JPS63229880A - エキシマレ−ザ装置 - Google Patents
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- H01S3/076—Folded-path lasers
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- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
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- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
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- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
- H01S3/09713—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited with auxiliary ionisation, e.g. double discharge excitation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、エキシマレーザ装置に関し、より詳細には、
半導体プロセス等の分野で応用展開が期待される希ガス
ハライドエキシマレーザにおいて、特に低ガス圧時に効
果の大きい利用効率の良い出力ビーム断面を得るエキシ
マレーザ装置に関する。
半導体プロセス等の分野で応用展開が期待される希ガス
ハライドエキシマレーザにおいて、特に低ガス圧時に効
果の大きい利用効率の良い出力ビーム断面を得るエキシ
マレーザ装置に関する。
従来の技術
希ガスハライド放電励起エキシマレーザ（以後、エキシ
マレーザと言う）は、紫外線域で高出力、高繰返しのレ
ーザ発振をすることができるため、各種の研究用光源と
してはもちろんのこと、半導体プロセス、化学工業、医
療、エネルギー分野での応用展開が期待されている。
マレーザと言う）は、紫外線域で高出力、高繰返しのレ
ーザ発振をすることができるため、各種の研究用光源と
してはもちろんのこと、半導体プロセス、化学工業、医
療、エネルギー分野での応用展開が期待されている。
エキシマレーザとしては、代表される種類として、発振
波長、１９３ｎｍのＡｒＦ、２４８ｎｍのＫｒＦ、
３０８ｎｍのｘｅＣｔのエキシマレーザが知られている
。いずれも、希ガスとハロゲンガスからなる利得媒体を
ガス圧力容器（放電室）に封入し、放電励起することに
よりレーザ発振を得る。
波長、１９３ｎｍのＡｒＦ、２４８ｎｍのＫｒＦ、
３０８ｎｍのｘｅＣｔのエキシマレーザが知られている
。いずれも、希ガスとハロゲンガスからなる利得媒体を
ガス圧力容器（放電室）に封入し、放電励起することに
よりレーザ発振を得る。
第３図は、従来のエキシマレーザ装置の本発明に係る部
分の断面を示している。レーザ発振に必要な電源、電気
回路等は図示していない。第３図に於いて、利得媒質１
は、放電室２の中に封入されている。放電室２の中には
、光軸７の方向に延びる２つの主電極３，４が配置され
ている。図示されていないが、コンデンサーに蓄えられ
たエネルギーを充放電できるよう主電極３，４はそれぞ
れ電気的に結線されている。主電極３，４間に高圧パル
スが印加される直前に、予備電離手段５から、ＵＶ光が
照射され、主電極３，４に挾まれたギャップ間があらか
じめイオン化される。主電極３゜４間のパルス印加電圧
が、利得媒体１のブレークダウンボルテージに達すると
、主電極３．・１間にグロー放電（放電路）６が生じ、
利得媒体１が励起され、光軸７の方向に対向して配置さ
れた部分透過鏡１０と図示していない全反射鏡間でレー
ザ発振が起きる構造となっている。
分の断面を示している。レーザ発振に必要な電源、電気
回路等は図示していない。第３図に於いて、利得媒質１
は、放電室２の中に封入されている。放電室２の中には
、光軸７の方向に延びる２つの主電極３，４が配置され
ている。図示されていないが、コンデンサーに蓄えられ
たエネルギーを充放電できるよう主電極３，４はそれぞ
れ電気的に結線されている。主電極３，４間に高圧パル
スが印加される直前に、予備電離手段５から、ＵＶ光が
照射され、主電極３，４に挾まれたギャップ間があらか
じめイオン化される。主電極３゜４間のパルス印加電圧
が、利得媒体１のブレークダウンボルテージに達すると
、主電極３．・１間にグロー放電（放電路）６が生じ、
利得媒体１が励起され、光軸７の方向に対向して配置さ
れた部分透過鏡１０と図示していない全反射鏡間でレー
ザ発振が起きる構造となっている。
この時、封入される利得媒体のガス圧力が高い程、単一
パルス当りのレーザ出力エネルギーが大きい事は良く知
られており、２〜４気圧での動作が一般的である。
パルス当りのレーザ出力エネルギーが大きい事は良く知
られており、２〜４気圧での動作が一般的である。
一方、光軸方向に延びる２つの主電極の間隔（放電路の
高さＨ）は、その最適値が封入ガス圧（Ｐ）に依存し、
経験的に次のような関係となっている。
高さＨ）は、その最適値が封入ガス圧（Ｐ）に依存し、
経験的に次のような関係となっている。
Ｈ（高さ）−Ｐ（圧力）＝＝＋６ｋｖｒｎしたがって、
封入圧力が高い程、電極間隔が狭くなり、低ガス圧にな
るに従って電極間隔を広く設定する事が好ましい。化学
工業あるいは、エネルギー分野での応用では、単一パル
ス当りの出力エネルギーを大きくする事が要望されるた
め、３気圧以上の高ガス圧動作が適し、この場合の一般
的出力ビーム断面は Ｈ中２０ｍｍ、 Ｗ中１５ｍｍ程
度となる。
封入圧力が高い程、電極間隔が狭くなり、低ガス圧にな
るに従って電極間隔を広く設定する事が好ましい。化学
工業あるいは、エネルギー分野での応用では、単一パル
ス当りの出力エネルギーを大きくする事が要望されるた
め、３気圧以上の高ガス圧動作が適し、この場合の一般
的出力ビーム断面は Ｈ中２０ｍｍ、 Ｗ中１５ｍｍ程
度となる。
半導体プロセスに於けるフォトリソグラフィー用光源と
しては、単一パルスに於ける出力エネルギよりむしろ、
高繰返し化による平均出力増大化が望まれる。何故なら
ば、フォトレジスト等感光性材料の露光には、余り大き
な単一パルスエネルギーは必要としない。例えばＰＭＭ
Ａのような材料に於いても、３００ｍＪ／−を越える単
一パルスエネルギを照射するとアブレーションを生じ、
かえって問題となる。従って、ひとつのチップを露光す
るには、小さなパルスエネルギで複数回照射を行なう方
法が好ましい。フォトリソグラフィー光源として要求さ
れるところは、少なくとも２０（Ｈｚ以上の高繰返し性
能を有することである。
しては、単一パルスに於ける出力エネルギよりむしろ、
高繰返し化による平均出力増大化が望まれる。何故なら
ば、フォトレジスト等感光性材料の露光には、余り大き
な単一パルスエネルギーは必要としない。例えばＰＭＭ
Ａのような材料に於いても、３００ｍＪ／−を越える単
一パルスエネルギを照射するとアブレーションを生じ、
かえって問題となる。従って、ひとつのチップを露光す
るには、小さなパルスエネルギで複数回照射を行なう方
法が好ましい。フォトリソグラフィー光源として要求さ
れるところは、少なくとも２０（Ｈｚ以上の高繰返し性
能を有することである。
発明が解決しようとする問題点
高繰返し化実現のためには、２つの主電極間を通過する
利得媒体の流速が速い事が条件となる。
利得媒体の流速が速い事が条件となる。
例えば、主電極間に形成される前記の放電路の幅をＷ（
ｍ）、繰返し周波数をＮ（し鏡）とし、主放電後に、放
電路内にあるレーザガスが次の放電時に完全に入替って
いるとすると必要となるレーザガスの流速Ｕ（ｍ／ｉ戎
）は、 Ｕ＝ＯＲ−Ｗ−Ｎ で定義される。ＯＲの値は、理想的には１であるが、発
振器の構造、電極の形状等で大きく変化する値であり、
一般的には ０Ｒ＝２〜３程度となる。例えば、放電路
の幅ｗ＝＝０．０２ｍ、繰返し数Ｎ譚５００１／＝でＣ
Ｒ＝’；！となる構造のレーザ発振器の場合、レーザガ
ス流速は２０ ｍ／ｓｅｅが必要となってくる。
ｍ）、繰返し周波数をＮ（し鏡）とし、主放電後に、放
電路内にあるレーザガスが次の放電時に完全に入替って
いるとすると必要となるレーザガスの流速Ｕ（ｍ／ｉ戎
）は、 Ｕ＝ＯＲ−Ｗ−Ｎ で定義される。ＯＲの値は、理想的には１であるが、発
振器の構造、電極の形状等で大きく変化する値であり、
一般的には ０Ｒ＝２〜３程度となる。例えば、放電路
の幅ｗ＝＝０．０２ｍ、繰返し数Ｎ譚５００１／＝でＣ
Ｒ＝’；！となる構造のレーザ発振器の場合、レーザガ
ス流速は２０ ｍ／ｓｅｅが必要となってくる。
高ガス圧動作のエキシマレーザで前記の流速を得るには
、放電室内に設けられたガス循環のだめのファンを駆動
するのに、大容量のモータが必要となってくるばかりで
なく、循環用ファンの構造、支持体、軸受等かなり頑丈
であることが要求され装置が大損りとなるとともに、コ
スト高につながり得策ではない。
、放電室内に設けられたガス循環のだめのファンを駆動
するのに、大容量のモータが必要となってくるばかりで
なく、循環用ファンの構造、支持体、軸受等かなり頑丈
であることが要求され装置が大損りとなるとともに、コ
スト高につながり得策ではない。
従って、高繰返し化を図るためには、低ガス圧動作のエ
キシマレーザの方が有利と言える。しかしながら、低ガ
ス圧動作のエキシマレーザに於いて効率の良い発振を得
るためには、前記のごとく２つの主電極間隔を広くする
必要がある。このため、レーザ放射に利用可能な放電路
の高さくＨ）が大きくなる。
キシマレーザの方が有利と言える。しかしながら、低ガ
ス圧動作のエキシマレーザに於いて効率の良い発振を得
るためには、前記のごとく２つの主電極間隔を広くする
必要がある。このため、レーザ放射に利用可能な放電路
の高さくＨ）が大きくなる。
このことは、エキシマレーザの出力ビーム断面に於いて
、ビーム幅（Ｗ′）とビーム高さくＨ′）の比が大きく
なることを意味している。低ガス圧動作例えば封入圧力
が２気圧の場合、最適な電極間隔が３（２）程度となり
、取り出されるエキシマレーザビームの断面形状は、高
さくＦ■′）〜約３ｃｍ、幅（Ｗ′）〜約１．５ａｎの
長方形となり、Ｈ’／Ｗ’中２程度となる。
、ビーム幅（Ｗ′）とビーム高さくＨ′）の比が大きく
なることを意味している。低ガス圧動作例えば封入圧力
が２気圧の場合、最適な電極間隔が３（２）程度となり
、取り出されるエキシマレーザビームの断面形状は、高
さくＦ■′）〜約３ｃｍ、幅（Ｗ′）〜約１．５ａｎの
長方形となり、Ｈ’／Ｗ’中２程度となる。
更に封入ガス圧力が低い時はＨシＷ′の比が更に大きい
長方形ビームが得られる。このことは、エキシマレーザ
ビームの応用面を考慮すると、決して望ましいことでは
ない。例えば、半導体プロセスに於けるフォトリソグラ
フィーに利用する場合にあっても、レーザ出力の有効利
用を考慮すると、レンズ光学系の寸法斑不必要に大きく
なり、高価なものになる。又、レンズ有効径を、エキシ
マレーザビームの高さくＨ′）より小さいものを使用す
る場合には、レンズ有効径に合せアパーチャ等により制
限する必要があり、レーザ出力の有効利用をはかること
ができない等の欠点を有する。
長方形ビームが得られる。このことは、エキシマレーザ
ビームの応用面を考慮すると、決して望ましいことでは
ない。例えば、半導体プロセスに於けるフォトリソグラ
フィーに利用する場合にあっても、レーザ出力の有効利
用を考慮すると、レンズ光学系の寸法斑不必要に大きく
なり、高価なものになる。又、レンズ有効径を、エキシ
マレーザビームの高さくＨ′）より小さいものを使用す
る場合には、レンズ有効径に合せアパーチャ等により制
限する必要があり、レーザ出力の有効利用をはかること
ができない等の欠点を有する。
このように従来技術では、折返し構造をとっていないた
め、放電路６の幅（Ｗ′）及び高さくＨ′）がそのまま
、発振器から取り出されるレーザビームの断面形状とな
る。このため、低ガス圧動作の場合Ｈ／／ｗ／の比が大
きくなるという欠点を有している。
め、放電路６の幅（Ｗ′）及び高さくＨ′）がそのまま
、発振器から取り出されるレーザビームの断面形状とな
る。このため、低ガス圧動作の場合Ｈ／／ｗ／の比が大
きくなるという欠点を有している。
本発明の目的は、上記従来技術の問題を解決するもので
、簡易な構造でビーム利用率の高い低ガス圧動作、高繰
返しエキシマレーザを提供しようとするものである。
、簡易な構造でビーム利用率の高い低ガス圧動作、高繰
返しエキシマレーザを提供しようとするものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するだめの本発明の技術的手段は、利
得媒体を入れた放電室、光軸の方向に延びる少なくとも
２個の主電極、主放電の前に予じめ予備電離するための
手段、ならびに全反射光学要素及び部分透過出力要素を
有する発振器からなるガスレーザに於いて、レーザ放射
に利用可能な放電路の高さくＨ）が放電路の幅（Ｗ）
より少なくとも大きくなるように設定されており、か
つ発振器は前記放電路内で高さくＨ）を２等分するよう
に、レーザビームを折返す少なくとも１個の光学要素を
有し、主電極間に形成されるレーザ放射に利用可能な放
電路内で互いに平行になるよう折返えすようにしたもの
である。
得媒体を入れた放電室、光軸の方向に延びる少なくとも
２個の主電極、主放電の前に予じめ予備電離するための
手段、ならびに全反射光学要素及び部分透過出力要素を
有する発振器からなるガスレーザに於いて、レーザ放射
に利用可能な放電路の高さくＨ）が放電路の幅（Ｗ）
より少なくとも大きくなるように設定されており、か
つ発振器は前記放電路内で高さくＨ）を２等分するよう
に、レーザビームを折返す少なくとも１個の光学要素を
有し、主電極間に形成されるレーザ放射に利用可能な放
電路内で互いに平行になるよう折返えすようにしたもの
である。
作用
上記技術的手段による作用は、次のようになる。
放電路内で放電路の高さを２等分するようにレーザビー
ムを少なくとも１個の光学要素によシ平行に折返す構成
となっているため、出力ビームのＨβ比がほとんど１に
近く出来る。したがって、利用効率の高いエキシマレー
ザビームを取り出すことが可能となり、かつレンズ光学
系の寸法も小さくすることができる。
ムを少なくとも１個の光学要素によシ平行に折返す構成
となっているため、出力ビームのＨβ比がほとんど１に
近く出来る。したがって、利用効率の高いエキシマレー
ザビームを取り出すことが可能となり、かつレンズ光学
系の寸法も小さくすることができる。
実施例
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。まず本発明の第１の実施例について説明する。
明する。まず本発明の第１の実施例について説明する。
第１図ａは、本発明の第１実施例におけるエキシマレー
ザ発振器の光軸に直角な概略横断面図であり、第１図す
は、光軸方向の概略横断面図である。第１図において、
希ガス及びハロゲンガスか封入され、図示されていない
が、クロスファンのようなもので、主電極３．４により
形成されるギャップ間を光軸７に直角な方向に高速（２
０〜３０ｍ／５ｅｃ）に循環されている。主電極３及び
４は、均一なグロー放電が得られるよう、ロゴスキー又
はチャング型断面形に少なくとも類似するよう形成され
ている。２つの主電極３．４は、図示されていないが、
例えば高電圧容量移行型パルス回路に、それぞれ適合し
て接続されており、コンデンサーの充放電エネルギーに
より、主電極間のギャップで短時間、均一なグロー放電
が行なわれ、レーザ放射に利用可能な放電路６が形成さ
れる。予備電離装置５は、主電極３．４に高電圧パルス
が印加される時、自動的にＵＶ光が放射されるよう設定
されており、放電路６を主放電に先立って予備的にイオ
ン化させ、主放電の均質グロー化を助けている。放電室
２には、主電極３．４間に形成されるレーザ放射に利用
可能な放電路の高さくＨ）を２分割、例えば２等分する
ように、光軸７，７′が配置される。この光軸７，７′
に対応し放電室の片側に一体の部分透過光学要素１０、
全反射光学要素１１が直角に配置される。放電室２の一
方の側には、一体の折返し光学要素９が光軸７，７′に
適合し、放電路６の高さくＨ）を２等分し、他方の光学
要素１０．１１に相体して配置され、光学共振器を構成
している。
ザ発振器の光軸に直角な概略横断面図であり、第１図す
は、光軸方向の概略横断面図である。第１図において、
希ガス及びハロゲンガスか封入され、図示されていない
が、クロスファンのようなもので、主電極３．４により
形成されるギャップ間を光軸７に直角な方向に高速（２
０〜３０ｍ／５ｅｃ）に循環されている。主電極３及び
４は、均一なグロー放電が得られるよう、ロゴスキー又
はチャング型断面形に少なくとも類似するよう形成され
ている。２つの主電極３．４は、図示されていないが、
例えば高電圧容量移行型パルス回路に、それぞれ適合し
て接続されており、コンデンサーの充放電エネルギーに
より、主電極間のギャップで短時間、均一なグロー放電
が行なわれ、レーザ放射に利用可能な放電路６が形成さ
れる。予備電離装置５は、主電極３．４に高電圧パルス
が印加される時、自動的にＵＶ光が放射されるよう設定
されており、放電路６を主放電に先立って予備的にイオ
ン化させ、主放電の均質グロー化を助けている。放電室
２には、主電極３．４間に形成されるレーザ放射に利用
可能な放電路の高さくＨ）を２分割、例えば２等分する
ように、光軸７，７′が配置される。この光軸７，７′
に対応し放電室の片側に一体の部分透過光学要素１０、
全反射光学要素１１が直角に配置される。放電室２の一
方の側には、一体の折返し光学要素９が光軸７，７′に
適合し、放電路６の高さくＨ）を２等分し、他方の光学
要素１０．１１に相体して配置され、光学共振器を構成
している。
一体の折返し光学要素９は、光軸７，７′の方向に対し
直角をなす１個の全反射面９１と光軸７，７′に対しそ
れぞれブリュースタ角（ｔ＝ｎφ＝ ｎ＆／ｎ＠ｎ１は
構成材料の発振波長における屈折率、ｎ、はレーザ媒質
の屈折率）を満足し、Ｐ偏光に対する表面反射率が極力
ゼロとなるように設けられた２つの透過平面９２からな
っている。
直角をなす１個の全反射面９１と光軸７，７′に対しそ
れぞれブリュースタ角（ｔ＝ｎφ＝ ｎ＆／ｎ＠ｎ１は
構成材料の発振波長における屈折率、ｎ、はレーザ媒質
の屈折率）を満足し、Ｐ偏光に対する表面反射率が極力
ゼロとなるように設けられた２つの透過平面９２からな
っている。
上記のように構成される本発明の第１実施例では、レー
ザ放射に利用可能な放電路を有効に活用し、かつ低ガス
圧動作時の欠点であった出力ビームの断面形状の長方形
比（）−Ｉ ／ Ｗ ）を高さ方向に２分割することに
より、高ガス圧動作時と同様にＨ／Ｗ比を１に近づける
ことが出来、外部で用いる光学系の有効寸法を最少限に
することが可能となる。又、本発明の第１実施例では、
一体の折返し光学要素９により、レーザが選択的に垂直
偏光発振（Ｐ偏光）となるため、レーザ発振器の外部で
斜入射光学系を用いた場合に安定した光量の分割が可能
となる事も利点のひとつである。
ザ放射に利用可能な放電路を有効に活用し、かつ低ガス
圧動作時の欠点であった出力ビームの断面形状の長方形
比（）−Ｉ ／ Ｗ ）を高さ方向に２分割することに
より、高ガス圧動作時と同様にＨ／Ｗ比を１に近づける
ことが出来、外部で用いる光学系の有効寸法を最少限に
することが可能となる。又、本発明の第１実施例では、
一体の折返し光学要素９により、レーザが選択的に垂直
偏光発振（Ｐ偏光）となるため、レーザ発振器の外部で
斜入射光学系を用いた場合に安定した光量の分割が可能
となる事も利点のひとつである。
次に本発明の第２実施例について説明する。第２図は、
本発明の第２実施例を示す光軸方向の概略横断面図であ
る。第２実施例は、折返し光学要素１２を除いては第１
実施例の通シである。
本発明の第２実施例を示す光軸方向の概略横断面図であ
る。第２実施例は、折返し光学要素１２を除いては第１
実施例の通シである。
第２実施例の折返し光学要素１２は、相互に直角を成し
、かつ光軸７，７′に対しそれぞれ４５°の角を形成す
る２個の反射鏡面１３．１３’を有し、光軸７゜７′に
対して垂直な透過平面１４により構成される一体の透明
体から成る。
、かつ光軸７，７′に対しそれぞれ４５°の角を形成す
る２個の反射鏡面１３．１３’を有し、光軸７゜７′に
対して垂直な透過平面１４により構成される一体の透明
体から成る。
第２実施例の第１実施例にない特長は、折返し光学要素
１２が、波長による光軸ずれを生じないために、反射鏡
面１３．１３’がエキシマレーザ波長域で広帯域長射率
を有する場合、ｘｅｃｌ （３０８ｎｍ）からＡｒＦ
（１９３ｎｍ）まで、封入する利得媒体を変えるだけで
それぞれ発振させることが出来る点にある。
１２が、波長による光軸ずれを生じないために、反射鏡
面１３．１３’がエキシマレーザ波長域で広帯域長射率
を有する場合、ｘｅｃｌ （３０８ｎｍ）からＡｒＦ
（１９３ｎｍ）まで、封入する利得媒体を変えるだけで
それぞれ発振させることが出来る点にある。
第２実施例の他の効果は、第１実施例と同様である。
発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、レーザ放射に利用
可能な放電路の高さくＨ）を１個の光学要素で主電極に
平行に２分割するため、放電により励起された利得媒質
を有効に活用し、高繰返しに重要な低ガス圧動作時に、
特性を損うことなしに、レーザ出力ビーム断面を正方形
あるいはそれに近い形状にすることが出来るようになり
、外部で用いる光学系の有効寸法を小さくすることが可
能となり、低コスト化が図れる。
可能な放電路の高さくＨ）を１個の光学要素で主電極に
平行に２分割するため、放電により励起された利得媒質
を有効に活用し、高繰返しに重要な低ガス圧動作時に、
特性を損うことなしに、レーザ出力ビーム断面を正方形
あるいはそれに近い形状にすることが出来るようになり
、外部で用いる光学系の有効寸法を小さくすることが可
能となり、低コスト化が図れる。
又、一体の折返し光学要素により、レーザが選択的に垂
直偏光発振となるため、レーザ発振器の外部で斜入射光
学系を容易に用いることが可能となり、出力モニター、
ビーム分割等の精度が向上する。
直偏光発振となるため、レーザ発振器の外部で斜入射光
学系を容易に用いることが可能となり、出力モニター、
ビーム分割等の精度が向上する。
更に、直角プリズム型折返し光学要素により、ＸｅＣ２
，ＫｒＦ、 ＡｒＦを光学要素に手を加えることなしに
、低ガス圧で高繰返し高効率発振出来るようになり、用
途が広くなった。
，ＫｒＦ、 ＡｒＦを光学要素に手を加えることなしに
、低ガス圧で高繰返し高効率発振出来るようになり、用
途が広くなった。
本発明に於いて得られる上記の効果は、部分透過光学要
素、全反射光学要素が必ずしも一体であることには、制
約されるものではない。更に又、本発明による効果は、
直角プリズム形折返し光学要素が、必ずしも一体である
ことは制約するものでなく、相互に直角を成す別個の反
射鏡面であっても良い。
素、全反射光学要素が必ずしも一体であることには、制
約されるものではない。更に又、本発明による効果は、
直角プリズム形折返し光学要素が、必ずしも一体である
ことは制約するものでなく、相互に直角を成す別個の反
射鏡面であっても良い。
なお本発明は、低ガス圧動作のみに限らず、高ガス圧動
作に於いても応用出来るものである。
作に於いても応用出来るものである。
第１図は、本発明の第１実施例のレーザ発振器廣廖！
を示す概略横断面図で、ａは光軸に直角万福７有ゴは光
軸方向の断面図、第２図は、本発明の第２実施例のレー
ザ発振器を示す概略横断面図、第３図は、従来技術のレ
ーザ発振器を示す概略横断図である。 １・・・利得媒体（エキシマレーザガス）、２・・・放
電室、３．４・・・主電極、５・・・予備電離装置、６
・・・放電路、７，７′・・・光軸、９・・・レーザビ
ーム折返し光学要素、１０・・・部分透過光学要素、１
１・・・全反射光学要素、１２・・・直角プリズム形折
返し光学要素、１３゜１３′・・・反射鏡面、１４・・
・透過平面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男ほか１名纂 １
図 （α− （ｂ）
軸方向の断面図、第２図は、本発明の第２実施例のレー
ザ発振器を示す概略横断面図、第３図は、従来技術のレ
ーザ発振器を示す概略横断図である。 １・・・利得媒体（エキシマレーザガス）、２・・・放
電室、３．４・・・主電極、５・・・予備電離装置、６
・・・放電路、７，７′・・・光軸、９・・・レーザビ
ーム折返し光学要素、１０・・・部分透過光学要素、１
１・・・全反射光学要素、１２・・・直角プリズム形折
返し光学要素、１３゜１３′・・・反射鏡面、１４・・
・透過平面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男ほか１名纂 １
図 （α− （ｂ）
Claims (5)
- （１）利得媒体を入れた放電室、光軸の方向に延びる少
なくとも２個の主電極、主放電の前に予じめ予備電離す
るための手段、全反射光学要素及び部分透過出力要素、
および放電路内で高さを２分するように、レーザビーム
を折返す少なくとも１個の光学要素を有することを特徴
とするエキシマレーザ装置。 - （２）レーザビームは、主電極間に形成される放射に利
用可能な放電路内で互いに平行になるよう折返えされて
いることを特長とする特許請求の範囲第１項記載のエキ
シマレーザ装置。 - （３）レーザビームを折返す光学要素が、レーザ放射に
利用可能な放電路内の光軸に対し直角な１つの反射面と
前記光軸に対しそれぞれブリュースタ角あるいはそれに
近い角度に形成された２つの平面から成ることを特長と
する特許請求の範囲第１項記載のエキシマレーザ装置。 - （４）レーザビームを折返す光学要素が、相互に直角を
成し、かつ光軸に対しそれぞれ４５°の角を形成する２
個の反射鏡面を有する特許請求の範囲第１項記載のエキ
シマレーザ装置。 - （５）レーザ発振に必要な利得媒体の全圧が３気圧以下
であることを特長とする、特許請求の範囲第１項記載の
エキシマレーザ装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6458087A JPH0714086B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | エキシマレ−ザ装置 |
| DE3884832T DE3884832T2 (de) | 1987-03-19 | 1988-03-18 | Laservorrichtung. |
| EP88104387A EP0283044B1 (en) | 1987-03-19 | 1988-03-18 | Laser apparatus |
| US07/169,784 US5042047A (en) | 1987-03-19 | 1988-03-18 | Laser apparatus |
| DE3854236T DE3854236T2 (de) | 1987-03-19 | 1988-03-18 | Laser-Apparat. |
| EP92105632A EP0495535B1 (en) | 1987-03-19 | 1988-03-18 | Laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6458087A JPH0714086B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | エキシマレ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229880A true JPS63229880A (ja) | 1988-09-26 |
| JPH0714086B2 JPH0714086B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=13262321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6458087A Expired - Fee Related JPH0714086B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | エキシマレ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714086B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02288280A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-28 | Nec Corp | 横放電励起パルスガスレーザ装置 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP6458087A patent/JPH0714086B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02288280A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-28 | Nec Corp | 横放電励起パルスガスレーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714086B2 (ja) | 1995-02-15 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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