JPH0714086B2 - エキシマレ−ザ装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/07—Construction or shape of active medium consisting of a plurality of parts, e.g. segments
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- H01S3/076—Folded-path lasers
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- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、エキシマレーザ装置に関し、より詳細には、
半導体プロセス等の分野で応用展開が期待される希ガス
ハライドエキシマレーザにおいて、特に低ガス圧時に効
果の大きい利用効率の良い出力ビーム断面を得るエキシ
マレーザ装置に関する。
半導体プロセス等の分野で応用展開が期待される希ガス
ハライドエキシマレーザにおいて、特に低ガス圧時に効
果の大きい利用効率の良い出力ビーム断面を得るエキシ
マレーザ装置に関する。
従来の技術 希ガスハライド放電励起エキシマレーザ（以後、エキシ
マレーザと言う）は、紫外線域で高出力、高繰返しのレ
ーザ発振をすることができるため、各種の研究用光源と
してはもちろんのこと、半導体プロセス、化学工業、医
療、エネルギー分野での応用展開が期待されている。
マレーザと言う）は、紫外線域で高出力、高繰返しのレ
ーザ発振をすることができるため、各種の研究用光源と
してはもちろんのこと、半導体プロセス、化学工業、医
療、エネルギー分野での応用展開が期待されている。
エキシマレーザとしては、代表される種類として、発振
波長、193nmのArF、248nmのKrF、308nmのXeClのエキシ
マレーザが知られている。いずれも、希ガスとハロゲン
ガスからなる利得媒体をガス圧力容器（放電室）に封入
し、放電励起することによりレーザ発振を得る。
波長、193nmのArF、248nmのKrF、308nmのXeClのエキシ
マレーザが知られている。いずれも、希ガスとハロゲン
ガスからなる利得媒体をガス圧力容器（放電室）に封入
し、放電励起することによりレーザ発振を得る。
第３図は、従来のエキシマレーザ装置の本発明に係る部
分の断面を示している。レーザ発振に必要な電源、電気
回路等は図示していない。第３図に於いて、利得媒質１
は、放電室２の中に封入されている。放電室２の中に
は、光軸７の方向に延びる２つの主電極3,4が配置され
ている。図示されていないが、コンデンサーに蓄えられ
たエネルギーを充放電できるよう主電極3,4はそれぞれ
電気的に結線されている。主電極3,4間に高圧パルスが
印加される直前に、予備電離手段５から、UV光が照射さ
れ、主電極3,4に挾まれたギャップ間があらかじめイオ
ン化される。主電極3,4間のパルス印加電圧が、利得媒
体１のブレークダウンボルテージに達すると、主電極3,
4間にグロー放電（放電路）６が生じ、利得媒体１が励
起され、光軸７の方向に対向して配置された部分透過鏡
10と図示していない全反射鏡間でレーザ発振が起きる構
造となっている。
分の断面を示している。レーザ発振に必要な電源、電気
回路等は図示していない。第３図に於いて、利得媒質１
は、放電室２の中に封入されている。放電室２の中に
は、光軸７の方向に延びる２つの主電極3,4が配置され
ている。図示されていないが、コンデンサーに蓄えられ
たエネルギーを充放電できるよう主電極3,4はそれぞれ
電気的に結線されている。主電極3,4間に高圧パルスが
印加される直前に、予備電離手段５から、UV光が照射さ
れ、主電極3,4に挾まれたギャップ間があらかじめイオ
ン化される。主電極3,4間のパルス印加電圧が、利得媒
体１のブレークダウンボルテージに達すると、主電極3,
4間にグロー放電（放電路）６が生じ、利得媒体１が励
起され、光軸７の方向に対向して配置された部分透過鏡
10と図示していない全反射鏡間でレーザ発振が起きる構
造となっている。
この時、封入される利得媒体のガス圧力が高い程、単一
パルス当りのレーザ出力エネルギーが大きい事は良く知
られており、２〜４気圧での動作が一般的である。
パルス当りのレーザ出力エネルギーが大きい事は良く知
られており、２〜４気圧での動作が一般的である。
一方、光軸方向に延びる２つの主電極の間隔（放電路の
高さＨ）は、その最適値が封入ガス圧（Ｐ）に依存し、
経験的に次のような関係となっている。
高さＨ）は、その最適値が封入ガス圧（Ｐ）に依存し、
経験的に次のような関係となっている。
Ｈ（高さ）・Ｐ（圧力）6kg/cm したがって、封入圧力が高い程、電極間隔が狭くなり、
低ガス圧になるに従って電極間隔を広く設定する事が好
ましい。化学工業あるいは、エネルギー分野での応用で
は、単一パルス当りの出力エネルギーを大きくする事が
要望されるため、３気圧以上の高ガス圧動作が適し、こ
の場合の一般的出力ビーム断面はＨ≒20mm、Ｗ≒15mm程
度となる。
低ガス圧になるに従って電極間隔を広く設定する事が好
ましい。化学工業あるいは、エネルギー分野での応用で
は、単一パルス当りの出力エネルギーを大きくする事が
要望されるため、３気圧以上の高ガス圧動作が適し、こ
の場合の一般的出力ビーム断面はＨ≒20mm、Ｗ≒15mm程
度となる。
半導体プロセスに於けるフォトリソグラフィー用光源と
しては、単一パルスに於ける出力エネルギよりむしろ、
高繰返し化による平均出力増大化が望まれる。何故なら
ば、フォトレジスト等感光性材料の露光には、余り大き
な単一パルスエネルギーは必要としない。例えばPMMAの
ような材料に於いても、300mJ／cm2を越える単一パルス
エネルギを照射するとアブレーションを生じ、かえって
問題となる。従って、ひとつのチップを露光するには、
小さなパルスエネルギで複数回照射を行なう方法が好ま
しい。フォトリソグラフィー光源として要求されるとこ
ろは、少なくとも200Hz以上の高繰返し性能を有するこ
とである。
しては、単一パルスに於ける出力エネルギよりむしろ、
高繰返し化による平均出力増大化が望まれる。何故なら
ば、フォトレジスト等感光性材料の露光には、余り大き
な単一パルスエネルギーは必要としない。例えばPMMAの
ような材料に於いても、300mJ／cm2を越える単一パルス
エネルギを照射するとアブレーションを生じ、かえって
問題となる。従って、ひとつのチップを露光するには、
小さなパルスエネルギで複数回照射を行なう方法が好ま
しい。フォトリソグラフィー光源として要求されるとこ
ろは、少なくとも200Hz以上の高繰返し性能を有するこ
とである。
発明が解決しようとする問題点 高繰返し化実現のためには、２つの主電極間を通過する
利得媒体の流速が速い事が条件となる。例えば、主電極
間に形成される前記の放電路の幅をＷ（ｍ）、繰返し周
波数をＮ（1/sec）とし、主放電後に、放電路内にある
レーザガスが次の放電時に完全に入替っているとすると
必要となるレーザガスの流速Ｕ（m/sec）は、 Ｕ＝CR・Ｗ・Ｎ で定義される。CRの値は、理想的には１であるが、発振
器の構造、電極の形状等で大きく変化する値であり、一
般的にはCR＝２〜３程度となる。例えば、放電路の幅Ｗ
＝0.02m、繰返し数Ｎ＝5001/secでCR＝２となる構造の
レーザ発振器の場合、レーザガス流速は20m/secが必要
となってくる。
利得媒体の流速が速い事が条件となる。例えば、主電極
間に形成される前記の放電路の幅をＷ（ｍ）、繰返し周
波数をＮ（1/sec）とし、主放電後に、放電路内にある
レーザガスが次の放電時に完全に入替っているとすると
必要となるレーザガスの流速Ｕ（m/sec）は、 Ｕ＝CR・Ｗ・Ｎ で定義される。CRの値は、理想的には１であるが、発振
器の構造、電極の形状等で大きく変化する値であり、一
般的にはCR＝２〜３程度となる。例えば、放電路の幅Ｗ
＝0.02m、繰返し数Ｎ＝5001/secでCR＝２となる構造の
レーザ発振器の場合、レーザガス流速は20m/secが必要
となってくる。
高ガス圧動作のエキシマレーザで前記の流速を得るに
は、放電室内に設けられたガス循環のためのファンを駆
動するのに、大容量のモータが必要となってくるばかり
でなく、循環用ファンの構造、支持体、軸受等かなり頑
丈であることが要求され装置が大掛りとなるとともに、
コスト高につながり得策ではない。
は、放電室内に設けられたガス循環のためのファンを駆
動するのに、大容量のモータが必要となってくるばかり
でなく、循環用ファンの構造、支持体、軸受等かなり頑
丈であることが要求され装置が大掛りとなるとともに、
コスト高につながり得策ではない。
従って、高繰返し化を図るためには、低ガス圧動作のエ
キシマレーザの方が有利と言える。しかしながら、低ガ
ス圧動作のエキシマレーザに於いて効率の良い発振を得
るためには、前記のごとく２つの主電極間隔を広くする
必要がある。このため、レーザ放射に利用可能な放電路
の高さ（Ｈ）が大きくなる。
キシマレーザの方が有利と言える。しかしながら、低ガ
ス圧動作のエキシマレーザに於いて効率の良い発振を得
るためには、前記のごとく２つの主電極間隔を広くする
必要がある。このため、レーザ放射に利用可能な放電路
の高さ（Ｈ）が大きくなる。
このことは、エキシマレーザの出力ビーム断面に於い
て、ビーム幅（Ｗ′）とビーム高さ（Ｈ′）の比が大き
くなることを意味している。低ガス圧動作例えば封入圧
力が２気圧の場合、最適な電極間隔が3cm程度となり、
取り出されるエキシマレーザビームの断面形状は、高さ
（Ｈ′）〜約3cm、幅（Ｗ′）〜約1.5cmの長方形とな
り、Ｈ′/W′≒２程度となる。更に封入ガス圧力が低い
時はＨ′/W′の比が更に大きい長方形ビームが得られ
る。このことは、エキシマレーザビームの応用面を考慮
すると、決して望ましいことではない。例えば、半導体
プロセスに於けるフォトリソグラフィーに利用する場合
にあっても、レーザ出力の有効利用を考慮すると、レン
ズ光学系の寸法が不必要に大きくなり、高価なものにな
る。又、レンズ有効径を、エキシマレーザビームの高さ
（Ｈ′）より小さいものを使用する場合には、レンズ有
効径に合せアパーチャ等により制限する必要があり、レ
ーザ出力の有効利用をはかることができない等の欠点を
有する。
て、ビーム幅（Ｗ′）とビーム高さ（Ｈ′）の比が大き
くなることを意味している。低ガス圧動作例えば封入圧
力が２気圧の場合、最適な電極間隔が3cm程度となり、
取り出されるエキシマレーザビームの断面形状は、高さ
（Ｈ′）〜約3cm、幅（Ｗ′）〜約1.5cmの長方形とな
り、Ｈ′/W′≒２程度となる。更に封入ガス圧力が低い
時はＨ′/W′の比が更に大きい長方形ビームが得られ
る。このことは、エキシマレーザビームの応用面を考慮
すると、決して望ましいことではない。例えば、半導体
プロセスに於けるフォトリソグラフィーに利用する場合
にあっても、レーザ出力の有効利用を考慮すると、レン
ズ光学系の寸法が不必要に大きくなり、高価なものにな
る。又、レンズ有効径を、エキシマレーザビームの高さ
（Ｈ′）より小さいものを使用する場合には、レンズ有
効径に合せアパーチャ等により制限する必要があり、レ
ーザ出力の有効利用をはかることができない等の欠点を
有する。
このように従来技術では、折返し構造をとっていないた
め、放電路６の幅（Ｗ′）及び高さ（Ｈ′）がそのま
ま、発振器から取り出されるレーザビームの断面形状と
なる。このため、低ガス圧動作の場合Ｈ′/W′の比が大
きくなるという欠点を有している。
め、放電路６の幅（Ｗ′）及び高さ（Ｈ′）がそのま
ま、発振器から取り出されるレーザビームの断面形状と
なる。このため、低ガス圧動作の場合Ｈ′/W′の比が大
きくなるという欠点を有している。
本発明の目的は、上記従来技術の問題を解決するもの
で、簡易な構造でビーム利用率の高い低ガス圧動作、高
繰返しエキシマレーザを提供しようとするものである。
で、簡易な構造でビーム利用率の高い低ガス圧動作、高
繰返しエキシマレーザを提供しようとするものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、利
得媒体を入れた放電室、光軸の方向に延びる少なくとも
２個の主電極、主放電の前に予じめ予備電離するための
手段、ならびに全反射光学要素及び部分透過出力要素を
有する発振器からなるガスレーザに於いて、レーザ放射
に利用可能な放電路の高さ（Ｈ）が放電路の幅（Ｗ）よ
り少なくとも大きくなるように設定されており、かつ発
振器は前記放電路内で高さ（Ｈ）を２等分するように、
レーザビームを折返す少なくとも１個の光学要素を有
し、主電極間に形成されるレーザ放射に利用可能な放電
路内で互いに平行になるよう折返えすようにしたもので
ある。
得媒体を入れた放電室、光軸の方向に延びる少なくとも
２個の主電極、主放電の前に予じめ予備電離するための
手段、ならびに全反射光学要素及び部分透過出力要素を
有する発振器からなるガスレーザに於いて、レーザ放射
に利用可能な放電路の高さ（Ｈ）が放電路の幅（Ｗ）よ
り少なくとも大きくなるように設定されており、かつ発
振器は前記放電路内で高さ（Ｈ）を２等分するように、
レーザビームを折返す少なくとも１個の光学要素を有
し、主電極間に形成されるレーザ放射に利用可能な放電
路内で互いに平行になるよう折返えすようにしたもので
ある。
作用 上記技術的手段による作用は、次のようになる。
放電路内で放電路の高さを２等分するようにレーザビー
ムを少なくとも１個の光学要素により平行に折返す構成
となっているため、出力ビームのH/W比がほとんど１に
近く出来る。したがって、利用効率の高いエキシマレー
ザビームを取り出すことが可能となり、かつレンズ光学
系の寸法も小さくすることができる。
ムを少なくとも１個の光学要素により平行に折返す構成
となっているため、出力ビームのH/W比がほとんど１に
近く出来る。したがって、利用効率の高いエキシマレー
ザビームを取り出すことが可能となり、かつレンズ光学
系の寸法も小さくすることができる。
実施例 以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。まず本発明の第１の実施例について説明する。
明する。まず本発明の第１の実施例について説明する。
第１図ａは、本発明の第１実施例におけるエキシマレー
ザ発振器の光軸に直角な概略横断面図であり、第１図ｂ
は、光軸方向の概略横断面図である。第１図において、
希ガス及びハロゲンガスからなる利得媒体（レーザガ
ス）１は、放電室２の閉空間内に３気圧（2280torr）以
下の所定の圧力で封入され、図示されていないが、クロ
スファンのようなもので、主電極3,4により形成される
ギャップ間を光軸７に直角な方向に高速（20〜30m/se
c）に循環されている。主電極３及び４は、均一なグロ
ー放電が得られるよう、ロゴスキー又はチャング型断面
形に少なくとも類似するよう形成されている。２つの主
電極3,4は、図示されていないが、例えば高電圧容量移
行型パルス回路に、それぞれ適合して接続されており、
コンデンサーの充放電エネルギーにより、主電極間のギ
ャップで短時間、均一なグロー放電が行なわれ、レーザ
放射に利用可能な放電路６が形成される。予備電離装置
５は、主電極3,4に高電圧パルスが印加される時、自動
的にUV光が放射されるよう設定されており、放電路６を
主放電に先立って予備的にイオン化させ、主放電の均質
グロー化を助けている。放電室２には、主電極3,4間に
形成されるレーザ放射に利用可能な放電路の高さ（Ｈ）
を２分割、例えば２等分するように、光軸7,7′が配置
される。この光軸7,7′に対応し放電室の片側に一体の
部分透過光学要素10、全反射光学要素11が直角に配置さ
れる。放電室２の一方の側には、一体の折返し光学要素
９が光軸7,7′に適合し、放電路６の高さ（Ｈ）を２等
分し、他方の光学要素10,11に相体して配置され、光学
共振器を構成している。
ザ発振器の光軸に直角な概略横断面図であり、第１図ｂ
は、光軸方向の概略横断面図である。第１図において、
希ガス及びハロゲンガスからなる利得媒体（レーザガ
ス）１は、放電室２の閉空間内に３気圧（2280torr）以
下の所定の圧力で封入され、図示されていないが、クロ
スファンのようなもので、主電極3,4により形成される
ギャップ間を光軸７に直角な方向に高速（20〜30m/se
c）に循環されている。主電極３及び４は、均一なグロ
ー放電が得られるよう、ロゴスキー又はチャング型断面
形に少なくとも類似するよう形成されている。２つの主
電極3,4は、図示されていないが、例えば高電圧容量移
行型パルス回路に、それぞれ適合して接続されており、
コンデンサーの充放電エネルギーにより、主電極間のギ
ャップで短時間、均一なグロー放電が行なわれ、レーザ
放射に利用可能な放電路６が形成される。予備電離装置
５は、主電極3,4に高電圧パルスが印加される時、自動
的にUV光が放射されるよう設定されており、放電路６を
主放電に先立って予備的にイオン化させ、主放電の均質
グロー化を助けている。放電室２には、主電極3,4間に
形成されるレーザ放射に利用可能な放電路の高さ（Ｈ）
を２分割、例えば２等分するように、光軸7,7′が配置
される。この光軸7,7′に対応し放電室の片側に一体の
部分透過光学要素10、全反射光学要素11が直角に配置さ
れる。放電室２の一方の側には、一体の折返し光学要素
９が光軸7,7′に適合し、放電路６の高さ（Ｈ）を２等
分し、他方の光学要素10,11に相体して配置され、光学
共振器を構成している。
一体の折返し光学要素９は、光軸7,7′の方向に対し直
角をなす１個の全反射面91と光軸7,7′に対しそれぞれ
ブリュースタ角（tanφ＝n1／n0n1は構成材料の発振波
長における屈折率、n0はレーザ媒質の屈折率）を満足
し、Ｐ偏光に対する表面反射率が極力ゼロとなるように
設けられた２つの透過平面92からなっている。
角をなす１個の全反射面91と光軸7,7′に対しそれぞれ
ブリュースタ角（tanφ＝n1／n0n1は構成材料の発振波
長における屈折率、n0はレーザ媒質の屈折率）を満足
し、Ｐ偏光に対する表面反射率が極力ゼロとなるように
設けられた２つの透過平面92からなっている。
上記のように構成される本発明の第１実施例では、レー
ザ放射に利用可能な放電路を有効に活用し、かつ低ガス
圧動作時の欠点であった出力ビームの断面形状の長方形
比（H/W）を高さ方向に２分割することにより、高ガス
圧動作時と同様にH/W比を１に近づけることが出来、外
部で用いる光学系の有効寸法を最少限にすることが可能
となる。又、本発明の第１実施例では、一体の折返し光
学要素９により、レーザが選択的に垂直偏光発振（Ｐ偏
光）となるため、レーザ発振器の外部で斜入射光学系を
用いた場合に安定した光量の分割が可能となる事も利点
のひとつである。
ザ放射に利用可能な放電路を有効に活用し、かつ低ガス
圧動作時の欠点であった出力ビームの断面形状の長方形
比（H/W）を高さ方向に２分割することにより、高ガス
圧動作時と同様にH/W比を１に近づけることが出来、外
部で用いる光学系の有効寸法を最少限にすることが可能
となる。又、本発明の第１実施例では、一体の折返し光
学要素９により、レーザが選択的に垂直偏光発振（Ｐ偏
光）となるため、レーザ発振器の外部で斜入射光学系を
用いた場合に安定した光量の分割が可能となる事も利点
のひとつである。
次に本発明の第２実施例について説明する。第２図は、
本発明の第２実施例を示す光軸方向の概略横断面図であ
る。第２実施例は、折返し光学要素12を除いては第１実
施例の通りである。
本発明の第２実施例を示す光軸方向の概略横断面図であ
る。第２実施例は、折返し光学要素12を除いては第１実
施例の通りである。
第２実施例の折返し光学要素12は、相互に直角を成し、
かつ光軸7,7′に対しそれぞれ45°の角を形成する２個
の反射鏡面13,13′を有し、光軸7,7′に対して垂直な透
過平面14により構成される一体の透明体から成る。
かつ光軸7,7′に対しそれぞれ45°の角を形成する２個
の反射鏡面13,13′を有し、光軸7,7′に対して垂直な透
過平面14により構成される一体の透明体から成る。
第２実施例の第１実施例にない特長は、折返し光学要素
12が、波長による光軸ずれを生じないために、反射鏡面
13,13′がエキシマレーザ波長域で広帯域長射率を有す
る場合、XeCl（308nm）からArF（193nm）まで、封入す
る利得媒体を変えるだけでそれぞれ発振させることが出
来る点にある。第２実施例の他の効果は、第１実施例と
同様である。
12が、波長による光軸ずれを生じないために、反射鏡面
13,13′がエキシマレーザ波長域で広帯域長射率を有す
る場合、XeCl（308nm）からArF（193nm）まで、封入す
る利得媒体を変えるだけでそれぞれ発振させることが出
来る点にある。第２実施例の他の効果は、第１実施例と
同様である。
発明の効果 以上述べたように、本発明によれば、レーザ放射に利用
可能な放電路の高さ（Ｈ）を１個の光学要素で主電極に
平行に２分割するため、放電により励起された利得媒質
を有効に活用し、高繰返しに重要な低ガス圧動作時に、
特性を損うことなしに、レーザ出力ビーム断面を正方形
あるいはそれに近い形状にすることが出来るようにな
り、外部で用いる光学系の有効寸法を小さくすることが
可能となり、低コスト化が図れる。
可能な放電路の高さ（Ｈ）を１個の光学要素で主電極に
平行に２分割するため、放電により励起された利得媒質
を有効に活用し、高繰返しに重要な低ガス圧動作時に、
特性を損うことなしに、レーザ出力ビーム断面を正方形
あるいはそれに近い形状にすることが出来るようにな
り、外部で用いる光学系の有効寸法を小さくすることが
可能となり、低コスト化が図れる。
又、一体の折返し光学要素により、レーザが選択的に垂
直偏光発振となるため、レーザ発振器の外部で斜入射光
学系を容易に用いることが可能となり、出力モニター、
ビーム分割等の精度が向上する。
直偏光発振となるため、レーザ発振器の外部で斜入射光
学系を容易に用いることが可能となり、出力モニター、
ビーム分割等の精度が向上する。
更に、直角プリズム型折返し光学要素により、XeCl、Kr
F、ArFを光学要素に手を加えることなしに、低ガス圧で
高繰返し高効率発振出来るようになり、用途が広くなっ
た。
F、ArFを光学要素に手を加えることなしに、低ガス圧で
高繰返し高効率発振出来るようになり、用途が広くなっ
た。
本発明に於いて得られる上記の効果は、部分透過光学要
素、全反射光学要素が必ずしも一体であることには、制
約されるものではない。更に又、本発明による効果は、
直角プリズム形折返し光学要素が、必ずしも一体である
ことは制約するものでなく、相互に直角を成す別個の反
射鏡面であっても良い。
素、全反射光学要素が必ずしも一体であることには、制
約されるものではない。更に又、本発明による効果は、
直角プリズム形折返し光学要素が、必ずしも一体である
ことは制約するものでなく、相互に直角を成す別個の反
射鏡面であっても良い。
なお本発明は、低ガス圧動作のみに限らず、高ガス圧動
作に於いても応用出来るものである。
作に於いても応用出来るものである。
第１図は、本発明の第１実施例のレーザ発振器を示す概
略横断面図で、ａは光軸に直角方向の断面図、ｂは光軸
方向の断面図、第２図は、本発明の第２実施例のレーザ
発振器を示す概略横断面図、第３図は、従来技術のレー
ザ発振器を示す概略横断図である。 １…利得媒体（エキシマレーザガス）、２…放電室、3,
4…主電極、５…予備電離装置、６…放電路、7,7′…光
軸、９…レーザビーム折返し光学要素、10…部分透過光
学要素、11…全反射光学要素、12…直角プリズム形折返
し光学要素、13,13′…反射鏡面、14…透過平面。
略横断面図で、ａは光軸に直角方向の断面図、ｂは光軸
方向の断面図、第２図は、本発明の第２実施例のレーザ
発振器を示す概略横断面図、第３図は、従来技術のレー
ザ発振器を示す概略横断図である。 １…利得媒体（エキシマレーザガス）、２…放電室、3,
4…主電極、５…予備電離装置、６…放電路、7,7′…光
軸、９…レーザビーム折返し光学要素、10…部分透過光
学要素、11…全反射光学要素、12…直角プリズム形折返
し光学要素、13,13′…反射鏡面、14…透過平面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮田 威男 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 (72)発明者 佐野 令而 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】利得媒体を入れた放電室、光軸の方向に延
びる少なくとも２個の主電極、主放電の前に予じめ予備
電離するための手段、及び全反射光学要素、部分透過出
力要素、並びに放電路内で高さを２分するようにレーザ
ビームを折返す少なくとも１個の光学要素を有すること
を特徴とするエキシマレーザ装置。 - 【請求項２】レーザビームは、主電極間に形成される放
射に利用可能な放電路内で互いに略平行になるように折
返されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のエキシマレーザ装置。 - 【請求項３】レーザビームを折返す光学要素が、レーザ
放射に利用可能な放電路内の光軸に対し略直角な１つの
反射面と、前記光軸に対し各々略ブリュースター角に相
当する角度に形成された２つの平面から成ることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のエキシマレーザ装
置。 - 【請求項４】レーザビームを折返す光学要素が、相互に
略直角を成し、かつ光軸に対し各々略45°の角度を有す
る２個の反射鏡面を有することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のエキシマレーザ装置。 - 【請求項５】レーザ発振に必要な利得媒体の全圧が３気
圧以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のエキシマレーザ装置。 - 【請求項６】全反射光学要素及び部分透過出力要素が一
体となって構成されたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のエキシマレーザ装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6458087A JPH0714086B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | エキシマレ−ザ装置 |
| US07/169,784 US5042047A (en) | 1987-03-19 | 1988-03-18 | Laser apparatus |
| DE3884832T DE3884832T2 (de) | 1987-03-19 | 1988-03-18 | Laservorrichtung. |
| EP92105632A EP0495535B1 (en) | 1987-03-19 | 1988-03-18 | Laser apparatus |
| DE3854236T DE3854236T2 (de) | 1987-03-19 | 1988-03-18 | Laser-Apparat. |
| EP88104387A EP0283044B1 (en) | 1987-03-19 | 1988-03-18 | Laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6458087A JPH0714086B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | エキシマレ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229880A JPS63229880A (ja) | 1988-09-26 |
| JPH0714086B2 true JPH0714086B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=13262321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6458087A Expired - Fee Related JPH0714086B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | エキシマレ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714086B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02288280A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-28 | Nec Corp | 横放電励起パルスガスレーザ装置 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP6458087A patent/JPH0714086B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63229880A (ja) | 1988-09-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |