JPH07142031A

JPH07142031A - 放電ランプ電極

Info

Publication number: JPH07142031A
Application number: JP29164893A
Authority: JP
Inventors: Munemitsu Hamada; 宗光浜田
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1993-11-22
Filing date: 1993-11-22
Publication date: 1995-06-02

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】セラミック陰極蛍光放電ランプの管径を小さ
くする。【構成】電子放出性半導体磁器２８を収納する有底円
筒状半導体磁器からなる放電電極２７を有し、金属チュ
ーブ内に収納された水銀ゲッター３２から水銀を放出す
る放電ランプ電極の水銀ゲッターを管端部と放電電極の
間のリード線に取り付ける。取付方法としては、水銀ゲ
ッター容器内にリード線を貫通する方法、水銀ゲッター
容器内に放電電極を挿入する方法、放電電極内に水銀ゲ
ッターを挿入する方法がある。このように構成すること
によって、放電ランプの管径の増大が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、携帯用のパーソナル・
コンピュータあるいはワード・プロセッサ等に用いられ
る液晶表示装置用バックライト放電ランプの電極に係る
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の急速なパーソナル・コンピュータ
の普及の中で、携帯に適した小型のパーソナル・コンピ
ュータあるいはワード・プロセッサが急速に普及しつつ
あり、特に外形が一般のビジネス文書と同じＡ４型の大
きさであるノート型と呼ばれるパーソナル・コンピュー
タは携帯が小型軽量である上に価格が低廉であるという
ことから人気がある。

【０００３】このノート型パーソナル・コンピュータに
は表示装置として多くの場合液晶表示装置が用いられて
いるが、この液晶表示装置は発光表示装置でないため表
示内容を見るためには光源が必要である。この光源とし
て最も単純なものは外部光源を利用するが、外部光源が
不十分な場所で使用するためあるいはカラー表示を行う
ためには十分な量の外部光が必要なため内部光源が必要
である。この内部光源は液晶表示装置の背面から光を照
射するためバックライト光源と呼ばれ、液晶表示面の全
体を表示するために面光源であることが要求されてい
る。そのため、現在は電界発光（Electro Luminescent=
EL）素子あるいは導光板と組み合わされた蛍光放電ラン
プがバックライト光源として使用されている。

【０００４】蛍光放電ランプを用いたバックライト光源
の構成を図１に示す。この図において１はガラスあるい
はアクリル樹脂等の透光性材料からなる導光板であり、
その表面には板の側面から入射された光を平面方向に放
射するための凹凸が形成されている。そして、導光板１
の両側面には導光板１に光を入射させるための光源とし
て蛍光放電ランプ２，２が取り付けられている。

【０００５】一般的な放電ランプは、ガラス等の透明材
料で形成された管内に放電用ガスが封入され、ガラス管
内に対向して配置された放電電極に交流あるいは直流電
圧が印加されることにより放電用ガスを介して放電が発
生し、光が外部に放射される。蛍光放電ランプの場合は
放電用ガスに低圧（１Ｐａ程度）の水銀（Ｈｇ）ガスを
用い、水銀ガスが放射する波長２５３.７nmの紫外線を
ガラス管内壁に塗布されたハロ燐酸カルシウム（３Ｃａ
₃（ＰＯ₄）₂・ＣａＦＣｌ／Ｓｂ，Ｍｎ）等の蛍光物質
に照射して可視光に変換している。また、放電用ガス中
にはこの他に水銀ガスの電離を促進して放電をし易くす
るため（ペニング効果）に数１００Ｐａ程度の圧力のア
ルゴン（Ａｒ）ガスが封入されている。

【０００６】従来のバックライト光源用に用いられる蛍
光放電ランプ２の断面図を図２（ａ）に、管端部の円ｂ
部の拡大断面図を図２（ｂ）に示す。この図において２
１は内壁に蛍光物質が塗布された円筒型の細長い密封ガ
ラス管容器であり、ガラス管容器２１の左右側端部には
それぞれリード線２２，２２が設けられている。リード
線２２の先端には酸化バリウム（ＢａＯ）等の電子放射
物質を塗布されたタングステン製フィラメント２３，２
３が取り付けられ、このフィラメント２３，２３と管端
部との間に水銀ゲッター２４，２４が配設されている。

【０００７】水銀ゲッター（Ｔｉ₃Ｈｇ）はチタンの結
晶格子の内部に水銀の原子が取り込まれており、加熱さ
れることによりＴｉ₃Ｈｇ→Ｔｉ₃＋Ｈｇとなって水銀が
放出される。蛍光放電ランプを製造する際には、放電開
始用ガスであるアルゴンガスを封入して、管端部を閉じ
て管全体を密封し、その後水銀ゲッター２４，２４を高
周波誘導加熱装置を用いて加熱してＴｉ₃Ｈｇから水銀
蒸気を放出する。水銀ゲッターはそのものは粉末であ
り、粉末の状態，ニッケルメッキが施された鉄の薄板上
にＴｉ₃Ｈｇの粉末が塗布された状態あるいはニッケル
のチューブ内にＴｉ₃Ｈｇの粉末が充填された状態で供
給される。なお、薄膜状のチタンはゲッター作用を有す
る金属であるが水銀ゲッターは粉末であるため水銀を放
出した後の金属チタンはゲッター作用を有しない。その
ため、水銀ゲッターを使用する場合には残留ガスを吸着
するために別途Ｚｒ−Ａｌ等のゲッターが使用される。

【０００８】この蛍光放電ランプはフィラメント２３を
有する熱陰極型であるため、消費電力が大きいばかりで
なくイオン衝撃によりフィラメントに塗布された電子放
射物質及びフィラメントを構成するタングステンがスパ
ッタして失われるため管の寿命が短い。また、フィラメ
ントがある程度の大きさを必要とするためガラス管の内
径を小さくすることができず、通常のガラス管外径は８
mm程度である。

【０００９】蛍光放電ランプを使用したバックライト光
源が多く用いられているノート型パーソナル・コンピュ
ータに対する小型化及び省電力化の要求は強く、したが
ってバックライト光源に対する省電力化及び薄型化への
要求も強い。この要求に応えるため、図３に管端部の拡
大断面図を示すフィラメントを有しない冷陰極型蛍光放
電ランプが提案されている。この冷陰極放電ランプは図
２に示された熱陰極放電ランプのフィラメント及び水銀
ゲッターに代えて、ガラス管容器２１内に水銀ゲッター
を兼ねる陰極２６がリード線２５に取り付けられてい
る。

【００１０】この冷陰極型蛍光放電ランプは図２に示し
た熱陰極型蛍光放電ランプと異なり熱陰極を有しないた
め、消費電力が小さくまた管の寿命は長い。また、フィ
ラメントを用いないためガラス管容器の内径を小さくす
ることができ、ガラス管容器２１の外径を４mm程度にす
ることができる。しかし、陰極の加熱源がないため放電
開始電圧が高く、また大きな電子流を得ることができな
いため輝度を高くすることができず用途に限界がある。

【００１１】本発明者らは、特開平２−１８６５２７号
公報，特開平２−１８６５５０号公報，特開平２−２１
５０３９号公報，特開平４−４３５４６号公報におい
て、これら熱陰極型蛍光放電ランプの有する問題点と冷
陰極型蛍光放電ランプの有する問題点とをともに解決す
ることができる蛍光放電ランプとしてセラミック材料を
陰極とする蛍光放電ランプを提案した。

【００１２】図４に示すのはこのセラミック陰極蛍光放
電ランプの管端部の拡大断面図であり、ガラス管容器２
１内に収納された放電電極はリード線２５端部に形成さ
れた分岐部２６に弾性挟持され一方が開放口となってい
る有底円筒状の高融点又は耐スパッタリング性の良好な
半導体磁器、例えばＢａ（Ｚｒ，Ｔａ）Ｏ₃系の半導体
磁器からなる円筒電極２７と、この円筒電極２７内に収
納された塊状または粒状もしくは多孔質状の電子放出性
半導体磁器２８とにより構成されている。また、円筒電
極２７の表面上にはＴａ系のスパッタリング防止層が形
成されている。円筒電極２７の大きさとしては内径０.
９mm、外径１.９mm、長さ２.３mmのもの及び内径１.６m
m、外径２.６mm、長さ２.３mmのものがある。このセラ
ミック陰極蛍光放電ランプの水銀ゲッター３０は円筒電
極２７に近接した位置の半径方向外側に配設されてい
る。

【００１３】このセラミック陰極蛍光放電ランプにおい
て、放電開始用アルゴンガスにより放電が開始されると
電離したガスが放電電極付近でプラズマを生成し、この
プラズマにより電子放出性半導体磁器２８が加熱される
ため、電子放出性半導体磁器２８は熱陰極として動作す
る。

【００１４】このセラミック陰極蛍光放電ランプは電子
放射物質等がスパッタして失われることによる短寿命の
問題はない。また、熱陰極型であるため冷熱陰極型と異
なり放電開始電圧が下げることができ、輝度を高くする
ことができる。しかし、水銀ゲッター３０の配設位置が
円筒電極２７に隣接した位置であるため、ガラス管の外
径を小さくすることができないので、ノート型パーソナ
ル・コンピュータのバックライト光源に対する要求を完
全には満たしていない。

【００１５】水銀ゲッターの取付構造として、この他に
図５に示されたようにガラス管容器２１内に収納された
熱陰極フィラメント３１のリード線２５の一方に水銀ゲ
ッター３２を嵌挿して固定したものが提案されている。
しかし、前に述べたように水銀ゲッターは粉末であり、
加熱すると水銀が放出されてしまう。そのため水銀ゲッ
ター粉末のリード線２５への固定は圧力により圧し固め
ることによっている。したがって、非常に脆いものであ
り製造時の取り扱いに注意が必要である。これらの問題
を解決するために本発明者らは特願平５−８７５４２号
においてニッケルチューブに充填された水銀ゲッターを
円筒電極と管端部の間のリード線に取付ける構成を、ま
た特願平５−８７５４３号において水銀ゲッターを円筒
電極とともに取付ける構成を提案した。

【００１６】

【発明の概要】本願発明は、ノート型パーソナル・コン
ピュータのバックライト光源に使用するのに適したガラ
ス管径の小さい蛍光放電ランプのさらに新規な構造を提
供することを目的とする。

【００１７】そのために、本願発明においてはセラミッ
ク陰極を構成する円筒電極とニッケルチューブに充填さ
れた水銀ゲッターとを直列に配設し、この水銀ゲッター
にリード線を嵌挿した。このような構成を有する本願発
明においては、放電ランプの製造時に円筒電極とリード
線導出部との間に円筒電極に隣接して配設された水銀ゲ
ッターから放電用の水銀蒸気が放出され、放電ランプの
使用時にリード線の端部に設けられた半導体磁器有底円
筒内に収納された電子放出性半導体磁器から電子が放出
されて放電が行われる。

【００１８】このような構成を有する本発明により、セ
ラミック陰極蛍光放電ランプのガラス管容器に細径のも
のを使用することができるため、このセラミック陰極蛍
光放電ランプを採用した液晶表示装置の薄型化を図るこ
とができる。

【００１９】

【実施例】以下、図を用いて本願各発明の実施例を説明
する。なお、本発明のセラミック陰極放電ランプの基本
的な構成は図４に示した従来のセラミック陰極放電ラン
プの構成と共通であるから、以下に説明する実施例にお
いては本発明に係るセラミック陰極放電ランプの概要に
ついての説明は省略する。

【００２０】図６に示したのは、本願第１発明に係るセ
ラミック陰極放電ランプの第１の実施例であり（ａ）に
管端部の拡大断面図を（ｂ）にｂ−ｂ線で切断した断面
図を示す。この図において、２１は内壁に蛍光物質が塗
布された円筒型の細長い密封ガラス管容器であり、ガラ
ス管容器２１の左右側端部にリード線２５が設けられて
いる。このリード線２５の導入部の反対側端には浅い円
筒形状の金属キャップ３３が取り付けられている。

【００２１】２７は高融点かつ耐スパッタリング性の良
好な半導体磁器、例えばＢａ（Ｚｒ，Ｔａ）Ｏ₃系の半
導体磁器からなる円筒電極である。円筒電極２７は一方
が開放口となっている有底円筒状をなしており、この円
筒電極２７内には塊状または粒状もしくは多孔質状の電
子放出性半導体磁器２８が収納されている。また、円筒
電極２７はその表面上にＴａ系スパッタリング防止層が
形成されている。この円筒電極２７の底部側が金属キャ
ップ３３により保持されている。水銀ゲッター３２は円
筒形状を有するニッケル等の金属製チューブ３４内に充
填されており、その中心にリード線２５が嵌挿されてリ
ード線２５の導入部側と金属キャップ３３の間に配設さ
れている。

【００２２】水銀ゲッター３２をリード線２５に取り付
けるには水銀ゲッターが充填されたニッケルチューブを
所定長さに切断し、その軸方向中心にリード線２５を挿
通することができる孔を形成し、その孔にリード線２５
を挿通した後にニッケルチューブの上から圧着する。こ
のようにすることにより、水銀ゲッターが破損すること
なく確実に取り付けられる。なお、このように金属チュ
ーブ内に水銀ゲッターを充填した水銀ゲッター容器の中
心にリード線を挿通する構成は水銀ゲッターを使用する
他の構成の放電ランプにおいて適用可能であることは当
然のことである。

【００２３】図７に示したのは、図６に示した本願第１
発明に係るセラミック陰極放電ランプの変形実施例であ
る第２の実施例であり、（ａ）に管端部の拡大断面図を
（ｂ）にｂ−ｂ線で切断した断面図を示す。この図にお
いて、２１は内壁に蛍光物質が塗布された円筒型の細長
い密封ガラス管容器であり、ガラス管容器の左右側端部
にリード線２５が設けられている。このリード線２５の
導入部の反対側端には浅い円筒形状の金属キャップ３３
が取り付けられている。

【００２４】円筒電極３５は一方が開放口となっている
有底円筒状をなしており、この円筒電極３５内には塊状
または粒状もしくは多孔質状の電子放出性半導体磁器２
８が収納されている。また、円筒電極３５はその表面上
にＴａ系スパッタリング防止層が形成されている。この
円筒電極３５の底部外側には径小部３６が形成されてお
り、この径小部３６が金属キャップ３３内に挿入される
ことにより保持されている。水銀ゲッター３２は円筒形
状を有するニッケル等の金属製チューブ３４内に充填さ
れており、その中心にリード線２５が嵌挿されてリード
線２５の導入部側と金属キャップ３３の間に配設されて
いる。

【００２５】図８に示したのは、本願第２発明に係るセ
ラミック陰極放電ランプの第１の実施例であり（ａ）に
管端部の拡大断面図を（ｂ）にｂ−ｂ線で切断した断面
図を示す。この図において、２１は内壁に蛍光物質が塗
布された円筒型の細長い密封ガラス管容器であり、ガラ
ス管容器の左右側端部にリード線２５が設けられてい
る。円筒電極３６はこれまでに図６及び図７に示したも
のと異なり、有底円筒ではなく無底円筒形状に形成され
ている。この無底円筒形状である円筒電極３６内に円筒
電極３６の内径に等しい外径を有する封止部材３７が挿
入され、円筒電極３６の底を形成している。このように
封止部材３７により底が形成された円筒電極３６内に塊
状または粒状もしくは多孔質状の電子放出性半導体磁器
２８が収納されている。また、円筒電極３６はその表面
上にＴａ系スパッタリング防止層が形成されている。

【００２６】水銀ゲッター３２は円筒形状を有するニッ
ケル等の金属製チューブ３４内に充填されており、その
中心にリード線２５の径大部３８が挿通されてリード線
２５の導入部側と円筒電極３６の間に配設されている。
この径大部３８は必ずしも必要なものではなく、リード
線２５に封止部材３７を直接に形成することも可能であ
る。また、リード線２５と封止部材３７は電気的に接続
され、このことにより円筒電極３６に給電が行われる。

【００２７】図９に示したのは、本願第２発明に係るセ
ラミック陰極放電ランプの第２の実施例であり（ａ）に
管端部の拡大断面図を（ｂ）にｂ−ｂ線で切断した断面
図を示す。この実施例は図８に示された第３に実施例の
一部を変形したものであり、図において、２１は内壁に
蛍光物質が塗布された円筒型の細長い密封ガラス管容器
であり、ガラス管容器の左右側端部にリード線２５が設
けられている。このリード線２５の導入部の反対側端に
は径大部４１のみが形成されている。

【００２８】円筒電極３９はこれまでに無底円筒形状で
はあるが、図８に示した第３実施例のものと異なり径小
部４０が形成されている。この無底円筒形状である円筒
電極内３９の径小部にリード線２５に形成された径大部
４１が挿入され、円筒電極３９の底を形成するととも
に、円筒電極３９に給電するように構成されている。こ
のように径大部４１により底が形成された円筒電極３９
内に塊状または粒状もしくは多孔質状の電子放出性半導
体磁器２８が収納されている。また、円筒電極３９はそ
の表面上にＴａ系スパッタリング防止層が形成されてい
る。

【００２９】水銀ゲッター３２は円筒形状を有するニッ
ケル等の金属製チューブ３４内に充填されており、その
中心にリード線２５の径大部４１が嵌挿されてリード線
２５の導入部側と円筒電極３９の間に配設されている。
この径大部４１の内水銀ゲッター３２に挿通される部分
は必ずしも必要なものではなく、リード線２５を水銀ゲ
ッター内に挿通することも可能である。

【００３０】図１０に示したのは、本願第２発明に係る
セラミック陰極放電ランプの第３の実施例であり（ａ）
に管端部の拡大断面図を（ｂ）にｂ−ｂ線で切断した断
面図を示す。この実施例は図９に示された第２実施例の
一部をさらに変形したものであり、図において、２１は
内壁に蛍光物質が塗布された円筒型の細長い密封ガラス
管容器であり、ガラス管容器の左右側端部にリード線２
５が設けられている。このリード線２５の導入部の反対
側端には径大部４１が形成され、さらにその先端には系
止部４２が形成されている。

【００３１】円筒電極３９は図９に示した第２実施例の
ものと同一の形状を有しており径小部４０が形成されて
いる。しかし、リード線２５の先端に形成された系止部
４２は薄い円板形状をなしており、その径は円筒電極３
９の内径に等しく形成されている。この無底円筒形状で
ある円筒電極内３９の径小部にリード線２５に形成され
た径大部４１が挿入され、系止部４２が円筒電極３９の
底を形成するとともに、円筒電極３９に給電するように
構成されている。このように系止部４２により底が形成
された円筒電極３９内に塊状または粒状もしくは多孔質
状の電子放出性半導体磁器２８が収納されている。ま
た、円筒電極３９はその表面上にＴａ系スパッタリング
防止層が形成されている。

【００３２】水銀ゲッター３２は円筒形状を有するニッ
ケル等の金属製チューブ３４内に充填されており、その
中心にリード線２５の径大部４１が嵌挿されてリード線
２５の導入部側と円筒電極３９の間に配設されている。
この径大部４１の内水銀ゲッター３２に挿通される部分
は必ずしも必要なものではなく、リード線２５の先端に
直接に系止部４２を形成することも可能である。

【００３３】図１１に示したのは、本願第３発明に係る
セラミック陰極放電ランプの第１の実施例であり（ａ）
に管端部の拡大断面図を（ｂ）にｂ−ｂ線で切断した断
面図を示す。この図において、２１は内壁に蛍光物質が
塗布された円筒型の細長い密封ガラス管容器であり、ガ
ラス管容器２１の左右側端部にリード線２５が設けられ
ている。水銀ゲッター４５は円筒形状を有するニッケル
等の金属製チューブ４６内に充填されており、ニッケル
チューブ４６にリード線２５の端部４７が取り付けられ
ている。

【００３４】水銀ゲッター４５はリード線２５の導入部
側と円筒電極４３の間に配設され、ニッケルチューブの
内径と円筒電極４３の外形は等しくされており、ニッケ
ルチューブの一端部４８が延長され、その中に円筒電極
４３の底部が挿入されている。４３は高融点かつ耐スパ
ッタリング性の良好な半導体磁器、例えばＢａ（Ｚｒ，
Ｔａ）Ｏ₃系の半導体磁器からなる円筒電極である。円
筒電極４３は一方が開放口となっている有底円筒状をな
しており、この円筒電極４３内には塊状または粒状もし
くは多孔質状の電子放出性半導体磁器４４が収納されて
いる。また、円筒電極４３はその表面上にＴａ系スパッ
タリング防止層が形成されている。その結果、水銀ゲッ
ター４５及び円筒電極４３がリード線２５に取り付けら
れるとともに、リード線２５と円筒電極４３の電気的接
続がなされる。このようにすることにより、水銀ゲッタ
ーが破損することなく確実に取り付けられる。

【００３５】図１２に示したのは、図１１に示した本願
第３発明に係るセラミック陰極放電ランプの変形実施例
である第２の実施例であり、（ａ）に管端部の拡大断面
図を（ｂ）にｂ−ｂ線で切断した断面図を示す。この図
において、２１は内壁に蛍光物質が塗布された円筒型の
細長い密封ガラス管容器であり、ガラス管容器２１の左
右側端部にリード線２５が設けられている。水銀ゲッタ
ー４５は円筒形状を有するニッケル等の金属製チューブ
４６内に充填されており、ニッケルチューブ４６にリー
ド線２５の端部４７が取り付けられている。

【００３６】水銀ゲッター４５はリード線２５の導入部
側と円筒電極４３の間に配設され、ニッケルチューブの
円筒電極４９側が延長部４８とされている。この円筒電
極４９の底部外側には径小部４９が形成されており、ニ
ッケルチューブ４８の内径と円筒電極４３の外形は等し
くされ、この径小部４９がニッケルチューブの延長部４
８内に挿入されることにより保持されている。

【００３７】図１３に示したのは、本願第４発明に係る
セラミック陰極放電ランプの実施例であり、（ａ）に管
端部の拡大断面図を（ｂ）にｂ−ｂ線で切断した断面図
を示す。この図において、２１は内壁に蛍光物質が塗布
された円筒型の細長い密封ガラス管容器であり、ガラス
管容器２１の左右側端部にリード線２５が設けられてい
る。

【００３８】水銀ゲッター４５は円筒形状を有するニッ
ケル等の金属製チューブ４６内に充填されており、リー
ド線２５の導入部側と円筒電極４３の間に円筒電極４３
に接して配設されている。ニッケルチューブ４６の外径
と円筒電極４９の外径とは等しくされており、これらの
外径に等しい内径を有する金属製チューブ５１の中に挿
入されている。この金属製チューブ５１にリード線２５
の端部４７が取り付けられている。

【００３９】図１４に示したのは、本願第５発明に係る
セラミック陰極放電ランプの実施例であり（ａ）に管端
部の拡大断面図を（ｂ）にｂ−ｂ線で切断した断面図を
示す。この図において、２１は内壁に蛍光物質が塗布さ
れた円筒型の細長い密封ガラス管容器であり、ガラス管
容器２１の左右側端部にリード線２５が設けられてい
る。５２は高融点かつ耐スパッタリング性の良好な半導
体磁器、例えばＢａ（Ｚｒ，Ｔａ）Ｏ₃系の半導体磁器
からなる円筒電極である。円筒電極５２は両方が開放口
とされ、中間部に仕切が設けられた有底円筒状をなして
おり、この円筒電極５２の一方に塊状または粒状もしく
は多孔質状の電子放出性半導体磁器５３が収納されてい
る。また、円筒電極５２はその表面上にＴａ系スパッタ
リング防止層が形成されている。

【００４０】水銀ゲッター５４はニッケル等の金属製チ
ューブ５５内に充填されており、リード線２５の導入部
側と円筒電極４３の間に配設され、ニッケルチューブの
外径と円筒電極５２の内径は等しくされており、円筒電
極５２の電子放出性半導体磁器５３が収納されていない
側に水銀ゲッターが充填されたニッケルチューブが一部
を残して挿入されている。リード線２５の端部４７がニ
ッケルチューブ５５に取り付けられており、その結果、
水銀ゲッター５４及び円筒電極５２がリード線２５に取
り付けられるとともに、リード線２５と円筒電極４３の
電気的接続がなされる。このようにすることにより、水
銀ゲッターが破損することなく確実に取り付けられる。
なお、円筒電極の外側に金属円筒を取付け、この金属円
筒にリード線２５の端部４７を取り付けるように構成す
ればニッケルチューブ５５を使用する必要がない。

【００４１】図１５に示したのは、図１４に示した本願
第５発明に係るセラミック陰極放電ランプの変形実施例
である第２の実施例であり、（ａ）に管端部の拡大断面
図を（ｂ）にｂ−ｂ線で切断した断面図を示す。この図
において、２１は内壁に蛍光物質が塗布された円筒型の
細長い密封ガラス管容器であり、ガラス管容器２１の左
右側端部にリード線２５が設けられている。５２は高融
点かつ耐スパッタリング性の良好な半導体磁器、例えば
Ｂａ（Ｚｒ，Ｔａ）Ｏ₃系の半導体磁器からなる円筒電
極である。円筒電極５２は両方が開放口とされ、中間部
に仕切が設けられた有底円筒状をなしており、この円筒
電極５２の一方に塊状または粒状もしくは多孔質状の電
子放出性半導体磁器５３が収納されている。また、円筒
電極５２はその表面上にＴａ系スパッタリング防止層が
形成されている。

【００４２】水銀ゲッター５４はニッケルチューブ５５
内に充填されており、リード線２５の導入部側と円筒電
極４３の間に配設され、ニッケルチューブの外径と円筒
電極５２の内径は等しくされており、円筒電極５２の電
子放出性半導体磁器５３が収納されていない側に水銀ゲ
ッターが充填されたニッケルチューブが完全に挿入され
ている。

【００４３】リード線２５の導入部の反対側端には浅い
円筒形状の金属キャップ５６が取り付けられており、円
筒電極５２の水銀ゲッター５４挿入側がこの金属キャッ
プ５６により保持されている。金属キャップ５６には放
電管封止後に水銀蒸気を通す必要があるため（ｂ）に示
したような孔部が形成されている。なお、この場合の水
銀ゲッターはニッケルチューブに充填されていないもの
であっても使用することが可能である。

【００４４】図１６に示したのは、本願第４発明に係る
セラミック陰極放電ランプの実施例であり（ａ）に管端
部の拡大断面図を（ｂ）にｂ−ｂ線で切断した断面図を
示す。この図において、２１は内壁に蛍光物質が塗布さ
れた円筒型の細長い密封ガラス管容器であり、ガラス管
容器２１の左右側端部にリード線２５が設けられてい
る。５８は高融点かつ耐スパッタリング性の良好な半導
体磁器、例えばＢａ（Ｚｒ，Ｔａ）Ｏ₃系の半導体磁器
からなる偏平円筒電極である。偏平円筒電極５８は一端
が開放口とされた有底円筒状をなしており、この偏平円
筒電極５８内に塊状または粒状もしくは多孔質状の電子
放出性半導体磁器５９が収納されている。また、偏平円
筒電極５２はその表面上にＴａ系スパッタリング防止層
が形成されている。リード線２５の導入部の反対側端に
はＵ字形状の支持体６０が取り付けられており、この支
持体６０によって偏平円筒電極５８が挟持されている。
また、この支持体６０の両面には粉末状の水銀ゲッター
６１及び６２が設けられている。このように構成するこ
とにより、粉末の状態あるいはニッケルメッキが施され
た鉄の薄板上にＴｉ₃Ｈｇの粉末が塗布された状態の水
銀ゲッターを破損することなく確実に取り付けることが
できる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明した実施例から明らかなよう
に、本願発明においては円筒電極と水銀ゲッターとを直
列に配設しているから、セラミック陰極蛍光放電ランプ
のガラス管容器として細径のものを使用することがで
き、このセラミック陰極蛍光放電ランプを採用した液晶
表示装置の薄型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】蛍光放電ランプを適用した液晶表示装置用バッ
クライトの斜視図。

【図２】従来例のバックライト用蛍光放電ランプの全体
断面図及び管端部断面図。

【図３】他の従来例のバックライト用蛍光放電ランプの
管端部断面図。

【図４】さらに他の従来例のバックライト用蛍光放電ラ
ンプの管端部断面図。

【図５】さらに他の従来例のバックライト用蛍光放電ラ
ンプの管端部断面図。

【図６】本願第１発明第１実施例の放電ランプの管端部
断面図。

【図７】本願第１発明第２実施例の放電ランプの管端部
断面図。

【図８】本願第２発明第１実施例の放電ランプの管端部
断面図。

【図９】本願第２発明第２実施例の放電ランプの管端部
断面図。

【図１０】本願第２発明第３実施例の放電ランプの管端
部断面図。

【図１１】本願第３発明第１実施例の放電ランプの管端
部断面図。

【図１２】本願第３発明第２実施例の放電ランプの管端
部断面図。

【図１３】本願第４発明実施例の放電ランプの管端部断
面図。

【図１４】本願第５発明第１実施例の放電ランプの管端
部断面図。

【図１５】本願第５発明第２実施例の放電ランプの管端
部断面図。

【図１６】本願第６発明実施例の放電ランプの管端部断
面図。

【符号の説明】

１導光板２放電ランプ５，３３，５６金属キャップ２１ガラス管容器２２，２５リード線２７，３５，３６，３９，４３，４９，５２円筒電極２８，４４，５３，５９電子放出性半導体磁器３０，３２，４５，５４，６１，６２水銀ゲッター

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有底円筒状半導体磁器、ガラス管の管端部から導出されるリード線、前記有底円筒状半導体磁器を保持し前記リード線に取り
付けられた浅い円筒形状の金属キャップ、前記有底円筒状半導体磁器内に収納された電子放出性半
導体磁器、金属チューブ内に水銀ゲッターが充填され前記リード線
の導出側端と前記有底円筒状半導体磁器との間に配置さ
れた円筒状水銀ゲッタ容器を具え、前記円筒状水銀ゲッ
タ容器の中心にリード線が挿通された放電ランプ電極。
【請求項２】無底円筒状半導体磁器、ガラス管の管端部から導出されるリード線、前記無底円筒状半導体磁器に挿入され前記無底円筒状半
導体磁器の底部形成し前記リード線に取り付けられた金
属部材、前記無底円筒状半導体磁器内に収納された電子放出性半
導体磁器、金属チューブ内に水銀ゲッターが充填され前記リード線
の導出側端と前記無底円筒状半導体磁器との間に配置さ
れた円筒状水銀ゲッタ容器を具え、前記円筒状水銀ゲッタ容器の中心にリード線が挿通され
た放電ランプ電極。
【請求項３】有底円筒状半導体磁器、ガラス管の管端部から導出されるリード線、前記有底円筒状半導体磁器内に収納された電子放出性半
導体磁器、金属チューブ内に水銀ゲッターが充填され前記リード線
の導出側端と前記有底円筒状半導体磁器との間に配置さ
れ前記金属チューブの前記有底円筒状半導体磁器側が延
長された円筒状水銀ゲッタ容器を具え、前記リード線が前記金属チューブに接続されるとともに
前記有底円筒状半導体磁器の底部が前記延長された金属
チューブに挿入された放電ランプ電極。
【請求項４】有底円筒状半導体磁器、ガラス管の管端部から導出されるリード線、前記有底円筒状半導体磁器内に収納された電子放出性半
導体磁器、金属チューブ内に水銀ゲッターが充填され前記リード線
の導出側端と前記有底円筒状半導体磁器との間に配置さ
れ前記金属チューブの前記有底円筒状半導体磁器側が延
長された円筒状水銀ゲッタ容器を具え、前記リード線が前記金属チューブに接続されるとともに
前記有底円筒状半導体磁器が前記延長された金属チュー
ブに挿入された放電ランプ電極。
【請求項５】両端に開口部を有し中間部に底部を有す
る有底円筒状半導体磁器、ガラス管の管端部から導出されるリード線、前記有底円筒状半導体磁器の一方の開口部内に収納され
た電子放出性半導体磁器、金属チューブ内に水銀ゲッターが充填され前記リード線
の導出側端と前記有底円筒状半導体磁器との間に配置さ
れ前記金属チューブの前記有底円筒状半導体磁器側が延
長された円筒状水銀ゲッタ容器を具え、前記リード線が前記金属チューブに接続されるとともに
前記円筒状水銀ゲッター容器が前記有底円筒状半導体磁
器のもう一方の開口部内に挿入された放電ランプ電極。
【請求項６】有底偏平円筒状半導体磁器、ガラス管の管端部から導出されるリード線、前記有底偏平円筒状半導体磁器内に収納された電子放出
性半導体磁器、Ｕ字形状の中に前記有底偏平円筒状半導体磁器を挟持す
るＵ字形板状金属支持部材、前記Ｕ字形板状金属支持部材の両面に付着した水銀ゲッ
ターを具え、前記リード線が前記Ｕ字形板状金属支持部材に接続され
た放電ランプ電極。