偏
向位置に配置され、各場合に粒子線6が、異なる入射角
にてミラーの表面を打つなら、検出器の表面を利用して
様々に偏向した位置を試験することができる。
【0024】本発明による方法を使用して、対応する励
振装置によって偏向されることができる少なくとも1つ
の可動要素を有する全ての微細構造素子を試験すること
が可能である。再び、励振は電気的に接続された励振装
置2’によって又は粒子線によって起こされてよい。全
ての場合に、粒子線は可動要素上に、この場合、ミラー
の表面14a上に導かれ、反射した粒子を利用して微細
構造素子の利用可能性が確立される。
【0025】基板上に配置された複数の微細構造素子を
試験する場合、工程をできるだけ迅速に実行することが
できることが条件となる。
【0026】原理的には、個々の微細構造素子、例えば
電界放出チップ8を、個別的に装置2’又は粒子線によ
って励振し、放出又は反射した粒子を検出器3上に導く
(図8)ことも可能である。
【0027】しかしながら、粒子の放出又は反射のため
に複数の微細構造素子を励振することも可能である。こ
の場合、検出器の前に装着された偏向装置7を利用する
ことによって、放出又は反射された微細構造素子の粒子
だけが各場合に検出器3に到達する。図9に示されてい
る偏向装置7は、例えば適当な方法にて可動なダイヤフ
ラムの形式にて示されている。この偏向装置7はしかし
ながら、電気的電極の形式をとることも可能である。例
えば、この点に関して図1にはプレート電極が示されて
いる。
【0028】図10に示す例では、励振された複数の微
細構造素子によって放出又は反射された粒子は複数の検
出器3’上に導かれる。検出器3’は例えば検出器列に
よって形成されてよい。
【0029】最後に、複数の微細構造素子からの粒子を
同時に検出器3上に導くことも可能である。そこで受け
た粒子の強度を利用して、励振された微細構造素子の1
つが欠陥であるか否かを判定することができる。
【0030】上述の例及び装置にて検出器及び励振装置
と関連して説明された微細構造素子は単なる例示である
と理解されたい。検出器3,3’は例えば、検出された
粒子の強度を探求するために設計されることができる。
しかしながら、検査すべき微細構造素子の機能に関する
結論を引き出すために、放出又は反射された粒子のエネ
ルギを探求することも考えられる。粒子のエネルギは例
えば一般に知られている逆電場分光計によって検出され
てよく、この分光計は定量的電位計測のために上流にて
接続されている。
【0031】微細構造素子を励振するために使用される
粒子線又は微細構造素子によって放出又は反射される粒
子は、電子、イオン又は光子によって形成されてよい。
【0032】続く装置4における検出器3の出力信号の
評価は例えば、所望の信号と実際に測定された信号の比
較によってなされてよい。
【0033】
【発明の効果】本発明によると、微細構造素子を励振す
ることによって及びそれによって放出又は反射された粒
子を検出し評価することによって、微細構造素子の放出
及び/又は機械的特性を試験することができる利点を有
する。
【0034】本発明によると、以前にチェックされてい
なかった微細構造素子の機能を試験することが可能とな
る利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による微細構造素子の機能を試験するた
めの装置の簡略した線図である。
【図2】本発明によるエミッタの機能を試験するための
様々な方法の例の概略図である。
【図3】本発明によるエミッタの機能を試験するための
様々な方法の例の概略図である。
【図4】本発明によるエミッタの機能を試験するための
様々な方法の例の概略図である。
【図5】本発明によるエミッタの機能を試験するための
様々な方法の例の概略図である。
【図6】本発明によるエミッタの機能を試験するための
様々な方法の例の概略図である。
【図7】本発明による機械的に作動する微細構造素子の
機能を試験するための方法の簡略した線図である。
【図8】本発明による放出又反射した粒子を検出するた
めの様々な可能な例の概略図である。
【図9】本発明による放出又反射した粒子を検出するた
めの様々な可能な例の概略図である。
【図10】本発明による放出又反射した粒子を検出する
ための様々な可能な例の概略図である。
【符号の説明】
1 試料受入れ装置 1a 試料テーブル 2 励振装置 2’ 制御装置、励振装置 2a ソース 2b レンズ系 2c 偏向器 3、3’ 検出器 4 評価装置 5 微細構造素子 6 粒子線 7 偏向装置 8 電界放出チップ、エミッタ、微細構造素子 9 フィード 10、11 粒子 12 微細構造素子 13 フィード 14 微細構造素子、ミラー 14a ミラー表面
フロントページの続き (72)発明者 ハンス ペーター フォイエルバウム ドイツ連邦共和国 81739 ミュンヘン、 アルノ・アスマン シュトラーセ 14 (72)発明者 ユルゲン フロジエン ドイツ連邦共和国 81679 リーマリング、 クーフシュタイナー シュトラーセ 16 アー

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 微細構造素子の機能の試験方法におい
    て、上記微細構造素子の放出及び/又は機械的性質を試
    験するために上記微細構造素子が照射され、上記微細構
    造素子によって放出又は反射された粒子が検出され評価
    されることを特徴とする微細構造素子の機能の試験方
    法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の微細構造素子の機能の試
    験方法において、上記微細構造素子は粒子線によって励
    振されることを特徴とする微細構造素子の機能の試験方
    法。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の微細構造素子の機能の試
    験方法において、上記微細構造素子は電気的に接続され
    た励振装置によって励振されること特徴とする微細構造
    素子の機能の試験方法。
  4. 【請求項4】 請求項2記載の微細構造素子の機能の試
    験方法において、上記励振用の粒子線の粒子は上記微細
    構造素子によって反射されることを特徴とする微細構造
    素子の機能の試験方法。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の微細構造素子の機能の試
    験方法において、支持体に配置された複数の微細構造素
    子が試験されることを特徴とする微細構造素子の機能の
    試験方法。
  6. 【請求項6】 請求項5記載の微細構造素子の機能の試
    験方法において、上記微細構造素子から放出又は反射さ
    れた粒子のみが各場合に交互に検出されることを特徴と
    する微細構造素子の機能の試験方法。
  7. 【請求項7】 請求項5記載の微細構造素子の機能の試
    験方法において、只一つの微細構造素子が各場合に交互
    に検出されることを特徴とする微細構造素子の機能の試
    験方法。
  8. 【請求項8】 請求項2記載の微細構造素子の機能の試
    験方法において、上記励振は電荷を供給することによっ
    て起きることを特徴とする微細構造素子の機能の試験方
    法。
  9. 【請求項9】 請求項2記載の微細構造素子の機能の試
    験方法において、上記励振はエネルギを供給することに
    よって起きることを特徴とする微細構造素子の機能の試
    験方法。
  10. 【請求項10】 請求項5記載の微細構造素子の機能の
    試験方法において、上記放出又は反射された粒子は複数
    の微細構造素子によって同時に検出されることを特徴と
    する微細構造素子の機能の試験方法。
  11. 【請求項11】 請求項1記載の微細構造素子の機能の
    試験方法において、上記検出された上記放出又は反射さ
    れた粒子の強度が求められることを特徴とする微細構造
    素子の機能の試験方法。
  12. 【請求項12】 請求項1記載の微細構造素子の機能の
    試験方法において、上記検出された上記放出又は反射さ
    れた粒子のエネルギが求められることを特徴とする微細
    構造素子の機能の試験方法。
  13. 【請求項13】 請求項1記載の微細構造素子の機能の
    試験方法において、上記評価は実際の値と所望の値との
    比較によってなされることを特徴とする微細構造素子の
    機能の試験方法。
  14. 【請求項14】 請求項1記載の微細構造素子の機能の
    試験方法において、上記微細構造素子はエミッタによっ
    て形成されていることを特徴とする微細構造素子の機能
    の試験方法。
  15. 【請求項15】 請求項1記載の微細構造素子の機能の
    試験方法において、上記微細構造素子は少なくとも1つ
    の可動要素を有し、該可動要素の可動性が試験されるこ
    とを特徴とする微細構造素子の機能の試験方法。
  16. 【請求項16】 請求項15記載の微細構造素子の機能
    の試験方法において、上記可動要素の偏向性は上記反射
    された粒子によって求められることを特徴とする微細構
    造素子の機能の試験方法。
  17. 【請求項17】 a)少なくとも1つの微細構造素子を
    有する試料を受け入れるための受入れ装置と、 b)上記微細構造素子を励振するための励振装置と、 c)上記微細構造素子によって放出又は反射された粒子
    に対して感度を有する検出器と、 d)上記微細構造素子の放出及び/又は機械的性質に関
    して上記検出器の出力信号を評価するための評価装置
    と、を有する微細構造素子の機能の試験装置。
  18. 【請求項18】 請求項17記載の微細構造素子の機能
    の試験装置において、上記受入れ装置は、真空室を有す
    ることを特徴とする微細構造素子の機能の試験装置。
  19. 【請求項19】 請求項17記載の微細構造素子の機能
    の試験装置において、上記励振装置は、 a)粒子線を発生するためのソースと、 b)上記粒子線を上記微細構造素子上に導くためのレン
    ズ系と、 c)上記粒子線を他の微細構造素子上に導くための偏向
    装置と、を有することを特徴とする微細構造素子の機能
    の試験装置。
  20. 【請求項20】 請求項17記載の微細構造素子の機能
    の試験装置において、上記励振装置は、電気的接点を経
    由して上記微細構造素子に接続された制御装置を含むこ
    とを特徴とする微細構造素子の機能の試験装置。
  21. 【請求項21】 請求項17記載の微細構造素子の機能
    の試験装置において、上記検出器の前に偏向装置が装着
    され、それによって上記微細構造素子によって放出又は
    反射された粒子は上記検出器上に導かれることを特徴と
    する微細構造素子の機能の試験装置。
  22. 【請求項22】 請求項21記載の微細構造素子の機能
    の試験装置において、上記偏向装置は電気的電極よりな
    ることを特徴とする微細構造素子の機能の試験装置。
JP16327696A 1995-07-10 1996-06-24 微細構造素子の機能の試験方法 Expired - Fee Related JP3693422B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19525081A DE19525081B4 (de) 1995-07-10 1995-07-10 Verfahren und Vorrichtung zum Testen der Funktion von Mikrostrukturelementen
DE19525081:8 1995-07-10

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002080163A Division JP3759059B2 (ja) 1995-07-10 2002-03-22 微細構造素子の機能の試験方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0933617A true JPH0933617A (ja) 1997-02-07
JP3693422B2 JP3693422B2 (ja) 2005-09-07

Family

ID=7766448

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16327696A Expired - Fee Related JP3693422B2 (ja) 1995-07-10 1996-06-24 微細構造素子の機能の試験方法
JP2002080163A Expired - Fee Related JP3759059B2 (ja) 1995-07-10 2002-03-22 微細構造素子の機能の試験方法及び装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002080163A Expired - Fee Related JP3759059B2 (ja) 1995-07-10 2002-03-22 微細構造素子の機能の試験方法及び装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5834773A (ja)
JP (2) JP3693422B2 (ja)
DE (1) DE19525081B4 (ja)
FR (1) FR2736725B1 (ja)
GB (1) GB2303216B (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6144327A (en) * 1996-08-15 2000-11-07 Intellectual Property Development Associates Of Connecticut, Inc. Programmably interconnected programmable devices
US6088474A (en) * 1997-07-23 2000-07-11 Texas Instruments Incorporated Inspection system for micromechanical devices
DE19901767A1 (de) * 1999-01-18 2000-07-20 Etec Ebt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Testen der Funktion einer Vielzahl von Mikrostrukturelementen
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US7129694B2 (en) * 2002-05-23 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
DE10227332A1 (de) * 2002-06-19 2004-01-15 Akt Electron Beam Technology Gmbh Ansteuervorrichtung mit verbesserten Testeneigenschaften
US7355418B2 (en) * 2004-02-12 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array test
US7319335B2 (en) * 2004-02-12 2008-01-15 Applied Materials, Inc. Configurable prober for TFT LCD array testing
US6833717B1 (en) * 2004-02-12 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Electron beam test system with integrated substrate transfer module
US20060038554A1 (en) * 2004-02-12 2006-02-23 Applied Materials, Inc. Electron beam test system stage
US7075323B2 (en) * 2004-07-29 2006-07-11 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
US7256606B2 (en) * 2004-08-03 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Method for testing pixels for LCD TFT displays
CN101006491A (zh) * 2004-09-27 2007-07-25 Idc公司 测量和建模显示器中的功率消耗
US7453579B2 (en) 2004-09-27 2008-11-18 Idc, Llc Measurement of the dynamic characteristics of interferometric modulators
US7299681B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc Method and system for detecting leak in electronic devices
US20060176487A1 (en) 2004-09-27 2006-08-10 William Cummings Process control monitors for interferometric modulators
US7343080B2 (en) 2004-09-27 2008-03-11 Idc, Llc System and method of testing humidity in a sealed MEMS device
US7417735B2 (en) 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Systems and methods for measuring color and contrast in specular reflective devices
US7289256B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Electrical characterization of interferometric modulators
US7415186B2 (en) 2004-09-27 2008-08-19 Idc, Llc Methods for visually inspecting interferometric modulators for defects
US7359066B2 (en) 2004-09-27 2008-04-15 Idc, Llc Electro-optical measurement of hysteresis in interferometric modulators
US7317325B2 (en) * 2004-12-09 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Line short localization in LCD pixel arrays
US7535238B2 (en) * 2005-04-29 2009-05-19 Applied Materials, Inc. In-line electron beam test system
US7636151B2 (en) 2006-01-06 2009-12-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing residual stress test structures
US7582952B2 (en) 2006-02-21 2009-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for providing and removing discharging interconnect for chip-on-glass output leads and structures thereof
WO2007106759A2 (en) * 2006-03-14 2007-09-20 Applied Materials, Inc. Method to reduce cross talk in a multi column e-beam test system
US7602199B2 (en) 2006-05-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Mini-prober for TFT-LCD testing
US7786742B2 (en) 2006-05-31 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Prober for electronic device testing on large area substrates
US7388704B2 (en) 2006-06-30 2008-06-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Determination of interferometric modulator mirror curvature and airgap variation using digital photographs
US10108301B2 (en) 2014-09-02 2018-10-23 Rapt Ip Limited Instrument detection with an optical touch sensitive device, with associating contacts with active instruments
US9965101B2 (en) 2014-09-02 2018-05-08 Rapt Ip Limited Instrument detection with an optical touch sensitive device
WO2016034947A2 (en) 2014-09-02 2016-03-10 Rapt Ip Limited Instrument detection with an optical touch sensitive device
US9791977B2 (en) 2014-12-16 2017-10-17 Rapt Ip Limited Transient deformation detection for a touch-sensitive surface

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3443166A (en) * 1965-04-27 1969-05-06 Gen Electric Negative resistance light emitting solid state diode devices
US3531716A (en) * 1967-06-16 1970-09-29 Agency Ind Science Techn Method of testing an electronic device by use of an electron beam
DE2929846A1 (de) * 1979-07-23 1981-03-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Opto-elektronisches pruefsystem zur automatischen beschaffenheitspruefung von leiterplatten, deren zwischenprodukte und druckwerkzeuge
DE3036734A1 (de) * 1980-09-29 1982-05-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur messung von widerstaenden und kapazitaeten von elektronischen bauelementen
US4415851A (en) * 1981-05-26 1983-11-15 International Business Machines Corporation System for contactless testing of multi-layer ceramics
JPH0634027B2 (ja) * 1983-05-25 1994-05-02 パウ ルイ 集積回路又はプリント回路のような電気的装置の検査方法
DE3437550A1 (de) * 1984-10-12 1986-04-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur fehleranalyse an integrierten schaltungen
US4695794A (en) * 1985-05-31 1987-09-22 Santa Barbara Research Center Voltage calibration in E-beam probe using optical flooding
GB2183898A (en) * 1985-11-05 1987-06-10 Texas Instruments Ltd Checking voltages in integrated circuit by means of an electron detector
NL8700933A (nl) * 1987-04-21 1988-11-16 Philips Nv Testmethode voor lcd-elementen.
US4885534A (en) * 1988-09-14 1989-12-05 Santa Barbara Research Center Direct measurement of photodiode impedance using electron beam probing
DE3916924C1 (en) * 1989-05-24 1990-05-31 Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De Testing electro-optical qualities of semiconductor components - combining several edge-emitting components on wafer and detecting emitted light by opto-electric transducer
US5274325A (en) * 1991-03-18 1993-12-28 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method and apparatus for electro-optic sampling measurement of electrical signals in integrated circuits
US5268638A (en) * 1991-07-15 1993-12-07 Siemens Aktiengesellschaft Method for particle beam testing of substrates for liquid crystal displays "LCD"
US5338932A (en) * 1993-01-04 1994-08-16 Motorola, Inc. Method and apparatus for measuring the topography of a semiconductor device
US5378902A (en) * 1993-09-02 1995-01-03 The Regents Of The University Of Colorado Optoelectronic maximum identifier for detecting the physical location of a maximum intensity optical signal in a winner-take-all network
DE4433733A1 (de) * 1993-09-21 1995-03-23 Advantest Corp IC-Analysesystem mit einer Ladungsteilchenstrahlvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
GB9608618D0 (en) 1996-07-03
JP3693422B2 (ja) 2005-09-07
JP2003035752A (ja) 2003-02-07
FR2736725A1 (fr) 1997-01-17
GB2303216A (en) 1997-02-12
JP3759059B2 (ja) 2006-03-22
GB2303216B (en) 2000-07-05
FR2736725B1 (fr) 1999-03-26
DE19525081A1 (de) 1997-01-16
US5834773A (en) 1998-11-10
DE19525081B4 (de) 2006-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3693422B2 (ja) 微細構造素子の機能の試験方法
JP3441955B2 (ja) 投射方式の荷電粒子顕微鏡および基板検査システム
US11791132B2 (en) Aperture array with integrated current measurement
JPH11326247A (ja) 基板検査装置およびこれを備えた基板検査システム並びに基板検査方法
JPH08501407A (ja) レーザ脱離イオン化質量モニター(ldim)
JP5211178B2 (ja) 電子検出装置及び走査型電子顕微鏡
JPH11329247A (ja) 電界放出フラットパネルディスプレイの検査装置及び検査方法
US5150043A (en) Apparatus and method for non-contact surface voltage probing by scanning photoelectron emission
JP2000338048A (ja) 表面検査方法及び検査装置
US5053699A (en) Scanning electron microscope based parametric testing method and apparatus
JP3804046B2 (ja) 回路基板の検査装置および検査方法
JP5362355B2 (ja) マイクロカラムを用いた微細パターンおよび形状検査装置
US6369590B1 (en) Apparatus and method using photoelectric effect for testing electrical traces
JP2000077019A (ja) 電子顕微鏡
JPS62219534A (ja) 粒子ゾンデを使用する時間に関係する信号の測定方法と装置
KR20030050320A (ko) 반도체 기판 검사 방법 및 장치
JPH10284552A (ja) 電位測定方法及びその装置並びに導通検査方法及びその装置
US11977099B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP3419662B2 (ja) 仕事関数測定方法、仕事関数測定装置、及び試料ホルダ
JP3934664B2 (ja) 回路基板の検査装置および検査方法
JPH10213556A (ja) 表面元素分析装置及び分析方法
JP2003004667A (ja) 走査透過電子顕微鏡用薄膜状試料の作製方法および薄膜試料の観察方法
JPH01235836A (ja) カソードルミネッセンス測定装置
GB2224352A (en) Light waveform measuring apparatus
JPH05109379A (ja) 走査型反射電子顕微鏡

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20011205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050316

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050425

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050621

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090701

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100701

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110701

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110701

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110701

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110701

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120701

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees